JP2013513954A - 低表面張力流体を用いてパターン崩壊を防ぐシステム及び方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図6A
Description
F1:蒸発速度の変化により、メニスカスの高さを変化させる力と、
F2:線形構造の間隔の変化により、曲率半径を変化させる力と、
を含む。
乾燥時のパターン崩壊を最小限に抑え、実質的になくす1つの方法は、低表面張力液体を用いることである。この液体を加熱すれば、さらに、乾燥時のパターン崩壊をなくすのに役立つ。この際、1つ又は複数の赤外線(IR)ランプを用いて加熱するようにしてもよい。
DIW(脱イオン水) 25℃でγ=72ダイン/cm
IPA 25℃でγ=22ダイン/cm
HFE7100 25℃でγ=14ダイン/cm
Claims (17)
- 低表面張力液体を用いてウエハを処理及び乾燥するシステムであって、
前記低表面張力液体の沸点よりも25℃低い温度以上の温度まで前記低表面張力液体を加熱することが可能な第1の熱源を備える低表面張力液体源と、
加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する供給機構と、
前記空気/液体界面領域に向けて配置される第2の熱源であって、前記低表面張力液体の沸点よりも少なくとも2℃高い温度まで前記空気/液体界面領域を加熱可能な第2の熱源と、を備えるシステム。 - 請求項1に記載のシステムであって、
前記空気/液体界面領域がウエハの表面上にある、システム。 - 請求項2に記載のシステムであって、さらに、
前記ウエハの表面全体にわたって前記空気/液体界面領域を移動させるアクチュエータを備える、システム。 - 請求項2に記載のシステムであって、
前記ウエハの正面及び裏面の少なくとも一方に向けて前記第2の熱源が配置される、システム。 - 請求項2に記載のシステムであって、
前記第2の熱源が、前記ウエハの正面に向けて配置される正面熱源と、前記ウエハの裏面に向けて配置される裏側熱源と、を備える、システム。 - 請求項2に記載のシステムであって、
前記加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する前記供給機構が、所定量の前記加熱された低表面張力液体を収容する容器を備え、
前記空気/液体界面領域は、前記所定量の加熱された低表面張力液体の表面に近接する、システム。 - 請求項2に記載のシステムであって、
前記加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する前記供給機構が、前記ウエハの表面に前記加熱された低表面張力液体を噴霧するように、前記空気/液体界面領域に向けて配置されるノズルを備える、システム。 - 請求項2に記載のシステムであって、
前記加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する前記供給機構が、近接ヘッド表面と前記ウエハの表面との間にメニスカスを形成する近接ヘッドを備え、
前記空気/液体界面領域が、前記メニスカスのトレーリングエッジである、システム。 - 低表面張力液体を用いて表面をすすぐ方法であって、
前記低表面張力液体の沸点よりも25℃低い温度以上の温度まで前記低表面張力液体を加熱する工程と、
加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する工程と、
前記低表面張力液体の沸点よりも少なくとも2℃高い温度まで前記空気/液体界面領域を加熱する工程と、を備える方法。 - 請求項9に記載の方法であって、
前記空気/液体界面領域がウエハの表面上にある、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、さらに、
前記ウエハの表面全体にわたって前記空気/液体界面領域を移動させる工程を備える、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記低表面張力液体の沸点よりも少なくとも2℃高い温度まで前記空気/液体界面領域を加熱する前記工程が、前記ウエハの正面と裏面の少なくとも一方を加熱する工程を備える、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記低表面張力液体の沸点よりも少なくとも2℃高い温度まで前記空気/液体界面領域を加熱する前記工程が、前記ウエハの正面と裏面とを加熱する工程を備える、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する前記工程が、所定量の前記加熱された低表面張力液体を収容する容器内に前記ウエハを浸漬させる工程を備え、
前記空気/液体界面領域は、前記所定量の加熱された低表面張力液体の表面に近接する、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する前記工程が、前記空気/液体界面領域に向けて配置されるノズルを用いて、前記ウエハの表面に前記加熱された低表面張力液体を噴霧する工程を備える、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、
前記加熱された低表面張力液体を空気/液体界面領域に供給する前記工程が、近接ヘッド表面と前記ウエハの表面との間にメニスカスを形成する工程を備え、
前記空気/液体界面領域が、前記メニスカスのトレーリングエッジである、方法。 - 低表面張力液体を用いてウエハを処理及び乾燥するシステムであって、
前記低表面張力液体の沸点よりも25℃低い温度以上の温度まで前記低表面張力液体を加熱することが可能な第1の熱源を備える低表面張力液体源と、
加熱された低表面張力液体をウエハの表面上にある空気/液体界面領域に供給する供給機構と、
前記空気/液体界面領域に向けて配置される第2の熱源であって、前記低表面張力液体の沸点よりも少なくとも2℃高い温度まで前記空気/液体界面領域を加熱可能であり、前記ウエハの正面及び裏面の少なくとも一方に向けて配置される第2の熱源と、
前記ウエハの表面全体にわたって前記空気/液体界面領域を移動可能なアクチュエータと、を備えるシステム。
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KR101910041B1 (ko) * | 2016-04-29 | 2018-10-22 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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US10971354B2 (en) * | 2016-07-15 | 2021-04-06 | Applied Materials, Inc. | Drying high aspect ratio features |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11507121A (ja) * | 1996-04-04 | 1999-06-22 | ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板を乾燥する方法及び装置 |
JP2001517864A (ja) * | 1997-09-23 | 2001-10-09 | フェラル、ゲアリー・ダブリュー | 改善された化学的乾燥及び清浄化システム |
JP2004056129A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 共沸混合物層を利用して半導体基板を乾燥させる装置及び上記の装置を使用する乾燥方法 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
JPH06459A (ja) * | 1992-06-19 | 1994-01-11 | T H I Syst Kk | 洗浄乾燥方法とその装置 |
US6119366A (en) * | 1998-03-03 | 2000-09-19 | Ferrell; Gary W. | Chemical drying and cleaning method |
US6334902B1 (en) * | 1997-09-24 | 2002-01-01 | Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) | Method and apparatus for removing a liquid from a surface |
JPH11354487A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
US7198055B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-04-03 | Lam Research Corporation | Meniscus, vacuum, IPA vapor, drying manifold |
US8062471B2 (en) * | 2004-03-31 | 2011-11-22 | Lam Research Corporation | Proximity head heating method and apparatus |
KR100678467B1 (ko) * | 2005-01-12 | 2007-02-02 | 삼성전자주식회사 | 기판 건조장치 및 이를 이용한 건조방법 |
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---|---|---|---|---|
JPH11507121A (ja) * | 1996-04-04 | 1999-06-22 | ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 基板を乾燥する方法及び装置 |
JP2001517864A (ja) * | 1997-09-23 | 2001-10-09 | フェラル、ゲアリー・ダブリュー | 改善された化学的乾燥及び清浄化システム |
JP2004056129A (ja) * | 2002-07-22 | 2004-02-19 | Samsung Electronics Co Ltd | 共沸混合物層を利用して半導体基板を乾燥させる装置及び上記の装置を使用する乾燥方法 |
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