JP2004363527A - 磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法 - Google Patents
磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004363527A JP2004363527A JP2003171217A JP2003171217A JP2004363527A JP 2004363527 A JP2004363527 A JP 2004363527A JP 2003171217 A JP2003171217 A JP 2003171217A JP 2003171217 A JP2003171217 A JP 2003171217A JP 2004363527 A JP2004363527 A JP 2004363527A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic memory
- data
- magnetic
- magnetoresistive element
- free layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/06187—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code with magnetically detectable marking
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Information Retrieval, Db Structures And Fs Structures Therefor (AREA)
Abstract
【課題】データの転送時間を短縮する。
【解決手段】データ複写方法は、データ複写装置３１ａとサーバ４０とをネットワークを介して接続する工程と、サーバ４０のデータベース４１の中から第１のデータを選択する工程と、この第１のデータをデータ複写装置３１ａにダウンロードする工程と、このダウンロードした第１のデータを第１の磁気メモリ５０に書き込む工程と、データ複写装置３１ａに第２の磁気メモリ６０が設置される工程と、第１の磁気メモリ５０と第２の磁気メモリ６０とを近づけて第１のデータを第２の磁気メモリ６０に磁気転写させることで、第２の磁気メモリ６０に第２のデータを書き込む工程とを具備する。
【選択図】 図４
【解決手段】データ複写方法は、データ複写装置３１ａとサーバ４０とをネットワークを介して接続する工程と、サーバ４０のデータベース４１の中から第１のデータを選択する工程と、この第１のデータをデータ複写装置３１ａにダウンロードする工程と、このダウンロードした第１のデータを第１の磁気メモリ５０に書き込む工程と、データ複写装置３１ａに第２の磁気メモリ６０が設置される工程と、第１の磁気メモリ５０と第２の磁気メモリ６０とを近づけて第１のデータを第２の磁気メモリ６０に磁気転写させることで、第２の磁気メモリ６０に第２のデータを書き込む工程とを具備する。
【選択図】 図４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気転写を利用してデータの複写を行う磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、ＦｅＲＡＭ等、種々の記憶媒体が提案されており、これらの記憶媒体を用いてデータ転送が行われている。
【０００３】
図４４は、現在考えられる記憶媒体のダウンロードに要する時間の比較表を示す。図４４に示すように、消費者がコンテンツ事業者からデータをダウンロードする場合を考えると、１ギガのデータをダウンロードして記憶媒体に書き込むのに必要な時間は、１番早いとされるＦｅＲＡＭやＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）でも、通常の書き込み動作では、４００ｓｅｃと大幅に時間がかかることが分かる。
【０００４】
従って、例えば、駅のＫｉｏｓｋ等で、電車の待ち時間を利用して、モバイルメモリに大容量の画像データをダウンロードすることを考えた場合、ダウンロードの待ち時間を３０秒程度と仮定すると、現在の記憶媒体では使用できるものはない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、従来の記憶媒体では、特に画像等の大容量データの場合、ダウンロードをして書き込むのに非常に時間がかかってしまう。従って、データを手軽に配信することを実現するのは、非常に困難であると考えられる。
【０００６】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、データの転送時間を短縮することが可能な磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために以下に示す手段を用いている。
【０００８】
本発明の第１の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜とを具備する。
【０００９】
本発明の第２の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上にＤＬＣ膜で形成されたパッシベーション膜とを具備する。
【００１０】
本発明の第３の視点による磁気記憶装置は、第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成された第１の読み出し配線と、前記第１の読み出し配線上に形成されたパッシベーション膜と、前記第１の読み出し配線に接続され、前記第１の読み出し配線より下方に位置し、前記第１の読み出し配線よりも太い第２の読み出し配線とを具備する。
【００１１】
本発明の第４の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、前記第１の書き込み配線、前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが封止され、前記チップを露出する第１の開口部が設けられた第１のパッケージと、前記第１の開口部を開閉する第１の蓋部とを具備する。
【００１２】
本発明の第５の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、前記第１の書き込み配線、記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置された平坦形状の第１の皿部と、前記チップを覆う凸形状の第１の蓋部とを具備する。
【００１３】
本発明の第６の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、前記第１の書き込み配線、記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置された凹形状の第１の皿部と、前記チップを覆う平面形状の第１の蓋部とを具備する。
【００１４】
本発明の第７の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、前記第１の書き込み配線、記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置され、前記チップを持ち上げる可動式の第１の皿部と、前記チップを覆う平面形状の第１の蓋部とを具備する。
【００１５】
本発明の第８の視点によるデータ複写装置は、第１の磁気メモリの第１のデータを第２の磁気メモリに磁気転写させ、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む磁気転写処理部と、前記磁気転写処理部の命令を入出力する入出力部とを具備する。
【００１６】
本発明の第９の視点によるデータ複写システムは、データ複写装置と、前記データ複写装置とネットワークを介して接続され、データベースを有するサーバとを具備するデータ複写システムであって、前記データ複写装置は、前記データ複写装置と前記サーバとを接続する通信制御部と、前記通信制御部を用いて前記データベースの中から第１のデータをダウンロードするダウンロード処理部と、前記第１のデータを第１の磁気メモリに書き込む記憶処理部と、前記第１の磁気メモリに書き込まれた前記第１のデータを第２の磁気メモリに磁気転写し、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む磁気転写処理部と、前記通信制御部、前記ダウンロード処理部、前記記憶処理部及び前記磁気転写処理部の命令を入出力する入出力部とを具備する。
【００１７】
本発明の第１０の視点によるデータ複写プログラムは、コンピュータに、サーバのデータベースから第１のデータを選択し、この選択した第１のデータをダウンロードするダウンロード処理手段と、前記第１のデータを第１の磁気メモリに書き込む記憶処理手段と、前記第１の磁気メモリと第２の磁気メモリとを近づける制御手段と、前記第１の磁気メモリの前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させ、前記第２の磁気メモリに第２のデータを記憶する磁気転写手段として機能させる。
【００１８】
本発明の第１１の視点によるデータ複写プログラムは、コンピュータに、第１のデータが記憶された第１の磁気メモリと第２の磁気メモリとを近づける制御手段と、前記第１の磁気メモリの前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させ、前記第２の磁気メモリに第２のデータを記憶する磁気転写手段として機能させる。
【００１９】
本発明の第１２の視点によるデータ複写方法は、データ複写装置とサーバとをネットワークを介して接続する工程と、前記サーバのデータベースの中から第１のデータを選択する工程と、前記第１のデータを前記データ複写装置にダウンロードする工程と、前記ダウンロードした前記第１のデータを第１の磁気メモリに書き込む工程と、前記データ複写装置に第２の磁気メモリが設置される工程と、前記第１の磁気メモリと前記第２の磁気メモリとを近づけて前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させることで、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む工程とを具備する。
【００２０】
本発明の第１３の視点によるデータ複写方法は、データ複写装置に第１のデータが書き込まれた第１の磁気メモリが設置される工程と、前記データ複写装置に第２の磁気メモリが設置される工程と、前記第１の磁気メモリと前記第２の磁気メモリとを近づけて前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させることで、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む工程とを具備する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態は、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を用いて磁気転写することで、データの転写時間の短縮を図るものである。
【００２２】
以下に、本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００２３】
１．磁気転写の原理
まず、図１及び図２を用いて、磁気転写の原理について説明する。
【００２４】
図１は、磁石を用いた場合の磁気転写の原理を示し、図２は、ＭＴＪ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）素子を備えたＭＲＡＭを用いた場合の磁気転写の原理を示している。
【００２５】
図１に示すように、磁性の向きが同方向である２つの磁石Ａ、磁石Ｂを近づけた場合、磁石が反転し互いに別の方向を向こうとする。この際、例えば、磁石Ａの磁性の保磁力が磁石Ｂの磁性の保磁力よりも強い場合は、磁石Ｂの磁性が反転する。
【００２６】
同様に、図２に示すように、自由層（記録層）１３，２３の磁性が同方向であるマスター磁気メモリ（マスターＭＲＡＭ）５０のＭＴＪ素子１０及び顧客磁気メモリ（顧客ＭＲＡＭ）６０のＭＴＪ素子２０を、自由層１３，２３同士を向かい合わせて近づけるとする。ここで、例えば、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の保持力がマスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の保持力よりも小さい場合は、保持力の小さい方の顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の自由層２３では、保磁力の大きい方のマスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の自由層１３とは逆向きに、磁性の向きが反転する。
【００２７】
一方、自由層１３，２３の磁性の向きが互いに逆方向であるマスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０及び顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０を、自由層１３，２３同士を向かい合わせて近づけた場合、磁性の向きは変化しない。
【００２８】
以上のような原理を用いて、本発明は、データの転送を瞬時に行うことを可能にしたものである。
【００２９】
２．データ複写方法、データ複写装置及びデータ複写システム
次に、図３乃至図８を参照して、第１のデータ複写装置及びデータ複写システムを用いた第１のデータ複写方法について説明し、図９乃至図１１を参照して、第２のデータ複写装置を用いた第２のデータ複写方法について説明する。
【００３０】
（１）第１のデータ複写方法、第１のデータ複写装置及びデータ複写システム第１のデータ複写方法は、マスター磁気メモリに書き込んでおくデータを、サーバからダウンロードするステップがある。
【００３１】
図３は、第１のデータ複写方法によるデータ複写システムの概略図を示す。図４及び図５は、データ複写システムにおける第１のデータ複写装置の構成図及び動作図を示す。以下に、データ複写システム及び第１のデータ複写装置の構成について説明する。
【００３２】
図３に示すように、データ複写システム３０は、第１のデータ複写装置（データ複写端末）３１ａと、この第１のデータ複写装置に例えばインターネットのようなネットワークを介して接続されたコンテンツ倉庫のサーバ４０とを備えている。このサーバ４０には、種々のコンテンツデータからなるデータベース４１が格納されている。
【００３３】
図４に示すように、第１のデータ複写装置３１ａは、通信制御装置３２と、ＣＰＵ３３と、記憶装置３４と、磁気転写装置３５と、入出力装置３６とを備えている。
【００３４】
ここで、ＣＰＵ３３は、ダウンロード処理部３３ａと、記憶処理部３３ｂと、磁気転写処理部３３ｃとを有する。磁気転写装置３５は、制御部３５ａを有する。そして、磁気転写装置３５には、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０が挿入される。
【００３５】
このような第１のデータ複写装置３１ａの各構成要素は、以下のような機能を有している。
【００３６】
通信制御装置３２は、第１のデータ複写装置３１ａをサーバ４０に接続する機能を有する（図５の命令Ａ）。このような通信制御装置３２は、例えば、モデム、ルータ、ネットワークスイッチなどからなる。
【００３７】
ダウンロード処理部３３ａは、第１のデータ複写装置３１ａの管理者からの注文を受け付け、この注文に応じたデータをサーバ４０のデータベースから選択し、この選択したデータをダウンロード処理部３３ａにダウンロードする機能を有し（図５の命令Ｂ）、さらに、このダウンロードしたデータを記憶装置３４に書き込む機能を有する（図５の命令Ｃ）。
【００３８】
記憶処理部３３ｂは、記憶装置３４に書き込まれたデータを読み出す機能を有し（図５の命令Ｄ）、さらに、この読み出したデータをマスター磁気メモリ５０に書き込むための命令を制御部３５ａに送る機能を有する（図５の命令Ｅ）。
【００３９】
磁気転写処理部３３ｃは、顧客からの注文を受け付け、この注文に応じて顧客磁気メモリ６０を所定のコピー位置に移動させるための命令を制御部３５ａに送る機能を有し（図５の命令Ｇ）、さらに、マスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０にコピーするための命令を制御部３５ａに送る機能を有する（図５の命令Ｉ）。
【００４０】
制御部３５ａは、命令Ｅに従って記憶装置３４に書き込まれたデータをマスター磁気メモリ５０に書き込む機能を有し（図５の命令Ｆ）、命令Ｇに従って顧客磁気メモリ６０をコピー位置に移動させる機能を有し（図５の命令Ｈ）、さらに、命令Ｉに従ってマスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０にコピーする機能を有する（図５の命令Ｊ）。尚、制御部３５ａは省略することも可能である。
【００４１】
記憶装置３４は、例えばハードディスクからなり、命令Ｃに従ってダウンロードしたデータを一旦記憶する機能を有する。
【００４２】
入出力装置３６は、例えばタッチパネルからなり、ディスプレイ画面上に表示されたボタンやマークを指先で触れてデータを入力したり、入力結果を出力したりする機能を有する。尚、入出力装置３６は、例えばディスプレイのような入力装置と、例えばキーボードのような出力装置とに、分けられていてもよい。
【００４３】
図６は、第１のデータ複写方法のフロー図を示す。以下に、第１のデータ複写方法について説明する。
【００４４】
まず、第１のデータ複写装置３１ａの管理者が、例えばインターネット等のネットワークを介して、第１のデータ複写装置３１ａからコンテンツ倉庫のサーバ４０にアクセスし、第１のデータ複写装置３１ａとサーバ４０とを接続する（ＳＴ１）。
【００４５】
ここで、管理者は、ＩＤ及びパスワードを入力し、データ複写装置３１ａとサーバ４０との接続を試みる。つまり、ＩＤ及びパスワードを予め登録しておくことで、契約関係にある特定の利用者のみが、サーバ４０に接続できるようにしてある。
【００４６】
次に、管理者は、サーバ４０に格納されたデータベース４１内の種々のコンテンツデータから必要な複数のコンテンツデータを選択する（ＳＴ２）。
【００４７】
そして、選択されたコンテンツデータは入出力装置３６に一覧表示され、選択したコンテンツデータが正しいかを確認する（ＳＴ３）。その結果、選択したコンテンツデータの一覧が正しければ「ＯＫ」、間違いがあれば「訂正」の画面ボタンを選択する。
【００４８】
ここで、「ＯＫ」であれば、管理者は、選択したコンテンツデータを、サーバ４０からデータ複写装置３１ａにダウンロードするために、「ダウンロード開始」の画面ボタンを選択する（ＳＴ４）。一方、「訂正」であれば、管理者は、再度、種々のコンテンツデータから必要なデータを選びなおす（ＳＴ２）。
【００４９】
次に、ダウンロードが完了すると、「ダウンロード完了」の画面が表示される。この際、ダウンロードしたコンテンツデータは、データ複写装置３１ａの記憶装置３４に一旦記憶される（ＳＴ５）。
【００５０】
次に、ダウンロードしたコンテンツデータをマスター磁気メモリ５０に書き込む（ＳＴ６）。そして、書き込みが完了すると、「書き込み完了」の画面が表示される。
【００５１】
このようなＳＴ１〜ＳＴ６の工程を行うことで、顧客がデータ複写装置３１ａを利用するための準備が完了する。
【００５２】
次に、顧客が、データのコピーを行うために、顧客磁気メモリ６０を第１のデータ複写装置３１ａの磁気転写装置３５に差し込む（ＳＴ７）。
【００５３】
次に、顧客は、種々のコンテンツデータから、コピーしたいデータを選択する（ＳＴ８）。この際、種々のコンテンツデータは既にダウンロードしてあるため、サーバ４０にアクセスする必要はない。
【００５４】
そして、選択されたコンテンツデータは入出力装置３６に一覧表示され、選択したコンテンツデータが正しいかを確認する（ＳＴ９）。その結果、選択したコンテンツデータの一覧が正しければ「ＯＫ」、間違いがあれば「訂正」の画面ボタンを選択する。
【００５５】
ここで、「ＯＫ」であれば、選択したデータが記憶されたマスター磁気メモリ５０に顧客磁気メモリ６０が近づけられ、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０の位置合わせが行われる（ＳＴ１０）。この際、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子の自由層と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子の自由層とが対向するように、両者が近づけられる。また、位置合わせには、光学的な手法や磁気的な手法などが用いられる。そして、位置合わせが完了すると、「位置合わせ完了」の画面が表示される。
【００５６】
一方、「訂正」であれば、顧客は、再度、種々のコンテンツデータからコピーしたいデータを選びなおす（ＳＴ８）。
【００５７】
次に、位置合わせが完了した後、顧客は、「コピー開始」の画面ボタンを選択する。これにより、マスター磁気メモリ５０のデータが顧客磁気メモリ６０に一括して磁気転写される（ＳＴ１１）。そして、磁気転写が完了すると、「コピー完了」の画面が表示される。
【００５８】
ここで、磁気転写前にＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｏｎ）対策を施すのが望ましい。また、磁気転写は、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０とを押し当てて行われるのが望ましい。
【００５９】
尚、上記ＳＴ５の工程（図５の命令Ｃ、Ｄ）は省略することも可能である。すなわち、ダウンロードしたコンテンツデータは、データ複写装置３１ａの記憶部３２に一旦記憶せずに、マスター磁気メモリ５０に直接書き込んでもよい。この場合、ダウンロード処理部３３ａは、サーバ４０からデータをダウンロードした後、このデータをマスター磁気メモリ５０に書き込むための命令を記憶処理部３３ｂに送る（図５の命令Ｋ）。
【００６０】
また、上記ＳＴ６の工程（図５の命令Ｅ、Ｆ）において、マスター磁気メモリ５０へデータを書き込む装置は、磁気転写装置３５に限定されない。例えば、図７に示すように、データ書き込み用の書き込み装置３８を新たに設けてもよい。この場合、マスター磁気メモリ５０は、まず書き込み装置３８に搬入され、この書き込み装置３８でデータの書き込みが完了した後、磁気転写装置３５に搬入される。ここで、上述した命令Ｅは、書き込み装置３８の制御部３８ａに送られる。
【００６１】
また、上記ＳＴ１１の工程において、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０へデータをコピーすると、磁気転写の性質上、データが反転する。従って、顧客磁気メモリ６０にコピーしたいデータを「基準データ」とすると、マスター磁気メモリ５０には、基準データと逆の「反転データ（ネガデータ）」を書き込んでおく必要がある。これを実現するには、サーバ４０のデータベース４１をはじめから反転データにしておいてもよいし、あるいは、サーバ４０のデータベース４１には基準データを格納し、データ複写装置３１ａの各構成部（例えば記憶処理部３３ｂ）で基準データを反転させてマスター磁気メモリ５０に反転データが書き込まれるようにしてもよい。
【００６２】
また、上記ＳＴ１１の工程において、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０へデータをコピーする際に、マスター磁気メモリ５０のデータが書き変わらないように、マスター磁気メモリ５０の保持力を顧客磁気メモリ６０の保磁力よりも高く設定しておく必要がある。
【００６３】
以上のように、上記第１のデータ複写装置を用いて第１のデータ複写方法による磁気転写を行えば、マスター磁気メモリと顧客磁気メモリのメモリ部同士を近づけることで、磁気転写が起こり、マスター磁気メモリのデータを顧客磁気メモリに書き込むことができる。このように、記憶情報のコピーを行うことで、コピー作成時間を大幅に短縮できる。従って、画像等の大容量データを簡便に配信することができるため、大容量記憶メモリとして期待されるＭＲＡＭでの短時間の情報配信、そしてこの情報配信に使用する装置の実現が可能となる。
【００６４】
（２）第２のデータ複写方法及び第２のデータ複写装置
第２のデータ複写方法において、第１のデータ複写方法と異なる点は、ネットワークを介してマスター磁気メモリにデータをダウンロードする工程が省略されている点である。このため、第２のデータ複写装置には、通信制御装置、ダウンロード処理部及び記憶処理部が設けられていない。そして、第２のデータ複写方法で使用されるマスター磁気メモリは、ＲＯＭ形式で作製されたものを用いることが可能である。
【００６５】
図８及び図９は、第２のデータ複写装置の構成図及び動作図を示す。以下に、第２のデータ複写装置の構成について説明する。
【００６６】
図８に示すように、第２のデータ複写装置３１ｂは、ＣＰＵ３３と、磁気転写装置３５と、入出力装置３６とを備えている。
【００６７】
ここで、ＣＰＵ３３は、磁気転写処理部３３ｃを有する。磁気転写装置３５は、制御部３５ａを有する。そして、磁気転写装置３５には、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０がそれぞれ挿入される。
【００６８】
このような第２のデータ複写装置３１ｂの各構成要素は、以下のような機能を有している。
【００６９】
磁気転写処理部３３ｃは、顧客からの注文を受け付け、この注文に応じてマスター磁気メモリ５０を所定のコピー位置に移動させるための命令を制御部３５ａに送る機能を有し（図９の命令Ａ）、顧客磁気メモリ６０を決められたコピー位置に移動させるための命令を制御部３５ａに送る機能を有し（図９の命令Ｃ）、さらに、マスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０にコピーするための命令を制御部３５ａに送る機能を有する（図９の命令Ｅ）。
【００７０】
制御部３５ａは、命令Ａに従ってマスター磁気メモリ５０をコピー位置に移動させる機能を有し（図９の命令Ｂ）、命令Ｃに従って顧客磁気メモリ６０をコピー位置に移動させる機能を有し（図９の命令Ｄ）、さらに、命令Ｅに従ってマスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０にコピーする機能を有する（図９の命令Ｆ）。尚、制御部３５ａは省略することも可能である。
【００７１】
入出力装置３６は、例えばタッチパネルからなり、ディスプレイ画面上に表示されたボタンやマークを指先で触れてデータを入力したり、入力結果を出力したりする機能を有する。尚、入出力装置３６は、例えばディスプレイのような入力装置と、例えばキーボードのような出力装置とに、分けられていてもよい。
【００７２】
尚、第２のデータ複写装置３１ｂにおいても、第１のデータ複写装置３１ａと同様に、通信制御装置３２、ダウンロード処理部３３ａ、記憶処理部３３ｂ及び記憶装置３４がそれぞれ存在していても構わない。
【００７３】
図１０は、第２のデータ複写方法のフロー図を示す。以下に、第２のデータ複写方法について説明する。
【００７４】
まず、第２のデータ複写装置３０ｂの管理者が、種々のコンテンツデータから必要な複数のコンテンツデータを選択する（ＳＴ１）。
【００７５】
次に、選択されたコンテンツデータが書き込まれたマスター磁気メモリ５０を、コンテンツ倉庫から第２のデータ複写装置３０ｂに搬入し（ＳＴ２）、所定のコピー位置に配置する。
【００７６】
このように、ＳＴ１〜ＳＴ２の工程により、顧客がデータ複写装置３１ａを利用するための準備が完了する。
【００７７】
次に、顧客が、データのコピーを行うために、顧客磁気メモリ６０を第２のデータ複写装置３１ｂの磁気転写装置３５に差し込む（ＳＴ３）。
【００７８】
次に、顧客は、種々のコンテンツデータから、コピーしたいデータを選択する（ＳＴ４）。
【００７９】
そして、選択されたコンテンツデータは入出力装置３６に一覧表示され、選択したコンテンツデータが正しいかを確認する（ＳＴ５）。その結果、選択したコンテンツデータの一覧が正しければ「ＯＫ」、間違いがあれば「訂正」の画面ボタンを選択する。
【００８０】
ここで、「ＯＫ」であれば、選択したデータが記憶されたマスター磁気メモリ５０に顧客磁気メモリ６０が近づけられ、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０の位置合わせが行われる（ＳＴ６）。この際、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子の自由層と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子の自由層とが対向するように、両者が近づけられる。また、位置合わせには、光学的な手法や磁気的な手法などが用いられる。そして、顧客磁気メモリ６０の位置合わせが完了すると、「位置合わせ完了」の画面が表示される。
【００８１】
一方、「訂正」であれば、顧客は、再度、種々のコンテンツデータからコピーしたいデータを選びなおす（ＳＴ４）。
【００８２】
次に、位置合わせが完了した後、顧客は、「コピー開始」の画面ボタンを選択する。これにより、マスター磁気メモリ５０のデータが顧客磁気メモリ６０に一括して磁気転写される（ＳＴ７）。そして、磁気転写が完了すると、「コピー完了」の画面が表示される。
【００８３】
ここで、磁気転写前にＥＳＤ対策を施すのが望ましい。また、磁気転写は、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０とを押し当てて行われるのが望ましい。
【００８４】
尚、上記ＳＴ７の工程において、磁気転写の性質上データが反転するため、マスター磁気メモリ５０には、基準データと逆の「反転データ」を書き込んでおく必要がある。従って、磁気転写装置３５には、反転データが書き込まれたマスター磁気メモリ５０が搬入される。
【００８５】
また、上記ＳＴ７の工程において、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０へデータをコピーする際に、マスター磁気メモリ５０のデータが書き変わらないように、マスター磁気メモリ５０の保持力を顧客磁気メモリ６０の保磁力よりも高く設定しておく必要がある。
【００８６】
以上のように、上記第２のデータ複写装置を用いて第２のデータ複写方法による磁気転写を行えば、第１のデータ複写方法による場合と同様の効果を得ることができる。
【００８７】
さらに、第２のデータ転写方法によれば、データをダウンロードしマスター磁気メモリ５０に書き込む必要がないため、管理者の作業負担を軽減できる。
【００８８】
３．データ複写プログラム及び記録媒体
図１１及び図１２に示すように、上記第１及び第２のデータ複写装置３１ａ、３０ｂは、例えば磁気ディスク等の記録媒体３７に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されるコンピュータによっても実現可能である。
【００８９】
すなわち、上述した第１及び第２のデータ複写方法は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、例えば磁気ディスク（フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等）、半導体メモリ等の記録媒体３７に書き込んで各種装置に適用したり、通信媒体により伝送して各種装置に適用したりすることが可能である。
【００９０】
そして、上記第１及び第２のデータ複写方法を実現するコンピュータは、記録媒体３７に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されることにより、上述した第１及び第２のデータ複写方法の各処理を実行することが可能である。
【００９１】
尚、記録媒体３７に記録されたプログラムは、上述した第１及び第２のデータ複写方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであるが、必ずしもこの記録媒体３７に記録されている必要はない。
【００９２】
４．パッケージ磁気メモリ
磁気メモリのチップは、従来からある他の半導体メモリと同様に、パッケージに封入されることが予想される。そこで、ここでは、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０をパッケージングした構造について説明する。
【００９３】
（１）基本構造
図１３は、パッケージされた磁気メモリの磁気転写の基本構造図を示す。
【００９４】
図１３に示すように、マスター磁気メモリ５０がパッケージ７１に封止され、マスターモジュール７０が形成されている。このマスターモジュール７０のパッケージ７１の表面には磁気転写を行うための開口部７２が設けられ、この開口部７２にはスライド式に開閉する蓋部７３が設けられている。
【００９５】
同様に、顧客磁気メモリ６０がパッケージ８１に封止され、顧客モジュール８０が形成されている。この顧客モジュール８０のパッケージ８１の表面には磁気転写を行うための開口部８２が設けられ、この開口部８２にはスライド式に開閉する蓋部８３が設けられている。
【００９６】
このようなマスターモジュール７０及び顧客モジュール８０において、パッケージ７１，８１の開口部７２，８２は、図１４に示すように、少なくともマスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０のメモリ部（ＭＴＪ素子部）よりも大きく形成されている。また、パッケージ７１，８１の開口部７２，８２は、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０の表面積よりも小さく形成することが望ましい。
【００９７】
また、パッケージ７１，８１及び蓋部７３，８３は、データの信頼性確保のために、磁気に対するシールドの役割を備えるとよい。従って、パッケージ７１，８１及び蓋部７３，８３は、例えば磁性体金属合金のような磁気シールド材で形成されている。
【００９８】
尚、パッケージ７１，８１は、図１５に示すように、ドア式に開閉する蓋部７３’，８３’であってもよい。
【００９９】
また、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０は、図１６に示すように、カード式のパッケージ７１’，８１’に封止されてもよい。
【０１００】
また、パッケージ７１，８１の開口部７２，８２の形状や、蓋部７３，８３の形状は、図示した形状に限定されず、種々変更することが可能である。
【０１０１】
上述した第１及び第２のデータ複写方法における磁気転写は、このようにパッケージされたマスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０を用いて、次のように行われる。
【０１０２】
まず、データ複写装置３１ａ，３０ｂには、マスター磁気メモリ５０がパッケージングされたマスターモジュール７０が納められている。そして、データ複写装置３１ａ，３０ｂに、顧客磁気メモリ６０がパッケージングされた顧客モジュール８０が挿入される。
【０１０３】
そして、この顧客モジュール８０の蓋部８３とマスターモジュール７０の蓋部７３とが開けられ、顧客磁気メモリ６０のメモリ部（ＭＴＪ素子部）とマスター磁気メモリ５０のメモリ部（ＭＴＪ素子部）とがそれぞれ露出される。
【０１０４】
そして、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とが近づけられ、これらメモリ部同士を合わせることで磁気転写が起こり、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０へデータが転送される。
【０１０５】
また、磁気転写後は、顧客モジュール８０の蓋部８３及びマスターモジュール７０の蓋部７３は、開口部７２，８２を覆うように閉じられる。
【０１０６】
ここで、上述したように磁気転写を行うと、データ転送時にデータが反転するため、マスター磁気メモリ５０に書き込んでおくデータは、反転データにしておく必要がある。さらに、磁気転写時にマスター磁気メモリ５０側の磁化が反転しないように、マスター磁気メモリ５０の保磁力を顧客磁気メモリ６０よりも高くしておく必要もある。
【０１０７】
尚、磁気転写では、マスターモジュール７０のパッケージ７１と顧客モジュール８０のパッケージ８１との位置を合わせてデータを転写するため、この位置合わせの精度を高める必要がある。従って、マスターモジュール７０及び顧客モジュール８０のパッケージ７１，８１に、位置合わせ用のマークなどをそれぞれ設けておくとよい。
【０１０８】
また、マスターモジュール７０は、顧客モジュール８０と違って、指定区域内（例えばデータ複写装置内）に固定されて持ち歩かれる機会が無い場合が多い。このような場合、マスター磁気メモリ５０は、パッケージ７１に封止されている必要はない。
【０１０９】
（２）変形例１
上記４（１）のモジュールの基本構造では、磁気転写時にパッケージの蓋を開け、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とを近づけるだけであったが、磁気転写の精度を高めるには両者のメモリ部をできるだけ近づけた方がよい。
【０１１０】
そこで、変形例１では、磁気転写時に、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とをできるだけ近づけるために、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０のパッケージ構造に凹凸を設けている。
【０１１１】
つまり、図１７（ａ）に示すように、マスターモジュール７０において、マスター磁気メモリ５０は、平坦な皿部７４に搭載され、かつ凸形状の蓋部７５で封止されている。従って、マスター磁気メモリ５０は、蓋部７５を開けた際には、皿部７４よりも突出することになる。
【０１１２】
一方、図１７（ｂ）に示すように、顧客磁気メモリ６０は、凹形状の皿部８４に搭載され、かつ平坦な蓋部８５で封止されている。従って、顧客磁気メモリ６０は、蓋部８５を開けた際には、皿部８４内に入り込んでいることになる。
【０１１３】
このようなパッケージ構造では、図１８に示すように、磁気転写時に、皿部７４の表面よりも突出したマスター磁気メモリ５０が、皿部８４の表面よりも窪んだ顧客磁気メモリ６０の窪みに入り込むため、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とを非常に近づけることができる。
【０１１４】
尚、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０のパッケージ構造を入れ替えてもよい。つまり、マスター磁気メモリ５０では、皿部７４を凹形状にし、蓋部７５を平坦形状にした構造を採用し、顧客磁気メモリ６０では、皿部８４を平坦形状にし、蓋部８５を凸形状にした構造を採用してもよい。
【０１１５】
（３）変形例２
変形例２は、磁気転写時に、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とをできるだけ近づけるために、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０の少なくとも一方がパッケージから突出するように、皿部が上下に可動するようになっている。
【０１１６】
図１９（ａ）に示すように、顧客モジュール８０において、顧客磁気メモリ６０は、凹形状の皿部８４’に搭載され、かつ平坦な蓋部８５で封止されている。従って、蓋部８５を閉めた平常時、顧客磁気メモリ６０は、皿部８４’内に入り込んでいる。
【０１１７】
そして、蓋部８５を開けた磁気転写時は、図１９（ｂ）に示すように、顧客磁気メモリ６０が皿部８４’から突出するように、皿部８４’が上に動くように可動式になっている。
【０１１８】
尚、蓋部８５を閉める磁気転写後には、顧客磁気メモリ６０が皿部８４’に入り込んで蓋部８５が閉められるように、皿部８４’が下にも動くようになっている。
【０１１９】
このような顧客モジュール８０にデータ転送を行う場合、例えば、凹形状の皿部７４と平坦な蓋部７５とを有するマスターモジュール７０を用いたときは、図２０に示すように、顧客モジュール８０の皿部８４’が持ち上げられ、この皿部８４’の周囲よりも顧客磁気メモリ６０が突出され、この突出した顧客磁気メモリ６０が皿部７４の表面よりも窪んだマスターモジュール７０の空間に入り込む。このため、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とを非常に近づけることができる。
【０１２０】
尚、顧客モジュール８０の皿部８４’を可動式にする代わりに、マスターモジュール７０の皿部７４を可動式にしてもよい。
【０１２１】
また、図２１に示すように、顧客モジュール８０とマスターモジュール７０との両方の皿部７４’，８４’を可動式にしてもよい。
【０１２２】
５．マスター磁気メモリ
ここでは、磁気転写を行うためのマスター磁気メモリ５０の具体的な４つの構造例について説明する。
【０１２３】
（１）第１の構造
第１の構造は、上記第１のデータ複写方法を用いて磁気転写を行う場合に使用されるマスター磁気メモリ５０の構造である。
【０１２４】
つまり、上記第１のデータ複写方法では、データをインターネット等でダウンロードし、このダウンロードしたデータをマスター磁気メモリ５０に書き込まなければならない。従って、マスター磁気メモリ５０は書き込み可能な構造にしておく必要がある。
【０１２５】
そこで、第１の構造では、従来と同様に書き込み配線は備え、かつ、最上層のパッシベーション膜や上層の書き込み配線を薄くすることで、磁気転写がし易い構造となっている。
【０１２６】
具体的には、図２２に示すように、第１の書き込み配線（書き込みワード線）ＷＬ１と第２の書き込み配線（読み出し／書き込みビット線）ＷＬ２とが互いに直交するように延在され、これら第１の書き込み配線ＷＬ１と第２の書き込み配線ＷＬ２の交点にＭＴＪ素子１０が配置されている。このＭＴＪ素子１０は、下部金属層５１ａ、コンタクト５２ａ、５２ｂ、５２ｃ及び配線５１ｂ、５１ｃを介して、読み出し用のスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴに接続されている。このＭＯＳＦＥＴのゲート電極が読み出し配線ＲＬ（読み出しワード線）となる。また、第２の書き込み配線ＷＬ２上にはパッシベーション膜５３が形成されている。
【０１２７】
ここで、上層の書き込み配線である第２の書き込み配線ＷＬ２は、通常の書き込み配線（例えば第１の書き込み配線ＷＬ１）よりも薄く形成されている。ここで、第１の書き込み配線ＷＬ１は、例えば、４００ｎｍ程度である。
【０１２８】
また、チップの最上層に位置するパッシベーション膜５３は、例えば、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜や、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜とからなる薄い積層膜で形成されている。このパッシベーション膜５３は、第１の書き込み配線ＷＬ１より薄くなっている。
【０１２９】
また、ＭＴＪ素子１０は、固着層１１と、自由層（記録層）１３と、トンネル絶縁膜１２とからなる。ここで、磁気転写し易くなるように、自由層１３をチップの表面側に配置するとよい。
【０１３０】
このような第１の構造では、書き込み配線ＷＬ１，ＷＬ２に電流を流し、この電流によって発生した合成磁場により、ＭＴＪ素子１０の自由層１３の磁化を反転させるか、又は反転させない。これにより、ＭＴＪ素子１０にデータが書き込まれる。ここで、ＭＴＪ素子１０に書き込まれるデータは、顧客磁気メモリ６０に記憶させたいデータの反転データとなっている。
【０１３１】
以上のように、マスター磁気メモリ５０の第１の構造によれば、次のような効果を得ることができる。
【０１３２】
従来のＭＲＡＭ構造では、図４５に示すように、書き込み配線ＷＬ２上にパッシベーション膜９４が形成された場合、パッシベーション膜９４の膜厚Ｙは、６０００Åのシリコン窒化膜と３０００ÅのＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜と下地とで構成されるため、９０００Å程度になる。また、書き込み電流を流すために、書き込み配線ＷＬ２は、書き込み配線ＷＬ１と同じ程度の厚い配線となっている。従って、ＭＴＪ素子９０上に厚いパッシベーション膜９４と厚い書き込み配線ＷＬ２が形成されているため、この状態で他のＭＲＡＭを近づけたとしても、磁気転写を行うことは困難である。
【０１３３】
これに対し、第１の構造では、第２の書き込み配線ＷＬ２やパッシベーション膜５３が薄くなっているため、チップの表面から下部金属層５１ａの表面までの距離Ｘ、すなわちＭＴＪ素子１０、第２の書き込み配線ＷＬ２及びパッシベーション膜５３の合計膜厚は５０ｎｍ以下になっている。従って、通常のＭＲＡＭよりもＭＴＪ素子１０がチップ表面に近づいた構造となっているため、磁気転写が可能な構造になっている。
【０１３４】
尚、第１の構造における第２の書き込み配線ＷＬ２は、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０に書き込みができる程度の薄さになっている。また、マスター磁気メモリ５０は、顧客磁気メモリ６０より保磁力を大きくしてある。
【０１３５】
（２）第２の構造
第２の構造は、第１の構造と同様で、上記第１のデータ複写方法を用いて磁気転写を行う場合に使用されるマスター磁気メモリ５０の構造である。また、第２の構造は、マスター磁気メモリ５０がパッケージに封止される場合の構造である。
【０１３６】
この第２の構造は、第１の構造よりもさらに磁気転写がし易くなるように、上層の書き込み配線ＷＬ２を、マスター磁気メモリ５０側ではなくパッケージの蓋部側に形成している。
【０１３７】
具体的には、図２３に示すように、マスター磁気メモリ５０は開口部７２を備えたパッケージ７１に封止され、開口部７２にはスライド式の蓋部７３が設けられている。この蓋部７３には書き込み配線ＷＬ２が形成されている。
【０１３８】
この書き込み配線ＷＬ２は、図２４に示すように、ＭＴＪ素子１０の上方に位置するように形成されており、ＭＴＪ素子１０の下方には書き込み配線ＷＬ１が配置されている。また、ＭＴＪ素子１０上には、第１の構造と同様に、書き込み配線ＷＬ１よりも薄いパッシベーション膜（例えばＤＬＣ膜）５３が形成されている。従って、チップの表面から下部金属層５１ａの表面までの距離Ｘ、すなわちＭＴＪ素子１０及びパッシベーション膜５３の合計膜厚は５０ｎｍ以下になっている。
【０１３９】
ここで、パッケージ７１の開口部７２は、図１４に示すように、少なくともマスター磁気メモリ５０のメモリ部（ＭＴＪ素子１０部）よりも大きく形成されている。また、パッケージ７１の開口部７２は、マスター磁気メモリ５０の表面積よりも小さく形成することが望ましい。
【０１４０】
また、パッケージ７１及び蓋部７３は、データの信頼性確保のために、磁気に対するシールドの役割を備えるとよい。従って、パッケージ７１及び蓋部７３は、例えば磁性体金属合金のような磁気シールド材で形成されている。
【０１４１】
尚、パッケージ７１は、図１５に示すように、ドア式に開閉する蓋部７３’であってもよい。
【０１４２】
このような第２の構造では、例えばダウンロードしてきたデータをマスター磁気メモリ５０に書き込む場合は、パッケージ７１の蓋部７３を閉め、２本の書き込み配線ＷＬ１、ＷＬ２でＭＴＪ素子１０を挟み込んだ構造にする。そして、書き込み配線ＷＬ１，ＷＬ２に電流を流し、この電流によって発生した合成磁場により、ＭＴＪ素子１０の自由層１３の磁化を反転させるか、又は反転させない。これにより、ＭＴＪ素子１０にデータが書き込まれる。ここで、ＭＴＪ素子１０に書き込まれるデータは、顧客磁気メモリ６０に記憶させたいデータの反転データとなっている。
【０１４３】
一方、ＭＴＪ素子１０に書き込まれたデータを顧客磁気メモリ６０に磁気転写する場合は、パッケージ７１の蓋部７３を開け、書き込み配線ＷＬ２をＭＴＪ素子１０の上方から無くし、磁気転写をし易い構造にする。
【０１４４】
以上のように、第２の構造によれば、書き込み配線ＷＬ２をパッケージ７１の蓋部７３に形成することで、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０上に書き込み配線を形成する必要がなくなる。このため、第１の構造よりも、書き込み配線ＷＬ２分だけ、さらにＭＴＪ素子１０がチップ表面に近づいた構造となっているため、磁気転写の効率をさらに向上させることができる。
【０１４５】
さらに、磁気転写時には書き込み配線ＷＬ２を備えた蓋部７３を開くため、磁気転写時にＭＴＪ素子１０の上方に書き込み配線ＷＬ２は存在しない。従って、書き込み配線ＷＬ２は、第１の構造のように薄く形成する必要がなく、書き込み配線ＷＬ１と同じ程度太く形成してもよい。このため、マスター磁気メモリ５０へのデータの書き込みの際、第１の構造よりも、書き込み配線ＷＬ２に書き込み電流を多く流すことができる。
【０１４６】
尚、第２の構造では、書き込み配線ＷＬ２とＭＴＪ素子１０との位置合わせが正確に行えるように、パッケージに位置合わせ用のマークを設けるなど、デバイス設計に注意する必要がある。
【０１４７】
（３）第３の構造
第３の構造は、上記第２のデータ複写方法を用いて磁気転写を行う場合に使用されるマスター磁気メモリ５０の構造である。
【０１４８】
つまり、上記第２のデータ複写方法では、データをインターネット等でダウンロードせずに、マスター磁気メモリ５０の作製時に予めデータが書き込まれている。このため、データ複写装置に備える際、マスター磁気メモリ５０には、書き込み時に必要な書き込み配線などを備えておく必要はない。
【０１４９】
そこで、第３の構造では、マスター磁気メモリ５０の作製時には通常のＭＲＡＭを作製し、このマスター磁気メモリ５０にデータが書き込まれた後、最上層の書き込み配線ＷＬ２を削除して、ＲＯＭ形式に加工されている。ここで、ＭＴＪ素子１０に書き込まれるデータは、顧客磁気メモリ６０に記憶させたいデータの反転データとなっている。
【０１５０】
具体的には、図２５に示すように、最上層の書き込み配線ＷＬ２を除去した後、ＭＴＪ素子１０上に書き込み配線ＷＬ１よりも薄いパッシベーション膜（例えばＤＬＣ膜）５３が形成されるだけであるため、ＭＴＪ素子１０上にはパッシベーション膜５３しか存在しない。また、ＭＴＪ素子１０の下方には書き込み配線ＷＬ１は残ったままである。
【０１５１】
そして、パッシベーション膜５３が薄くなっているため、チップの表面から下部金属層５１ａの表面までの距離Ｘ、すなわちＭＴＪ素子１０及びパッシベーション膜５３の合計膜厚は５０ｎｍ以下になっている。
【０１５２】
以上のように、第３の構造によれば、マスター磁気メモリ５０にデータを書き込んだ後に上層の書き込み配線ＷＬ２を削除することで、磁気転写時に書き込み配線ＷＬ２が存在しない。このため、第１の構造よりも、さらにＭＴＪ素子１０がチップ表面に近づいた構造となっているため、磁気転写の効率をさらに向上させることができる。
【０１５３】
さらに、書き込み配線ＷＬ２は、磁気転写前には削除するため、第１の構造のように薄く形成する必要がなく、書き込み配線ＷＬ１と同じ程度太く形成してもよい。このため、マスター磁気メモリ５０へのデータの書き込みの際、第１の構造よりも、書き込み配線ＷＬ２に書き込み電流を多く流すことができる。
【０１５４】
（４）第４の構造
第４の構造は、第３の構造と同様で、上記第２のデータ複写方法を用いて磁気転写を行う場合に使用されるマスター磁気メモリ５０の構造である。
【０１５５】
つまり、第４の構造では、ＲＯＭ形式のマスター磁気メモリ５０でよく、書き込み及び読み出しに必要な配線や素子などは設けられずに、データの書き込まれた磁性膜が並べられただけの構造になっている。
【０１５６】
具体的には、図２６に示すように、例えばＴＥＯＳ膜やＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｓｐｉｎ Ｇｌａｓｓ）膜等のような層間絶縁膜５４内に複数の磁性膜５５が配置され、この磁性膜５５上には薄いパッシベーション膜（例えばＤＬＣ膜）５３が形成されている。そして、磁性膜５５に磁性をかけることで、データが書き込まれている。この書き込みは、マスクによる光励起又は直描の励起により、磁性膜５５に直接行われる。そして、ＭＴＪ素子１０に書き込まれるデータは、顧客磁気メモリ６０に記憶させたいデータの反転データとなっている。
【０１５７】
ここで、磁性膜５５は、ＭＴＪ素子１０の固定層１１及び自由層１３と同様、例えばＮｉＦｅなどの磁性材で形成される。尚、ＭＴＪ素子１０の材料等については後に説明する。
【０１５８】
以上のように、第４の構造によれば、データの書き込まれた磁性膜５５を用いて磁気転写するため、書き込み配線などが磁性膜５５上に存在しない。このため、第１の構造よりも、さらにＭＴＪ素子１０がチップ表面に近づいた構造となっているため、磁気転写の効率をさらに向上させることができる。
【０１５９】
尚、上記のような磁性膜５５への書き込みは、ＭＲＡＭの電流磁界による書き込みなどと比べて、長時間かかる可能性があるが、顧客側が行う作業ではないため、転送時間の短縮に悪影響を及ぼすことはない。
【０１６０】
６．顧客磁気メモリ
（１）顧客磁気メモリの構造
ここでは、磁気転写を行うための顧客磁気メモリ６０の具体的な構造例について説明する。
【０１６１】
顧客磁気メモリ６０では、データの書き込みは、マスター磁気メモリ５０からの磁気転写によって行われる。従って、顧客磁気メモリ６０には書き込み配線等を設ける必要がない。従って、顧客磁気メモリ６０は、少なくともデータの読み出しが可能な構造になっていればよい。
【０１６２】
具体的には、図２７に示すように、ＭＴＪ素子２０が、コンタクト５２ａ、５２ｂ、５２ｃや配線５１ｂ、５１ｃを介して、読み出し用のスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴに接続されている。このＭＯＳＦＥＴのゲート電極は読み出し配線ＲＬ１となる。また、ＭＴＪ素子２０上には読み出し配線ＲＬ２が一層形成され、この読み出し配線ＲＬ２上にはパッシベーション（例えばＤＬＣ膜）膜５３が形成されている。読み出し配線ＲＬ２の下にはコンタクト５２ｄ、５２ｅ及び配線５１ｄが設けられ、配線５１ｄにはセンスアンプ（図示せず）等が接続され、データ読み出しが可能になっている。
【０１６３】
ここで、ＭＴＪ素子２０の下面からパッシベーション膜の表面までの距離、すなわちＭＴＪ素子２０、読み出し配線ＲＬ２及びパッシベーション膜５３の合計膜厚Ｘは、非常に薄くなっている。これは、磁気転写を行う場合、この距離Ｘが近くないと転写が行われないからである。現在の状況では、この距離Ｘは５０ｎｍ以下が望ましい。
【０１６４】
また、読み出し配線ＲＬ２より下方に位置する配線５１ｄは、通常の配線の太さで形成されており、読み出し配線ＲＬ２より太くなっている。
【０１６５】
以上のように、顧客磁気メモリ６０の構造では、ＭＴＪ素子２０の上下に書き込み配線が存在せず、読み出し配線ＲＬのみとなっており、通常のＭＲＡＭよりも、ＭＴＪ素子２０がチップ表面に近づけてある。従って、磁気転写が可能な構造となっている。そして、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０には、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の反転データが磁気転写される。
【０１６６】
尚、顧客磁気メモリ６０では、磁気転写が可能であれば、書き込み配線が存在しても構わない。
【０１６７】
また、顧客磁気メモリ６０は、図２７に示す構造に限定されない。例えば、上述したマスター磁気メモリ５０の第１乃至第３の構造は、マスター磁気メモリ５０だけでなく、顧客磁気メモリ６０にも使用することができる。但し、この場合、顧客磁気メモリ６０よりもマスター磁気メモリ５０の保持力が大きくなるように、両者の保磁力の差を調整する必要がある。
【０１６８】
（２）顧客磁気メモリへの磁気転写時期の応用
上述するように、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０への磁気転写は、図４に示す第１のデータ複写装置３１ａ又は図８に示す第２のデータ複写装置３０ｂを用いて行われる。このような磁気転写においては、最終構造まで完成して例えばパッケージングされた状態の顧客磁気メモリ６０が使用されている。
【０１６９】
しかし、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０への磁気転写は、顧客磁気メモリ６０の製造工程中に行われてもよい。
【０１７０】
つまり、顧客磁気メモリ６０において、ＭＴＪ素子２０をパターンニングし、このＭＴＪ素子２０の周囲を絶縁膜で埋め込んだ後の状態で、マスター磁気メモリ５０を近づけて磁気転写を行ってもよい。そして、磁気転写により顧客磁気メモリ６０へのデータの書き込みが終了した後、コンタクト５２ｄ、読み出し配線ＲＬ２及びパッシベーション膜５２等を形成し、データの書き込まれた顧客磁気メモリ６０を顧客へ販売する。
【０１７１】
以上のように、顧客磁気メモリ６０の製造途中（ＭＴＪ素子形成後）に磁気転写を行う場合は、ＭＴＪ素子２０をマスター磁気メモリ５０により近づけることができるため、最終構造まで完成した後に磁気転写する場合と比べて、顧客磁気メモリ６０への磁気転写がし易くなる。
【０１７２】
尚、このように顧客磁気メモリ６０の製造途中に磁気転写を行う場合は、上記第１及び第２のデータ複写装置３１ａ，３１ｂは使用されない。
【０１７３】
７．ＭＴＪ素子
次に、ＭＴＪ素子の構造について説明する。
【０１７４】
ＭＴＪ素子１０は、磁化の向きが固定された固定層（磁性層）１１と、トンネル絶縁膜（非磁性層）１２と、磁化の向きが反転する自由層（磁性層）１３との３層で構成されている。
【０１７５】
ＭＴＪ素子１０は、例えば長方形状となっている。そして、長方形状の長手方向が磁化容易軸方向となり、長手方向に垂直な方向が磁化困難軸方向となる。ＭＴＪ素子１０の磁化容易軸は、データ書き込み時に磁化を反転させるために、書き込むデータに応じて電流の向きを変えられるように両方向に電流が流れる書き込み配線の延在方向に対して垂直な方向に向けられている。
【０１７６】
例えば、図２２のマスター磁気メモリ５０において、書き込み電流を両方向に流すことができるのは第２の書き込み配線ＷＬ２であるとすると、ＭＴＪ素子１０の磁化容易軸は、第２の書き込み配線ＷＬ２の延在方向に対して垂直な方向、即ち第１の書き込み配線ＷＬ１の延在方向に向けられている。
【０１７７】
尚、ＭＴＪ素子１０は、１層のトンネル絶縁膜１２からなる１重トンネル接合構造であっても、２層のトンネル絶縁膜１２からなる２重トンネル接合構造であってもよい。
【０１７８】
以下、１重トンネル接合構造や２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０の例について説明する。
【０１７９】
（１）１重トンネル接合構造
図２８（ａ）に示す１重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、下地接点層（下地電極層）１０１、バッファ層（例えば強磁性層）１０２、反強磁性層１０３、強磁性層１０４が順に積層された固定層１１と、この固定層１１上に形成されたトンネル絶縁膜１２と、このトンネル絶縁膜１２上に自由強磁性層１０５、接点層１０６が順に積層された自由層１３とからなる。
【０１８０】
図２８（ｂ）に示す１重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、下地接点層１０１、バッファ層１０２、反強磁性層１０３、強磁性層１０４’、非磁性層１０７、強磁性層１０４”が順に積層された固定層１１と、この固定層１１上に形成されたトンネル絶縁膜１２と、このトンネル絶縁膜１２上に強磁性層１０５’、非磁性層１０７、強磁性層１０５”、接点層１０６が順に積層された自由層１３とからなる。
【０１８１】
尚、図２８（ｂ）に示すＭＴＪ素子１０では、固定層１１内の強磁性層１０４’、非磁性層１０７、強磁性層１０４”からなる３層構造と、自由層１３内の強磁性層１０５’、非磁性層１０７、強磁性層１０５”からなる３層構造とを導入することで、図２８（ａ）に示すＭＴＪ素子１０よりも、強磁性内部の磁極の発生を抑制し、より微細化に適したセル構造が提供できる。
【０１８２】
（２）２重トンネル接合構造
図２９（ａ）に示す２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、下地接点層１０１、バッファ層１０２、反強磁性層１０３、強磁性層１０４が順に積層された第１の固定層１１ａと、この第１の固定層１１ａ上に形成された第１のトンネル絶縁膜１２ａと、この第１のトンネル絶縁膜１２ａ上に形成された自由層１３と、この自由層１３上に形成された第２のトンネル絶縁膜１２ｂと、この第２のトンネル絶縁膜１２ｂ上に強磁性層１０４、反強磁性層１０３、バッファ層１０２、接点層１０６が順に積層された第２の固定層１１ｂとからなる。
【０１８３】
図２９（ｂ）に示す２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、下地接点層１０１、バッファ層１０２、反強磁性層１０３、強磁性層１０４が順に積層され第１の固定層１１ａと、この第１の固定層１１ａ上に形成された第１のトンネル絶縁膜１２ａと、この第１のトンネル絶縁膜１２ａ上に強磁性層１３’、非磁性層１０７、強磁性層１３”の３層構造によって順に積層された自由層１３と、この自由層１３上に形成された第２のトンネル絶縁膜１２ｂと、この第２のトンネル絶縁膜１２ｂ上に強磁性層１０４’、非磁性層１０７、強磁性層１０４”、反強磁性層１０３、バッファ層１０２、接点層１０６が順に積層された第２の固定層１１ｂとからなる。
【０１８４】
尚、図２９（ｂ）に示すＭＴＪ素子１０では、自由層１３を構成する強磁性層１３’、非磁性層１０７、強磁性層１３”の３層構造と、第２の固定層１１ｂ内の強磁性層１０４’、非磁性層１０７、強磁性層１０４”からなる３層構造とを導入することで、図２９（ａ）に示すＭＴＪ素子１０よりも、強磁性内部の磁極の発生を抑制し、より微細化に適したセル構造が提供できる。
【０１８５】
このような２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、１重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０よりも、同じ外部バイアスを印加したときのＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）比（“１”状態、“０”状態の抵抗の変化率）の劣化が少なく、より高いバイアスで動作できる。すなわち、２重トンネル接合構造は、セル内の情報を読み出す際に有利となる。
【０１８６】
（３）ＭＴＪ素子の材料
上記１重トンネル接合構造又は２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、例えば以下の材料を用いて形成される。
【０１８７】
固定層１１、１１ａ、１１ｂ及び自由層１３の材料には、例えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はそれらの合金、スピン分極率の大きいマグネタイト、ＣｒＯ２ ，ＲＸＭｎＯ３−ｙ （Ｒ；希土類、Ｘ；Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ）などの酸化物の他、ＮｉＭｎＳｂ，ＰｔＭｎＳｂなどのホイスラー合金などを用いることが好ましい。また、これら磁性体には、強磁性を失わないかぎり、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂなどの非磁性元素が多少含まれていてもよい。
【０１８８】
固定層１１、１１ａ、１１ｂの一部を構成する反強磁性層１０３の材料には、Ｆｅ−Ｍｎ，Ｐｔ−Ｍｎ，Ｐｔ−Ｃｒ−Ｍｎ，Ｎｉ−Ｍｎ，Ｉｒ−Ｍｎ，ＮｉＯ，Ｆｅ２ Ｏ３ などを用いることが好ましい。
【０１８９】
トンネル絶縁膜１２、１２ａ、１２ｂの材料には、Ａｌ２ Ｏ３ ，ＳｉＯ２ ，ＭｇＯ，ＡｌＮ，Ｂｉ２ Ｏ３ ，ＭｇＦ２ ，ＣａＦ２ ，ＳｒＴｉＯ２ ，ＡｌＬａＯ３ などの様々な誘電体を使用することができる。これらの誘電体には、酸素、窒素、フッ素欠損が存在していてもよい。
【０１９０】
尚、以上のようなＭＴＪ素子１０の固定層１１及び自由層１３の材料は、マスター磁気メモリ５０の第４の構造（図２４参照）で説明した磁性膜５５の材料としても使用できる。
【０１９１】
（４）マスター磁気メモリと顧客磁気メモリのＭＴＪ素子の違い
上記７（１）乃至（３）では、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０を例にあげて説明したが、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０にも適用することは可能である。
【０１９２】
但し、マスター磁気メモリ５０は、顧客磁気メモリ６０よりも保持力が大きくなくてはならない。これは、上記磁気転写の原理でも述べたように、マスター磁気メモリ５０の保持力を、顧客磁気メモリ６０の保持力よりも大きくすることで、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の自由層２３の磁性を、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の自由層１３の磁性とは逆向きに反転でき、磁気転写、すなわちデータの書き込みが実現できるからである。
【０１９３】
従って、マスター磁気メモリ５０の保持力を顧客磁気メモリ６０の保持力よりも大きくするために、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子１０，２０の構造には、例えば次のような違いを持たせるとよい。
【０１９４】
例えば、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の表面積を、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の表面積よりも大きくするとよい。
【０１９５】
また、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の表面積のアスペクト比を、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０のアスペクト比よりも大きくするとよい。ここで、アスペクト比は、ＭＴＪ素子１０，２０の容易軸方向と困難軸方向との比である。
【０１９６】
また、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０における自由層１３の膜厚を、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０における自由層２３の膜厚よりも厚くするとよい。
【０１９７】
（５）マスター磁気メモリと顧客磁気メモリのＭＴＪ素子の位置関係
ここでは、磁気転写の際、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃとの位置関係を説明する。
【０１９８】
図３０に示すように、例えば、マスター磁気メモリ５０内にＭＴＪ素子１０が設けられ、顧客磁気メモリ６０内にＭＴＪ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃが設けられているとする。そして、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０のデータを、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０ｂに転写する場合、以下の式（１）の関係を満たすような位置関係が望ましい。
【０１９９】
Ｘ≦１／２Ｙ…（１）
ここで、「Ｘ」は、ＭＴＪ素子１０とＭＴＪ素子２０ｂとの距離を表している。また、「Ｙ」は、ＭＴＪ素子２０ａとＭＴＪ素子２０ｂとの距離、及びＭＴＪ素子２０ａとＭＴＪ素子２０ｃとの距離をそれぞれ表している。
【０２００】
このように、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、ＭＴＪ素子１０との距離Ｘよりも２倍以上離間させるとよい。これは、ＭＴＪ素子２０ｂにデータを磁気転写する際、このＭＴＪ素子２０ｂに隣り合うＭＴＪ素子２０ａ，２０ｃに誤ってデータ転写が起こることを抑制するためである。
【０２０１】
８．マスター磁気メモリ及び顧客磁気メモリの合わせマーク
上述するように、マスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０に磁気転写する前には、位置合わせが行われる。この位置合わせでは、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の自由層１３と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の自由層２３とが対向するように、両者が近づけられる。ここで、精度よく位置合わせを行うためには、以下のような合わせマーク技術を用いるとよい。
【０２０２】
尚、ここでは、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０をカード式のパッケージに収納された場合を例にあげるが、勿論、このカード式のパッケージに限定されない。
【０２０３】
（１）第１の合わせマーク例
第１の合わせマーク例は、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０を収納するパッケージに合わせマークをいれるものである。
【０２０４】
図３１に示すように、マスター磁気メモリ５０が封止されたパッケージ７１’の外枠のコーナー部には、リソグラフィ用のマークのような合わせマーク７７が入れられている。この合わせマーク７７は、ＸＹ方向のマークがあり、パッケージ７１’の外枠で入れられる領域があれば、どの領域に設けてもよいし、またいくつ設けてもよい。尚、顧客磁気メモリ６０を収納するパッケージにも、同様に、合わせマークを入れる（図３２参照）。
【０２０５】
この第１の合わせマーク例の場合、図３２に示すように、マスターモジュール７０のパッケージ７１’及び顧客モジュール８０のパッケージ８１’の一方を透明にすることで、重なりの合わせずれを検査する。
【０２０６】
上記第１の合わせマーク例によれば、広い面積で合わせが検査でき、蓋部７３の閉時でも合わせ検査が可能である。但し、磁気メモリとパッケージマークが間接的な合わせになるため、後述する第２の合わせマーク例に比べて精度的には多少劣る。
【０２０７】
（２）第２の合わせマーク例
第２の合わせマーク例は、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０のチップ上に合わせマークをいれるものである。尚、ここでは、マスターモジュール７０を例にあげるが、顧客モジュール８０も同様の構造になっている。
【０２０８】
図３３に示すように、マスター磁気メモリ５０のメモリ部（ＭＴＪ素子１０）のコーナー部には、磁性センサーの合わせマーク７８が入れられている。この合わせマーク７８は、メモリ部の外周で入れられる領域があれば、どの領域に設けてもよいし、またいくつ設けてもよい。また、合わせマーク７８は、ＭＴＪ素子１０と同じ階層に同時に形成され、ＭＴＪ素子と同じ材料からなる。
【０２０９】
この第２の合わせマーク例の場合、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０において、互いの磁性の向きを感知し、合わせ検査が行われる。
【０２１０】
上記第２の合わせマーク例によれば、合わせマーク７８とチップ内のＭＴＪ素子１０を同工程で形成することで、合わせマーク７８とＭＴＪ素子１０が直接的な位置合わせが可能あるため、合わせ精度が非常に高い。但し、合わせ検査の時期がチップの蓋部の開時及び密着時に限られ、上記第１の合わせマーク例に比べて利便性が多少劣る。
【０２１１】
（３）第３の合わせマーク例
第３の合わせマーク例は、第１の合わせマーク例と第２の合わせマーク例とを組み合わせたものであり、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０を収納するパッケージとマスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０のチップとに合わせマークをいれるものである。尚、ここでは、マスターモジュール７０を例にあげるが、顧客モジュール８０も同様の構造になっている。
【０２１２】
図３４に示すように、マスター磁気メモリ５０が封止されたパッケージ７１’の外枠のコーナー部には、リソグラフィ用のマークのような合わせマーク７７が入れられている。また、マスター磁気メモリ５０のメモリ部（ＭＴＪ素子１０）のコーナー部には、磁性センサーの合わせマーク７８が入れられている。詳細は、上記第１及び第２の合わせマーク例と同様である。
【０２１３】
この第３の合わせマーク例の場合、まず、パッケージ上の合わせマーク７７で大まかな合わせが行われ、その後、チップ上の合わせマーク７８で精密な合わせが行われる。
【０２１４】
上記第３の合わせマーク例によれば、大まかな合わせと精密な合わせの両方の検査を行うことができる。但し、合わせの工程が増えてしまうという難点はある。
【０２１５】
（４）合わせマークと蓋部との関係
上述する第１乃至第３の合わせマーク例において、合わせマークと蓋部とは次のような関係になる。尚、ここでは、第３の合わせマーク例を用いて説明するが、この例に限定されない。
【０２１６】
蓋部７３が閉じた状態の場合は、図３５（ａ）に示すように、蓋部７３によって合わせマーク７７，７８が覆われる。一方、蓋部７３が開いた状態の場合は、図３５（ｂ）に示すように、合わせマーク７７，７８は外部に露出される。
【０２１７】
尚、蓋部７３の閉時、メモリ部（ＭＴＪ素子１０）及びチップ上の合わせマーク７８は蓋部７３で覆われている方が望ましいが、パッケージ７１’上の合わせマーク７７は必ずしも蓋部７３で覆われている必要はない。
【０２１８】
９．磁気転写装置の構造
ここでは、上記データ複写装置３１ａ，３１ｂ内の磁気転写装置３５の構造について説明する。
【０２１９】
尚、ここでは、顧客モジュール８０が、磁気転写装置３５に挿入、はめ込み、スライド挿入される場合の磁気転写装置３５の構造を説明するが、これと同様に、マスターモジュール７０が、磁気転写装置３５に挿入、はめ込み、スライド挿等されるような構造に磁気転写装置３５を変形することも可能である。
【０２２０】
（１）挿入型
図３６，３７は、挿入型の磁気転写装置３５を示す。図３６，３７に示すように、磁気転写装置３５には、顧客モジュール８０を挿入するための挿入部１１１と、位置合わせのために顧客モジュール８０を指定位置に収納するためのストッパ部１１２とが設けられている。そして、磁気転写装置３５内にはマスターモジュール７０が設けられ、このマスターモジュール７０のデータは外部端子７６，１１３を介して書き換えられるようになっている。
【０２２１】
挿入型の場合、挿入部１１１から磁気転写装置３５内に顧客モジュール８０が挿入され、この顧客モジュール８０がストッパ部１１２で止まるまで押し込まれる。そして、顧客モジュール８０が指定位置に配置されると、マスターモジュール７０に記憶されたデータが顧客モジュール８０に転写される。
【０２２２】
（２）はめ込み型
図３８は、はめ込み型の磁気転写装置３５を示す。図３８に示すように、磁気転写装置３５には、顧客モジュール８０をはめ込むためのはめ込み部１１４と、位置合わせのために顧客モジュール８０を指定位置に収納するためのストッパ部１１２とが設けられている。
【０２２３】
はめ込み型の場合、ストッパ部１１２を目標に、はめ込み部１１４に顧客モジュール８０がはめ込まれる。そして、顧客モジュール８０が指定位置に配置されると、マスターモジュール７０に記憶されたデータが顧客モジュール８０に転写される。
【０２２４】
（３）スライド挿入型
図３９は、スライド挿入型の磁気転写装置３５を示す。図３９に示すように、ＣＤ−ＲＯＭドライブやＤＶＤドライブ等と同様に、磁気転写装置３５にスライド式の受け皿部１１５が設けられており、このスライド式の受け皿部１１５が図の矢印で示すように挿入部１１１から出し入れできるよう動作する。
【０２２５】
スライド挿入型の場合、受け皿部１１５をスライドさせて挿入部１１１から外に出し、この受け皿部１１５に顧客モジュール８０を載置する。その後、挿入部１１１から磁気転写装置３５内に顧客モジュール８０が挿入され、この顧客モジュール８０がストッパ部１１２で止まるまでスライドされる。そして、顧客モジュール８０が指定位置に配置されると、マスターモジュール７０に記憶されたデータが顧客モジュール８０に転写される。
【０２２６】
１０．磁気メモリカートリッジ及び駆動装置
ここでは、顧客磁気メモリ６０がカートリッジに収納された磁気メモリカートリッジと駆動装置について説明する。
【０２２７】
図４０は、磁気メモリカードカートリッジを示す。図４０に示すように、磁気メモリカートリッジ１２０は、画像、音楽等のコンテンツ情報を記憶する顧客磁気メモリ６０を収納するものである。この磁気メモリカートリッジ１２０は、ケース１３０と、シャッター１４０とを有する。
【０２２８】
ここで、ケース１３０は、顧客磁気メモリ６０を載置するための凹部１３０ａと、シャッター１４０が開閉する際のガイドとなるシャッターガイド１３０ｂと、シャッター１４０が閉じた状態の位置を決定するストッパ１３０ｃとからなる。また、ケース１３０は、例えばエポキシ系のモールド樹脂に磁性材料、例えば、ＭＦｅ２Ｏ４（Ｍ＝Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、等）を混合させたもので形成されている。
【０２２９】
また、シャッター１４０は、ケース１３０に取り付けられる際に凹部１３０ａを選択的に開閉する。このシャッター１４０は、係止片１４０ａである凸部を有している。また、シャッター１４０の内部には図示せぬ弾性体（例えばバネ）が設けられ、この弾性体により、ケース１３０に取り付けた際、開状態から閉状態に自動的に復帰するようになっている。また、シャッター１４０は磁気シールド効果を有する材料で形成されている。
【０２３０】
尚、マスター磁気メモリ５０も、顧客磁気メモリ６０と同様に、カートリッジに収納することも可能である。
【０２３１】
図４１は、駆動装置を示している。図４１に示すように、駆動装置１５０は、トレイ本体部１５１と、このトレイ本体部１５１に収納するようにスライドするトレイスライド部１５２と、トレイ本体部１５１を蓋するトレイ蓋部１５３とからなる。
【０２３２】
ここで、トレイ本体部１５１には、マスター磁気メモリ５０を載置する。また、トレイスライド部１５２には、顧客磁気メモリ６０が収納された磁気メモリカートリッジ１２０を搭載する。また、トレイ蓋部１５３の内面には、開放レバー１５３ａとバネ１５３ｂとが設けられている。
【０２３３】
このような駆動装置１５０を用いて、次のように磁気転写が行われる。まず、磁気メモリカートリッジ１２０をトレイスライド部１５２に搭載し、このトレイスライド部１５２をトレイ本体部１５１内に挿入する。これにより、トレイ蓋部１５３の開放レバー１５３ａの一端部がシャッター１４０の係止片１４０ａに引っかかり（図４２参照）、磁気メモリカートリッジ１２０のシャッター１４０を開放させる（図４３参照）。
【０２３４】
尚、バネ１５３ｂは、磁気メモリカートリッジ１２０を駆動装置１５０から取り出す時、開放レバー１５３ａを元の位置に復帰させる機能も有する。
【０２３５】
１１．その他
その他、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。
【０２３６】
（１）読み出し用のスイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴに限定されない。例えば、読み出し用のスイッチング素子は、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ（ＭＯＳトランジスタを含む）、ＭＥＳ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ、接合（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオード等でもよい。
【０２３７】
（２）マスター磁気メモリ及び顧客磁気メモリは、上記構造には限定されない。つまり、ＭＴＪ素子がチップ最上面に近づくような構造であれば、書き込み配線及び読み出し配線の配置は種々変更してもよく、読み出し用のスイッチング素子をなくしてもよい。
【０２３８】
（３）磁気抵抗効果素子は、ＭＴＪ素子に限定されない。例えば、磁気抵抗効果素子として、２つの磁性層とこれら磁性層に挟まれた導体層とからなるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子や、ペロブスカイト形Ｍｎ酸化物などによるＣＭＲ（Ｃｏｌｏｓｓａｌ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子などを用いることも可能である。
【０２３９】
さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【０２４０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、データの転送時間を短縮することが可能な磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係わる磁石を用いた磁気転写の原理を示す図。
【図２】本発明の一実施形態に係わる磁気メモリ（ＭＲＡＭ）を用いた磁気転写の原理を示す図。
【図３】本発明の一実施形態に係わるデータ複写システムを示す概略図。
【図４】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写装置を示す構成図。
【図５】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写装置の機能を示す図。
【図６】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写方法を示すフロー図。
【図７】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写装置を示す他の構成図。
【図８】本発明の一実施形態に係わる第２のデータ複写装置を示す構成図。
【図９】本発明の一実施形態に係わる第２のデータ複写装置の機能を示す図。
【図１０】本発明の一実施形態に係わる第２のデータ複写方法を示す図。
【図１１】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写方法を実現するためのプログラムが記憶された記憶媒体を示す図。
【図１２】本発明の一実施形態に係わる第２のデータ複写方法を実現するためのプログラムが記憶された記憶媒体を示す図。
【図１３】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた磁気メモリの基本構造を示す図。
【図１４】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた磁気メモリを示す上面図。
【図１５】本発明の一実施形態に係わるドア式蓋部を備えた磁気メモリを示す図。
【図１６】本発明の一実施形態に係わるカード式のパッケージングされた磁気メモリを示す図。
【図１７】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた変形例１の磁気メモリを示す図。
【図１８】図１７の変形例１の磁気メモリの磁気転写時の様子を示す図。
【図１９】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた変形例２の磁気メモリを示す図。
【図２０】図１９の変形例２の磁気メモリの磁気転写時の様子を示す図。
【図２１】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた変形例２の他の磁気メモリを示す図。
【図２２】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第１の構造を示す断面図。
【図２３】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第２の構造を示す斜視図。
【図２４】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第２の構造を示す断面図。
【図２５】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第３の構造を示す断面図。
【図２６】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第４の構造を示す断面図。
【図２７】本発明の一実施形態に係わる顧客磁気メモリの構造を示す断面図。
【図２８】本発明の一実施形態に係わる１重トンネル接合構造のＭＴＪ素子を示す断面図。
【図２９】本発明の一実施形態に係わる２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子を示す断面図。
【図３０】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリ及び顧客磁気メモリのＭＴＪ素子の位置関係を示す図。
【図３１】本発明の一実施形態に係わる第１の合わせマーク例を示す図。
【図３２】本発明の一実施形態に係わる第１の合わせマーク例による位置合わせを示す図。
【図３３】本発明の一実施形態に係わる第２の合わせマーク例を示す図。
【図３４】本発明の一実施形態に係わる第３の合わせマーク例を示す図。
【図３５】本発明の一実施形態に係わる合わせマークと蓋部との関係を示す図。
【図３６】本発明の一実施形態に係わる挿入型の磁気転写装置の平面図。
【図３７】本発明の一実施形態に係わる挿入型の磁気転写装置の断面図。
【図３８】本発明の一実施形態に係わるはめ込み型の磁気転写装置の断面図。
【図３９】本発明の一実施形態に係わるスライド挿入型の磁気転写装置の断面図。
【図４０】本発明の一実施形態に係わる磁気メモリカードカートリッジを示す図。
【図４１】本発明の一実施形態に係わる駆動装置を示す図。
【図４２】本発明の一実施形態に係わる駆動装置を用いて、磁気メモリカートリッジのシャッターが開く前の状態を示す図。
【図４３】本発明の一実施形態に係わる駆動装置を用いて磁気メモリカートリッジのシャッターが開いた後の状態を示す図。
【図４４】従来技術による記憶媒体のダウンロードに要する時間の比較表を示す図。
【図４５】従来技術による１トランジスタ＋１ＭＴＪ素子のＭＲＡＭの構造を示す断面図。
【符号の説明】
１０…マスター磁気メモリのＭＴＪ素子、１１，１１ａ，１１ｂ，２１…固定層、１２，１２ａ，１２ｂ，２２…トンネル接合層、１３，２３…自由層、２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ…顧客磁気メモリのＭＴＪ素子、３０…データ複写システム、３１ａ…第１のデータ複写装置、３１ｂ…第２のデータ複写装置、３２…通信制御装置、３３…ＣＰＵ、３３ａ…ダウンロード処理部、３３ｂ…記憶処理部、３３ｃ…磁気転写処理部、３４…記憶装置、３５…磁気転写装置、３５ａ，３８ａ…制御部、３６…入出力装置、３７…記録媒体、３８…書き込み装置、４０…サーバ、４１…データベース、５０…マスター磁気メモリ、５１ａ…下部金属層、５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ…配線、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，５２ｅ…コンタクト、５３…パッシベーション膜、５４…層間絶縁膜、５５…磁性膜、６０…顧客磁気メモリ、７０…マスターモジュール、７１，８１…パッケージ、７１’，８１’…カード式パッケージ、７２，８２…開口部、７３，８３…スライド式の蓋部、７３’，８３’…ドア式の蓋部、７４，８４…皿部、７５，８５…蓋部、７４’，８４’…可動式皿部、７６，８６，１１３…外部端子、７７，７８，８７，８８…合わせマーク、１０１…下地接点層（下地電極層）、１０２…バッファ層、１０３…反強磁性層、１３’，１３”，１０４，１０４’，１０４”…強磁性層、１０５，１０５’，１０５”…自由記録層、１０６…接点層、１０７…非磁性層、１１１…挿入部、１１２…ストッパ部、１１４…はめ込み部、１１５…スライド式の受け皿部、１２０…磁気メモリカートリッジ、１３０…ケース、１３０ａ…凹部、１３０ｂ…シャッターガイド、１３０ｃ…ストッパ、１４０…シャッター、１４０ａ…係止片、１５０…駆動装置、１５１…トレイ本体部、１５２…トレイスライド部、１５３…トレイ蓋部、１５３ａ…開放レバー、１５３ｂ…バネ、ＷＬ１…第１の書き込み配線、ＷＬ２…第２の書き込み配線、ＲＬ…読み出し配線、ＲＬ１…第１の読み出し配線、ＲＬ２…第２の読み出し配線。
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気転写を利用してデータの複写を行う磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、ＦｅＲＡＭ等、種々の記憶媒体が提案されており、これらの記憶媒体を用いてデータ転送が行われている。
【０００３】
図４４は、現在考えられる記憶媒体のダウンロードに要する時間の比較表を示す。図４４に示すように、消費者がコンテンツ事業者からデータをダウンロードする場合を考えると、１ギガのデータをダウンロードして記憶媒体に書き込むのに必要な時間は、１番早いとされるＦｅＲＡＭやＭＲＡＭ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）でも、通常の書き込み動作では、４００ｓｅｃと大幅に時間がかかることが分かる。
【０００４】
従って、例えば、駅のＫｉｏｓｋ等で、電車の待ち時間を利用して、モバイルメモリに大容量の画像データをダウンロードすることを考えた場合、ダウンロードの待ち時間を３０秒程度と仮定すると、現在の記憶媒体では使用できるものはない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
以上のように、従来の記憶媒体では、特に画像等の大容量データの場合、ダウンロードをして書き込むのに非常に時間がかかってしまう。従って、データを手軽に配信することを実現するのは、非常に困難であると考えられる。
【０００６】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、データの転送時間を短縮することが可能な磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記目的を達成するために以下に示す手段を用いている。
【０００８】
本発明の第１の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜とを具備する。
【０００９】
本発明の第２の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上にＤＬＣ膜で形成されたパッシベーション膜とを具備する。
【００１０】
本発明の第３の視点による磁気記憶装置は、第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成された第１の読み出し配線と、前記第１の読み出し配線上に形成されたパッシベーション膜と、前記第１の読み出し配線に接続され、前記第１の読み出し配線より下方に位置し、前記第１の読み出し配線よりも太い第２の読み出し配線とを具備する。
【００１１】
本発明の第４の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、前記第１の書き込み配線、前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが封止され、前記チップを露出する第１の開口部が設けられた第１のパッケージと、前記第１の開口部を開閉する第１の蓋部とを具備する。
【００１２】
本発明の第５の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、前記第１の書き込み配線、記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置された平坦形状の第１の皿部と、前記チップを覆う凸形状の第１の蓋部とを具備する。
【００１３】
本発明の第６の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、前記第１の書き込み配線、記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置された凹形状の第１の皿部と、前記チップを覆う平面形状の第１の蓋部とを具備する。
【００１４】
本発明の第７の視点による磁気記憶装置は、第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、前記第１の書き込み配線、記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置され、前記チップを持ち上げる可動式の第１の皿部と、前記チップを覆う平面形状の第１の蓋部とを具備する。
【００１５】
本発明の第８の視点によるデータ複写装置は、第１の磁気メモリの第１のデータを第２の磁気メモリに磁気転写させ、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む磁気転写処理部と、前記磁気転写処理部の命令を入出力する入出力部とを具備する。
【００１６】
本発明の第９の視点によるデータ複写システムは、データ複写装置と、前記データ複写装置とネットワークを介して接続され、データベースを有するサーバとを具備するデータ複写システムであって、前記データ複写装置は、前記データ複写装置と前記サーバとを接続する通信制御部と、前記通信制御部を用いて前記データベースの中から第１のデータをダウンロードするダウンロード処理部と、前記第１のデータを第１の磁気メモリに書き込む記憶処理部と、前記第１の磁気メモリに書き込まれた前記第１のデータを第２の磁気メモリに磁気転写し、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む磁気転写処理部と、前記通信制御部、前記ダウンロード処理部、前記記憶処理部及び前記磁気転写処理部の命令を入出力する入出力部とを具備する。
【００１７】
本発明の第１０の視点によるデータ複写プログラムは、コンピュータに、サーバのデータベースから第１のデータを選択し、この選択した第１のデータをダウンロードするダウンロード処理手段と、前記第１のデータを第１の磁気メモリに書き込む記憶処理手段と、前記第１の磁気メモリと第２の磁気メモリとを近づける制御手段と、前記第１の磁気メモリの前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させ、前記第２の磁気メモリに第２のデータを記憶する磁気転写手段として機能させる。
【００１８】
本発明の第１１の視点によるデータ複写プログラムは、コンピュータに、第１のデータが記憶された第１の磁気メモリと第２の磁気メモリとを近づける制御手段と、前記第１の磁気メモリの前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させ、前記第２の磁気メモリに第２のデータを記憶する磁気転写手段として機能させる。
【００１９】
本発明の第１２の視点によるデータ複写方法は、データ複写装置とサーバとをネットワークを介して接続する工程と、前記サーバのデータベースの中から第１のデータを選択する工程と、前記第１のデータを前記データ複写装置にダウンロードする工程と、前記ダウンロードした前記第１のデータを第１の磁気メモリに書き込む工程と、前記データ複写装置に第２の磁気メモリが設置される工程と、前記第１の磁気メモリと前記第２の磁気メモリとを近づけて前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させることで、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む工程とを具備する。
【００２０】
本発明の第１３の視点によるデータ複写方法は、データ複写装置に第１のデータが書き込まれた第１の磁気メモリが設置される工程と、前記データ複写装置に第２の磁気メモリが設置される工程と、前記第１の磁気メモリと前記第２の磁気メモリとを近づけて前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させることで、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む工程とを具備する。
【００２１】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施形態は、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）を用いて磁気転写することで、データの転写時間の短縮を図るものである。
【００２２】
以下に、本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００２３】
１．磁気転写の原理
まず、図１及び図２を用いて、磁気転写の原理について説明する。
【００２４】
図１は、磁石を用いた場合の磁気転写の原理を示し、図２は、ＭＴＪ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｔｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）素子を備えたＭＲＡＭを用いた場合の磁気転写の原理を示している。
【００２５】
図１に示すように、磁性の向きが同方向である２つの磁石Ａ、磁石Ｂを近づけた場合、磁石が反転し互いに別の方向を向こうとする。この際、例えば、磁石Ａの磁性の保磁力が磁石Ｂの磁性の保磁力よりも強い場合は、磁石Ｂの磁性が反転する。
【００２６】
同様に、図２に示すように、自由層（記録層）１３，２３の磁性が同方向であるマスター磁気メモリ（マスターＭＲＡＭ）５０のＭＴＪ素子１０及び顧客磁気メモリ（顧客ＭＲＡＭ）６０のＭＴＪ素子２０を、自由層１３，２３同士を向かい合わせて近づけるとする。ここで、例えば、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の保持力がマスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の保持力よりも小さい場合は、保持力の小さい方の顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の自由層２３では、保磁力の大きい方のマスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の自由層１３とは逆向きに、磁性の向きが反転する。
【００２７】
一方、自由層１３，２３の磁性の向きが互いに逆方向であるマスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０及び顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０を、自由層１３，２３同士を向かい合わせて近づけた場合、磁性の向きは変化しない。
【００２８】
以上のような原理を用いて、本発明は、データの転送を瞬時に行うことを可能にしたものである。
【００２９】
２．データ複写方法、データ複写装置及びデータ複写システム
次に、図３乃至図８を参照して、第１のデータ複写装置及びデータ複写システムを用いた第１のデータ複写方法について説明し、図９乃至図１１を参照して、第２のデータ複写装置を用いた第２のデータ複写方法について説明する。
【００３０】
（１）第１のデータ複写方法、第１のデータ複写装置及びデータ複写システム第１のデータ複写方法は、マスター磁気メモリに書き込んでおくデータを、サーバからダウンロードするステップがある。
【００３１】
図３は、第１のデータ複写方法によるデータ複写システムの概略図を示す。図４及び図５は、データ複写システムにおける第１のデータ複写装置の構成図及び動作図を示す。以下に、データ複写システム及び第１のデータ複写装置の構成について説明する。
【００３２】
図３に示すように、データ複写システム３０は、第１のデータ複写装置（データ複写端末）３１ａと、この第１のデータ複写装置に例えばインターネットのようなネットワークを介して接続されたコンテンツ倉庫のサーバ４０とを備えている。このサーバ４０には、種々のコンテンツデータからなるデータベース４１が格納されている。
【００３３】
図４に示すように、第１のデータ複写装置３１ａは、通信制御装置３２と、ＣＰＵ３３と、記憶装置３４と、磁気転写装置３５と、入出力装置３６とを備えている。
【００３４】
ここで、ＣＰＵ３３は、ダウンロード処理部３３ａと、記憶処理部３３ｂと、磁気転写処理部３３ｃとを有する。磁気転写装置３５は、制御部３５ａを有する。そして、磁気転写装置３５には、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０が挿入される。
【００３５】
このような第１のデータ複写装置３１ａの各構成要素は、以下のような機能を有している。
【００３６】
通信制御装置３２は、第１のデータ複写装置３１ａをサーバ４０に接続する機能を有する（図５の命令Ａ）。このような通信制御装置３２は、例えば、モデム、ルータ、ネットワークスイッチなどからなる。
【００３７】
ダウンロード処理部３３ａは、第１のデータ複写装置３１ａの管理者からの注文を受け付け、この注文に応じたデータをサーバ４０のデータベースから選択し、この選択したデータをダウンロード処理部３３ａにダウンロードする機能を有し（図５の命令Ｂ）、さらに、このダウンロードしたデータを記憶装置３４に書き込む機能を有する（図５の命令Ｃ）。
【００３８】
記憶処理部３３ｂは、記憶装置３４に書き込まれたデータを読み出す機能を有し（図５の命令Ｄ）、さらに、この読み出したデータをマスター磁気メモリ５０に書き込むための命令を制御部３５ａに送る機能を有する（図５の命令Ｅ）。
【００３９】
磁気転写処理部３３ｃは、顧客からの注文を受け付け、この注文に応じて顧客磁気メモリ６０を所定のコピー位置に移動させるための命令を制御部３５ａに送る機能を有し（図５の命令Ｇ）、さらに、マスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０にコピーするための命令を制御部３５ａに送る機能を有する（図５の命令Ｉ）。
【００４０】
制御部３５ａは、命令Ｅに従って記憶装置３４に書き込まれたデータをマスター磁気メモリ５０に書き込む機能を有し（図５の命令Ｆ）、命令Ｇに従って顧客磁気メモリ６０をコピー位置に移動させる機能を有し（図５の命令Ｈ）、さらに、命令Ｉに従ってマスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０にコピーする機能を有する（図５の命令Ｊ）。尚、制御部３５ａは省略することも可能である。
【００４１】
記憶装置３４は、例えばハードディスクからなり、命令Ｃに従ってダウンロードしたデータを一旦記憶する機能を有する。
【００４２】
入出力装置３６は、例えばタッチパネルからなり、ディスプレイ画面上に表示されたボタンやマークを指先で触れてデータを入力したり、入力結果を出力したりする機能を有する。尚、入出力装置３６は、例えばディスプレイのような入力装置と、例えばキーボードのような出力装置とに、分けられていてもよい。
【００４３】
図６は、第１のデータ複写方法のフロー図を示す。以下に、第１のデータ複写方法について説明する。
【００４４】
まず、第１のデータ複写装置３１ａの管理者が、例えばインターネット等のネットワークを介して、第１のデータ複写装置３１ａからコンテンツ倉庫のサーバ４０にアクセスし、第１のデータ複写装置３１ａとサーバ４０とを接続する（ＳＴ１）。
【００４５】
ここで、管理者は、ＩＤ及びパスワードを入力し、データ複写装置３１ａとサーバ４０との接続を試みる。つまり、ＩＤ及びパスワードを予め登録しておくことで、契約関係にある特定の利用者のみが、サーバ４０に接続できるようにしてある。
【００４６】
次に、管理者は、サーバ４０に格納されたデータベース４１内の種々のコンテンツデータから必要な複数のコンテンツデータを選択する（ＳＴ２）。
【００４７】
そして、選択されたコンテンツデータは入出力装置３６に一覧表示され、選択したコンテンツデータが正しいかを確認する（ＳＴ３）。その結果、選択したコンテンツデータの一覧が正しければ「ＯＫ」、間違いがあれば「訂正」の画面ボタンを選択する。
【００４８】
ここで、「ＯＫ」であれば、管理者は、選択したコンテンツデータを、サーバ４０からデータ複写装置３１ａにダウンロードするために、「ダウンロード開始」の画面ボタンを選択する（ＳＴ４）。一方、「訂正」であれば、管理者は、再度、種々のコンテンツデータから必要なデータを選びなおす（ＳＴ２）。
【００４９】
次に、ダウンロードが完了すると、「ダウンロード完了」の画面が表示される。この際、ダウンロードしたコンテンツデータは、データ複写装置３１ａの記憶装置３４に一旦記憶される（ＳＴ５）。
【００５０】
次に、ダウンロードしたコンテンツデータをマスター磁気メモリ５０に書き込む（ＳＴ６）。そして、書き込みが完了すると、「書き込み完了」の画面が表示される。
【００５１】
このようなＳＴ１〜ＳＴ６の工程を行うことで、顧客がデータ複写装置３１ａを利用するための準備が完了する。
【００５２】
次に、顧客が、データのコピーを行うために、顧客磁気メモリ６０を第１のデータ複写装置３１ａの磁気転写装置３５に差し込む（ＳＴ７）。
【００５３】
次に、顧客は、種々のコンテンツデータから、コピーしたいデータを選択する（ＳＴ８）。この際、種々のコンテンツデータは既にダウンロードしてあるため、サーバ４０にアクセスする必要はない。
【００５４】
そして、選択されたコンテンツデータは入出力装置３６に一覧表示され、選択したコンテンツデータが正しいかを確認する（ＳＴ９）。その結果、選択したコンテンツデータの一覧が正しければ「ＯＫ」、間違いがあれば「訂正」の画面ボタンを選択する。
【００５５】
ここで、「ＯＫ」であれば、選択したデータが記憶されたマスター磁気メモリ５０に顧客磁気メモリ６０が近づけられ、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０の位置合わせが行われる（ＳＴ１０）。この際、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子の自由層と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子の自由層とが対向するように、両者が近づけられる。また、位置合わせには、光学的な手法や磁気的な手法などが用いられる。そして、位置合わせが完了すると、「位置合わせ完了」の画面が表示される。
【００５６】
一方、「訂正」であれば、顧客は、再度、種々のコンテンツデータからコピーしたいデータを選びなおす（ＳＴ８）。
【００５７】
次に、位置合わせが完了した後、顧客は、「コピー開始」の画面ボタンを選択する。これにより、マスター磁気メモリ５０のデータが顧客磁気メモリ６０に一括して磁気転写される（ＳＴ１１）。そして、磁気転写が完了すると、「コピー完了」の画面が表示される。
【００５８】
ここで、磁気転写前にＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｅｓｔｒｕｃｔｉｏｎ）対策を施すのが望ましい。また、磁気転写は、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０とを押し当てて行われるのが望ましい。
【００５９】
尚、上記ＳＴ５の工程（図５の命令Ｃ、Ｄ）は省略することも可能である。すなわち、ダウンロードしたコンテンツデータは、データ複写装置３１ａの記憶部３２に一旦記憶せずに、マスター磁気メモリ５０に直接書き込んでもよい。この場合、ダウンロード処理部３３ａは、サーバ４０からデータをダウンロードした後、このデータをマスター磁気メモリ５０に書き込むための命令を記憶処理部３３ｂに送る（図５の命令Ｋ）。
【００６０】
また、上記ＳＴ６の工程（図５の命令Ｅ、Ｆ）において、マスター磁気メモリ５０へデータを書き込む装置は、磁気転写装置３５に限定されない。例えば、図７に示すように、データ書き込み用の書き込み装置３８を新たに設けてもよい。この場合、マスター磁気メモリ５０は、まず書き込み装置３８に搬入され、この書き込み装置３８でデータの書き込みが完了した後、磁気転写装置３５に搬入される。ここで、上述した命令Ｅは、書き込み装置３８の制御部３８ａに送られる。
【００６１】
また、上記ＳＴ１１の工程において、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０へデータをコピーすると、磁気転写の性質上、データが反転する。従って、顧客磁気メモリ６０にコピーしたいデータを「基準データ」とすると、マスター磁気メモリ５０には、基準データと逆の「反転データ（ネガデータ）」を書き込んでおく必要がある。これを実現するには、サーバ４０のデータベース４１をはじめから反転データにしておいてもよいし、あるいは、サーバ４０のデータベース４１には基準データを格納し、データ複写装置３１ａの各構成部（例えば記憶処理部３３ｂ）で基準データを反転させてマスター磁気メモリ５０に反転データが書き込まれるようにしてもよい。
【００６２】
また、上記ＳＴ１１の工程において、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０へデータをコピーする際に、マスター磁気メモリ５０のデータが書き変わらないように、マスター磁気メモリ５０の保持力を顧客磁気メモリ６０の保磁力よりも高く設定しておく必要がある。
【００６３】
以上のように、上記第１のデータ複写装置を用いて第１のデータ複写方法による磁気転写を行えば、マスター磁気メモリと顧客磁気メモリのメモリ部同士を近づけることで、磁気転写が起こり、マスター磁気メモリのデータを顧客磁気メモリに書き込むことができる。このように、記憶情報のコピーを行うことで、コピー作成時間を大幅に短縮できる。従って、画像等の大容量データを簡便に配信することができるため、大容量記憶メモリとして期待されるＭＲＡＭでの短時間の情報配信、そしてこの情報配信に使用する装置の実現が可能となる。
【００６４】
（２）第２のデータ複写方法及び第２のデータ複写装置
第２のデータ複写方法において、第１のデータ複写方法と異なる点は、ネットワークを介してマスター磁気メモリにデータをダウンロードする工程が省略されている点である。このため、第２のデータ複写装置には、通信制御装置、ダウンロード処理部及び記憶処理部が設けられていない。そして、第２のデータ複写方法で使用されるマスター磁気メモリは、ＲＯＭ形式で作製されたものを用いることが可能である。
【００６５】
図８及び図９は、第２のデータ複写装置の構成図及び動作図を示す。以下に、第２のデータ複写装置の構成について説明する。
【００６６】
図８に示すように、第２のデータ複写装置３１ｂは、ＣＰＵ３３と、磁気転写装置３５と、入出力装置３６とを備えている。
【００６７】
ここで、ＣＰＵ３３は、磁気転写処理部３３ｃを有する。磁気転写装置３５は、制御部３５ａを有する。そして、磁気転写装置３５には、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０がそれぞれ挿入される。
【００６８】
このような第２のデータ複写装置３１ｂの各構成要素は、以下のような機能を有している。
【００６９】
磁気転写処理部３３ｃは、顧客からの注文を受け付け、この注文に応じてマスター磁気メモリ５０を所定のコピー位置に移動させるための命令を制御部３５ａに送る機能を有し（図９の命令Ａ）、顧客磁気メモリ６０を決められたコピー位置に移動させるための命令を制御部３５ａに送る機能を有し（図９の命令Ｃ）、さらに、マスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０にコピーするための命令を制御部３５ａに送る機能を有する（図９の命令Ｅ）。
【００７０】
制御部３５ａは、命令Ａに従ってマスター磁気メモリ５０をコピー位置に移動させる機能を有し（図９の命令Ｂ）、命令Ｃに従って顧客磁気メモリ６０をコピー位置に移動させる機能を有し（図９の命令Ｄ）、さらに、命令Ｅに従ってマスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０にコピーする機能を有する（図９の命令Ｆ）。尚、制御部３５ａは省略することも可能である。
【００７１】
入出力装置３６は、例えばタッチパネルからなり、ディスプレイ画面上に表示されたボタンやマークを指先で触れてデータを入力したり、入力結果を出力したりする機能を有する。尚、入出力装置３６は、例えばディスプレイのような入力装置と、例えばキーボードのような出力装置とに、分けられていてもよい。
【００７２】
尚、第２のデータ複写装置３１ｂにおいても、第１のデータ複写装置３１ａと同様に、通信制御装置３２、ダウンロード処理部３３ａ、記憶処理部３３ｂ及び記憶装置３４がそれぞれ存在していても構わない。
【００７３】
図１０は、第２のデータ複写方法のフロー図を示す。以下に、第２のデータ複写方法について説明する。
【００７４】
まず、第２のデータ複写装置３０ｂの管理者が、種々のコンテンツデータから必要な複数のコンテンツデータを選択する（ＳＴ１）。
【００７５】
次に、選択されたコンテンツデータが書き込まれたマスター磁気メモリ５０を、コンテンツ倉庫から第２のデータ複写装置３０ｂに搬入し（ＳＴ２）、所定のコピー位置に配置する。
【００７６】
このように、ＳＴ１〜ＳＴ２の工程により、顧客がデータ複写装置３１ａを利用するための準備が完了する。
【００７７】
次に、顧客が、データのコピーを行うために、顧客磁気メモリ６０を第２のデータ複写装置３１ｂの磁気転写装置３５に差し込む（ＳＴ３）。
【００７８】
次に、顧客は、種々のコンテンツデータから、コピーしたいデータを選択する（ＳＴ４）。
【００７９】
そして、選択されたコンテンツデータは入出力装置３６に一覧表示され、選択したコンテンツデータが正しいかを確認する（ＳＴ５）。その結果、選択したコンテンツデータの一覧が正しければ「ＯＫ」、間違いがあれば「訂正」の画面ボタンを選択する。
【００８０】
ここで、「ＯＫ」であれば、選択したデータが記憶されたマスター磁気メモリ５０に顧客磁気メモリ６０が近づけられ、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０の位置合わせが行われる（ＳＴ６）。この際、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子の自由層と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子の自由層とが対向するように、両者が近づけられる。また、位置合わせには、光学的な手法や磁気的な手法などが用いられる。そして、顧客磁気メモリ６０の位置合わせが完了すると、「位置合わせ完了」の画面が表示される。
【００８１】
一方、「訂正」であれば、顧客は、再度、種々のコンテンツデータからコピーしたいデータを選びなおす（ＳＴ４）。
【００８２】
次に、位置合わせが完了した後、顧客は、「コピー開始」の画面ボタンを選択する。これにより、マスター磁気メモリ５０のデータが顧客磁気メモリ６０に一括して磁気転写される（ＳＴ７）。そして、磁気転写が完了すると、「コピー完了」の画面が表示される。
【００８３】
ここで、磁気転写前にＥＳＤ対策を施すのが望ましい。また、磁気転写は、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０とを押し当てて行われるのが望ましい。
【００８４】
尚、上記ＳＴ７の工程において、磁気転写の性質上データが反転するため、マスター磁気メモリ５０には、基準データと逆の「反転データ」を書き込んでおく必要がある。従って、磁気転写装置３５には、反転データが書き込まれたマスター磁気メモリ５０が搬入される。
【００８５】
また、上記ＳＴ７の工程において、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０へデータをコピーする際に、マスター磁気メモリ５０のデータが書き変わらないように、マスター磁気メモリ５０の保持力を顧客磁気メモリ６０の保磁力よりも高く設定しておく必要がある。
【００８６】
以上のように、上記第２のデータ複写装置を用いて第２のデータ複写方法による磁気転写を行えば、第１のデータ複写方法による場合と同様の効果を得ることができる。
【００８７】
さらに、第２のデータ転写方法によれば、データをダウンロードしマスター磁気メモリ５０に書き込む必要がないため、管理者の作業負担を軽減できる。
【００８８】
３．データ複写プログラム及び記録媒体
図１１及び図１２に示すように、上記第１及び第２のデータ複写装置３１ａ、３０ｂは、例えば磁気ディスク等の記録媒体３７に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されるコンピュータによっても実現可能である。
【００８９】
すなわち、上述した第１及び第２のデータ複写方法は、コンピュータに実行させることのできるプログラムとして、例えば磁気ディスク（フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク等）、光ディスク（ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ等）、半導体メモリ等の記録媒体３７に書き込んで各種装置に適用したり、通信媒体により伝送して各種装置に適用したりすることが可能である。
【００９０】
そして、上記第１及び第２のデータ複写方法を実現するコンピュータは、記録媒体３７に記録されたプログラムを読み込み、このプログラムによって動作が制御されることにより、上述した第１及び第２のデータ複写方法の各処理を実行することが可能である。
【００９１】
尚、記録媒体３７に記録されたプログラムは、上述した第１及び第２のデータ複写方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであるが、必ずしもこの記録媒体３７に記録されている必要はない。
【００９２】
４．パッケージ磁気メモリ
磁気メモリのチップは、従来からある他の半導体メモリと同様に、パッケージに封入されることが予想される。そこで、ここでは、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０をパッケージングした構造について説明する。
【００９３】
（１）基本構造
図１３は、パッケージされた磁気メモリの磁気転写の基本構造図を示す。
【００９４】
図１３に示すように、マスター磁気メモリ５０がパッケージ７１に封止され、マスターモジュール７０が形成されている。このマスターモジュール７０のパッケージ７１の表面には磁気転写を行うための開口部７２が設けられ、この開口部７２にはスライド式に開閉する蓋部７３が設けられている。
【００９５】
同様に、顧客磁気メモリ６０がパッケージ８１に封止され、顧客モジュール８０が形成されている。この顧客モジュール８０のパッケージ８１の表面には磁気転写を行うための開口部８２が設けられ、この開口部８２にはスライド式に開閉する蓋部８３が設けられている。
【００９６】
このようなマスターモジュール７０及び顧客モジュール８０において、パッケージ７１，８１の開口部７２，８２は、図１４に示すように、少なくともマスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０のメモリ部（ＭＴＪ素子部）よりも大きく形成されている。また、パッケージ７１，８１の開口部７２，８２は、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０の表面積よりも小さく形成することが望ましい。
【００９７】
また、パッケージ７１，８１及び蓋部７３，８３は、データの信頼性確保のために、磁気に対するシールドの役割を備えるとよい。従って、パッケージ７１，８１及び蓋部７３，８３は、例えば磁性体金属合金のような磁気シールド材で形成されている。
【００９８】
尚、パッケージ７１，８１は、図１５に示すように、ドア式に開閉する蓋部７３’，８３’であってもよい。
【００９９】
また、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０は、図１６に示すように、カード式のパッケージ７１’，８１’に封止されてもよい。
【０１００】
また、パッケージ７１，８１の開口部７２，８２の形状や、蓋部７３，８３の形状は、図示した形状に限定されず、種々変更することが可能である。
【０１０１】
上述した第１及び第２のデータ複写方法における磁気転写は、このようにパッケージされたマスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０を用いて、次のように行われる。
【０１０２】
まず、データ複写装置３１ａ，３０ｂには、マスター磁気メモリ５０がパッケージングされたマスターモジュール７０が納められている。そして、データ複写装置３１ａ，３０ｂに、顧客磁気メモリ６０がパッケージングされた顧客モジュール８０が挿入される。
【０１０３】
そして、この顧客モジュール８０の蓋部８３とマスターモジュール７０の蓋部７３とが開けられ、顧客磁気メモリ６０のメモリ部（ＭＴＪ素子部）とマスター磁気メモリ５０のメモリ部（ＭＴＪ素子部）とがそれぞれ露出される。
【０１０４】
そして、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とが近づけられ、これらメモリ部同士を合わせることで磁気転写が起こり、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０へデータが転送される。
【０１０５】
また、磁気転写後は、顧客モジュール８０の蓋部８３及びマスターモジュール７０の蓋部７３は、開口部７２，８２を覆うように閉じられる。
【０１０６】
ここで、上述したように磁気転写を行うと、データ転送時にデータが反転するため、マスター磁気メモリ５０に書き込んでおくデータは、反転データにしておく必要がある。さらに、磁気転写時にマスター磁気メモリ５０側の磁化が反転しないように、マスター磁気メモリ５０の保磁力を顧客磁気メモリ６０よりも高くしておく必要もある。
【０１０７】
尚、磁気転写では、マスターモジュール７０のパッケージ７１と顧客モジュール８０のパッケージ８１との位置を合わせてデータを転写するため、この位置合わせの精度を高める必要がある。従って、マスターモジュール７０及び顧客モジュール８０のパッケージ７１，８１に、位置合わせ用のマークなどをそれぞれ設けておくとよい。
【０１０８】
また、マスターモジュール７０は、顧客モジュール８０と違って、指定区域内（例えばデータ複写装置内）に固定されて持ち歩かれる機会が無い場合が多い。このような場合、マスター磁気メモリ５０は、パッケージ７１に封止されている必要はない。
【０１０９】
（２）変形例１
上記４（１）のモジュールの基本構造では、磁気転写時にパッケージの蓋を開け、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とを近づけるだけであったが、磁気転写の精度を高めるには両者のメモリ部をできるだけ近づけた方がよい。
【０１１０】
そこで、変形例１では、磁気転写時に、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とをできるだけ近づけるために、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０のパッケージ構造に凹凸を設けている。
【０１１１】
つまり、図１７（ａ）に示すように、マスターモジュール７０において、マスター磁気メモリ５０は、平坦な皿部７４に搭載され、かつ凸形状の蓋部７５で封止されている。従って、マスター磁気メモリ５０は、蓋部７５を開けた際には、皿部７４よりも突出することになる。
【０１１２】
一方、図１７（ｂ）に示すように、顧客磁気メモリ６０は、凹形状の皿部８４に搭載され、かつ平坦な蓋部８５で封止されている。従って、顧客磁気メモリ６０は、蓋部８５を開けた際には、皿部８４内に入り込んでいることになる。
【０１１３】
このようなパッケージ構造では、図１８に示すように、磁気転写時に、皿部７４の表面よりも突出したマスター磁気メモリ５０が、皿部８４の表面よりも窪んだ顧客磁気メモリ６０の窪みに入り込むため、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とを非常に近づけることができる。
【０１１４】
尚、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０のパッケージ構造を入れ替えてもよい。つまり、マスター磁気メモリ５０では、皿部７４を凹形状にし、蓋部７５を平坦形状にした構造を採用し、顧客磁気メモリ６０では、皿部８４を平坦形状にし、蓋部８５を凸形状にした構造を採用してもよい。
【０１１５】
（３）変形例２
変形例２は、磁気転写時に、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とをできるだけ近づけるために、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０の少なくとも一方がパッケージから突出するように、皿部が上下に可動するようになっている。
【０１１６】
図１９（ａ）に示すように、顧客モジュール８０において、顧客磁気メモリ６０は、凹形状の皿部８４’に搭載され、かつ平坦な蓋部８５で封止されている。従って、蓋部８５を閉めた平常時、顧客磁気メモリ６０は、皿部８４’内に入り込んでいる。
【０１１７】
そして、蓋部８５を開けた磁気転写時は、図１９（ｂ）に示すように、顧客磁気メモリ６０が皿部８４’から突出するように、皿部８４’が上に動くように可動式になっている。
【０１１８】
尚、蓋部８５を閉める磁気転写後には、顧客磁気メモリ６０が皿部８４’に入り込んで蓋部８５が閉められるように、皿部８４’が下にも動くようになっている。
【０１１９】
このような顧客モジュール８０にデータ転送を行う場合、例えば、凹形状の皿部７４と平坦な蓋部７５とを有するマスターモジュール７０を用いたときは、図２０に示すように、顧客モジュール８０の皿部８４’が持ち上げられ、この皿部８４’の周囲よりも顧客磁気メモリ６０が突出され、この突出した顧客磁気メモリ６０が皿部７４の表面よりも窪んだマスターモジュール７０の空間に入り込む。このため、顧客磁気メモリ６０のメモリ部とマスター磁気メモリ５０のメモリ部とを非常に近づけることができる。
【０１２０】
尚、顧客モジュール８０の皿部８４’を可動式にする代わりに、マスターモジュール７０の皿部７４を可動式にしてもよい。
【０１２１】
また、図２１に示すように、顧客モジュール８０とマスターモジュール７０との両方の皿部７４’，８４’を可動式にしてもよい。
【０１２２】
５．マスター磁気メモリ
ここでは、磁気転写を行うためのマスター磁気メモリ５０の具体的な４つの構造例について説明する。
【０１２３】
（１）第１の構造
第１の構造は、上記第１のデータ複写方法を用いて磁気転写を行う場合に使用されるマスター磁気メモリ５０の構造である。
【０１２４】
つまり、上記第１のデータ複写方法では、データをインターネット等でダウンロードし、このダウンロードしたデータをマスター磁気メモリ５０に書き込まなければならない。従って、マスター磁気メモリ５０は書き込み可能な構造にしておく必要がある。
【０１２５】
そこで、第１の構造では、従来と同様に書き込み配線は備え、かつ、最上層のパッシベーション膜や上層の書き込み配線を薄くすることで、磁気転写がし易い構造となっている。
【０１２６】
具体的には、図２２に示すように、第１の書き込み配線（書き込みワード線）ＷＬ１と第２の書き込み配線（読み出し／書き込みビット線）ＷＬ２とが互いに直交するように延在され、これら第１の書き込み配線ＷＬ１と第２の書き込み配線ＷＬ２の交点にＭＴＪ素子１０が配置されている。このＭＴＪ素子１０は、下部金属層５１ａ、コンタクト５２ａ、５２ｂ、５２ｃ及び配線５１ｂ、５１ｃを介して、読み出し用のスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴに接続されている。このＭＯＳＦＥＴのゲート電極が読み出し配線ＲＬ（読み出しワード線）となる。また、第２の書き込み配線ＷＬ２上にはパッシベーション膜５３が形成されている。
【０１２７】
ここで、上層の書き込み配線である第２の書き込み配線ＷＬ２は、通常の書き込み配線（例えば第１の書き込み配線ＷＬ１）よりも薄く形成されている。ここで、第１の書き込み配線ＷＬ１は、例えば、４００ｎｍ程度である。
【０１２８】
また、チップの最上層に位置するパッシベーション膜５３は、例えば、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜や、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜とからなる薄い積層膜で形成されている。このパッシベーション膜５３は、第１の書き込み配線ＷＬ１より薄くなっている。
【０１２９】
また、ＭＴＪ素子１０は、固着層１１と、自由層（記録層）１３と、トンネル絶縁膜１２とからなる。ここで、磁気転写し易くなるように、自由層１３をチップの表面側に配置するとよい。
【０１３０】
このような第１の構造では、書き込み配線ＷＬ１，ＷＬ２に電流を流し、この電流によって発生した合成磁場により、ＭＴＪ素子１０の自由層１３の磁化を反転させるか、又は反転させない。これにより、ＭＴＪ素子１０にデータが書き込まれる。ここで、ＭＴＪ素子１０に書き込まれるデータは、顧客磁気メモリ６０に記憶させたいデータの反転データとなっている。
【０１３１】
以上のように、マスター磁気メモリ５０の第１の構造によれば、次のような効果を得ることができる。
【０１３２】
従来のＭＲＡＭ構造では、図４５に示すように、書き込み配線ＷＬ２上にパッシベーション膜９４が形成された場合、パッシベーション膜９４の膜厚Ｙは、６０００Åのシリコン窒化膜と３０００ÅのＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａ Ｅｔｈｙｌ Ｏｒｔｈｏ Ｓｉｌｉｃａｔｅ）膜と下地とで構成されるため、９０００Å程度になる。また、書き込み電流を流すために、書き込み配線ＷＬ２は、書き込み配線ＷＬ１と同じ程度の厚い配線となっている。従って、ＭＴＪ素子９０上に厚いパッシベーション膜９４と厚い書き込み配線ＷＬ２が形成されているため、この状態で他のＭＲＡＭを近づけたとしても、磁気転写を行うことは困難である。
【０１３３】
これに対し、第１の構造では、第２の書き込み配線ＷＬ２やパッシベーション膜５３が薄くなっているため、チップの表面から下部金属層５１ａの表面までの距離Ｘ、すなわちＭＴＪ素子１０、第２の書き込み配線ＷＬ２及びパッシベーション膜５３の合計膜厚は５０ｎｍ以下になっている。従って、通常のＭＲＡＭよりもＭＴＪ素子１０がチップ表面に近づいた構造となっているため、磁気転写が可能な構造になっている。
【０１３４】
尚、第１の構造における第２の書き込み配線ＷＬ２は、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０に書き込みができる程度の薄さになっている。また、マスター磁気メモリ５０は、顧客磁気メモリ６０より保磁力を大きくしてある。
【０１３５】
（２）第２の構造
第２の構造は、第１の構造と同様で、上記第１のデータ複写方法を用いて磁気転写を行う場合に使用されるマスター磁気メモリ５０の構造である。また、第２の構造は、マスター磁気メモリ５０がパッケージに封止される場合の構造である。
【０１３６】
この第２の構造は、第１の構造よりもさらに磁気転写がし易くなるように、上層の書き込み配線ＷＬ２を、マスター磁気メモリ５０側ではなくパッケージの蓋部側に形成している。
【０１３７】
具体的には、図２３に示すように、マスター磁気メモリ５０は開口部７２を備えたパッケージ７１に封止され、開口部７２にはスライド式の蓋部７３が設けられている。この蓋部７３には書き込み配線ＷＬ２が形成されている。
【０１３８】
この書き込み配線ＷＬ２は、図２４に示すように、ＭＴＪ素子１０の上方に位置するように形成されており、ＭＴＪ素子１０の下方には書き込み配線ＷＬ１が配置されている。また、ＭＴＪ素子１０上には、第１の構造と同様に、書き込み配線ＷＬ１よりも薄いパッシベーション膜（例えばＤＬＣ膜）５３が形成されている。従って、チップの表面から下部金属層５１ａの表面までの距離Ｘ、すなわちＭＴＪ素子１０及びパッシベーション膜５３の合計膜厚は５０ｎｍ以下になっている。
【０１３９】
ここで、パッケージ７１の開口部７２は、図１４に示すように、少なくともマスター磁気メモリ５０のメモリ部（ＭＴＪ素子１０部）よりも大きく形成されている。また、パッケージ７１の開口部７２は、マスター磁気メモリ５０の表面積よりも小さく形成することが望ましい。
【０１４０】
また、パッケージ７１及び蓋部７３は、データの信頼性確保のために、磁気に対するシールドの役割を備えるとよい。従って、パッケージ７１及び蓋部７３は、例えば磁性体金属合金のような磁気シールド材で形成されている。
【０１４１】
尚、パッケージ７１は、図１５に示すように、ドア式に開閉する蓋部７３’であってもよい。
【０１４２】
このような第２の構造では、例えばダウンロードしてきたデータをマスター磁気メモリ５０に書き込む場合は、パッケージ７１の蓋部７３を閉め、２本の書き込み配線ＷＬ１、ＷＬ２でＭＴＪ素子１０を挟み込んだ構造にする。そして、書き込み配線ＷＬ１，ＷＬ２に電流を流し、この電流によって発生した合成磁場により、ＭＴＪ素子１０の自由層１３の磁化を反転させるか、又は反転させない。これにより、ＭＴＪ素子１０にデータが書き込まれる。ここで、ＭＴＪ素子１０に書き込まれるデータは、顧客磁気メモリ６０に記憶させたいデータの反転データとなっている。
【０１４３】
一方、ＭＴＪ素子１０に書き込まれたデータを顧客磁気メモリ６０に磁気転写する場合は、パッケージ７１の蓋部７３を開け、書き込み配線ＷＬ２をＭＴＪ素子１０の上方から無くし、磁気転写をし易い構造にする。
【０１４４】
以上のように、第２の構造によれば、書き込み配線ＷＬ２をパッケージ７１の蓋部７３に形成することで、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０上に書き込み配線を形成する必要がなくなる。このため、第１の構造よりも、書き込み配線ＷＬ２分だけ、さらにＭＴＪ素子１０がチップ表面に近づいた構造となっているため、磁気転写の効率をさらに向上させることができる。
【０１４５】
さらに、磁気転写時には書き込み配線ＷＬ２を備えた蓋部７３を開くため、磁気転写時にＭＴＪ素子１０の上方に書き込み配線ＷＬ２は存在しない。従って、書き込み配線ＷＬ２は、第１の構造のように薄く形成する必要がなく、書き込み配線ＷＬ１と同じ程度太く形成してもよい。このため、マスター磁気メモリ５０へのデータの書き込みの際、第１の構造よりも、書き込み配線ＷＬ２に書き込み電流を多く流すことができる。
【０１４６】
尚、第２の構造では、書き込み配線ＷＬ２とＭＴＪ素子１０との位置合わせが正確に行えるように、パッケージに位置合わせ用のマークを設けるなど、デバイス設計に注意する必要がある。
【０１４７】
（３）第３の構造
第３の構造は、上記第２のデータ複写方法を用いて磁気転写を行う場合に使用されるマスター磁気メモリ５０の構造である。
【０１４８】
つまり、上記第２のデータ複写方法では、データをインターネット等でダウンロードせずに、マスター磁気メモリ５０の作製時に予めデータが書き込まれている。このため、データ複写装置に備える際、マスター磁気メモリ５０には、書き込み時に必要な書き込み配線などを備えておく必要はない。
【０１４９】
そこで、第３の構造では、マスター磁気メモリ５０の作製時には通常のＭＲＡＭを作製し、このマスター磁気メモリ５０にデータが書き込まれた後、最上層の書き込み配線ＷＬ２を削除して、ＲＯＭ形式に加工されている。ここで、ＭＴＪ素子１０に書き込まれるデータは、顧客磁気メモリ６０に記憶させたいデータの反転データとなっている。
【０１５０】
具体的には、図２５に示すように、最上層の書き込み配線ＷＬ２を除去した後、ＭＴＪ素子１０上に書き込み配線ＷＬ１よりも薄いパッシベーション膜（例えばＤＬＣ膜）５３が形成されるだけであるため、ＭＴＪ素子１０上にはパッシベーション膜５３しか存在しない。また、ＭＴＪ素子１０の下方には書き込み配線ＷＬ１は残ったままである。
【０１５１】
そして、パッシベーション膜５３が薄くなっているため、チップの表面から下部金属層５１ａの表面までの距離Ｘ、すなわちＭＴＪ素子１０及びパッシベーション膜５３の合計膜厚は５０ｎｍ以下になっている。
【０１５２】
以上のように、第３の構造によれば、マスター磁気メモリ５０にデータを書き込んだ後に上層の書き込み配線ＷＬ２を削除することで、磁気転写時に書き込み配線ＷＬ２が存在しない。このため、第１の構造よりも、さらにＭＴＪ素子１０がチップ表面に近づいた構造となっているため、磁気転写の効率をさらに向上させることができる。
【０１５３】
さらに、書き込み配線ＷＬ２は、磁気転写前には削除するため、第１の構造のように薄く形成する必要がなく、書き込み配線ＷＬ１と同じ程度太く形成してもよい。このため、マスター磁気メモリ５０へのデータの書き込みの際、第１の構造よりも、書き込み配線ＷＬ２に書き込み電流を多く流すことができる。
【０１５４】
（４）第４の構造
第４の構造は、第３の構造と同様で、上記第２のデータ複写方法を用いて磁気転写を行う場合に使用されるマスター磁気メモリ５０の構造である。
【０１５５】
つまり、第４の構造では、ＲＯＭ形式のマスター磁気メモリ５０でよく、書き込み及び読み出しに必要な配線や素子などは設けられずに、データの書き込まれた磁性膜が並べられただけの構造になっている。
【０１５６】
具体的には、図２６に示すように、例えばＴＥＯＳ膜やＦＳＧ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ Ｓｐｉｎ Ｇｌａｓｓ）膜等のような層間絶縁膜５４内に複数の磁性膜５５が配置され、この磁性膜５５上には薄いパッシベーション膜（例えばＤＬＣ膜）５３が形成されている。そして、磁性膜５５に磁性をかけることで、データが書き込まれている。この書き込みは、マスクによる光励起又は直描の励起により、磁性膜５５に直接行われる。そして、ＭＴＪ素子１０に書き込まれるデータは、顧客磁気メモリ６０に記憶させたいデータの反転データとなっている。
【０１５７】
ここで、磁性膜５５は、ＭＴＪ素子１０の固定層１１及び自由層１３と同様、例えばＮｉＦｅなどの磁性材で形成される。尚、ＭＴＪ素子１０の材料等については後に説明する。
【０１５８】
以上のように、第４の構造によれば、データの書き込まれた磁性膜５５を用いて磁気転写するため、書き込み配線などが磁性膜５５上に存在しない。このため、第１の構造よりも、さらにＭＴＪ素子１０がチップ表面に近づいた構造となっているため、磁気転写の効率をさらに向上させることができる。
【０１５９】
尚、上記のような磁性膜５５への書き込みは、ＭＲＡＭの電流磁界による書き込みなどと比べて、長時間かかる可能性があるが、顧客側が行う作業ではないため、転送時間の短縮に悪影響を及ぼすことはない。
【０１６０】
６．顧客磁気メモリ
（１）顧客磁気メモリの構造
ここでは、磁気転写を行うための顧客磁気メモリ６０の具体的な構造例について説明する。
【０１６１】
顧客磁気メモリ６０では、データの書き込みは、マスター磁気メモリ５０からの磁気転写によって行われる。従って、顧客磁気メモリ６０には書き込み配線等を設ける必要がない。従って、顧客磁気メモリ６０は、少なくともデータの読み出しが可能な構造になっていればよい。
【０１６２】
具体的には、図２７に示すように、ＭＴＪ素子２０が、コンタクト５２ａ、５２ｂ、５２ｃや配線５１ｂ、５１ｃを介して、読み出し用のスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴに接続されている。このＭＯＳＦＥＴのゲート電極は読み出し配線ＲＬ１となる。また、ＭＴＪ素子２０上には読み出し配線ＲＬ２が一層形成され、この読み出し配線ＲＬ２上にはパッシベーション（例えばＤＬＣ膜）膜５３が形成されている。読み出し配線ＲＬ２の下にはコンタクト５２ｄ、５２ｅ及び配線５１ｄが設けられ、配線５１ｄにはセンスアンプ（図示せず）等が接続され、データ読み出しが可能になっている。
【０１６３】
ここで、ＭＴＪ素子２０の下面からパッシベーション膜の表面までの距離、すなわちＭＴＪ素子２０、読み出し配線ＲＬ２及びパッシベーション膜５３の合計膜厚Ｘは、非常に薄くなっている。これは、磁気転写を行う場合、この距離Ｘが近くないと転写が行われないからである。現在の状況では、この距離Ｘは５０ｎｍ以下が望ましい。
【０１６４】
また、読み出し配線ＲＬ２より下方に位置する配線５１ｄは、通常の配線の太さで形成されており、読み出し配線ＲＬ２より太くなっている。
【０１６５】
以上のように、顧客磁気メモリ６０の構造では、ＭＴＪ素子２０の上下に書き込み配線が存在せず、読み出し配線ＲＬのみとなっており、通常のＭＲＡＭよりも、ＭＴＪ素子２０がチップ表面に近づけてある。従って、磁気転写が可能な構造となっている。そして、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０には、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の反転データが磁気転写される。
【０１６６】
尚、顧客磁気メモリ６０では、磁気転写が可能であれば、書き込み配線が存在しても構わない。
【０１６７】
また、顧客磁気メモリ６０は、図２７に示す構造に限定されない。例えば、上述したマスター磁気メモリ５０の第１乃至第３の構造は、マスター磁気メモリ５０だけでなく、顧客磁気メモリ６０にも使用することができる。但し、この場合、顧客磁気メモリ６０よりもマスター磁気メモリ５０の保持力が大きくなるように、両者の保磁力の差を調整する必要がある。
【０１６８】
（２）顧客磁気メモリへの磁気転写時期の応用
上述するように、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０への磁気転写は、図４に示す第１のデータ複写装置３１ａ又は図８に示す第２のデータ複写装置３０ｂを用いて行われる。このような磁気転写においては、最終構造まで完成して例えばパッケージングされた状態の顧客磁気メモリ６０が使用されている。
【０１６９】
しかし、マスター磁気メモリ５０から顧客磁気メモリ６０への磁気転写は、顧客磁気メモリ６０の製造工程中に行われてもよい。
【０１７０】
つまり、顧客磁気メモリ６０において、ＭＴＪ素子２０をパターンニングし、このＭＴＪ素子２０の周囲を絶縁膜で埋め込んだ後の状態で、マスター磁気メモリ５０を近づけて磁気転写を行ってもよい。そして、磁気転写により顧客磁気メモリ６０へのデータの書き込みが終了した後、コンタクト５２ｄ、読み出し配線ＲＬ２及びパッシベーション膜５２等を形成し、データの書き込まれた顧客磁気メモリ６０を顧客へ販売する。
【０１７１】
以上のように、顧客磁気メモリ６０の製造途中（ＭＴＪ素子形成後）に磁気転写を行う場合は、ＭＴＪ素子２０をマスター磁気メモリ５０により近づけることができるため、最終構造まで完成した後に磁気転写する場合と比べて、顧客磁気メモリ６０への磁気転写がし易くなる。
【０１７２】
尚、このように顧客磁気メモリ６０の製造途中に磁気転写を行う場合は、上記第１及び第２のデータ複写装置３１ａ，３１ｂは使用されない。
【０１７３】
７．ＭＴＪ素子
次に、ＭＴＪ素子の構造について説明する。
【０１７４】
ＭＴＪ素子１０は、磁化の向きが固定された固定層（磁性層）１１と、トンネル絶縁膜（非磁性層）１２と、磁化の向きが反転する自由層（磁性層）１３との３層で構成されている。
【０１７５】
ＭＴＪ素子１０は、例えば長方形状となっている。そして、長方形状の長手方向が磁化容易軸方向となり、長手方向に垂直な方向が磁化困難軸方向となる。ＭＴＪ素子１０の磁化容易軸は、データ書き込み時に磁化を反転させるために、書き込むデータに応じて電流の向きを変えられるように両方向に電流が流れる書き込み配線の延在方向に対して垂直な方向に向けられている。
【０１７６】
例えば、図２２のマスター磁気メモリ５０において、書き込み電流を両方向に流すことができるのは第２の書き込み配線ＷＬ２であるとすると、ＭＴＪ素子１０の磁化容易軸は、第２の書き込み配線ＷＬ２の延在方向に対して垂直な方向、即ち第１の書き込み配線ＷＬ１の延在方向に向けられている。
【０１７７】
尚、ＭＴＪ素子１０は、１層のトンネル絶縁膜１２からなる１重トンネル接合構造であっても、２層のトンネル絶縁膜１２からなる２重トンネル接合構造であってもよい。
【０１７８】
以下、１重トンネル接合構造や２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０の例について説明する。
【０１７９】
（１）１重トンネル接合構造
図２８（ａ）に示す１重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、下地接点層（下地電極層）１０１、バッファ層（例えば強磁性層）１０２、反強磁性層１０３、強磁性層１０４が順に積層された固定層１１と、この固定層１１上に形成されたトンネル絶縁膜１２と、このトンネル絶縁膜１２上に自由強磁性層１０５、接点層１０６が順に積層された自由層１３とからなる。
【０１８０】
図２８（ｂ）に示す１重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、下地接点層１０１、バッファ層１０２、反強磁性層１０３、強磁性層１０４’、非磁性層１０７、強磁性層１０４”が順に積層された固定層１１と、この固定層１１上に形成されたトンネル絶縁膜１２と、このトンネル絶縁膜１２上に強磁性層１０５’、非磁性層１０７、強磁性層１０５”、接点層１０６が順に積層された自由層１３とからなる。
【０１８１】
尚、図２８（ｂ）に示すＭＴＪ素子１０では、固定層１１内の強磁性層１０４’、非磁性層１０７、強磁性層１０４”からなる３層構造と、自由層１３内の強磁性層１０５’、非磁性層１０７、強磁性層１０５”からなる３層構造とを導入することで、図２８（ａ）に示すＭＴＪ素子１０よりも、強磁性内部の磁極の発生を抑制し、より微細化に適したセル構造が提供できる。
【０１８２】
（２）２重トンネル接合構造
図２９（ａ）に示す２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、下地接点層１０１、バッファ層１０２、反強磁性層１０３、強磁性層１０４が順に積層された第１の固定層１１ａと、この第１の固定層１１ａ上に形成された第１のトンネル絶縁膜１２ａと、この第１のトンネル絶縁膜１２ａ上に形成された自由層１３と、この自由層１３上に形成された第２のトンネル絶縁膜１２ｂと、この第２のトンネル絶縁膜１２ｂ上に強磁性層１０４、反強磁性層１０３、バッファ層１０２、接点層１０６が順に積層された第２の固定層１１ｂとからなる。
【０１８３】
図２９（ｂ）に示す２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、下地接点層１０１、バッファ層１０２、反強磁性層１０３、強磁性層１０４が順に積層され第１の固定層１１ａと、この第１の固定層１１ａ上に形成された第１のトンネル絶縁膜１２ａと、この第１のトンネル絶縁膜１２ａ上に強磁性層１３’、非磁性層１０７、強磁性層１３”の３層構造によって順に積層された自由層１３と、この自由層１３上に形成された第２のトンネル絶縁膜１２ｂと、この第２のトンネル絶縁膜１２ｂ上に強磁性層１０４’、非磁性層１０７、強磁性層１０４”、反強磁性層１０３、バッファ層１０２、接点層１０６が順に積層された第２の固定層１１ｂとからなる。
【０１８４】
尚、図２９（ｂ）に示すＭＴＪ素子１０では、自由層１３を構成する強磁性層１３’、非磁性層１０７、強磁性層１３”の３層構造と、第２の固定層１１ｂ内の強磁性層１０４’、非磁性層１０７、強磁性層１０４”からなる３層構造とを導入することで、図２９（ａ）に示すＭＴＪ素子１０よりも、強磁性内部の磁極の発生を抑制し、より微細化に適したセル構造が提供できる。
【０１８５】
このような２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、１重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０よりも、同じ外部バイアスを印加したときのＭＲ（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）比（“１”状態、“０”状態の抵抗の変化率）の劣化が少なく、より高いバイアスで動作できる。すなわち、２重トンネル接合構造は、セル内の情報を読み出す際に有利となる。
【０１８６】
（３）ＭＴＪ素子の材料
上記１重トンネル接合構造又は２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子１０は、例えば以下の材料を用いて形成される。
【０１８７】
固定層１１、１１ａ、１１ｂ及び自由層１３の材料には、例えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ又はそれらの合金、スピン分極率の大きいマグネタイト、ＣｒＯ２ ，ＲＸＭｎＯ３−ｙ （Ｒ；希土類、Ｘ；Ｃａ，Ｂａ，Ｓｒ）などの酸化物の他、ＮｉＭｎＳｂ，ＰｔＭｎＳｂなどのホイスラー合金などを用いることが好ましい。また、これら磁性体には、強磁性を失わないかぎり、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂｉ，Ｔａ，Ｂ，Ｃ，Ｏ，Ｎ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｚｒ，Ｉｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｎｂなどの非磁性元素が多少含まれていてもよい。
【０１８８】
固定層１１、１１ａ、１１ｂの一部を構成する反強磁性層１０３の材料には、Ｆｅ−Ｍｎ，Ｐｔ−Ｍｎ，Ｐｔ−Ｃｒ−Ｍｎ，Ｎｉ−Ｍｎ，Ｉｒ−Ｍｎ，ＮｉＯ，Ｆｅ２ Ｏ３ などを用いることが好ましい。
【０１８９】
トンネル絶縁膜１２、１２ａ、１２ｂの材料には、Ａｌ２ Ｏ３ ，ＳｉＯ２ ，ＭｇＯ，ＡｌＮ，Ｂｉ２ Ｏ３ ，ＭｇＦ２ ，ＣａＦ２ ，ＳｒＴｉＯ２ ，ＡｌＬａＯ３ などの様々な誘電体を使用することができる。これらの誘電体には、酸素、窒素、フッ素欠損が存在していてもよい。
【０１９０】
尚、以上のようなＭＴＪ素子１０の固定層１１及び自由層１３の材料は、マスター磁気メモリ５０の第４の構造（図２４参照）で説明した磁性膜５５の材料としても使用できる。
【０１９１】
（４）マスター磁気メモリと顧客磁気メモリのＭＴＪ素子の違い
上記７（１）乃至（３）では、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０を例にあげて説明したが、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０にも適用することは可能である。
【０１９２】
但し、マスター磁気メモリ５０は、顧客磁気メモリ６０よりも保持力が大きくなくてはならない。これは、上記磁気転写の原理でも述べたように、マスター磁気メモリ５０の保持力を、顧客磁気メモリ６０の保持力よりも大きくすることで、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の自由層２３の磁性を、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の自由層１３の磁性とは逆向きに反転でき、磁気転写、すなわちデータの書き込みが実現できるからである。
【０１９３】
従って、マスター磁気メモリ５０の保持力を顧客磁気メモリ６０の保持力よりも大きくするために、マスター磁気メモリ５０と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子１０，２０の構造には、例えば次のような違いを持たせるとよい。
【０１９４】
例えば、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の表面積を、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の表面積よりも大きくするとよい。
【０１９５】
また、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の表面積のアスペクト比を、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０のアスペクト比よりも大きくするとよい。ここで、アスペクト比は、ＭＴＪ素子１０，２０の容易軸方向と困難軸方向との比である。
【０１９６】
また、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０における自由層１３の膜厚を、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０における自由層２３の膜厚よりも厚くするとよい。
【０１９７】
（５）マスター磁気メモリと顧客磁気メモリのＭＴＪ素子の位置関係
ここでは、磁気転写の際、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃとの位置関係を説明する。
【０１９８】
図３０に示すように、例えば、マスター磁気メモリ５０内にＭＴＪ素子１０が設けられ、顧客磁気メモリ６０内にＭＴＪ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃが設けられているとする。そして、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０のデータを、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０ｂに転写する場合、以下の式（１）の関係を満たすような位置関係が望ましい。
【０１９９】
Ｘ≦１／２Ｙ…（１）
ここで、「Ｘ」は、ＭＴＪ素子１０とＭＴＪ素子２０ｂとの距離を表している。また、「Ｙ」は、ＭＴＪ素子２０ａとＭＴＪ素子２０ｂとの距離、及びＭＴＪ素子２０ａとＭＴＪ素子２０ｃとの距離をそれぞれ表している。
【０２００】
このように、顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、ＭＴＪ素子１０との距離Ｘよりも２倍以上離間させるとよい。これは、ＭＴＪ素子２０ｂにデータを磁気転写する際、このＭＴＪ素子２０ｂに隣り合うＭＴＪ素子２０ａ，２０ｃに誤ってデータ転写が起こることを抑制するためである。
【０２０１】
８．マスター磁気メモリ及び顧客磁気メモリの合わせマーク
上述するように、マスター磁気メモリ５０のデータを顧客磁気メモリ６０に磁気転写する前には、位置合わせが行われる。この位置合わせでは、マスター磁気メモリ５０のＭＴＪ素子１０の自由層１３と顧客磁気メモリ６０のＭＴＪ素子２０の自由層２３とが対向するように、両者が近づけられる。ここで、精度よく位置合わせを行うためには、以下のような合わせマーク技術を用いるとよい。
【０２０２】
尚、ここでは、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０をカード式のパッケージに収納された場合を例にあげるが、勿論、このカード式のパッケージに限定されない。
【０２０３】
（１）第１の合わせマーク例
第１の合わせマーク例は、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０を収納するパッケージに合わせマークをいれるものである。
【０２０４】
図３１に示すように、マスター磁気メモリ５０が封止されたパッケージ７１’の外枠のコーナー部には、リソグラフィ用のマークのような合わせマーク７７が入れられている。この合わせマーク７７は、ＸＹ方向のマークがあり、パッケージ７１’の外枠で入れられる領域があれば、どの領域に設けてもよいし、またいくつ設けてもよい。尚、顧客磁気メモリ６０を収納するパッケージにも、同様に、合わせマークを入れる（図３２参照）。
【０２０５】
この第１の合わせマーク例の場合、図３２に示すように、マスターモジュール７０のパッケージ７１’及び顧客モジュール８０のパッケージ８１’の一方を透明にすることで、重なりの合わせずれを検査する。
【０２０６】
上記第１の合わせマーク例によれば、広い面積で合わせが検査でき、蓋部７３の閉時でも合わせ検査が可能である。但し、磁気メモリとパッケージマークが間接的な合わせになるため、後述する第２の合わせマーク例に比べて精度的には多少劣る。
【０２０７】
（２）第２の合わせマーク例
第２の合わせマーク例は、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０のチップ上に合わせマークをいれるものである。尚、ここでは、マスターモジュール７０を例にあげるが、顧客モジュール８０も同様の構造になっている。
【０２０８】
図３３に示すように、マスター磁気メモリ５０のメモリ部（ＭＴＪ素子１０）のコーナー部には、磁性センサーの合わせマーク７８が入れられている。この合わせマーク７８は、メモリ部の外周で入れられる領域があれば、どの領域に設けてもよいし、またいくつ設けてもよい。また、合わせマーク７８は、ＭＴＪ素子１０と同じ階層に同時に形成され、ＭＴＪ素子と同じ材料からなる。
【０２０９】
この第２の合わせマーク例の場合、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０において、互いの磁性の向きを感知し、合わせ検査が行われる。
【０２１０】
上記第２の合わせマーク例によれば、合わせマーク７８とチップ内のＭＴＪ素子１０を同工程で形成することで、合わせマーク７８とＭＴＪ素子１０が直接的な位置合わせが可能あるため、合わせ精度が非常に高い。但し、合わせ検査の時期がチップの蓋部の開時及び密着時に限られ、上記第１の合わせマーク例に比べて利便性が多少劣る。
【０２１１】
（３）第３の合わせマーク例
第３の合わせマーク例は、第１の合わせマーク例と第２の合わせマーク例とを組み合わせたものであり、マスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０を収納するパッケージとマスター磁気メモリ５０及び顧客磁気メモリ６０のチップとに合わせマークをいれるものである。尚、ここでは、マスターモジュール７０を例にあげるが、顧客モジュール８０も同様の構造になっている。
【０２１２】
図３４に示すように、マスター磁気メモリ５０が封止されたパッケージ７１’の外枠のコーナー部には、リソグラフィ用のマークのような合わせマーク７７が入れられている。また、マスター磁気メモリ５０のメモリ部（ＭＴＪ素子１０）のコーナー部には、磁性センサーの合わせマーク７８が入れられている。詳細は、上記第１及び第２の合わせマーク例と同様である。
【０２１３】
この第３の合わせマーク例の場合、まず、パッケージ上の合わせマーク７７で大まかな合わせが行われ、その後、チップ上の合わせマーク７８で精密な合わせが行われる。
【０２１４】
上記第３の合わせマーク例によれば、大まかな合わせと精密な合わせの両方の検査を行うことができる。但し、合わせの工程が増えてしまうという難点はある。
【０２１５】
（４）合わせマークと蓋部との関係
上述する第１乃至第３の合わせマーク例において、合わせマークと蓋部とは次のような関係になる。尚、ここでは、第３の合わせマーク例を用いて説明するが、この例に限定されない。
【０２１６】
蓋部７３が閉じた状態の場合は、図３５（ａ）に示すように、蓋部７３によって合わせマーク７７，７８が覆われる。一方、蓋部７３が開いた状態の場合は、図３５（ｂ）に示すように、合わせマーク７７，７８は外部に露出される。
【０２１７】
尚、蓋部７３の閉時、メモリ部（ＭＴＪ素子１０）及びチップ上の合わせマーク７８は蓋部７３で覆われている方が望ましいが、パッケージ７１’上の合わせマーク７７は必ずしも蓋部７３で覆われている必要はない。
【０２１８】
９．磁気転写装置の構造
ここでは、上記データ複写装置３１ａ，３１ｂ内の磁気転写装置３５の構造について説明する。
【０２１９】
尚、ここでは、顧客モジュール８０が、磁気転写装置３５に挿入、はめ込み、スライド挿入される場合の磁気転写装置３５の構造を説明するが、これと同様に、マスターモジュール７０が、磁気転写装置３５に挿入、はめ込み、スライド挿等されるような構造に磁気転写装置３５を変形することも可能である。
【０２２０】
（１）挿入型
図３６，３７は、挿入型の磁気転写装置３５を示す。図３６，３７に示すように、磁気転写装置３５には、顧客モジュール８０を挿入するための挿入部１１１と、位置合わせのために顧客モジュール８０を指定位置に収納するためのストッパ部１１２とが設けられている。そして、磁気転写装置３５内にはマスターモジュール７０が設けられ、このマスターモジュール７０のデータは外部端子７６，１１３を介して書き換えられるようになっている。
【０２２１】
挿入型の場合、挿入部１１１から磁気転写装置３５内に顧客モジュール８０が挿入され、この顧客モジュール８０がストッパ部１１２で止まるまで押し込まれる。そして、顧客モジュール８０が指定位置に配置されると、マスターモジュール７０に記憶されたデータが顧客モジュール８０に転写される。
【０２２２】
（２）はめ込み型
図３８は、はめ込み型の磁気転写装置３５を示す。図３８に示すように、磁気転写装置３５には、顧客モジュール８０をはめ込むためのはめ込み部１１４と、位置合わせのために顧客モジュール８０を指定位置に収納するためのストッパ部１１２とが設けられている。
【０２２３】
はめ込み型の場合、ストッパ部１１２を目標に、はめ込み部１１４に顧客モジュール８０がはめ込まれる。そして、顧客モジュール８０が指定位置に配置されると、マスターモジュール７０に記憶されたデータが顧客モジュール８０に転写される。
【０２２４】
（３）スライド挿入型
図３９は、スライド挿入型の磁気転写装置３５を示す。図３９に示すように、ＣＤ−ＲＯＭドライブやＤＶＤドライブ等と同様に、磁気転写装置３５にスライド式の受け皿部１１５が設けられており、このスライド式の受け皿部１１５が図の矢印で示すように挿入部１１１から出し入れできるよう動作する。
【０２２５】
スライド挿入型の場合、受け皿部１１５をスライドさせて挿入部１１１から外に出し、この受け皿部１１５に顧客モジュール８０を載置する。その後、挿入部１１１から磁気転写装置３５内に顧客モジュール８０が挿入され、この顧客モジュール８０がストッパ部１１２で止まるまでスライドされる。そして、顧客モジュール８０が指定位置に配置されると、マスターモジュール７０に記憶されたデータが顧客モジュール８０に転写される。
【０２２６】
１０．磁気メモリカートリッジ及び駆動装置
ここでは、顧客磁気メモリ６０がカートリッジに収納された磁気メモリカートリッジと駆動装置について説明する。
【０２２７】
図４０は、磁気メモリカードカートリッジを示す。図４０に示すように、磁気メモリカートリッジ１２０は、画像、音楽等のコンテンツ情報を記憶する顧客磁気メモリ６０を収納するものである。この磁気メモリカートリッジ１２０は、ケース１３０と、シャッター１４０とを有する。
【０２２８】
ここで、ケース１３０は、顧客磁気メモリ６０を載置するための凹部１３０ａと、シャッター１４０が開閉する際のガイドとなるシャッターガイド１３０ｂと、シャッター１４０が閉じた状態の位置を決定するストッパ１３０ｃとからなる。また、ケース１３０は、例えばエポキシ系のモールド樹脂に磁性材料、例えば、ＭＦｅ２Ｏ４（Ｍ＝Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｇ、等）を混合させたもので形成されている。
【０２２９】
また、シャッター１４０は、ケース１３０に取り付けられる際に凹部１３０ａを選択的に開閉する。このシャッター１４０は、係止片１４０ａである凸部を有している。また、シャッター１４０の内部には図示せぬ弾性体（例えばバネ）が設けられ、この弾性体により、ケース１３０に取り付けた際、開状態から閉状態に自動的に復帰するようになっている。また、シャッター１４０は磁気シールド効果を有する材料で形成されている。
【０２３０】
尚、マスター磁気メモリ５０も、顧客磁気メモリ６０と同様に、カートリッジに収納することも可能である。
【０２３１】
図４１は、駆動装置を示している。図４１に示すように、駆動装置１５０は、トレイ本体部１５１と、このトレイ本体部１５１に収納するようにスライドするトレイスライド部１５２と、トレイ本体部１５１を蓋するトレイ蓋部１５３とからなる。
【０２３２】
ここで、トレイ本体部１５１には、マスター磁気メモリ５０を載置する。また、トレイスライド部１５２には、顧客磁気メモリ６０が収納された磁気メモリカートリッジ１２０を搭載する。また、トレイ蓋部１５３の内面には、開放レバー１５３ａとバネ１５３ｂとが設けられている。
【０２３３】
このような駆動装置１５０を用いて、次のように磁気転写が行われる。まず、磁気メモリカートリッジ１２０をトレイスライド部１５２に搭載し、このトレイスライド部１５２をトレイ本体部１５１内に挿入する。これにより、トレイ蓋部１５３の開放レバー１５３ａの一端部がシャッター１４０の係止片１４０ａに引っかかり（図４２参照）、磁気メモリカートリッジ１２０のシャッター１４０を開放させる（図４３参照）。
【０２３４】
尚、バネ１５３ｂは、磁気メモリカートリッジ１２０を駆動装置１５０から取り出す時、開放レバー１５３ａを元の位置に復帰させる機能も有する。
【０２３５】
１１．その他
その他、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で、種々に変形することが可能である。
【０２３６】
（１）読み出し用のスイッチング素子は、ＭＯＳＦＥＴに限定されない。例えば、読み出し用のスイッチング素子は、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ（ＭＯＳトランジスタを含む）、ＭＥＳ（Ｍｅｔａｌ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）トランジスタ、接合（Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）トランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオード等でもよい。
【０２３７】
（２）マスター磁気メモリ及び顧客磁気メモリは、上記構造には限定されない。つまり、ＭＴＪ素子がチップ最上面に近づくような構造であれば、書き込み配線及び読み出し配線の配置は種々変更してもよく、読み出し用のスイッチング素子をなくしてもよい。
【０２３８】
（３）磁気抵抗効果素子は、ＭＴＪ素子に限定されない。例えば、磁気抵抗効果素子として、２つの磁性層とこれら磁性層に挟まれた導体層とからなるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子や、ペロブスカイト形Ｍｎ酸化物などによるＣＭＲ（Ｃｏｌｏｓｓａｌ Ｍａｇｎｅｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子などを用いることも可能である。
【０２３９】
さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【０２４０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、データの転送時間を短縮することが可能な磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態に係わる磁石を用いた磁気転写の原理を示す図。
【図２】本発明の一実施形態に係わる磁気メモリ（ＭＲＡＭ）を用いた磁気転写の原理を示す図。
【図３】本発明の一実施形態に係わるデータ複写システムを示す概略図。
【図４】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写装置を示す構成図。
【図５】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写装置の機能を示す図。
【図６】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写方法を示すフロー図。
【図７】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写装置を示す他の構成図。
【図８】本発明の一実施形態に係わる第２のデータ複写装置を示す構成図。
【図９】本発明の一実施形態に係わる第２のデータ複写装置の機能を示す図。
【図１０】本発明の一実施形態に係わる第２のデータ複写方法を示す図。
【図１１】本発明の一実施形態に係わる第１のデータ複写方法を実現するためのプログラムが記憶された記憶媒体を示す図。
【図１２】本発明の一実施形態に係わる第２のデータ複写方法を実現するためのプログラムが記憶された記憶媒体を示す図。
【図１３】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた磁気メモリの基本構造を示す図。
【図１４】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた磁気メモリを示す上面図。
【図１５】本発明の一実施形態に係わるドア式蓋部を備えた磁気メモリを示す図。
【図１６】本発明の一実施形態に係わるカード式のパッケージングされた磁気メモリを示す図。
【図１７】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた変形例１の磁気メモリを示す図。
【図１８】図１７の変形例１の磁気メモリの磁気転写時の様子を示す図。
【図１９】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた変形例２の磁気メモリを示す図。
【図２０】図１９の変形例２の磁気メモリの磁気転写時の様子を示す図。
【図２１】本発明の一実施形態に係わるパッケージングされた変形例２の他の磁気メモリを示す図。
【図２２】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第１の構造を示す断面図。
【図２３】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第２の構造を示す斜視図。
【図２４】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第２の構造を示す断面図。
【図２５】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第３の構造を示す断面図。
【図２６】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリの第４の構造を示す断面図。
【図２７】本発明の一実施形態に係わる顧客磁気メモリの構造を示す断面図。
【図２８】本発明の一実施形態に係わる１重トンネル接合構造のＭＴＪ素子を示す断面図。
【図２９】本発明の一実施形態に係わる２重トンネル接合構造のＭＴＪ素子を示す断面図。
【図３０】本発明の一実施形態に係わるマスター磁気メモリ及び顧客磁気メモリのＭＴＪ素子の位置関係を示す図。
【図３１】本発明の一実施形態に係わる第１の合わせマーク例を示す図。
【図３２】本発明の一実施形態に係わる第１の合わせマーク例による位置合わせを示す図。
【図３３】本発明の一実施形態に係わる第２の合わせマーク例を示す図。
【図３４】本発明の一実施形態に係わる第３の合わせマーク例を示す図。
【図３５】本発明の一実施形態に係わる合わせマークと蓋部との関係を示す図。
【図３６】本発明の一実施形態に係わる挿入型の磁気転写装置の平面図。
【図３７】本発明の一実施形態に係わる挿入型の磁気転写装置の断面図。
【図３８】本発明の一実施形態に係わるはめ込み型の磁気転写装置の断面図。
【図３９】本発明の一実施形態に係わるスライド挿入型の磁気転写装置の断面図。
【図４０】本発明の一実施形態に係わる磁気メモリカードカートリッジを示す図。
【図４１】本発明の一実施形態に係わる駆動装置を示す図。
【図４２】本発明の一実施形態に係わる駆動装置を用いて、磁気メモリカートリッジのシャッターが開く前の状態を示す図。
【図４３】本発明の一実施形態に係わる駆動装置を用いて磁気メモリカートリッジのシャッターが開いた後の状態を示す図。
【図４４】従来技術による記憶媒体のダウンロードに要する時間の比較表を示す図。
【図４５】従来技術による１トランジスタ＋１ＭＴＪ素子のＭＲＡＭの構造を示す断面図。
【符号の説明】
１０…マスター磁気メモリのＭＴＪ素子、１１，１１ａ，１１ｂ，２１…固定層、１２，１２ａ，１２ｂ，２２…トンネル接合層、１３，２３…自由層、２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ…顧客磁気メモリのＭＴＪ素子、３０…データ複写システム、３１ａ…第１のデータ複写装置、３１ｂ…第２のデータ複写装置、３２…通信制御装置、３３…ＣＰＵ、３３ａ…ダウンロード処理部、３３ｂ…記憶処理部、３３ｃ…磁気転写処理部、３４…記憶装置、３５…磁気転写装置、３５ａ，３８ａ…制御部、３６…入出力装置、３７…記録媒体、３８…書き込み装置、４０…サーバ、４１…データベース、５０…マスター磁気メモリ、５１ａ…下部金属層、５１ｂ，５１ｃ，５１ｄ…配線、５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ，５２ｅ…コンタクト、５３…パッシベーション膜、５４…層間絶縁膜、５５…磁性膜、６０…顧客磁気メモリ、７０…マスターモジュール、７１，８１…パッケージ、７１’，８１’…カード式パッケージ、７２，８２…開口部、７３，８３…スライド式の蓋部、７３’，８３’…ドア式の蓋部、７４，８４…皿部、７５，８５…蓋部、７４’，８４’…可動式皿部、７６，８６，１１３…外部端子、７７，７８，８７，８８…合わせマーク、１０１…下地接点層（下地電極層）、１０２…バッファ層、１０３…反強磁性層、１３’，１３”，１０４，１０４’，１０４”…強磁性層、１０５，１０５’，１０５”…自由記録層、１０６…接点層、１０７…非磁性層、１１１…挿入部、１１２…ストッパ部、１１４…はめ込み部、１１５…スライド式の受け皿部、１２０…磁気メモリカートリッジ、１３０…ケース、１３０ａ…凹部、１３０ｂ…シャッターガイド、１３０ｃ…ストッパ、１４０…シャッター、１４０ａ…係止片、１５０…駆動装置、１５１…トレイ本体部、１５２…トレイスライド部、１５３…トレイ蓋部、１５３ａ…開放レバー、１５３ｂ…バネ、ＷＬ１…第１の書き込み配線、ＷＬ２…第２の書き込み配線、ＲＬ…読み出し配線、ＲＬ１…第１の読み出し配線、ＲＬ２…第２の読み出し配線。
Claims (77)
- 第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、
前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記パッシベーション膜は、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜の合計膜厚は５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子は、少なくとも第１の固定層と、第１の自由層と、前記第１の固定層及び前記第１の自由層に挟まれた第１のトンネル絶縁膜とで形成されたＭＴＪ素子であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の自由層は前記パッシベーション膜に接していることを特徴とする請求項４に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子と前記パッシベーション膜との間に形成され、前記第１の方向と異なる第２の方向に延在された第２の書き込み配線をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。
- 前記パッシベーション膜は、ＤＬＣ膜であることを特徴とする請求項６に記載の磁気記憶装置。
- 前記第２の書き込み配線は、前記第１の書き込み配線よりも薄いことを特徴とする請求項６に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子、前記第２の書き込み配線及び前記パッシベーション膜の合計膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子の上方に位置する第１の開口部が設けられた第１のパッケージと、
前記第１の開口部を開閉する第１の蓋部と、
前記第１の蓋部内に設けられ、前記第１の蓋部を閉じた状態で前記第１の磁気抵抗効果素子の上方に配置される第２の書き込み配線と
をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の磁気記憶装置。 - 前記パッシベーション膜は、ＤＬＣ膜であることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜の合計膜厚は、５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の蓋部は、スライド式に開閉することを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の蓋部は、ドア式に開閉することを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１のパッケージは、磁気シールド材で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の蓋部は、磁気シールド材で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１のパッケージに設けられた位置合わせ用の第１のマーク部をさらに具備することを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
- 磁気転写時に前記第１の蓋部を開けることを特徴とする請求項１０に記載の磁気記憶装置。
- 第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、
前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上にＤＬＣ膜で形成されたパッシベーション膜と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜の合計膜厚は５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１９に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子は、少なくとも第１の固定層と、第１の自由層と、前記第１の固定層及び前記第１の自由層に挟まれた第１のトンネル絶縁膜とで形成されたＭＴＪ素子であることを特徴とする請求項１９に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の自由層は前記パッシベーション膜に接していることを特徴とする請求項２１に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子と前記パッシベーション膜との間に形成され、前記第１の方向と異なる第２の方向に延在された第２の書き込み配線をさらに具備することを特徴とする請求項１９に記載の磁気記憶装置。
- 前記第２の書き込み配線は、前記第１の書き込み配線よりも薄いことを特徴とする請求項２３に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子、前記第２の書き込み配線及び前記パッシベーション膜の合計膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２３に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の磁気抵抗効果素子の上方に位置する第１の開口部が設けられた第１のパッケージと、
前記第１の開口部を開閉する第１の蓋部と、
前記第１の蓋部内に設けられ、前記第１の蓋部を閉じた状態で前記第１の磁気抵抗効果素子の上方に配置される第２の書き込み配線と
をさらに具備することを特徴とする請求項１９に記載の磁気記憶装置。 - 前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜の合計膜厚は、５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２６に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の蓋部は、スライド式に開閉することを特徴とする請求項２６に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の蓋部は、ドア式に開閉することを特徴とする請求項２６に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１のパッケージは、磁気シールド材で形成されることを特徴とする請求項２６に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１の蓋部は、磁気シールド材で形成されることを特徴とする請求項２６に記載の磁気記憶装置。
- 前記第１のパッケージに設けられた位置合わせ用の第１のマーク部をさらに具備することを特徴とする請求項２６に記載の磁気記憶装置。
- 磁気転写時に前記第１の蓋部を開けることを特徴とする請求項２６に記載の磁気記憶装置。
- 第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成された第１の読み出し配線と、
前記第１の読み出し配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記第１の読み出し配線に接続され、前記第１の読み出し配線より下方に位置し、前記第１の読み出し配線よりも太い第２の読み出し配線と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 前記第１の磁気抵抗効果素子、前記第１の読み出し配線及び前記パッシベーション膜の合計膜厚が５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３４に記載の磁気記憶装置。
- 前記パッシベーション膜はＤＬＣ膜であることを特徴とする請求項３４に記載の磁気記憶装置。
- 第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、
前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、
前記第１の書き込み配線、前記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが封止され、前記チップを露出する第１の開口部が設けられた第１のパッケージと、
前記第１の開口部を開閉する第１の蓋部と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成された第１の読み出し配線と、
前記第１の読み出し配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記第１の読み出し配線に接続され、前記第１の読み出し配線より下方に位置し、前記第１の読み出し配線よりも太い第２の読み出し配線と、
前記第１の磁気抵抗効果素子、前記第１及び第２の読み出し配線及び前記パッシベーション膜を含むチップが封止され、前記チップを露出する第１の開口部が設けられた第１のパッケージと、
前記第１の開口部を開閉する第１の蓋部と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、
前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、
前記第１の書き込み配線、記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置された平坦形状の第１の皿部と、
前記チップを覆う凸形状の第１の蓋部と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成された第１の読み出し配線と、
前記第１の読み出し配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記第１の読み出し配線に接続され、前記第１の読み出し配線より下方に位置し、前記第１の読み出し配線よりも太い第２の読み出し配線と、
前記第１の磁気抵抗効果素子、前記第１及び第２の読み出し配線及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置された平坦形状の第１の皿部と、
前記チップを覆う凸形状の第１の蓋部と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、
前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、
前記第１の書き込み配線、記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置された凹形状の第１の皿部と、
前記チップを覆う平面形状の第１の蓋部と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成された第１の読み出し配線と、
前記第１の読み出し配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記第１の読み出し配線に接続され、前記第１の読み出し配線より下方に位置し、前記第１の読み出し配線よりも太い第２の読み出し配線と、
前記第１の磁気抵抗効果素子、前記第１及び第２の読み出し配線及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置された凹形状の第１の皿部と、
前記チップを覆う平面形状の第１の蓋部と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 第１の方向に延在された第１の書き込み配線と、
前記第１の書き込み配線の上方に配置された第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成され、前記第１の書き込み配線よりも薄いパッシベーション膜と、
前記第１の書き込み配線、記第１の磁気抵抗効果素子及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置され、前記チップを持ち上げる可動式の第１の皿部と、
前記チップを覆う平面形状の第１の蓋部と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 第１の磁気抵抗効果素子と、
前記第１の磁気抵抗効果素子上に形成された第１の読み出し配線と、
前記第１の読み出し配線上に形成されたパッシベーション膜と、
前記第１の読み出し配線に接続され、前記第１の読み出し配線より下方に位置し、前記第１の読み出し配線よりも太い第２の読み出し配線と、
前記第１の磁気抵抗効果素子、前記第１及び第２の読み出し配線及び前記パッシベーション膜を含むチップが配置され、前記チップを持ち上げる可動式の第１の皿部と、
前記チップを覆う平面形状の第１の蓋部と
を具備することを特徴とする磁気記憶装置。 - 第１の磁気メモリの第１のデータを第２の磁気メモリに磁気転写させ、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む磁気転写処理部と、
前記磁気転写処理部の命令を入出力する入出力部と
を具備することを特徴とするデータ複写装置。 - 前記命令に応じて前記第１及び第２の磁気メモリを制御する制御部をさらに具備することを特徴とする請求項４５に記載のデータ複写装置。
- 前記データ複写装置をネットワークに接続する通信制御部と、
前記通信制御部を用いて前記第１のデータをダウンロードするダウンロード処理部と、
ダウンロードした前記第１のデータを前記第１の磁気メモリに書き込む記憶処理部と
をさらに具備することを特徴とする請求項４５に記載のデータ複写装置。 - 前記第１の磁気メモリに前記ダウンロードした前記第１のデータを書き込む前に、ダウンロードした前記第１のデータが書き込まれる記憶部をさらに具備することを特徴とする請求項４７に記載のデータ複写装置。
- 前記第１のデータは、前記第２のデータの反転データであることを特徴とする請求項４５又は４７に記載のデータ複写装置。
- 前記第１の磁気メモリは、前記第２の磁気メモリよりも保磁力が大きいことを特徴とする請求項４５又は４７に記載のデータ複写装置。
- 前記第１の磁気メモリは、第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第１の磁気抵抗効果素子の表面積は、前記第２の磁気抵抗効果素子の表面積よりも大きいことを特徴とする請求項５０に記載のデータ複写装置。 - 前記第１の磁気メモリは、第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第１の磁気抵抗効果素子のアスペクト比は、前記第２の磁気抵抗効果素子のアスペクト比よりも大きいことを特徴とする請求項５０に記載のデータ複写装置。 - 前記第１の磁気メモリは、少なくとも第１の固定層と第１の自由層とこれら第１の固定層及び第１の自由層に挟まれた第１のトンネル絶縁膜とを備えた第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、少なくとも第２の固定層と第２の自由層とこれら第２の固定層及び第２の自由層に挟まれた第２のトンネル絶縁膜とを備えた第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第１の自由層の膜厚は、前記第２の自由層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項５０に記載のデータ複写装置。 - 前記第１の磁気メモリは、少なくとも第１の固定層と第１の自由層とこれら第１の固定層及び第１の自由層に挟まれた第１のトンネル絶縁膜とを備えた第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、少なくとも第２の固定層と第２の自由層とこれら第２の固定層及び第２の自由層に挟まれた第２のトンネル絶縁膜とを備えた第２の磁気抵抗効果素子を含み、
磁気転写の際、前記制御部によって、前記第１の自由層と前記第２の自由層とを向かい合わせて近づけられることを特徴とする請求項４５又は４７に記載のデータ複写装置。 - データ複写装置と、
前記データ複写装置とネットワークを介して接続され、データベースを有するサーバと
を具備するデータ複写システムであって、
前記データ複写装置は、
前記データ複写装置と前記サーバとを接続する通信制御部と、
前記通信制御部を用いて前記データベースの中から第１のデータをダウンロードするダウンロード処理部と、
前記第１のデータを第１の磁気メモリに書き込む記憶処理部と、
前記第１の磁気メモリに書き込まれた前記第１のデータを第２の磁気メモリに磁気転写し、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む磁気転写処理部と、
前記通信制御部、前記ダウンロード処理部、前記記憶処理部及び前記磁気転写処理部の命令を入出力する入出力部と
を具備することを特徴とするデータ複写システム。 - 前記記憶処理部の命令に従って、前記第１のデータを前記第１の磁気メモリに書き込み、前記磁気転写処理部の命令に従って、磁気転写により前記第２のデータを前記第２の磁気メモリに書き込む制御部と
をさらに具備することを特徴とする請求項５５に記載のデータ複写システム。 - 前記データ複写装置は、
前記第１の磁気メモリにダウンロードした前記第１のデータを書き込む前に、ダウンロードした前記第１のデータが書き込まれる記憶部と
をさらに具備することを特徴とする請求項５５に記載のデータ複写システム。 - 前記第１のデータは、前記第２のデータの反転データであることを特徴とする請求項５５に記載のデータ複写システム。
- 前記第１の磁気メモリは、前記第２の磁気メモリよりも保磁力が大きいことを特徴とする請求５５記載のデータ複写システム。
- 前記第１の磁気メモリは、第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第１の磁気抵抗効果素子の表面積は、前記第２の磁気抵抗効果素子の表面積よりも大きいことを特徴とする請求項５９に記載のデータ複写システム。 - 前記第１の磁気メモリは、第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第１の磁気抵抗効果素子のアスペクト比は、前記第２の磁気抵抗効果素子のアスペクト比よりも大きいことを特徴とする請求項５９に記載のデータ複写システム。 - 前記第１の磁気メモリは、少なくとも第１の固定層と第１の自由層とこれら第１の固定層及び第１の自由層に挟まれた第１のトンネル絶縁膜とを備えた第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、少なくとも第２の固定層と第２の自由層とこれら第２の固定層及び第２の自由層に挟まれた第２のトンネル絶縁膜とを備えた第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第１の自由層の膜厚は、前記第２の自由層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項５９に記載のデータ複写システム。 - 前記第１の磁気メモリは、少なくとも第１の固定層と第１の自由層とこれら第１の固定層及び第１の自由層に挟まれた第１のトンネル絶縁膜とを備えた第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、少なくとも第２の固定層と第２の自由層とこれら第２の固定層及び第２の自由層に挟まれた第２のトンネル絶縁膜とを備えた第２の磁気抵抗効果素子を含み、
磁気転写の際、前記制御部によって、前記第１の自由層と前記第２の自由層とを向かい合わせて近づけられることを特徴とする請求項５５に記載のデータ複写システム。 - コンピュータに、
サーバのデータベースから第１のデータを選択し、この選択した第１のデータをダウンロードするダウンロード処理手段と、
前記第１のデータを第１の磁気メモリに書き込む記憶処理手段と、
前記第１の磁気メモリと第２の磁気メモリとを近づける制御手段と、
前記第１の磁気メモリの前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させ、前記第２の磁気メモリに第２のデータを記憶する磁気転写手段
として機能させるためのデータ複写プログラム。 - コンピュータに、
第１のデータが記憶された第１の磁気メモリと第２の磁気メモリとを近づける制御手段と、
前記第１の磁気メモリの前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させ、前記第２の磁気メモリに第２のデータを記憶する磁気転写手段
として機能させるためのデータ複写プログラム。 - 前記第１のデータは、前記第２のデータの反転データであることを特徴とする請求項６４又は６５に記載のデータ複写プログラム。
- 前記第１の磁気メモリは、前記第２の磁気メモリよりも保磁力が大きいことを特徴とする請求項６４又は６５に記載のデータ複写プログラム。
- 前記第１の磁気メモリは、少なくとも第１の固定層と第１の自由層とこれら第１の固定層及び第１の自由層に挟まれた第１のトンネル絶縁膜とを備えた第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、少なくとも第２の固定層と第２の自由層とこれら第２の固定層及び第２の自由層に挟まれた第２のトンネル絶縁膜とを備えた第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記制御手段において、前記第１の自由層と前記第２の自由層とを向かい合わせて近づけられることを特徴とする請求項６４又は６５に記載のデータ複写プログラム。 - データ複写装置とサーバとをネットワークを介して接続する工程と、
前記サーバのデータベースの中から第１のデータを選択する工程と、
前記第１のデータを前記データ複写装置にダウンロードする工程と、
前記ダウンロードした前記第１のデータを第１の磁気メモリに書き込む工程と、
前記データ複写装置に第２の磁気メモリが設置される工程と、
前記第１の磁気メモリと前記第２の磁気メモリとを近づけて前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させることで、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む工程と
を具備することを特徴とするデータ複写方法。 - 前記第１の磁気メモリに前記第１のデータを書き込む前に、前記データ複写装置の記憶部に前記第１のデータを書き込む工程と
をさらに具備することを特徴とする請求項６９に記載のデータ複写方法。 - データ複写装置に第１のデータが書き込まれた第１の磁気メモリが設置される工程と、
前記データ複写装置に第２の磁気メモリが設置される工程と、
前記第１の磁気メモリと前記第２の磁気メモリとを近づけて前記第１のデータを前記第２の磁気メモリに磁気転写させることで、前記第２の磁気メモリに第２のデータを書き込む工程と
を具備することを特徴とするデータ複写方法。 - 前記第１のデータは、前記第２のデータの反転データであることを特徴とする請求項６９又は７１に記載のデータ複写方法。
- 前記第１の磁気メモリは、前記第２の磁気メモリよりも保磁力が大きいことを特徴とする請求項６９又は７１に記載のデータ複写方法。
- 前記第１の磁気メモリは、第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第１の磁気抵抗効果素子の表面積は、前記第２の磁気抵抗効果素子の表面積よりも大きいことを特徴とする請求項７３に記載のデータ複写方法。 - 前記第１の磁気メモリは、第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第１の磁気抵抗効果素子のアスペクト比は、前記第２の磁気抵抗効果素子のアスペクト比よりも大きいことを特徴とする請求項７３に記載のデータ複写方法。 - 前記第１の磁気メモリは、少なくとも第１の固定層と第１の自由層とこれら第１の固定層及び第１の自由層に挟まれた第１のトンネル絶縁膜とを備えた第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、少なくとも第２の固定層と第２の自由層とこれら第２の固定層及び第２の自由層に挟まれた第２のトンネル絶縁膜とを備えた第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第１の自由層の膜厚は、前記第２の自由層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項７３に記載のデータ複写方法。 - 前記第１の磁気メモリは、少なくとも第１の固定層と第１の自由層とこれら第１の固定層及び第１の自由層に挟まれた第１のトンネル絶縁膜とを備えた第１の磁気抵抗効果素子を含み、
前記第２の磁気メモリは、少なくとも第２の固定層と第２の自由層とこれら第２の固定層及び第２の自由層に挟まれた第２のトンネル絶縁膜とを備えた第２の磁気抵抗効果素子を含み、
前記磁気転写は、前記第１の自由層と前記第２の自由層とを向かい合わせて近づけて行うことを特徴とする請求項６９又は７１に記載のデータ複写方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003171217A JP2004363527A (ja) | 2003-04-11 | 2003-06-16 | 磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法 |
| US10/678,254 US20040202031A1 (en) | 2003-04-11 | 2003-10-06 | Magnetic memory device, data copying apparatus, data copying system, recording medium and data copying method |
| CNB200410032846XA CN100405500C (zh) | 2003-04-11 | 2004-04-09 | 磁存储装置 |
| CN2007101600313A CN101202103B (zh) | 2003-04-11 | 2004-04-09 | 数据复制装置、***、方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003107994 | 2003-04-11 | ||
| JP2003171217A JP2004363527A (ja) | 2003-04-11 | 2003-06-16 | 磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004363527A true JP2004363527A (ja) | 2004-12-24 |
| JP2004363527A5 JP2004363527A5 (ja) | 2006-04-06 |
Family
ID=33134350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003171217A Pending JP2004363527A (ja) | 2003-04-11 | 2003-06-16 | 磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040202031A1 (ja) |
| JP (1) | JP2004363527A (ja) |
| CN (2) | CN100405500C (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011111789A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | 日本電気株式会社 | 磁性体装置及びその製造方法 |
| KR20220008327A (ko) * | 2019-06-17 | 2022-01-20 | 가부시키가이샤 아이신 | 반도체 기억 장치 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7029924B2 (en) * | 2003-09-05 | 2006-04-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Buffered-layer memory cell |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219282A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
| JPH03201221A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-03 | Tdk Corp | 磁気カードのエンコード方法および磁気カードエンコーダ |
| JPH04149690A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-22 | Casio Comput Co Ltd | 記録データ処理装置 |
| JPH0513054U (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH08221532A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 情報記録媒体並びに磁気転写箔及びそれらの読取方法 |
| JPH10149415A (ja) * | 1996-11-18 | 1998-06-02 | Takehisa Yashima | 住所管理用データ入力装置 |
| JPH1139445A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Hitachi Ltd | マルチアプリケーションｉｃカード、ｉｃカード読み取り書き込み装置及びアプリケーション組み込み装置 |
| JP2001284679A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 磁気素子およびその製造方法 |
| JP2002208101A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 磁気抵抗素子を利用した荷電粒子放出検出装置およびその方法 |
| JP2002231904A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記憶装置および磁性体基板 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5835314A (en) * | 1996-04-17 | 1998-11-10 | Massachusetts Institute Of Technology | Tunnel junction device for storage and switching of signals |
| TW342495B (en) * | 1996-07-22 | 1998-10-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Master information carrier, method of producing the same, and method for recording master information signal on magnetic recording medium |
| US5902690A (en) * | 1997-02-25 | 1999-05-11 | Motorola, Inc. | Stray magnetic shielding for a non-volatile MRAM |
| US6165803A (en) * | 1999-05-17 | 2000-12-26 | Motorola, Inc. | Magnetic random access memory and fabricating method thereof |
| JP2002176150A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-06-21 | Canon Inc | 磁気抵抗効果を用いた不揮発固体メモリ素子およびメモリとその記録再生方法 |
| TW560095B (en) * | 2001-04-02 | 2003-11-01 | Canon Kk | Magnetoresistive element, memory element having the magnetoresistive element, and memory using the memory element |
| JP5019681B2 (ja) * | 2001-04-26 | 2012-09-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 薄膜磁性体記憶装置 |
| US6682943B2 (en) * | 2001-04-27 | 2004-01-27 | Micron Technology, Inc. | Method for forming minimally spaced MRAM structures |
| JP3807254B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2006-08-09 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気センサ、および磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| JP2003086775A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-20 | Canon Inc | 磁気メモリ装置およびその製造方法 |
| US6627913B2 (en) * | 2001-09-10 | 2003-09-30 | Micron Technology, Inc. | Insulation of an MRAM device through a self-aligned spacer |
| JP4771631B2 (ja) * | 2001-09-21 | 2011-09-14 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 薄膜磁性体記憶装置 |
| JP2004047656A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Sony Corp | 磁気不揮発性メモリ素子およびその製造方法 |
| US7067330B2 (en) * | 2004-07-16 | 2006-06-27 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic random access memory array with thin conduction electrical read and write lines |
-
2003
- 2003-06-16 JP JP2003171217A patent/JP2004363527A/ja active Pending
- 2003-10-06 US US10/678,254 patent/US20040202031A1/en not_active Abandoned
-
2004
- 2004-04-09 CN CNB200410032846XA patent/CN100405500C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-04-09 CN CN2007101600313A patent/CN101202103B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219282A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子の製造方法 |
| JPH03201221A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-03 | Tdk Corp | 磁気カードのエンコード方法および磁気カードエンコーダ |
| JPH04149690A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-22 | Casio Comput Co Ltd | 記録データ処理装置 |
| JPH0513054U (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
| JPH08221532A (ja) * | 1995-02-17 | 1996-08-30 | Toppan Printing Co Ltd | 情報記録媒体並びに磁気転写箔及びそれらの読取方法 |
| JPH10149415A (ja) * | 1996-11-18 | 1998-06-02 | Takehisa Yashima | 住所管理用データ入力装置 |
| JPH1139445A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Hitachi Ltd | マルチアプリケーションｉｃカード、ｉｃカード読み取り書き込み装置及びアプリケーション組み込み装置 |
| JP2001284679A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 磁気素子およびその製造方法 |
| JP2002208101A (ja) * | 2001-01-10 | 2002-07-26 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 磁気抵抗素子を利用した荷電粒子放出検出装置およびその方法 |
| JP2002231904A (ja) * | 2001-02-06 | 2002-08-16 | Mitsubishi Electric Corp | 磁気記憶装置および磁性体基板 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011111789A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | 日本電気株式会社 | 磁性体装置及びその製造方法 |
| KR20220008327A (ko) * | 2019-06-17 | 2022-01-20 | 가부시키가이샤 아이신 | 반도체 기억 장치 |
| KR102578013B1 (ko) | 2019-06-17 | 2023-09-14 | 가부시키가이샤 아이신 | 반도체 기억 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100405500C (zh) | 2008-07-23 |
| CN101202103B (zh) | 2011-07-13 |
| CN101202103A (zh) | 2008-06-18 |
| CN1542845A (zh) | 2004-11-03 |
| US20040202031A1 (en) | 2004-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10217501B2 (en) | Memory element and memory apparatus | |
| JP4444241B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード及び電子装置 | |
| JP5017347B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ランダムアクセスメモリ、電子カード、電子装置、磁気抵抗効果素子の製造方法、及び、磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 | |
| JP4095498B2 (ja) | 磁気ランダムアクセスメモリ、電子カードおよび電子装置 | |
| JP4568152B2 (ja) | 磁気記録素子及びそれを用いた磁気記録装置 | |
| JP3959335B2 (ja) | 磁気記憶装置及びその製造方法 | |
| US7696548B2 (en) | MRAM with super-paramagnetic sensing layer | |
| US20090161265A1 (en) | Magnetic sensor, magnetic head, and magnetic memory by using spin hall devices | |
| CN108701758A (zh) | 磁阻元件和电子设备 | |
| US9484528B2 (en) | Memory element and memory apparatus | |
| JP2004023070A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法 | |
| JP2004349671A (ja) | 半導体記憶装置及びその製造方法 | |
| US20130009259A1 (en) | Magnetoresistive element and magnetic memory using the same | |
| CN103137855A (zh) | 存储元件和存储设备 | |
| US7238540B2 (en) | Magnetic random access memory and method of manufacturing the same | |
| TWI233200B (en) | Magnetic memory apparatus using damanscene process and its manufacturing method | |
| EP1398790A2 (en) | Magnetoresistive effect element, magnetic memory device and method of fabricating the same | |
| JP4729836B2 (ja) | 磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 | |
| JP2004363527A (ja) | 磁気記憶装置、データ複写装置、データ複写システム、データ複写プログラム、及びデータ複写方法 | |
| JP2004146614A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 | |
| JP2004022599A (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置の製造方法 | |
| JP2004158766A (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ装置 | |
| JP2004265905A (ja) | 磁気記憶セルおよび磁気メモリデバイスならびに磁気メモリデバイスの製造方法 | |
| JP4556385B2 (ja) | 磁気メモリデバイスの製造方法 | |
| JP4674433B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060221 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060221 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090721 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090924 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100622 |