JPWO2006101086A1 - 露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
マスクMを載置するマスクステージMSTと感光性基板Pを載置する基板ステージPSTとを投影光学系PL1〜PL11に対して相対的に同期移動させて、前記感光性基板P上に前記マスクMのパターンをスキャン露光する露光装置において、前記感光性基板P上に設けられたアライメントマークa19〜a24を検出する際の前記投影光学系PL1〜PL11に対する前記基板ステージPSTの位置と、前記スキャン露光を開始する際の前記投影光学系PL1〜PL11に対する前記基板ステージPSTの位置とは、略一致する。
Description
この発明は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための露光装置、該露光装置を用いた露光方法及び該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法に関するものである。
現在、液晶表示デバイス等のフラットパネル表示素子等の製造においては、マスク上に形成された非常に微細なパターンを感光性基板上に転写するフォトリソグラフィの手法が用いられている。このフォトリソグラフィの手法を用いた製造工程では、二次元移動するマスクステージに載置されているマスク上に形成された原画となるパターンを、投影光学系を介して、二次元移動する基板ステージに載置されているフォトレジスト等の感光剤が塗布された感光性基板上に、投影露光する投影露光装置が用いられている。
この投影露光装置としては、感光性基板上にマスクのパターン全体を同時に転写する一括型露光装置と、マスクステージと基板ステージとを同期走査することによりマスクのパターンを連続的に感光性基板上に転写する走査型露光装置とが主に用いられている。液晶表示デバイスを製造する際には、隣り合う投影領域(露光領域)が走査方向で所定量変位するように、かつ隣り合う投影領域の端部(継ぎ部)が走査方向と直交する方向に重複するように配置された複数の投影光学系を備えたマルチレンズ方式の走査型露光装置(マルチレンズスキャン型露光装置)が主に用いられている(例えば、特開2003−347184号公報参照)。
従来の走査型露光装置においては、図19及び図20に示すように、投影光学系を構成し、走査方向に所定の間隔で配置される第1投影光学ユニット200〜202と第2投影光学ユニット203,204との間にアライメント系205a〜205fが配置されていた。従って、基板ステージ206のスキャン開始から基板上への露光を開始するまでに要する加速と整定のための距離を設ける必要があるため、アライメント直後の投影光学系に対する基板ステージ206の位置(図19参照)を、露光開始直前の投影光学系に対する基板ステージ206の位置(図20参照)まで移動させる必要があり、つまり基板ステージを走査方向とは逆の方向に移動させた後、走査方向に移動させて露光を開始することになり、スループットの低下を招いていた。
この発明の課題は、アライメント直後から露光開始直前までの時間を短縮することができる露光装置、該露光装置を用いた露光方法及び該露光装置を用いたマイクロデバイスの製造方法を提供することである。
この発明の露光装置は、マスクを載置するマスクステージと感光性基板を載置する基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記感光性基板上に前記マスクのパターンをスキャン露光する露光装置において、前記感光性基板上に設けられたアライメントマークを検出する際の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置と、前記スキャン露光を開始する際の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置とは、略一致することを特徴とする。
また、この発明の露光装置は、マスクを載置するマスクステージと感光性基板を載置する基板ステージとを投影光学系に対して相対的に走査方向に同期移動させながら行うスキャン露光、及び前記基板ステージに対する前記投影光学系の位置の前記走査方向または前記走査方向と直交する方向へのステップ移動を繰り返すことにより、前記感光性基板上に前記マスクのパターンを複数回に分けて分割露光する露光装置において、前記感光性基板上に設けられたアライメントマークを検出するアライメント系と、前記アライメント系に対して前記アライメントマークが所定の位置となるように前記基板ステージを位置制御する制御部とを備え、前記制御部は、前記アライメント系による前記アライメントマークの検出位置から、前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置の前記走査方向及び前記走査方向と直交する方向への前記ステップ移動をほとんど行うことなく露光を開始できる位置に、前記アライメント系を配置することを特徴とする。
また、この発明の露光方法は、マスクを載置するマスクステージと感光性基板を載置する基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記感光性基板上に前記マスクのパターンをスキャン露光する露光方法において、前記感光性基板上に設けられたアライメントマークを検出する検出工程と、前記感光性基板上に前記マスクのパターンをスキャン露光する露光工程とを含み、前記検出工程による検出時の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置と、前記露光工程によるスキャン露光を開始する直前の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置とが略一致することを特徴とする。
また、この発明のマイクロデバイスの製造方法は、この発明の露光装置またはこの発明の露光方法を用いて所定のパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とする。
この発明の露光装置によれば、アライメントマークを検出する際の投影光学系に対する基板ステージの位置とスキャン露光を開始する際の投影光学系に対する基板ステージの位置とが略一致しているため、アライメントマークの検出後直ちにスキャン露光を開始することができる。従って、アライメントマークの検出位置からスキャン露光開始位置まで基板ステージを移動させる時間を短縮することができ、高スループットで露光を行うことができる。
また、この発明の露光方法によれば、検出工程によりアライメントマークを検出する際の投影光学系に対する基板ステージの位置と露光工程によりスキャン露光を開始する際の投影光学系に対する基板ステージの位置とが略一致しているため、検出工程によるアライメントマーク検出後直ちに露光工程によるスキャン露光を開始することができる。従って、アライメントマークの検出位置からスキャン露光開始位置まで基板ステージを移動させる時間を短縮することができ、高スループットで露光を行うことができる。
また、この発明のマイクロデバイスの製造方法によれば、この発明の露光装置またはこの発明の露光方法を用いて露光を行うため、高いスループットでマイクロデバイスの製造を行うことができる。
また、この発明の露光装置によれば、走査方向の前方側に配置された第1投影光学ユニットと走査方向の後方側に配置された第2投影光学ユニットとを備えた投影光学系に対して、第1投影光学ユニットの露光領域の走査方向の前方側または第2投影光学ユニットの露光領域の後方側にアライメント光学系を設けるようにしたので、感光性基板の露光領域の一端に設けられたアライメントマークの検出後、直ちにスキャン露光を開始することができる。従って、図20に示した従来技術のように、基板ステージを走査方向とは逆の方向に移動させた後、走査方向に移動させて露光開始をすることがなくなり、また基板ステージの位置の走査方向及び非走査方向へのステップ移動をほとんどしないので、スキャン露光開始位置まで基板ステージを移動させる時間を短縮することができ、高スループットで露光を行うことができる。
また、この発明の露光方法では、投影光学系に対してスキャン露光開始位置に基板ステージの位置を制御した後、感光性基板に設けられたアライメントマークを検出するようにしたので、アライメント系によるアライメントマーク検出後、直ちにスキャン露光を開始することができる。従って、スキャン露光開始前に装置が振動しているような場合においても、アライメントマークを検出する位置に基板ステージを移動させた後、アライメントすることにより、スキャン露光開始までに振動が減衰する時間を設定することで、振動を低減させることが可能となり、アライメント動作を妨げることなく、余計な振動が減衰した後に、スキャン露光を開始することができるという効果も有する。
また、この発明の露光方法では、感光性基板を載置する基板ステージを投影光学系に対して相対的に移動させて、前記感光性基板上にパターンをスキャン露光する露光方法において、前記感光性基板上に設けられたアライメントマークを検出する際の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置と、前記スキャン露光を開始する際の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置とは、略一致するようにしたので、アライメント系によるアライメントマーク検出後、直ちにスキャン露光を開始することができる。
以下、図面を参照して、この発明の第1の実施の形態にかかる投影露光装置について説明する。図1はこの第1の実施の形態にかかる投影露光装置の概略構成を示す図であり、図2は図1に示す投影露光装置の概略斜視図である。
図1及び図2において、露光装置EXは、露光光でマスクMを照明する複数の照明系モジュール10a〜10kを備えた照明光学系ILと、マスクMを支持するマスクステージMSTと、照明系モジュール10a〜10kのそれぞれに対応して配置され、露光光で照明されたマスクMのパターンの像をガラスプレートにレジスト(感光剤)を塗布した外径が500mmよりも大きい感光性基板P上に投影する複数の投影光学モジュールPL1〜PL11を備えた投影光学系とを備えている。また、感光性基板Pを支持する基板ステージPSTと、レーザ光を用いてマスクステージMSTの位置を検出するマスク側レーザ干渉計39a,39bと、レーザ光を用いて基板ステージPSTの位置を検出する基板側レーザ干渉計43a,43bとを備えている。この実施の形態において、照明系モジュールは10a〜10kの11個であり、図1には照明系モジュール10aに対応するもののみが示されているが、照明系モジュール10a〜10kのそれぞれは同様の構成を有している。
露光装置EXは、マスクステージMSTに支持されているマスクMと、基板ステージPSTに支持されている感光性基板Pとを投影光学モジュールPL1〜PL11に対して相対的に同期移動させて、感光性基板P上にマスクMのパターンをスキャン露光する走査型投影露光装置である。以下の説明において、投影光学モジュールPL1〜PL11の光軸方向をZ軸方向とし、Z軸方向に垂直な方向でマスクM及び感光性基板Pの同期移動方向(走査方向)をX軸方向とし、Z軸方向及びX軸方向に直交する方向(非走査方向)をY軸方向とする。
図1に示すように、照明光学系ILは、露光用光源6と、露光用光源6から射出された光束を集光する楕円鏡6aと、楕円鏡6aにより集光された光束のうち露光に必要な波長の光束を反射し、その他の波長の光束を透過させるダイクロイックミラー7と、ダイクロイックミラー7により反射された光束のうち更に露光に必要な波長のみを通過させる波長選択フィルタ8と、波長選択フィルタ8からの光束を複数本(この実施の形態においては11本)に分岐して、反射ミラー11を介して照明系モジュール10a〜10kのそれぞれに入射させるライトガイド9とを備えている。この実施の形態における露光用光源6には水銀ランプが用いられ、露光光としては、波長選択フィルタ8により、露光に必要な波長であるg線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)などが用いられる。
照明系モジュール10aは、照明シャッタ12と、リレーレンズ13と、リレーレンズ13を通過した光束をほぼ均一な照度分布の光束に調整して露光光に変換するオプティカルインテグレータ14と、オプティカルインテグレータ14からの露光光を集光してマスクMを均一な照度で照明するコンデンサレンズ15とを備えている。この実施の形態においては、照明系モジュール10aと同じ構成を有する照明系モジュール10b〜10kがX軸方向とY軸方向とに一定の間隔をもって配置されている。
照明シャッタ12は、ライトガイド9の光路下流側に光束の光路に対して進退自在に配置されており、光束を遮蔽、または通過させる。照明シャッタ12には、この照明シャッタ12を光束の光路に対して進退移動させるシャッタ駆動部12Dが設けられており、制御装置CONTによりその駆動が制御される。照明シャッタ12を通過した光束は、リレーレンズ13を介してオプティカルインテグレータ14に達する。オプティカルインテグレータ14の射出面側には、二次光源が形成され、オプティカルインテグレータ14からの露光光は、コンデンサレンズ15を介してマスクステージMSTに支持されているマスクMを均一な照度で照射する。そして、照明系モジュール10a〜10kのそれぞれから射出した露光光は、マスクM上の異なる照明領域のそれぞれを照明する。
マスクMを支持するマスクステージMSTは、移動可能に設けられており、一次元の走査露光を行うべくX軸方向への長いストロークと、走査方向と直交するY軸方向への所定距離のストロークとを有している。図1に示すように、マスクステージMSTは、このマスクステージMSTをX軸方向及びY軸方向に駆動するマスクステージ駆動部MSTDを有している。マスクステージ駆動部MSTDは制御装置(制御部)CONTにより制御される。
図2に示すように、マスク側レーザ干渉計は、マスクステージMSTのX軸方向における位置を検出するXレーザ干渉計39aと、マスクステージMSTのY軸方向における位置を検出するYレーザ干渉計39bとを備えている。マスクステージMSTの+X側の端縁にはY軸方向に延在するX移動鏡38aが設けられている。一方、マスクステージMSTの+Y軸方向の端縁にはX移動鏡38aに直交するように、X軸方向に延在するY移動鏡38bが設けられている。X移動鏡38aにはXレーザ干渉計39aが対向して配置されており、Y移動鏡38bにはYレーザ干渉計39bが対向して配置されている。
Xレーザ干渉計39aは、X移動鏡38aに対してレーザ光を照射する。レーザ光の照射によりX移動鏡38aで発生した光(反射光)はXレーザ干渉計39a内部のディテクタにより受光される。Xレーザ干渉計39aは、X移動鏡38aからの反射光に基づいて、内部の参照鏡の位置を基準としてX移動鏡38aの位置、すなわちマスクステージMSTのX軸方向における位置を検出する。
Yレーザ干渉計39bは、Y移動鏡38bに対してレーザ光を照射する。レーザ光の照射によりY移動鏡38bで発生した光(反射光)は、Yレーザ干渉計39b内部のディテクタにより受光される。Yレーザ干渉計39bは、Y移動鏡38bからの反射光に基づいて、内部の参照鏡の位置を基準としてY移動鏡38bの位置、すなわちマスクステージMST(ひいてはマスクM)のY軸方向における位置を検出する。なお、マスクMの位置は、マスクステージMSTに対するマスクMの各位置を計測しておくことにより、レーザ干渉計の検査値でモニタすることができる。
レーザ干渉計39a,39bのそれぞれにより検出された検出結果は、制御装置CONTに対して出力される。制御装置CONTは、レーザ干渉計39a,39bのそれぞれの検出結果に基づいて、マスクステージ駆動部MSTDを介してマスクステージMSTを駆動し、マスクMの位置制御を行う。
マスクMを透過した露光光は、投影光学モジュールPL1〜PL11のそれぞれに入射する。投影光学モジュールPL1〜PL11のそれぞれは、マスクMの照明領域に存在するパターンの像を感光性基板P上に投影露光するものであり、照明系モジュール10a〜10kのそれぞれに対応して配置されている。投影光学モジュールPL1、PL3,PL5,PL7,PL9,PL11(第1投影光学ユニット)と投影光学モジュールPL2,PL4,PL6,PL8,PL10(第2投影光学ユニット)とは2列に千鳥状に配列されている。すなわち、千鳥状に配置されている投影光学モジュールPL1〜PL11のそれぞれは、隣り合う投影光学系(例えば投影光学モジュールPL1とPL2、PL2とPL3)をX軸方向に所定量変位させて配置されている。投影光学モジュールPL1〜PL11のそれぞれを通過した露光光は、基板ステージPSTに支持されている感光性基板P上の異なる投影領域にマスクMの照明領域に対応したパターンの像を結像する。照明領域のマスクMのパターンは、レジストが塗布された感光性基板P上に転写される。感光性基板P上には、図3に示すように、後述するアライメント系54により検出されるアライメントマークa1〜a24が設けられている。
感光性基板Pを支持する基板ステージPSTは、移動可能に構成されており、一次元の走査露光を行うべくX軸方向への長いストロークと、走査方向と直交する方向にステップ移動するためのY軸への長いストロークとを有している。また、基板ステージPSTは、この基板ステージPSTをX軸方向及びY軸方向、更にZ軸方向に駆動する基板ステージ駆動部PSTDを有している。基板ステージ駆動部PSTDは、制御装置CONTにより制御される。
この露光装置においては、基板ステージPSTに対する投影光学モジュールPL1〜PL11の位置のX軸方向(走査方向)またはY軸方向(非走査方向)へのステップ移動を繰り返すことにより、マスクMのパターンが図3に示す感光性基板P上の露光面R1〜R6に分けて分割露光される。
図2に示すように、基板側レーザ干渉計は、基板ステージPSTのX軸方向における位置を検出するXレーザ干渉計43aと、基板ステージPSTのY軸方向における位置を検出するYレーザ干渉計43bとを備えている。基板ステージPSTの+X側の端縁には、Y軸方向に延在するX移動鏡42aが設けられている。一方、基板ステージPSTの−Y側の端縁には、X移動鏡42aに直交するように、X軸方向に延在するY移動鏡42bが設けられている。X移動鏡42aには、Xレーザ干渉計43aが対向して配置されており、Y移動鏡42bには、Yレーザ干渉計43bが対向して配置されている。
Xレーザ干渉計43aは、X移動鏡42aに対してレーザ光を照射する。レーザ光の照射によりX移動鏡42aで発生した光(反射光)は、Xレーザ干渉計43a内部のディテクタにより受光される。Xレーザ干渉計43aは、X移動鏡42aからの反射光に基づいて、内部の参照鏡の位置を基準としてX移動鏡42aの位置、すなわち基板ステージPST(ひいては感光性基板P)のX軸方向における位置を検出する。
Yレーザ干渉計43bは、Y移動鏡42bに対してレーザ光を照射する。レーザ光の照射によりY移動鏡43bで発生した光(反射光)は、Yレーザ干渉計43b内部のディテクタにより受光される。Yレーザ干渉計43bは、Y移動鏡42bからの反射光に基づいて、内部の参照鏡の位置を基準としてY移動鏡42bの位置、すなわち基板ステージPSTのY軸方向における位置を検出する。なお、感光性基板Pの位置は、基板ステージPSTに対する感光性基板Pの各位置を計測しておくことにより、レーザ干渉計の検査値でモニタすることができる。レーザ干渉計43a,43bのそれぞれにより検出された検出結果は、制御装置CONTに対して出力される。
マスクステージMST及び基板ステージPSTのそれぞれは、制御装置CONTの制御のもとで、マスクステージ駆動部MSTD及び基板ステージ駆動部PSTDにより独立して移動可能となっている。そして、この実施の形態では、マスクMを支持したマスクステージMSTと感光性基板Pを支持した基板ステージPSTとが投影光学モジュールPL1〜PL11に対して任意の走査速度(同期移動速度)でX軸方向に同期移動するようになっている。
また、投影光学モジュールPL1,PL3、PL5,PL7,PL9,PL11(第1投影光学ユニット)の−X側には、マスクMのパターン形成面及び感光性基板Pの被露光面のZ軸方向における位置(フォーカス位置)を検出するオートフォーカス系50が設けられている。オートフォーカス系50は、図4に示すように、走査方向に直交する方向(Y方向)に配列された複数(この実施の形態においては3つ)の感光性基板位置検出系50a,50b,50c、及び図示しないY方向に配列された複数(この実施の形態においては2つ)のマスク位置検出系を有している。なお、図4に示すP1は、投影光学モジュールPL1を介した光束が感光性基板P上を露光する領域(露光領域)であり、P2〜P11のそれぞれは、投影光学モジュールPL2〜PL11のそれぞれを介した光束が感光性基板P上を露光する領域(露光領域)である。3つの感光性基板位置検出系50a〜50cにより検出された感光性基板Pの被露光面の3つの位置検出点におけるフォーカス位置、及び2つのマスク位置検出系により検出されたマスクMのパターン形成面の2つの位置検出点におけるフォーカス位置は、制御装置CONTに対して出力される。
また、投影光学モジュールPL2,PL4,PL6,PL8,PL10(第2投影光学ユニット)の+X側には、マスクMのパターン形成面及び感光性基板Pの被露光面のZ軸方向における位置(フォーカス位置)を検出するオートフォーカス系52が設けられている。即ち、オートフォーカス系50,52は、第1投影光学ユニットと第2投影光学ユニットとを走査方向(X方向)に挟み込む位置関係にある。オートフォーカス系52は、図4に示すように、Y方向に配列された複数(この実施の形態においては2つ)の感光性基板位置検出系52a,52b、及び図示しないY方向に配列された複数(この実施の形態においては2つ)のマスク位置検出系を有している。また、2つの感光性基板位置検出系52a,52bにより検出された感光性基板Pの被露光面の2つの位置検出点におけるフォーカス位置、及び2つのマスク位置検出系により検出されたマスクMのパターン形成面の2つの位置検出点におけるフォーカス位置は、制御装置CONTに対して出力される。
また、オートフォーカス系50の−X側には、図4に示すように、感光性基板P上に設けられた複数のアライメントマークを検出するアライメント系54が設けられている。アライメント系54は、図4に示すように、Y方向に配列された複数(この実施の形態においては6つ)のアライメントマーク検出系54a〜54fを有している。アライメント系54は、図3に示す感光性基板P上のアライメントマークa1〜a24のうち、露光面R1〜R3のスキャン露光を行う前に、第1のアライメントとして、それぞれのアライメントマーク検出系54a〜54fに対応して設けられているアライメントマークa13〜a18の位置を検出する。同様に、アライメント系54は、第2のアライメントとして、それぞれのアライメントマーク検出系54a〜54fに対応して設けられているアライメントマークa19〜a24の位置を検出する。
また、アライメント系54は、露光面R4〜R6のスキャン露光を行う前に、第3のアライメントとして、それぞれのアライメントマーク検出系54a〜54fに対応して設けられているアライメントマークa1〜a6の位置を検出する。同様に、アライメント系54は、第4のアライメントとして、それぞれのアライメントマーク検出系54a〜54fに対応して設けられているアライメントマークa7〜a12の位置を検出する。
アライメント系54は、第2のアライメントとして感光性基板P上のアライメントマークa19〜a24を検出する際の投影光学モジュールPL1〜PL11に対する基板ステージPStの位置と、露光面R2のスキャン露光を開始する際の投影光学モジュールPL1〜PL11に対する基板ステージPSTの位置とが略一致するように配置されている。また、第4のアライメントとして感光性基板P上のアライメントマークa7〜a12を検出する際の投影光学モジュールPL1〜PL11に対する基板ステージPSTの位置と、露光面R5のスキャン露光を開始する際の投影光学モジュールPL1〜PL11に対する基板ステージPSTの位置とが略一致するように配置されている。
即ち、アライメント系54は、アライメント系54により第2のアライメントが行われた直後に、投影光学モジュールPL1〜PL11に対する基板ステージPSTの位置の走査方向(X軸方向)及び非走査方向(Y軸方向)へのステップ移動を行うことなく露光面R2のスキャン露光を開始することができる位置に配置されている。つまり、ステップ移動を行うことにより装置が振動したり傾いたりして装置の状態が不安定となるが、第2のアライメントを行った後に、スキャンを開始することで装置が安定になるまで待つ必要がなくなる。また、基板ステージPSTが非走査方向に多少移動した場合においても装置の状態が安定していれば問題ない。
また、6つのアライメントマーク検出系54a〜54fにより検出された各アライメントマークa1〜a24の位置は、制御装置CONTに対して出力される。制御装置CONTは、アライメント系54により第1のアライメント及び第2のアライメントとして検出されたアライメントマークa13〜a24の位置、及びマスクMとアライメント系54との相対位置関係に基づいて予め算出され記憶されているベースライン量に基づいて、マスクMと感光性基板P上の露光面R1〜R3との位置合わせを行うためのアライメント補正値を算出する。制御装置CONTは、算出されたアライメント補正値に基づいて、露光面R2上にマスクMのパターンが露光される前の基板ステージPSTの加速及び整定中に、基板ステージ駆動部PSTD(またはマスクステージ駆動部MSTD)を駆動させることにより、基板ステージPST(またはマスクステージMST)の位置を補正する。
また、制御装置CONTは、アライメント系54により第3のアライメント及び第4のアライメントとして検出されたアライメントマークa1〜a12の位置、及びマスクMとアライメント系54との相対位置関係に基づいて予め算出され記憶されているベースライン量に基づいて、マスクMと感光性基板P上の露光面R4〜R6との位置合わせを行うためのアライメント補正値を算出する。制御装置CONTは、算出されたアライメント補正値に基づいて、露光面R5上にマスクMのパターンが露光される前の基板ステージPSTの加速及び整定中に、基板ステージ駆動部PSTD(またはマスクステージ駆動部MSTD)を駆動させることにより、基板ステージPST(またはマスクステージMST)の位置を補正する。
次に、図5に示すフローチャートを参照して、第1の実施の形態にかかる露光装置を用いた露光方法について説明する。
まず、制御装置CONTは、感光性基板Pの交換を行い、感光性基板Pを基板ステージPSTに載置する(ステップS10)。図6は、感光性基板Pの交換を行った直後の投影光学モジュールPL1〜PL11に対する感光性基板Pの位置を示す図である。
次に、制御装置CONTは、図7に示すように、アライメント系54(アライメントマーク検出系54a〜54f)が第1のアライメントとして感光性基板P上に設けられているアライメントマークa13〜a18の位置を検出できる位置に、基板ステージ駆動部PSTDを駆動させることにより基板ステージPSTを移動させる。そして、制御装置CONTは、アライメント系54(アライメントマーク検出系54a〜54f)により検出された第1のアライメントとしてアライメントマークa13〜a18の位置を取得する(ステップS11)。
次に、制御装置CONTは、図8に示すように、アライメント系54(アライメントマーク検出系54a〜54f)が第2のアライメントとして感光性基板P上に設けられているアライメントマークa19〜a24の位置を検出できる位置に、基板ステージ駆動部PSTDを駆動させることにより基板ステージPSTを移動させる。そして、制御装置CONTは、アライメント系54(アライメントマーク検出系54a〜54f)により検出された第2のアライメントとしてアライメントマークa19〜a24の位置を取得する(ステップS12)。
次に、制御装置CONTは、ステップS11及びステップS12において検出されたアライメントマークa13〜a24の位置及びマスクMとアライメント系54との相対位置関係に基づいて予め算出され記憶されているベースライン量に基づいて、マスクMと感光性基板P上の露光面R1〜R3との位置合わせを行うためのアライメント補正値を算出する。
次に、制御装置CONTは、ステップS12において第2のアライメントが終了した後、基板ステージPSTをX軸方向(走査方向)またはY軸方向(非走査方向)にステップ移動させることなく、第2のアライメントとしてアライメントマークa19〜a24の位置の検出を行った位置から、露光面R2のスキャン露光(第1の露光)を開始する(ステップS13、露光工程)。ここで、制御装置CONTは、算出されたアライメント補正値に基づいて、露光面R2上にマスクMのパターンが露光される前の基板ステージPSTの加速及び整定中に、基板ステージ駆動部PSTD(またはマスクステージ駆動部MSTD)を駆動させることにより、基板ステージPST(またはマスクステージMST)の位置を補正する。
次に、制御装置CONTは、図9に示すように、露光面R3の露光を開始することができる位置に、基板ステージ駆動部PSTDを駆動させることにより基板ステージPSTを移動させる。そして、制御装置CONTは、露光面R3のスキャン露光(第2の露光)を開始する(ステップS14、露光工程)。次に、制御装置CONTは、図10に示すように、露光面R1の露光を開始することができる位置に、基板ステージ駆動部PSTDを駆動させることにより基板ステージPSTを移動させる。そして、制御装置CONTは、露光面R1のスキャン露光(第3の露光)を開始する(ステップS15、露光工程)。
なお、制御装置CONTは、ステップS14において露光面R1、ステップS15において露光面R3のスキャン露光を行っているが、ステップS14において露光面R3、ステップS15において露光面R1のスキャン露光を行うようにしてもよい。
次に、制御装置CONTは、図11に示すように、アライメント系54(アライメントマーク検出系54a〜54f)が第3のアライメントとして感光性基板P上に設けられているアライメントマークa1〜a6の位置を検出できる位置に、基板ステージ駆動部PSTDを駆動させることにより基板ステージPSTを移動させる。そして、アライメント系54(アライメントマーク検出系54a〜54f)により検出された第3のアライメントとしてアライメントマークa1〜a6の位置を取得する(ステップS16)。
次に、制御装置CONTは、図12に示すように、アライメント系54(アライメントマーク検出系54a〜54f)が第4のアライメントとして感光性基板P上に設けられているアライメントマークa7〜a12の位置を検出できる位置に、基板ステージ駆動部PSTDを駆動させることにより基板ステージPSTを移動させる。そして、アライメント系54(アライメントマーク検出系54a〜54f)により検出された第4のアライメントとしてアライメントマークa7〜a12の位置を取得する(ステップS17)。
次に、制御装置CONTは、ステップS16及びステップS17において検出されたアライメントマークa1〜a12の位置及びマスクMとアライメント系54との相対位置関係に基づいて予め算出され記憶されているベースライン量に基づいて、マスクMと感光性基板P上の露光面R4〜R6との位置合わせを行うためのアライメント補正値を算出する。
次に、制御装置CONTは、ステップS17において第4のアライメントが終了した後、基板ステージPSTをX軸方向(走査方向)またはY軸方向(非走査方向)にステップ移動させることなく、第4のアライメントとしてアライメントマークa7〜a12の位置の検出を行った位置から、露光面R5のスキャン露光(第4の露光)を開始する(ステップS18、露光工程)。ここで、制御装置CONTは、算出されたアライメント補正値に基づいて、露光面R5上にマスクMのパターンが露光される前の基板ステージPSTの加速及び整定中に、基板ステージ駆動部PSTD(またはマスクステージ駆動部MSTD)を駆動させることにより、基板ステージPST(またはマスクステージMST)の位置を補正する。
次に、制御装置CONTは、図13に示すように、露光面R6の露光を開始することができる位置に、基板ステージ駆動部PSTDを駆動させることにより基板ステージPSTを移動させる。そして、露光面R6のスキャン露光(第5の露光)を開始する(ステップS19、露光工程)。次に、制御装置CONTは、図14に示すように、露光面R4の露光を開始することができる位置に、基板ステージ駆動部PSTDを駆動させることにより基板ステージPSTを移動させる。そして、制御装置CONTは、露光面R4のスキャン露光(第6の露光)を開始する(ステップS20、露光工程)。
なお、ステップS19において露光面R6、およびステップS20において露光面R4のスキャン露光を行っているが、ステップS19において露光面R4、およびステップS20において露光面R6のスキャン露光を行うようにしてもよい。
ステップS20において露光面R4のスキャン露光を終了した後、基板ステージ駆動部PSTDを駆動させることにより基板ステージPSTを移動させ、感光性基板Pから新たな感光性基板への交換を行う。
この第1の実施の形態にかかる露光装置によれば、アライメント系により第2のアライメント及び第4のアライメントとしてアライメントマークを検出する際の投影光学系に対する基板ステージの位置と、第1のスキャン露光及び第4のスキャン露光を開始する際の投影光学系に対する基板ステージの位置とが略一致しているため、第2のアライメントマーク及び第4のアライメントマークの検出後直ちに第1のスキャン露光及び第4のスキャン露光を開始することができる。従って、第2のアライメントマークの検出位置及び第4のアライメントマークの検出位置から第1のスキャン露光開始位置及び第4のスキャン露光開始位置まで基板ステージを移動させる時間を短縮することができ、高スループットで露光を行うことができる。また、基板ステージの位置の走査方向及び非走査方向へのステップ移動をほとんどしないので、高スループットで露光を行うことができる。
なお、この第1の実施の形態にかかる露光装置においては、6つ(2X×3Y)の露光領域を順番にスキャン露光しているが、4つ(2X×2Y)の露光領域を順番にスキャン露光する際にも有効である。
また、この第1の実施の形態にかかる露光装置においては、アライメント系がアライメントマークを検出する際の投影光学系に対する基板ステージの位置とスキャン露光を開始する際の投影光学系に対する基板ステージの位置とが略一致するように配置されているが、制御装置がアライメント系によるアライメントマークの検出位置から投影光学系に対する基板ステージの位置の走査方向及び非走査方向へのステップ移動をほとんど行うことなくスキャン露光を開始できる位置にアライメント系を配置するようにしてもよい。また、逆にアライメントマークの配置を変更してもよい。
次に、図面を参照して、この発明の第2の実施の形態にかかる露光装置について説明する。図15は、第2の実施の形態にかかる露光装置の概略構成を示す図である。図15に示すように、パターンが形成されたマスクM2を支持するマスクステージMST2と、ガラス基板に感光剤(レジスト)が塗布された外径が500mmよりも大きい感光性基板P2を支持する基板ステージPST2と、マスクステージMST2に支持されたマスクM2を露光光ELで照明する照明光学系IL2と、露光光ELで照明されたマスクM2のパターン像を基板ステージPST2に支持されている感光性基板P2に投影する投影光学系PLと、投影光学系PLを定盤1を介して支持するコラム100と、露光処理に関する動作を統括制御する制御装置(制御部)CONT2とを備えている。コラム100は、床面に水平に載置されたベースプレート110上に設置されている。この実施の形態において、投影光学系PLは複数(この実施の形態においては7つ)並んだ反射屈折型の投影光学モジュールを有しており、照明光学系IL2も投影光学モジュールの数及び配置に対応して複数(この実施の形態においては7つ)の照明光学モジュールを有している。
この露光装置は、投影光学系PLに対してマスクM2と感光性基板P2とを同期移動させてスキャン露光する走査型投影露光装置であって、所謂マルチレンズスキャン型露光装置を構成している。また、この露光装置は、投影光学系PLと感光性基板P2との間であって、投影光学系PLにより形成される露光領域を挟む位置にオートフォーカス系500,520及びアライメント系540が設けられている。以下の説明において、マスクM2及び感光性基板P2の同期移動方向をX軸方向(走査方向)、水平面内においてX軸方向と直交する方向をY軸方向(非走査方向)、X軸方向及びY軸方向と直交する方向をZ軸方向とする。また、X軸、Y軸、及びZ軸まわりのそれぞれの方向をθX、θY、及びθZ方向とする。
照明光学系IL2は、光源を有し、光源から射出された露光光によりマスクM2を複数のスリット状の照明領域で照明する。この実施の形態における光源には水銀ランプが用いられ、露光光としては、不図示の波長選択フィルタにより、露光に必要な波長であるg線(436nm)、h線(405nm)、i線(365nm)などが用いられる。
マスクステージMST2は、コラム100上に設けられており、マスクM2を保持するマスクホルダ20と、マスクホルダ20をX軸方向に所定ストロークで移動可能な一対のリニアモータ(図示せず)とを備えている。また、マスクステージMST2は、不図示ではあるが、マスクM2を保持するマスクホルダ20をY軸方向及びθZ方向に移動する移動機構も有している。
基板ステージPST2は、ベースプレート110上に設けられている。基板ステージPST2は、感光性基板P2を保持する基板ホルダ30と、基板ホルダ30をY軸方向に案内しつつ移動自在に支持するガイドステージ35と、ガイドステージ35に設けられ、基板ホルダ30をY軸方向に移動するリニアモータ(図示せず)と、ベースプレート110上において基板ホルダ30をガイドステージ35とともにX軸方向に所定ストロークで移動可能な一対のリニアモータ(図示せず)とを備えている。基板ホルダ30は、バキュームチャックを介して感光性基板P2を保持する。更に、基板ステージPST2は、基板ホルダ30をZ軸方向、θX及びθY方向に移動する移動機構も有している。
投影光学系PLは、複数(7つ)並んだ投影光学モジュールPLa,PLc,PLe,PLg及び図示しない3つの投影光学モジュール(以下、投影光学モジュールPLb,PLd,PLfという。)を有している。また、これら複数の投影光学モジュールPLa〜PLgは、1つの定盤1に支持されている。そして、図15に示すように、投影光学モジュールPLa〜PLgを支持している定盤1は、コラム100に対して支持部2を介して支持されている。
4つの投影光学モジュールPLa,PLc,PLe,PLgは、Y軸方向(非走査方向)に並んでおり、X軸方向(走査方向)の前方側に配置されている(以下、第1投影光学ユニットという。)。また、3つの投影光学モジュールPLb,PLd,PLfは、Y軸方向に並んでおり、X軸方向の後方側に配置されている(以下、第2投影光学ユニットという。)。また、第1投影光学ユニットと第2投影光学ユニットとは、X軸方向において対向するように配置されており、第1投影光学ユニットを構成する各投影光学モジュールPLa,PLc,PLe,PLgと第2投影光学ユニットを構成する各投影光学モジュールPLb,PLd,PLfとは千鳥状に配置されている。即ち、隣り合う投影光学モジュールは、Y軸方向に所定量変位させて配置されている。第1投影光学ユニット及び第2投影光学ユニットを構成する各投影光学モジュールPLa〜PLgのそれぞれは、鏡筒PK(図16参照)と、鏡筒PKの内部に配置されている複数の光学素子を有している。
図16は、第2投影光学ユニットを構成する3つの投影光学モジュールPLb,PLd,PLfのうちの1つの投影光学モジュールPLfの概略構成を示す図である。以下では、投影光学モジュールPLfについて説明するが、他の投影光学モジュールPLa〜PLgも、投影光学モジュールPLfと同様の構成である。
投影光学モジュールPLfは、図16に示すように、照明光学モジュールにより露光光ELで照明されたマスクM2の照明領域に存在するパターン像を感光性基板P2に投影露光するものであり、二組の反射屈折型光学系151,152と不図示の視野絞りとを備えている。マスクM2を通過した光束は、1組目の反射屈折型光学系151に入射する。反射屈折型光学系151により形成されるパターンの中間像位置には不図示の視野絞りが配置されている。視野絞りは、感光性基板P2上における投影領域を設定するものであって、例えば感光性基板P2上に投影領域を台形状に設定する。視野絞りを通過した光束は、2組目の反射屈折型光学系152に入射する。
反射屈折型光学系152は、反射屈折型光学系151と同様の構成を有する。反射屈折型光学系152から射出した光束は、感光性基板P2上にマスクM2のパターン像を正立等倍で結像する。感光性基板P2上には、後述するアライメント系540により検出される複数のアライメントマークが設けられている。
また、この露光装置は、マスクホルダ20(マスクステージMST2)の位置を計測するレーザ干渉システムを備えている。マスクホルダ20の−X側の端縁にはY軸方向に延びる図示しないX移動鏡が設けられ、マスクホルダ20の−Y側の端縁にはX軸方向に延びるY移動鏡71が設けられている。X移動鏡に対向する位置には図示しないレーザ干渉計が設けられている。まら、Y移動鏡71に対向する位置にはレーザ干渉計74が設けられている。図示しないレーザ干渉計及びレーザ干渉計74は、コラム100上に設置されている。また、定盤1には図示しない参照鏡及び参照鏡77が取り付けられている。図示しない参照鏡は図示しないレーザ干渉計に対向する位置に設けられ、参照鏡77はレーザ干渉計74に対向する位置に設けられている。
図示しないレーザ干渉計の計測結果は、制御装置CONT2に対して出力され、制御装置CONT2は、レーザ干渉計の計測結果に基づいて、マスクホルダ20(マスクステージMST2)のX軸方向における位置を制御する。また、レーザ干渉計74の計測結果は、制御装置CONT2に対して出力され、制御装置CONT2は、レーザ干渉計74の計測結果に基づいて、マスクホルダ20(マスクステージMST2)のY軸方向における位置を制御する。即ち、制御装置CONT2は、各レーザ干渉計による計測結果に基づいて、各投影光学モジュールを支持した定盤1の姿勢(X軸、Y軸、θX、θY、及びθZ方向における位置)を算出する。制御装置CONT2は、定盤1の姿勢計測結果に基づいて、マスクホルダ20の姿勢を制御する。
また、この露光装置は、基板ホルダ30(基板ステージPST2)の位置を計測するレーザ干渉システムを備えている。基板ホルダ30の−X側の端縁には、Y軸方向に延びる図示しないX移動鏡が設けられ、基板ホルダ30の−Yは輪の端縁にはX軸方向に延びるY移動鏡81が設けられている。X移動鏡に対向する位置には、図示しないレーザ干渉計が設けられており、ベースプレート110に設置されている。また、Y移動鏡81に対向する位置には、レーザ干渉計85がコラム100から垂下するように設けられている。
投影光学モジュールの鏡筒PKには、図示しない参照鏡がレーザ干渉計のそれぞれに対向する位置に設けられている。図示しないレーザ干渉計の計測結果は、制御装置CONT2に対して出力され、制御装置CONT2は各レーザ干渉計の計測結果に基づいて基板ホルダ30(基板ステージPST2)のX軸方向における位置を制御する。また、レーザ干渉計85の計測結果は制御装置CONT2に出力され、制御装置CONT2は、各レーザ干渉計の計測結果に基づいて基板ホルダ30(基板ステージPST2)のY軸方向における位置を制御する。即ち、制御装置CONT2は、各レーザ干渉計による計測結果に基づいて、各投影光学モジュールを支持した定盤1の姿勢(X軸、Y軸、θX、θY、及びθZ方向における位置)を算出する。制御装置CONT2は、定盤1の姿勢計測結果に基づいて、基板ホルダ30の姿勢を制御する。
また、図15及び図16に示すように、第1投影光学ユニットを構成する投影光学モジュールPLa、PLc、PLe、PLgのそれぞれを介する光束が感光基板P2上に形成する投影領域の−X側のZ軸方向における位置(フォーカス位置)を検出するオートフォーカス系500が設けられている。オートフォーカス系500は、図12に示すように、走査方向と直交する方向(Y軸方向)に配列された複数(この実施の形態においては3つ)の感光性基板位置検出系500a,500b,500c及び図示しないY軸方向に配列された複数(この実施の形態においては2つ)のマスク位置検出系を有している。3つの感光性基板位置検出系500a〜500cにより検出された感光性基板P2の被露光面の3つの位置検出点におけるフォーカス位置、及び2つのマスク位置検出系により検出されたマスクM2のパターン形成面の2つの位置検出点におけるフォーカス位置は、制御装置CONT2に対して出力される。
また、図16に示すように、第2投影光学ユニットは、投影光学ユニットPLb,PLd,PLfにより構成され、投影光学ユニットPLb,PLd,PLfのそれぞれを介する光束が、感光性基板P2上に投影領域を形成し、投影領域の+X側のZ軸方向における位置(フォーカス位置)を検出するためのオートフォース系520が設けられている。オートフォーカス系520は、Y軸方向に配列された複数(この実施の形態においては2つ)の感光性基板位置検出系、及び図示しないY軸方向に配列された複数(この実施の形態においては2つ)のマスク位置検出系を有している。また、2つの感光性基板位置検出系により検出された感光性基板P2の被露光面の2つの位置検出点におけるフォーカス位置、及び2つのマスク位置検出系により検出されたマスクM2のパターン形成面の2つの位置検出点におけるフォーカス位置は、制御装置CONT2に対して出力される。
また、オートフォーカス系500の−X側には、感光性基板P2に設けられている複数のアライメントマークを検出するアライメント系540が設けられている。アライメント系540は、Y軸方向に配列された複数(この実施の形態においては6つ)のアライメントマーク検出系を有しており、それぞれのアライメントマーク検出系に対応して設けられている感光性基板P2上のアライメントマーク位置を検出する。
アライメント系540は、感光性基板P2上のアライメントマークを検出する際の投影光学系PLに対するマスクステージMST2及び基板ステージPST2の位置と、スキャン露光を開始する際の投影光学系PLに対するマスクステージMST2及び基板ステージPST2の位置とが略一致するように配置されている。即ち、アライメント系540は、アライメント系540によりアライメントが行われた直後に、投影光学系PLに対するマスクステージMST2及び基板ステージPST2の位置の走査方向(X軸方向)及び非走査方向(Y軸方向)へのステップ移動を行うことなくスキャン露光を開始することができる位置に配置されている。
また、各アライメントマーク検出系により検出されたアライメントマーク位置は、制御装置CONT2に対して出力される。制御装置CONT2は、アライメント系540により検出された複数のアライメントマーク位置、及びマスクM2とアライメント系540との相対位置関係に基づいて予め算出され記憶されているベースライン量に基づいて、マスクM2と感光性基板P2との位置合わせを行うためのアライメント補正値を算出する。制御装置CONT2は、算出されたアライメント補正値に基づいて、マスクステージMST2及び基板ステージPST2の加速及び整定中に、基板ステージPST2(またはマスクステージMST2)の位置を補正する。
次に、第2の実施の形態にかかる露光装置を用いた露光方法について説明する。まず、制御装置CONT2は、感光性基板P2の交換を行い、感光性基板P2を基板ステージPST2に載置する。
次に、制御装置CONT2は、アライメント系540が感光性基板P2上に設けられているアライメントマークの位置を検出できる位置に、基板ステージPST2を移動させ、アライメント系540により検出されたアライメントマークの位置を取得する。次に、制御装置CONT2は、検出されたアライメントマークの位置及びマスクM2とアライメント系540との相対位置関係と、予め算出され記憶されているベースライン量とに基づいて、マスクM2と感光性基板P2との位置合わせを行うためのアライメント補正値を算出する。
次に、制御装置CONT2は、マスクステージMST2及び基板ステージPST2をX軸方向(走査方向)またはY軸方向(非走査方向)にステップ移動させることなく、アライメントマーク位置の検出を行った位置から、スキャン露光を開始する(露光工程)。ここで、制御装置CONT2は、算出されたアライメント補正値に基づいて、マスクステージMST2及び基板ステージPST2の加速及び整定中に、基板ステージPST2(またはマスクステージMST2)の位置を補正する。感光性基板P2上へのスキャン露光を終了した後、基板ステージPSTを移動させ、感光性基板P2から新たな感光性基板への交換を行う。
この第2の実施の形態にかかる露光装置によれば、アライメント系によりアライメントマークを検出する際の投影光学系に対するマスクステージ及び基板ステージの位置と、スキャン露光を開始する際の投影光学系に対するマスクステージ及び基板ステージの位置とが略一致しているため、アライメントマークの検出後ただちに、スキャン露光を開始することができる。従って、アライメントマークの検出位置からスキャン露光開始位置までマスクステージ及び基板ステージを移動させる時間を短縮することができ、高いスループットで露光を行うことができる。また、アライメントマークの検出位置とスキャン露光開始位置とが略一致しているため、スキャン露光開始位置への移動や基板ステージのステップ移動をなくすことができる。これにより装置に余計な振動を発生させる動作を少なくすることができる。
このように、スキャン露光を開始するスキャン露光開始位置と、アライメントマークを検出するアライメントマーク検出位置とをほぼ一致させるように、アライメント系と第1及び第2投影光学ユニットとの装置内の相対位置を設定するか、もしくは装置内の相対位置に応じてアライメントマークと露光領域との位置関係を設定することにより、アライメント直後にスキャン露光を開始することが可能となる。このようにスキャン露光開始前に基板ステージの不要な移動をさせないことにより、スキャン露光の際に影響する装置の振動などを少なくすることが可能となり、スキャン露光の転写精度の向上を期待できる。
また、スキャン露光開始前に装置が振動しているような場合においても、アライメントマークを検出する位置に基板ステージPSTを移動させた後、アライメントさせることにより、スキャン露光開始までに振動が減衰する時間を設定することで振動を低減させることが可能となり、アライメント動作を妨げることなく、スキャン露光開始時には、余計な振動が減衰しているという効果もある。また、逆にアライメントマークの検出信号であるアライメント信号をモニタすることにより、装置振動の減衰を確認でき、装置振動が所定値以下になった後にスキャン露光を開始するようにすることも可能となる。
また、投影光学系に対してマスクステージ及び基板ステージをスキャンして露光する露光装置で、スキャン方向のどちらか一方向に基板の位置を検出するアライメント系が設けられている場合、アライメント系が設けられている側から基板をローディングするように配置すれば、アライメント動作と露光動作との間に無駄な動きがあまりなくなり、本発明を適用することにより更に改善される。
なお、上述の各実施の形態においては、g線(436nm)、h線(404.7nm)、i線(365nm)等の紫外光源を用いているが、KrFエキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ(193nm)、F2レーザ(157nm)、Kr2レーザ(146nm)、Ar2レーザ(126nm)等の真空紫外光源などを用いることができる。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置においては、アライメント系が第1投影光学ユニットにより形成される露光領域よりX軸方向(走査方向)の前方側に配置されているが、アライメント系が第2投影光学ユニットにより形成される露光領域よりX軸方向の後方側に配置されるようにしてもよい。
また、露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適用できる。
上述の各実施の形態にかかる露光装置では、照明光学系によってレチクル(マスク)を照明し、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板(プレート)に露光することにより、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いて感光性基板としてプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図17のフローチャートを参照して説明する。
まず、図17のステップS301において、1ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップS302において、その1ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップS303において、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いて、マスク上のパターン像が投影光学系を介して、その1ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップS304において、その1ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行なわれた後、ステップS305において、その1ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行なうことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各プレート上の各ショット領域に形成される。
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述のマイクロデバイス製造方法によれば、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いて高スループットで露光を行うことができ、微細な回路パターンを有するマイクロデバイスを良好に得ることができる。なお、ステップS301〜ステップS305では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
なお、上述の各実施の形態にかかる露光装置では、感光性基板上にマスクのパターンを露光することを示したが、あらかじめパターンが形成されたマスクを用いずに、感光性基板上にパターンを形成するようにしてもよい。
また、上述の各実施の形態にかかる露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図18のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。図18において、パターン形成工程S401では、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板(レジストが塗布されたガラス基板等)に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程S402へ移行する。
次に、カラーフィルタ形成工程S402では、R(Red)、G(Green)、B(Blue)に対応した3つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはR、G、Bの3本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程S402の後に、セル組み立て工程S403が実行される。セル組み立て工程S403では、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタ等を用いて液晶パネル(液晶セル)を組み立てる。セル組み立て工程S403では、例えば、パターン形成工程S401にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程S402にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル(液晶セル)を製造する。
その後、モジュール組み立て工程S404にて、組み立てられた液晶パネル(液晶セル)の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、上述の各実施の形態にかかる露光装置を用いて高スループットで露光を行うことができ、微細な回路パターンを有する液晶表示素子を良好に得ることができる。
以上のように、この発明の露光装置、露光方法及びマイクロデバイスの製造方法は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で高スループットで製造するのに適している。
Claims (29)
- マスクを載置するマスクステージと感光性基板を載置する基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記感光性基板上に前記マスクのパターンをスキャン露光する露光装置において、
前記感光性基板上に設けられたアライメントマークを検出する際の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置と、前記スキャン露光を開始する際の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置とは、略一致することを特徴とする露光装置。 - 前記アライメントマークを検出するアライメント系は、前記アライメントマークを検出する際の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置と前記スキャン露光を開始する際の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置とが略一致するように配置されることを特徴とする請求項1記載の露光装置。
- マスクを載置するマスクステージと感光性基板を載置する基板ステージとを投影光学系に対して相対的に走査方向に同期移動させながら行うスキャン露光、及び前記基板ステージに対する前記投影光学系の位置の前記走査方向または前記走査方向と直交する方向へのステップ移動を繰り返すことにより、前記感光性基板上に前記マスクのパターンを複数回に分けて分割露光する露光装置において、
前記感光性基板上に設けられたアライメントマークを検出するアライメント系と、
前記アライメント系に対して前記アライメントマークが所定の位置となるように前記基板ステージを位置制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記アライメント系による前記アライメントマークの検出位置から、前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置の前記走査方向及び前記走査方向と直交する方向への前記ステップ移動をほとんど行うことなく露光を開始できる位置に、前記アライメント系を配置することを特徴とする露光装置。 - 前記投影光学系は、前記走査方向の前方側に配置された第1投影光学ユニットと前記走査方向の後方側に配置された第2投影光学ユニットとを備え、
前記アライメント系は、前記第1投影光学ユニットにより形成される露光領域より前記走査方向の前方側または前記第2投影光学ユニットにより形成される露光領域より前記走査方向の後方側に配置されることを特徴とする請求項2または請求項3記載の露光装置。 - 前記アライメント系による前記アライメントマークの検出は、前記アライメント系による検出位置から前記スキャン露光を開始することができる前記感光性基板上の位置に配置された前記アライメントマークを用いて行なわれることを特徴とする請求項2乃至請求項4の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記感光性基板は、外径が500mmよりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項5の何れか一項に記載の露光装置。
- マスクを載置するマスクステージと感光性基板を載置する基板ステージとを投影光学系に対して相対的に同期移動させて、前記感光性基板上に前記マスクのパターンをスキャン露光する露光方法において、
前記感光性基板上に設けられたアライメントマークを検出する検出工程と、
前記感光性基板上に前記マスクのパターンをスキャン露光する露光工程とを含み、
前記検出工程による検出時の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置と、前記露光工程によるスキャン露光を開始する直前の前記投影光学系に対する前記基板ステージの位置とが略一致することを特徴とする露光方法。 - 前記感光性基板は、外径が500mmよりも大きいことを特徴とする請求項7記載の露光方法。
- 請求項1乃至請求項6の何れか一項に記載の露光装置を用いて所定のパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 請求項7または請求項8記載の露光方法を用いて所定のパターンを感光性基板上に露光する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。 - 感光性基板と投影光学系とを相対移動させて、前記感光性基板上にパターンを走査露光する露光装置において、
前記投影光学系は、前記走査方向の前方側に配置された第1投影光学ユニットと前記走査方向の後方側に配置された第2投影光学ユニットとを備え、
前記投影光学系に隣接して設けられると共に、前記感光性基板上に設けられたアライメントマークを検出するアライメント系を備え、
前記アライメント系は、前記第1投影光学ユニットにより形成される露光領域より前記走査方向の前方側または前記第2投影光学ユニットにより形成される露光領域より前記走査方向の後方側に配置されることを特徴とする露光装置。 - 前記走査露光を開始する際の前記感光性基板の位置が、該感光性基板に設けられたアライメントマークを前記アライメント系で検出可能な位置となるように制御されることを特徴とする請求項11に記載の露光装置。
- 前記走査露光を開始する際の前記感光性基板の位置において、該感光性基板に設けられたアライメントマークの検出動作を前記アライメント系で行なうことを特徴とする請求項11または請求項12に記載の露光装置。
- 感光性基板を載置する基板ステージを有し、前記基板ステージを走査方向に移動して前記感光性基板を走査露光する露光装置において、
前記感光性基板上にパターン像を投影する投影光学系と、
前記投影光学系による前記パターン像の投影領域に対して前記走査方向の一方の方向に検出領域が配置され、前記感光性基板のアライメントマークを検出するアライメント系と、
前記アライメント系の検出結果に基づく前記感光性基板の走査露光時に前記基板ステージを前記走査方向の他方の方向に移動する駆動装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記駆動装置は、前記感光性基板上で前記走査方向に離れた複数のアライメントマークの前記アライメント系による検出時に前記基板ステージを前記走査方向の一方の方向に移動することを特徴とする請求項14に記載の露光装置。
- 前記複数のアライメントマークのうち前記走査方向に関して最も他方の側に配置されるアライメントマークの検出時、前記感光性基板上で走査露光すべき所定領域が前記投影領域に対して前記走査方向の一方の方向に離れるように、前記走査方向に関する前記投影領域と前記検出領域との位置関係が決定されることを特徴とする請求項15に記載の露光装置。
- 前記投影光学系は、前記走査方向と交差する方向に関する位置が異なる複数の前記投影領域を有することを特徴とする請求項14乃至請求項16の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系は、前記走査方向に関する位置が異なる複数の前記投影領域を有することを特徴とする請求項14乃至請求項17の何れか一項に記載の露光装置。
- 感光性基板が載置される基板ステージを有し、前記基板ステージを走査方向に移動して前記感光性基板を走査露光する露光装置において、
前記走査方向と交差する方向に関する位置が異なる複数の投影領域にそれぞれパターン像を投影する投影光学系と、
前記複数の投影領域に対して前記走査方向の一方の方向に検出領域が配置され、前記感光性基板のアライメントマークを検出するアライメント系と、を備えることを特徴とする露光装置。 - 前記感光性基板を前記基板ステージに受け渡す交換位置が、前記投影領域に対して前記走査方向の他方の方向に設定されることを特徴とする請求項14乃至請求項19の何れか一項に記載の露光装置。
- 前記交換位置にて前記複数のアライメントマークのうち前記走査方向に関して最も一方の方向に配置されるアライメントマークが前記検出領域と一致あるいは前記走査方向の他方の方向に離れるように、前記走査方向に関する前記検出領域と前記交換位置との位置関係が決定されることを特徴とする請求項7に記載の露光装置。
- 感光性基板と投影光学系とを相対的に走査させて、前記感光性基板上にパターンを走査露光する露光方法において、
前記パターンを形成するための走査露光を開始する開始位置に前記感光性基板を位置制御し、前記感光性基板に設けられたアライメントマークを検出することを特徴とする露光方法。 - 前記アライメントマークを検出した後、前記開始位置に制御された前記感光性基板を走査露光のために移動制御することを特徴とする請求項22に記載の露光方法。
- 前記感光性基板の移動制御は、前記投影光学系に対する前記感光性基板の加速を含むことを特徴とする請求項23記載の露光方法。
- 前記感光性基板に設けられたアライメントマークを検出するアライメント動作の時間に、装置の振動が減衰する時間を設定することを特徴とする請求項22乃至請求項24の何れか一項に記載の露光方法。
- 感光性基板を載置する基板ステージを投影光学系に対して相対的に移動させて、前記感光性基板上にパターンをスキャン露光する露光方法において、
前記投影光学系によるパターン像の投影領域に対して前記走査方向の一方の方向に検出領域が配置されるアライメント系を用いて、前記基板ステージを前記走査方向の−側に移動して、前記感光性基板上で前記走査方向に離れた複数のアライメントマークを順次検出し、
前記アライメントマークの検出結果に基づいて前記基板ステージを前記走査方向の他側に移動して前記感光性基板を走査露光することを特徴とする露光方法。 - 前記複数のアライメントマークのうち前記走査方向に関して最も他方の方向に配置されるアライメントマークの検出時、前記感光性基板上で走査露光すべき所定領域が前記投影領域に対して前記走査方向の一方の方向に離れることを特徴とする請求項26に記載の露光方法。
- 前記投影領域に対して前記走査方向の一方の方向にて、前記感光性基板の前記基板ステージへの受け渡しが行われることを特徴とする請求項27または請求項28に記載の露光方法。
- 前記交換位置にて前記複数のアライメントマークのうち前記走査方向に関して最も一方の方向に配置されるアライメントマークが前記検出領域と一致あるいは前記走査方向の他方の方向に離れることを特徴とする請求項28に記載の露光方法。
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