JP2004535666A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2004535666A5
JP2004535666A5 JP2002585932A JP2002585932A JP2004535666A5 JP 2004535666 A5 JP2004535666 A5 JP 2004535666A5 JP 2002585932 A JP2002585932 A JP 2002585932A JP 2002585932 A JP2002585932 A JP 2002585932A JP 2004535666 A5 JP2004535666 A5 JP 2004535666A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
measurement
measurement system
wafer
measuring
cluster
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002585932A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004535666A (ja
JP4348412B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2002/013158 external-priority patent/WO2002088677A1/en
Publication of JP2004535666A publication Critical patent/JP2004535666A/ja
Publication of JP2004535666A5 publication Critical patent/JP2004535666A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4348412B2 publication Critical patent/JP4348412B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (19)

  1. 半導体機器製造プロセスにおいてウエハーのプロセス値を計測するための計測システムクラスターであって、
    第１と第２の計測計器を有し、該第１と第２の計測計器のおのおのが、ウエハーに関連する少なくとも１つのプロセス値を計測する、第１と第２の計測システムと、
    前記製造プロセスにおいて加工されたウエハーを受け取り、プロセス値を計測するための計測システム選択基準に従い、前記第１と第２の計測システムのうちの少なくとも１つを選択して、前記ウエハーを供給する、ウエハー移送システムと、
    を具備する計測システムクラスター。
  2. 前記計測システム選択基準に従い、前記ウエハー移送システムに計測システム選択結果を提供する計測システム選択ロジック要素であって、前記計測システム選択結果に従い、前記ウエハー移送システムが、前記第１と第２の計測システムのうちの少なくとも１つにウエハーを供給する、計測システム選択ロジック要素を具備する請求項１に記載の計測システムクラスター。
  3. 前記計測システム選択基準は、前記ウエハーに関連する能力要求情報、前記第１と第２の計測システムに関連する計測システム能力情報、前記第１と第２の計測システムに関連する使用可能性情報、前記第１と第２の計測システムの必要性の予想、及び前記第１と第２の計測システムに関連する処理量情報のうちの少なくとも１つを具備する、請求項２に記載の計測システムクラスター。
  4. 前記ウエハー識別情報に従い前記能力要求情報が導かれるような、ウエハー識別情報を前記計測システム選択ロジック要素に提供する光学的文字認識システムを具備する、請求項３に記載の計測システムクラスター。
  5. 前記計測システム選択ロジック要素は、前記能力要求情報及び前記計測システム能力情報に従い、前記ウエハーに要求される能力を有する選択された計測システムを表示した、前記計測システム選択結果を提供する、請求項３に記載の計測システムクラスター。
  6. 前記計測システム選択ロジック要素は、前記計測システム能力情報及び前記処理量情報に従い、前記ウエハーに要求される能力を持った最高の処理量を有する使用可能な選択された計測システムを表示した前記計測システム選択結果を提供する、請求項３に記載の計測システムクラスター。
  7. 前記第１と第２の計測システムは相互校正される、請求項１に記載の計測システムクラスター。
  8. 前記第１と第２の計測システムのうちの少なくとも１つから、計測されたプロセス値を受け取り、該計測されたプロセス値に従いプロセスフィードバックを提供する、ＡＰＣシステムを具備する、請求項１に記載の計測システムクラスター。
  9. 前記ウエハー移送システムと前記第１と第２の計測システムとに関連して運転され、ＡＰＣシステムを具備するコンピュータシステム、を具備する請求項８に記載の計測システムクラスター。
  10. 前記コンピュータシステムは、前記計測システム選択基準に従い、前記ウエハー移送システムに計測システム選択結果を提供する計測システム選択ロジック要素であって、前記計測システム選択結果に従い、ウエハー移送システムが、第１と第２の計測システムのうちの少なくとも１つに前記ウエハーを供給する、計測システム選択ロジック要素を有する、請求項９に記載の計測システムクラスター。
  11. 半導体機器製造プロセスにおいて、半導体ウエハーに関連するプロセス値の計測に用いる設定情報を作り出すシステムであって、
    ウエハーを計測するのに用いられる単独型計測計器と、
    前記単独型計測計器からの計測値にしたがって設定情報をつくり、動作可能なように前記設定情報を半導体機器製造プロセスに関連するプロセス計測システムに供給する前記単独型計測計器に関連する設定情報発生装置とを具備し、
    前記半導体機器製造プロセスにおいて、前記設定情報は、半導体ウエハーに関連する前記プロセス値を計測するための前記プロセス計測システムにより使用可能である、システム。
  12. 前記設定情報として、処方とデータベースのうちの少なくとも１つを具備する請求項１１に記載のシステム。
  13. 前記設定情報として、処方を具備する請求項１１に記載のシステム。
  14. 前記設定情報として、データベースを具備する請求項１１に記載のシステム。
  15. 前記設定情報として、欠陥情報を具備する請求項１１に記載のシステム。
  16. 前記単独型計測計器は、前記プロセス計測システムとネットワークでつながっている請求項１１に記載のシステム。
  17. 前記単独型計測計器には、リフレクトメータとエリプソメータのうちの少なくとも１つが含まれる請求項１１に記載のシステム。
  18. 前記プロセス計測システムは、プロセスツールに組み込まれる請求項１１に記載のシステム。
  19. 前記プロセス計測システムは、少なくとも２つの異なった計測計器を持つ計測クラスターである請求項１１に記載のシステム。
JP2002585932A 2001-04-26 2002-04-24 計測システムクラスター Expired - Fee Related JP4348412B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US28648501P 2001-04-26 2001-04-26
PCT/US2002/013158 WO2002088677A1 (en) 2001-04-26 2002-04-24 Measurement system cluster

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004535666A JP2004535666A (ja) 2004-11-25
JP2004535666A5 true JP2004535666A5 (ja) 2005-12-22
JP4348412B2 JP4348412B2 (ja) 2009-10-21

Family

ID=23098810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002585932A Expired - Fee Related JP4348412B2 (ja) 2001-04-26 2002-04-24 計測システムクラスター

Country Status (3)

Country Link
US (3) US6999164B2 (ja)
JP (1) JP4348412B2 (ja)
WO (1) WO2002088677A1 (ja)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7317531B2 (en) 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US7541201B2 (en) 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US6999164B2 (en) * 2001-04-26 2006-02-14 Tokyo Electron Limited Measurement system cluster
DE10141051A1 (de) * 2001-08-22 2003-03-06 Leica Microsystems Anordnung und Verfahren zur Inspektion von unstruktuierten Wafern
US6986280B2 (en) * 2002-01-22 2006-01-17 Fei Company Integrated measuring instrument
US6742168B1 (en) * 2002-03-19 2004-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Method and structure for calibrating scatterometry-based metrology tool used to measure dimensions of features on a semiconductor device
US6886423B2 (en) * 2002-03-27 2005-05-03 Rudolph Technologies, Inc. Scalable, automated metrology system and method of making the system
JP2004177377A (ja) 2002-11-29 2004-06-24 Hitachi Ltd 検査方法および検査装置
DE10308258A1 (de) * 2003-02-25 2004-09-02 Leica Microsystems Jena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Dünnschichtmetrologie
US7085676B2 (en) * 2003-06-27 2006-08-01 Tokyo Electron Limited Feed forward critical dimension control
US20050038554A1 (en) * 2003-07-14 2005-02-17 Cory Watkins Inspection and metrology module cluster tool
US6968252B1 (en) * 2003-07-15 2005-11-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for dispatching based on metrology tool performance
US7106434B1 (en) 2003-07-28 2006-09-12 Kla-Tencor Technologies, Inc. Inspection tool
US20060058979A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Markle Richard J Method and system for calibrating integrated metrology systems and stand-alone metrology systems that acquire wafer state data
US7076321B2 (en) * 2004-10-05 2006-07-11 Advanced Micro Devices, Inc. Method and system for dynamically adjusting metrology sampling based upon available metrology capacity
US7397555B2 (en) * 2004-12-17 2008-07-08 Lam Research Corporation System, method and apparatus for in-situ substrate inspection
US7315765B1 (en) * 2005-07-29 2008-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Automated control thread determination based upon post-process consideration
JP4720991B2 (ja) * 2005-08-01 2011-07-13 株式会社ニコン 情報表示システム
US7561282B1 (en) 2006-03-27 2009-07-14 Kla-Tencor Technologies Corporation Techniques for determining overlay and critical dimension using a single metrology tool
US7445446B2 (en) * 2006-09-29 2008-11-04 Tokyo Electron Limited Method for in-line monitoring and controlling in heat-treating of resist coated wafers
US7625680B2 (en) * 2006-09-29 2009-12-01 Tokyo Electron Limited Method of real time dynamic CD control
DE102006051495B4 (de) * 2006-10-31 2017-11-02 Globalfoundries Inc. Verfahren und System zur zufälligen Verteilung von Scheiben in einer komplexen Prozesslinie
US8282984B2 (en) * 2007-12-03 2012-10-09 Tokyo Electron Limited Processing condition inspection and optimization method of damage recovery process, damage recovering system and storage medium
JP5134944B2 (ja) * 2007-12-27 2013-01-30 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画方法
TWI483224B (zh) * 2009-03-03 2015-05-01 Acer Inc 多功能模式之切換方法及其電子裝置
EP2524208B1 (en) * 2010-01-12 2021-09-29 Kromek Limited Cross calibaration of two energy dispersive x-ray baggage screening systems including transformation of the reference database
EP2539668B1 (en) * 2010-02-25 2015-11-25 Nova Measuring Instruments Ltd Method for measurng in patterned structures
KR20130019495A (ko) * 2011-08-17 2013-02-27 한국표준과학연구원 광소자-회전형 타원계측기 및 이를 이용한 시료의 물성 측정 방법
US10330608B2 (en) * 2012-05-11 2019-06-25 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for wafer surface feature detection, classification and quantification with wafer geometry metrology tools
TW201514473A (zh) * 2013-10-15 2015-04-16 Utechzone Co Ltd 檢測混合類型物件的方法
KR102254033B1 (ko) * 2014-06-13 2021-05-20 삼성전자주식회사 광학 측정 방법 및 광학 측정 시스템
WO2016128189A1 (en) 2015-02-13 2016-08-18 Asml Netherlands B.V. Process variability aware adaptive inspection and metrology
US10228678B2 (en) * 2015-07-22 2019-03-12 Tokyo Electron Limited Tool failure analysis using space-distorted similarity
US10451412B2 (en) 2016-04-22 2019-10-22 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
EP3521932A4 (en) 2016-09-30 2020-05-27 Nikon Corporation MEASURING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US11662324B1 (en) 2022-03-18 2023-05-30 Applied Materials Israel Ltd. Three-dimensional surface metrology of wafers

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970003907B1 (ko) * 1988-02-12 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
US5393624A (en) * 1988-07-29 1995-02-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device
US5270222A (en) 1990-12-31 1993-12-14 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis
JP2598353B2 (ja) * 1991-12-04 1997-04-09 アネルバ株式会社 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法
US5766360A (en) * 1992-03-27 1998-06-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Substrate processing apparatus and substrate processing method
US5474410A (en) * 1993-03-14 1995-12-12 Tel-Varian Limited Multi-chamber system provided with carrier units
KR100267617B1 (ko) * 1993-04-23 2000-10-16 히가시 데쓰로 진공처리장치 및 진공처리방법
KR100390293B1 (ko) * 1993-09-21 2003-09-02 가부시끼가이샤 도시바 폴리싱장치
US5461559A (en) 1993-10-04 1995-10-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Hierarchical control system for molecular beam epitaxy
US5492594A (en) * 1994-09-26 1996-02-20 International Business Machines Corp. Chemical-mechanical polishing tool with end point measurement station
US5646870A (en) 1995-02-13 1997-07-08 Advanced Micro Devices, Inc. Method for setting and adjusting process parameters to maintain acceptable critical dimensions across each die of mass-produced semiconductor wafers
TW315504B (ja) * 1995-03-20 1997-09-11 Tokyo Electron Co Ltd
IL113829A (en) * 1995-05-23 2000-12-06 Nova Measuring Instr Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
US5719796A (en) 1995-12-04 1998-02-17 Advanced Micro Devices, Inc. System for monitoring and analyzing manufacturing processes using statistical simulation with single step feedback
US5695601A (en) * 1995-12-27 1997-12-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method
US6021380A (en) * 1996-07-09 2000-02-01 Scanis, Inc. Automatic semiconductor wafer sorter/prober with extended optical inspection
US5948203A (en) * 1996-07-29 1999-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Optical dielectric thickness monitor for chemical-mechanical polishing process monitoring
US6028664A (en) * 1997-01-29 2000-02-22 Inspex, Inc. Method and system for establishing a common reference point on a semiconductor wafer inspected by two or more scanning mechanisms
AU6942998A (en) * 1997-03-31 1998-10-22 Microtherm, Llc Optical inspection module and method for detecting particles and defects on substrates in integrated process tools
US5996415A (en) 1997-04-30 1999-12-07 Sensys Instruments Corporation Apparatus and method for characterizing semiconductor wafers during processing
JP3936030B2 (ja) * 1997-06-23 2007-06-27 東京エレクトロン株式会社 被処理体の回収方法
US6019000A (en) 1997-11-20 2000-02-01 Sensys Instruments Corporation In-situ measurement of deposition on reactor chamber members
JPH11220004A (ja) * 1997-11-26 1999-08-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6157450A (en) * 1998-03-09 2000-12-05 Chapman Instruments Automated optical surface profile measurement system
IL125337A0 (en) * 1998-07-14 1999-03-12 Nova Measuring Instr Ltd Method and apparatus for lithography monitoring and process control
US6177287B1 (en) * 1998-09-28 2001-01-23 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified inter database communication system
ATE251771T1 (de) 1999-07-13 2003-10-15 Mv Res Ltd Herstellungsverfahren einer gedruckten schaltung
US7069101B1 (en) 1999-07-29 2006-06-27 Applied Materials, Inc. Computer integrated manufacturing techniques
IL132639A (en) * 1999-10-28 2003-11-23 Nova Measuring Instr Ltd Optical measurements of patterned structures
US6640151B1 (en) 1999-12-22 2003-10-28 Applied Materials, Inc. Multi-tool control system, method and medium
US6684122B1 (en) * 2000-01-03 2004-01-27 Advanced Micro Devices, Inc. Control mechanism for matching process parameters in a multi-chamber process tool
US6362116B1 (en) * 2000-02-09 2002-03-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method for controlling photoresist baking processes
AU2001249724A1 (en) 2000-04-03 2001-10-15 Speed-Fam-Ipec Corporation System and method for predicting software models using material-centric process instrumentation
US6673637B2 (en) * 2000-09-20 2004-01-06 Kla-Tencor Technologies Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen
US6806951B2 (en) * 2000-09-20 2004-10-19 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for determining at least one characteristic of defects on at least two sides of a specimen
US6701259B2 (en) * 2000-10-02 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Defect source identifier
IL140179A (en) * 2000-12-07 2004-09-27 Nova Measuring Instr Ltd Method and system for measuring in patterned structures
US6999164B2 (en) * 2001-04-26 2006-02-14 Tokyo Electron Limited Measurement system cluster
US7089075B2 (en) * 2001-05-04 2006-08-08 Tokyo Electron Limited Systems and methods for metrology recipe and model generation

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004535666A5 (ja)
JP4348412B2 (ja) 計測システムクラスター
JP5911489B2 (ja) プロセスツール修正値を提供するための方法およびシステム
KR102220435B1 (ko) 웨이퍼에 걸친 파라미터 변동들에 기초한 측정 모델 최적화
CN107431030B (zh) 用于确定在衬底中的平面内变形的方法及***
TWI823344B (zh) 用於測量圖案化結構之特性的系統
US9329033B2 (en) Method for estimating and correcting misregistration target inaccuracy
US20040147121A1 (en) Method and system for manufacturing a semiconductor device
CN109923654B (zh) 通过跨层图像相减的晶片噪声减少
KR20150013699A (ko) 기판 분석 샘플링을 결정하기 위해 기판 기하학을 이용하기 위한 방법 및 디바이스
JP2008129016A (ja) スペクトルの改善を利用して光計測装置を一致させる方法
CN109891563B (zh) 用于在晶片沉积期间工艺引起的变形预测的***及方法
TW200814216A (en) Semiconductor processing methods and systems
CN110718478A (zh) 晶圆薄膜量测方法及装置
TW201514513A (zh) 晶圓的可適性電性測試
US8044668B2 (en) Method and system for calibrating measurement tools for semiconductor device manufacturing
TW201037474A (en) System and method for implementing multi-resolution advanced process control
TWI821475B (zh) 多工具參數集組態和偏移測量系統及方法
US20100068833A1 (en) System of testing semiconductor devices, a method for testing semiconductor devices, and a method for manufacturing semiconductor devices
US7803506B2 (en) Methods of measuring critical dimensions and related devices
TW586170B (en) Semiconductor device inspection system
US20060212245A1 (en) Real-time mathematical model for wafer spin defect detection and for misalignment analyses
TWI820680B (zh) 用於模型化邏輯結構之有效單元近似的方法和裝置
CN107665831B (zh) 用于半导体器件制造工具器具的测量的***及其方法
TWI777353B (zh) 用於光學關鍵尺寸計量之方法及系統