JP2005093542A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
スイッチング素子に、ボトムコンタクト型の有機TFTを用いることにより、表示装置,IDタグ,センサー等の半導体装置の低コストで提供すること。
【解決手段】
ボトムコンタクト型有機TFTの半導体層を多結晶材料で形成し、ソース・ドレイン電極のチャネル長方向におけるテーパー幅を、ソース・ドレイン電極上に成長する半導体結晶の平均粒径よりも短くする。または、ボトムコンタクト型有機TFTのソース・ドレイン電極のチャネル側側面の形状を、基板面に対して上に凸型になるように形成する。または、ボトムコンタクト型有機TFTのソース・ドレイン電極と半導体層との間には、前記半導体層とは異なる有機化合物層1Å以上10Å以下の厚さで介在させる。
【選択図】図1
Description
TFTでは、各層を形成するプロセス時に、有機半導体膜が劣化する懸念がある。こうした点から、絶縁基板上にゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース・ドレイン電極を形成した後、有機半導体層を形成するボトムコンタクト構造が有機TFTに適している。
前記半導体層は多結晶材料で形成され、前記ソース・ドレイン電極のチャネル側側面のうち、少なくともゲート絶縁膜からの高さが3nm以下の領域に接する半導体結晶の中心がゲート絶縁膜上にあることを特徴とした。
前記ソース・ドレイン電極と前記半導体層との間に介在する有機化合物層の厚さが、前記有機化合物層を形成する分子長の2分の1以下であることを特徴とした。
120℃〜300℃で焼成しても構わない。次に、ネガ型のレジストを3000rpm で厚さ4μmにスピンコートし、90℃,90s焼成、5〜250mJで露光,現像後、110℃,60s焼成すると逆テーパーのエッジをもったレジストパターンが形成される。次に、厚さ1nmのクロム、及び厚さ100nmの金を前記レジストパターン上に順次蒸着し、リフトオフ法によってテーパー領域のついたソース電極104、及びドレイン電極105を形成した。ソース電極104、及びドレイン電極105の材料には、有機半導体とのショットキー障壁を減らすため、仕事関数が4.5eV以上の金,銀,銅,白金,パラジウム,クロム,モリブデンやそれらの合金、もしくは、ITO,IZOやPEDOT等を用いることが望ましい。最後に、厚さ50nmのペンタセンを2×10-6の雰囲気下、1Å/sで蒸着し、半導体層106を形成した。半導体層106は可溶性のペンタセン誘導体を塗布後、焼成して形成しても良いし、多結晶構造を形成するものであれば、ペンタセン以外の有機半導体材料を用いても良い。図1に示したように、チャネル長は、ソース電極104の端からドレイン電極105の端までの距離で定義される。テーパー幅は、電極上面の基板に対して水平な面のチャネル側端部から基板に対して垂線を引き、電極下面との交点から電極下面のチャネル側端までの距離とした。図2に、ソース・ドレイン電極上及びゲート絶縁膜上の核成長したペンタセン結晶の表面形状(AFM像)を示す。本実施例の条件では、テーパー上も含めてソース・ドレイン電極上の核から成長するペンタセンの結晶粒径は約50nmである。ここで、結晶粒径は、基板に対して水平方向の結晶断面の最長径と定義した。一方、ゲート絶縁膜の核から成長するペンタセン結晶は、1μm程度のサイズで樹状になる。
50nm以下にすることが望ましい。また、ソース・ドレイン電極が理想的な厚さである50〜100nmの場合、ソース・ドレイン電極のテーパー角θは45°以上であることが望ましい。
(PVA),ポリメチルメタクリレート(PMMA),酸化ケイ素等を塗布し、120℃〜300℃で焼成しても構わない。次に、ゲート絶縁膜103上のうち、ゲート電極直上のチャネル領域になる部分に1mMol/lのオクタデシルチオールシラン(OTS)を塗布し、クロロホルムでリンスして、撥水性の吸着分子層501を形成した。吸着分子層501は撥水性のものであればOTSに限らない。次に、トルエンに溶かした平均粒径数10
nmの金ペーストを単分子層107の両端に塗布し、200℃,1h、ホットプレート上での基板加熱より焼結させ、ソース電極104、及びドレイン電極105を形成した。ソース・ドレイン電極はパラジウム,銀,銅,白金,タンタル,インジウム,スズ,亜鉛,アルミニウム等から選択することが可能で、1種類からなる微粒子、または2種類以上からなる合金微粒子を用いることができる。微粒子の平均粒径は数nm〜数10nmであることが望ましい。溶剤はキシレン,トルエン,エチルベンゼン,メシチレン等を用いる。最後に、厚さ50nmのペンタセンを2×10-6の雰囲気下、1Å/sで蒸着し、半導体層106を形成した。半導体層106には、ペンタセン等のアセン系材料の他、フルオレン−バイチオフェン(F8T2)等のフルオレン系材料,ヘキシルチオフェン(P3HT)等のチオフェン系材料等、全ての半導体材料を用いることができる。撥水膜端に金ペーストを塗布・焼成したことにより、図5のように電極端部を凸型のテーパーにすることができた。これにより、撥水膜なしの場合に比べてコンタクト抵抗が減少した。金属インクの表面張力と粘性、及び吸着分子層の表面エネルギーをそれぞれ調整することにより、図6のように逆テーパー形状のソース・ドレイン電極を形成することも可能であり、この場合もコンタクト抵抗を低減することができた。
103s までの短時間処理では、オクタデカンチオールが金電極表面に吸着するが、半導体と電極界面のショットキー障壁の原因となる金電極仕事関数の変化は0.2eV 以内に抑えることができる。仕事関数は、AC−2(理研計器製)等の光電子分光装置によって容易に測定できる。
(asymmetric):2920cm-1,CH3(Fermi resonance):2935cm-1,CH3
(asymmetric):2960cm-1)。
Claims (26)
- 絶縁基板上に、ゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース・ドレイン電極、及び半導体層を順次積層した薄膜トランジスタを用いた半導体装置において、
前記半導体層は多結晶材料で形成され、前記ソース・ドレイン電極はチャネル側にテーパー部を有し、チャネル長方向の前記テーパー幅が、前記ソース・ドレイン電極上の半導体結晶の平均粒径よりも短いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、チャネル長方向における前記テーパー部の幅が、50nm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、前記ソース・ドレイン電極のテーパー部の基板に対する角度が45°以上であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1において、前記半導体層がアセン系材料であることを特徴とする半導体装置。
- 絶縁基板上に、ゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース・ドレイン電極、及び半導体層を順次積層した薄膜トランジスタを用いた半導体装置において、
前記半導体層は多結晶材料で形成され、前記ソース・ドレイン電極のチャネル側側面のうち、少なくともゲート絶縁膜からの高さが3nm以下の領域に接する半導体結晶の成長核がゲート絶縁膜上にあることを特徴とする半導体装置。 - 請求項5において、前記半導体層がアセン系材料であることを特徴とする半導体装置。
- 絶縁基板上に、ゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース・ドレイン電極、及び半導体層を順次積層した薄膜トランジスタを用いた半導体装置において、
前記ソース・ドレイン電極のチャネル側側面の形状が、基板面に対して上に凸型であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項7において、前記ソース・ドレイン電極間のチャネル領域において、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との間に、前記半導体層とは異なる有機化合物層が介在することを特徴とする半導体装置。
- 請求項7において、前記ソース・ドレイン電極が金属インクを塗布することで形成されたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項7において、前記ソース・ドレイン電極間のチャネル領域において、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との間に介在する、前記半導体層とは異なる有機化合物層が撥水性を有する吸着分子層であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項7及び請求項10において、前記ソース・ドレイン電極間のチャネル領域において、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との間に介在する、前記半導体層とは異なる有機化合物層が撥水性を有する吸着分子層が単分子膜であることを特徴とする半導体装置。
- 絶縁基板上に、ゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース・ドレイン電極,半導体層及び保護絶縁膜を順次積層した薄膜トランジスタを用いた半導体装置において、
前記半導体層は有機化合物で形成され、前記ソース・ドレイン電極は逆テーパー部を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項12において、前記ソース・ドレイン電極間のチャネル領域において、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との間に、前記半導体層とは異なる有機化合物層が介在することを特徴とする半導体装置。
- 請求項12において、前記ソース・ドレイン電極が金属インクを塗布することで形成されたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項12において、前記ソース・ドレイン電極間のチャネル領域において、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との間に介在する、前記半導体層とは異なる有機化合物層が撥水性を有する吸着分子層であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項2及び請求項15において、前記ソース・ドレイン電極間のチャネル領域において、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との間に介在する、前記半導体層とは異なる有機化合物層が撥水性を有する吸着分子層が単分子膜であることを特徴とする半導体装置。
- 絶縁基板上に、ゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース・ドレイン電極、及び半導体層を順次積層した半導体装置において、前記ソース・ドレイン電極と前記半導体層との間には、前記半導体層とは異なる有機化合物層が介在し、その介在する有機物層の平均膜厚が1Å以上10Å以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項17において、前記ソース・ドレイン電極と前記半導体層との間に介在する有機化合物はチオール基を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項17において、前記ソース・ドレイン電極と前記半導体層との間に介在する有機化合物はアルカンチオールであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項17において、前記ソース・ドレイン電極は金,銀,銅,白金,パラジウム,スズ或いはこれらの金属を含む合金または混合物からなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項17において、前記ソース・ドレイン電極と前記半導体層との間に介在する有機化合物層の影響による、前記ソース・ドレイン電極の仕事関数の減少量が0.2eV以下であることを特徴とする半導体装置。
- 絶縁基板上に、ゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース・ドレイン電極,半導体層及び保護絶縁膜を順次積層した薄膜トランジスタを用いた半導体装置において、
前記ソース・ドレイン電極と前記半導体層との間に介在する有機化合物層の厚さが、前記有機化合物層を形成する分子長の2分の1以下であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項22において、前記ソース・ドレイン電極と前記半導体層との間に介在する有機化合物はチオール基を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項22において、前記ソース・ドレイン電極と前記半導体層との間に介在する有機化合物はアルカンチオールであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項22において、前記ソース・ドレイン電極は金,銀,銅,白金,パラジウム,スズ或いはこれらの金属を含む合金または混合物からなることを特徴とする半導体装置。
- 請求項22において、前記ソース・ドレイン電極と前記半導体層との間に介在する有機化合物層の影響による、前記ソース・ドレイン電極の仕事関数の減少量が0.2eV 以下であることを特徴とする半導体装置。
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