JP2004296801A - 太陽電池素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極の表面に半田を被覆しなくても長期信頼性を確保できる太陽電池素子を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体接合部を有する半導体基板1の表面に電極5、6を有する太陽電池素子であって、上記電極5、6にマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有していることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体接合部を有する半導体基板1の表面に電極5、6を有する太陽電池素子であって、上記電極5、6にマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有していることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は太陽電池素子に関し、特に半導体基板の表面に電極を有する太陽電池素子に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
従来の太陽電池の断面図を図2に示す。図2において、1は半導体基板、2は拡散層、4はBSF層、5は表面電極、6は裏面電極、7は半田層を示す。
【0003】
例えばP型シリコン基板1の表面側には、Pを含むN型拡散層2と窒化シリコン膜などからなる反射防止膜(不図示)が形成される。また、シリコン基板1の裏面側には例えばアルミニウムなどを拡散して形成された高濃度P型のBSF層4を有する。さらに、シリコン基板1の表裏両面にはそれぞれ電極5、6が形成されている。
【0004】
図3に従来の太陽電池素子の一般的な表面電極の形状を示す。図3において、5は表面電極、8は太陽電池素子を示す。図3に示すように、表面電極5は格子状に形成されるのが一般的であり、受光面積を広くすることと抵抗を低減することを考慮して設計される。さらに、この電極5、6の表面は、後工程で太陽電池素子8同士を接続するためにインナーリード(不図示)と接続しやすくするため、また太陽電池素子8の長期信頼性を確保するために半田層7で被覆するのが一般的である(例えば特許文献1参照)。すなわち、電極5、6表面に半田7の被覆を行わないと電極5、6が吸湿したり、酸化するなどの問題により長期信頼性を確保することが難しい。従来、このような半田7としては、Sn−Pbの共晶半田が用いられていた。
【0005】
しかし、近年環境問題がとりざたされる中、Sn−Pbの共晶半田に含まれる鉛が問題となってきており、鉛フリー半田の開発が進められている。しかし、その使用温度や長期信頼性の観点から、従来のSn−Pb共晶半田に勝る太陽電池素子に適した鉛フリー半田は未だ開発されていない。
【0006】
本発明はこのような背景のもとになされたものであり、電極の表面に半田を被覆しなくても長期信頼性を確保できる太陽電池素子を提供することを目的とする。
【0007】
【特許文献1】
特開2002−111016号公報
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に係る太陽電池素子では、半導体接合部を有する半導体基板の表面に電極を有する太陽電池素子において、前記電極がマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有していることを特徴とする。
【0009】
上記太陽電池素子では、前記電極が銀を主成分する電極であったほうがよい。
【0010】
また、請求項3に係る太陽電池素子では、半導体接合部を有する半導体基板の表面に電極を有する太陽電池素子において、前記電極にマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有し、JIS C8917の温湿度サイクル試験後のFF値が試験前のFF値の92%以上であり、かつ前記温湿度サイクル試験前のFFの値が電極にマンガンを含有しない太陽電池素子の前記温湿度サイクル試験前のFFの92%以上であることを特徴とする。
【0011】
上記太陽電池素子では、前記半導体基板の表面に反射防止膜を有するとともに、前記電極がTi、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr、P、Mgもしくはその化合物を含有していたほうがよい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1は本発明に係る太陽電池素子の一実施形態を示す断面図である。図1において、1は半導体基板、2は拡散層、4はBSF層、5は表面電極、6は裏面電極を示す。
【0013】
まず、半導体基板1を用意する。この半導体基板1は、単結晶または多結晶シリコンなどからなる。このシリコン基板1は、ボロン(B)などの一導電型半導体不純物を1×1016〜1×1018atoms/cm3程度含有し、比抵抗1.0〜2.0Ω・cm程度の基板である。単結晶シリコン基板の場合は引き上げ法などによって形成され、多結晶シリコン基板の場合は鋳造法などによって形成される。多結晶シリコン基板は、大量生産が可能であり、製造コスト面で単結晶シリコン基板よりも有利である。引き上げ法や鋳造法によって形成されたインゴットを300〜500μm程度の厚みにスライスして、10cm×10cmもしくは15cm×15cm程度の大きさに切断して半導体基板1とする。
【0014】
次に、半導体基板1を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン(POCl3)などの中で加熱することによって、半導体基板1の表面部分にリン原子を1×1016〜1×1018atoms/cm3程度拡散させて拡散層2を形成する。この拡散層2は、0.2〜0.5μm程度の深さに形成され、シート抵抗が40Ω/□以上になるように形成される。次に、半導体基板1の表面側に反射防止膜3を形成する。この反射防止膜3はたとえば窒化シリコン膜などからなり、シランとアンモニアとの混合ガスを用いたプラズマCVD法などで形成される。この反射防止膜3は半導体基板1の表面で光が反射するのを防止して、半導体基板1内に光を有効に取り込むために設ける。
【0015】
そして、裏面側に電極材料を塗布するとともに、この反射防止膜(不図示)の表面電極5に相当する部分をエッチングした上で電極材料を塗布して焼成する。もしくは裏面側に電極材料を塗布するとともに、この反射防止膜3上に直接電極材料を塗布して焼成する。これにより表面電極5と裏面電極6が形成される。
【0016】
電極材料としては銀粉末と有機ビヒクルにガラスフリットを銀100重量部に対して0.1〜5重量部添加してペースト状にした電極ペーストなどが用いられ、電極ペーストをスクリーン印刷法で印刷して650〜900℃で1〜30分程度焼成することにより焼き付けられる。
【0017】
本発明においては、電極材料にマンガン、もしくは酸化マンガン、マンガン塩、ハロゲン化物などを含有させることによって、電極5、6中にマンガンもしくはその化合物を含有させる。マンガンもしくはその化合物は非常に酸化されやすく酸化防止剤としてはたらくため、電極5、6の酸化を有効に抑制することができる。そのため、電極5、6の表面に半田を被覆しなくても太陽電池素子の長期信頼性を確保することができる。
【0018】
このとき、電極5、6に含有されるマンガンの含有量は、電極中の全金属成分中のマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%とする。例えば銀を主成分として二酸化マンガン(MnO2)をマンガン換算で0.005〜5重量%含有する場合、二酸化マンガンとしては0.0079〜7.9重量%存在することになり、銀は92.1〜99.9921重量%存在することになる。さらに例えば銀を主成分として、チタンを電極中の全金属成分中の0.1重量%含有させたペーストの場合、二酸化マンガンとしては0.0079〜7.9重量%存在することになり、銀は92.0〜99.8921重量%存在することになる。電極中の金属成分としては、他に例えばペーストに含まれるガラスフリット中の鉛、ホウ素、珪素、マグネシウム等の酸化物や、リン、鉄、亜鉛、銅、アルミニウム、クロムなどもこれに含まれる。マンガンもしくはマンガン化合物がマンガン換算で0.005重量%以下であれば酸化防止剤としての効果が薄く、本来の目的である電極の酸化を抑制する効果が得られない。また、5重量%以上であれば不純物の混入により電極5、6の導電抵抗が高くなり太陽電池素子の出力特性の低下を招いたり、電極材料同士の結合を阻害して電極5、6が脆弱になるという問題が発生することがある。
【0019】
前記電極5、6は導電抵抗の低い銀、白金、金、銅などを主成分として形成することができる。コストおよび生産性の観点から銀を主成分として形成したほうがよい。
【0020】
また、請求項3に係る太陽電池素子は、電極にマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有し、JIS C8917の温湿度サイクル試験後のFF値が試験前のFF値の92%以上であり、かつ温湿度サイクル試験前のFFの値が電極にマンガンを含有しない太陽電池素子の温湿度サイクル試験前のFFの92%以上であることを特徴とする。
【0021】
JIS C8917の温湿度サイクル試験後のFF値が試験前のFF値の92%以下の場合、電極の表面が酸化されて出力特性が著しく低下することから、長期信頼性に問題がある。また、温湿度サイクル試験前のFFの値が電極にマンガンを含有しない太陽電池素子の温湿度サイクル試験前のFFの92%以下の場合、初期の出力特性が低く、高出力な太陽電池素子を得ることができない。
【0022】
また、上記太陽電池素子では、前記半導体基板1の表面に反射防止膜3を有するとともに、前記電極5、6がTi、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr、P、Mgもしくはその化合物を含有していたほうがよい。このようにすることにより、この反射防止膜3の表面電極5に相当する部分をエッチングした上で電極5を形成しなくても、この反射防止膜3上に直接電極材料を塗布して焼成するいわゆるファイヤースルー法によっても半導体基板1と電極5との充分な密着強度を得ることができるとともに、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。
【0023】
また、マンガンは安価な材料であるため、太陽電池素子の製造コストの高騰を招くということもない。
【0024】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。たとえば太陽電池素子の構造はこれに制限されるものではなく、電極が片面にしかない太陽電池素子に使用することも可能であるし、結晶系シリコン太陽電池素子に限定されるものでもない。また、電極の形成方法も電極ペーストを焼成して焼き付ける方法に限定されるものではなく、例えばスパッタリング法や蒸着法などによって形成することも可能である。
【0025】
また、従来ファイヤースルーの際に良好なオーミックコンタクトを得たり、密着強度を確保するために電極材料に含有させて使用するTi、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr、PやMgなども非常に酸化されやすい材料であるため、酸化防止剤としての役割を果たす。これら材料をマンガンやマンガン化合物と共に含有させると、半田を被覆しなくても長期信頼性をより確保することができるようになる。
【0026】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。15cm×15cmで比抵抗1.5Ω・cmの多結晶半導体基板1表面のダメージ層をアルカリでエッチングして洗浄した。次に、半導体基板1を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン(POCl3)の中で加熱することによって、半導体基板1の表面にリン原子を拡散させて拡散層2を形成した。このときのシート抵抗は60Ω/□であった。次に、半導体基板1の表面側にプラズマCVD法によって反射防止膜3となる窒化シリコン膜を形成した。この反射防止膜3の表面電極5に相当する部分をエッチングするとともに、裏面にアルミニウムペーストを塗布し850℃で焼き付けることによってBSF層4を形成した。その後表面に残った余剰なアルミニウムを除去した後、銀粉末と有機ビヒクルにガラスフリットを銀100重量部に対して0.1〜5重量部添加して、表1に示すように二酸化マンガンを添加した電極ペーストを表裏面にスクリーン印刷法によって各条件10枚塗布し、800℃で10分間焼きつけた。その後出力特性の測定を行うとともに、1枚は破壊して蛍光X線分析によってマンガンの含有量を測定した。また、残りの各条件9枚の太陽電池素子は電極表面に半田被覆を行わずにJIS C8917に基づき温湿度サイクル試験を行って長期信頼性の評価を行った。これらの結果を表1に示す。
【0027】
【表1】
【0028】
表1に示すように、条件No.1、2の電極中のマンガンの含有量が0もしくは0.002重量%の条件では温湿度サイクル試験後の出力特性の低下が大きく、長期信頼性に問題がある。また、条件No.11、12の電極中のマンガンの含有量が7、10重量%の条件では、温湿度サイクル試験後の出力特性の低下は小さいものの初期の出力特性が低い。
【0029】
表1の結果からもわかるように、条件No.3〜10のマンガンの含有量が0.005〜5重量%の条件では、条件1の従来のマンガンを含有していない太陽電池素子の初期特性に対する各条件の初期特性がPm、FFとも92%を超える値を得ることができた。また、条件3〜10のマンガンの含有量が0.005〜5重量%の条件では、初期特性に対する温湿度サイクル試験後のPm、FFの比率も92%を超える条件となり、電極の表面に半田を被覆しなくても長期信頼性を確保できる太陽電池素子を得ることができた。
【0030】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項1に係る太陽電池素子によれば、電極中に非常に酸化されやすく酸化防止剤としてはたらくマンガンもしくはその化合物を0.005から5重量%含有させることから、電極の導電抵抗が高くなって太陽電池素子の出力特性の低下を招いたり、電極材料同士の結合を阻害し電極が脆弱になるという問題が発生させることなく、電極の酸化を有効に抑制することができ、電極の表面に半田を被覆しなくても太陽電池素子の長期信頼性を確保することができる。
【0031】
また、請求項3に係る太陽電池素子によれば、電極にマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有し、JIS C8917の温湿度サイクル試験後のFF値が試験前のFF値の92%以上であり、かつ上記温湿度サイクル試験前のFFの値が電極にマンガンを含有しない太陽電池素子の上記温湿度サイクル試験前のFFの92%以上としたことから、電極の導電抵抗が高くなって太陽電池素子の出力特性の低下を招くことなく、電極の酸化を有効に抑制することができ、電極の表面に半田を被覆しなくても太陽電池素子の長期信頼性を確保することができる。
【0032】
また、上記太陽電池素子では、上記半導体基板の表面に反射防止膜を形成するとともに、上記電極がTi、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr、P、Mgもしくはその化合物を含有していると、この反射防止膜の表面電極に相当する部分をエッチングした上で電極を形成しなくても、この反射防止膜上に直接電極材料を塗布して焼成するいわゆるファイヤースルー法によっても半導体基板と電極との充分な密着強度を得ることができるとともに、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る太陽電池素子を示す断面図である。
【図2】従来の太陽電池の示す断面図である。
【図3】従来の太陽電池の表面電極を示す図である。
【符号の説明】
1・・・半導体基板、2・・・拡散層、4・・・BSF層、5・・・表面電極、6・・・裏面電極、7・・・半田
【発明の属する技術分野】
本発明は太陽電池素子に関し、特に半導体基板の表面に電極を有する太陽電池素子に関する。
【0002】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】
従来の太陽電池の断面図を図2に示す。図2において、1は半導体基板、2は拡散層、4はBSF層、5は表面電極、6は裏面電極、7は半田層を示す。
【0003】
例えばP型シリコン基板1の表面側には、Pを含むN型拡散層2と窒化シリコン膜などからなる反射防止膜(不図示)が形成される。また、シリコン基板1の裏面側には例えばアルミニウムなどを拡散して形成された高濃度P型のBSF層4を有する。さらに、シリコン基板1の表裏両面にはそれぞれ電極5、6が形成されている。
【0004】
図3に従来の太陽電池素子の一般的な表面電極の形状を示す。図3において、5は表面電極、8は太陽電池素子を示す。図3に示すように、表面電極5は格子状に形成されるのが一般的であり、受光面積を広くすることと抵抗を低減することを考慮して設計される。さらに、この電極5、6の表面は、後工程で太陽電池素子8同士を接続するためにインナーリード(不図示)と接続しやすくするため、また太陽電池素子8の長期信頼性を確保するために半田層7で被覆するのが一般的である(例えば特許文献1参照)。すなわち、電極5、6表面に半田7の被覆を行わないと電極5、6が吸湿したり、酸化するなどの問題により長期信頼性を確保することが難しい。従来、このような半田7としては、Sn−Pbの共晶半田が用いられていた。
【0005】
しかし、近年環境問題がとりざたされる中、Sn−Pbの共晶半田に含まれる鉛が問題となってきており、鉛フリー半田の開発が進められている。しかし、その使用温度や長期信頼性の観点から、従来のSn−Pb共晶半田に勝る太陽電池素子に適した鉛フリー半田は未だ開発されていない。
【0006】
本発明はこのような背景のもとになされたものであり、電極の表面に半田を被覆しなくても長期信頼性を確保できる太陽電池素子を提供することを目的とする。
【0007】
【特許文献1】
特開2002−111016号公報
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1に係る太陽電池素子では、半導体接合部を有する半導体基板の表面に電極を有する太陽電池素子において、前記電極がマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有していることを特徴とする。
【0009】
上記太陽電池素子では、前記電極が銀を主成分する電極であったほうがよい。
【0010】
また、請求項3に係る太陽電池素子では、半導体接合部を有する半導体基板の表面に電極を有する太陽電池素子において、前記電極にマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有し、JIS C8917の温湿度サイクル試験後のFF値が試験前のFF値の92%以上であり、かつ前記温湿度サイクル試験前のFFの値が電極にマンガンを含有しない太陽電池素子の前記温湿度サイクル試験前のFFの92%以上であることを特徴とする。
【0011】
上記太陽電池素子では、前記半導体基板の表面に反射防止膜を有するとともに、前記電極がTi、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr、P、Mgもしくはその化合物を含有していたほうがよい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1は本発明に係る太陽電池素子の一実施形態を示す断面図である。図1において、1は半導体基板、2は拡散層、4はBSF層、5は表面電極、6は裏面電極を示す。
【0013】
まず、半導体基板1を用意する。この半導体基板1は、単結晶または多結晶シリコンなどからなる。このシリコン基板1は、ボロン(B)などの一導電型半導体不純物を1×1016〜1×1018atoms/cm3程度含有し、比抵抗1.0〜2.0Ω・cm程度の基板である。単結晶シリコン基板の場合は引き上げ法などによって形成され、多結晶シリコン基板の場合は鋳造法などによって形成される。多結晶シリコン基板は、大量生産が可能であり、製造コスト面で単結晶シリコン基板よりも有利である。引き上げ法や鋳造法によって形成されたインゴットを300〜500μm程度の厚みにスライスして、10cm×10cmもしくは15cm×15cm程度の大きさに切断して半導体基板1とする。
【0014】
次に、半導体基板1を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン(POCl3)などの中で加熱することによって、半導体基板1の表面部分にリン原子を1×1016〜1×1018atoms/cm3程度拡散させて拡散層2を形成する。この拡散層2は、0.2〜0.5μm程度の深さに形成され、シート抵抗が40Ω/□以上になるように形成される。次に、半導体基板1の表面側に反射防止膜3を形成する。この反射防止膜3はたとえば窒化シリコン膜などからなり、シランとアンモニアとの混合ガスを用いたプラズマCVD法などで形成される。この反射防止膜3は半導体基板1の表面で光が反射するのを防止して、半導体基板1内に光を有効に取り込むために設ける。
【0015】
そして、裏面側に電極材料を塗布するとともに、この反射防止膜(不図示)の表面電極5に相当する部分をエッチングした上で電極材料を塗布して焼成する。もしくは裏面側に電極材料を塗布するとともに、この反射防止膜3上に直接電極材料を塗布して焼成する。これにより表面電極5と裏面電極6が形成される。
【0016】
電極材料としては銀粉末と有機ビヒクルにガラスフリットを銀100重量部に対して0.1〜5重量部添加してペースト状にした電極ペーストなどが用いられ、電極ペーストをスクリーン印刷法で印刷して650〜900℃で1〜30分程度焼成することにより焼き付けられる。
【0017】
本発明においては、電極材料にマンガン、もしくは酸化マンガン、マンガン塩、ハロゲン化物などを含有させることによって、電極5、6中にマンガンもしくはその化合物を含有させる。マンガンもしくはその化合物は非常に酸化されやすく酸化防止剤としてはたらくため、電極5、6の酸化を有効に抑制することができる。そのため、電極5、6の表面に半田を被覆しなくても太陽電池素子の長期信頼性を確保することができる。
【0018】
このとき、電極5、6に含有されるマンガンの含有量は、電極中の全金属成分中のマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%とする。例えば銀を主成分として二酸化マンガン(MnO2)をマンガン換算で0.005〜5重量%含有する場合、二酸化マンガンとしては0.0079〜7.9重量%存在することになり、銀は92.1〜99.9921重量%存在することになる。さらに例えば銀を主成分として、チタンを電極中の全金属成分中の0.1重量%含有させたペーストの場合、二酸化マンガンとしては0.0079〜7.9重量%存在することになり、銀は92.0〜99.8921重量%存在することになる。電極中の金属成分としては、他に例えばペーストに含まれるガラスフリット中の鉛、ホウ素、珪素、マグネシウム等の酸化物や、リン、鉄、亜鉛、銅、アルミニウム、クロムなどもこれに含まれる。マンガンもしくはマンガン化合物がマンガン換算で0.005重量%以下であれば酸化防止剤としての効果が薄く、本来の目的である電極の酸化を抑制する効果が得られない。また、5重量%以上であれば不純物の混入により電極5、6の導電抵抗が高くなり太陽電池素子の出力特性の低下を招いたり、電極材料同士の結合を阻害して電極5、6が脆弱になるという問題が発生することがある。
【0019】
前記電極5、6は導電抵抗の低い銀、白金、金、銅などを主成分として形成することができる。コストおよび生産性の観点から銀を主成分として形成したほうがよい。
【0020】
また、請求項3に係る太陽電池素子は、電極にマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有し、JIS C8917の温湿度サイクル試験後のFF値が試験前のFF値の92%以上であり、かつ温湿度サイクル試験前のFFの値が電極にマンガンを含有しない太陽電池素子の温湿度サイクル試験前のFFの92%以上であることを特徴とする。
【0021】
JIS C8917の温湿度サイクル試験後のFF値が試験前のFF値の92%以下の場合、電極の表面が酸化されて出力特性が著しく低下することから、長期信頼性に問題がある。また、温湿度サイクル試験前のFFの値が電極にマンガンを含有しない太陽電池素子の温湿度サイクル試験前のFFの92%以下の場合、初期の出力特性が低く、高出力な太陽電池素子を得ることができない。
【0022】
また、上記太陽電池素子では、前記半導体基板1の表面に反射防止膜3を有するとともに、前記電極5、6がTi、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr、P、Mgもしくはその化合物を含有していたほうがよい。このようにすることにより、この反射防止膜3の表面電極5に相当する部分をエッチングした上で電極5を形成しなくても、この反射防止膜3上に直接電極材料を塗布して焼成するいわゆるファイヤースルー法によっても半導体基板1と電極5との充分な密着強度を得ることができるとともに、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。
【0023】
また、マンガンは安価な材料であるため、太陽電池素子の製造コストの高騰を招くということもない。
【0024】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正および変更を加えることができる。たとえば太陽電池素子の構造はこれに制限されるものではなく、電極が片面にしかない太陽電池素子に使用することも可能であるし、結晶系シリコン太陽電池素子に限定されるものでもない。また、電極の形成方法も電極ペーストを焼成して焼き付ける方法に限定されるものではなく、例えばスパッタリング法や蒸着法などによって形成することも可能である。
【0025】
また、従来ファイヤースルーの際に良好なオーミックコンタクトを得たり、密着強度を確保するために電極材料に含有させて使用するTi、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr、PやMgなども非常に酸化されやすい材料であるため、酸化防止剤としての役割を果たす。これら材料をマンガンやマンガン化合物と共に含有させると、半田を被覆しなくても長期信頼性をより確保することができるようになる。
【0026】
【実施例】
以下、本発明の実施例を説明する。15cm×15cmで比抵抗1.5Ω・cmの多結晶半導体基板1表面のダメージ層をアルカリでエッチングして洗浄した。次に、半導体基板1を拡散炉中に配置して、オキシ塩化リン(POCl3)の中で加熱することによって、半導体基板1の表面にリン原子を拡散させて拡散層2を形成した。このときのシート抵抗は60Ω/□であった。次に、半導体基板1の表面側にプラズマCVD法によって反射防止膜3となる窒化シリコン膜を形成した。この反射防止膜3の表面電極5に相当する部分をエッチングするとともに、裏面にアルミニウムペーストを塗布し850℃で焼き付けることによってBSF層4を形成した。その後表面に残った余剰なアルミニウムを除去した後、銀粉末と有機ビヒクルにガラスフリットを銀100重量部に対して0.1〜5重量部添加して、表1に示すように二酸化マンガンを添加した電極ペーストを表裏面にスクリーン印刷法によって各条件10枚塗布し、800℃で10分間焼きつけた。その後出力特性の測定を行うとともに、1枚は破壊して蛍光X線分析によってマンガンの含有量を測定した。また、残りの各条件9枚の太陽電池素子は電極表面に半田被覆を行わずにJIS C8917に基づき温湿度サイクル試験を行って長期信頼性の評価を行った。これらの結果を表1に示す。
【0027】
【表1】
【0028】
表1に示すように、条件No.1、2の電極中のマンガンの含有量が0もしくは0.002重量%の条件では温湿度サイクル試験後の出力特性の低下が大きく、長期信頼性に問題がある。また、条件No.11、12の電極中のマンガンの含有量が7、10重量%の条件では、温湿度サイクル試験後の出力特性の低下は小さいものの初期の出力特性が低い。
【0029】
表1の結果からもわかるように、条件No.3〜10のマンガンの含有量が0.005〜5重量%の条件では、条件1の従来のマンガンを含有していない太陽電池素子の初期特性に対する各条件の初期特性がPm、FFとも92%を超える値を得ることができた。また、条件3〜10のマンガンの含有量が0.005〜5重量%の条件では、初期特性に対する温湿度サイクル試験後のPm、FFの比率も92%を超える条件となり、電極の表面に半田を被覆しなくても長期信頼性を確保できる太陽電池素子を得ることができた。
【0030】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項1に係る太陽電池素子によれば、電極中に非常に酸化されやすく酸化防止剤としてはたらくマンガンもしくはその化合物を0.005から5重量%含有させることから、電極の導電抵抗が高くなって太陽電池素子の出力特性の低下を招いたり、電極材料同士の結合を阻害し電極が脆弱になるという問題が発生させることなく、電極の酸化を有効に抑制することができ、電極の表面に半田を被覆しなくても太陽電池素子の長期信頼性を確保することができる。
【0031】
また、請求項3に係る太陽電池素子によれば、電極にマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有し、JIS C8917の温湿度サイクル試験後のFF値が試験前のFF値の92%以上であり、かつ上記温湿度サイクル試験前のFFの値が電極にマンガンを含有しない太陽電池素子の上記温湿度サイクル試験前のFFの92%以上としたことから、電極の導電抵抗が高くなって太陽電池素子の出力特性の低下を招くことなく、電極の酸化を有効に抑制することができ、電極の表面に半田を被覆しなくても太陽電池素子の長期信頼性を確保することができる。
【0032】
また、上記太陽電池素子では、上記半導体基板の表面に反射防止膜を形成するとともに、上記電極がTi、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr、P、Mgもしくはその化合物を含有していると、この反射防止膜の表面電極に相当する部分をエッチングした上で電極を形成しなくても、この反射防止膜上に直接電極材料を塗布して焼成するいわゆるファイヤースルー法によっても半導体基板と電極との充分な密着強度を得ることができるとともに、良好なコンタクト抵抗を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る太陽電池素子を示す断面図である。
【図2】従来の太陽電池の示す断面図である。
【図3】従来の太陽電池の表面電極を示す図である。
【符号の説明】
1・・・半導体基板、2・・・拡散層、4・・・BSF層、5・・・表面電極、6・・・裏面電極、7・・・半田
Claims (4)
- 半導体接合部を有する半導体基板の表面に電極を有する太陽電池素子において、前記電極がマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有していることを特徴とする太陽電池素子。
- 前記電極が銀を主成分する電極であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池素子。
- 半導体接合部を有する半導体基板の表面に電極を有する太陽電池素子において、前記電極にマンガンもしくはマンガン化合物をマンガン換算で0.005から5重量%含有し、JIS C8917の温湿度サイクル試験後のFF値が試験前のFF値の92%以上であり、かつ前記温湿度サイクル試験前のFFの値が電極にマンガンを含有しない太陽電池素子の前記温湿度サイクル試験前のFFの92%以上であることを特徴とする太陽電池素子。
- 前記半導体基板の表面に反射防止膜を有するとともに、前記電極がTi、Bi、Co、Zn、Zr、Fe、Cr、P、Mgもしくはその化合物を含有していることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の太陽電池素子。
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