JP2004535666A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004535666A5 JP2004535666A5 JP2002585932A JP2002585932A JP2004535666A5 JP 2004535666 A5 JP2004535666 A5 JP 2004535666A5 JP 2002585932 A JP2002585932 A JP 2002585932A JP 2002585932 A JP2002585932 A JP 2002585932A JP 2004535666 A5 JP2004535666 A5 JP 2004535666A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- measurement system
- wafer
- measuring
- cluster
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 45
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 5
- 230000003287 optical Effects 0.000 claims 1
Claims (19)
- 半導体機器製造プロセスにおいてウエハーのプロセス値を計測するための計測システムクラスターであって、
第1と第2の計測計器を有し、該第1と第2の計測計器のおのおのが、ウエハーに関連する少なくとも1つのプロセス値を計測する、第1と第2の計測システムと、
前記製造プロセスにおいて加工されたウエハーを受け取り、プロセス値を計測するための計測システム選択基準に従い、前記第1と第2の計測システムのうちの少なくとも1つを選択して、前記ウエハーを供給する、ウエハー移送システムと、
を具備する計測システムクラスター。 - 前記計測システム選択基準に従い、前記ウエハー移送システムに計測システム選択結果を提供する計測システム選択ロジック要素であって、前記計測システム選択結果に従い、前記ウエハー移送システムが、前記第1と第2の計測システムのうちの少なくとも1つにウエハーを供給する、計測システム選択ロジック要素を具備する請求項1に記載の計測システムクラスター。
- 前記計測システム選択基準は、前記ウエハーに関連する能力要求情報、前記第1と第2の計測システムに関連する計測システム能力情報、前記第1と第2の計測システムに関連する使用可能性情報、前記第1と第2の計測システムの必要性の予想、及び前記第1と第2の計測システムに関連する処理量情報のうちの少なくとも1つを具備する、請求項2に記載の計測システムクラスター。
- 前記ウエハー識別情報に従い前記能力要求情報が導かれるような、ウエハー識別情報を前記計測システム選択ロジック要素に提供する光学的文字認識システムを具備する、請求項3に記載の計測システムクラスター。
- 前記計測システム選択ロジック要素は、前記能力要求情報及び前記計測システム能力情報に従い、前記ウエハーに要求される能力を有する選択された計測システムを表示した、前記計測システム選択結果を提供する、請求項3に記載の計測システムクラスター。
- 前記計測システム選択ロジック要素は、前記計測システム能力情報及び前記処理量情報に従い、前記ウエハーに要求される能力を持った最高の処理量を有する使用可能な選択された計測システムを表示した前記計測システム選択結果を提供する、請求項3に記載の計測システムクラスター。
- 前記第1と第2の計測システムは相互校正される、請求項1に記載の計測システムクラスター。
- 前記第1と第2の計測システムのうちの少なくとも1つから、計測されたプロセス値を受け取り、該計測されたプロセス値に従いプロセスフィードバックを提供する、APCシステムを具備する、請求項1に記載の計測システムクラスター。
- 前記ウエハー移送システムと前記第1と第2の計測システムとに関連して運転され、APCシステムを具備するコンピュータシステム、を具備する請求項8に記載の計測システムクラスター。
- 前記コンピュータシステムは、前記計測システム選択基準に従い、前記ウエハー移送システムに計測システム選択結果を提供する計測システム選択ロジック要素であって、前記計測システム選択結果に従い、ウエハー移送システムが、第1と第2の計測システムのうちの少なくとも1つに前記ウエハーを供給する、計測システム選択ロジック要素を有する、請求項9に記載の計測システムクラスター。
- 半導体機器製造プロセスにおいて、半導体ウエハーに関連するプロセス値の計測に用いる設定情報を作り出すシステムであって、
ウエハーを計測するのに用いられる単独型計測計器と、
前記単独型計測計器からの計測値にしたがって設定情報をつくり、動作可能なように前記設定情報を半導体機器製造プロセスに関連するプロセス計測システムに供給する前記単独型計測計器に関連する設定情報発生装置とを具備し、
前記半導体機器製造プロセスにおいて、前記設定情報は、半導体ウエハーに関連する前記プロセス値を計測するための前記プロセス計測システムにより使用可能である、システム。 - 前記設定情報として、処方とデータベースのうちの少なくとも1つを具備する請求項11に記載のシステム。
- 前記設定情報として、処方を具備する請求項11に記載のシステム。
- 前記設定情報として、データベースを具備する請求項11に記載のシステム。
- 前記設定情報として、欠陥情報を具備する請求項11に記載のシステム。
- 前記単独型計測計器は、前記プロセス計測システムとネットワークでつながっている請求項11に記載のシステム。
- 前記単独型計測計器には、リフレクトメータとエリプソメータのうちの少なくとも1つが含まれる請求項11に記載のシステム。
- 前記プロセス計測システムは、プロセスツールに組み込まれる請求項11に記載のシステム。
- 前記プロセス計測システムは、少なくとも2つの異なった計測計器を持つ計測クラスターである請求項11に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28648501P | 2001-04-26 | 2001-04-26 | |
PCT/US2002/013158 WO2002088677A1 (en) | 2001-04-26 | 2002-04-24 | Measurement system cluster |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004535666A JP2004535666A (ja) | 2004-11-25 |
JP2004535666A5 true JP2004535666A5 (ja) | 2005-12-22 |
JP4348412B2 JP4348412B2 (ja) | 2009-10-21 |
Family
ID=23098810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002585932A Expired - Fee Related JP4348412B2 (ja) | 2001-04-26 | 2002-04-24 | 計測システムクラスター |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6999164B2 (ja) |
JP (1) | JP4348412B2 (ja) |
WO (1) | WO2002088677A1 (ja) |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7317531B2 (en) | 2002-12-05 | 2008-01-08 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
US6999164B2 (en) * | 2001-04-26 | 2006-02-14 | Tokyo Electron Limited | Measurement system cluster |
DE10141051A1 (de) * | 2001-08-22 | 2003-03-06 | Leica Microsystems | Anordnung und Verfahren zur Inspektion von unstruktuierten Wafern |
US6986280B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-01-17 | Fei Company | Integrated measuring instrument |
US6742168B1 (en) * | 2002-03-19 | 2004-05-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and structure for calibrating scatterometry-based metrology tool used to measure dimensions of features on a semiconductor device |
US6886423B2 (en) * | 2002-03-27 | 2005-05-03 | Rudolph Technologies, Inc. | Scalable, automated metrology system and method of making the system |
JP2004177377A (ja) | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 検査方法および検査装置 |
DE10308258A1 (de) * | 2003-02-25 | 2004-09-02 | Leica Microsystems Jena Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Dünnschichtmetrologie |
US7085676B2 (en) * | 2003-06-27 | 2006-08-01 | Tokyo Electron Limited | Feed forward critical dimension control |
US20050038554A1 (en) * | 2003-07-14 | 2005-02-17 | Cory Watkins | Inspection and metrology module cluster tool |
US6968252B1 (en) * | 2003-07-15 | 2005-11-22 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for dispatching based on metrology tool performance |
US7106434B1 (en) | 2003-07-28 | 2006-09-12 | Kla-Tencor Technologies, Inc. | Inspection tool |
US20060058979A1 (en) * | 2004-09-14 | 2006-03-16 | Markle Richard J | Method and system for calibrating integrated metrology systems and stand-alone metrology systems that acquire wafer state data |
US7076321B2 (en) * | 2004-10-05 | 2006-07-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for dynamically adjusting metrology sampling based upon available metrology capacity |
US7397555B2 (en) * | 2004-12-17 | 2008-07-08 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for in-situ substrate inspection |
US7315765B1 (en) * | 2005-07-29 | 2008-01-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automated control thread determination based upon post-process consideration |
JP4720991B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2011-07-13 | 株式会社ニコン | 情報表示システム |
US7561282B1 (en) | 2006-03-27 | 2009-07-14 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Techniques for determining overlay and critical dimension using a single metrology tool |
US7445446B2 (en) * | 2006-09-29 | 2008-11-04 | Tokyo Electron Limited | Method for in-line monitoring and controlling in heat-treating of resist coated wafers |
US7625680B2 (en) * | 2006-09-29 | 2009-12-01 | Tokyo Electron Limited | Method of real time dynamic CD control |
DE102006051495B4 (de) * | 2006-10-31 | 2017-11-02 | Globalfoundries Inc. | Verfahren und System zur zufälligen Verteilung von Scheiben in einer komplexen Prozesslinie |
US8282984B2 (en) * | 2007-12-03 | 2012-10-09 | Tokyo Electron Limited | Processing condition inspection and optimization method of damage recovery process, damage recovering system and storage medium |
JP5134944B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-01-30 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画方法 |
TWI483224B (zh) * | 2009-03-03 | 2015-05-01 | Acer Inc | 多功能模式之切換方法及其電子裝置 |
EP2524208B1 (en) * | 2010-01-12 | 2021-09-29 | Kromek Limited | Cross calibaration of two energy dispersive x-ray baggage screening systems including transformation of the reference database |
EP2539668B1 (en) * | 2010-02-25 | 2015-11-25 | Nova Measuring Instruments Ltd | Method for measurng in patterned structures |
KR20130019495A (ko) * | 2011-08-17 | 2013-02-27 | 한국표준과학연구원 | 광소자-회전형 타원계측기 및 이를 이용한 시료의 물성 측정 방법 |
US10330608B2 (en) * | 2012-05-11 | 2019-06-25 | Kla-Tencor Corporation | Systems and methods for wafer surface feature detection, classification and quantification with wafer geometry metrology tools |
TW201514473A (zh) * | 2013-10-15 | 2015-04-16 | Utechzone Co Ltd | 檢測混合類型物件的方法 |
KR102254033B1 (ko) * | 2014-06-13 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 광학 측정 방법 및 광학 측정 시스템 |
WO2016128189A1 (en) | 2015-02-13 | 2016-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Process variability aware adaptive inspection and metrology |
US10228678B2 (en) * | 2015-07-22 | 2019-03-12 | Tokyo Electron Limited | Tool failure analysis using space-distorted similarity |
US10451412B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
EP3521932A4 (en) | 2016-09-30 | 2020-05-27 | Nikon Corporation | MEASURING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US11662324B1 (en) | 2022-03-18 | 2023-05-30 | Applied Materials Israel Ltd. | Three-dimensional surface metrology of wafers |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970003907B1 (ko) * | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
US5393624A (en) * | 1988-07-29 | 1995-02-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device |
US5270222A (en) | 1990-12-31 | 1993-12-14 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for semiconductor device fabrication diagnosis and prognosis |
JP2598353B2 (ja) * | 1991-12-04 | 1997-04-09 | アネルバ株式会社 | 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法 |
US5766360A (en) * | 1992-03-27 | 1998-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US5474410A (en) * | 1993-03-14 | 1995-12-12 | Tel-Varian Limited | Multi-chamber system provided with carrier units |
KR100267617B1 (ko) * | 1993-04-23 | 2000-10-16 | 히가시 데쓰로 | 진공처리장치 및 진공처리방법 |
KR100390293B1 (ko) * | 1993-09-21 | 2003-09-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 폴리싱장치 |
US5461559A (en) | 1993-10-04 | 1995-10-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hierarchical control system for molecular beam epitaxy |
US5492594A (en) * | 1994-09-26 | 1996-02-20 | International Business Machines Corp. | Chemical-mechanical polishing tool with end point measurement station |
US5646870A (en) | 1995-02-13 | 1997-07-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for setting and adjusting process parameters to maintain acceptable critical dimensions across each die of mass-produced semiconductor wafers |
TW315504B (ja) * | 1995-03-20 | 1997-09-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
IL113829A (en) * | 1995-05-23 | 2000-12-06 | Nova Measuring Instr Ltd | Apparatus for optical inspection of wafers during polishing |
US5719796A (en) | 1995-12-04 | 1998-02-17 | Advanced Micro Devices, Inc. | System for monitoring and analyzing manufacturing processes using statistical simulation with single step feedback |
US5695601A (en) * | 1995-12-27 | 1997-12-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for planarizing a semiconductor body by CMP method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the method |
US6021380A (en) * | 1996-07-09 | 2000-02-01 | Scanis, Inc. | Automatic semiconductor wafer sorter/prober with extended optical inspection |
US5948203A (en) * | 1996-07-29 | 1999-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Optical dielectric thickness monitor for chemical-mechanical polishing process monitoring |
US6028664A (en) * | 1997-01-29 | 2000-02-22 | Inspex, Inc. | Method and system for establishing a common reference point on a semiconductor wafer inspected by two or more scanning mechanisms |
AU6942998A (en) * | 1997-03-31 | 1998-10-22 | Microtherm, Llc | Optical inspection module and method for detecting particles and defects on substrates in integrated process tools |
US5996415A (en) | 1997-04-30 | 1999-12-07 | Sensys Instruments Corporation | Apparatus and method for characterizing semiconductor wafers during processing |
JP3936030B2 (ja) * | 1997-06-23 | 2007-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の回収方法 |
US6019000A (en) | 1997-11-20 | 2000-02-01 | Sensys Instruments Corporation | In-situ measurement of deposition on reactor chamber members |
JPH11220004A (ja) * | 1997-11-26 | 1999-08-10 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US6157450A (en) * | 1998-03-09 | 2000-12-05 | Chapman Instruments | Automated optical surface profile measurement system |
IL125337A0 (en) * | 1998-07-14 | 1999-03-12 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for lithography monitoring and process control |
US6177287B1 (en) * | 1998-09-28 | 2001-01-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Simplified inter database communication system |
ATE251771T1 (de) | 1999-07-13 | 2003-10-15 | Mv Res Ltd | Herstellungsverfahren einer gedruckten schaltung |
US7069101B1 (en) | 1999-07-29 | 2006-06-27 | Applied Materials, Inc. | Computer integrated manufacturing techniques |
IL132639A (en) * | 1999-10-28 | 2003-11-23 | Nova Measuring Instr Ltd | Optical measurements of patterned structures |
US6640151B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-10-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-tool control system, method and medium |
US6684122B1 (en) * | 2000-01-03 | 2004-01-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Control mechanism for matching process parameters in a multi-chamber process tool |
US6362116B1 (en) * | 2000-02-09 | 2002-03-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for controlling photoresist baking processes |
AU2001249724A1 (en) | 2000-04-03 | 2001-10-15 | Speed-Fam-Ipec Corporation | System and method for predicting software models using material-centric process instrumentation |
US6673637B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen |
US6806951B2 (en) * | 2000-09-20 | 2004-10-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least one characteristic of defects on at least two sides of a specimen |
US6701259B2 (en) * | 2000-10-02 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Defect source identifier |
IL140179A (en) * | 2000-12-07 | 2004-09-27 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and system for measuring in patterned structures |
US6999164B2 (en) * | 2001-04-26 | 2006-02-14 | Tokyo Electron Limited | Measurement system cluster |
US7089075B2 (en) * | 2001-05-04 | 2006-08-08 | Tokyo Electron Limited | Systems and methods for metrology recipe and model generation |
-
2002
- 2002-04-24 US US10/132,538 patent/US6999164B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-24 JP JP2002585932A patent/JP4348412B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-24 WO PCT/US2002/013158 patent/WO2002088677A1/en active Application Filing
-
2004
- 2004-12-15 US US11/012,940 patent/US7106433B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-07-28 US US11/494,924 patent/US7283226B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004535666A5 (ja) | ||
JP4348412B2 (ja) | 計測システムクラスター | |
JP5911489B2 (ja) | プロセスツール修正値を提供するための方法およびシステム | |
KR102220435B1 (ko) | 웨이퍼에 걸친 파라미터 변동들에 기초한 측정 모델 최적화 | |
CN107431030B (zh) | 用于确定在衬底中的平面内变形的方法及*** | |
TWI823344B (zh) | 用於測量圖案化結構之特性的系統 | |
US9329033B2 (en) | Method for estimating and correcting misregistration target inaccuracy | |
US20040147121A1 (en) | Method and system for manufacturing a semiconductor device | |
CN109923654B (zh) | 通过跨层图像相减的晶片噪声减少 | |
KR20150013699A (ko) | 기판 분석 샘플링을 결정하기 위해 기판 기하학을 이용하기 위한 방법 및 디바이스 | |
JP2008129016A (ja) | スペクトルの改善を利用して光計測装置を一致させる方法 | |
CN109891563B (zh) | 用于在晶片沉积期间工艺引起的变形预测的***及方法 | |
TW200814216A (en) | Semiconductor processing methods and systems | |
CN110718478A (zh) | 晶圆薄膜量测方法及装置 | |
TW201514513A (zh) | 晶圓的可適性電性測試 | |
US8044668B2 (en) | Method and system for calibrating measurement tools for semiconductor device manufacturing | |
TW201037474A (en) | System and method for implementing multi-resolution advanced process control | |
TWI821475B (zh) | 多工具參數集組態和偏移測量系統及方法 | |
US20100068833A1 (en) | System of testing semiconductor devices, a method for testing semiconductor devices, and a method for manufacturing semiconductor devices | |
US7803506B2 (en) | Methods of measuring critical dimensions and related devices | |
TW586170B (en) | Semiconductor device inspection system | |
US20060212245A1 (en) | Real-time mathematical model for wafer spin defect detection and for misalignment analyses | |
TWI820680B (zh) | 用於模型化邏輯結構之有效單元近似的方法和裝置 | |
CN107665831B (zh) | 用于半导体器件制造工具器具的测量的***及其方法 | |
TWI777353B (zh) | 用於光學關鍵尺寸計量之方法及系統 |