JP2005063625A - 相変化型光記録媒体の記録方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】相変化型光記録媒体の記録方法において、記録するための発光波形が、ピークパワー(Pp)、消去パワー(Pe)、バイアスパワー(Pb)、Pp照射時間(OP)、Pb照射時間(FP)で定められる複数のパルス状波形であって、先頭パルスの開始時間は照射マークに対応する一番目の基準クロック開始時点から0.5〜1.25T(Tは基準クロック時間)遅れて開始し、終了時間は最後の基準クロック終了時点より最大T−OPm(OPmは後部パルスのPp照射時間)早く終了する。
【選択図】図3
Description
これより速い記録線速度で記録でき、しかも従来の低線速ドライブで記録できる下位互換可能な相変化型光記録媒体はない。これらの要求を満たすためには、低い記録パワーでしかも記録パワーのマージンが広い相変化型光記録媒体の記録層材料、媒体構成、最適記録方法を見出すことが必要である。
また、高線速で記録する場合に、一定の消去パワーを照射しないで、消去パワーを再生パワーの範囲で変調させる方法がある(例えば、特許文献3参照。)。 しかし、この方法によると、充分な消去ができずに、消去パワーのレベルによっては却って非晶質相の形成が起きてしまう。
しかし、この方法においては所定の長さのマークを記録することが難しい。
これを可能にするためには、相変化型光記録媒体の記録層の結晶化速度を最適化することが第1条件である。特に高線速記録になるほど、オーバーライト特性が劣化する。まず、オーバーライト一回目の特性が悪い。記録層材料は、高い記録線速に対応するために、結晶化速度が速くなるように構成元素及びこれら元素の組成を最適化する。相変化型光記録媒体の場合、マーク(非晶質相)を形成するために短時間に融点付近まで加熱しその後急冷させる必要があるが、結晶化速度が速くなるほど時間に対する温度勾配を大きく、しかも再結晶化を抑制するために加熱しない時間、すなわち冷却時間を長くする必要があるが、加熱、冷却時間に制限があるため、線速が高いと、温度が短時間に上昇しにくくなる傾向になるため、記録パワーを高くすることが必要になる。低線速記録の場合でも記録材料の結晶化速度が速いため記録パワーは同様に高い。
使用する基板としては、記録再生光の波長に対し透明であるポリカーボネート(PC)、ポリメタアクリル酸(PMMA)などのプラスチックやガラスが用いられる。
ZnS−SiO2(80:20)はこれら条件に対して適しており、上部誘電体保護層にも用いられている。ZrO2は、Y2O3を3mol%から6mol%を含む混合物は屈折率が、ZnS・SiO2とほぼ同じか、それよりも大きく、熱伝導率も低い。
一方、これら材料を上部誘電体保護層に用いて、媒体を作製し、記録後に80℃、85%RHで記録マークの保存性を調べたところ、ZrO2の含有量が50at%より多い系の場合は、マークが消滅するか、ジッター劣化が大きい。しかし、ZrO2系の繰り返しオーバーライト特性は良く、1000回記録した後のジッター劣化はZnS・SiO2より少なかった。高線速でオーバーライトするにはより効果がある。したがって、上部誘電体保護層は、ZnS・SiO2が(80:20)が良い。
この界面層の効果は、この層が結晶状態にあって、記録層と界面層の格子定数が近く、結晶成長を助ける役割、界面層は結晶状態でないが、結晶成長を助けることで、消去比を高めオーバーライト特性が良くなったと考えられる。
また、濡れ性が悪いため記録層が溶融状態になったときに、流動性が抑制され記録層の局所的体積変化が抑制されるためにオーバーライト特性が良くなるということも併せもっている。
また、基板の厚さが0.6mmになると基板の変形が大きくなり、貼りあわせ後もその変形を矯正できないこともある。
上部誘電体保護層の膜厚は5nm乃至50nmの範囲とし、8nm至20nmが好ましい。5nmより薄いと、記録感度が低下する。50nmより厚くなると、温度上昇による変形、放熱性の低下により繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。
反射層は、熱伝導率がより高いAgを用いることにより特性が向上するため、本発明において、AgまたはAg合金を用いる。線速が速くなると、冷却速度が大きくなるため、アモルファスマークは形成されやすいがマーク形成する際に、記録層を融点付近まで加熱させるために、発光パルスの加熱パルス時間を長くする必要があった。
一方、加熱時間を長くすると、冷却時間が短くなってしまい冷却時間の不足が起きるためマークが形成しにくくなる。これは、一つの加熱と冷却のパルス時間の和が基準クロックであり、この制約の中で変えているためである。
そこで媒体で冷却効率を上げるために、Agを用いるのが良い。しかし、ここで上部誘電体保護層がS(イオウ)を含み、反射層がAgの場合、高温高湿下ではAg2Sが形成されやすく、これが特性劣化、欠陥発生原因になり問題となる。
反射層をAgにすることで、特性は向上するが、Agそのものの腐食性、硫化防止層との密着性を考慮すると、Ag単体でも、薄膜作製時のスパッタリング条件(アルゴンガス圧)を最適化することにより、Agの結晶粒径を小さくし、粒成長を抑制することにより、Agの薄膜表面が平滑になる。粒径が大きくなると、表面が凹凸状になり密着性の弱いところから剥がれやすくなるためである。
そこで、Agを95at%以上の合金にすることにより信頼性が向上する。Agに対する添加量は、5at%を超えると、熱伝導率が著しく減少するため、好ましくは、2at%以下が良い。
添加元素としては、Cu、Niが熱伝導率をあまり下げることなく、粒径成長を抑制し、耐環境性を向上させる。Agの膜をスパッタ法により作製する場合に、Ag膜の結晶粒径を小さくするために基板とターゲット間にかけるパワーは、3W以下が良い。
このように、GeMnSbTe系も高線速に適した材料である。さらに、Gaを添加し結晶化速度と保存性を向上させる系も有効である。記録層の膜厚は、10nmから20nmがよく、10nm以下では、結晶と非晶質相の反射率差が小さくなり、これ以上厚いと記録感度、繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。
本発明では、上記の記録層材料以外に、Ag−In−Sb−Te、Ge−Ga−Sb−Te、Ge−Sb−Te、Ge−Sn−Sb−Te、Ge−Sn−Sb、Ge−In−Sb−Te、Ga−Sn−Sb、Ge−Ag−Sn−Sb、Ga−Mn−Sb、Ga−Sn−Sb−Seを用いても良い。
DVDの場合、波長650nmから660nm後、対物レンズの開口率を0.60〜0.65とし、入射光のビーム径を1μm以下とする。そのため、基板の厚さは0.6mmとし、収差を小さくしている。
マークが書きこまれる溝部と溝部のピッチは、0.74μm、溝の深さは15nm〜45nm、溝幅は0.2〜0.3μmとする。
溝は、約820kHzの周期をもつ蛇行状溝となっている。アドレス部は、蛇行溝の周波数の位相を変調させ、この位相変化部分を検出し、2値化信号に変換しアドレス(番号)を読み取る。
上記相変化型光記録媒体に一定大きさの消去パワーを連続的又は一定間隔で照射(k*T(Tはクロック、kは実数)という形で、パルス時間を制御するときに、実際は、k=n/16(nは整数)というある刻みで制御するから)しながら、線速を1倍速から4倍速まで変えていき、この時の反射信号強度を測定していくとある線速から反射強度が減少し始め、それ以上の速い線速になるとさらに反射強度が減少しやがて飽和していく。
4倍速に対応した媒体において、従来は、記録線速がそれより遅い線速で最適化した媒体より高い記録パワーが必要であった。1倍速から2.4倍速までに対応した相変化型光記録媒体と同じ記録パワーで記録可能とするためには、反射率が下がり始める線速が記録線速2.4倍速すなわち、8.4m/sとより0.5m/sから1m/s速いのが好ましい。
上記述べた相変化型光記録媒体の場合、4倍速の線速度においてより消去パワーを高くし、より後部冷却パルスFPmの時間を長くするほど、オーバーライト一回目のジッター特性が悪くなる。これは、前のマークの消去率が悪くなることを意味する。マーク後端部の非晶質相領域が広がり、マーク長が長くなるからである。さらに、消去パワーの最適範囲が狭くなるため、再結晶速度が遅くなる。すなわち、記録層が充分加熱され、溶融状態から結晶成長する速度が最も速いのに対し、それより低い温度で成長をさせるために速度が下がるということである。
この条件を、相変化型光記録媒体で記録可能な線速範囲のうち中間線速から、最大線速範囲に適用することも有効である。これは、図3のbの位置に対し、dTeraを、最大(T−OPm)の幅にすることである。
ここで、中間記録線速度は2.4倍速で、その場合は3.49×2.4m/s、最大記録線速度は4倍速で、その場合は3.49×4m/sである。
図3において、dTopは、先頭パルス部のピークパワー照射開始時間の図3のa(記録データの先頭部から1T遅れた位置)に対する可変時間である。位置aより速く開始する場合は正の符号(+)、遅く開始する場合は負の符号(−)となる。したがって、記録データの先頭部から0.5T〜1.25T遅れるということは、dTopは−0.25Tから+0.5Tが可変範囲となる。OPは加熱パルスの照射時間(ピークパワーPpの照射時間)を表わし、OP1は先頭パルス部の加熱パルス照射時間を表わし、OPj(j=2〜(m−1))は中間パルス部の加熱パルス照射時間を表わし、OPmは最終パルス部の加熱パルス照射時間を表わす。また、FPは冷却パルスの照射時間(バイアスパワーPbの照射時間)を表わし、FP1は先頭パルス部の冷却パルス照射時間を表わし、FPj(j=2〜(m−1))は中間パルス部の冷却パルス照射時間を表わし、FPmは最終パルス部の冷却パルス照射時間を表わす。また、dmpは中間パルス部の加熱パルス開始時間の可変時間を表わし、dlpは最終パルス部の加熱パルス開始時間の可変時間を表わし、dTeraは、最終パルス部のバイアスパワー照射終了時間の図3のbに対する可変時間を表わす。bより速く終了する場合を(+)符号、bより遅く終了する場合を(−)符号とする。dintは最終パルス部の冷却パルス部の終了位置から補償パルス開始までの時間を表わし、deraは第2の消去パワー(Pe2)の照射時間を表わす。
以上は、図3の、Pe2がPe1と同じ値であり、dint及びderaが0の場合である。
4倍速を記録する場合は、a=16とし、制御時間の分解能を上げるためにパルス幅を(1/16)T*iとし、CLVの場合に主に用いる。1.7倍速から4倍速をCAVで制御するためには、a=16、b=1とし、(1/16)T*i+1*jを用いる。
先頭パルス部の加熱及び冷却時間、中間パルスの加熱部及び冷却時間、後端パルスの加熱部及び冷却時間の和は、基本的には1Tであるが、先頭及び後端部はこれに限らない。
0.3Tから1.5Tの範囲で調整することにより、所定の長さのマークが記録できる。
1倍速から2.4倍速のCAV記録において、パルス幅は、(1/6)T*i+2*jで調整される。
(実施例1)
相変化型光記録媒体を以下の条件で作製した。溝にマークを記録するための溝ピッチを0.74μm、溝幅0.25μm、溝深さ25nm、厚さ0.6mmのポリカーボネート製基板を用い、この上にスパッタリング方式により各層を積層する。アドレス情報は818kHzの周期の蛇行した溝に、位相を180°反転させた部位を情報に応じて設けている。下部誘電体保護層は、ZnS:SiO2=80:20(mol%)のターゲットを使用し、膜厚を69nmとした。次に、Ge:Ag:In:Sb:Te=3:0.8:3.5:72:20.7の相変化記録層を膜厚14nm作製した後に、界面層としてZrO2:TiO2:Y2O3=49:45:6(mol%)の複合酸化物ターゲットを用いて、膜厚2nmとした。さらに、ZnS:SiO2=80:20(mol%)のターゲットを使用し、膜厚11nmの上部誘電体保護層を作製した。そのうえに、膜厚4nmのSiC層と膜厚140nmのAgを作製後、耐環境性を向上させるために、大日本インキ製SD318紫外線硬化樹脂を5μmの厚さで塗布後、硬化し、耐環境保護膜とした。最後に、膜のないもう一枚の同一基板を厚さ40μmの紫外線硬化樹脂(アクリル製、日本化薬、DVD003)を用いて貼合わせ相変化型光記録媒体とした。これにより、80℃、85%RH、あるいは95%RHの湿度で25℃と40℃の温度サイクル試験を行なっても欠陥のない媒体ができる。その後、波長810nmの大口径LD(ビーム径;トラック方向1μm×半径方向75μm)を用い、線速9m/s、パワー900mW、ヘッドの送り速度18μm/回転で記録層を結晶化させた。
線速14m/s(4倍速)でCLVで記録する場合の記録条件及び1倍速から2.4倍速でCAVで記録する場合の条件を表1に示す。ここで、dTopをdTtopに、OP1をTtopに、OPj、OPmをTmpに、dTeをdTeraと表記する。また、表中のdmp、dlp、dint、deraは、すべてゼロとした。これらの条件は、図3の方法に基づいている。
なお、以下に示すdTtopは、図3のaからを基準にして、先頭パルスの開始が、それより速い場合は(+)、遅い場合は(−)符号とする。これは、マークの開始位置(aよりT速い時間)から見ると、aはdTtop=1Tと同じことである。−0.25Tは、マークの開始位置から1.25T、0.5Tはマークの開始位置から0.5Tを意味する。
また、図5では、後端部の冷却パルス終了時間を速く終わらせる(−側)ほど特性が良いことが示されている。これら条件を反映させた表1の条件で記録した場合の、2.4倍速と4倍速の各記録線速で記録した場合のジッターのパワーマージンを図6と図7に示す。4倍速の記録パワーマージンが確保され、しかも2.4倍速は記録パワー15mW以下のマージンが広いことから、4倍速記録ができて下位の互換も可能である。
相変化型光記録媒体として、実施例1と同じものを用いる。記録条件は表2に示すように、4倍速については、パルス幅の調整を基準クロックに比例した時間で行ない、dTeraは、(T−Tmp)としている。最大線速14m/s、最小線速を3.5m/sとしたときの中間線速に相当する8.4m/sと3.5m/sの線速範囲で、CAV記録した場合は、表2に示すようにパルス幅の調整を基準クロックに比例した時間と固定した時間で調整した。
この結果、線速14m/sについては、記録パワー17mW、消去パワー5.3mWで記録した。8.4m/s及び3.5m/sは、記録パワー15mW、消去パワー7.5mWで記録した。いずれも、オーバーライト1000回まで、ジッター9%以下となった。
相変化型光記録媒体として、実施例1、2と同じものを用いる。記録層材料をGe:Ag:In:Sb:Te=2:0.5:3.5:72.5:21.5とした。記録線速が最大線速14m/sの3分の1を超える6m/sと14m/sを基準クロックに比例する時間と固定する時間でパルス幅を調整するようにし、CAV記録を行なわせた。6m/s、8.4m/sは記録パワー15mWで、14m/sは記録パワー18mWでいずれもジッター9%となった。記録条件を表3に示す。
相変化型光記録媒体として、実施例1、2と同じものを用いる。記録線速14m/s、記録パワー17mWで記録を行った。記録条件は表4に示すとおりである。各パルス幅は、基準クロックに比例する時間で調整した。補償パルスを3Tから14Tマークの中で、3Tマークを記録する場合のみ適用した。消去パワーは、Pe1=5.3mW、Pe2=6.0mWである。補償パルス開始時間をdint=0T、補償パルス照射時間dera=0.5Tに設定した。この結果、オーバーライト1000回まで記録した結果、補償パルスのない場合が、オーバーライト1回目でジッター9%がある場合で、ジッター8%となり、オーバーライト1000回後は、ない場合がジッター8%に対し、ある場合がジッター7.5%であった。したがって、相変化型記録媒体で高密度、高線速で問題になるオーバーライト1回目を改善する効果が大きい。
相変化型光記録媒体として、実施例1で用いたものと同じものを用いた。記録条件において、dTtop以外は記録条件は同じである。
図8にオーバーライト1回目の各記録線速に対するジッターのdTtop依存を示す。
記録線速度14m/sについては、記録パワー19mW、消去パワー5.7mW、8.4m/s及び3.5m/sは、記録パワー16mW、消去パワー8mWで記録した。特に、線速14m/sは、従来のdTtopが0.5〜1.0Tの範囲では、ジッター9%を超えてしまう。また、dtopが0.5Tより小さいとすべての線速でジッター9%を超える。
記録層材料以外においては、実施例1と媒体構成、記録方法は同じであった。
記録層材料に、Ge:Ga:Sb:Te=4:2:73:21を用いた。記録線速14m/sで記録パワー19mW、消去パワー5.6mWで記録し、オーバーライト1000回まで、ジッター9%以下となった。
記録層材料以外においては、実施例1と媒体構成、記録方法は同じであった。
記録層材料に、Ge:Sn:Sb:Te=4.0:4.5:71.0:20.5を用いた。記録線速14m/sで記録パワー18mW、消去パワー5.4mWで記録し、オーバーライト1000回まで、ジッター9%以下となった。
2 下部誘電体保護層
3 記録層
4 上部誘電体保護層
5 硫化防止層
6 反射層
7 界面層
Claims (11)
- 電磁波を照射して非晶質相と結晶相の可逆的相変化による光学定数の変化を利用して記録再生を行なうための相変化型記録層を設けた相変化型光記録媒体を用いた記録方法において、ある大きさの消去パワーを照射した場合に、該相変化型光記録媒体で記録可能な線速度で記録前の反射率よりも減少する相変化型光記録媒体に記録するための発光波形が、ピークパワー(Pp)、消去パワー(Pe)、バイアスパワー(Pb)を照射し、記録層を加熱するためのPpの照射時間(OP)、冷却するためのPbの照射時間(FP)で定められる複数のパルス状波形であって、先頭パルスの開始時間が該照射マークに対応する一番目の基準クロックの開始時点から0.5〜1.25T(Tは、基準クロックを表わす。)遅れて開始することを特徴とする光記録方法。
- 後部パルスの記録パワー照射時間OPmに対し、終了時間が該照射マークに対応する最後の基準クロックの終了点より、最大(T−OPm)速く終了することを特徴とする請求項1に記載の光記録方法。
- 相変化型光記録媒体で記録可能な最大記録線速度において、先頭パルスの開始時間が記録データの先頭部から1Tより大きく1.25T以下遅れることを特徴とする請求項1又は2に記載の光記録方法。
- 最大記録線速度で記録する場合の後部パルスの終了時間が、記録データ後端部より(1−OPm)T速く終了することを特徴とする請求項1又は2に記載の光記録方法。
- 中間記録線速度から最大記録線速度の線速度範囲内で用いられることを特徴とする請求項3又は4に記載の光記録方法。
- 先頭、後端及びその間にある中間部のパルスのピークパワーを照射する時間OPが、相変化型光記録媒体に情報が記録される最内周から最外周部まで連続的に記録線速度が変化する場合に、相変化型光記録媒体で記録可能な最小記録線速度から最大記録線速度の内、最小記録線速度から中間記録線速範囲で各記録線速度に対応した基準クロックに比例した時間と基準クロックに独立な時間の和で調整されるか、あるいは最大記録線速の1/3から最大記録線速度の範囲で基準クロックに比例した時間で制御することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の光記録方法。
- ピークパワーを照射する時間OPが、各記録線速度に対応した基準クロックに比例した時間と基準クロックに独立な時間の全範囲に用いられることを特徴とする請求項6に記載の光記録方法。
- 後端パルス部のバイアスパワーを照射後に、消去パワーPeを照射する部分と、消去パワーPeより高い第2の消去パワーPe2を照射する部分からなる少なくとも一個以上の補償パルスを追加することを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の光記録方法。
- 最大記録線速のみ記録位置に関係なく、照射する時間OPが基準クロックに比例した時間と、基準クロックに独立な時間の和で調整され、その基準クロックに独立な時間が0.5nsec.以上であることを特徴とする請求項8に記載の光記録方法。
- 前記補償パルスを記録されるマーク長の内、少なくとも最短マーク長のマークを記録する場合に用いることを特徴とする請求項8又は9に記載の光記録方法。
- 少なくとも最大記録線速度で用いることを特徴とする請求項8又は9に記載の光記録方法。
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