JP2004334204A - ４色有機発光デバイス - Google Patents

４色有機発光デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2004334204A
JP2004334204A JP2004133280A JP2004133280A JP2004334204A JP 2004334204 A JP2004334204 A JP 2004334204A JP 2004133280 A JP2004133280 A JP 2004133280A JP 2004133280 A JP2004133280 A JP 2004133280A JP 2004334204 A JP2004334204 A JP 2004334204A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sub
pixels
pixel
electrode
shared
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004133280A
Other languages
English (en)
Inventor
Dustin Winters
ウィンターズ ダスティン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eastman Kodak Co
Original Assignee
Eastman Kodak Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Eastman Kodak Co filed Critical Eastman Kodak Co
Publication of JP2004334204A publication Critical patent/JP2004334204A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439—Pixel structures
    • G09G2300/0465—Improved aperture ratio, e.g. by size reduction of the pixel circuit, e.g. for improving the pixel density or the maximum displayable luminance or brightness
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Abstract

【課題】 ４色有機発光デバイスのための駆動回路を改良すること。
【解決手段】 基板；ロウとコラムをなして配列された複数画素であって、各画素が、該基板上に配置された４つの副画素からなる群を含み、かつ、各副画素が、間隔を置いて配置された第１電極及び第２電極を含む複数画素；各副画素の第１電極と第２電極との間に配置された有機ＥＬ媒体；並びに該基板上の該有機ＥＬ媒体に対し配置され、かつ、４つの副画素からなる各群を駆動するように配列された駆動回路であって、各副画素に対応する第１電極への電気接続を有する駆動回路を含んで成り、そして４つの副画素からなる各群に対する該駆動回路が、４本のデータライン、２本のパワーライン及び１本のセレクトラインを含み、該４本のデータラインが画素配列のコラム毎に共有され、かつ、該セレクトラインが画素配列のロウ毎に共有されることを特徴とする４色有機発光デバイス。
【選択図】 図１

Description

本発明は４色発光デバイスに関する。
フルカラー式有機電場発光（ＥＬ）デバイスは、有機発光デバイス又はＯＬＥＤとしても知られ、最近では、赤色、緑色、青色に白色を加えた４色の副画素を有する画素群で構成されるものが記述されている。このような構成はＲＧＢＷ型設計として知られている（米国特許出願第２００２／０１８６２１４号明細書参照）。この種の有機ＥＬデバイスは、白色有機ＥＬ発光層を使用し、これに赤色、緑色及び青色の各カラーフィルターを付けて構成したものが典型的である。白色の副画素領域はフィルターにかけずにおく。この設計は、典型的なＰＤＡ(Personal Digital Assistant)やコンピュータディスプレイのように白色バックグラウンドの使用頻度が高い用途に使用された場合に、３色フィルター式白色発光性有機ＥＬデバイスと比較して、電力消費量及び電流密度が低くなる点で有利である。
有機ＥＬデバイスはアクティブマトリックス回路で駆動されることが多い。当該技術分野では数種類の回路配置が知られている。最も一般的な回路配置としては、各画素が数種類の副画素を一列に整列させてなるストライプパターンが知られている。ストライプ設計用の駆動回路は、画素の各ロウを選択するためのセレクトラインからなる。このセレクトラインに直交するようにデータラインを走らせ、これを使用して当該ロウ内の各画素の輝度を決定する。ストライプパターン型アクティブマトリックス式有機ＥＬデバイスを動作させるためには、セレクトラインに電圧を印加することにより各ロウを選択し、かつ、データライン上に保持された電圧信号によって、各副画素の輝度レベルを制御する。ストライプパターンの例が、米国特許第６２８１６３４号明細書に示されている。
第２のタイプの回路配置としてデルタパターンが知られている。デルタパターンでは、副画素を一列に整列させるのではなく、三角形パターンでレイアウトする。デルタパターンの例は、米国特許第６４５６０１３号明細書及び米国特許出願第２００２／００７０９０９号明細書に示されている。デルタパターンは、ストライプパターンの場合より三つの副画素が互いに近くなるため、観察者に対して好ましい外観を提供することができるので、ストライプパターンより好適となる場合が多い。
しかしながら、従来型のデルタ設計は、異なる３色の副画素を有するデバイスにしか有用とならず、４色系ディスプレイには適さない。従来型のストライプパターン回路を４色副画素設計に適用する場合には、当該副画素を１×４形マトリックスとして配置する必要がある。この方式では、第１副画素と第４副画素との間隔が離れてしまうため、観察者に対する外観がさほど好ましくないものとなる。したがって、副画素同士が近くなるように配置する画素回路が必要となる。
第４の副画素を付加すると、各画素に必要なアクティブマトリックス回路部品（例、トランジスタ及びキャパシタ）並びに接続ライン（例、デルタライン及びパワーライン）の数も増加する。底面発光型デバイス、すなわち回路を含む基板を通して光が出てくるデバイスの場合、当該回路が当該発光の一部を遮蔽することが起こり得る。発光領域の非発光領域に対する比率が開口比として知られている。開口比は、低くなると所望の平均発光輝度を達成するのに要する電流密度が増大するので、高い方が望まれる。有機ＥＬデバイスは、電流密度が高くなるほど劣化速度も高くなり、ひいては当該ディスプレイの有効寿命が短くなることが知られている。上面発光型デバイス、すなわち回路と反対方向に光が出てくるデバイスの場合には、回路部品や接続ラインの数が増えることによって開口比に影響が及ぶことはない。しかしながら、上面発光型デバイスであっても底面発光型デバイスであっても、回路部品や接続ラインの数によって、構築可能な画素の最小サイズ、すなわち全体的な設計の解像度が制約を受けることになる。したがって、回路部品や接続ラインが占める表面積を減らした新規な画素設計が必要となる。
米国特許出願第２００２／０１８６２１４号明細書 米国特許第６２８１６３４号明細書 米国特許第６４５６０１３号明細書 米国特許出願第２００２／００７０９０９号明細書 米国特許第６５２２０７９号明細書
したがって、本発明の目的は、発光画素を有する４色有機発光デバイスのための駆動回路を改良することにある。
上記目的は、発光画素を有する４色有機発光デバイスであって、
ａ）基板；
ｂ）ロウ(row)とコラム(column)をなして配列された複数画素であって、各画素が、該基板上に配置された４つの副画素からなる群を含み、かつ、各副画素が、間隔を置いて配置された第１電極及び第２電極を含む複数画素；
ｃ）各副画素の第１電極と第２電極との間に配置された有機ＥＬ媒体；並びに
ｄ）該基板上の該有機ＥＬ媒体に対し配置され、かつ、４つの副画素からなる各群を駆動するように配列された駆動回路であって、各副画素に対応する第１電極への電気接続を有する駆動回路
を含んで成り、そして
ｅ）４つの副画素からなる各群に対する該駆動回路が、４本のデータライン、２本のパワーライン及び１本のセレクトラインを含み、該４本のデータラインが画素配列のコラム毎に共有され、かつ、該セレクトラインが画素配列のロウ毎に共有される
ことを特徴とする４色有機発光デバイスによって達成される。
本発明は、４つの副画素を２×２形マトリックスとして配列し駆動させることができる点で、ストライプ回路やデルタ回路のような従来型設計より有利となる。また本発明は、回路部品及び回路接続の表面積を減らす。このため、開口比を向上させ、又は単位面積当たりの可能な画素数を増加させることができる。
用語「OLEDデバイス」は、当該技術分野で認識されている意味で使用され、有機発光ダイオードを画素として含む表示装置をさし、また有機発光デバイスとも称される。カラーOLEDデバイスは、少なくとも１色の光を発する。用語「多色」は、異なる領域で異なる色相の光を発することができるディスプレイパネルをさし、具体的には、異なる色の画像を表示することができるディスプレイパネルをさす。これらの領域は必ずしも隣接しなくてもよい。用語「フルカラー」は、可視スペクトルの赤、緑及び青の各色域で発光し、任意の組合せの色相で画像を表示することができる多色ディスプレイパネルをさす。赤色、緑色及び青色は三原色を構成し、これらの三原色を適宜混合することにより他のすべての色を発生させることができる。用語「色相」は、可視スペクトル内の発光強度プロファイルをさし、異なる色相は視覚的に識別できる色差を示す。用語「画素」は、当該技術分野で認識されている意味で使用され、ディスプレイパネルの一領域であって、他の領域とは独立に発光するように刺激され得る領域をさす。画素又は副画素とは、一般に、ディスプレイパネルにおいてアドレス指定可能な最小単位をさす。用語「副画素」は、多色ディスプレイパネルにおいて使用され、特定の色の光を放出させるために独立にアドレスすることができる画素の部分をさす。例えば、青色副画素は、青光を放出させるためにアドレスすることができる画素の当該部分である。
図１に、本発明の第１態様の回路パターン図を示す。このディスプレイは、ロウとコラムをなして配列された複数の発光性画素２０から形成される４色有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）である。各画素２０には、異なる色の光を放出する４つの個別アドレス指定可能な副画素２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び２０ｄからなる群が含まれる。これらの副画素は、画素領域内で２×２形マトリックスをなすように配列される。画素２０は、均等サイズの赤色、緑色、青色及び白色の副画素（ＲＧＢＷ）を含むものとして図示されている。しかしながら、本発明の本態様その他すべての態様について、副画素２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び２０ｄが、所望の表示特性を与える４つの副画素の任意の色の組合せを含み得ることを理解されたい。ＲＧＢＷ態様では、白色発光副画素の色がＣＩＥ色空間内の赤色、緑色及び青色の間の点を構成し、一般に、観察者には白色として認識される。
本明細書に記載した態様では、各種の発光要素が異なる効率及び寿命を有していてもよい。各種用途に対して表示装置を最適化するため、サイズの異なる要素を使用することが有用となる場合がある。例えば、黒白使用が主流となる用途では、追加の白色ＯＬＥＤ要素のサイズを大きくすることができる。また、追加要素にささげられる輝度量が操作されるので、それらの相対サイズを変えることが望ましい場合もある。米国特許第６３６６０２５号明細書（Yamada）に、発光要素の発光効率及び輝度比が異なることを考慮に入れて異なる面積を有する発光要素を有する電場発光カラー表示装置が記載されている。Yamadaに記載された概念を本発明の表示装置に適用することができる。
本発明の目的のため、ＯＬＥＤデバイスの各画素の副画素の有機ＥＬ媒体は、各種の方法により異なる色の光を放出することができる。例えば、画素２０の異なる色の副画素は、副画素毎に異なる色の光を発生する、例えば、赤色、緑色、青色及び白色を発生するような、異なる有機ＥＬ媒体を含むことができる。別態様として、有機ＥＬ媒体を色の異なる各種副画素間で共通にし、かつ、白色光を発生させるように配列することができ、また副画素がさらに、各画素の４つの各副画素のうちの３つに対応する赤色、緑色及び青色のカラーフィルターを含むこともできる。
ディスプレイは、４つの副画素からなる各群について、駆動回路を含む。駆動回路は有機ＥＬ媒体に対し配置される。すなわち、駆動回路は、４つの副画素からなる各群を駆動することにより所望のパターン又は様式で光を放出するように配列される。駆動回路はセレクトライン、データライン、パワーライン、トランジスタ及びキャパシタを含むことができる。アクティブマトリックス式ディスプレイは、基板上に配置された駆動回路を含む。
駆動回路は、画素２０の配列の単一ロウ毎に共有される単一のセレクトライン１１３を含む。画素２０の各ロウは、それ自身のセレクトライン１１３を含む。セレクトライン１１３は、その一方側に第１及び第２の副画素２０ａ及び２０ｂが位置し、その反対側に第３及び第４の副画素２０ｃ及び２０ｄが位置するように、配置されている。画素２０の１ロウは、そのロウのセレクトライン１１３に電圧信号を印加することにより、任意の一定時間アドレス指定される。あるロウが選択されると、そのロウに含まれる各画素２０の４つの副画素２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び２０ｄがすべて同時に選択される。さらに駆動回路は、画素配列のコラム毎に共有され、かつ、セレクトライン１１３に対してほぼ直交するデータライン１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び１１２ｄを含み、これらを使用して当該ロウに含まれる各副画素の輝度を決定する。画素２０のコラム毎に４本のデータラインがある。これは、４つの副画素からなる群に含まれる副画素毎に１本のデータラインがあるためである。これにより、全副画素２０ａ、２０ｂ、２０ｃ及び２０ｄの輝度レベルを、あるロウを選択しながら同時に設定することができる。さらに駆動回路は、画素のコラム毎に２本のパワーライン１１１ａ及び１１１ｂを含む。通常、パワーライン１１１ａ及び１１１ｂはすべての副画素に対して同一電圧に設定されるため、各画素２０の異なる２つの副画素に電力を供給するために各パワーラインを配列することができる。２つの副画素２０ａ及び２０ｃを第１パワーライン１１１ａと接続させ、残る２つの副画素２０ｂ及び２０ｄを第２パワーライン１１１ｂと接続させることができる。図示した態様では、２本のパワーライン１１１ａ及び１１１ｂが画素２０の配列の複数コラムにより共有されている。２本のパワーライン１１１ａ及び１１１ｂが画素２０の配列の複数ロウにより共有される別の態様も可能である。
各副画素の駆動回路は、セレクトトランジスタ１２０と、ストレージキャパシタ１３０と、パワートランジスタ１４０と、第１電極（図示なし）及びそれとの接続を含む電気接続１０と、有機発光ダイオードである有機ＥＬ媒体３１０とを含む。第１セレクトトランジスタ１２０のゲートはセレクトライン１１３と接続され、第２端子がデータラインの１本１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ又は１１２ｄと接続され、各副画素は独立したデータラインを有する。セレクトトランジスタ１２０の第３端子は、パワートランジスタ１４０のゲート並びにストレージキャパシタ１３０の一方の側と接続される。ストレージキャパシタ１３０は、セレクトライン１１３が活性化されていない間に、データライン電圧を保持するように作用する。ストレージキャパシタ１３０の第２の側は、キャパシタライン（当該副画素によって第１キャパシタライン１１４ａ又は第２キャパシタライン１１４ｂとなる）と接続される。典型的には、すべての画素のすべてのキャパシタラインが共通の電圧に接続される。パワートランジスタ１４０の他方の端子は、一方の側で、第１パワーライン１１１ａ又は第２パワーライン１１１ｂに接続され、他方の側で、対応する副画素の有機ＥＬ媒体３１０に接続される。典型的には、すべての画素のすべてのパワーラインが共通の電圧に接続される。有機ＥＬ要素の第２電極３２０は、すべての画素に対して共通であることが典型的である。図１中、有機ＥＬ媒体３１０はダイオード記号で示される。
駆動回路は、当該技術分野でよく知られているように作動する。セレクトライン１１３に電圧信号を印加すると、各副画素のセレクトトランジスタ１２０がオンになり、画素の各ロウが選択される。各副画素の輝度レベルは、データライン１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄで設定された電圧信号によって制御される。次いで、各副画素のストレージキャパシタ１３０を当該副画素に組み合わされたデータラインの電圧レベルに帯電させ、次のイメージフレームに際して当該ロウが再度選択されるまで、そのデータ電圧を維持する。ストレージキャパシタ１３０は、パワートランジスタ１４０のゲートに接続され、ストレージキャパシタ１３０に保持された電圧レベルがパワートランジスタ１４０から有機ＥＬ媒体３１０（有機発光ダイオードである）への電流を調節することにより、輝度を制御する。次いで、各ロウを、セレクトライン１１３へ電圧信号を印加してセレクトトランジスタ１２０をオフにすることにより選択解除する。次いで、データライン１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び１１２ｄの電圧を次のロウに望まれるレベルに設定し、そして次のロウのセレクトラインをオンにする。これを各画素ロウについて繰り返す。
図２に、本発明の上記第１態様についての配置パターン図を示す。駆動回路部品は、従来型の集積回路技術を利用して製作される。各副画素に対し、当該技術分野で周知の技法を使用して第１半導体領域１２１からセレクトトランジスタ１２０を形成させる。同様に、第２半導体領域１４１においてパワートランジスタ１４０を形成することができる。典型的には、同一の半導体層において、第１半導体領域１２１と第２半導体領域１４１とを形成させる。この半導体層は、典型的にはシリコンであり、アモルファス、多結晶性又は結晶性であることができる。この第１半導体領域１２１は、ストレージキャパシタ１３０の一方の側をも形成する。第１半導体領域１２１と第２半導体領域１４１の上に、セレクトトランジスタ１２０のゲート絶縁体、パワートランジスタ１４０のゲート絶縁体及びストレージキャパシタ１３０の絶縁層を形成する絶縁層（図示なし）が存在する。セレクトトランジスタ１２０のゲートは、第１導体層において形成されたセレクトライン１１３の一部から形成される。パワートランジスタ１４０は、同様に第１導体層において形成されることが好ましい独立したパワートランジスタゲート１４３を有する。ストレージキャパシタ１３０の他方の電極は、同様に第１導体層において形成されることが好ましいキャパシタライン１１４ａの一部として形成される。第１及び第２パワーライン１１１ａ及び１１１ｂ、並びに第１、第２、第３及び第４データライン１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び１１２ｄは、それぞれ、第２導体層において形成されることが好ましい。信号ライン（例、セレクトライン１１３）の１本又は２本以上は、別の信号ライン（例、データライン１１２ａ）の少なくとも１本又は２本以上と交差する場合が多い。このため、これらのラインを、少なくとも１つの中間絶縁層（図示なし）と共に複数の導電層から加工製作する必要がある。第１半導体領域を特定のデータラインへ接続するために、別のデータラインを交差させてもよい。このような場合を、図３において配列された副画素２０ａ及び２０ｂに示す。この場合、導電性ブリッジ１２４を使用することができる。導電性ブリッジは第１導体層から形成させることができる。導電性ブリッジの使用は、本発明の実施を成功させる上で必須ではなく、当業者であれば、第１半導体領域１２１がデータラインを交差して別のデータラインと接続する他の態様を実現することもできる。図３において配列された２０ｃ及び２０ｄのような他の副画素については、交差するデータラインはなく、そして第１半導体領域を適当なデータラインと直接接続させることができる。有機ＥＬ要素は、各画素の第１電極１８１をパターン化し、１又は２以上の有機ＥＬ媒体（図示なし）及び第２電極（図示なし）を付着させることにより形成される。
層間の接続は、絶縁層にホール（又はバイア）、例えば、第１半導体領域１２１を導電性ブリッジ１２４と接続させる第１ブリッジバイア１２３、導電性ブリッジを有する副画素について導電性ブリッジ１２４をデータライン１１２ａと接続させる第２ブリッジバイア１２５、をエッチングすることにより形成される。導電性ブリッジを有しない画素については、データライン１１２ａをセレクトトランジスタ１２０の第１半導体領域１２１と接続させる第１バイア１２２が存在する。他のバイアとして、パワートランジスタゲート１４３をストレージキャパシタ１３０及びセレクトトランジスタ１２０の第１半導体領域１２１と接続させる第２バイア１４２、パワートランジスタの第２半導体領域１４１をパワーライン１１１ａと接続させる第３バイア１４６、並びにパワートランジスタの第２半導体領域１４１を第１電極１８１と接続させる第４バイア１４５が含まれる。
図３に、図２に示した線Ｘ−Ｘ’に沿って切断されたデバイスの副画素２０ｃの横断面図を示す。本発明のＯＬＥＤデバイス及びその中の副画素は、典型的には、図示されているように支持基板２００の上に配置される。基板は、意図される発光方向に依存して、透光性又は不透明のいずれかであることができる。ＥＬ発光を基板を通して観察する場合には透光性が望まれる。このような場合、透明なガラス又はプラスチックが通常用いられる。ＥＬ発光を上部電極を通して観察する用途の場合には、底部支持体の透過性は問題とならないため、透光性、吸光性又は光反射性のいずれであってもよい。この場合の用途向け基板には、ガラス、プラスチック、半導体材料、シリコン、セラミックス及び回路基板材料が含まれるが、これらに限定はされない。
図３は、各副画素（例、２０ｃ）に含まれる各種層並びに間隔を置いて配置された第１電極１８１及び第２電極３２０の縦配置を示している。駆動回路１００は、本明細書で説明するように、基板２００の上で、かつ、有機ＥＬ媒体３１０の下に配置される。基板２００の上に半導体層２１１を形成させ、ドープ処理し、そしてパターン化する。半導体層２１１の上にゲート絶縁層２１２を形成させる。ゲート絶縁層２１２の上に、第１導体層からゲート導体１５３を形成させる。次いで、周知の方法によって、半導体層２１１をドープ処理し、ゲート導体１５３のいずれかの側にソース領域及びドレイン領域を形成させる。ゲート導体１５３の上に第１中間絶縁体層２１３を形成させる。第１中間絶縁体層２１３の上に、第２導体層を付着させてパターン化することにより、第１パワーライン（例、１１１ａ）及びデータライン（例、１１２ａ及び１１２ｂ）を形成させる。パワーライン及びデータライン（例、１１１ａ、１１２ａ、等）の上に第２中間絶縁体層２１４を形成させる。第２中間絶縁体層２１４の上に副画素２０ｃの第１電極１８１を形成させる。第１電極１８１をパターン化する。第１電極１８１の周囲に、第１電極１８１と第２電極３２０の間の短絡を減少させるため、電極絶縁膜２２０を形成させる。このような電極絶縁膜を第１電極１８１の上に使用することについては、米国特許第６２４６１７９号明細書に記載されている。電極絶縁膜２２０を使用すると有益な効果を得ることができるが、本発明の実施を成功させる上で必須なものではない。
基板に最も近い電極が、便宜上、底部電極又は第１電極１８１と称される。第１電極１８１は、これを通してＥＬ発光を観察する場合には、当該発光に対して透明又は実質的に透明であることが必要である。本発明に用いられる一般的な透明第１電極材料はインジウム錫酸化物（ITO）、インジウム亜鉛酸化物（IZO）及び酸化錫であるが、例示としてアルミニウム又はインジウムをドープした酸化亜鉛、マグネシウムインジウム酸化物及びニッケルタングステン酸化物をはじめとする他の金属酸化物でも使用することができる。これらの酸化物の他、第１電極１８１としては、窒化ガリウムのような金属窒化物、セレン化亜鉛のような金属セレン化物、及び硫化亜鉛のような金属硫化物を使用することができる。第２電極３２０を通してのみＥＬ発光を観察する用途の場合には、第１電極１８１の透過性は問題とならず、透明、不透明又は反射性を問わずどのような導電性材料でも使用することができる。このような用途向けの導体の例として、金、イリジウム、モリブデン、パラジウム及び白金が挙げられるが、これらに限定はされない。第１電極１８１は、アノードとしてバイアスされることが典型的であるが、本発明はそのような構成に限定されるものではない。典型的なアノード材料は、透過性であってもそうでなくても、仕事関数が４．１ｅＶ以上である。望ましい第１電極材料は、一般に、蒸発法、スパッタ法、化学的気相成長(CVD)法又は電気化学法のような適当な手段のいずれかによって付着される。第１電極１８１は、周知のフォトリソグラフ法によってパターン化することもできる。必要に応じ、短絡を減らし、又は反射性を高めるために、他の層を適用する前に第１電極１８１を磨き、その表面粗さを低下させてもよい。
有機ＥＬ媒体３１０は、各副画素の第１電極１８１と第２電極３２０の間に配置される。当該技術分野では、本発明を使用することができる有機ＥＬ層構造体が数多く知られている。例えば、有機ＥＬ媒体３１０は、正孔注入層３１１、正孔輸送層３１２、発光層３１３及び電子輸送層３１４を含むことができる。
常に必要であるわけではないが、第１電極１８１と正孔輸送層３１２の間に正孔注入層３１１を設けることがしばしば有用となる。正孔注入層３１１は、後続の有機層の薄膜形成性を改良し、かつ、正孔輸送層３１２への正孔注入を促進するように作用し得る。正孔注入層３１１に用いるのに好適な材料として、米国特許第４７２０４３２号明細書に記載されているポルフィリン系化合物、米国特許第６１２７００４号、米国特許第６２０８０７５号及び米国特許第６２０８０７７号明細書に記載されているプラズマ蒸着フルオロカーボンポリマー、及びある種の芳香族アミン、例えば、m-MTDATA｛4,4',4"-トリス[(3-メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン｝が挙げられるが、これらに限定はされない。有機ＥＬデバイス用の代わりの正孔注入性材料が、欧州特許出願公開第０８９１１２１号及び同第１０２９９０９号明細書に記載されている。
正孔輸送層３１２は、芳香族第三アミンのような少なくとも１種の正孔輸送性化合物を含む。芳香族第三アミンとは、少なくとも一つが芳香族環の環員である炭素原子にのみ結合している３価窒素原子を１個以上含有する化合物であると解される。一つの形態として、芳香族第三アミンはアリールアミン、例えば、モノアリールアミン、ジアリールアミン、トリアリールアミン又は高分子アリールアミンであることができる。トリアリールアミン単量体の例が、Klupfelらの米国特許第３１８０７３０号明細書に示されている。１以上のビニル基で置換された、及び／又は少なくとも一つの活性水素含有基を含む、その他の好適なトリアリールアミンが、Brantleyらの米国特許第３５６７４５０号及び同第３６５８５２０号明細書に記載されている。
より好ましい種類の芳香族第三アミンは、米国特許第４７２０４３２号及び同第５０６１５６９号明細書に記載されているような芳香族第三アミン部分を２個以上含有するものである。正孔輸送層３１２は、芳香族第三アミン化合物の単体又は混合物で形成することができる。有用な芳香族第三アミンを例示する。
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)シクロヘキサン
1,1-ビス(4-ジ-p-トリルアミノフェニル)-4-フェニルシクロヘキサン
4,4’-ビス(ジフェニルアミノ)クアドリフェニル
ビス(4-ジメチルアミノ-2-メチルフェニル)-フェニルメタン
N,N,N-トリ(p-トリル)アミン
4-(ジ-p-トリルアミノ)-4’-[4(ジ-p-トリルアミノ)-スチリル]スチルベン
N,N,N’,N’-テトラ-p-トリル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラフェニル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラ-1-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニル
N,N,N’,N’-テトラ-2-ナフチル-4,4’-ジアミノビフェニル
N-フェニルカルバゾール
4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ビフェニル
4,4”-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(3-アセナフテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4’-ビス[N-(9-アントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4”-ビス[N-(1-アントリル)-N-フェニルアミノ]-p-ターフェニル
4,4’-ビス[N-(2-フェナントリル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(8-フルオルアンテニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ピレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ナフタセニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(2-ペリレニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
4,4’-ビス[N-(1-コロネニル)-N-フェニルアミノ]ビフェニル
2,6-ビス(ジ-p-トリルアミノ)ナフタレン
2,6-ビス[ジ-(1-ナフチル)アミノ]ナフタレン
2,6-ビス[N-(1-ナフチル)-N-(2-ナフチル)アミノ]ナフタレン
N,N,N’,N’-テトラ(2-ナフチル)-4,4”-ジアミノ-p-ターフェニル
4,4’-ビス｛N-フェニル-N-[4-(1-ナフチル)-フェニル]アミノ｝ビフェニル
4,4’-ビス[N-フェニル-N-(2-ピレニル)アミノ]ビフェニル
2,6-ビス[N,N-ジ(2-ナフチル)アミン]フルオレン
1,5-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ナフタレン
4,4',4"-トリス[(3-メチルフェニル)フェニルアミノ]トリフェニルアミン
別の種類の有用な正孔輸送性材料として、欧州特許第１００９０４１号明細書に記載されているような多環式芳香族化合物が挙げられる。オリゴマー材料をはじめとする、アミン基を３個以上含有する芳香族第三アミンを使用してもよい。さらに、ポリ(N-ビニルカルバゾール)(PVK)、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン及びPEDOT/PSSとも呼ばれているポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)／ポリ(4-スチレンスルホネート)のようなコポリマー、といった高分子正孔輸送性材料を使用することもできる。
米国特許第４７６９２９２号及び同第５９３５７２１号明細書に詳述されているように、副画素２０ｃの発光層（LEL）は発光材料又は蛍光材料を含み、その領域において電子-正孔対が再結合する結果として電場発光が生じ、光３４０が得られる。光３４０は、底面発光型デバイスの場合として図示されているが、副画素２０ｃを、別の態様として上面発光型デバイスとしてもよいことを理解されたい。発光層３１３は、単一材料で構成することもできるが、より一般的には、ホスト材料に単一又は複数種のゲスト化合物をドーピングしてなり、そこで主として当該ドーパントから発光が生じ、その発光色にも制限はない。発光層３１３に含まれるホスト材料は、後述するような電子輸送性材料、上述したような正孔輸送性材料、又は正孔-電子再結合を支援する別の材料もしくはその組合せ、であることができる。ドーパントは、通常は高蛍光性色素の中から選ばれるが、リン光性化合物、例えば、国際公開第９８／５５５６１号、同第００／１８８５１号、同第００／５７６７６号及び同第００／７０６５５号の各パンフレットに記載されているような遷移金属錯体も有用である。ドーパントは、ホスト材料中、０．０１〜１０質量％の範囲内でコーティングされることが典型的である。ホスト材料として、ポリフルオレンやポリビニルアリーレン（例、ポリ(p-フェニレンビニレン)、PPV）のような高分子材料を使用することもできる。この場合、高分子ホスト中に低分子ドーパントを分子レベルで分散させること、又はホストポリマー中に二次成分を共重合させることによりドーパントを付加すること、が可能である。
ドーパントとしての色素を選定するための重要な関係は、当該分子の最高被占軌道と最低空軌道との間のエネルギー差として定義されるバンドギャップポテンシャルの対比である。ホストからドーパント分子へのエネルギー伝達の効率化を図るためには、当該ドーパントのバンドギャップがホスト材料のそれよりも小さいことが必須条件となる。リン光性発光体の場合には、ホストの三重項エネルギー準位が、ホストからドーパントへのエネルギー移動を可能ならしめるに十分な高さであることも重要である。
有用性が知られているホスト及び放出性分子として、米国特許第４７６９２９２号、同第５１４１６７１号、同第５１５０００６号、同第５１５１６２９号、同第５４０５７０９号、同第５４８４９２２号、同第５５９３７８８号、同第５６４５９４８号、同第５６８３８２３号、同第５７５５９９９号、同第５９２８８０２号、同第５９３５７２０号、同第５９３５７２１号及び同第６０２００７８号の各明細書に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
8-ヒドロキシキノリン（オキシン）及び類似の誘導体の金属錯体は、電場発光を支援することができる有用なホスト化合物の一種となる。以下、有用なキレート化オキシノイド系化合物の例を示す。
CO-1：アルミニウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-2：マグネシウムビスオキシン〔別名、ビス(8-キノリノラト)マグネシウム(II)〕
CO-3：ビス[ベンゾ｛f｝-8-キノリノラト]亜鉛(II)
CO-4：ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)-μ-オキソ-ビス(2-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)
CO-5：インジウムトリスオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)インジウム〕
CO-6：アルミニウムトリス(5-メチルオキシン)〔別名、トリス(5-メチル-8-キノリノラト)アルミニウム(III)〕
CO-7：リチウムオキシン〔別名、(8-キノリノラト)リチウム（Ｉ）〕
CO-8：ガリウムオキシン〔別名、トリス(8-キノリノラト)ガリウム(III)〕
CO-9：ジルコニウムオキシン〔別名、テトラ(8-キノリノラト)ジルコニウム(IV)〕
有用なホスト材料の別の種類として、米国特許第５９３５７２１号明細書に記載されている9,10-ジ-(2-ナフチル)アントラセン及びその誘導体のようなアントラセン誘導体、米国特許第５１２１０２９号明細書に記載されているジスチリルアリーレン誘導体、並びに2,2’,2”-(1,3,5-フェニレン)トリス[1-フェニル-1H-ベンズイミダゾール]のようなベンズアゾール誘導体が挙げられるが、これらに限定はされない。リン光性発光体の場合には、カルバゾール誘導体が特に有用なホストとなる。
有用な蛍光性ドーパントには、アントラセン、テトラセン、キサンテン、ペリレン、ルブレン、クマリン、ローダミン、キナクリドン、ジシアノメチレンピラン類、チオピラン類、ポリメチン類、ピリリウム類及びチアピリリウム類の各誘導体、フルオレン誘導体、ペリフランテン誘導体、インデノペリレン誘導体、ビス（アジニル）アミンホウ素類、ビス（アジニル）メタン類並びにカルボスチリル類が包含される。
本発明の有機ＥＬ要素の電子輸送層３１４を形成するのに用いるのに好ましい薄膜形成性材料は、オキシン（通称8-キノリノール又は8-ヒドロキシキノリン）自体のキレートをはじめとする金属キレート化オキシノイド系化合物である。このような化合物は、電子の注入及び輸送を助長し、高い性能レベルを示すと共に、薄膜への加工が容易である。オキシノイド系化合物の例は先に列挙した通り。
その他の電子輸送性材料として、米国特許第４３５６４２９号明細書に記載されている各種ブタジエン誘導体、及び米国特許第４５３９５０７号明細書に記載されている各種複素環式蛍光増白剤が挙げられる。ベンズアゾール及びトリアジンもまた有用な電子輸送性材料である。
第２電極３２０は、カソードとしてバイアスされることが典型的である。発光を基板２００のみを通して観察する場合には、本発明に用いられる第２電極３２０は、ほとんどすべての導電性材料を含んでなることができる。望ましい材料は、下部の有機層との良好な接触が確保されるよう良好な薄膜形成性を示し、低電圧での電子注入を促進し、かつ、良好な安定性を有する。有用なカソード材料は、低仕事関数金属（＜４．０ｅＶ）又は合金を含むことが多い。好適なカソード材料の１種に、米国特許第４８８５２２１号明細書に記載されているMg:Ag合金（銀含有率１〜２０％）を含むものがある。別の好適な種類のカソード材料として、有機層（例、電子輸送層３１４）に接している薄い電子注入層（EIL）に、これより厚い導電性金属層をキャップしてなる二層形が挙げられる。この場合、EILは低仕事関数の金属又は金属塩を含むことが好ましく、そのときは、当該より厚いキャップ層は低仕事関数を有する必要はない。このようなカソードの一つに、米国特許第５６７７５７２号明細書に記載されているような、LiF薄層にこれより厚いAl層を載せてなるものがある。その他の有用なカソード材料のセットとして、米国特許第５０５９８６１号、同第５０５９８６２号及び同第６１４０７６３号明細書に記載されているものが挙げられるが、これらに限定はされない。
第２電極３２０を通して発光を観察する場合には、第２電極３２０は透明又はほぼ透明でなければならない。このような用途の場合、金属が薄くなければならないか、又は透明導電性酸化物もしくはこれら材料の組合せを使用しなければならない。透光性カソードについては、米国特許第４８８５２１１号、米国特許第５２４７１９０号、ＪＰ３２３４９６３号、米国特許第５７０３４３６号、米国特許第５６０８２８７号、米国特許第５８３７３９１号、米国特許第５６７７５７２号、米国特許第５７７６６２２号、米国特許第５７７６６２３号、米国特許第５７１４８３８号、米国特許第５９６９４７４号、米国特許第５７３９５４５号、米国特許第５９８１３０６号、米国特許第６１３７２２３号、米国特許第６１４０７６３号、米国特許第６１７２４５９号、欧州特許第１０７６３６８号、米国特許第６２７８２３６号及び米国特許第６２８４３９３号の各明細書に詳しく記載されている。第２電極３２０の材料は、蒸発法、スパッタ法又は化学的気相成長法により付着させることが典型的である。
場合によっては、必要に応じて、発光層３１３と電子輸送層３１４を、発光と電子輸送の両方を支援する機能を発揮する単一層に置き換えることが可能である。当該技術分野では、ホストとして作用できる正孔輸送層３１２に発光性ドーパントを添加できることも知られている。白色発光性OLEDを製造するため、１又は２以上の層に複数のドーパントを添加することができ、例えば、青色発光性材料と黄色発光性材料、シアン色発光性材料と赤色発光性材料又は赤色発光性材料と緑色発光性材料と青色発光性材料を組み合わせることができる。白色発光性デバイスについては、例えば、欧州特許第１１８７２３５号、米国特許出願公開第２００２／００２５４１９号、欧州特許第１１８２２４４号、米国特許第５６８３８２３号、米国特許第５５０３９１０号、米国特許第５４０５７０９号及び米国特許第５２８３１８２号の各明細書に記載されている。
本発明のデバイスには、当該技術分野で教示されているような追加の層、例えば、電子阻止層又は正孔阻止層を採用することができる。例えば、米国特許出願公開第２００２／００１５８５９号明細書に記載されているように、正孔阻止層は、通常、リン光性発光体系デバイスの効率を高めるために用いられる。
上述した有機材料は、昇華法のような気相法により適宜付着されるが、流体から、例えば、薄膜形成性を高める任意のバインダーと共に溶剤から付着させてもよい。当該材料がポリマーである場合には、溶剤付着法が有用であるが、その他の方法、例えば、スパッタ法やドナーシートからの熱転写法を採用することもできる。昇華法により付着すべき材料は、例えば、米国特許第６２３７５２９号明細書に記載されているように、タンタル材料を含むことが多い昇華体「ボート」から気化させることができ、また、最初にドナーシート上に被覆し、次いで基板に近接させて昇華させてもよい。複数材料の混合物を含む層は、独立した複数の昇華体ボートを利用してもよいし、当該複数材料を予め混合した後単一のボート又はドナーシートからコーティングしてもよい。パターン化付着は、シャドーマスク、一体式シャドーマスク（米国特許第５２９４８７０号）、ドナーシートからの空間画定型感熱色素転写（米国特許第５６８８５５１号、同第５８５１７０９号及び同第６０６６３５７号）並びにインクジェット法（米国特許第６０６６３５７号）を用いて行なうことができる。
ほとんどのOLEDデバイスは湿分及び／又は酸素に対して感受性を示すため、窒素又はアルゴンのような不活性雰囲気において、アルミナ、ボーキサイト、硫酸カルシウム、クレー、シリカゲル、ゼオライト、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、スルフェート、金属ハロゲン化物及び金属過塩素酸塩のような乾燥剤と一緒に、封止されることが一般的である。封入法及び乾燥法として、米国特許第６２２６８９０号明細書に記載されている方法が挙げられるが、これらに限定はされない。さらに、当該技術分野では、封入用として、SiOx、テフロン（登録商標）及び無機／高分子交互層のようなバリア層が知られている。
本発明のOLEDデバイスは、所望によりその特性を高めるため、周知の各種光学効果を利用することができる。これには、透光性を極大化するための層厚の最適化、誘電体ミラー構造の付与、反射性電極の吸光性電極への交換、表示装置への遮光又は反射防止コーティングの付与、表示装置への偏光媒体の付与、又は表示装置への着色、中性濃度もしくは色変換フィルタの付与が包含される。
画素マトリックス領域全体にコーティングされ、そしてカラーフィルターアレイによってフィルター処理されて赤、緑及び青の各副画素となる白色発光性有機ＥＬ材料を採用する一態様がある。その場合、白色の副画素はフィルターをかけずにおく。この態様では、欧州特許第１１８７２３５号明細書に教示されているような有機ＥＬ層の一般的構成、すなわち、正孔注入層３１１、ルブレンのような黄色発光性材料をドープした正孔輸送層３１２、2,5,8,11-テトラ-t-ブチルペリレン（TBP）のような青色発光性材料をドープした発光層３１３、及び電子輸送層３１４を含んで成るものが採用される。有機ＥＬ層の上に第２電極３２０が配置される。第２電極３２０は、すべての画素に対して共通であるため、精密なアラインメント及びパターニングを必要としない。必要な場合、副画素に望まれる色の光を透過させるように白色光にフィルターをかけるカラーフィルターを配置する。カラーフィルターは、上面発光型デバイスの場合には、第２電極３２０の上に配置されることになる。カラーフィルターは、底面発光型デバイスの場合には、第１電極１８１の下に配置されることになる。
図４に、本発明の第２態様による回路パターン図を示す。４つの副画素からなる各群の駆動回路は、４本のデータライン１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び１１２ｄ、１本のパワーライン１１１並びに１本のセレクトライン１１３を含む。この態様では、第１態様におけるように、セレクトライン１１３は、画素の配列の対応するロウ毎に共有され、その一方側に第１及び第２の副画素２０ａ及び２０ｂが位置し、その反対側に第３及び第４の副画素２０ｃ及び２０ｄが位置するように、配置されている。この態様は、画素配列のコラム毎に共有されるデータライン１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ及び１１２ｄ、すなわち、当該コラム内の特定色の全副画素について１本のデータライン、を含む。画素の各コラムは１本のパワーライン１１１を含み、それが、パワーライン１１１の一方側に第１及び第３の副画素２０ａ及び２０ｃが位置し、その反対側に第２及び第４の副画素２０ｂ及び２０ｄが位置するように、配置されている。代わりに、パワーライン１１１を画素のロウ方向に形成させてもよいこと、そしてこのような配向が本発明の範囲内に包含されることを理解されたい。画素のロウ毎に１本のパワーライン１１１を設けるためには、第２及び第４の副画素２０ｂ及び２０ｄのための駆動回路１００の部品（セレクトトランジスタ１２０、ストレージキャパシタ１３０、パワートランジスタ１４０）のレイアウトを、第１及び第３の副画素２０ａ及び２０ｃのレイアウトに関して反転させる。このデバイスは、図１のデバイスと同様に動作する。
図５に、上記の本発明の第２態様による配置パターン図を示す。第２及び第４の副画素２０ｂ及び２０ｄの駆動回路１００部品のレイアウトが、単一パワーライン１１１を利用するために、第１及び第３の副画素２０ａ及び２０ｃのレイアウトに関して反転されていることがわかる。
図６に、本発明の第３態様による回路パターン図を示す。４つの副画素からなる各群の駆動回路は、２本のデータライン１１２ａ及び１１２ｂ、２本のパワーライン１１１ａ及び１１１ｂ並びに２本のセレクトライン１１３ａ及び１１３ｂを含む。この態様では、２本のセレクトライン（第１及び第２のセレクトライン１１３ａ及び１１３ｂ）が画素配列のロウ毎に共有され、各セレクトラインは、各画素の異なる２つの副画素を活性化するように配置されている。第１及び第２の副画素２０ａ及び２０ｂは第１セレクトライン１１３ａによって活性化され、第３及び第４の副画素２０ｃ及び２０ｄは第２セレクトライン１１３ｂによって活性化される。この構成により、図１及び図４における４本のデータラインと比較すると、画素配列のコラム毎に共有される２本のデータライン（第１及び第２のデータライン１１２ａ及び１１２ｂ）だけで画素の各コラムを動作させることができる。図１にあるように、２本のパワーライン、すなわち、第１及び第２の副画素２０ａ及び２０ｂと接続される第１パワーライン１１１ａ並びに第３及び第４の副画素２０ｃ及び２０ｄと接続される第２パワーライン１１１ｂが存在する。
本発明のこの態様による駆動回路は、画素２０の各ロウを２段階で選択しなければならないことを除き、既に図１の態様について説明したように動作される。データライン１１２ａ及び１１２ｂの電圧信号を設定した後、第１セレクトライン１１３ａが副画素２０ａ及び２０ｂを活性化し、第１及び第２のデータライン１１２ａ及び１１２ｂから、それぞれ第１及び第２の副画素２０ａ及び２０ｂのストレージキャパシタへ、電圧信号を負荷する。データラインに新規の電圧を設定した後、第２セレクトライン１１３ｂが副画素２０ｃ及び２０ｄを活性化し、データライン１１２ａ及び１１２ｂから、それぞれ第３及び第４の副画素２０ｃ及び２０ｄのストレージキャパシタへ、電圧信号を負荷する。これを画素の各ロウについて繰り返す。
図７に、上記の本発明の第３態様による配置パターン図を示す。副画素２０ａ及び２０ｂのトランジスタ及びキャパシタ部品のレイアウトが、２本のセレクトライン１１３ａ及び１１３ｂを利用しやすくするために、図２に含まれる同一の副画素に関して反転されていることがわかる。
図８に、本発明の第４態様による回路パターン図を示す。４つの副画素からなる各群の駆動回路は、２本のデータライン１１２ａ及び１１２ｂ、１本のパワーライン１１１並びに２本のセレクトライン１１３ａ及び１１３ｂを含む。先の態様と同様に、２本のセレクトライン（第１及び第２のセレクトライン１１３ａ及び１１３ｂ）が画素２０の配列のロウ毎に共有され、各セレクトラインは、各画素の異なる２つの副画素を活性化するように配置されている。第１及び第２の副画素２０ａ及び２０ｂは第１セレクトライン１１３ａによって活性化され、第３及び第４の副画素２０ｃ及び２０ｄは第２セレクトライン１１３ｂによって活性化される。この構成により、画素２０の配列のコラム毎に共有される２本のデータライン（第１及び第２のデータライン１１２ａ及び１１２ｂ）だけで各画素を動作させることができる。図４の態様にあるように、画素２０の各コラムは、一方側に第１及び第３の副画素２０ａ及び２０ｃが位置し、かつ、その反対側に第２及び第４の副画素２０ｂ及び２０ｄが位置するように配置された１本のパワーライン１１１のみを含む。画素のコラム毎に１本のパワーライン１１１を設けるためには、第２及び第４の副画素２０ｂ及び２０ｄのための駆動回路１００の部品（セレクトトランジスタ１２０、ストレージキャパシタ１３０、パワートランジスタ１４０）のレイアウトを、第１及び第３の副画素２０ａ及び２０ｃのレイアウトに関して反転させる。この構成により、本明細書中に記載した態様の回路及び接続ラインの全表面積が最小となる。この態様によるデバイスは、図６のデバイスと同様に動作する。すなわち、画素２０の各ロウを２段階で選択しなければならない。
図９に、上記の本発明の第４態様による配置パターン図を示す。第２及び第４の副画素２０ｂ及び２０ｄのトランジスタ及びキャパシタ部品のレイアウトが、単一パワーライン１１１を利用するために、第１及び第３の副画素２０ａ及び２０ｃのレイアウトに関して反転されていることがわかる。
本明細書に記載した各種態様は、アクティブマトリックス駆動回路及び画素設計の特性構成に言及しているが、当業者であれば、当該技術分野で知られている従来型回路の各種バリエーションを本発明に適用することもできる。例えば、米国特許第５５５００６６号明細書に記載されている１つのバリエーションでは、独立したキャパシタラインの代わりに、キャパシタを直接パワーラインと接続する。米国特許第６４７６４１９号明細書に記載されているバリエーションでは、２つのキャパシタを直接上下に配置して使用する。その際、ゲート導体１５３を形成するゲート導体層と半導体層２１１との間に第１キャパシタを加工し、パワーライン１１１及びデータライン１１２ａを形成する第２導体層とゲート導体層との間に第２キャパシタを加工し、等を施す。
本明細書に記載した駆動回路はセレクトトランジスタ及びパワートランジスタを必要とするが、これらのトランジスタ設計の各種バリエーションが当該技術分野では知られている。例えば、シングルゲート型及びマルチゲート型のトランジスタが知られており、従来技術においてトランジスタを選択するために適用されている。シングルゲート型トランジスタは、ゲート、ソース及びドレインを含む。シングルゲート型トランジスタをセレクトトランジスタに使用した例が、米国特許第６４２９５９９号明細書に記載されている。マルチゲート型トランジスタは、互いに電気接続された２以上のゲートを含み、したがってソースと、ドレインと、ゲート間の１以上の中間ソース-ドレインとを含む。マルチゲート型トランジスタをセレクトトランジスタに使用した例が、米国特許第６４７６４１９号明細書に記載されている。このタイプのトランジスタは、回路図において、単一トランジスタで表されるか、又はゲート同士を接続させ、１つのトランジスタのソースを直接隣のトランジスタのドレインと接続させた２以上の直列トランジスタで表される。これらの設計の性能は異なる場合があるが、どちらのタイプのトランジスタも回路において同一機能を発揮するので、当業者であれば、本発明にどちらのタイプでも適用することができる。本発明の好適な態様の例は、（図１、図４、図６及び図８の）回路図では単一トランジスタとして表されている（図２、図５、図７及び図９の）マルチゲート型セレクトトランジスタ１２０を使用したものが示されている。
当該技術分野ではマルチパラレルトランジスタの使用も知られており、典型的には、パワートランジスタ１４０に適用される。マルチパラレルトランジスタについては米国特許第６５０１４４８号明細書に記載されている。マルチパラレルトランジスタは、２以上のトランジスタからなるものであって、それらのソース同士を接続し、ドレイン同士を接続し、そしてゲート同士を接続したものである。マルチトランジスタは、画素内では、電流のためのマルチパラレルパスを提供するため分離されている。マルチパラレルトランジスタを使用すると、半導体層製造プロセスのばらつきや欠陥に対する信頼性が得られるという点で有利である。本発明の各種態様において記載されているパワートランジスタは単一トランジスタとして示されているが、当業者であれば、マルチパラレルトランジスタを使用することも可能であり、それが本発明の概念に含まれることを理解する。
各種の態様を具体的な材料構成について説明してきたが、本発明を成功裏に実施することができる材料のバリエーションについては、多くが当該技術分野では知られている。４色副画素デバイスを得るためカラーフィルターアレイを具備した白色発光性有機ＥＬ材料を使用することができるが、４色系は、副画素上で独立してパターン化される４種類の有機ＥＬ構成を使用することによって得ることも可能である。
本発明の第１態様による回路パターン図を示す。 本発明の第１態様による配置パターン図を示す。 本発明によるデバイスの横断面図を示す。 本発明の第２態様による回路パターン図を示す。 本発明の第２態様による配置パターン図を示す。 本発明の第３態様による回路パターン図を示す。 本発明の第３態様による配置パターン図を示す。 本発明の第４態様による回路パターン図を示す。 本発明の第４態様による配置パターン図を示す。
符号の説明
１０…電気接続
２０…画素
２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、２０ｄ…副画素
１００…駆動回路
１１１ａ、１１１ｂ…パワーライン
１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ、１１２ｄ…データライン
１１３ａ、１１３ｂ…セレクトライン
１１４ａ、１１４ｂ…キャパシタライン
１２０…セレクトトランジスタ
１２１…第１半導体領域
１２２…第１バイア
１２３…第１ブリッジバイア
１２４…導電性ブリッジ
１２５…第２ブリッジバイア
１３０…ストレージキャパシタ
１４０…パワートランジスタ
１４１…第２半導体領域
１４２…第２バイア
１４３…パワートランジスタゲート
１４５…第４バイア
１４６…第３バイア
１５３…ゲート導体
１８１…第１電極
２００…基板
２１１…半導体層
２１２…ゲート絶縁層
２１３…第１中間絶縁体層
２１４…第２中間絶縁体層
２２０…電極絶縁膜
３１０…有機ＥＬ媒体
３１１…正孔注入層
３１２…正孔輸送層
３１３…発光層
３１４…電子輸送層
３２０…第２電極
３４０…光

Claims (10)

  1. 発光画素を有する４色有機発光デバイスであって、
    ａ）基板；
    ｂ）ロウとコラムをなして配列された複数画素であって、各画素が、該基板上に配置された４つの副画素からなる群を含み、かつ、各副画素が、間隔を置いて配置された第１電極及び第２電極を含む複数画素；
    ｃ）各副画素の第１電極と第２電極との間に配置された有機ＥＬ媒体；並びに
    ｄ）該基板上の該有機ＥＬ媒体に対し配置され、かつ、４つの副画素からなる各群を駆動するように配列された駆動回路であって、各副画素に対応する第１電極への電気接続を有する駆動回路
    を含んで成り、そして
    ｅ）４つの副画素からなる各群に対する該駆動回路が、４本のデータライン、２本のパワーライン及び１本のセレクトラインを含み、該４本のデータラインが画素配列のコラム毎に共有され、かつ、該セレクトラインが画素配列のロウ毎に共有される
    ことを特徴とする４色有機発光デバイス。
  2. 該２本のパワーラインが画素配列の複数のコラムにより共有される、請求項１に記載の４色有機発光デバイス。
  3. 該２本のパワーラインが画素配列の複数のロウにより共有される、請求項１に記載の４色有機発光デバイス。
  4. 該駆動回路が副画素毎にキャパシタ及び２以上のトランジスタを含む、請求項１に記載の４色有機発光デバイス。
  5. 白色光が得られる有機ＥＬ媒体を配置し、さらに各画素の４つの副画素のうちの３つに対応する赤色、緑色及び青色のカラーフィルターを含む、請求項１に記載の４色有機発光デバイス。
  6. 発光画素を有する４色有機発光デバイスであって、
    ａ）基板；
    ｂ）ロウとコラムをなして配列された複数画素であって、各画素が、該基板上に配置された４つの副画素からなる群を含み、かつ、各副画素が、間隔を置いて配置された第１電極及び第２電極を含む複数画素；
    ｃ）各副画素の第１電極と第２電極との間に配置された有機ＥＬ媒体；並びに
    ｄ）該基板上の該有機ＥＬ媒体に対し配置され、かつ、４つの副画素からなる各群を駆動するように配列された駆動回路であって、各副画素に対応する第１電極への電気接続を有する駆動回路
    を含んで成り、そして
    ｅ）４つの副画素からなる各群に対する該駆動回路が、４本のデータライン、１本のパワーライン及び１本のセレクトラインを含み、該４本のデータラインが画素配列のコラム毎に共有され、かつ、該セレクトラインが画素配列のロウ毎に共有される
    ことを特徴とする４色有機発光デバイス。
  7. 発光画素を有する４色有機発光デバイスであって、
    ａ）基板；
    ｂ）ロウとコラムをなして配列された複数画素であって、各画素が、該基板上に配置された４つの副画素からなる群を含み、かつ、各副画素が、間隔を置いて配置された第１電極及び第２電極を含む複数画素；
    ｃ）各副画素の第１電極と第２電極との間に配置された有機ＥＬ媒体；並びに
    ｄ）該基板上の該有機ＥＬ媒体に対し配置され、かつ、４つの副画素からなる各群を駆動するように配列された駆動回路であって、各副画素に対応する第１電極への電気接続を有する駆動回路
    を含んで成り、そして
    ｅ）４つの副画素からなる各群に対する該駆動回路が、２本のデータライン、２本のパワーライン及び２本のセレクトラインを含み、該２本のデータラインが画素配列のコラム毎に共有され、かつ、該セレクトラインが画素配列のロウ毎に共有される
    ことを特徴とする４色有機発光デバイス。
  8. 発光画素を有する４色有機発光デバイスであって、
    ａ）基板；
    ｂ）ロウとコラムをなして配列された複数画素であって、各画素が、該基板上に配置された４つの副画素からなる群を含み、かつ、各副画素が、間隔を置いて配置された第１電極及び第２電極を含む複数画素；
    ｃ）各副画素の第１電極と第２電極との間に配置された有機ＥＬ媒体；並びに
    ｄ）該基板上の該有機ＥＬ媒体に対し配置され、かつ、４つの副画素からなる各群を駆動するように配列された駆動回路であって、各副画素に対応する第１電極への電気接続を有する駆動回路
    を含んで成り、そして
    ｅ）４つの副画素からなる各群に対する該駆動回路が、２本のデータライン、１本のパワーライン及び２本のセレクトラインを含み、該２本のデータラインが画素配列のコラム毎に共有され、かつ、該セレクトラインが画素配列のロウ毎に共有される
    ことを特徴とする４色有機発光デバイス。
  9. 該パワーラインが画素配列の複数のロウにより共有される、請求項８に記載の４色有機発光デバイス。
  10. 該駆動回路が副画素毎にキャパシタ及び２以上のトランジスタを含む、請求項８に記載の４色有機発光デバイス。
JP2004133280A 2003-04-30 2004-04-28 ４色有機発光デバイス Pending JP2004334204A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/426,555 US6771028B1 (en) 2003-04-30 2003-04-30 Drive circuitry for four-color organic light-emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004334204A true JP2004334204A (ja) 2004-11-25

Family

ID=32771714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004133280A Pending JP2004334204A (ja) 2003-04-30 2004-04-28 ４色有機発光デバイス

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6771028B1 (ja)
EP (1) EP1473690A3 (ja)
JP (1) JP2004334204A (ja)
KR (1) KR20040094353A (ja)
CN (1) CN1551079A (ja)
TW (1) TW200502889A (ja)

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006227188A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Ulvac Japan Ltd 撮影用ライト及びこれを用いた照明方法
JP2006308768A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2006308796A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2006309118A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2007086506A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2007140530A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Samsung Electronics Co Ltd 有機発光表示装置
KR100741134B1 (ko) 2006-07-31 2007-07-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP2008218366A (ja) * 2007-03-08 2008-09-18 Seiko Epson Corp 発光装置およびその製造方法ならびに電子機器
JP2009109685A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2009524910A (ja) * 2006-01-27 2009-07-02 イーストマン コダック カンパニー 電力分布が改善されたｅｌデバイス
JP2011102879A (ja) * 2009-11-10 2011-05-26 Global Oled Technology Llc 画素回路、表示装置および検査方法
JP2012195310A (ja) * 2005-04-25 2012-10-11 Global Oled Technology Llc マルチカラーｏｌｅｄディスプレイ
JP2012215897A (ja) * 2012-06-21 2012-11-08 Sony Corp 表示装置及び電子機器
KR101261601B1 (ko) * 2006-05-30 2013-05-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2014029423A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Sony Corp 表示パネル、表示装置ならびに電子機器
JP2014032367A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Sony Corp 表示パネル、表示装置ならびに電子機器
JP2014041366A (ja) * 2007-12-03 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR20170136153A (ko) * 2016-05-31 2017-12-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP2018006263A (ja) * 2016-07-07 2018-01-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019153815A (ja) * 2008-07-10 2019-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
WO2021111783A1 (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Families Citing this family (211)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100637433B1 (ko) * 2004-05-24 2006-10-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
US6923525B2 (en) * 2000-05-22 2005-08-02 Seiko Epson Corporation Head member ink repellence treating method and treating device
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
US7184066B2 (en) 2001-05-09 2007-02-27 Clairvoyante, Inc Methods and systems for sub-pixel rendering with adaptive filtering
JP4230746B2 (ja) * 2002-09-30 2009-02-25 パイオニア株式会社 表示装置及び表示パネルの駆動方法
US20040080479A1 (en) * 2002-10-22 2004-04-29 Credelle Thomas Lioyd Sub-pixel arrangements for striped displays and methods and systems for sub-pixel rendering same
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
US7352374B2 (en) 2003-04-07 2008-04-01 Clairvoyante, Inc Image data set with embedded pre-subpixel rendered image
US7791679B2 (en) 2003-06-06 2010-09-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Alternative thin film transistors for liquid crystal displays
US7218301B2 (en) * 2003-06-06 2007-05-15 Clairvoyante, Inc System and method of performing dot inversion with standard drivers and backplane on novel display panel layouts
US8035599B2 (en) 2003-06-06 2011-10-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Display panel having crossover connections effecting dot inversion
US7187353B2 (en) 2003-06-06 2007-03-06 Clairvoyante, Inc Dot inversion on novel display panel layouts with extra drivers
US20040246280A1 (en) 2003-06-06 2004-12-09 Credelle Thomas Lloyd Image degradation correction in novel liquid crystal displays
US7209105B2 (en) 2003-06-06 2007-04-24 Clairvoyante, Inc System and method for compensating for visual effects upon panels having fixed pattern noise with reduced quantization error
US7397455B2 (en) 2003-06-06 2008-07-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display backplane layouts and addressing for non-standard subpixel arrangements
KR100548250B1 (ko) * 2003-08-09 2006-02-02 엘지전자 주식회사 표면 전도형 전계 방출 소자의 매트릭스 구조
US20050093435A1 (en) * 2003-09-22 2005-05-05 Suh Min-Chul Full color organic light-emtting device having color modulation layer
US20080081105A1 (en) * 2003-09-22 2008-04-03 Samsung Sdi Co., Ltd. Method of fabricating full color organic light-emtting device having color modulation layer using liti method
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
JP4443179B2 (ja) * 2003-09-29 2010-03-31 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
JP4488709B2 (ja) * 2003-09-29 2010-06-23 三洋電機株式会社 有機ｅｌパネル
US7598961B2 (en) * 2003-10-21 2009-10-06 Samsung Electronics Co., Ltd. method and apparatus for converting from a source color space to a target color space
US6980219B2 (en) * 2003-10-21 2005-12-27 Clairvoyante, Inc Hue angle calculation system and methods
US7176935B2 (en) * 2003-10-21 2007-02-13 Clairvoyante, Inc. Gamut conversion system and methods
KR100578911B1 (ko) * 2003-11-26 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 전류 역다중화 장치 및 이를 이용한 전류 기입형 표시 장치
KR100578913B1 (ko) * 2003-11-27 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 역다중화기를 이용한 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100578914B1 (ko) * 2003-11-27 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 역다중화기를 이용한 표시 장치
KR100589381B1 (ko) * 2003-11-27 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 역다중화기를 이용한 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100686343B1 (ko) * 2003-11-29 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
US20070109329A1 (en) * 2003-12-03 2007-05-17 Nam-Seok Roh Display device
US7453426B2 (en) * 2004-01-14 2008-11-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic apparatus
US7248268B2 (en) 2004-04-09 2007-07-24 Clairvoyante, Inc Subpixel rendering filters for high brightness subpixel layouts
US7301543B2 (en) * 2004-04-09 2007-11-27 Clairvoyante, Inc. Systems and methods for selecting a white point for image displays
KR100600350B1 (ko) * 2004-05-15 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 역다중화 및 이를 구비한 유기 전계발광 표시 장치
KR100622217B1 (ko) * 2004-05-25 2006-09-08 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 역다중화부
JP2006003475A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Eastman Kodak Co Ｏｌｅｄ表示装置
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
US20060038752A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Eastman Kodak Company Emission display
KR101122229B1 (ko) * 2004-10-05 2012-03-19 삼성전자주식회사 4색 액정 표시 장치
KR100612392B1 (ko) * 2004-10-13 2006-08-16 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 발광 표시 패널
KR100688801B1 (ko) * 2004-11-22 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 델타 화소회로 및 발광 표시장치
US7382384B2 (en) * 2004-12-07 2008-06-03 Eastman Kodak Company OLED displays with varying sized pixels
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
KR20070101275A (ko) 2004-12-15 2007-10-16 이그니스 이노베이션 인크. 발광 소자를 프로그래밍하고, 교정하고, 구동시키기 위한방법 및 시스템
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US8599191B2 (en) 2011-05-20 2013-12-03 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
JP4712372B2 (ja) * 2004-12-16 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CA2495726A1 (en) 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
KR101100885B1 (ko) * 2005-01-31 2012-01-02 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
US7190122B2 (en) * 2005-03-01 2007-03-13 Eastman Kodak Company OLED display with improved active matrix circuitry
CN102663977B (zh) 2005-06-08 2015-11-18 伊格尼斯创新有限公司 用于驱动发光器件显示器的方法和***
JP5066327B2 (ja) * 2005-06-28 2012-11-07 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
KR101169053B1 (ko) * 2005-06-30 2012-07-26 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
CA2510855A1 (en) * 2005-07-06 2007-01-06 Ignis Innovation Inc. Fast driving method for amoled displays
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
US20070063938A1 (en) * 2005-09-18 2007-03-22 Da-Shuang Kuan Driving method for pixles
US20070063192A1 (en) * 2005-09-20 2007-03-22 Toppoly Optoelectronics Corp. Systems for emitting light incorporating pixel structures of organic light-emitting diodes
TWI381742B (zh) * 2005-10-13 2013-01-01 Seiko Epson Corp 影像顯示裝置、電子機器及畫素配置設計方法
EP1784055A3 (en) * 2005-10-17 2009-08-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting system
JP4428359B2 (ja) * 2005-10-18 2010-03-10 セイコーエプソン株式会社 表示装置
KR20070052509A (ko) * 2005-11-17 2007-05-22 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치
US20070123133A1 (en) * 2005-11-30 2007-05-31 Eastman Kodak Company OLED devices with color filter array units
US7586497B2 (en) * 2005-12-20 2009-09-08 Eastman Kodak Company OLED display with improved power performance
KR100771607B1 (ko) * 2005-12-21 2007-10-31 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이
TW200728805A (en) * 2006-01-17 2007-08-01 Wintek Corp Transflective LCD, transflective pixel structure and driving method of the same
US7510454B2 (en) * 2006-01-19 2009-03-31 Eastman Kodak Company OLED device with improved power consumption
US20070176538A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-02 Eastman Kodak Company Continuous conductor for OLED electrical drive circuitry
TWI450247B (zh) * 2006-02-10 2014-08-21 Ignis Innovation Inc 像素電路顯示的方法及系統
CA2536398A1 (en) * 2006-02-10 2007-08-10 G. Reza Chaji A method for extracting the aging factor of flat panels and calibration of programming/biasing
CN101038381B (zh) * 2006-03-13 2010-10-13 奇美电子股份有限公司 同信号次像素的液晶显示面板布局
FR2898724B1 (fr) * 2006-03-14 2008-10-24 Nordine Lamrani Ensemble de sources lumineuses et dispositif d'affichage pourvu d'au moins un tel ensemble
JP2007286081A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
EP2008264B1 (en) 2006-04-19 2016-11-16 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
US7554261B2 (en) * 2006-05-05 2009-06-30 Eastman Kodak Company Electrical connection in OLED devices
US20070257945A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-08 Eastman Kodak Company Color EL display system with improved resolution
US7969428B2 (en) * 2006-05-08 2011-06-28 Global Oled Technology Llc Color display system with improved apparent resolution
US20070257943A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-08 Eastman Kodak Company Method for rendering color EL display and display device with improved resolution
US20070257866A1 (en) * 2006-05-08 2007-11-08 Eastman Kodak Company Method and apparatus for defect correction in a display
US7965305B2 (en) * 2006-05-08 2011-06-21 Global Oled Technology Llc Color display system with improved apparent resolution
JP2008009276A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Canon Inc 表示装置及びそれを用いた情報処理装置
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
US7969085B2 (en) * 2006-08-18 2011-06-28 Global Oled Technology Llc Color-change material layer
US7876341B2 (en) 2006-08-28 2011-01-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Subpixel layouts for high brightness displays and systems
US8018476B2 (en) 2006-08-28 2011-09-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Subpixel layouts for high brightness displays and systems
US7524226B2 (en) * 2006-10-10 2009-04-28 Eastman Kodak Company OLED display device with adjusted filter array
JP2008116964A (ja) 2006-11-06 2008-05-22 Lg Phillips Lcd Co Ltd 液晶表示装置及びその駆動方法
JP5151172B2 (ja) 2007-02-14 2013-02-27 ソニー株式会社 画素回路および表示装置
JP4767897B2 (ja) * 2007-03-30 2011-09-07 富士フイルム株式会社 表示装置の製造方法及びそれにより製造された表示装置
KR100846985B1 (ko) * 2007-04-06 2008-07-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI362021B (en) * 2007-09-13 2012-04-11 Chimei Innolux Corp Display panel and electronic system utilizing the same
KR101528242B1 (ko) * 2007-10-10 2015-06-15 삼성디스플레이 주식회사 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치
US8153352B2 (en) 2007-11-20 2012-04-10 Eastman Kodak Company Multicolored mask process for making display circuitry
KR101450887B1 (ko) * 2007-12-28 2014-10-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101458905B1 (ko) * 2008-02-12 2014-11-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4807366B2 (ja) * 2008-03-11 2011-11-02 ソニー株式会社 表示装置
US8044984B2 (en) * 2008-03-27 2011-10-25 Himax Technologies Limited Methods for driving an OLED panel
US8217867B2 (en) * 2008-05-29 2012-07-10 Global Oled Technology Llc Compensation scheme for multi-color electroluminescent display
KR101574211B1 (ko) * 2008-09-05 2015-12-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US8827488B2 (en) 2008-10-01 2014-09-09 Universal Display Corporation OLED display architecture
US9385167B2 (en) 2008-10-01 2016-07-05 Universal Display Corporation OLED display architecture
US20100225252A1 (en) * 2008-10-01 2010-09-09 Universal Display Corporation Novel amoled display architecture
JP5339972B2 (ja) * 2009-03-10 2013-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 画像表示装置
US20100244735A1 (en) * 2009-03-26 2010-09-30 Energy Focus, Inc. Lighting Device Supplying Temporally Appropriate Light
US8896505B2 (en) 2009-06-12 2014-11-25 Global Oled Technology Llc Display with pixel arrangement
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
KR101064466B1 (ko) * 2009-07-29 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
US8497828B2 (en) 2009-11-12 2013-07-30 Ignis Innovation Inc. Sharing switch TFTS in pixel circuits
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
KR101113451B1 (ko) * 2009-12-01 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 표시장치
CA2686174A1 (en) * 2009-12-01 2011-06-01 Ignis Innovation Inc High reslution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
KR101064371B1 (ko) * 2010-03-17 2011-09-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
US8334545B2 (en) * 2010-03-24 2012-12-18 Universal Display Corporation OLED display architecture
TWI406228B (zh) 2010-07-08 2013-08-21 Au Optronics Corp 畫素結構以及有機發光元件的畫素結構
KR101773934B1 (ko) * 2010-10-21 2017-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
CN105869575B (zh) 2011-05-17 2018-09-21 伊格尼斯创新公司 操作显示器的方法
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
WO2012164475A2 (en) 2011-05-27 2012-12-06 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for aging compensation in amoled displays
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
KR101924996B1 (ko) * 2012-03-29 2018-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US9190456B2 (en) 2012-04-25 2015-11-17 Ignis Innovation Inc. High resolution display panel with emissive organic layers emitting light of different colors
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
TWI565048B (zh) 2012-05-22 2017-01-01 友達光電股份有限公司 有機發光顯示單元結構與有機發光顯示單元電路
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
JP6074585B2 (ja) * 2012-07-31 2017-02-08 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器、ならびに表示パネルの駆動方法
US8957579B2 (en) 2012-09-14 2015-02-17 Universal Display Corporation Low image sticking OLED display
US10312374B2 (en) * 2012-10-01 2019-06-04 Sharp Kabushiki Kaisha Circuit board and display device
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
WO2014108879A1 (en) 2013-01-14 2014-07-17 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
EP2779147B1 (en) 2013-03-14 2016-03-02 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays
CN105247462A (zh) 2013-03-15 2016-01-13 伊格尼斯创新公司 Amoled显示器的触摸分辨率的动态调整
JP2014212080A (ja) * 2013-04-19 2014-11-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
DE112014002086T5 (de) 2013-04-22 2016-01-14 Ignis Innovation Inc. Prüfsystem für OLED-Anzeigebildschirme
JP2014235853A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP6274771B2 (ja) * 2013-07-26 2018-02-07 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子表示装置
US9437137B2 (en) 2013-08-12 2016-09-06 Ignis Innovation Inc. Compensation accuracy
US9495910B2 (en) 2013-11-22 2016-11-15 Global Oled Technology Llc Pixel circuit, driving method, display device, and inspection method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
DE102015206281A1 (de) 2014-04-08 2015-10-08 Ignis Innovation Inc. Anzeigesystem mit gemeinsam genutzten Niveauressourcen für tragbare Vorrichtungen
JP6369799B2 (ja) 2014-04-23 2018-08-08 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器
KR102215092B1 (ko) * 2014-06-05 2021-02-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6459243B2 (ja) 2014-06-26 2019-01-30 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 画素アレイ及びメタルマスク並びに電気光学装置並びに電気機器
KR101671578B1 (ko) * 2014-08-11 2016-11-02 엘지디스플레이 주식회사 터치센서 일체형 표시장치
JP6566289B2 (ja) * 2014-11-26 2019-08-28 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示デバイス及び電気光学装置並びに電気機器並びにメタルマスク並びに画素アレイ
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CN104461159B (zh) * 2014-12-23 2018-10-23 上海天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板、触控显示装置及其驱动方法
CN104575422B (zh) * 2014-12-29 2017-01-18 深圳市华星光电技术有限公司 液晶显示面板及其驱动方法
JP6654280B2 (ja) 2015-01-14 2020-02-26 天馬微電子有限公司 画素アレイ及び電気光学装置並びに電気機器並びに画素アレイの駆動方法
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
KR102426715B1 (ko) * 2015-07-23 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
KR102475504B1 (ko) * 2015-08-20 2022-12-09 엘지디스플레이 주식회사 투명표시패널 및 이를 포함하는 투명표시장치
US9761171B2 (en) * 2015-08-20 2017-09-12 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Pixel array of active matrix organic lighting emitting diode display, method of driving the same, and method of driving dual pixel of active matrix organic lighting emitting diode display
CN105047165A (zh) * 2015-08-28 2015-11-11 深圳市华星光电技术有限公司 基于rgbw的驱动电路以及平面显示器
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
KR102448611B1 (ko) * 2015-10-30 2022-09-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6619622B2 (ja) * 2015-11-13 2019-12-11 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示パネル、表示装置および電子機器
KR102606673B1 (ko) * 2016-10-21 2023-11-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널, 입체 영상 표시 패널 및 표시 장치
DE102017222059A1 (de) 2016-12-06 2018-06-07 Ignis Innovation Inc. Pixelschaltungen zur Minderung von Hysterese
JP6771401B2 (ja) * 2017-02-09 2020-10-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ アクティブマトリクス表示装置
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US10727142B2 (en) * 2017-05-30 2020-07-28 Kla-Tencor Corporation Process monitoring of deep structures with X-ray scatterometry
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
KR102063314B1 (ko) * 2018-11-28 2020-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI686791B (zh) * 2019-02-26 2020-03-01 友達光電股份有限公司 發光二極體顯示裝置
KR102591843B1 (ko) * 2019-11-20 2023-10-20 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그의 구동방법
KR20210082713A (ko) * 2019-12-26 2021-07-06 엘지디스플레이 주식회사 Drd 방식의 표시 패널 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
KR20210114080A (ko) * 2020-03-09 2021-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 리페어 방법
US20240194651A1 (en) * 2021-08-30 2024-06-13 Boe Technology Group Co., Ltd. Light-emitting substrate and display device
CN113805395A (zh) * 2021-09-29 2021-12-17 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板和显示面板

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200061A (ja) * 1999-01-05 2000-07-18 Nec Corp 表示装置及びその制御方法
JP2000284727A (ja) * 1999-01-29 2000-10-13 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2001005426A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP2001067018A (ja) * 1999-06-21 2001-03-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置およびその駆動方法並びに電子装置
JP2001109405A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
WO2001073737A1 (fr) * 2000-03-30 2001-10-04 Seiko Epson Corporation Affichage
JP2001290439A (ja) * 2000-02-01 2001-10-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP2002221917A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置
JP2002278478A (ja) * 2000-12-21 2002-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、発光装置の駆動方法及び電子機器
US20020186214A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-12 Eastman Kodak Company Method for saving power in an organic electroluminescent display using white light emitting elements
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000228284A (ja) 1998-12-01 2000-08-15 Sanyo Electric Co Ltd カラーｅｌ表示装置
JP4497596B2 (ja) 1999-09-30 2010-07-07 三洋電機株式会社 薄膜トランジスタ及び表示装置
US6226890B1 (en) 2000-04-07 2001-05-08 Eastman Kodak Company Desiccation of moisture-sensitive electronic devices
US6696177B1 (en) 2000-08-30 2004-02-24 Eastman Kodak Company White organic electroluminescent devices with improved stability and efficiency
JP3610923B2 (ja) * 2001-05-30 2005-01-19 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
US20030011613A1 (en) * 2001-07-16 2003-01-16 Booth Lawrence A. Method and apparatus for wide gamut multicolor display

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000200061A (ja) * 1999-01-05 2000-07-18 Nec Corp 表示装置及びその制御方法
JP2000284727A (ja) * 1999-01-29 2000-10-13 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2001067018A (ja) * 1999-06-21 2001-03-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置およびその駆動方法並びに電子装置
JP2001005426A (ja) * 1999-06-23 2001-01-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Ｅｌ表示装置及び電子装置
JP2001109405A (ja) * 1999-10-01 2001-04-20 Sanyo Electric Co Ltd Ｅｌ表示装置
JP2001290439A (ja) * 2000-02-01 2001-10-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
WO2001073737A1 (fr) * 2000-03-30 2001-10-04 Seiko Epson Corporation Affichage
JP2002221917A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Sony Corp アクティブマトリクス型表示装置
JP2002278478A (ja) * 2000-12-21 2002-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、発光装置の駆動方法及び電子機器
JP2002358031A (ja) * 2001-06-01 2002-12-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US20020186214A1 (en) * 2001-06-05 2002-12-12 Eastman Kodak Company Method for saving power in an organic electroluminescent display using white light emitting elements

Cited By (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006227188A (ja) * 2005-02-16 2006-08-31 Ulvac Japan Ltd 撮影用ライト及びこれを用いた照明方法
JP4684046B2 (ja) * 2005-03-30 2011-05-18 三洋電機株式会社 表示装置
JP2006309118A (ja) * 2005-03-30 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
TWI418216B (zh) * 2005-03-30 2013-12-01 Sanyo Electric Co 顯示裝置
US8373629B2 (en) 2005-03-30 2013-02-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Display device
JP2012195310A (ja) * 2005-04-25 2012-10-11 Global Oled Technology Llc マルチカラーｏｌｅｄディスプレイ
JP2006308768A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2006308796A (ja) * 2005-04-27 2006-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2007086506A (ja) * 2005-09-22 2007-04-05 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2007140530A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Samsung Electronics Co Ltd 有機発光表示装置
JP2009524910A (ja) * 2006-01-27 2009-07-02 イーストマン コダック カンパニー 電力分布が改善されたｅｌデバイス
KR101261601B1 (ko) * 2006-05-30 2013-05-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR100741134B1 (ko) 2006-07-31 2007-07-20 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP4582102B2 (ja) * 2007-03-08 2010-11-17 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびその製造方法ならびに電子機器
JP2008218366A (ja) * 2007-03-08 2008-09-18 Seiko Epson Corp 発光装置およびその製造方法ならびに電子機器
JP2009109685A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
US8384287B2 (en) 2007-10-30 2013-02-26 Hitachi Displays, Ltd. Organic electro-luminescent display device
US9147368B2 (en) 2007-12-03 2015-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. TFT arrangement for display device
JP2018185544A (ja) * 2007-12-03 2018-11-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP2014041366A (ja) * 2007-12-03 2014-03-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US9423657B2 (en) 2007-12-03 2016-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. TFT arrangement for display device
US11631702B2 (en) 2008-07-10 2023-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
US10916567B2 (en) 2008-07-10 2021-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
US10529741B2 (en) 2008-07-10 2020-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
US10483288B2 (en) 2008-07-10 2019-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
JP2019153815A (ja) * 2008-07-10 2019-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2011102879A (ja) * 2009-11-10 2011-05-26 Global Oled Technology Llc 画素回路、表示装置および検査方法
US9569991B2 (en) 2009-11-10 2017-02-14 Global Oled Technology Llc Pixel circuit, display device, and inspection method
US8754882B2 (en) 2009-11-10 2014-06-17 Global Oled Technology Llc Pixel circuit, display device, and inspection method
JP2012215897A (ja) * 2012-06-21 2012-11-08 Sony Corp 表示装置及び電子機器
JP2014029423A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Sony Corp 表示パネル、表示装置ならびに電子機器
JP2014032367A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Sony Corp 表示パネル、表示装置ならびに電子機器
KR20170136153A (ko) * 2016-05-31 2017-12-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102423862B1 (ko) 2016-05-31 2022-07-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP2018006263A (ja) * 2016-07-07 2018-01-11 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
WO2021111783A1 (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2021089356A (ja) * 2019-12-03 2021-06-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP7326137B2 (ja) 2019-12-03 2023-08-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6771028B1 (en) 2004-08-03
KR20040094353A (ko) 2004-11-09
CN1551079A (zh) 2004-12-01
TW200502889A (en) 2005-01-16
EP1473690A2 (en) 2004-11-03
EP1473690A3 (en) 2005-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6771028B1 (en) Drive circuitry for four-color organic light-emitting device
KR101134410B1 (ko) 개선된 동력 효율을 갖는 칼라 유기 발광 다이오드디스플레이
US7250722B2 (en) OLED device
US7142179B2 (en) OLED display device
JP4965721B2 (ja) 有機発光ダイオードカラー表示装置
KR100995825B1 (ko) 광센서를 갖는 유기발광다이오드 디스플레이
EP1372200B1 (en) Oled display having color filters for improving contrast
US7030554B2 (en) Full-color organic display having improved blue emission
US6995035B2 (en) Method of making a top-emitting OLED device having improved power distribution
KR100911555B1 (ko) 적층된 전기발광단위를 갖는 유기 전기발광 장치
US20060006792A1 (en) Flat panel light emitting devices with two sided
US20050225232A1 (en) Color OLED with added color gamut pixels
JP2004031350A (ja) アクティブマトリクス式有機発光ダイオード表示装置
JP2004281371A (ja) 電圧安定性を向上したカスケード式有機電場発光デバイス
JP2004139988A (ja) 有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）デバイス
US6961032B2 (en) Reducing the effects of shorts in pixels of an active matrix organic electroluminescent device
KR20090127266A (ko) 변형가능 기판을 갖는 평판 ｏｌｅｄ 장치
JP2004281373A (ja) 寿命を最適化した原色を有するｏｌｅｄ表示装置の設計方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100414

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100420

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20100716

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20100722

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100803

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101020

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20111018