JP2004271921A - 双方向光モジュール及び光伝送装置 - Google Patents

双方向光モジュール及び光伝送装置 Download PDF

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Hiroaki Asano
弘明 浅野
Hironori Hayata
博則 早田
Shogo Horinouchi
昇吾 堀之内
Toshinori Kai
敏訓 甲斐
Toshihiro Koga
稔浩 古賀
Masaharu Fukakusa
雅春 深草
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Abstract

【課題】双方向光モジュールにおいて、1本の光ファイバ伝送路を双方向に利用できる双方向光モジュールの小型化、低コスト化を図るとともに、それを用いた光伝送装置を提供する。
【解決手段】成形体12は透過性の材料で形成され、ビームスプリッタ層121が傾斜して埋め込まれている。サブキャリア15は上段と下段とを形成する段差部を有し、キャリア19の平坦な上面に実装されている。サブキャリアの上段には半導体レーザ14が実装され、下段上で成形体の下方の位置には受光素子13が実装され、側面には成形体の側面が実装されて、それぞれの面が接合されている。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、1本の光導波路を双方向に利用できる光モジュール及びそれを用いた光伝送装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体レーザを用いた光ファイバ通信の適用範囲は、近年、LAN(local area network)やFTTH(fiber to the home)といった様々な領域へと広がりを見せている。LANやFTTHにおいては、提供するサービスの形態から、双方向通信を必要とする場合が多いが、双方向通信を1本の光ファイバにて実現することは、様々な利点を有すると考えられている。
【0003】
1本の光ファイバを用いて双方向通信を実施する双方向光ユニットの従来の構成例の1つに、図25に示したようなものがある。すなわち、送信光モジュール3と受信光モジュール4が光ファイバカプラ5を介して光ファイバ伝送路2に結合されている。このような例は、既存の光部品を用いて容易に構成できるが、双方向光ユニットの小型化、低コスト化という課題に関しては、十分に答えるものではない。
【0004】
そこで、受信部と送信部を一体化した双方向光モジュールが提案されている。その従来例としては、例えば下記の特許文献1に記載されている技術がある。これは、発光素子及び発光素子からの出射光をコリメートするコリメートレンズと、受光素子及び受光素子に光を結合するための集光レンズと、光ファイバ端末及び光ファイバから出射した光をコリメートするための共通ポートレンズと、光を波長によって分波合波するためのフィルタを装着したペンタプリズムブロックとを、1個の金属ケース内に収納あるいは接続した構成となっている。
【0005】
【特許文献1】
特許第1758757号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1に開示された双方向光モジュールにおいては、1個の金属ケース内に収納される光部品の部品点数が多く、更なる小型化、低コスト化に対して、まだ十分に答えるものではなかったという課題がある。
【0007】
本発明の目的は、上記の課題を解決し、小型化、低コスト化に適した双方向光モジュール及びそのモジュールを用いた光伝送装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は上記目的を達成するために、
受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
上段と下段を形成する段差部と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
前記サブキャリアの上段に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
一面が前記サブキャリアの1つの面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
前記成形体に所定角度で傾斜して埋め込まれ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
前記透過性の成形体の下方の位置で、前記サブキャリアの下段に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
有する双方向光モジュールとして構成される。
【0009】
この構成により、光導波路からこの光モジュール内に導かれた受信光信号をレンズで集光し、発光素子である半導体レーザのごく近傍に配置された受光素子に入射させて信号を受信することができるため、従来の双方向光モジュールに比べて少ない部品点数で構成でき、小型化、低コスト化を実現できる。また、このような半導体レーザと受光素子を近傍に配置した構成では、光送受信特性を最適化する箇所が少なくなるため、半導体レーザの実装に高い精度が必要となる場合が考えられるが、本発明の構成では、成形体とサブキャリアの接合面をずらすことと、サブキャリアとレンズの位置関係を調整することによって、光送受信特性を最適化できるため、半導体レーザの実装精度を緩和できる。
【0010】
請求項2に記載の発明は上記目的を達成するために、
受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
前記キャリアに固定され、前記平坦面に対して所定角度で傾斜した面を有する支持部材と、
上段と下段を形成する段差部と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
前記サブキャリアの上段に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
一面が前記支持部材の前記傾斜した面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
前記成形体に取り付けられ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
前記透過性の成形体の下方の位置で、前記サブキャリアの下段に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
有する双方向光モジュールとして構成される。
この構成により、請求項1に記載の発明と同じ作用、効果が得られる。
【0011】
請求項3に記載の発明は上記目的を達成するために、
受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
前記キャリアに固定された支持部材と、
上段と下段を形成する段差部と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
前記サブキャリアの上段に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
一面が前記支持部材の1つの面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
前記成形体に所定角度で傾斜して埋め込まれ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
前記透過性の成形体の下方の位置で、前記サブキャリアの下段に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
有する双方向光モジュールとして構成される。
この構成により、請求項1に記載の発明と同じ作用、効果が得られる。
【0012】
請求項4に記載の発明は上記目的を達成するために、
受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
前記平坦面に対して所定角度で傾斜した傾斜面と、上面及び下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
前記サブキャリアの前記上面に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
一面が前記サブキャリアの前記傾斜面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
前記成形体に取り付けられ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
前記透過性の成形体の下方の位置で、前記キャリアの前記平坦面に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
有する双方向光モジュールとして構成される。
この構成により、請求項1に記載の発明と同じ作用、効果が得られる。
【0013】
請求項5に記載の発明は上記目的を達成するために、
受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
上面と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
前記サブキャリアの前記上面に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
一面が前記サブキャリアの1つの面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
前記成形体に所定角度で傾斜して埋め込まれ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
前記透過性の成形体の下方の位置で、前記キャリアの前記平坦面に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
有する双方向光モジュールとして構成される。
この構成により、請求項1に記載の発明と同じ作用、効果が得られる。
【0014】
請求項6に記載の発明は上記目的を達成するために、
受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
前記キャリアに固定され、前記平坦面に対して所定角度で傾斜した面を有する支持部材と、
上面と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
前記サブキャリアの前記上面に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
一面が前記支持部材の前記傾斜した面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
前記成形体に取り付けられ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
前記透過性の成形体の下方の位置で、前記キャリアの前記平坦面に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
有する双方向光モジュールとして構成される。
この構成により、請求項1に記載の発明と同じ作用、効果が得られる。
【0015】
請求項7に記載の発明は、請求項1から6のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記所定角度が略45°とされたものである。
この構成により、請求項1に記載の発明と同じ作用、効果が得られる。
【0016】
請求項8に記載の発明は、請求項4から6のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記キャリアが導電性であって前記受光素子のN側電極が前記受光素子の下面に形成され、前記N側電極が導電性接合材を介して前記キャリアの表面に接合され、前記受光素子のP側電極が、前記受光素子の上面に形成されているものである。
この構成により、請求項1に記載の発明と同じ作用、効果が得られる。
【0017】
請求項9に記載の発明は、請求項4から6のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記受光素子のP側電極とN側電極が共に前記受光素子の上面に形成され、前記P側電極とN側電極が、前記キャリアとは電気的に絶縁されているものである。
この構成により、請求項1に記載の発明と同じ作用、効果が得られるほか、キャリアの電位と受光素子の電位を分けることが可能となる。
【0018】
請求項10に記載の発明は、請求項1から9のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記キャリア上の前記受光素子の近傍に、受光信号を増幅するプリアンプを配置したものである。
この構成により、請求項1から9に記載の発明と同じ作用、効果が得られるほか、モジュール内にプリアンプを内蔵し、プリアンプと受光素子を近接配置することで、モジュールパッケージをシールドケースとして利用することができるとともに、受光素子とプリアンプの接続を短くできるため、雑音耐力を向上させることができる。
【0019】
請求項11に記載の発明は、請求項1から9のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記他の部材として、前記キャリア又は前記サブキャリアの表面に実装され、前記受光素子で発生した受光信号を増幅するプリアンプを用いるものである。
この構成により、請求項10に記載の発明と同じ作用、効果が得られる。
【0020】
請求項12に記載の発明は、請求項1から11のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記サブキャリアがシリコンから成るものである。
この構成により、半導体レーザの放熱性を向上させることができる。
【0021】
請求項13に記載の発明は、請求項1から11のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記サブキャリアが窒化アルミから成るものである。
この構成により、半導体レーザの放熱性を向上させることができる。
【0022】
請求項14に記載の発明は、請求項1から13のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記成形体の光入射面、及び光出射面の一部又は全部に反射防止膜を形成したものである。
この構成により、反射による送受信光量の減衰を低減できるとともに、半導体レーザの発光面が成形体の一面とほぼ平行である場合に、半導体レーザの外部共振を抑えることができる。
【0023】
請求項15に記載の発明は、請求項1、4、9から14のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記発光素子と前記成形体の間に屈折率整合樹脂を充填したものである。
この構成により、半導体レーザの発光面が成形体の入射面とほぼ平行である場合に、その間を屈折率整合樹脂で充填することで、半導体レーザの外部共振を抑えることができる。
【0024】
請求項16に記載の発明は、請求項1から15のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記ビームスプリッタが、所定の波長をあらかじめ定められた比率で分割するものである。
この構成により、同一波長による双方向光モジュールを実現できる。
【0025】
請求項17に記載の発明は、請求項1から15のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記ビームスプリッタとして、波長選択形ビームスプリッタを用いるものである。
この構成により、2波長による双方向光モジュールを実現できる。
【0026】
請求項18に記載の発明は、請求項1から17のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記成形体の表面の一部又は全部に、前記受光素子が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択形ビームスプリッタ層を有する第2の成形体を貼り付けたものである。
この構成により、受光素子が受信すべきでない波長の光を低減できる。
【0027】
請求項19に記載の発明は、請求項1から17のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記成形体の内部又は表面の一部又は全部に、前記受光素子が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択形ビームスプリッタ層を追加して形成したものである。
この構成により、受光素子が受信すべきでない波長の光を低減できる。
【0028】
請求項20に記載の発明は、請求項1から19のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記受光素子が、受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択特性を有するものである。
この構成により、受光素子が受信すべきでない波長の光を低減できる。
【0029】
請求項21に記載の発明は、請求項1から20のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記受光素子の光入射面の一部又は全部に、前記受光素子が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択形ビームスプリッタ層を有する第2の成形体を貼り付けたものである。
この構成により、受光素子が受信すべきでない波長の光を低減できる。
【0030】
請求項22に記載の発明は、請求項1から21のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記レンズと光導波路を屈折率整合樹脂で接合したものである。
この構成により、光導波路端面を斜めに加工しなくとも、光導波路端面での反射を大幅に低減させることができる。
【0031】
請求項23に記載の発明は、請求項1から21のいずれか1つに記載の双方向光モジュールにおいて、前記レンズと光導波路をフィジカルコンタクトしたものである。
この構成により、光導波路端面を斜めに加工しなくとも、光導波路端面での反射を大幅に低減させることができるとともに、光導波路の着脱が可能な双方向光モジュールを構成できる。
【0032】
請求項24に記載の発明は、請求項1から23のいずれかに1つに記載の双方向光モジュールを搭載した光伝送装置である。
この構成により、請求項1から23に記載の発明と同じ作用、効果を有する光伝送装置を実現することができる。
【0033】
【発明の実施の形態】
<第1の実施の形態>
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図1(a)、(b)は本発明の第1の実施の形態の双方向光モジュール1の要部断面図を示し、光ファイバ伝送路2の光軸方向(z方向)にレンズ11と、成形体12と受光素子13が配置されている。また、光ファイバ伝送路2の光軸方向と直交するy方向に発光素子である半導体レーザ14が配置されている。レンズ11は光ファイバ伝送路2からの受信光と半導体レーザ14からの送信光を透過、集光する。
【0034】
成形体12は送信光と受信光に対して透過性の材料で形成され、また、ビームスプリッタ層121が、所定角度で傾斜して(斜め略45°で)埋め込まれている。サブキャリア15はx方向から見た側面形状が、上に凸のL形の2段に形成されて、下面がキャリア19の平坦な上面に実装されている。換言すると、サブキャリア15は上段と下段を構成する段差部と下面を有し、サブキャリア15の下段の平坦な面上にあって成形体12の下方の位置には受光素子13が実装され、上段の平坦な面には半導体レーザ14が実装され、垂直な側面には成形体12の側面が実装されて、それぞれの面が接合されている。
【0035】
上記構成において、光ファイバ伝送路2から出射された受信光は、レンズ11により集光され、その一部又は全部が成形体12を透過し、受光素子13に入射される。半導体レーザ14は、送信信号に応じて変調された駆動電流により、所定の波長を有する送信光を出射し、送信光の一部又は全部はビームスプリッタ層121によって反射された後に、レンズ11により集光され、光ファイバ伝送路2に入射される。
【0036】
この構成により、受光素子13と半導体レーザ14をごく近傍に配置することができるため、従来の双方向光モジュールに比べて少ない部品点数で構成でき、小型化、低コスト化を実現できることになる。このような受光素子13と半導体レーザ14を近傍に配置した構成では、光送受信特性を最適化する箇所が少なくなるため、半導体レーザ14の実装に高い精度が必要となる場合が考えられるが、本発明の第1の実施の形態では、成形体12とサブキャリア15の接合面を上下方向にずらすとともに、サブキャリア15とレンズ11の水平方向の位置関係を調整することによって、光送受信特性を最適化できるため、半導体レーザ14の実装精度を緩和できる構成となっている。
【0037】
ここで、図1(a)は、サブキャリア15上の半導体レーザ14の実装がy軸上の成形体12に近い方向(図面の右方向に)へずれた場合の例を示している。この場合には、サブキャリア15に対して成形体12をz軸上の受光素子13に近い方向(光ファイバ伝送路2から遠い方向)へずらすとともに、サブキャリア15をキャリア19に対してy軸上の図面左方向にずらして、レンズ11との位置関係を調整することができる。
【0038】
図1(b)は、図1(a)とは逆にサブキャリア15上の半導体レーザ14の実装がy軸上の成形体12から遠い方向へずれた場合の例を示しており、この場合には、成形体12をサブキャリア15に対してz軸上の受光素子13から遠い方向へずらすとともに、キャリア19に対してサブキャリア15をy軸上の図面右方向にずらして、レンズ11との位置関係を調整している。図1(a)と(b)では、半導体レーザ14とレンズ11の位置関係が同じになっており、半導体レーザ14のy軸方向のずれを吸収できており、送信特性のバラツキが抑えられることがわかる。また、図1(a)と(b)では、受光素子13に入射する受信光信号の焦点の位置が変わっているが、受光素子13の受光領域を十分に大きくすることで、受信特性のバラツキを抑えることができる。
【0039】
<第2、第3の実施の形態>
図2、図3はそれぞれ、本発明の第2、第3の実施の形態の要部断面図を示す。図1の第1の実施の形態との違いは、成形体12がサブキャリア15ではなく、サブキャリア15の下の段の受光素子をx方向に挟むようにキャリア19に一体で形成された、支持体として作用する一対のキャリア突起部191a、191b(図4参照)上に固定されていることである。また、図2の第2の実施の形態では、キャリア突起部191の上面が所定角度で傾斜した(斜め略45°の)斜面で形成されて、その上に平板状の成形体12が実装され、また、この成形体12の表面にビームスプリッタ層121が形成されている。図3の第3の実施の形態では、キャリア突起部191の上面が平面で形成されてその上に直方体の成形体12が実装され、また、この成形体12の内部にビームスプリッタ層121が斜め45°で埋め込まれている。
【0040】
図2、図3にそれぞれ示す第2、第3の実施の形態においても、図1の第1の実施の形態と同様に、受光素子13と半導体レーザ14をごく近傍に配置することができるため、従来の双方向光モジュールに比べて少ない部品点数で構成でき、小型化、低コスト化を実現できる。図2、図3の第2の実施の形態と第3の実施の形態では、また、成形体12とサブキャリア15、及びレンズ11のx−y面の位置関係を調整することによって、光送受信特性を最適化できるため、半導体レーザの実装精度を緩和できる構成となっている。
【0041】
図4(a)、(b)、(c)は、図2、図3にそれぞれ示す第2、第3の実施の形態を上部から見た場合の要部平面図(x−y平面図)を示しており、図4(a)は半導体レーザ14が所定の位置に精度よく実装された場合の最適配置を示しており、図4(b)と(c)は、x−y平面内において半導体レーザ14の実装方向がずれている場合の配置を示している。図4(b)では、成形体12に対して、サブキャリア15の実装位置を+θ方向に回転させ、図4(c)では、成形体12に対して、サブキャリア15の実装位置を−θ方向に回転させることで、半導体レーザ14と成形体12のx−y方向の位置関係が同じになっており、半導体レーザ14のθ回転方向のずれを吸収できており、送信特性のバラツキが抑えられることがわかる。また、図4(b)と(c)では、受光素子13の中心位置がずれているが、受光素子13の受光領域を十分に大きくすることで、受信特性のバラツキを抑えることができる。
【0042】
<第4の実施の形態>
図5は本発明の第4の実施の形態の要部断面図を示し、サブキャリア15は側面形状が平行四辺形であって斜辺が所定角度で傾斜して(斜め略45°で)形成されている。第2の実施の形態と同様に、成形体12が平板状に形成されて表面にビームスプリッタ層121が形成され、ビームスプリッタ層121が45°になるようにサブキャリア15の斜辺の側面の一部に成形体12の一部が接合されている。
【0043】
図6と図7はそれぞれ、第4の実施の形態に使われる受光素子13の平面図、側面図である。受光素子13のP側電極132は、受光領域131と同一面にあり、電気配線134を介して後段のプリアンプと接続され、N側電極133はキャリア19に対して導電性接合剤135により固定されており、キャリア19を介して電位が与えられている。
【0044】
この構成により、受光素子13と半導体レーザ14をごく近傍に配置することができるため、従来の双方向光モジュールに比べて少ない部品点数で構成でき、小型化、低コスト化を実現できることになる。また、この構成では、サブキャリア15と受光素子13、及びレンズ11の位置関係を調整することによって、光送受信特性を最適化できるため、半導体レーザ14の実装精度を緩和できる構成となっている。
【0045】
<第5の実施の形態>
図8は本発明の第5の実施の形態の要部断面図を示し、図9に示す受光素子13を除き図5の第4の実施の形態と同じである。第4の実施の形態との違いは、図9に示すように、受光素子13のP側電極132とN側電極133が、共に受光領域131と同一面にあり、電気配線134aを介してN側電極133の電位が与えられ、電気配線134bを介してP側電極132が後段のプリアンプと接続されていることである。これにより、キャリア19の電位と受光素子13の電位を分けることが可能となる。
【0046】
<第6の実施の形態>
図10は本発明の第6の実施の形態の要部断面図を示し、図1の第1の実施の形態において受光素子13がサブキャリア15ではなくキャリア19上に実装され、また、サブキャリア15が直方体で形成されて、上面、垂直面にそれぞれ半導体レーザ14、直方体の成形体12が実装されている。すなわち、図5の第4の実施の形態との違いは、ビームスプリッタ層121が成形体12に斜めに埋め込まれており、サブキャリア15に斜面を必要としないことである。さらに、図1の第1の実施の形態と同じように、サブキャリア15と成形体12の接合面をずらすことによっても、半導体レーザ14とレンズ11間の距離を調整できるという利点を有する。
【0047】
図11、図12はそれぞれ、第6の実施の形態に使われる受光素子13の平面図、側面図を示し、これは、第4の実施の形態に使われる受光素子13と同様のものであり、受光素子13のN側電極は、キャリア19と導電性接合剤135により固定されており、キャリア19を介して電位が与えられている。
【0048】
<第7の実施の形態>
図13は本発明の第7の実施の形態の要部断面図を示し、受光素子13を除き第6の実施の形態と同じである。第6の実施の形態との違いは、図14に示したように、第5の実施の形態と同じように、受光素子13のP側電極132とN側電極133が、共に受光領域131と同一面にあり、電気配線134aを介してN側電極133の電位が与えられ、電気配線134bを介してP側電極132が後段のプリアンプと接続されていることである。これにより、キャリア19の電位と受光素子13の電位を分けることが可能となる。
【0049】
<第8の実施の形態>
図15は本発明の第8の実施の形態の要部断面図を示し、図1の第1の実施の形態と比較して、双方向光モジュール1内のキャリア19上にプリアンプ16を内蔵し、プリアンプ16と受光素子13を近接配置した点が異なる。これにより、モジュールパッケージをシールドケースとして利用することができるとともに、受光素子13とプリアンプ16の接続を短くできるため、雑音耐力を向上させることができる。
【0050】
<第9の実施の形態>
図16は本発明の第9の実施の形態の要部断面図を示し、図15に対して受光素子13はプリアンプ16上に実装され、プリアンプ16はキャリア19上に実装されている。
【0051】
この構成により、受光素子13と半導体レーザ14をごく近傍に配置することができるため、従来の双方向光モジュールに比べて少ない部品点数で構成でき、小型化、低コスト化を実現できることになる。また、この構成では、成形体12とサブキャリア15の接合面をずらすとともに、サブキャリア15とプリアンプ16、及びレンズ11の位置関係を調整することによって、光送受信特性を最適化できるため、半導体レーザ14の実装精度を緩和できる構成となっている。さらに、双方向光モジュール1内にプリアンプ16を内蔵し、プリアンプ16と受光素子13を近接配置したことで、モジュールパッケージをシールドケースとして利用することができるとともに、受光素子13とプリアンプ16の接続を短くできるため、雑音耐力を向上させることができる。
【0052】
<第10、第11の実施の形態>
図17、図18はそれぞれ本発明の第10、第11の実施の形態の要部断面図を示し、第9の実施の形態との違いは、成形体12がサブキャリア15ではなく、サブキャリア15をx方向に挟むようにキャリア19に形成された、支持体として作用する一対のキャリア突起部191a、191b(図4参照)上に固定されていることである。また、図17の第10の実施の形態では、キャリア突起部191の上面が45°の斜面で形成されてその上に平板状の成形体12が実装され、また、この成形体12の表面にビームスプリッタ層121が形成されている。図18の第11の実施の形態では、キャリア突起部191の上面が平面で形成されてその上に直方体の成形体12が実装され、また、この成形体12の内部にビームスプリッタ層121が斜め45°で埋め込まれている。
【0053】
第10、第11の実施の形態においても、第9の実施の形態と同様に、受光素子13と半導体レーザ14をごく近傍に配置することができるため、従来の双方向光モジュールに比べて少ない部品点数で構成でき、小型化、低コスト化を実現できるとともに、双方向光モジュール1内にプリアンプ16を内蔵し、プリアンプ16と受光素子13を近接配置したことで、モジュールパッケージをシールドケースとして利用することができるとともに、受光素子13とプリアンプ16の接続を短くできるため、雑音耐力を向上させることができる。また、第10、第11の実施の形態では、成形体12とサブキャリア15、及びプリアンプ16とレンズ11の位置関係を調整することによって、光送受信特性を最適化できるため、半導体レーザ14の実装精度を緩和できる構成となっている。
【0054】
<第12、第13の実施の形態>
本発明の第12の実施の形態は、サブキャリア15がシリコンから成る。また、本発明の第13の実施の形態は、サブキャリア15が窒化アルミから成る。第12、第13の実施の形態は共に、半導体レーザ14の放熱性を向上させることができる。
【0055】
<第14の実施の形態>
本発明の第14の実施の形態は、成形体12の光入射面、及び光出射面の一部又は全部に反射防止膜を形成することで、反射による送受信光量の減衰を低減できるとともに、半導体レーザ14の発光面が、成形体12の一面とほぼ平行であった場合に、半導体レーザ14の外部共振を抑えることができる。
【0056】
<第15の実施の形態>
図19は、本発明の第15の実施の形態の要部断面図を示し、図1の第1の実施の形態と比較して、半導体レーザ14と、半導体レーザ14の出射光が垂直に入射する成形体12の面の間に屈折率整合樹脂17が充填されている点が異なる。これにより、半導体レーザ14の発光面が成形体12の一面とほぼ平行であっても、半導体レーザ14の外部共振を抑えることができる。
【0057】
<第16、第17の実施の形態>
本発明の第16の実施の形態は、ビームスプリッタ層121に所定の波長をあらかじめ定められた比率で分割するものを使用するもので、同一波長による双方向光モジュール1を実現できる。本発明の第17の実施の形態は、ビームスプリッタ層121に波長選択形ビームスプリッタを使用するもので、2波長による双方向光モジュール1を実現できる。
【0058】
<第18の実施の形態>
図20は、本発明の第18の実施の形態の要部断面図を示し、図1の第1の実施の形態と比較して、成形体12の下面(受光素子13側の面)の一部に、受光素子13が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択形ビームスプリッタ層181を有する第2の成形体18が貼り付けられている点が異なる。これにより、受光素子13が受信すべきでない波長の光を低減させることができる。
【0059】
<第19、第20の実施の形態>
図21は、本発明の第19の実施の形態の要部断面図を示し、図1の第1の実施の形態と比較して、成形体12の内部に受光素子13が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択形ビームスプリッタ層122が追加して形成されている点が異なる。これにより、受光素子13が受信すべきでない波長の光を低減させることができる。本発明の第20の実施の形態は、受光素子13に受光素子13が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択特性を持たせるもので、受光素子13が受信すべきでない波長の光を低減させることができる。
【0060】
<第21の実施の形態>
図22は本発明の第21の実施の形態の要部断面図を示し、図1の第1の実施の形態と比較して、受光素子13の光入射面に、受光素子13が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択形ビームスプリッタ層181を有する第2の成形体18が貼り付けられている点が異なる。これにより、受光素子13が受信すべきでない波長の光を低減させることができる。
【0061】
<第22の実施の形態>
図23は、本発明の第22の実施の形態の要部断面図を示す。図1の第1の実施の形態と比較して、レンズ11が屈折率分布形となっており、レンズ11と光ファイバ伝送路2が屈折率整合樹脂17で接合されている点が異なる。これにより、光ファイバ伝送路2の端面を斜めに加工しなくとも、光ファイバ伝送路2の端面における反射を大幅に低減させることができる。
【0062】
<第23の実施の形態>
図24は本発明の第23の実施の形態の要部断面図を示す。図20の第18の実施の形態と比較して、レンズ11と光ファイバ伝送路2がフィジカルコンタクトされている点が異なる。これにより、光ファイバ伝送路2の端面を斜めに加工しなくとも、光ファイバ伝送路2の端面における反射を大幅に低減させることができるとともに、光ファイバ伝送路2の着脱が可能な双方向光モジュール1を構成することができる。
【0063】
【発明の効果】
以上説明したように請求項1〜8、24に記載の発明によれば、光導波路からこの光モジュール内に導かれた受信光信号をレンズで集光し、発光素子である半導体レーザのごく近傍に配置された受光素子に入射させて信号を受信することができるため、従来の双方向光モジュールに比べて少ない部品点数で構成でき、小型化、低コスト化を実現できる。また、このような半導体レーザと受光素子を近傍に配置した構成では、光送受信特性を最適化する箇所が少なくなるため、半導体レーザの実装に高い精度が必要となる場合が考えられるが、本発明の構成では、成形体とサブキャリアの接合面をずらすことと、サブキャリアとレンズの位置関係を調整することによって、光送受信特性を最適化できるため、半導体レーザの実装精度を緩和できる。
請求項9に記載の発明によれば、請求項1に記載の発明と同じ作用、効果が得られるほか、キャリアの電位と受光素子の電位を分けることが可能となる。
請求項10、11に記載の発明によれば、モジュール内にプリアンプを内蔵し、プリアンプと受光素子を近接配置することで、モジュールパッケージをシールドケースとして利用することができるとともに、受光素子とプリアンプの接続を短くできるため、雑音耐力を向上させることができる。
請求項12、13に記載の発明によれば、半導体レーザの放熱性を向上させることができる。
請求項14に記載の発明によれば、反射による送受信光量の減衰を低減できるとともに、半導体レーザの発光面が成形体の一面とほぼ平行である場合に、半導体レーザの外部共振を抑えることができる。
請求項15に記載の発明によれば、半導体レーザの発光面が成形体の入射面とほぼ平行である場合に、その間を屈折率整合樹脂で充填することで、半導体レーザの外部共振を抑えることができる。
請求項16に記載の発明によれば、同一波長による双方向光モジュールを実現できる。
請求項17に記載の発明によれば、2波長による双方向光モジュールを実現できる。
請求項18〜21に記載の発明によれば、受光素子が受信すべきでない波長の光を低減できる。
請求項22に記載の発明によれば、光導波路端面を斜めに加工しなくとも、光導波路端面での反射を大幅に低減させることができる。
請求項23に記載の発明によれば、光導波路端面を斜めに加工しなくとも、光導波路端面での反射を大幅に低減させることができるとともに、光導波路の着脱が可能な双方向光モジュールを構成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
(a)半導体レーザが右側にずれた図
(b)半導体レーザが左側にずれた図
【図2】本発明の第2の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図3】本発明の第3の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図4】本発明の第2、第3の実施の形態における双方向光モジュールの効果を説明するための要部平面図
(a)サブキャリアが正常な角度の図
(b)サブキャリアが反時計回り方向にずれた図
(c)サブキャリアが時計回り方向にずれた図
【図5】本発明の第4の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図6】図5の受光素子を示す平面図
【図7】図5の受光素子を示す側面図
【図8】本発明の第5の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図9】図8の受光素子を示す平面図
【図10】本発明の第6の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図11】図10の受光素子を示す平面図
【図12】図10の受光素子を示す側面図
【図13】本発明の第7の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図14】図13の受光素子を示す平面図
【図15】本発明の第8の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図16】本発明の第9の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図17】本発明の第10の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図18】本発明の第11の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図19】本発明の第15の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図20】本発明の第18の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図21】本発明の第19の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図22】本発明の第21の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図23】本発明の第22の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図24】本発明の第23の実施の形態における双方向光モジュールの要部断面図
【図25】従来の双方向光ユニットの構成ブロック図
【符号の説明】
1 双方向光モジュール
11 レンズ
12、18 成形体
13 受光素子
14 半導体レーザ
15 サブキャリア
16 プリアンプ
17 屈折率整合樹脂
19 キャリア
121 ビームスプリッタ層
122、181 波長選択形ビームスプリッタ層
131 受光領域
132 P側電極
133 N側電極
134、134a、134b 電気配線
135 導電性接合剤
191、191a、191b キャリア突起部(支持体)

Claims (24)

  1. 受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
    少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
    上段と下段を形成する段差部と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
    前記サブキャリアの上段に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
    一面が前記サブキャリアの1つの面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
    前記成形体に所定角度で傾斜して埋め込まれ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
    前記透過性の成形体の下方の位置で、前記サブキャリアの下段に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
    有する双方向光モジュール。
  2. 受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
    少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
    前記キャリアに固定され、前記平坦面に対して所定角度で傾斜した面を有する支持部材と、
    上段と下段を形成する段差部と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
    前記サブキャリアの上段に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
    一面が前記支持部材の前記傾斜した面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
    前記成形体に取り付けられ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
    前記透過性の成形体の下方の位置で、前記サブキャリアの下段に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
    有する双方向光モジュール。
  3. 受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
    少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
    前記キャリアに固定された支持部材と、
    上段と下段を形成する段差部と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
    前記サブキャリアの上段に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
    一面が前記支持部材の1つの面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
    前記成形体に所定角度で傾斜して埋め込まれ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
    前記透過性の成形体の下方の位置で、前記サブキャリアの下段に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
    有する双方向光モジュール。
  4. 受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
    少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
    前記平坦面に対して所定角度で傾斜した傾斜面と、上面及び下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
    前記サブキャリアの前記上面に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
    一面が前記サブキャリアの前記傾斜面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
    前記成形体に取り付けられ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
    前記透過性の成形体の下方の位置で、前記キャリアの前記平坦面に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
    有する双方向光モジュール。
  5. 受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
    少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
    上面と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
    前記サブキャリアの前記上面に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
    一面が前記サブキャリアの1つの面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
    前記成形体に所定角度で傾斜して埋め込まれ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
    前記透過性の成形体の下方の位置で、前記キャリアの前記平坦面に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
    有する双方向光モジュール。
  6. 受信光と送信光を透過、集光するレンズと、
    少なくとも一部に平坦面を有するキャリアと、
    前記キャリアに固定され、前記平坦面に対して所定角度で傾斜した面を有する支持部材と、
    上面と下面を有し、前記下面が前記キャリアの前記平坦面に接合されるサブキャリアと、
    前記サブキャリアの前記上面に実装されて送信光を水平方向に出射する発光素子と、
    一面が前記支持部材の前記傾斜した面の少なくとも一部に接合された透過性の成形体と、
    前記成形体に取り付けられ、前記レンズを透過して与えられる上方からの受信光を下方に透過させるとともに、前記発光素子の出射光を上方に反射して前記レンズに与えるビームスプリッタ層と、
    前記透過性の成形体の下方の位置で、前記キャリアの前記平坦面に直接あるいは他の部材を介して実装されて前記ビームスプリッタ層を透過した上方からの受信光を受光する受光素子とを、
    有する双方向光モジュール。
  7. 前記所定角度が略45°である請求項1から6のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  8. 前記キャリアが導電性であって前記受光素子のN側電極が前記受光素子の下面に形成され、前記N側電極が導電性接合材を介して前記キャリアの表面に接合され、前記受光素子のP側電極が、前記受光素子の上面に形成されている請求項4から6のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  9. 前記受光素子のP側電極とN側電極が共に前記受光素子の上面に形成され、前記P側電極とN側電極が、前記キャリアとは電気的に絶縁されている請求項4から6のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  10. 前記キャリア上の前記受光素子の近傍に、前記受光素子で発生した受光信号を増幅するプリアンプを配置した請求項1から9のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  11. 前記他の部材が、前記キャリア又は前記サブキャリアの表面に実装され、前記受光素子で発生した受光信号を増幅するプリアンプである請求項1から9のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  12. 前記サブキャリアがシリコンから成る請求項1から11のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  13. 前記サブキャリアが窒化アルミから成る請求項1から11のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  14. 前記成形体の光入射面、及び光出射面の一部、又は全部に反射防止膜を形成した請求項1から13のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  15. 前記発光素子と前記成形体の間に屈折率整合樹脂を充填した請求項1、4、9から14のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  16. 前記ビームスプリッタは、所定の波長をあらかじめ定められた比率で分割するものである請求項1から15のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  17. 前記ビームスプリッタは、波長選択形ビームスプリッタである請求項1から15のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  18. 前記成形体の表面の一部又は全部に、前記受光素子が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択形ビームスプリッタ層を有する第2の成形体を貼り付けた請求項1から17のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  19. 前記成形体の内部又は表面の一部又は全部に、前記受光素子が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択形ビームスプリッタ層を追加して形成した請求項1から17のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  20. 前記受光素子は、受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択特性を有する請求項1から19のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  21. 前記受光素子の光入射面の一部又は全部に、前記受光素子が受信すべきでない波長の光を低減させる波長選択形ビームスプリッタ層を有する第2の成形体を貼り付けた請求項1から20のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  22. 前記レンズと光導波路を屈折率整合樹脂で接合した請求項1から21のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  23. 前記レンズと光導波路をフィジカルコンタクトした請求項1から21のいずれか1つに記載の双方向光モジュール。
  24. 請求項1から23のいずれか1つに記載の双方向光モジュールを搭載した光伝送装置。
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