JP2004273101A - 薄膜磁気記録媒体 - Google Patents

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Abstract

【課題】磁気記録媒体において、結晶粒度およびその分布幅を下げる。
【解決手段】薄膜磁気記録媒体100を形成するにさいし 磁性材料のターゲットから磁性ナノクラスターを発生させること、磁性ナノクラスターを結晶化すること、および磁性ナノクラスターを基材上に堆積させ、基材上に磁性粒子の薄膜を形成することを含んでなる。磁性ナノクラスターは、結晶化後に基材上に堆積されるので、堆積後に基材を加熱する必要が無い。本装置は三室よりなり、第一室は、磁性ナノクラスターを発生する供給源を有する。第二室は、磁性ナノクラスターを受け取り、磁性ナノクラスターを結晶化させる。第三室は、結晶化された磁性ナノクラスターを第二室から受け取り、第三室中に配置された基材上に結晶化された磁性ナノクラスターを堆積させる。
【選択図】図1A

Description

本発明は、磁気記録媒体に関し、特にデータ記憶デバイス用の薄膜磁気記録媒体に関する。
コンピュータおよび情報技術の急速な発展により、高容量記憶デバイスの需要が伸びている。現在、これらの記憶デバイスは、デジタルビデオ編集やゲノミックス(genomics)などの多様な用途によりそれらの限界に来ている。したがって、データ記憶産業は、データ記憶デバイスの容量増加を常に求められている。容量を増加するための主な方法の一つは、ほとんどの記憶デバイスにおける磁気記録媒体の記録密度を増加することである。例えば約100Gbits/インチ以上の超高記録密度を達成するには、磁気記録媒体は、低remnant-thickness product(Mrδ)、高保磁力(Hc)、並びに高信号対媒体雑音比(S/N)を有することが必要である。
従来の磁気記録媒体、例えばコバルト(Co)系合金、では、非磁性元素、例えばクロム(Cr)および/またはホウ素(B)、を薄膜磁気記録媒体の中に配合し、結晶粒度を下げると共に記録媒体中にある磁性粒子の粒間結合効果を低減させる。その結果、結晶粒度が約8〜12ナノメートル(nm)で、分布幅が約20%以上の磁気記録媒体が得られる。この場合、用語「分布幅」は、結晶粒度分布の高さの半最大値における全幅(FWHM)を意味する。
高S/N磁気記録媒体を得るには、結晶粒度およびそれらの分布幅並びに磁性結晶粒間の粒間結合を適切に制御してさらに下げなければならない。
Co系合金の記録媒体に対する結晶粒度低下は、一般的に「超常磁性」効果と呼ばれる、磁性結晶粒または粒子の熱的不安定性により制限される。この制限を乗り越えるための試みが、Hee et al.による「Effect Of Magnetic Anisotropy Distribution In Longitudinal Thin Film Media」(J. Appl. Phys., Volume 87, 5535-5537, 2000)およびKuo et al.への米国特許第6,183,606号に記載されている。Heeの記事は、結晶粒度をさらに下げるための高度に配向した媒体を使用する方法を開示している。対照的に、Kuoの特許は、L1秩序づけられた(ordered)FePtまたはCoPt材料を使用し、非常に小さな磁気的に安定した結晶粒を有する縦方向または垂直方向の磁気記録媒体を形成する。
上記の方法は、粒度をさらに下げた、磁気的に安定した結晶粒の可能性を第一に与えるが、その後に続く堆積後のアニーリング工程で、適切な結晶化構造または化学的に秩序づけられたL1FePtまたはCoPtを有する記録媒体を得るために、高温、例えば600℃以上、を基材に作用させる。残念ながら、この高温アニーリング工程は、堆積した薄膜中で結晶粒度も約10ナノメートル(nm)から30nmに増大させ、これが最終的に記録密度を下げることになる。さらに、これらの方法では、結晶粒度分布幅を制御するための解決策が与えられていない。結晶粒度が大きく、それらの分布幅が広いので、これらの薄膜は記録特性がかなり悪く、特にS/Nが非常に低い。その上、高温アニーリング工程は、既存の磁気記録媒体製造工程および材料と相容れない。
解決課題および解決手段
本発明は、結晶粒度および分布幅が小さいために高い記録密度を有する薄膜磁気記録媒体を形成するための方法および装置を提供しようとするものである。本発明は、それによって形成された薄膜磁気記録媒体も提供する。本発明は、磁性粒子が結晶化された後に堆積を行うために、従来の方法で必要な後アニーリング工程を排除することができるので、アニーリング目的に基材を加熱するために起こる薄膜磁気記録媒体形成後の結晶粒成長が回避される。本発明により、磁性粒子の磁化容易軸(magnetic easy axis)が堆積工程の際に精密に調整され、さらに、堆積工程の前または際中に磁性粒子が互いに十分に隔離される。
本発明の第一の態様により、磁性材料のターゲットから磁性ナノクラスターを発生させること、磁性ナノクラスターを結晶化すること、および磁性ナノクラスターを基材上に堆積させ、基材上に磁性粒子の薄膜を形成することを含んでなる、薄膜磁気記録媒体を形成する方法を提供する。磁性ナノクラスターは、結晶化後に基材上に堆積されるので、堆積後に基材を加熱する必要が無い。
本発明の第二の態様により、基材上に薄膜磁気記録媒体を形成するための装置を提供する。この装置は、第一室、第一室に接続された第二室、および第二室に接続された第三室を含んでなる。第一室は、磁性ナノクラスターを発生する供給源を有する。第二室は、磁性ナノクラスターを受け取り、磁性ナノクラスターを結晶化させる。第三室は、結晶化された磁性ナノクラスターを第二室から受け取り、第三室中に配置された基材上に結晶化された磁性ナノクラスターを堆積させる。
本発明の第三の態様により、非磁性基材および基材上に堆積した磁性薄膜層を含んでなる薄膜磁気記録媒体を提供する。磁性薄膜層は、非磁性材料により隔離された磁性粒子を含んでなり、磁性粒子は、結晶化後に基材上に形成される。
図1Aは、本発明の一実施態様により形成された薄膜磁気記録媒体を示す。薄膜磁気記録媒体100は、基材110、基材110上に堆積させた薄膜磁性層120、および薄膜磁性層120上に堆積させた保護被覆130を含んでなる。基材110は、非磁性材料、例えばシリコン、ガラス、またはアルミニウム合金、から形成することができる。薄膜磁性層120は、複数の磁性粒子122を含んでなる。磁性粒子122の形成に使用できる磁性材料の例としては、Co、Fe、Ni、Sm、Pt、Cr、Ta、Nd、Pd、Gd、B、N、C、P、Ti、W、Mo、Ag、Ru、Au、Nb、Pb、Dy、上記元素の二元合金、該元素の三元合金、該元素のFe以外の少なくとも一種をさらに含んでなるFeの酸化物、バリウムフェライトおよびストロンチウムフェライト、該元素の炭化物および窒化物がある。好ましい磁性材料は、例えばCoPt、FePtまたはCoPdである。
磁性粒子122は、非磁性材料124aによりカプセル封入する。磁性粒子122は、その磁化容易軸126が基材110の表面114に対して平行に整列して配向している。図1Bでは、磁性粒子122は、磁性粒子122が非磁性材料124b中に分散する様に、非磁性材料124bと同時に基材110上に配置される。上記の構造では、非磁性材料124a(図1)および124b(図2)により隔離された磁性粒子の粒間結合効果を効果的に低減できることが分かる。
図2Aおよび2Bは、縦方向記録媒体用の磁性薄膜における磁性粒子の磁化容易軸の高度に配向した整列の二つの例を示す。図2Aは、磁性粒子222の磁化容易軸226aが基材210の表面に対して平行であることを示している。図2Bは、磁性粒子222の磁化容易軸226bが基材210の表面に対して平行であり、円周状に整列していることを示している。
図3Aは、本発明の別の実施態様により形成された薄膜磁気記録媒体を示す。薄膜磁気記録媒体300は、基材310、基材310上に堆積させた薄膜磁性層320、および薄膜磁性層320上に堆積させた保護被覆330を含んでなる。基材310は、例えばシリコンウェハー、ガラス、またはアルミニウム合金製の非磁性材料から形成することができる。薄膜磁性層320は、磁性材料、例えばCo、Fe、Ni、Sm、Pt、Cr、Ta、Nd、Pd、Gd、B、N、C、P、Ti、W、Mo、Ag、Ru、Au、Nb、Pb、Dy、上記元素の二元合金、該元素の三元合金、該元素のFe以外の少なくとも一種をさらに含んでなるFeの酸化物、バリウムフェライトおよびストロンチウムフェライト、該元素の炭化物および窒化物、を含んでなる複数の磁性粒子322を含む。
磁性粒子322は、下記の方法により非磁性材料324aの層によりカプセル封入され、その磁化容易軸326が基材310の表面314に対して垂直に整列している。図3Bでは、磁性粒子322は、磁性粒子322が非磁性材料324b中に分散する様に、非磁性材料324bと同時に基材310上に配置される。
図4に示す様に、本発明の一実施態様により基材上に磁性薄膜を形成する装置は、クラスター形成室410、加熱室420、カプセル封入室429および堆積室430を含んでなる。クラスター形成室410は、例えばCo、Fe、Ni、Sm、Pt、Cr、Ta、Nd、Pd、Gd、B、N、C、P、Ti、W、Mo、Ag、Ru、Au、Nb、Pb、Dy、上記元素の二元合金、該元素の三元合金、該元素のFe以外の少なくとも一種をさらに含んでなるFeの酸化物、バリウムフェライトおよびストロンチウムフェライト、該元素の炭化物および窒化物から選択された磁性材料製のターゲット416を含んでなる。クラスター形成室410は、アノード413およびターゲット416(カソードとして使用する)に接続された電源装置412を含んでなる。クラスター形成室410は、第一のガス、例えばアルゴン(Ar)、を供給する第一導管411、および第二のガス、例えばヘリウム(He)、を供給する第二導管415も含む。Arはスパッタリングガスおよび凝集ガスの両方として作用し、Heは、その高伝熱能力により、クラスターサイズおよび初期分布幅の制御に使用される。所望のサイズを有するクラスターの形成を促進するために、液体窒素冷却装置414も備えている。電源装置412の例は、直流(DC)または無線周波数(RF)電源である。クラスター形成室410は、好ましくは従来のスパッタリング圧よりも高い約0.1トル〜1トルの作用圧で操作する。このレベルにあるスパッタリング圧を使用する目的は、粒子が衝突する機会を多くし、大きな粒子を形成することである。粒子径を制御するパラメータには、ガス圧、ガス流量、ArとHeの比が含まれる。窒素冷却装置の一端にダイアフラム417が備えられている。クラスター形成室410と加熱室420を接続するためのもう一つのダイアフラム418が備えられている。
クラスター形成室410、カプセル封入室429および堆積室430の圧力を調整するためのポンプ機構433、434および435が備えられている。クラスター形成室410から堆積室430にクラスターを移送できる様に、堆積室430の圧力は、他の二つの室の圧力よりも低いレベルに維持されている。クラスター形成室410、カプセル封入室429および堆積室430の圧力範囲は、それぞれ約0.1〜1トル、10−4トル、および10−6トルに設定することができる。
本製法では先ず、励起されたアルゴンガスイオン(Ar)がターゲット416に向けて加速され、衝突によりターゲット416から原子421を追い出す。次いで、追い出された原子421は、アルゴンガス(Ar)との衝突により減速し、凝集し始め、クラスターを形成する。追い出された原子421は、液体窒素冷却装置414および導管415から供給されるヘリウムにより冷却され、一群のクラスター422を形成する。
希ガス(Ar)に暴露された後、クラスター422はダイアフラム417を通過し、一つに凝集して一群のより大きなクラスター423を形成し、さらにダイアフラム418を通って加熱室420に進行し、加熱室420でさらに最終的なクラスター424を形成する。クラスター424は、互いにゆるく結合した数百の磁性原子から数百万の磁性原子からなることがある。本製法では、原子が一つに凝集してクラスターを形成し、より多くの原子がクラスターの境界部分に連続的に付加する。その結果、サイズの大きな凝集物が中心部分に位置し、サイズの比較的小さな凝集物が境界部分に位置するクラスターが形成される。ダイアフラム418を通過する時、クラスター423の境界部分に位置する小さなサイズの凝集物がダイアフラムにより除去される。その結果、このダイアフラムを通過するクラスター424は、サイズの小さな凝集物が除去されている。従って、ダイアフラム418の前のクラスター423の分布幅よりも小さな分布幅を有するクラスターを得ることができる。この実施態様では、クラスター424の寸法は約1nm〜20nmであり、分布幅は約10%以下である。
上記の説明から、クラスター形成室410の圧力、ターゲット材料のスパッタリング速度、ヘリウムと他の希ガスの比、ターゲット416とダイアフラム417の間隔、およびダイアフラム417と418のサイズ、等を含む様々なパラメータを調節し、寸法および分布幅を制御できることが分かる。
本装置は、気相クラスター424を温度約900℃に加熱し、結晶化を達成するための多くのヒーター419をさらに含んでなる。ヒーター419の例は、抵抗ファーネスヒーターまたはランプヒーターを含む。加熱後、クラスター424は、データ記憶目的に望ましい結晶構造を有する結晶化された磁性ナノクラスター425に転化される。
次いで、磁性ナノクラスター425はカプセル封入室429に移動する。スプレーノズル428、例えばネブライザー、により界面活性剤427がカプセル封入室に供給される。界面活性剤は、好ましくは磁性ナノクラスター425により吸収され、カプセル封入された磁性ナノ結晶426を形成することができる材料である。界面活性剤427は、磁性ナノ結晶425に引き付けられる末端基である、脂肪酸、アルキルチオール、アルキルジスルフィド、アルキルニトリルおよびアルキルイソニトリルを含む有機材料の群から選択することができる。界面活性剤は、その後に続く堆積工程で磁性ナノ結晶425が基材に付着するのを阻止する立体的に反発させる、8〜12単位長を有するメチレンでもよい。用語「8〜12単位長」は、重合体材料に関して、その構造が鎖状であることを意味し、例えば「8単位」は、C−C−C−C−C−C−C−C(Cは炭素を意味し、炭素の他の結合は、官能基、例えば水素、−OH、等、に結合する)の鎖構造を意味する。
次いで、カプセル封入された磁性ナノ結晶426は堆積室430中に運ばれ、基材431上に堆積する。上記の様に、磁性ナノ結晶425は、基材431に到達する前に結晶化するので、磁性ナノ結晶425は通常単一磁区である。磁性ナノ結晶425のエネルギーは非常に低いので、カプセル封入された磁性ナノ結晶426は基材上に堆積した後も無傷のままである。
基材431の近くに、図4に示す様に比較的一様な磁界方向を形成する外部磁界432が与えられる。カプセル封入された磁性ナノクラスター426は、基材431に到達すると、磁界432の方向に従って整列しながら、基材431上に堆積する。こうして、磁界432により制御される予め決められた方向に沿って高度に配向した磁化容易軸を有する磁性薄膜が形成される。
図5Aおよび5Bは、磁性粒子の向きを整列させるための、基材に隣接した磁界の別の形状を示す。図5Aで、2個の永久磁石または電磁石537aおよび537bが基材531の下に配置されている。磁石537aのN磁極および磁石537bのS磁極は基材530の近くに配置され、磁界520を発生する。磁界520は、堆積の際に基材531の上表面531aに対して平行な方向に沿って磁性粒子を整列させる。さらに、堆積工程の際に基材531および磁石537a、537bを回転させ、磁性薄膜を一様に堆積させることができる。
図5Bに示す様に、基材531の中心に電線538を通すことにより、円周方向に向けられた磁界540を得ることができる。磁界540は、堆積の際に基材531の上表面531aに対して平行で円周の方向に沿って磁性クラスターを整列させる。
図5Cに示す様に、基材531の周りにソレノイド539を配置することにより、基材531の上表面531aに対して垂直方向の磁界560を得ることができる。ソレノイドは、堆積の際に磁性粒子を基材表面に対して垂直の方向に沿って整列させる。無論、基材に隣接して適切な磁界を作用させることにより、磁性配向が異なった磁性薄膜を得ることができる。
図6は、本発明の別の実施態様により基材上に磁性薄膜を形成する装置を示す。この装置は、クラスター形成室610、加熱室620、カプセル封入室629および堆積室630を含んでなる。この実施態様では、カプセル封入室629がクラスター形成室610と加熱室620の間に接続されている。
クラスター形成室610により形成された、ゆるく結合した磁性ナノクラスター624はカプセル封入室629中に送られる。有機溶剤または界面活性剤627のスプレーがノズル628によりカプセル封入室629中に供給され、磁性ナノクラスター624と混合し、カプセル封入されたナノクラスター625を形成する。
その後、カプセル封入されたナノクラスター625は加熱室620の中に移送される。カプセル封入されたナノクラスター625はヒーター619により温度約900℃に加熱され、結晶化された磁性ナノクラスター626を形成する。同時に、ナノクラスターをカプセル封入している有機材料が加熱工程により炭化されるので、結晶化された磁性ナノクラスター626は無定形炭素の層によりカプセル封入される。次いで、カプセル封入された磁性ナノクラスターは、堆積室630の中に配置された基材631の上に堆積する。
図7は、本発明のさらに別の実施態様により基材上に磁性薄膜を形成する装置を示す。この装置は、クラスター形成室710、加熱室720および堆積室730を含んでなる。この実施態様では、ゆるく結合した磁性ナノクラスター724がクラスター形成室710で形成され、加熱室720中に送られる。
加熱室720で加熱された後、ゆるく結合したナノクラスター724は密に充填された、結晶化された磁性ナノクラスター725になる。次いで、磁性ナノクラスター725は堆積室730中に移送され、基材731上に堆積する。同時に、非磁性材料も供給源736から基材731上に堆積する。使用できる非磁性材料の例としては、C、SiO、Si、BNおよび/または炭化水素重合体がある。
図8は、本発明の薄膜磁気記録媒体の製造方法800を示す。第一ブロック802で、磁性ナノクラスターがターゲットから発生する。次のブロック804では、磁性ナノクラスターは結晶化温度に加熱され、それによって磁性ナノクラスターが結晶化し、データ記憶目的に必要な特性を得る。その後、次のブロック806で、結晶化された磁性ナノクラスターが非磁性材料と混合する。非磁性材料が、結晶化された磁性ナノクラスターをカプセル封入し、それによって、磁性粒子の粒間結合効果が低減する。次のブロック808で、カプセル封入された磁性ナノクラスターが基材上に配置され、固相の磁性粒子を形成する。
上記の方法により、所望の結晶性構造が堆積の前に得られるので、磁性ナノクラスターが基材上に堆積した後に、アニーリング目的に基材を加熱する必要が無い。従って、堆積後のアニーリングによる結晶粒度成長が効果的に排除される。
図1Aは、本発明の一実施態様による薄膜磁気記録媒体を示す拡大断面図である。 図1Bは、本発明の別の実施態様による薄膜磁気記録媒体を示す拡大断面図である。 図2Aは、本発明の一実施態様により形成された磁性ナノ粒子の平行磁化配向を示す拡大上面図である。 図2Bは、本発明の別の実施態様により形成された磁性ナノ粒子の円周状磁化配向を示す拡大上面図である。 図3Aは、本発明により形成された磁性ナノ粒子の垂直方向磁化配向を示す拡大断面図である。 図3Bは、本発明により形成された磁性ナノ粒子の垂直方向磁化配向を示す拡大断面図である。 図4は、本発明の一実施態様により基材上に磁性薄膜を形成するための装置を図式的に示す図である。 図5Aは、本発明による磁界の様々な形状を図式的に示す図である。 図5Bは、本発明による磁界の様々な形状を図式的に示す図である。 図5Cは、本発明による磁界の様々な形状を図式的に示す図である。 図6は、本発明の別の実施態様により基材上に磁性薄膜を形成するための装置を図式的に示す図である。 図7は、本発明のさらに別の実施態様により基材上に磁性薄膜を形成するための装置を図式的に示す図である。 図8は、本発明の一実施態様により基材上に磁性薄膜を形成するための方法を示すフローチャートである。

Claims (33)

  1. 磁性ナノクラスターを発生させること、
    前記磁性ナノクラスターを結晶化すること、および
    前記磁性ナノクラスターを基材上に堆積させ、前記基材上に磁性粒子の薄膜を形成すること
    を含んでなる、薄膜磁気記録媒体を形成する方法。
  2. 前記磁性ナノクラスターを、結晶化された後に前記基材上に堆積させる、請求項1に記載の方法。
  3. 堆積の際に前記基材が加熱されない、請求項1に記載の方法。
  4. 前記磁性ナノクラスターを、気相中で加熱することにより結晶化する、請求項1に記載の方法。
  5. 前記磁性ナノクラスターを非磁性材料と混合することをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
  6. 前記磁性ナノクラスターを前記非磁性材料でカプセル封入することをさらに含んでなる、請求項5に記載の方法。
  7. 前記非磁性材料が有機溶剤を含んでなる、請求項6に記載の方法。
  8. 前記非磁性材料が界面活性剤を含んでなる、請求項6に記載の方法。
  9. 前記混合を、前記磁性ナノクラスターが結晶化する前に行う、請求項5に記載の方法。
  10. 前記磁性ナノクラスターの結晶化が、前記磁性ナノクラスターを加熱すること、および前記非磁性材料を前記磁性ナノクラスター上に固定することを含んでなる、請求項9に記載の方法。
  11. 前記混合を、前記磁性ナノクラスターが結晶化した後に行う、請求項5に記載の方法。
  12. 前記基材の近くに磁界を作用させ、堆積時に前記磁性粒子の配向を制御することをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
  13. 前記磁性粒子のそれぞれが、基材の表面に対して平行な容易軸を有する、請求項11に記載の方法。
  14. 前記容易軸が互いに平行である、請求項13に記載の方法。
  15. 前記容易軸が前記基材の表面に対して垂直である、請求項13に記載の方法。
  16. 前記磁性ナノクラスターを堆積させる際、非磁性材料を前記基材上に堆積させ、前記磁性ナノクラスターと混合させることをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
  17. 堆積の際に前記基材を回転させることをさらに含んでなる、請求項1に記載の方法。
  18. 基材上に薄膜磁気記録媒体を形成するための装置であって、
    磁性ナノクラスターを発生する供給源を有する第一室、
    前記第一室に接続された第二室、前記第二室は、前記磁性ナノクラスターを受け取り、結晶化させる、および
    前記第二室に接続された第三室、前記第三室は、前記結晶化された磁性ナノクラスターを受け取り、前記結晶化された磁性ナノクラスターを、前記第三室中に配置された前記基材上に堆積させる、
    を含んでなり、
    前記磁性ナノクラスターを、結晶化された後に前記基材上に堆積させる、装置。
  19. 前記磁性ナノクラスターをカプセル封入するための第一非磁性材料を供給するための第一供給手段をさらに含んでなる、請求項18に記載の装置。
  20. 前記第一非磁性材料が界面活性剤を含んでなる、請求項19に記載の装置。
  21. 前記界面活性剤が、脂肪酸、アルキルチオール、アルキルジスルフィド、アルキルニトリルおよびアルキルイソニトリルからなる群の少なくとも一種を含んでなる、請求項20に記載の装置。
  22. 前記第三室中で前記基材を保持するための回転し得る台をさらに含んでなる、請求項18に記載の装置。
  23. 前記磁性ナノ結晶を堆積させる際に前記基材上に第二非磁性材料を堆積させるための第二の供給手段をさらに含んでなる、請求項18に記載の装置。
  24. 前記第二非磁性材料が、C、SiO、Si、BNおよび炭化水素重合体からなる群の少なくとも一種を含んでなる、請求項23に記載の装置。
  25. 前記磁性材料が、Co、Fe、Ni、Sm、Pt、Cr、Ta、Nd、Pd、Gd、B、N、C、P、Ti、W、Mo、Ag、Ru、Au、Nb、Pb、Dyからなる群の少なくとも一種を含んでなる、請求項18に記載の装置。
  26. 前記磁性材料の二元合金および三元合金からなる群の少なくとも一種をさらに含んでなる、請求項25に記載の装置。
  27. 基材、および
    磁性薄膜層が、非磁性材料により隔離された磁性粒子を有する、前記基材上に堆積した前記磁性薄膜層、
    を含んでなる薄膜磁気記録媒体であって、
    前記磁性粒子が、結晶化後に前記基材上に形成される、
    薄膜磁気記録媒体。
  28. 前記磁性粒子のそれぞれが、異方的に配向した磁化容易軸を有する、請求項27に記載の薄膜磁気記録媒体。
  29. 前記磁性粒子の寸法が約8nm未満である、請求項27に記載の薄膜磁気記録媒体。
  30. 前記磁性粒子の分布幅が約10%未満である、請求項29に記載の薄膜磁気記録媒体。
  31. 前記非磁性材料が、脂肪酸、アルキルチオール、アルキルジスルフィド、アルキルニトリルおよびアルキルイソニトリルからなる群の少なくとも一種を含んでなる、請求項27に記載の薄膜磁気記録媒体。
  32. 前記非磁性材料が、C、SiO、Si、BNおよび炭化水素重合体からなる群の少なくとも一種を含んでなる、請求項27に記載の薄膜磁気記録媒体。
  33. 前記磁性薄膜層上に配置された保護被覆をさらに含んでなる、請求項27に記載の薄膜磁気記録媒体。
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