JP2002288828A - 光記録方法および光記録媒体 - Google Patents
光記録方法および光記録媒体Info
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- JP2002288828A JP2002288828A JP2001084550A JP2001084550A JP2002288828A JP 2002288828 A JP2002288828 A JP 2002288828A JP 2001084550 A JP2001084550 A JP 2001084550A JP 2001084550 A JP2001084550 A JP 2001084550A JP 2002288828 A JP2002288828 A JP 2002288828A
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】相変化型記録媒体に要求される高密度でしかも
高い記録線速で記録でき、なおかつ線速マージンの広い
優れた特性が得られる記録方法とこの方法に適した光記
録媒体の提供を目的としている。 【解決手段】本発明に係る光記録方法は、結晶相と非晶
質相の可逆的相変化を利用した相変化記録型媒体に照射
するレーザー光が記録、消去、ボトムの３値の発光パワ
−で制御され、消去レベルは一定の値にバイアスされて
おり、記録すべきマークｎＴ(Ｔは基準クロック、ｎは
整数)に対し、記録パワー照射時間であるオンパルス時
間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時間をそれ
ぞれＯＰ，ＦＰとした場合、各々ＯＰ，ＦＰとし、これ
を一組のパルスとした場合、パルス列のパルスの数Ｎ
は、０＜Ｎ＜ｎ、Ｎ≧２であることを特徴とする。
高い記録線速で記録でき、なおかつ線速マージンの広い
優れた特性が得られる記録方法とこの方法に適した光記
録媒体の提供を目的としている。 【解決手段】本発明に係る光記録方法は、結晶相と非晶
質相の可逆的相変化を利用した相変化記録型媒体に照射
するレーザー光が記録、消去、ボトムの３値の発光パワ
−で制御され、消去レベルは一定の値にバイアスされて
おり、記録すべきマークｎＴ(Ｔは基準クロック、ｎは
整数)に対し、記録パワー照射時間であるオンパルス時
間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時間をそれ
ぞれＯＰ，ＦＰとした場合、各々ＯＰ，ＦＰとし、これ
を一組のパルスとした場合、パルス列のパルスの数Ｎ
は、０＜Ｎ＜ｎ、Ｎ≧２であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば相変化型光
記録媒体や書き換え可能光記録媒体等の光記録媒体およ
び光記録方法に関する。
記録媒体や書き換え可能光記録媒体等の光記録媒体およ
び光記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な相変化型光記録媒体の近
年の急激な普及に伴い、高密度、高速化がますます要求
されている。Ag-In-Sb-Te系に代表される相変化記録材
料において、対物レンズの高ＮＡ化、ＬＤの短波長化に
より大容量化が可能になっている。書き換え可能なＤＶ
Ｄは、波長６３５〜６６０ｎｍ、ＮＡ０．６０〜ＮＡ
０．６５のＰＵＨを用いて、記録密度を高め、さらにト
ラックピッチを０．７４μｍとすることにより、容量
４．７ＧＢを達成している。
年の急激な普及に伴い、高密度、高速化がますます要求
されている。Ag-In-Sb-Te系に代表される相変化記録材
料において、対物レンズの高ＮＡ化、ＬＤの短波長化に
より大容量化が可能になっている。書き換え可能なＤＶ
Ｄは、波長６３５〜６６０ｎｍ、ＮＡ０．６０〜ＮＡ
０．６５のＰＵＨを用いて、記録密度を高め、さらにト
ラックピッチを０．７４μｍとすることにより、容量
４．７ＧＢを達成している。
【０００３】最近、さらなる高密度、大容量化に向け
て、波長４００ｎｍのＬＤと対物レンズのＮＡを０．８
５にし、トラックピッチを狭く、かつグルーブとランド
の両方に記録することで、２０ＧＢ以上の容量をもつ相
変化型記録媒体の開発が進んでいる。
て、波長４００ｎｍのＬＤと対物レンズのＮＡを０．８
５にし、トラックピッチを狭く、かつグルーブとランド
の両方に記録することで、２０ＧＢ以上の容量をもつ相
変化型記録媒体の開発が進んでいる。
【０００４】一方、大容量化とともに高転送速度も要求
されている。記録再生速度の高速化は、相変化型記録媒
体の課題である。高速に非晶質相と結晶相の相変化を行
うことは、急冷と徐冷の制御を高速に行うことが求めら
れる。そのため、非晶質相形成が容易でも結晶相形成が
困難になるため、結晶化を促進するための層を増やし多
層にすることが必要になる。
されている。記録再生速度の高速化は、相変化型記録媒
体の課題である。高速に非晶質相と結晶相の相変化を行
うことは、急冷と徐冷の制御を高速に行うことが求めら
れる。そのため、非晶質相形成が容易でも結晶相形成が
困難になるため、結晶化を促進するための層を増やし多
層にすることが必要になる。
【０００５】一方、媒体構成でなく記録方法、特にＬＤ
の発光パルスの照射時間を制御（以下、記録ストラテジ
―という。）する方法がある。従来、発光パルスのon p
ulse,off pulseの時間の和は、基準クロックＴであり、
このパルスを基本として、記録すべきマーク長に応じ、
パルスの数を増やしパルス列としたものを記録ストラテ
ジーとしている。しかしながら、記録密度を高く、しか
も記録線速を高くし記録する場合、基準クロックが短く
なるために、on pulse ,off pulse 時間がともに短くな
る。on pulse時間が短くなると、記録層を溶融状態にす
るために必要な到達温度まで上昇しにくくなり感度が下
がったり、記録ができない場合が考えられる。また、of
f pulse時間が短いと、急冷しにくくなるため、マーク
が形成しにくいなどの不具合が生じる。前者の場合、高
出力のＬＤを使用すればよいが、ＬＤの出力には限界が
ある。
の発光パルスの照射時間を制御（以下、記録ストラテジ
―という。）する方法がある。従来、発光パルスのon p
ulse,off pulseの時間の和は、基準クロックＴであり、
このパルスを基本として、記録すべきマーク長に応じ、
パルスの数を増やしパルス列としたものを記録ストラテ
ジーとしている。しかしながら、記録密度を高く、しか
も記録線速を高くし記録する場合、基準クロックが短く
なるために、on pulse ,off pulse 時間がともに短くな
る。on pulse時間が短くなると、記録層を溶融状態にす
るために必要な到達温度まで上昇しにくくなり感度が下
がったり、記録ができない場合が考えられる。また、of
f pulse時間が短いと、急冷しにくくなるため、マーク
が形成しにくいなどの不具合が生じる。前者の場合、高
出力のＬＤを使用すればよいが、ＬＤの出力には限界が
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】そこで、on pulse, of
f pulseの和が１Ｔを基本とした場合から、２Ｔを基本
とした記録ストラテジーが考えられている（M.Horie,N.
Nobukuni,K.kiyono,andT.Ohno,proceeding of SPIE vo
l.4090 (2000) P135）。層構成は、下部保護層、記録
層、上部保護層、反射層の４層構成であり、これは従来
の構成である。２Ｔを基本としているが、記録するマー
ク長が偶数長（２Ｔ、４Ｔ等）、奇数長（３Ｔ、５Ｔ
等）で記録ストラテジーを変えている。これにより、線
速２０ｍ／ｓでも高い変調度が得られらているが、線速
度及びパルス波形が限られた条件となっている。低線速
から高線速まで幅広い条件に対応可能な記録方法及びそ
れに適した記録層、層構成を見出す必要がある。
f pulseの和が１Ｔを基本とした場合から、２Ｔを基本
とした記録ストラテジーが考えられている（M.Horie,N.
Nobukuni,K.kiyono,andT.Ohno,proceeding of SPIE vo
l.4090 (2000) P135）。層構成は、下部保護層、記録
層、上部保護層、反射層の４層構成であり、これは従来
の構成である。２Ｔを基本としているが、記録するマー
ク長が偶数長（２Ｔ、４Ｔ等）、奇数長（３Ｔ、５Ｔ
等）で記録ストラテジーを変えている。これにより、線
速２０ｍ／ｓでも高い変調度が得られらているが、線速
度及びパルス波形が限られた条件となっている。低線速
から高線速まで幅広い条件に対応可能な記録方法及びそ
れに適した記録層、層構成を見出す必要がある。
【０００７】本発明は前記事情に着目してなされたもの
であり、その目的とするところは、ますます相変化型記
録媒体に要求される高密度でしかも高い記録線速で記録
でき、なおかつ線速マージンの広い優れた特性が得られ
る光記録方法とこの方法に適した光記録媒体を提供する
ことにある。
であり、その目的とするところは、ますます相変化型記
録媒体に要求される高密度でしかも高い記録線速で記録
でき、なおかつ線速マージンの広い優れた特性が得られ
る光記録方法とこの方法に適した光記録媒体を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１に記載された光記録方法は、結晶相と非晶
質相の可逆的相変化を利用した相変化記録型媒体に照射
するレーザー光が記録、消去、ボトムの３値の発光パワ
−で制御され、消去レベルは一定の値にバイアスされて
おり、記録すべきマークｎＴ (Ｔは基準クロック、ｎは
整数)に対し、記録パワー照射時間であるオンパルス時
間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時間をそれ
ぞれＯＰ，ＦＰとした場合、各々ＯＰ，ＦＰとし、これ
を一組のパルスとした場合、パルス列のパルスの数Ｎ
は、０＜Ｎ＜ｎ、Ｎ≧２であることを特徴とする。
に、請求項１に記載された光記録方法は、結晶相と非晶
質相の可逆的相変化を利用した相変化記録型媒体に照射
するレーザー光が記録、消去、ボトムの３値の発光パワ
−で制御され、消去レベルは一定の値にバイアスされて
おり、記録すべきマークｎＴ (Ｔは基準クロック、ｎは
整数)に対し、記録パワー照射時間であるオンパルス時
間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時間をそれ
ぞれＯＰ，ＦＰとした場合、各々ＯＰ，ＦＰとし、これ
を一組のパルスとした場合、パルス列のパルスの数Ｎ
は、０＜Ｎ＜ｎ、Ｎ≧２であることを特徴とする。
【０００９】また、請求項２に記載された発明は、請求
項１に記載された発明において、パルス列の個々のパル
スＯＰｉ，ＦＰｉ（ｉ=１，２・・・，Ｎ）の時間が可
変であることを特徴とする。
項１に記載された発明において、パルス列の個々のパル
スＯＰｉ，ＦＰｉ（ｉ=１，２・・・，Ｎ）の時間が可
変であることを特徴とする。
【００１０】また、請求項３に記載された発明は、請求
項１または請求項２に記載の発明において、パルス列の
ｉ番目のパルスＯＰｉ，ＦＰｉにおいて、０．５Ｔ＜Ｏ
Ｐｉ＋ＦＰｉ＜ｎＴ（ｉ=１，２・・・，Ｎ）であるこ
とを特徴とする。
項１または請求項２に記載の発明において、パルス列の
ｉ番目のパルスＯＰｉ，ＦＰｉにおいて、０．５Ｔ＜Ｏ
Ｐｉ＋ＦＰｉ＜ｎＴ（ｉ=１，２・・・，Ｎ）であるこ
とを特徴とする。
【００１１】また、請求項４に記載された発明は、請求
項１〜３のいずれかに記載の発明において先頭部のパル
ス開始時間が、０〜Ｔ遅れることを特徴とする。
項１〜３のいずれかに記載の発明において先頭部のパル
ス開始時間が、０〜Ｔ遅れることを特徴とする。
【００１２】これらの請求項１〜４に記載の発明によれ
ば、速い線速でしかも記録特性の優れた記録方法を提供
できる。
ば、速い線速でしかも記録特性の優れた記録方法を提供
できる。
【００１３】また、請求項５に記載された発明は、請求
項１に記載の方法により記録される媒体構成が、透明基
板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、上部第２保
護層、反射層の順に積層され、反射層がAgであることを
特徴とする。
項１に記載の方法により記録される媒体構成が、透明基
板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、上部第２保
護層、反射層の順に積層され、反射層がAgであることを
特徴とする。
【００１４】また、請求項６に記載された発明は、請求
項１に記載の方法により記録される媒体構成が、透明基
板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層の順
に積層されたことを特徴とする。
項１に記載の方法により記録される媒体構成が、透明基
板上に、下部保護層、記録層、上部保護層、反射層の順
に積層されたことを特徴とする。
【００１５】また、請求項７に記載された発明は、請求
項５または請求項６に記載の記録層がGeα Gaβ Inγ S
bδ Teεであり、各元素の原子比（at%）が０<α<１０,
０<β<１０, ０≦γ<１０, ５５<δ<８５, １０<ε<３
０であることを特徴とする。
項５または請求項６に記載の記録層がGeα Gaβ Inγ S
bδ Teεであり、各元素の原子比（at%）が０<α<１０,
０<β<１０, ０≦γ<１０, ５５<δ<８５, １０<ε<３
０であることを特徴とする。
【００１６】これら請求項５〜７に記載された発明によ
れば、速い線速でしかも記録特性の優れた記録媒体を提
供できる。
れば、速い線速でしかも記録特性の優れた記録媒体を提
供できる。
【００１７】また、請求項８に記載された発明は、請求
項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の発明におい
て、結晶状態にある記録層に一定にバイアスされた消去
パワーを照射後、記録層が非晶質相に相変化する線速以
上を記録線速とする場合において、記録パワーによらず
結晶化が十分できる一定の消去パワーで記録することを
特徴とする。
項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の発明におい
て、結晶状態にある記録層に一定にバイアスされた消去
パワーを照射後、記録層が非晶質相に相変化する線速以
上を記録線速とする場合において、記録パワーによらず
結晶化が十分できる一定の消去パワーで記録することを
特徴とする。
【００１８】また、請求項９に記載された発明は、請求
項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の発明におい
て、一定にバイアスされた消去パワーを結晶状態にある
記録媒体に照射後、記録層が非晶質相に相変化する線速
以下を記録線速とする場合において、記録パワーと消去
パワーの比を固定して記録することを特徴とする。
項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の発明におい
て、一定にバイアスされた消去パワーを結晶状態にある
記録媒体に照射後、記録層が非晶質相に相変化する線速
以下を記録線速とする場合において、記録パワーと消去
パワーの比を固定して記録することを特徴とする。
【００１９】これらの請求項８および請求項９に記載さ
れた発明によれば、速い線速でしかも一つの記録媒体で
広い線速に対応できる記録方法を提供できる。
れた発明によれば、速い線速でしかも一つの記録媒体で
広い線速に対応できる記録方法を提供できる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明は、相変化型記録媒体の高
速、高密度記録において、優れた記録特性を得るための
記録方法及び光記録媒体に関するものである。本発明に
おいて、記録に用いるＬＤ波長は、４００ｎｍ付近から
７８０ｎｍ、ＮＡは０．５０以上のＰＵＨを用い、２０
ｍ／ｓを越える高い記録線速度でも記録できるようにす
ることである。
速、高密度記録において、優れた記録特性を得るための
記録方法及び光記録媒体に関するものである。本発明に
おいて、記録に用いるＬＤ波長は、４００ｎｍ付近から
７８０ｎｍ、ＮＡは０．５０以上のＰＵＨを用い、２０
ｍ／ｓを越える高い記録線速度でも記録できるようにす
ることである。
【００２１】まず、記録方法について述べる。図１に従
来の記録ストラテジーを示す。記録すべきマーク長ｎＴ
（Ｔ：基準クロック、ｎ≧２）に対し、ＬＤの発光パル
ス波形を図のようにする。on pulse, off pulse をもつ
基本パルスの長さをＴとし、マーク長に応じてこのパル
スを複数のパルスを組み合わせた波形となる。パルスの
高さのレベルはＬＤの記録媒体面でのパワーであり、上
から記録パワー(Ｐｗ)、消去パワー(Ｐｅ)、ボトムパワ
ー(Ｐｂ)である。消去パワーは一定の値にバイアスされ
ており、ボトムパワーは再生パワーと同じかそれ以下で
ある。ただし、記録によっては、再生パワーより高くて
も良い。実際の発光パルスのパルスの数は、ｎ個より少
ない(ｎ−１)個、（ｎ-２）個である。ただし、最後の
パルスのoff pulseの長さは限定されずに変えることは
可能である。
来の記録ストラテジーを示す。記録すべきマーク長ｎＴ
（Ｔ：基準クロック、ｎ≧２）に対し、ＬＤの発光パル
ス波形を図のようにする。on pulse, off pulse をもつ
基本パルスの長さをＴとし、マーク長に応じてこのパル
スを複数のパルスを組み合わせた波形となる。パルスの
高さのレベルはＬＤの記録媒体面でのパワーであり、上
から記録パワー(Ｐｗ)、消去パワー(Ｐｅ)、ボトムパワ
ー(Ｐｂ)である。消去パワーは一定の値にバイアスされ
ており、ボトムパワーは再生パワーと同じかそれ以下で
ある。ただし、記録によっては、再生パワーより高くて
も良い。実際の発光パルスのパルスの数は、ｎ個より少
ない(ｎ−１)個、（ｎ-２）個である。ただし、最後の
パルスのoff pulseの長さは限定されずに変えることは
可能である。
【００２２】これら条件において、記録密度を同じにし
て高い線速で記録することは、記録周波数も高くするこ
とになり、基準クロックが短くなるなっていく。従っ
て、onpulseを例えば０．５＊Ｔ一定とした場合、実質
の時間は短くなり記録層の昇温、溶融がしにくくなり、
感度低下、非晶質相が形成しにくくなる。また、on pul
se時間を長くとると、off pulse時間が短くなり、やは
り非晶質相の形成がむずかしくなる。記録線速を速く、
しかもどの位置においても一定であれば、記録ストラテ
ジーはその条件に合わせれば良いが、遅い線速から速い
線速まで対応するとなると、記録ストラテジーも広い記
録線速に対応することが必要である。従来の記録ストラ
テジーは、記録線速が遅いか、記録密度が低い場合には
信号特性が十分得られていた。しかし、より高密度、高
線速記録において、十分な特性を得るための記録ストラ
テジーを考案することが必要である。
て高い線速で記録することは、記録周波数も高くするこ
とになり、基準クロックが短くなるなっていく。従っ
て、onpulseを例えば０．５＊Ｔ一定とした場合、実質
の時間は短くなり記録層の昇温、溶融がしにくくなり、
感度低下、非晶質相が形成しにくくなる。また、on pul
se時間を長くとると、off pulse時間が短くなり、やは
り非晶質相の形成がむずかしくなる。記録線速を速く、
しかもどの位置においても一定であれば、記録ストラテ
ジーはその条件に合わせれば良いが、遅い線速から速い
線速まで対応するとなると、記録ストラテジーも広い記
録線速に対応することが必要である。従来の記録ストラ
テジーは、記録線速が遅いか、記録密度が低い場合には
信号特性が十分得られていた。しかし、より高密度、高
線速記録において、十分な特性を得るための記録ストラ
テジーを考案することが必要である。
【００２３】そこで、本発明で用いる記録方法のうち、
高速でしかも広い線速に対応するための記録ストラテジ
ーとして、記録、消去、ボトムの３値の発光パワ−で制
御され、消去レベルは一定の値にバイアスされ、 （１）記録すべきマーク長ｎＴ(Ｔ:基準クロック、ｎは
整数)に対し、記録パワー照射時間であるオンパルス時
間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時間を、各
々ＯＰ，ＦＰとし、これを一組のパルスとした場合、パ
ルス列のパルスの数Ｎが０＜Ｎ＜ｎ、ｎ≧２ （２）パルス列の個々のパルスＯＰｉ，ＦＰｉ（ただ
し、ｉ=１,２,---,N）の時間が可変であることを特徴と
する光記録方法。
高速でしかも広い線速に対応するための記録ストラテジ
ーとして、記録、消去、ボトムの３値の発光パワ−で制
御され、消去レベルは一定の値にバイアスされ、 （１）記録すべきマーク長ｎＴ(Ｔ:基準クロック、ｎは
整数)に対し、記録パワー照射時間であるオンパルス時
間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時間を、各
々ＯＰ，ＦＰとし、これを一組のパルスとした場合、パ
ルス列のパルスの数Ｎが０＜Ｎ＜ｎ、ｎ≧２ （２）パルス列の個々のパルスＯＰｉ，ＦＰｉ（ただ
し、ｉ=１,２,---,N）の時間が可変であることを特徴と
する光記録方法。
【００２４】（３）パルス列のｉ番目のパルスＯＰｉ，
ＦＰｉにおいて、０．５T<ＯＰｉ＋ＦＰｉ<nT、ｉ=１,
２,---,N （４）先頭部のパルス開始時間が、０〜T遅れることと
なる方法で記録する。
ＦＰｉにおいて、０．５T<ＯＰｉ＋ＦＰｉ<nT、ｉ=１,
２,---,N （４）先頭部のパルス開始時間が、０〜T遅れることと
なる方法で記録する。
【００２５】また、この記録方法に適した記録媒体とし
て、 （５）透明基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、
上部第２保護層、反射層の順に積層され（図３参照）、
反射層がAgである場合 (６)透明基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層の順に積層した（図４参照） (７)記録層がGeα Gaβ Inγ Sbδ Teεであり、各元素
の原子比（at%）が0<α<１０, ０<β<１０, ０≦γ<１
０, ５５<δ<８５, １０<ε<３０の構成、記録層を用い
ることである。
て、 （５）透明基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、
上部第２保護層、反射層の順に積層され（図３参照）、
反射層がAgである場合 (６)透明基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層の順に積層した（図４参照） (７)記録層がGeα Gaβ Inγ Sbδ Teεであり、各元素
の原子比（at%）が0<α<１０, ０<β<１０, ０≦γ<１
０, ５５<δ<８５, １０<ε<３０の構成、記録層を用い
ることである。
【００２６】さらに、上記記録媒体において、より広い
線速度で記録を可能にするために、 （８）結晶状態にある記録層に一定にバイアスされた消
去パワーを照射後、記録層が非晶質相に相変化する線速
以上を記録線速とする場合において、記録パワーによら
ず結晶化が十分できる一定の消去パワーで記録する、 （９）一定にバイアスされた消去パワーを結晶状態にあ
る記録媒体に照射後、記録層が非晶質相に相変化する線
速以下を記録線速とする場合において、記録パワーと消
去パワーの比を固定して記録することである。
線速度で記録を可能にするために、 （８）結晶状態にある記録層に一定にバイアスされた消
去パワーを照射後、記録層が非晶質相に相変化する線速
以上を記録線速とする場合において、記録パワーによら
ず結晶化が十分できる一定の消去パワーで記録する、 （９）一定にバイアスされた消去パワーを結晶状態にあ
る記録媒体に照射後、記録層が非晶質相に相変化する線
速以下を記録線速とする場合において、記録パワーと消
去パワーの比を固定して記録することである。
【００２７】以下、詳細に説明する。
【００２８】相変化型光記録媒体において、記録密度を
高く、しかもより速い線速度で記録するということは、
図１に示す基準クロックＴが短くなる。すなわち、記録
層を加熱したり、冷却する時間がともに短くなるため、
所定の長さのマークの形成、あるいは所定のマーク端の
位置にマークが形成しにくくなってくる。さらに、一定
のパルス時間Ｔの中で、on pulse, off pulseの時間を
調整するにも限界がある。on pulseとoff pulseの時間
の比を例えば、４：６とした場合、記録層を溶融状態ま
で加熱するに要する時間が短くなるが、冷却時間がある
程度とれている場合は、より高い記録パワーをかければ
記録はできる。しかし、記録パワーには限界があるた
め、線速が速くなればなるほど、記録特性が劣ってしま
う。上部保護層の膜厚を厚くして、蓄熱をするにして
も、急冷速度が遅くなり、非晶質相が形成しにくくな
る。媒体構成や記録層材料を大きく変えることなく、十
分な特性が得られる記録ストラテジーを図２に示す。
高く、しかもより速い線速度で記録するということは、
図１に示す基準クロックＴが短くなる。すなわち、記録
層を加熱したり、冷却する時間がともに短くなるため、
所定の長さのマークの形成、あるいは所定のマーク端の
位置にマークが形成しにくくなってくる。さらに、一定
のパルス時間Ｔの中で、on pulse, off pulseの時間を
調整するにも限界がある。on pulseとoff pulseの時間
の比を例えば、４：６とした場合、記録層を溶融状態ま
で加熱するに要する時間が短くなるが、冷却時間がある
程度とれている場合は、より高い記録パワーをかければ
記録はできる。しかし、記録パワーには限界があるた
め、線速が速くなればなるほど、記録特性が劣ってしま
う。上部保護層の膜厚を厚くして、蓄熱をするにして
も、急冷速度が遅くなり、非晶質相が形成しにくくな
る。媒体構成や記録層材料を大きく変えることなく、十
分な特性が得られる記録ストラテジーを図２に示す。
【００２９】記録すべきマーク長ｎＴ(Ｔ:基準クロッ
ク、ｎは整数)に対し、記録パワー照射時間であるオン
パルス時間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時
間を、各々ＯＰ，ＦＰとし、これを一組のパルスとした
場合、パルス列のパルスの数Ｎを０＜Ｎ＜ｎ、ｎ≧２と
し、パルス列の個々のパルスＯＰｉ，ＦＰｉ（ただし、
ｉ=１,２,---,N）の時間が可変であること、パルス列の
ｉ番目のパルスＯＰｉ，ＦＰｉにおいて、その和がＴ／
２＜OＰｉ＋ＦＰｉ<ｎＴとなるようにし、さらに先頭部
のパルス開始時間が、０〜Ｔ遅れさせた条件とすること
で、十分な特性を得ることを可能にしたものである。Ｄ
ＶＤの容量に相当する記録密度を保ったまま、ＤＶＤの
約６倍に相当する線速度２１ｍ／ｓで記録する場合、基
準クロックは６．５ｎｓｅｃになる。加熱するためのon
pulse時間と冷却のためのoff pulse時間を１：１とし
た場合、各々約３ｎｓｅｃの時間となる。これを基本線
速３．５ｍ／ｓで記録する場合、各々１９ｎｓｅｃにな
る。従って、加熱時間あるいは冷却時間ともに短くな
り、どちらとも記録に必要な時間が十分でないか、ある
いは、加熱、冷却どちらかの時間が不足することにな
る。そこで、パルスの数を従来より少なくするととも
に、各パルスの時間を基準クロック以上にすることによ
り、記録層の加熱、冷却時間を十分確保する。これによ
り、所定の長さのマーク形成およびオーバーライト時の
マーク形成が可能になる。また、マークは長さのみなら
ず、マーク先端部、後端部の形状、位置をいかに制御で
きるかで特性が変わる。そこで、前のマークによる熱干
渉の影響を少なくするために先頭パルスの開始時間を遅
らせ、かつマークの記録開始時間と先頭のパルス時間を
中間パルス部の時間とは異なるように調整し、マークの
記録開始位置を所定の位置にくるようにすることができ
る。さらに、後端のパルスも同様に時間を調整してもよ
い。
ク、ｎは整数)に対し、記録パワー照射時間であるオン
パルス時間、ボトムパワー照射時間であるオフパルス時
間を、各々ＯＰ，ＦＰとし、これを一組のパルスとした
場合、パルス列のパルスの数Ｎを０＜Ｎ＜ｎ、ｎ≧２と
し、パルス列の個々のパルスＯＰｉ，ＦＰｉ（ただし、
ｉ=１,２,---,N）の時間が可変であること、パルス列の
ｉ番目のパルスＯＰｉ，ＦＰｉにおいて、その和がＴ／
２＜OＰｉ＋ＦＰｉ<ｎＴとなるようにし、さらに先頭部
のパルス開始時間が、０〜Ｔ遅れさせた条件とすること
で、十分な特性を得ることを可能にしたものである。Ｄ
ＶＤの容量に相当する記録密度を保ったまま、ＤＶＤの
約６倍に相当する線速度２１ｍ／ｓで記録する場合、基
準クロックは６．５ｎｓｅｃになる。加熱するためのon
pulse時間と冷却のためのoff pulse時間を１：１とし
た場合、各々約３ｎｓｅｃの時間となる。これを基本線
速３．５ｍ／ｓで記録する場合、各々１９ｎｓｅｃにな
る。従って、加熱時間あるいは冷却時間ともに短くな
り、どちらとも記録に必要な時間が十分でないか、ある
いは、加熱、冷却どちらかの時間が不足することにな
る。そこで、パルスの数を従来より少なくするととも
に、各パルスの時間を基準クロック以上にすることによ
り、記録層の加熱、冷却時間を十分確保する。これによ
り、所定の長さのマーク形成およびオーバーライト時の
マーク形成が可能になる。また、マークは長さのみなら
ず、マーク先端部、後端部の形状、位置をいかに制御で
きるかで特性が変わる。そこで、前のマークによる熱干
渉の影響を少なくするために先頭パルスの開始時間を遅
らせ、かつマークの記録開始時間と先頭のパルス時間を
中間パルス部の時間とは異なるように調整し、マークの
記録開始位置を所定の位置にくるようにすることができ
る。さらに、後端のパルスも同様に時間を調整してもよ
い。
【００３０】これら記録ストラテジーに適しなおかつ従
来の遅い線速度で記録したストラテジーにも適した記録
媒体の構成、記録層組成について述べる。構成として
は、透明基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層の順に積層する場合、透明基板上に下部保護層、記
録層、上部保護層、第二の上部保護層、反射層に順に積
層する場合がある。透明基板は、ポリカーボネートを用
いる。他にアクリル、ＰＭＭＡなどがある。この基板上
に、透明で屈折率が１．８〜２．２の誘電体保護層をつ
ける。誘電体としては、酸化物、窒化物、硫化物、炭化
物あるいはこれら混合物がある。中でもＺｎＳ・ＳｉＯ
２、ＺｎＳ・ＺｒＯ２，ＺｎＳ・ＳｉＣなどの混合物が
よい。ＺＮＳ・ＳｉＯ２のＺｎＳとＳｉＯ２の比率は、
７０：３０〜８５：１５がよい。他のＺｎＳとの混合物
についても同様である。上部保護層も下部保護層と同じ
材料が用いられる。記録層は、Ga,Ge,In,Sb,Teを主要な
構成元素とし、Geα Gaβ Inγ Sbδ Teε の各元素の
原子比（at%）が０<α<１０,０<β<１０, ０≦γ<１０,
５５<δ<８５, １０<ε<３０である相変化材料を用い
る。Sb,Te量は、オーバーライトを多数回繰り返しして
も組成変化が起こらない条件、すなわち共晶組成付近が
よい。より速い線速に対応するために、Sb量を増加して
いくが、オーバーライト時の組成変化が大きくなってし
まうためSb量のみでは限界がある。そこで、Ga、及びIn
を添加する。これら添加元素が多すぎるとオーバーライ
ト時に添加元素の偏析が起きてしまう。Geは、高温高湿
環境下の保存性を向上させる。しかし、多すぎると、結
晶化温度が高く、結晶化速度が遅くなり、記録特性が劣
ってしまう。
来の遅い線速度で記録したストラテジーにも適した記録
媒体の構成、記録層組成について述べる。構成として
は、透明基板上に下部保護層、記録層、上部保護層、反
射層の順に積層する場合、透明基板上に下部保護層、記
録層、上部保護層、第二の上部保護層、反射層に順に積
層する場合がある。透明基板は、ポリカーボネートを用
いる。他にアクリル、ＰＭＭＡなどがある。この基板上
に、透明で屈折率が１．８〜２．２の誘電体保護層をつ
ける。誘電体としては、酸化物、窒化物、硫化物、炭化
物あるいはこれら混合物がある。中でもＺｎＳ・ＳｉＯ
２、ＺｎＳ・ＺｒＯ２，ＺｎＳ・ＳｉＣなどの混合物が
よい。ＺＮＳ・ＳｉＯ２のＺｎＳとＳｉＯ２の比率は、
７０：３０〜８５：１５がよい。他のＺｎＳとの混合物
についても同様である。上部保護層も下部保護層と同じ
材料が用いられる。記録層は、Ga,Ge,In,Sb,Teを主要な
構成元素とし、Geα Gaβ Inγ Sbδ Teε の各元素の
原子比（at%）が０<α<１０,０<β<１０, ０≦γ<１０,
５５<δ<８５, １０<ε<３０である相変化材料を用い
る。Sb,Te量は、オーバーライトを多数回繰り返しして
も組成変化が起こらない条件、すなわち共晶組成付近が
よい。より速い線速に対応するために、Sb量を増加して
いくが、オーバーライト時の組成変化が大きくなってし
まうためSb量のみでは限界がある。そこで、Ga、及びIn
を添加する。これら添加元素が多すぎるとオーバーライ
ト時に添加元素の偏析が起きてしまう。Geは、高温高湿
環境下の保存性を向上させる。しかし、多すぎると、結
晶化温度が高く、結晶化速度が遅くなり、記録特性が劣
ってしまう。
【００３１】各元素の好ましい範囲は、１<Ge<５, １<G
a<７, ０≦In<６, ６０<δ<８０,１５<ε２５である。
反射層は、熱伝導率が高く、放熱性がよいものがよく、
反射率も高い方がよい。Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ単体あ
るいは、これらの合金あるいは他の金属との合金があ
る。合金化は高温高湿下の腐食を抑制するのに効果があ
る。本発明において、下部保護層、記録層、上部保護
層、反射層の４層構成の場合は、下部保護層、上部保護
層がＺＮＳ・ＳｉＯ２（ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２
０），記録層Ｇｅ Ｇａ Ｉｎ Ｓｂ Ｔｅ、反射層がＡｌ
Ｔｉ層を主な構成としている。しかし、上部保護層が
ＺＮＳ・ＳｉＯ２以外である場合は、反射層をＡｇと
し、Ａｇと構成元素が高温高湿下で反応しない上部保護
層であれば反射層をＡｇあるいは合金としても良い。こ
の場合の上部保護層としては、ＳｉＮ，Ａｌ２Ｏ３，Ｉ
ｎ２Ｏ３，ＡｌＮなどの酸化物、窒化物などがある。上
部保護層がＺＮＳ・ＳｉＯ２である場合で、反射層がＡ
ｇの場合は高温高湿下で反応し、ＡｇＳを形成し、記録
特性が劣化してしまう。この場合は、上部保護層と反射
層の間に第２の上部保護層を設けて反応を防ぐ。この場
合の第２の上部保護層は、ＳｉＮ，Ａｌ２Ｏ３，Ｉｎ２
Ｏ３，ＡｌＮ、ＳｉＣなどの窒化物、酸化物、炭化物が
あり、熱伝導率がＺＮＳ・ＳｉＯ２より高くＡｇとの密
着性が強いものが良い。膜厚は、２ｎｍ〜１０ｎｍであ
る。他の層の膜厚は、下部保護層は３５ｎｍ〜２５０ｎ
ｍ，記録層は５ｎｍ〜２５ｎｍ，上部保護層は５ｎｍ〜
３０ｎｍ，反射層は５０ｎｍ〜２５０ｎｍである。
a<７, ０≦In<６, ６０<δ<８０,１５<ε２５である。
反射層は、熱伝導率が高く、放熱性がよいものがよく、
反射率も高い方がよい。Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ，Ｃｕ単体あ
るいは、これらの合金あるいは他の金属との合金があ
る。合金化は高温高湿下の腐食を抑制するのに効果があ
る。本発明において、下部保護層、記録層、上部保護
層、反射層の４層構成の場合は、下部保護層、上部保護
層がＺＮＳ・ＳｉＯ２（ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２
０），記録層Ｇｅ Ｇａ Ｉｎ Ｓｂ Ｔｅ、反射層がＡｌ
Ｔｉ層を主な構成としている。しかし、上部保護層が
ＺＮＳ・ＳｉＯ２以外である場合は、反射層をＡｇと
し、Ａｇと構成元素が高温高湿下で反応しない上部保護
層であれば反射層をＡｇあるいは合金としても良い。こ
の場合の上部保護層としては、ＳｉＮ，Ａｌ２Ｏ３，Ｉ
ｎ２Ｏ３，ＡｌＮなどの酸化物、窒化物などがある。上
部保護層がＺＮＳ・ＳｉＯ２である場合で、反射層がＡ
ｇの場合は高温高湿下で反応し、ＡｇＳを形成し、記録
特性が劣化してしまう。この場合は、上部保護層と反射
層の間に第２の上部保護層を設けて反応を防ぐ。この場
合の第２の上部保護層は、ＳｉＮ，Ａｌ２Ｏ３，Ｉｎ２
Ｏ３，ＡｌＮ、ＳｉＣなどの窒化物、酸化物、炭化物が
あり、熱伝導率がＺＮＳ・ＳｉＯ２より高くＡｇとの密
着性が強いものが良い。膜厚は、２ｎｍ〜１０ｎｍであ
る。他の層の膜厚は、下部保護層は３５ｎｍ〜２５０ｎ
ｍ，記録層は５ｎｍ〜２５ｎｍ，上部保護層は５ｎｍ〜
３０ｎｍ，反射層は５０ｎｍ〜２５０ｎｍである。
【００３２】これら構成と記録層材料及び各層の膜厚を
最適化し、速くしかも広い線速で十分な記録特性を得る
ことが可能であるが、これまでは一つの媒体で、線速が
１条件の場合を述べてきたが、一つの媒体で幅広い記録
線速で対応することも必要である。この場合、記録媒体
として、最適な記録パワー、消去パワーきまる消去パワ
ーをＤＣ照射した場合、低い線速から速い線速まで線速
を変えていくと、ある線速から記録層全体が非晶質化し
はじめる。
最適化し、速くしかも広い線速で十分な記録特性を得る
ことが可能であるが、これまでは一つの媒体で、線速が
１条件の場合を述べてきたが、一つの媒体で幅広い記録
線速で対応することも必要である。この場合、記録媒体
として、最適な記録パワー、消去パワーきまる消去パワ
ーをＤＣ照射した場合、低い線速から速い線速まで線速
を変えていくと、ある線速から記録層全体が非晶質化し
はじめる。
【００３３】以下の実施例１〜８は、記録線速付近では
まだ、記録層全体が結晶相である場合である。この場合
は、記録パワーを変えるとともに、消去パワーを変えて
記録する。また、ボトムパワーは再生パワー以下とし
て、冷却速度を速くするように記録することでマークが
所定の長さで一様に形成できる。しかし、線速をいくら
でも速くすることは限界である。そのため、できるだけ
速い線速に対応するためのもう一つの記録方法として、
消去パワーをＤＣ照射した場合に、記録層が非晶質相に
なる場合の記録線速で記録する方法である。この付近の
線速では、記録層が溶融状態になる記録パワーを照射す
ることで非晶質相は形成しやすいが、消去パワーが高す
ぎるとこのパワーにおいても非晶質相が形成されやすく
なる。そのために、消去パワーのマージンは狭くなる。
この方法の場合、消去パワーをかなり低くし固相状態で
結晶化させる方が、オーバーライトによる消し残りが少
ない。さらに、この場合、ボトムパワーがあまり低いと
冷却を促進しやすいため、再生パワーより大きくした方
が良い。記録パワーに対するマージンを確保するために
は、消去パワーを一定とする記録方法が適している。よ
り速い線速で記録するために以上の２つの方法がある。
まだ、記録層全体が結晶相である場合である。この場合
は、記録パワーを変えるとともに、消去パワーを変えて
記録する。また、ボトムパワーは再生パワー以下とし
て、冷却速度を速くするように記録することでマークが
所定の長さで一様に形成できる。しかし、線速をいくら
でも速くすることは限界である。そのため、できるだけ
速い線速に対応するためのもう一つの記録方法として、
消去パワーをＤＣ照射した場合に、記録層が非晶質相に
なる場合の記録線速で記録する方法である。この付近の
線速では、記録層が溶融状態になる記録パワーを照射す
ることで非晶質相は形成しやすいが、消去パワーが高す
ぎるとこのパワーにおいても非晶質相が形成されやすく
なる。そのために、消去パワーのマージンは狭くなる。
この方法の場合、消去パワーをかなり低くし固相状態で
結晶化させる方が、オーバーライトによる消し残りが少
ない。さらに、この場合、ボトムパワーがあまり低いと
冷却を促進しやすいため、再生パワーより大きくした方
が良い。記録パワーに対するマージンを確保するために
は、消去パワーを一定とする記録方法が適している。よ
り速い線速で記録するために以上の２つの方法がある。
【００３４】以下に実施例を示す。
【００３５】(実施例１−４)ポリカーボネート基板上
に、ＺＮＳ・ＳｉＯ２ ７８ｎｍ，Ｇｅ Ｇａ ＩｎＳｂ
Ｔｅ １７ｎｍ，ＺＮＳ・ＳｉＯ２ １５ｎｍ、Ａｌ
Ｔｉ １６０ｎｍの順にスパッタリング法により作製し
た。ポリカーボネート基板の基板の厚さは、０．６ｍ
ｍ、溝の形状は溝深さ３５０ｎｍ、溝幅は０．３μｍ、
溝ピッチは０．７４μｍである。反射層の上に紫外線硬
化型樹脂を３μｍの厚さとし、保護層とした。その上
に、膜のない同じ厚さのポリカーボネート基板を紫外線
硬化型樹脂でさらに接着し媒体とした。記録条件は、ピ
ックアップの波長、ＮＡを６５５ｎｍ、ＮＡ０．６５と
し、各記録線速とその記録線速に対応したストラテジー
で記録した。この場合は、消去パワーと記録パワーの比
を一定とした。記録層の組成、消去パワー／記録パワー
の比(Ｐｅ／Ｐｗ)は表１に示した。記録ストラテジー
は、表３に示す。
に、ＺＮＳ・ＳｉＯ２ ７８ｎｍ，Ｇｅ Ｇａ ＩｎＳｂ
Ｔｅ １７ｎｍ，ＺＮＳ・ＳｉＯ２ １５ｎｍ、Ａｌ
Ｔｉ １６０ｎｍの順にスパッタリング法により作製し
た。ポリカーボネート基板の基板の厚さは、０．６ｍ
ｍ、溝の形状は溝深さ３５０ｎｍ、溝幅は０．３μｍ、
溝ピッチは０．７４μｍである。反射層の上に紫外線硬
化型樹脂を３μｍの厚さとし、保護層とした。その上
に、膜のない同じ厚さのポリカーボネート基板を紫外線
硬化型樹脂でさらに接着し媒体とした。記録条件は、ピ
ックアップの波長、ＮＡを６５５ｎｍ、ＮＡ０．６５と
し、各記録線速とその記録線速に対応したストラテジー
で記録した。この場合は、消去パワーと記録パワーの比
を一定とした。記録層の組成、消去パワー／記録パワー
の比(Ｐｅ／Ｐｗ)は表１に示した。記録ストラテジー
は、表３に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】パターンを使用し、表１に示したように記
録線速に応じて異なる。記録変調方式は、（８−１６）
変調である。最短マークは３Ｔであり、マーク長は０．
４μｍである。ｎは、３≦ｎ≦１４であり、マークの長
さはランダムで記録した。記録パワーは、１２ｍＷ〜１
６ｍＷの範囲で変えた。表１に示す結果は、記録パワー
１５ｍＷで記録した場合である。ボトムパワーは、Ｐｂ
０．１ｍＷ，再生パワーは０．７ｍＷである。再生線
速は３．５ｍ／ｓである。変調度：｛（１４Tスヘ゜ースの反
射率）−（１４Tマークの反射率）｝/（１４Tスヘ゜ースの反
射率）、 シ゛ッター １０%以下のDOW回数を示した。
録線速に応じて異なる。記録変調方式は、（８−１６）
変調である。最短マークは３Ｔであり、マーク長は０．
４μｍである。ｎは、３≦ｎ≦１４であり、マークの長
さはランダムで記録した。記録パワーは、１２ｍＷ〜１
６ｍＷの範囲で変えた。表１に示す結果は、記録パワー
１５ｍＷで記録した場合である。ボトムパワーは、Ｐｂ
０．１ｍＷ，再生パワーは０．７ｍＷである。再生線
速は３．５ｍ／ｓである。変調度：｛（１４Tスヘ゜ースの反
射率）−（１４Tマークの反射率）｝/（１４Tスヘ゜ースの反
射率）、 シ゛ッター １０%以下のDOW回数を示した。
【００３９】(実施例５−８)ポリカーボネート基板上
に、ＺＮＳ・ＳｉＯ２ ７８ｎｍ，Ｇｅ Ｇａ ＩｎＳｂ
Ｔｅ １７ｎｍ，ＺＮＳ・ＳｉＯ２ １２ｎｍ、Ｓｉ
Ｃ ３ｎｍ,Ａｇ １６０ｎｍの順にスパッタリング法
により作製した。ポリカーボネート基板の基板の厚さ
は、０．６mm,溝の形状は溝深さ３５０nm,溝幅 ０．３
μm,溝ピッチ ０．７４μmである。反射層の上に紫外
線硬化型樹脂を３μｍの厚さとし、保護層とした。その
上に、膜のない同じ厚さのポリカーボネート基板を紫外
線硬化型樹脂でさらに、接着し媒体とした。記録条件
は、ピックアップの波長、ＮＡを６５５ｎｍ，ＮＡ０．
６５とし、各記録線速とその記録線速に対応したストラ
テジーで記録した。この場合は、消去パワーと記録パワ
ーの比を一定とした。記録層の組成、消去パワー／記録
パワーの比(Pe/Pw)は表１に示した。記録ストラテジー
は、表３に示すパターンを使用し、表１に示したように
記録線速に応じて異なる。記録変調方式は、（８−１
７）変調である。最短マークは３Ｔであり、マーク長は
０．４μｍである。nは、３≦n≦１４であり、マークの
長さはランダムで記録した。記録パワーは、１２ｍＷか
ら１６ｍＷの範囲で変えた。
に、ＺＮＳ・ＳｉＯ２ ７８ｎｍ，Ｇｅ Ｇａ ＩｎＳｂ
Ｔｅ １７ｎｍ，ＺＮＳ・ＳｉＯ２ １２ｎｍ、Ｓｉ
Ｃ ３ｎｍ,Ａｇ １６０ｎｍの順にスパッタリング法
により作製した。ポリカーボネート基板の基板の厚さ
は、０．６mm,溝の形状は溝深さ３５０nm,溝幅 ０．３
μm,溝ピッチ ０．７４μmである。反射層の上に紫外
線硬化型樹脂を３μｍの厚さとし、保護層とした。その
上に、膜のない同じ厚さのポリカーボネート基板を紫外
線硬化型樹脂でさらに、接着し媒体とした。記録条件
は、ピックアップの波長、ＮＡを６５５ｎｍ，ＮＡ０．
６５とし、各記録線速とその記録線速に対応したストラ
テジーで記録した。この場合は、消去パワーと記録パワ
ーの比を一定とした。記録層の組成、消去パワー／記録
パワーの比(Pe/Pw)は表１に示した。記録ストラテジー
は、表３に示すパターンを使用し、表１に示したように
記録線速に応じて異なる。記録変調方式は、（８−１
７）変調である。最短マークは３Ｔであり、マーク長は
０．４μｍである。nは、３≦n≦１４であり、マークの
長さはランダムで記録した。記録パワーは、１２ｍＷか
ら１６ｍＷの範囲で変えた。
【００４０】表１に示す結果は、記録パワー１５ｍＷで
記録した場合である。ボトムパワーは、Ｐｂ０．２ｍ
Ｗ，再生パワーは０．７ｍＷである。再生線速は３．５
ｍ／ｓである。
記録した場合である。ボトムパワーは、Ｐｂ０．２ｍ
Ｗ，再生パワーは０．７ｍＷである。再生線速は３．５
ｍ／ｓである。
【００４１】（比較例１−４）４層構成は、実施例１−
４、５層構成は実施例５−８の場合と同じである。記録
ストラテジーは従来方法で行った。
４、５層構成は実施例５−８の場合と同じである。記録
ストラテジーは従来方法で行った。
【００４２】（実施例９−１１）層構成は実施例５−８
で用いた場合と同じである。記録層の組成は、表２に示
す通りである。
で用いた場合と同じである。記録層の組成は、表２に示
す通りである。
【００４３】
【表３】
【００４４】ストラテジーはpattern １を用い、基準ク
ロックは各線速に対応した値を用いる。記録線速が１１
ｍ／ｓ，１３ｍ／ｓにおいて、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５３，
０．４９とし、Ｔは、１２．１ｎｓｅｃ．，１０．３ｎ
ｓｅｃ．，Ｐｂを０．２ｍＷとした。
ロックは各線速に対応した値を用いる。記録線速が１１
ｍ／ｓ，１３ｍ／ｓにおいて、Ｐｅ／Ｐｗ＝０．５３，
０．４９とし、Ｔは、１２．１ｎｓｅｃ．，１０．３ｎ
ｓｅｃ．，Ｐｂを０．２ｍＷとした。
【００４５】１７ｍ／ｓにおいては、Ｐｅ＝４．０ｍＷ
固定とし、Ｐｂ １ｍＷとして、記録した。その結果、
一つの記録媒体で広い線速に対応することができる。
固定とし、Ｐｂ １ｍＷとして、記録した。その結果、
一つの記録媒体で広い線速に対応することができる。
【００４６】以上の記録方法及び記録媒体により、より
速い線速でしかも高密度に記録しても十分な特性を得る
ことが可能となる。
速い線速でしかも高密度に記録しても十分な特性を得る
ことが可能となる。
【００４７】
【発明の効果】請求項１〜４に記載の発明によれば、速
い線速でしかも記録特性の優れた記録方法を提供でき
る。
い線速でしかも記録特性の優れた記録方法を提供でき
る。
【００４８】請求項５〜７に記載された発明によれば、
速い線速でしかも記録特性の優れた記録媒体を提供でき
る。
速い線速でしかも記録特性の優れた記録媒体を提供でき
る。
【００４９】請求項８および請求項９に記載された発明
によれば、速い線速でしかも一つの記録媒体で広い線速
に対応できる記録方法を提供できる。
によれば、速い線速でしかも一つの記録媒体で広い線速
に対応できる記録方法を提供できる。
【図１】従来の記録ストラテジーを示す図である。
【図２】本発明の記録ストラテジーを示す図である。
【図３】媒体構成の第１の例を示す積層図である。
【図４】媒体構成の第２の例を示す積層図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 鈴木 栄子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 田代 浩子 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA32 EA33 FA12 FA14 FA23 FB05 FB09 FB12 FB21 FB30 5D029 JA01 JB18 LB11 LC21 MA13 5D090 AA01 CC01 DD01 FF21 HH01 KK04 KK05 5D119 AA23 AA24 BA01 BB04 DA02 HA47 HA49
Claims (9)
- 【請求項１】 結晶相と非晶質相の可逆的相変化を利用
した相変化記録型媒体に照射するレーザー光が記録、消
去、ボトムの３値の発光パワ−で制御され、消去レベル
は一定の値にバイアスされており、記録すべきマークｎ
Ｔ(Ｔは基準クロック、ｎは整数)に対し、記録パワー照
射時間であるオンパルス時間、ボトムパワー照射時間で
あるオフパルス時間をそれぞれＯＰ，ＦＰとした場合、
各々ＯＰ，ＦＰとし、これを一組のパルスとした場合、
パルス列のパルスの数Ｎは、０＜Ｎ＜ｎ、Ｎ≧２である
ことを特徴とする光記録方法。 - 【請求項２】 パルス列の個々のパルスＯＰｉ，ＦＰｉ
（ｉ=１，２・・・，Ｎ）の時間が可変であることを特
徴とする請求項１に記載の光記録方法。 - 【請求項３】 パルス列のｉ番目のパルスＯＰｉ，ＦＰ
ｉにおいて、０．５Ｔ＜ＯＰｉ＋ＦＰｉ＜ｎＴ（ｉ=
１，２・・・，Ｎ）であることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載の光記録方法。 - 【請求項４】 先頭部のパルス開始時間が、０〜Ｔ遅れ
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光
記録方法。 - 【請求項５】 請求項１に記載の方法により記録される
媒体構成が、透明基板上に、下部保護層、記録層、上部
保護層、上部第２保護層、反射層の順に積層され、反射
層がAgであることを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１に記載の方法により記録される
媒体構成が、透明基板上に、下部保護層、記録層、上部
保護層、反射層の順に積層されたことを特徴とする光記
録媒体。 - 【請求項７】 請求項５または請求項６に記載の記録層
の構成元素と構成比がGeα Gaβ Inγ Sbδ Teεであ
り、各元素の原子比（at%）が０<α<１０, ０<β<１０,
０≦γ<１０, ５５<δ< ８５, １０<ε<３０であるこ
とを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項８】 結晶状態にある記録層に一定にバイアス
された消去パワーを照射後、記録層が非晶質相に相変化
する線速以上を記録線速とする場合において、記録パワ
ーによらず結晶化が十分できる一定の消去パワーで記録
することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれ
か１項に記載の光記録方法。 - 【請求項９】 一定にバイアスされた消去パワーを結晶
状態にある記録媒体に照射後、記録層が非晶質相に相変
化する線速以下を記録線速とする場合において、記録パ
ワーと消去パワーの比を固定して記録することを特徴と
する請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の光
記録方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001084550A JP2002288828A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 光記録方法および光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001084550A JP2002288828A (ja) | 2001-03-23 | 2001-03-23 | 光記録方法および光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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