JP2005038346A - 半導体装置及びその制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 低コストの製造プロセスを用いて、ノイズに対する耐性を強化して安定的な制御が可能な半導体装置及びその制御方法を提供する。
【解決手段】 制御データに対応した制御信号に基づいて制御される半導体装置は、制御データが設定される制御レジスタ２４と、第１の制御コマンドが格納された不揮発性メモリに対して、第１の制御コマンドの読み出し制御を行うシーケンサ３０と、不揮発性メモリから読み出された第１の制御コマンドが出力される第１のコマンドバス６０と、第１のコマンドバス６０上の第１の制御コマンドをデコードする第１のデコーダ５０とを含む。シーケンサ３０は、不揮発性メモリに対して周期的に第１の制御コマンドの読み出し制御を行い、第１のコマンドバス上に出力される第１の制御コマンドを第１のデコーダ５０がデコードする度に、第１の制御コマンドに対応した制御データを制御レジスタ２４に設定する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体装置及びその制御方法に関する。

液晶システムを携帯電話等の電子機器に搭載することによって、電子機器の小型化が図られる。そして、液晶システムを構成する液晶パネルを駆動するドライバ（広義には、集積回路又は半導体装置）による駆動制御を細かく行うことで、より一層の低消費電力化を実現できる。

このようなドライバには、内部に制御レジスタが設けられている。この制御レジスタに制御データを設定することで、該制御データに対応した駆動制御を可能にし、より細かい駆動制御を実現できる。例えば、表示すべき領域の設定、駆動すべきデータ線の選択、供給される表示データのシフト方向の選択や、表示用の出力タイミングの設定等を行うための制御レジスタがある。

ドライバは、マイクロプロセッサ（Micro Processor Unit：以下、ＭＰＵと略す。）（表示コントローラ）に接続される。特許文献１に開示されているように、ＭＰＵが、電源投入時や初期化時、或いは表示期間中に、ドライバの制御レジスタに制御データを設定する。ドライバは、制御レジスタに設定された制御信号を生成し、該制御信号に基づく駆動制御を行う。
特開２００１−２２２２４９号公報

一般的に、液晶の駆動には、高い電圧が必要とされる。このため、液晶を駆動するドライバ内では、液晶の駆動に伴うノイズが発生しやすい。従って、ドライバ内で発生したノイズに起因して、ドライバ内の制御レジスタの内容が書き換わる場合がある。

このようなノイズの発生に対して、製造プロセスやレイアウトを工夫して、ノイズに対する耐性を強化する手法が有効とされている。ところが、制御レジスタの内容が頻繁に書き換えられることは少なく、また制御レジスタの内容が電源投入時や初期化時のみ参照されることが多い。即ち、制御レジスタの内容が書き換わったとしても、システムの動作が致命的な状況に陥らないことがほとんどである。従って、製造プロセスを工夫してコスト高を招くのは妥当ではない場合がある。

その一方で、特に表示に関わるドライバにおいて、制御レジスタの内容が書き換わると、表示される画像の乱れが生じる場合があり、何らかの対策を講じることが要求される。

このように、低コストで、ノイズに対する耐性を強化して、安定的な制御が可能なドライバを提供できることが望ましい。そして、ＭＰＵ（表示コントローラ）によるドライバの制御を実現しつつ、低コストで、ノイズに対する耐性を強化できることが望ましい。

本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、低コストの製造プロセスを用いて、ノイズに対する耐性を強化して安定的な制御が可能な半導体装置及びその制御方法を提供することにある。

上記課題を解決するために本発明は、外部から設定される制御データに対応した制御信号に基づいて制御される半導体装置であって、前記制御データが設定される制御レジスタと、第１の制御コマンドが格納された不揮発性メモリに対して、前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行うシーケンサと、前記不揮発性メモリから読み出された前記第１の制御コマンドが出力される第１のコマンドバスと、前記第１のコマンドバス上の前記第１の制御コマンドをデコードする第１のデコーダとを含み、前記シーケンサが、前記不揮発性メモリに対して周期的に前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行い、前記第１のコマンドバス上に出力される前記第１の制御コマンドを前記第１のデコーダがデコードする度に、前記第１の制御コマンドに対応した前記制御データを前記制御レジスタに設定する半導体装置に関係する。

本発明においては、半導体装置を制御するための制御コマンドが格納される不揮発性メモリに対し、周期的に同じ制御コマンドの読み出し制御を行う。そして、第１のデコーダで制御コマンドのデコードを行う。更に、第１のデコーダでデコードされる度に、該制御コマンドに対応した制御データを繰り返し制御レジスタに設定する。半導体装置は、制御レジスタに設定された制御データに対応した制御信号に基づいて制御される。

これにより、ノイズ等により制御レジスタの内容が書き換わったとしても、ある期間が経過した後に制御レジスタを元の内容に戻すことができる。従って、高耐圧プロセスを用いたノイズ対策を講ずることなく、低コストの製造プロセスで、ノイズの発生に起因する誤動作を低減できるようになる。

また本発明に係る半導体装置では、第１又は第２の状態に設定される外部設定用端子を含み、前記シーケンサが、前記外部設定用端子が第１の状態のとき、前記不揮発性メモリに対する前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行うことができる。

本発明によれば、例えば半導体装置の電源投入時に不揮発性メモリに対して制御コマンドの周期的な読み出し制御を開始することができる。従って、制御コマンドの読み出し制御を開始させるためのコントローラ等を不要とする構成を実現できるようになる。

また本発明に係る半導体装置では、制御フラグが設定される制御フラグレジスタと、第２の制御コマンドが出力される第２のコマンドバスと、前記第２のコマンドバス上の前記第２の制御コマンドをデコードする第２のデコーダと、前記第１及び第２のコマンドバスのいずれか１つを前記第１のデコーダに接続する切替回路とを含み、前記切替回路は、前記制御フラグに基づいて、前記第１及び第２のコマンドバスのいずれかの制御コマンドを前記第１のデコーダに出力し、前記シーケンサが、前記第２のデコーダのデコード結果に基づいて前記制御フラグを前記制御フラグレジスタに設定すると共に、前記第１のデコーダのデコード結果に基づき、前記第１及び第２のコマンドバスのいずれかの制御コマンドに対応した制御データを前記制御レジスタに設定することができる。

また本発明に係る半導体装置では、前記第２のデコーダのデコード結果に基づいて前記制御フラグがセット又はリセットされたことを条件に、前記切替回路は、前記第１のコマンドバスと前記第１のデコーダとを接続する状態から、前記第２のコマンドバスと前記第１のデコーダとを接続する状態に切り替えることができる。

本発明によれば、不揮発性メモリに対して周期的に読み出し制御が行われている期間に、例えばコントローラから出力された制御コマンドに対応した制御を行うことができるようになる。しかも、第２のデコーダは、切替回路の切替制御を行うための制御コマンドだけをデコードするだけで済むため、第１のデコーダと同様の規模のデコーダを複数設ける必要がなくなり、回路規模の増大も抑えることができる。

また本発明に係る半導体装置では、前記切替回路は、前記第２のデコーダにより、第２のコマンドバス上に前記第２の制御コマンドが出力されたことが検出されたとき、前記第２のコマンドバスを前記第１のデコーダに接続することができる。

本発明によれば、第２のデコーダの規模を削減でき、半導体装置の低コスト化を図ることができる。

また本発明に係る半導体装置では、前記第１のコマンドバスは、前記不揮発性メモリに電気的に接続されてもよい。

また本発明に係る半導体装置では、前記第２のコマンドバスは、前記第２の制御コマンドを出力するコントローラに接続されてもよい。

また本発明に係る半導体装置では、前記不揮発性メモリは、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）であってもよい。

また本発明に係る半導体装置では、表示データが取り込まれる表示データレジスタと、前記表示データレジスタに取り込まれた前記表示データに基づいて、表示部のデータ線を駆動するデータ線駆動回路とを含み、前記不揮発性メモリには、表示設定用の制御コマンドが格納され、前記第２のコマンドバスは、前記第２の制御コマンドを出力する表示コントローラに接続されてもよい。

本発明によれば、低コスト化を実現し、かつ制御コマンドによる細かな制御が可能なデータドライバを提供できる。

また本発明は、外部から設定される制御データに対応した制御信号に基づく半導体装置の制御方法であって、第１の制御コマンドが格納された不揮発性メモリに対して、周期的に前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行い、前記不揮発性メモリから読み出された前記第１の制御コマンドをデコードする度に、前記第１の制御コマンドに対応した制御データを制御レジスタに設定し、前記制御レジスタの内容に基づいて前記制御信号を生成することを特徴とする半導体装置の制御方法に関係する。

また本発明に係る半導体装置の制御方法では、外部設定用端子が第１の状態のとき、前記不揮発性メモリに対する前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行うことができる。

また本発明に係る半導体装置の制御方法では、第２の制御コマンドが出力される第２のコマンドバス上の前記第２の制御コマンドをデコードし、前記第２のデコーダのデコード結果に基づいて設定された制御フラグに応じて、前記第１及び第２のコマンドバスのいずれか１つの制御コマンドをデコードし、前記第１及び第２のコマンドバスのいずれか１つの制御コマンドに対応した制御データを前記制御レジスタに設定することができる。

以下、本発明の好適な実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。

１． 半導体装置
図１に、本実施形態における半導体装置の構成要部の概要を示す。なお、これらの一部を省略してもよい。

半導体装置は、制御回路１０を含む。制御回路１０は、制御信号を生成する。半導体装置を構成する各回路は、制御回路１０によって生成された制御信号に基づいて制御される。制御回路１０は、制御データ記憶部２０に記憶された制御データに対応した制御信号を生成する。制御データ記憶部２０は、制御レジスタ２２を含む。制御レジスタ２２には、例えば半導体装置の外部から制御データが設定される。

また半導体装置は、シーケンサ３０を含む。シーケンサ３０は、制御データを制御レジスタ２２に設定する制御を行う。このシーケンサ３０の機能は、特定用途向け集積回路（Application Specific Integrated Circuit：ＡＳＩＣ）等により実現されるハードウェア、又はファームウェアを格納したＲＯＭ（Read-Only Memory）と中央処理装置（Central Processing Unit：以下、ＣＰＵと略す。）とにより実現できる。

半導体装置は、第１のインタフェース（InterFace：以下、Ｉ／Ｆと略す。）回路４０、第１のデコーダ５０を含む。第１のＩ／Ｆ回路４０と第１のデコーダ５０とは、第１のコマンドバス６０を介し、電気的に接続できる構成となっている。第１のＩ／Ｆ回路４０の機能は、Ｉｎｐｕｔ／Ｏｕｔｐｕｔ（Ｉ／Ｏ）セル（入力回路（入力バッファ）、出力回路（出力バッファ）或いは入出力回路（入出力バッファ））、電極（パッド）及び半導体装置の端子（ピン）により実現できる。第１のＩ／Ｆ回路４０は、図示しない不揮発性メモリと電気的に接続される。

第１のコマンドバス６０には、第１のＩ／Ｆ回路４０を介して、図示しない不揮発性メモリから読み出された制御コマンド（コマンド）が出力される。

第１のデコーダ５０は、第１のコマンドバス６０上に出力される制御コマンドをデコードすることができる。

このような半導体装置において、シーケンサ３０は、第１の制御コマンドが格納された不揮発性メモリに対して、第１の制御コマンドの読み出し制御を行う。

図２に、シーケンサ３０による第１の制御コマンドの読み出し制御を説明するためのタイミング図の一例を示す。

シーケンサ３０は、第１のＩ／Ｆ回路４０を介して、図示しない不揮発性メモリに対して、第１の制御コマンドの読み出しを行うための制御を周期的に行う。例えば図２に示すように、周期的に不揮発性メモリに対して読み出し要求ＲＥＱ１を出力し、該読み出し要求ＲＥＱ１に対応して該不揮発性メモリから読み出された制御データＣＤ１を半導体装置に取り込む。

シーケンサ３０が行う読み出し制御の周期は、一定（Ｔ１＝Ｔ２＝・・・）であってもよいし、不定（Ｔ１≠Ｔ２≠Ｔ３・・・）であってもよい。所与の一定期間内に第１の制御コマンドを読み出すことができればよく、同じ第１の制御コマンドに対する読み出し制御が繰り返し行われればよい。また、読み出し制御は、第１のコマンドバス６０及び第１のＩ／Ｆ回路４０を介して行ってもよい。

なお図２では、第１の制御コマンドに対する読み出し制御を周期的に行っている場合を示しているが、複数の制御コマンド対する読み出し制御をそれぞれ周期的に行ってもよい。

シーケンサ３０の読み出し制御によって図示しない不揮発性メモリから読み出された第１の制御コマンドは、第１のＩ／Ｆ回路４０を介して、第１のコマンドバス６０に出力される。そして、第１のデコーダ５０と第１のコマンドバス６０とが電気的に接続されて、第１のコマンドバス６０上の第１の制御コマンドが第１のデコーダ５０に供給される。第１のデコーダ５０は、第１のコマンドバス６０上の第１の制御コマンドをデコードする。

そして、シーケンサ３０は、第１のコマンドバス６０上に出力される第１の制御コマンドを第１のデコーダ５０がデコードする度に、第１の制御コマンドに対応した制御データを制御レジスタ２２に設定する。

なお制御コマンドに対応する制御データとは、制御コマンド自体のパラメータとして付随するデータであってもよいし、制御コマンドに続いてコマンドバスに出力されるデータであってもよい。

このように半導体装置を制御するための制御コマンドが格納される不揮発性メモリに対して、周期的に同じ制御コマンドの読み出し制御を行って、第１のデコーダ５０で制御コマンドのデコードを行う。そして、第１のデコーダ５０でデコードされる度に、該制御コマンドに対応した制御データを繰り返し制御レジスタ２２に設定する。これにより、ノイズ等により制御レジスタ２２の内容が書き換わったとしても、ある期間が経過した後に制御レジスタ２２を元の内容に戻すことができる。従って、高耐圧プロセスを用いたノイズ対策を講ずることなく、低コストの製造プロセスで、ノイズの発生に起因する誤動作を低減できるようになる。

なお、図示しない不揮発性メモリに格納される制御コマンドとしては、製品番号や製造ロット番号を設定するためのコマンド、電源投入時の設定用コマンド、或いは初期化時の設定用コマンドがある。

なお半導体装置は、外部設定用端子７０を含むことができる。外部設定用端子７０は、第１の状態又は第２の状態に設定される。より具体的には、外部設定用端子７０は、第１の状態として例えば所与の高電位側の電源電圧が印加される状態、又は第２の状態して例えば所与の低電位側の電源電圧が印加される状態に設定される。そして、シーケンサ３０が、外部設定用端子７０が第１の状態（例えば高電位側の電源電圧が印加される状態）のとき、第１のＩ／Ｆ回路４０を介して、図示しない不揮発性メモリに対する第１の制御コマンドの読み出し制御を行う。

こうすることで、半導体装置の電源投入時に、制御レジスタ２２の内容に関わらず、上述したような不揮発性メモリに対して制御コマンドの周期的な読み出し制御を開始することができる。従って、制御コマンドの読み出し制御を開始させるためのコントローラ等を不要とする構成を実現できるようになる。

ところで、半導体装置は、ＭＰＵ（広義にはコントローラ）により制御されることが望ましい。コントローラを用いることで、動作状況に応じた最適な制御や、ユーザにより入力された操作情報を反映した制御を実現できるからである。

そのため、第１のデコーダ５０が第１のコマンドバス６０と固定的に接続されてしまうと、第１のデコーダ５０は不揮発性メモリから読み出された制御コマンドしかデコードできなくなる。そこで、図１に示す半導体装置では、第２のＩ／Ｆ回路８０、第２のデコーダ９０及び切替回路１００を含む。

第２のＩ／Ｆ回路８０と、切替回路１００とは、第２のコマンドバス１１０を介して電気的に接続される。第１のＩ／Ｆ回路４０と、切替回路１００とは、第１のコマンドバス１１０を介して電気的に接続される。切替回路１００は、第１及び第２のコマンドバス６０、１１０のいずれか１つを第１のデコーダ５０に接続する。より具体的には、第１及び第２のコマンドバス６０、１１０のいずれか１つをデコーダバス１２０に接続する。デコーダバス１２０は、第１のデコーダ５０に接続される。

切替回路１００は、制御データ記憶部２０に含まれる制御フラグレジスタ２４に設定される制御フラグに基づいて切替制御される。制御フラグは、第２のデコーダ９０のデコード結果に基づいて、シーケンサ３０により設定される。より具体的には、第２のデコーダ９０のデコード結果に基づいて制御フラグがセット又はリセットされたことを条件に、切替回路１００は、第１のコマンドバス６０と第１のデコーダ５０とを接続する状態から、第２のコマンドバス１１０と第１のデコーダ５０とを接続する状態に切り替えることができる。

第２のＩ／Ｆ回路８０は、第１のＩ／Ｆ回路４０と同様に、その機能は、Ｉ／Ｏセル（入力回路（入力バッファ）、出力回路（出力バッファ）或いは入出力回路（入出力バッファ））、電極（パッド）及び半導体装置の端子（ピン）により実現できる。第２のＩ／Ｆ回路８０は、図示しないコントローラ（ＭＰＵ）と電気的に接続される。

第２のコマンドバス１１０には、第２のＩ／Ｆ回路８０を介して、図示しないコントローラから出力された制御コマンド（コマンド）が出力される。

第２のデコーダ９０は、第２のコマンドバス１１０上に出力される制御コマンドをデコードする。

図３に、シーケンサ３０による第２の制御コマンドの読み出し制御を説明するためのタイミング図の一例を示す。

ここでは、シーケンサ３０は、第１の制御コマンドが格納された不揮発性メモリに対して、第１のコマンドバス６０及び第１のＩ／Ｆ回路４０を介して、第１の制御コマンドの読み出し制御を周期的に行っているものとする。即ち、制御フラグが「０」となっており（リセット状態）、切替回路１００は、第１のデコーダ５０と、第１のコマンドバス６０とを接続している。これにより、制御レジスタ２２には、第１の制御コマンドに対応した制御データが周期的に繰り返し設定される。

このとき、コントローラが、第２のＩ／Ｆ回路８０を介して第２の制御コマンドを第２のコマンドバス１１０に出力する。第２のデコーダ９０は、第２のコマンドバス１１０上の第２の制御コマンドをデコードする。シーケンサ３０は、第２のデコーダ９０のデコード結果に対応した制御フラグを、制御データ記憶部２０に含まれる制御フラグレジスタ２４に設定する。例えば、制御フラグレジスタ２４に、制御フラグの値「１」が設定される（セット状態）。

そして、制御フラグレジスタ２４に設定された制御フラグに基づいて、切替回路１００は、第１のデコーダ５０と第１のコマンドバス６０とを接続する状態から、第１のデコーダ５０と第２のコマンドバス６０とを接続する状態に切り替える。この結果、第１のデコーダ５０は、第２のコマンドバス１１０上の制御コマンドをデコードすることができる。これにより、不揮発性メモリに対して周期的に読み出し制御が行われている期間に、コントローラから出力された制御コマンドに対応した制御を行うことができるようになる。しかも、第２のデコーダ９０は、切替回路１００の切替制御を行うための制御コマンドだけをデコードするだけで済むため、第１のデコーダ５０と同様の規模のデコーダを複数設ける必要がなくなり、回路規模の増大も抑えることができる。

ここでは、第２のデコーダ９０のデコード結果に基づいて制御フラグがセットされたことを条件に、切替回路１００が、第２のコマンドバス１１０と第１のデコーダ５０とを接続する状態に切り替えたが、これに限定されるものではない。制御フラグの初期状態が「１」（セット状態）で、第２のデコーダ９０のデコード結果に基づいて制御フラグがリセットされたことを条件に、切替回路１００が、第２のコマンドバス１１０と第１のデコーダ５０とを接続する状態に切り替えてもよい。

なお、第２のデコーダ９０は、第２のコマンドバス１１０上に第２の制御コマンドが出力されたことのみを検出してもよい。この場合、切替回路１００が、第２のデコーダ９０が第２のコマンドバス１１０上に第２の制御コマンドが出力されたことが検出されたことを条件に、第２のコマンドバス１１０を第１のデコーダ５０に接続する。こうすることで、第２のデコーダ９０の回路規模を大幅に削減できる。

なお、図１では、本実施形態における半導体装置が、Ｉ／Ｏセル、電極及び半導体装置の端子により実現される第１及び第２のＩ／Ｆ回路４０、８０を介して、図示しない不揮発性メモリ及びコントローラと接続されるものとして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、本実施形態における半導体装置が、上述の不揮発性メモリ及びコントローラのうち少なくとも１つを含んでもよい。この場合、第１及び第２のＩ／Ｆ回路４０、８０の機能は、入力バッファ、出力バッファ或いは入出力バッファのみで実現できる。

２． データドライバへの適用例
次に、本実施形態における半導体装置を、データドライバに適用する場合について説明する。データドライバは、パネルのデータ線を駆動する。

図４に、本実施形態における半導体装置が適用されたデータドライバと、不揮発性メモリ及びコントローラとの接続関係を模式的に示す。

データドライバ２００は、不揮発性メモリとしてデータを電気的に書き換えできるＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）３００と、液晶表示（Liquid Crystal Display：以下、ＬＣＤと略す。）コントローラ３１０（広義には表示コントローラ）とに接続される。データドライバ２００は、ＥＥＰＲＯＭ３００及びＬＣＤコントローラ３１０のうち少なくとも１つを内蔵してもよい。

データドライバ２００は、図１に示す半導体装置の各ブロックを含む。従って、データドライバ２００は、周期的にＥＥＰＲＯＭ３００に対して表示設定用の制御コマンドの読み出し制御を行う。表示設定用の制御コマンドとしては、電源投入時や初期化時の設定用コマンドの他に、駆動するデータ線の選択や、表示タイミングの設定を行うためのコマンドがある。

ＥＥＰＲＯＭ３００は、データドライバ２００の読み出し制御に従い、記憶する制御コマンドをデータドライバ２００に対して出力する。データドライバ２００では、ＥＥＰＲＯＭ３００から出力された制御コマンドに対応した制御データが制御データ記憶部２０に設定される。これにより、データドライバ２００は、ＥＥＰＲＯＭ３００から読みされた制御コマンドに基づく液晶駆動を行う。

このとき、ＬＣＤコントローラ３１０が、データドライバ２００に対して制御コマンド（ＥＥＰＲＯＭ３００から読み出される制御コマンドとは別の制御コマンド）を設定すると、周期的にＥＥＰＲＯＭ３００に対して行われていた読み出し制御が中断される。そして、データドライバ２００では、ＬＣＤコントローラ３１０により設定される制御コマンドに対応した制御データが制御データ記憶部２０に設定される。これにより、データドライバ２００は、ＬＣＤコントローラ３１０からの制御コマンドに基づく液晶駆動を行う。

図５に、データドライバ２００の構成の概要を示す。ただし、図１に示す半導体装置と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。

図５では、図１に示す第１及び第２のＩ／Ｆ回路４０、８０として、端子のみを示している。なお、これらの一部を省略する構成でもよい。

データドライバ２００は、データ線を駆動するための表示データが入力される表示データ入力端子４００と、各データ線出力端子が液晶パネルの各データ線に接続される複数のデータ線出力端子４１０とを含む。

データドライバ２００は、表示データレジスタ５００、ラインラッチ５１０、ＤＡＣ（Digital-to-Analog Converter）（広義には電圧選択回路）５２０、データ線駆動回路５３０を含む。

表示データレジスタ５００は、表示データ入力端子４００を介して入力された表示データを取り込む。表示データは、ＬＣＤコントローラ３１０によって生成される。ＬＣＤコントローラ３１０は、画素単位の表示データを、シリアルに表示データ入力端子４００に供給する。表示データ入力端子４００を介してデータドライバ２００に入力された表示データは、表示バス５０２上に出力される。表示データレジスタ５００は、シフトレジスタにより構成される。そして、表示データレジスタ５００は、シフトレジスタのシフトタイミングを規定するシフトクロックに基づき、表示バス５０２上の表示データを、１画素単位で取り込んでいく。

ラインラッチ５１０は、表示データレジスタ５００に取り込まれた表示データを、水平同期信号Ｈｓｙｎｃに基づいてラッチする。

ＤＡＣ５２０は、各基準電圧が表示データに対応した複数の基準電圧の中から、データ線ごとにラインラッチ５１０からの表示データに対応する駆動電圧（階調電圧）を出力する。より具体的には、ＤＡＣ５２０は、ラインラッチ５１０からの表示データをデコードし、デコード結果に基づいて複数の基準電圧のいずれかを選択する。ＤＡＣ５１０において選択された基準電圧は、駆動電圧としてデータ線駆動回路５３０に出力される。

データ線駆動回路５３０は、各データ出力部が各データ線出力端子に対応して設けられた複数のデータ出力部を有する。データ線駆動回路５３０の各データ出力部は、ＤＡＣ５２０からの駆動電圧に基づいて、データ線を駆動する。

表示データレジスタ５００、ラインラッチ５１０、ＤＡＣ５２０及びデータ線駆動回路５３０は、制御回路１０によって制御される。

図６に、１出力当たりのデータドライバ２００の構成の概要を示す。

図６では、制御回路１０によって行われる各ブロックへの制御信号の一例を示している。

表示データレジスタ５００が順次取り込む画素単位の表示データの並び順序を規定するシフト方向は、制御回路１０によって制御される。シフト方向を指定するための制御データが制御レジスタ２２に設定されると、制御回路１０は当該制御データに対応したシフト方向を示すシフト方向制御信号ＳＨＬ（広義には制御信号）を出力する。そして、シフト方向制御信号ＳＨＬに基づく順序で、表示バス５０２上の画素単位の表示データを表示データレジスタ５００に取り込ませる。

ラインラッチ５１０の取り込み周期を規定する水平同期信号Ｈｓｙｎｃは、駆動対象の液晶パネルのデータ線の数に依存する。そのため水平走査周期を指定する制御データが制御レジスタ２２に設定されると、制御回路１０は当該制御データに対応した周期の水平同期信号Ｈｓｙｎｃ（広義には制御信号）を出力する。そして、水平同期信号Ｈｓｙｎｃに基づいて、ラインラッチ５１０に表示データレジスタ５００に取り込まれた表示データをラッチさせる。

ＤＡＣ５２０が選択する複数の基準電圧は、駆動対象の液晶パネルの液晶材や該液晶パネルのパネルメーカに応じて最適な階調特性が得られるように、ガンマ補正が行われる。ガンマ補正を行うための制御データが制御レジスタ２２に設定されると、制御回路１０は当該制御データに対応したガンマ補正を行うためのガンマ補正信号（広義には制御信号）を出力する。そしてガンマ補正信号に基づくガンマ補正後の複数の基準電圧（Ｖｒｅｆ）が、ＤＡＣ５２０に対して出力される。ＤＡＣ５２０は、ガンマ補正後の複数の基準電圧（Ｖｒｅｆ）の中から、表示データに対応した基準電圧を選択し、駆動電圧として出力する。

データ線駆動回路５３０は、データ出力部を選択することで、パーシャル表示による低消費電力化を実現できる。選択するデータ出力部を指定する制御データが制御レジスタ２２に設定されると、制御回路１０は当該制御データに対応したデータ出力部を選択する出力部選択信号（広義には制御信号）を出力する。そして出力部選択信号に基づいて選択されたデータ出力部のみが、ＤＡＣ５２０からの駆動電圧に基づいてデータ線出力端子に接続されるデータ線を駆動する。またデータ出力部の出力タイミングもまた、制御回路１０によって同様に制御される。

このように、データドライバ２００の各部を制御する制御回路１０は、図１に示す半導体装置と同様に、制御データ記憶部２０の制御レジスタ２２に設定される制御データに基づく制御信号を出力する。

まず、制御レジスタ２２に制御データを設定するための制御コマンドを格納するＥＥＰＲＯＭ３００について説明する。

図７に、ＥＥＰＲＯＭ３００の構成の概要を示す。

ＥＥＰＲＯＭ３００には、アドレス／データ分割バスと、クロックラインとが接続される。アドレス／データ分割バス及びクロックラインとは、データドライバ２００に接続される。

図８に、ＥＥＰＲＯＭ３００の読み出し制御の一例のタイミング図を示す。

データドライバ２００は、例えばアドレス／データ分割バスにアドレスデータＡを出力すると共に、クロックラインにクロック１パルスを出力することで、ＥＥＰＲＯＭ３００にアドレスデータＡを設定することができる。このアドレスデータＡは、データドライバ２００が読み出す制御コマンドが格納されるＥＥＰＲＯＭ３００のメモリ空間上のアドレスである。

データドライバ２００は、その後、クロックラインに順次クロックを供給する。ＥＥＰＲＯＭ３００では、取り込まれたアドレスデータＡをクロックに同期してインクリメントする。そして、アドレスデータＡに対応する記憶データ（制御データ）が、クロックラインのクロックに同期してアドレス／データ分割バスに出力される。

図９に、制御コマンドが記憶されるＥＥＰＲＯＭ３００のメモリ空間の一例を示す。

ＥＥＰＲＯＭ３００のメモリ空間は、複数ブロックに分割される。各ブロックは、先頭アドレスによって特定される。共通ブロックは、先頭アドレスＡＨ０によって特定される。第１のブロックは、先頭アドレスＡＨ１によって特定される。同様に、第２〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のブロックは、先頭アドレスＡＨ２〜ＡＨＮによってそれぞれ特定される。各ブロックには、１又は複数の制御コマンドが記憶される。

そして、データドライバ２００は、ブロック単位に制御コマンドの読出制御を行う。

図１０に、データドライバ２００の読出制御用レジスタの一例を示す。

データドライバ２００は、図１０に示す制御コマンドの読出制御用レジスタを設定することで、図９に示すＥＥＰＲＯＭ３００の所望のブロックに記憶される制御コマンドを読み出すことができる。

読出制御用レジスタには、ブロックごとに、１又は０が設定される。読出制御用レジスタには、例えば初期状態で所与の設定値が設定され、ＬＣＤコントローラ３１０によって読出制御用レジスタの設定値が更新されるようになっている。

設定値が１のブロックは、データドライバ２００によって周期的に読み出し制御される。設定値が０のブロックは、データドライバ２００による読み出し制御が省略される。

共通ブロックに対応する設定値を１に固定することで、データドライバ２００は、共通ブロックと、その他に設定値が１に設定されたブロックとに記憶された制御コマンドが周期的に読み出されることになる。

例えば共通ブロックには、電源投入時や初期化時に必要な制御コマンドを格納しておくことが望ましい。例えば、電源投入後に変更する機会がほとんどないシステム固有のシフト方向、水平走査周期を制御するための制御コマンドが格納される。

第１〜第Ｎのブロックの各ブロックには、電源投入後にユーザから指定される各表示制御モードに対応した制御コマンドを格納しておくことが望ましい。例えば、色数を変更するための制御コマンド、データ出力部を選択してウィンドウサイズ或いはパーシャル表示領域を変更するための制御コマンド、或いは階調特性を微調整するためのガンマ補正を制御するための制御コマンドが格納される。

ＥＥＰＲＯＭ３００に対する周期的な読み出し制御を行う場合には、データドライバ２００（狭義にはシーケンサ３０）は、まず読出制御用レジスタに１が設定されたブロックの先頭アドレスをＥＥＰＲＯＭ３００に出力する。そして、ブロックのサイズに応じたクロック数だけＥＥＰＲＯＭ３００に出力する。こうすることで、ＥＥＰＲＯＭ３００は、先頭アドレスをクロックに同期してインクリメントしていく。そして、インクリメントされたアドレスに対応して記憶された制御コマンドを、順次出力する。データドライバ２００は、ＥＥＰＲＯＭ３００から出力された制御コマンドを取り込んでいく。

予め各ブロックに記憶される制御コマンドの並びを決めておくことで、データドライバ２００は、取り込んだ制御コマンドを、対応する制御レジスタに順次設定することができる。

なお、図１０では、各ブロックのサイズを固定であるものとして説明したが、読出制御用コマンドに、各ブロックのサイズも設定できるようにすることも可能である。この場合、データドライバ２００（狭義にはシーケンサ３０）は、１が設定されたブロックに対して設定されたサイズ分だけ、クロックを出力する。

以上のように、ＥＥＰＲＯＭ３００に記憶される制御コマンド群を、データドライバ２００のアクセス制御により読み出す。

本実施形態では、上述のようにＥＥＰＲＯＭ３００に記憶される制御コマンド群が周期的に読み出されている間に、ＬＣＤコントローラ３１０からの制御コマンドを取り込んで、データドライバ２００の制御に反映させることができる。そのため、第２のＩ／Ｆ回路８０、第２のデコーダ９０及び切替回路１００を設けている。特に、第２のデコーダ９０がデコードする制御コマンドの種類を制限することで、ＬＣＤコントローラ３１０からの制御コマンドを、切替回路１００を経由させて第１のデコーダ５０に供給できる。従って第１のデコーダ５０において、第１及び第２のコマンドバス６０、１１０上の制御コマンドに対して共通にデコードでき、回路規模の増大を抑えることができる。

本実施形態では、第２のデコーダ９０が、例えばＥＥＰＲＯＭ３００に対する周期的な読み出し制御を強制的に停止させる停止コマンドのみをデコードできるようにすることができる。

次に、このようなデータドライバ２００の制御を実現するシーケンサ３０の動作について説明する。

図１１に、シーケンサ３０の動作フローを示す。

初期時には、切替回路１００は、第２のコマンドバス１１０とデコーダバス１２０とを接続しているものとする。

まず、シーケンサ３０は、外部設定用端子７０に高電位側の電源電圧が印加されている状態（第１の状態）であるか否かを検出する（ステップＳ１０）。

外部設定用端子７０に高電位側の電源電圧が印加されている状態（第１の状態）であると検出したとき（ステップＳ１０：Ｙ）、シーケンサ３０は、制御データ記憶部２０の制御フラグレジスタ２４の制御フラグを１にセットする（ステップＳ１１）と共に、ＥＥＰＲＯＭ３００に対して周期的な制御コマンドの読み出し制御を開始する（ステップＳ１２）。シーケンサ３０は、例えば図７〜図１０に示したようにＥＥＰＲＯＭ３００に対するアクセスを開始する。

データドライバ２００は、ステップＳ１２で行われたＥＥＰＲＯＭ３００に対するアクセスに対応して制御コマンドを取り込む。ステップＳ１１において制御フラグが１に設定されているため、切替回路１００は、第１のコマンドバス６０とデコーダバス１２０とを接続する。このため、第１のデコーダ５０は、ＥＥＰＲＯＭ３００からの制御コマンドをデコードし、制御コマンドに対応した制御データを、該制御コマンドに対応した制御レジスタに設定する（ステップＳ１３）。ステップＳ１２で行われたＥＥＰＲＯＭ３００に対するアクセスに対応して複数の制御コマンドが取り込まれた場合は、制御コマンドごとに、第１のデコーダ５０はデコードし、制御コマンドに対応した制御データを、該制御コマンドに対応した制御レジスタに設定する。

次に、ＬＣＤコントローラ３１０から、別の制御コマンドがあるか否かを検出する（ステップＳ１４）。ＬＣＤコントローラ３１０から別の制御コマンドがないと検出されたとき（ステップＳ１４：Ｎ）、所与の期間が経過したか否かを検出する（ステップＳ１５）。この期間は、前回ＥＥＰＲＯＭ３００に対するアクセス制御を行ってから経過した時間である。

そして、ステップＳ１５で、所与の期間が経過していないことが検出されたとき（ステップＳ１５：Ｎ）、ステップＳ１４に戻る。一方、ステップＳ１５で、所与の期間が経過したことが検出されたとき（ステップＳ１５：Ｙ）、ステップＳ１２に戻って、ＥＥＰＲＯＭ３００に対する制御コマンドの読み出し制御を再び行う。これにより、同じ制御コマンドが周期的にＥＥＰＲＯＭ３００から読み出されるようになる。

ステップＳ１４において、ＬＣＤコントローラ３１０から別の制御コマンドがあることが検出されたとき（ステップＳ１４：Ｙ）、第２のデコーダ９０のデコード結果によりＬＣＤコントローラ３１０からの制御コマンドが、ＥＥＰＲＯＭ３００に対する周期的な読み出し制御を停止させる停止コマンドが否かを判別する（ステップＳ１６）。

そして、停止コマンドであると判別されたとき（ステップＳ１６：Ｙ）、シーケンサ３０は、制御フラグを０にリセットする（ステップＳ１７）。

またステップＳ１６で、ＬＣＤコントローラ３１０からの制御コマンドが、停止コマンドではないと判別されたとき（ステップＳ１６：Ｎ）、或いはステップＳ１７で制御フラグをリセットした後（ステップＳ１７）、終了するとき（ステップＳ１８：Ｙ）、一連の処理を終了し（エンド）、終了ではないとき（ステップＳ１８：Ｎ）、ステップＳ１９に戻る。

ステップＳ１０において、外部設定用端子７０が論理レベルＨに対応する電圧が印加されている状態（第１の状態）ではないと検出したとき（ステップＳ１０：Ｎ）、ステップＳ１９に進む。

ステップＳ１９では、ステップＳ１４と同様に、ＬＣＤコントローラ３１０から、別の制御コマンドがあるか否かを検出する（ステップＳ１９）。ＬＣＤコントローラ３１０から別の制御コマンドがないと検出されたとき（ステップＳ１９：Ｎ）、ステップＳ１９を繰り返す。

一方、ステップＳ１９において、ＬＣＤコントローラ３１０から別の制御コマンドがあると検出されたとき（ステップＳ１９：Ｙ）、第１のデコーダ５０のデコード結果に基づき、シーケンサ３０は、ＥＥＰＲＯＭ３００に対する周期的な制御コマンドの読み出し制御を指示するアクセスコマンドであるか否かを判別する（ステップＳ２０）。

アクセスコマンドであると判別されたとき（ステップＳ２０：Ｙ）、ステップＳ１１に進み、ＥＥＰＲＯＭ３００に対するアクセスを開始する。

ステップＳ２０で、アクセスコマンドではないと判別されたとき（ステップＳ２０：Ｎ）、シーケンサ３０は、第１のデコーダ５０のデコード結果に基づいて、当該制御コマンドに対応した制御データを、当該制御コマンドに対応した制御レジスタに設定し（ステップＳ２１）、ステップＳ１８に進む。

このような動作を実現するシーケンサ３０は、ＡＳＩＣ等のハードウェアのみで実現できる。また、ＣＰＵとＲＯＭとの組み合わせにより実現してもよい。

図１２に、停止コマンドを用いたデータドライバ２００の制御データの設定方法の一例を示す。

まず、ＬＣＤコントローラ３１０から、ＥＥＰＲＯＭ３００に対する制御コマンドの読み出し制御を実行するためのアクセスコマンドを設定する（ステップＳ３０）。なお、上述のように外部設定用端子７０を用いてもよい。これにより、制御レジスタ２２には、周期的に制御データが設定される。なお、図１０に示した読出制御用レジスタを用いることで、所望の制御データを周期的に設定できる。

次に、ＬＣＤコントローラ３１０から、上述の停止コマンドを設定する（ステップＳ３１）。これにより、ＥＥＰＲＯＭ３００に対する読み出し制御は停止する。

ここで、ＬＣＤコントローラ３１０から、他の制御コマンドを設定する（ステップＳ３２）。この制御コマンドは、切替回路１００を介して、第１のデコーダ５０でデコードされる。従って、この制御コマンドに対応した制御データを、制御レジスタ２２に設定できる。

そして、ＬＣＤコントローラ３１０から、ＥＥＰＲＯＭ３００に対する制御コマンドの読み出し制御を実行するためのアクセスコマンドを再設定する（ステップＳ３３）。これにより、再び制御レジスタ２２には、周期的に制御データが設定される。

なお図１１では、第２のデコーダ９０が停止コマンドのみをデコードするものとして説明したが、これに限定されない。例えば、第２のデコーダ９０は、上述の停止コマンドに加えて、制御データ記憶部２０の内容を読み出すステータスリードコマンドもデコードできるようにしてもよい。

図１３に、ステータスリードコマンドを用いたデータドライバ２００の制御データの設定方法の一例を示す。

まず、ＬＣＤコントローラ３１０から、ＥＥＰＲＯＭ３００に対する制御コマンドの読み出し制御を実行するためのアクセスコマンドを設定する（ステップＳ４０）。なお、上述のように外部設定用端子７０を用いてもよい。これにより、制御レジスタ２２には、周期的に制御データが設定される。なお、図１０に示した読出制御用レジスタを用いることで、所望の制御データを周期的に設定できる。

次に、ＬＣＤコントローラ３１０から、上述のステータスリードコマンドを設定する（ステップＳ４１）。これにより、ＥＥＰＲＯＭ３００に対する読み出し制御は停止する。

ＬＣＤコントローラ３１０からステータスリードコマンドが設定されると、第２のデコーダ５０によりデコードされる。そして、シーケンサ３０が、制御データ記憶部２０に記憶された制御レジスタ２２及び制御フラグレジスタ２４の内容を出力して、ＬＣＤコントローラ３１０に対して出力する（ステップＳ４２）。

そして、ＬＣＤコントローラ３１０から、ＥＥＰＲＯＭ３００に対する制御コマンドの読み出し制御を実行するためのアクセスコマンドを再設定する（ステップＳ４３）。これにより、再び制御レジスタ２２には、周期的に制御データが設定される。

以上のように、第１のデコーダ５０の他に、第２のデコーダ９０を設けている。そして、第１のデコーダ５０に比べて、第２のデコーダ９０がデコードできる制御コマンドの種類を少なくすることにより、周期的にＥＥＰＲＯＭ３００から制御コマンドを読み出す制御を行っている最中でも、ＬＣＤコントローラ３１０が、制御コマンドを設定して、新たな制御を行うことができる構成となっている。

なお、データドライバ２００のＥＥＰＲＯＭ３００に対する読み出し制御は、図７〜図１０に説明したものに限定されるものではない。

３． 液晶システムへの適用例
次に、図５に示すデータドライバ２００が適用される液晶システムについて説明する。

図１４に、本実施形態における液晶システムの構成の概要を示す。ただし、図５と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。

液晶システムは、携帯電話機、携帯型情報機器（ＰＤＡ等）、デジタルカメラ、プロジェクタ、携帯型オーディオプレーヤ、マスストレージデバイス、ビデオカメラ、電子手帳、又はＧＰＳ（Global Positioning System）などの種々の電子機器に組み込むことができる。

図１４において、液晶システム６１０は、ＬＣＤパネル（広義には表示パネル。更に広義には電気光学装置）６２０、データドライバ（列駆動回路）２００、走査ドライバ（ゲートドライバ又は行駆動回路）６４０、ＬＣＤコントローラ３１０、電源回路６６０を含む。

なお、液晶システム６１０にこれら全ての回路ブロックを含める必要はなく、その一部の回路ブロックを省略する構成にしてもよい。

ＬＣＤパネル６２０は、各走査線（ゲート線）が各行に設けられた複数の走査線（ゲート線）と、複数の走査線と交差し各データ線が各列に設けられた複数のデータ線（ソース線）と、各画素が複数の走査線のいずれかの走査線及び複数のデータ線のいずれかのデータ線により特定される複数の画素とを含む。各画素は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴと略す）と画素電極とを含む。データ線にはＴＦＴが接続され、該ＴＦＴに画素電極が接続される。

より具体的には、ＬＣＤパネル６２０は例えばガラス基板からなるパネル基板上に形成される。パネル基板には、図１４のＹ方向に複数配列されそれぞれＸ方向に伸びる走査線ＧＬ１〜ＧＬＭ（Ｍは２以上の整数。Ｍは３以上が望ましい。）と、Ｘ方向に複数配列されそれぞれＹ方向に伸びるデータ線ＤＬ１〜ＤＬＮ（Ｎは２以上の整数）とが配置されている。走査線ＧＬｍ（１≦ｍ≦Ｍ、ｍは整数）とデータ線ＤＬｎ（１≦ｎ≦Ｎ、ｎは整数）との交差点に対応する位置に画素ＰＥｍｎが設けられている。画素ＰＥｍｎは、ＴＦＴｍｎと画素電極とを含む。

ＴＦＴｍｎのゲート電極は走査線ＧＬｍに接続される。ＴＦＴｍｎのソース電極はデータ線ＤＬｎに接続される。ＴＦＴｍｎのドレイン電極は画素電極に接続される。画素電極と、該画素電極と液晶素子（広義には電気光学物質）を介して対向する対向電極ＣＯＭ（コモン電極）との間には、液晶容量ＣＬｍｎが形成されている。なお液晶容量ＣＬｍｎと並列に、保持容量を形成するようにしても良い。画素電極と対向電極ＣＯＭとの間の電圧に応じて、画素の透過率が変化するようになっている。対向電極ＣＯＭに供給される電圧ＶＣＯＭは、電源回路６６０により生成される。

データドライバ２００は、一水平走査期間ごとに供給される一水平走査期間分の表示データに基づいてＬＣＤパネル３２０のデータ線ＤＬ１〜ＤＬＮを駆動する。より具体的には、データドライバ２００は、表示データに基づいてデータ線ＤＬ１〜ＤＬＮの少なくとも１つを駆動することができる。

走査ドライバ６４０は、ＬＣＤパネル６２０の走査線ＧＬ１〜ＧＬＭを走査する。より具体的には、走査ドライバ６４０は、一垂直期間内に走査線ＧＬ１〜ＧＬＭを順次選択し、選択した走査線を駆動する。

ＬＣＤコントローラ３１０は、図示しないＣＰＵ等のホストにより設定された内容に従って、データドライバ２００、走査ドライバ６４０及び電源回路６６０に対して制御信号を出力する。より具体的には、ＬＣＤコントローラ３１０は、データドライバ２００及び走査ドライバ６４０に対しては、例えば動作モードの設定や内部で生成した水平同期信号や垂直同期信号を供給する。水平同期信号は、水平走査期間を規定する。垂直同期信号は、垂直走査期間を規定する。またＬＣＤコントローラ３１０は、電源回路６６０に対しては、極性反転信号ＰＯＬにより、対向電極ＣＯＭの電圧ＶＣＯＭの極性反転タイミングの制御を行う。

電源回路６６０は、外部から供給される基準電圧に基づいて、ＬＣＤパネル６２０の各種電圧や、対向電極ＣＯＭの電圧ＶＣＯＭを生成する。

なお図１４では、液晶システム６１０がＬＣＤコントローラ３１０を含む構成になっているが、ＬＣＤコントローラ３１０を液晶システム６１０の外部に設けてもよい。或いは、ＬＣＤコントローラ３１０と共にホスト（図示せず）を液晶システム６１０に含めるように構成してもよい。

また走査ドライバ６４０、ＬＣＤコントローラ３１０及び電源回路６６０のうち少なくとも１つをデータドライバ２００に内蔵させてもよい。

また、データドライバ２００、走査ドライバ６４０、ＬＣＤコントローラ３１０及び電源回路６６０の一部又は全部をＬＣＤパネル６２０上に形成してもよい。例えば図１５では、ＬＣＤパネル６２０上に、データドライバ２００及び走査ドライバ６４０が形成されている。このようにＬＣＤパネル６２０は、複数のデータ線と、複数の走査線と、各画素が複数のデータ線のいずれかと複数の走査線のいずれかとにより特定される複数の画素と、複数のデータ線を駆動する表示ドライバとを含むように構成することができる。ＬＣＤパネル６２０の画素形成領域６８０に、複数の画素が形成されている。

ところで、低温ポリシリコン（Low Temperature Poly-Silicon：以下ＬＴＰＳと略す。）プロセスにより、ＬＣＤパネル６２０上にスイッチ回路を設けることができる。ＬＴＰＳプロセスによれば、スイッチ素子（例えば、ＴＦＴ）等を含む画素が形成されるパネル基板（例えばガラス基板）上に、駆動回路等を直接形成することができる。そのため、部品数を削減し、表示パネルの小型軽量化が可能となる。またＬＴＰＳでは、これまでのシリコンプロセスの技術を応用して、開口率を維持したまま画素の微細化を図ることができる。更にまたＬＴＰＳは、アモルファスシリコン（am orphous silicon：ａ−Ｓｉ）に比べて電荷の移動度が大きく、かつ寄生容量が小さい。従って、画面サイズの拡大により１画素当たりの画素選択期間が短くなった場合でも、当該基板上に形成された画素の充電期間を確保し、画質の向上を図ることが可能となる。

図１６に、ＬＴＰＳプロセスにより形成されるＬＣＤパネル６２０のデータ線ＤＬｎを模式的に示す。

データ線ＤＬｎは、３つのスイッチ素子ＳＷＲｎ、ＳＷＧｎ、ＳＷＢｎを介して、Ｒ成分用データ線Ｒｎ、Ｇ成分用データ線Ｇｎ及びＢ成分用データ線Ｂｎのいずれかに接続される。即ち、各スイッチ素子のスイッチ制御信号に基づいて、スイッチ素子ＳＷＲｎ、ＳＷＧｎ、ＳＷＢｎが排他的にオン状態となる。他のデータ線も同様である。

図１７に、各成分用データ線、各スイッチ素子のスイッチ制御信号のタイミングの一例を示す。

データ線ＤＬｎには、Ｒ成分用の表示データに対応した駆動電圧、Ｇ成分用の表示データに対応した駆動電圧、及びＢ成分用の表示データに対応した駆動電圧がそれぞれ時分割されて出力される。

そして、データ線ＤＬｎの時分割タイミングに合わせて、スイッチ制御信号Ｒｓｅｌ、Ｇｓｅｌ、Ｂｓｅｌに基づいて、３つのスイッチ素子ＳＷＲｎ、ＳＷＧｎ、ＳＷＢｎをオンとすることで、各成分用データ線に駆動電圧が供給される。

本実施形態におけるデータドライバ２００において、ＥＥＰＲＯＭ３００のメモリ空間のブロックに、スイッチ制御信号Ｒｓｅｌ、Ｇｓｅｌ、Ｂｓｅｌがオンするタイミングが異なるように設定する制御コマンドを記憶させておく。そして、ユーザからの操作情報に従って、当該ブロックの制御コマンドを読み出す。

図１８に、制御コマンドにより、各スイッチ素子のスイッチ制御信号のタイミングを変更した例を示す。

この場合、Ｇ成分用データ線Ｇｎと、Ｂ成分用データ線Ｂｎへの駆動電圧を、図１７と異ならせることができる。従って、ＬＣＤパネル６２０に表示される画像の色合いを容易に変更できるようになる。

このように、ＥＥＰＲＯＭ３００に各ブロックに制御コマンド群を記憶させておき、適宜読み出すブロックを変更することで、ＬＣＤコントローラ３１０に負担をかけることなく、様々な表示制御を容易に実現できる。

なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。

また、本発明のうち従属請求項に係る発明においては、従属先の請求項の構成要件の一部を省略する構成とすることもできる。また、本発明の１の独立請求項に係る発明の要部を、他の独立請求項に従属させることもできる。

本実施形態における半導体装置の構成要部の概要を示すブロック図。 シーケンサによる第１の制御コマンドの読み出し制御を説明するためのタイミング図。 シーケンサによる第２の制御コマンドの読み出し制御を説明するためのタイミング図。 本実施形態における半導体装置が適用されたデータドライバと、不揮発性メモリ及びコントローラとの接続関係を示す模式図。 データドライバの構成の概要を示すブロック図。 １出力当たりのデータドライバの構成の概要を示すブロック図。 ＥＥＰＲＯＭの構成の概要を示すブロック図。 図７のＥＥＰＲＯＭの読み出し制御の一例のタイミング図。 制御コマンドが記憶されるＥＥＰＲＯＭのメモリ空間の一例を示す説明図。 データドライバの読出制御用レジスタの一例の説明図。 シーケンサの動作例のフロー図。 停止コマンドを用いたデータドライバの制御データの設定方法の一例のフロー図。 ステータスリードコマンドを用いたデータドライバの制御データの設定方法の一例のフロー図。 本実施形態における液晶システムの構成例を示すブロック図。 本実施形態における液晶システムの構成の他の例を示すブロック図。 ＬＴＰＳプロセスにより形成されるＬＣＤパネルのデータ線の模式図。 各成分用データ線、各スイッチ素子のスイッチ制御信号の一例のタイミング図。 各成分用データ線、各スイッチ素子のスイッチ制御信号の他の例のタイミング図。

符号の説明

１０ 制御回路、２０ 制御データ記憶部、２２ 制御レジスタ、
２４ 制御フラグレジスタ、３０ シーケンサ、４０ 第１のＩ／Ｆ回路、
５０ 第１のデコーダ、６０ 第１のコマンドバス、７０ 外部設定用端子、
８０ 第２のＩ／Ｆ回路、９０ 第２のデコーダ、１００ 切替回路、
１１０ 第２のコマンドバス、１２０ デコーダバス

Claims (12)

1. 外部から設定される制御データに対応した制御信号に基づいて制御される半導体装置であって、
   前記制御データが設定される制御レジスタと、
   第１の制御コマンドが格納された不揮発性メモリに対して、前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行うシーケンサと、
   前記不揮発性メモリから読み出された前記第１の制御コマンドが出力される第１のコマンドバスと、
   前記第１のコマンドバス上の前記第１の制御コマンドをデコードする第１のデコーダと、
   を含み、
   前記シーケンサが、
   前記不揮発性メモリに対して周期的に前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行い、
   前記第１のコマンドバス上に出力される前記第１の制御コマンドを前記第１のデコーダがデコードする度に、前記第１の制御コマンドに対応した前記制御データを前記制御レジスタに設定することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   第１又は第２の状態に設定される外部設定用端子を含み、
   前記シーケンサが、
   前記外部設定用端子が第１の状態のとき、前記不揮発性メモリに対する前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行うことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２において、
   制御フラグが設定される制御フラグレジスタと、
   第２の制御コマンドが出力される第２のコマンドバスと、
   前記第２のコマンドバス上の前記第２の制御コマンドをデコードする第２のデコーダと、
   前記第１及び第２のコマンドバスのいずれか１つを前記第１のデコーダに接続する切替回路と、
   を含み、
   前記切替回路は、
   前記制御フラグに基づいて、前記第１及び第２のコマンドバスのいずれかの制御コマンドを前記第１のデコーダに出力し、
   前記シーケンサが、
   前記第２のデコーダのデコード結果に基づいて前記制御フラグを前記制御フラグレジスタに設定すると共に、前記第１のデコーダのデコード結果に基づき、前記第１及び第２のコマンドバスのいずれかの制御コマンドに対応した制御データを前記制御レジスタに設定することを特徴とする半導体装置。
4. 請求項３において、
   前記第２のデコーダのデコード結果に基づいて前記制御フラグがセット又はリセットされたことを条件に、
   前記切替回路は、前記第１のコマンドバスと前記第１のデコーダとを接続する状態から、前記第２のコマンドバスと前記第１のデコーダとを接続する状態に切り替えることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項３又は４において、
   前記切替回路は、
   前記第２のデコーダにより、第２のコマンドバス上に前記第２の制御コマンドが出力されたことが検出されたとき、前記第２のコマンドバスを前記第１のデコーダに接続することを特徴とする半導体装置。
6. 請求項１乃至５のいずれかにおいて、
   前記第１のコマンドバスは、
   前記不揮発性メモリに電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記第２のコマンドバスは、
   前記第２の制御コマンドを出力するコントローラに接続されることを特徴とする半導体装置。
8. 請求項１乃至７のいずれかにおいて、
   前記不揮発性メモリは、
   ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）であることを特徴とする半導体装置。
9. 請求項１乃至８のいずれかにおいて、
   表示データが取り込まれる表示データレジスタと、
   前記表示データレジスタに取り込まれた前記表示データに基づいて、表示部のデータ線を駆動するデータ線駆動回路と、
   を含み、
   前記不揮発性メモリには、表示設定用の制御コマンドが格納され、
   前記第２のコマンドバスは、前記第２の制御コマンドを出力する表示コントローラに接続されることを特徴とする半導体装置。
10. 外部から設定される制御データに対応した制御信号に基づく半導体装置の制御方法であって、
    第１の制御コマンドが格納された不揮発性メモリに対して、周期的に前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行い、
    前記不揮発性メモリから読み出された前記第１の制御コマンドをデコードする度に、前記第１の制御コマンドに対応した制御データを制御レジスタに設定し、
    前記制御レジスタの内容に基づいて前記制御信号を生成することを特徴とする半導体装置の制御方法。
11. 請求項１０において、
    外部設定用端子が第１の状態のとき、前記不揮発性メモリに対する前記第１の制御コマンドの読み出し制御を行うことを特徴とする半導体装置の制御方法。
12. 請求項１０又は１１において、
    第２の制御コマンドが出力される第２のコマンドバス上の前記第２の制御コマンドをデコードし、
    前記第２のデコーダのデコード結果に基づいて設定された制御フラグに応じて、前記第１及び第２のコマンドバスのいずれか１つの制御コマンドをデコードし、
    前記第１及び第２のコマンドバスのいずれか１つの制御コマンドに対応した制御データを前記制御レジスタに設定することを特徴とする半導体装置の制御方法。

Images