JP2004039983A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004039983A JP2004039983A JP2002197483A JP2002197483A JP2004039983A JP 2004039983 A JP2004039983 A JP 2004039983A JP 2002197483 A JP2002197483 A JP 2002197483A JP 2002197483 A JP2002197483 A JP 2002197483A JP 2004039983 A JP2004039983 A JP 2004039983A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- electrodes
- semiconductor light
- emitting element
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 40
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 35
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
- H01L2224/83192—Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
- H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
- H01L2924/07811—Extrinsic, i.e. with electrical conductive fillers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】半導体発光装置における発光素子上面からの光取り出し効率が高く、また装置の薄型化が可能であって、しかもボンディング部分の機械的強度が高く、高い生産性と歩留まりが得られるようにする。さらには安定して高い導電性が得られるようにする。
【解決手段】同一面側に一対の電極11,11’が形成された半導体発光素子1と、配線電極21,21’が形成された基板2と有し、一対の電極11,11’と配線電極21,21’との間に、導電性球状体32を熱硬化性樹脂31に分散混合した異方導電性接着剤3を介在させて半導体発光素子1を基板2に実装する。そして半導体発光素子1に対向する配線電極21,21’の表面に凹部22,22’を形成し、一対の電極11,11’と配線電極21,21’との間に導電性球状体32を安定して存在させる。
【選択図】 図1
【解決手段】同一面側に一対の電極11,11’が形成された半導体発光素子1と、配線電極21,21’が形成された基板2と有し、一対の電極11,11’と配線電極21,21’との間に、導電性球状体32を熱硬化性樹脂31に分散混合した異方導電性接着剤3を介在させて半導体発光素子1を基板2に実装する。そして半導体発光素子1に対向する配線電極21,21’の表面に凹部22,22’を形成し、一対の電極11,11’と配線電極21,21’との間に導電性球状体32を安定して存在させる。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体発光装置に関し、より詳細には異方導電性接着剤で半導体発光素子(以下、「発光素子」と記すことがある)を基板にフリップチップボンディングした半導体発光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば青色や緑色の発光ダイオード(LED)素子(発光素子)は、同一面側に正負一対の電極が設けられた構造を有するものがある。このため図5に示すように、LED素子1を基板2に実装する場合には、LED素子1を銀ペーストなどの接着剤(不図示)で基板2に固着した後、LED素子1上面に形成された一対の電極12,12’と基板2に形成された配線電極21,21’とをボンディングワイヤW、W’で接続していた。この半導体発光装置では、LED素子1の発光層(活性層)から上方に出た光はLED素子1の上面から外部に出射する一方、LED素子1の発光層から下方に出た光はLED素子下面の銀ペーストで拡散反射し、その一部は上向きに反射してLED素子上面から出射する。
【0003】
このような従来の半導体発光装置では、LED素子1の上面に電流拡散膜13や電極12,12’が形成されているため、これらが障害となって光の取り出し効率が悪かった。また、ボンディングワイヤW、W’の曲げに最低限の曲率が必要であることから装置の薄型化が困難であった。
【0004】
そこで、図6に示すように、配線電極21,21’にバンプB、B’を設け、このバンプB、B’を介してLED素子1を基板2の配線電極21,21’にフリップチップボンディングすることも行われている。このような構造によれば、光出射面であるLED素子1の上面に光を遮るものがないので光取り出し効率は向上し、またボンディングワイヤを用いないので装置の薄型化も可能となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、バンプを用いたフリップチップボンディングでは、ボンディング部分の機械強度が弱く信頼性に乏しい。また各発光素子の電極又は基板上の配線電極の所定位置に精度よくバンプをそれぞれ形成する必要があるため、装置の生産性が悪く、また歩留まりも悪かった。さらには、バンプの厚みのため薄型化に不利であった。
【0006】
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光素子上面からの光取り出し効率が高く、また装置の薄型化が可能であって、しかもボンディング部分の機械的強度が高く、また発光素子の実装位置の裕度が大きく、高い生産性と歩留まりが得られる半導体発光装置を提供することにある。
【0007】
また本発明の目的は、安定して高い導電性が得られる半導体発光装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、同一面側に一対の電極が形成された半導体発光素子と、配線電極が形成された基板と有し、前記一対の電極と前記配線電極との間に、導電性球状体を熱硬化性樹脂に分散混合した異方導電性接着剤を介在させて前記半導体発光素子を前記基板に実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子に対向する前記配線電極の表面に凹部を形成し、前記一対の電極と前記配線電極との間に前記導電性球状体を安定して存在させたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【0009】
ここで一対の電極と配線電極との間に導電性球状体を充分に存在させ、より良好な導電性を得る観点から、配線電極の表面に形成する凹部の深さを、導電性球状体の直径よりも浅くするのが好ましい。
【0010】
また本発明によれば、同一面側に一対の電極が形成された半導体発光素子と、配線電極が形成された基板と有し、前記一対の電極と前記配線電極との間に、導電性球状体を熱硬化性樹脂に分散混合した異方導電性接着剤を介在させて前記半導体発光素子を前記基板に実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子に対向する前記配線電極の領域における、前記配線電極に直接接触している前記導電性球状体の面積の合計割合を10〜60%の範囲としたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明者は、発光素子上面からの光取り出し効率および装置の薄型化を考慮してフリップチップボンディングを用いることを前提として、従来問題であった機械的強度や生産性を改善すべく鋭意検討を重ねた結果、異方導電性接着剤を用いて発光素子を基板に実装することにより実用上問題のない水準の機械強度が得られ、また高い生産性と歩留まりが得られること、さらには配線電極に凹部を設けることにより、異方導電性接着剤に押圧力が加わったときに導電性球状体が配線電極上からこぼれ落ちるのを有効に防止でき、良好な導電性が確保されることを見出し、第1の発明をなすに至った。
【0012】
以下、図に基づいて第1の発明に係る半導体発光装置について説明する。図1は、第1の発明に係る半導体発光装置の一例を示す断面図である。同図(a)において、LED素子(発光素子)1の下側面には一対の電極11,11’が形成されている。そして、電極11,11’間でのショートを防止するために、電極11,11’の周縁には厚さ50〜300ÅのSiO2やSiNからなる保護膜14が形成されている。一方、基板2上には配線電極21,21’が形成されている。前記一対の電極11,11’に対向する配線電極21,21’の部分には凹部22,22’が形成されいる。そして配線電極21,21’の一帯にはペースト状の異方導電性接着剤3が塗布されている。次にLED素子1を下降させて、異方導電性接着剤3を介してLED素子1を基板2上に載置する。この状態では一対の電極11,11’と配線電極21,21’との間は絶縁状態である。
【0013】
そして、同図(b)に示すように、所定圧力でLED素子1を基板2の方向に押圧する。すると、LED素子下面の電極11,11’と配線電極21,21’との間に最大圧力が加わるため、その間に存在する異方導電性接着剤3中の導電性球状体32が互いに接触するようになり、一対の電極11,11’と配線電極21,21’とが導通可能状態となる。一方、それ以外の部分では導電性球状体32同士は接触しないので絶縁状態のままとなる。ここで、LED素子1が押圧されたとき、LED素子1に対向する配線電極21,21’の表面に形成された凹部22,22’により、配線電極21,21’と一対の電極11,11’との間から前記接着剤3中の導電性球状体32が逃避するのが抑えられ、前記両電極間に存在する導電性球状体32の数が維持されるので、圧力が加わった時の導電性球状体32同士の接触が多くなり、結果として両電極間に良好な導通が確保できる。そして熱硬化性樹脂31を加熱硬化してこの状態を固定化する。
【0014】
凹部22を形成する配線電極21上の位置としては、LED素子1の対向位置であれば特に限定はないが、好ましくは一対の電極11,11’の対向位置である。したがって、配線電極21上の凹部22の形成位置は、配線電極21の配線形状及びLED素子1の一対の電極の形状21によって種々に変わる。図2に、破線で示したLED素子1の底面形状および一対の電極11,11’に対する、配線電極21,21’および凹部22,22’の平面形状の例を示す。もちろん、凹部の数に限定はなく、1つの配線電極上に2以上の凹部を設けても構わない。
【0015】
また凹部の深さとしては特に限定はないが、深すぎると押圧力がかかったときに電極間に充分な圧力が加わらず、導電性球状体同士の充分な接触が得られないおそれがある。そこで、図3に示すように、凹部22の深さdは導電性球状体32の直径Dよりも浅くするのが好ましい。一方、凹部22の深さdが浅すぎると、押圧力がかかったときに導電性球状体32が電極21上から逃避するおそれがあるので、凹部22の深さdは導電性球状体32の直径の1/10よりも深くするのがよい。また、凹部21の断面形状としては特に限定はなく、例えば長方形状やすり鉢状、球状など従来公知の形状が挙げられるが、押圧力がかかった時に導電性球状体32の逃避を阻止する働きや加工容易性の観点からは長方形状が望ましい。
【0016】
本発明で使用する、導電性球状体を熱硬化性樹脂に分散混合した異方導電性接着剤としては従来公知のものが挙げられる。導電性球状体としては、例えば球状樹脂の周りにNi,AuメッキをしたものやAg粒子などが例示される。粒径としては3〜10μmの範囲が好ましい。一方、熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂やシリコン樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。この中でも、強度や耐熱性などの観点からエポキシ樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂中への導電性球状体の分散混合量は1〜20重量%程度が好ましい。
【0017】
LED素子に加える押圧力は、使用する異方導電性接着剤の種類や量から適宜決定すればよいが、通常は1〜50kg/mm2程度である。また熱硬化性樹脂の熱硬化条件は、加熱温度:100〜300℃の範囲、加熱時間:10〜120secの範囲である。
【0018】
また、異方導電性接着剤はペースト状であってもよいし、シート状であってもよい。シート状の接着剤を用いる場合、LED素子程度の小さなのものを用いることも可能ではあるが、このようなシート状接着剤を基板の所定位置に精度よく配置するには時間と労力がかかるので、後述するように通常は、基板のほぼ全面を覆う大きさのものが基板に取り付けられる。このため、発光素子から出射された光がシート状の異方導電性接着剤に吸収されてしまい光取り出し効率が悪くなる。したがって、異方導電性接着剤としてはペースト状のものを用い、基板上の必要な部分にのみ塗布するのが望ましい。
【0019】
本発明で使用する発光素子としては同一面側に一対の電極が形成されたものであれば特に限定はなく、例えばサファイア基板を用いる青色LED素子や緑色LED素子などが挙げられる。
【0020】
本発明の半導体発光素子は従来公知の製造方法で製造できる。例えばペースト状の異方導電性接着剤を用いる場合には、複数の配線電極が形成された基板の発光素子の載置部分に前記接着剤をピンやディスペンサで塗布した後、接着剤上に発光素子をそれぞれ載置する。そして、前記例示した押圧条件で発光素子を押圧して、発光素子の電極と基板の配線電極との間の導通可能とすると同時に、接着剤を加熱硬化させる。次に、半導体発光素子を透光性樹脂で封止した後、基板を切断してそれぞれ半導体発光装置とする。一方、シート状の異方導電性接着剤を用いる場合には、前記基板の表面を覆うように一枚のシート状接着剤を貼り付け、所定位置に発光素子をそれぞれ載置する。そして発光素子を押圧して電極間を導通とする同時に、接着剤を加熱硬化させる。次に、半導体発光素子を透光性樹脂で封止した後、基板を切断して各半導体発光装置とする。
【0021】
次に、第2の発明に係る半導体発光装置について説明する。この発明の大きな特徴は、半導体発光素子に対向する配線電極の領域における、前記配線電極に直接接触している導電性球状体の面積の合計割合を10〜60%の範囲としたことにある。以下、図に基づいて本発明の半導体発光装置について説明する。
【0022】
図4は、本発明の半導体発光装置の平面図である。この図において、破線は発光素子1の接着面及び一対の電極11,11’の外形を示している。そして配線電極21,21’の斜線部分は、発光素子1に対向する配線電極部分を、また斜線部分中の白マルは配線電極21,21’に直接接触している導電性球状体32の接触面積をそれぞれ示す。ここで、斜線部分の面積に対して、導電性球状体32の接触面積(白マル)の合計割合を10〜60%の範囲とすることが重要である。前記接触面積の合計割合が10%未満であると、発光素子1の電極11,11’と配線電極21,21’との間の導通が充分に確保できないおそれがあり、他方、接触面積の合計割合が60%を超えると、前記電極間の導通は確保できるものの配線電極21,21’に対する接着強度が弱くなり、異方導電性接着剤3が配線電極21,21’の表面から剥離するおそれがあるからである。より好ましい接触面積の合計割合は20〜40%の範囲である。
【0023】
前記接触面積の合計割合を前記範囲とするには、例えば異方導電性接着剤3に含まれる導電性球状体32の粒径およびその分散混合量、発光素子1に対する押圧力を調整する、あるいは第1の発明で説明したような配線電極21に凹部22を設けることにより調整すればよい。
【0024】
なお、導電性球状体32の接触面積は、完成した半導体発光装置を配線電極表面を境界として分断し、硬化している異方導電性接着剤3の配線電極側表面に露出している導電性球状体32の面積をSEMを用いて測定したものである。
【0025】
本発明で使用できる発光素子および異方導電性接着剤としては、前記例示したものがここでも例示される。
【0026】
【発明の効果】
本発明の半導体発光装置では、半導体発光素子の同一面側に形成された一対の電極と、基板に形成された配線電極との間に異方導電性接着剤を介在させるとともに、半導体発光素子に対向する配線電極の表面に凹部を形成し、前記一対の電極と前記配線電極との間に異方導電性接着剤中の導電性球状体を安定して存在させるようにしたので、ボンディング部分の機械的強度が高く、高い生産性と歩留まりが得られると同時に、安定した導電性が得られる。
【0027】
また配線電極の表面に形成する凹部の深さを導電性球状体の直径よりも浅くすると、電極間に導電性球状体をより安定して存在させることができる。
【0028】
またもう一つの発明に係る半導体発光装置では、半導体発光素子の同一面側に形成された一対の電極と、基板に形成された配線電極との間に異方導電性接着剤を介在させるとともに、半導体発光素子に対向する配線電極の領域における、配線電極に直接接触している導電性球状体の面積の合計割合を10〜60%の範囲としたので、高い生産性と歩留まりが得られると同時に、配線基板と接着剤との間の接着強度が高く、しかも安定した導電性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の発明に係る半導体発光装置の一例を示す断面図である。
【図2】配線電極に形成する凹部の例を示す平面図である。
【図3】配線電極に形成する凹部の一例を示す断面図である。
【図4】第2の発明に係る半導体発光装置の一例を示す平面図である。
【図5】従来の半導体発光装置の一例を示す斜視図である。
【図6】従来の半導体発光装置の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 LED素子(半導体発光素子)
2 基板
3 異方導電性接着剤
W ボンディングワイヤ
11、11’ 電極
12,12’ 電極
13 電流拡散膜
14 保護膜
21,21’ 配線電極
22,22’ 凹部
31 熱硬化性樹脂
32 導電性球状体
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体発光装置に関し、より詳細には異方導電性接着剤で半導体発光素子(以下、「発光素子」と記すことがある)を基板にフリップチップボンディングした半導体発光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
例えば青色や緑色の発光ダイオード(LED)素子(発光素子)は、同一面側に正負一対の電極が設けられた構造を有するものがある。このため図5に示すように、LED素子1を基板2に実装する場合には、LED素子1を銀ペーストなどの接着剤(不図示)で基板2に固着した後、LED素子1上面に形成された一対の電極12,12’と基板2に形成された配線電極21,21’とをボンディングワイヤW、W’で接続していた。この半導体発光装置では、LED素子1の発光層(活性層)から上方に出た光はLED素子1の上面から外部に出射する一方、LED素子1の発光層から下方に出た光はLED素子下面の銀ペーストで拡散反射し、その一部は上向きに反射してLED素子上面から出射する。
【0003】
このような従来の半導体発光装置では、LED素子1の上面に電流拡散膜13や電極12,12’が形成されているため、これらが障害となって光の取り出し効率が悪かった。また、ボンディングワイヤW、W’の曲げに最低限の曲率が必要であることから装置の薄型化が困難であった。
【0004】
そこで、図6に示すように、配線電極21,21’にバンプB、B’を設け、このバンプB、B’を介してLED素子1を基板2の配線電極21,21’にフリップチップボンディングすることも行われている。このような構造によれば、光出射面であるLED素子1の上面に光を遮るものがないので光取り出し効率は向上し、またボンディングワイヤを用いないので装置の薄型化も可能となる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、バンプを用いたフリップチップボンディングでは、ボンディング部分の機械強度が弱く信頼性に乏しい。また各発光素子の電極又は基板上の配線電極の所定位置に精度よくバンプをそれぞれ形成する必要があるため、装置の生産性が悪く、また歩留まりも悪かった。さらには、バンプの厚みのため薄型化に不利であった。
【0006】
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光素子上面からの光取り出し効率が高く、また装置の薄型化が可能であって、しかもボンディング部分の機械的強度が高く、また発光素子の実装位置の裕度が大きく、高い生産性と歩留まりが得られる半導体発光装置を提供することにある。
【0007】
また本発明の目的は、安定して高い導電性が得られる半導体発光装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、同一面側に一対の電極が形成された半導体発光素子と、配線電極が形成された基板と有し、前記一対の電極と前記配線電極との間に、導電性球状体を熱硬化性樹脂に分散混合した異方導電性接着剤を介在させて前記半導体発光素子を前記基板に実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子に対向する前記配線電極の表面に凹部を形成し、前記一対の電極と前記配線電極との間に前記導電性球状体を安定して存在させたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【0009】
ここで一対の電極と配線電極との間に導電性球状体を充分に存在させ、より良好な導電性を得る観点から、配線電極の表面に形成する凹部の深さを、導電性球状体の直径よりも浅くするのが好ましい。
【0010】
また本発明によれば、同一面側に一対の電極が形成された半導体発光素子と、配線電極が形成された基板と有し、前記一対の電極と前記配線電極との間に、導電性球状体を熱硬化性樹脂に分散混合した異方導電性接着剤を介在させて前記半導体発光素子を前記基板に実装した半導体発光装置であって、前記半導体発光素子に対向する前記配線電極の領域における、前記配線電極に直接接触している前記導電性球状体の面積の合計割合を10〜60%の範囲としたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明者は、発光素子上面からの光取り出し効率および装置の薄型化を考慮してフリップチップボンディングを用いることを前提として、従来問題であった機械的強度や生産性を改善すべく鋭意検討を重ねた結果、異方導電性接着剤を用いて発光素子を基板に実装することにより実用上問題のない水準の機械強度が得られ、また高い生産性と歩留まりが得られること、さらには配線電極に凹部を設けることにより、異方導電性接着剤に押圧力が加わったときに導電性球状体が配線電極上からこぼれ落ちるのを有効に防止でき、良好な導電性が確保されることを見出し、第1の発明をなすに至った。
【0012】
以下、図に基づいて第1の発明に係る半導体発光装置について説明する。図1は、第1の発明に係る半導体発光装置の一例を示す断面図である。同図(a)において、LED素子(発光素子)1の下側面には一対の電極11,11’が形成されている。そして、電極11,11’間でのショートを防止するために、電極11,11’の周縁には厚さ50〜300ÅのSiO2やSiNからなる保護膜14が形成されている。一方、基板2上には配線電極21,21’が形成されている。前記一対の電極11,11’に対向する配線電極21,21’の部分には凹部22,22’が形成されいる。そして配線電極21,21’の一帯にはペースト状の異方導電性接着剤3が塗布されている。次にLED素子1を下降させて、異方導電性接着剤3を介してLED素子1を基板2上に載置する。この状態では一対の電極11,11’と配線電極21,21’との間は絶縁状態である。
【0013】
そして、同図(b)に示すように、所定圧力でLED素子1を基板2の方向に押圧する。すると、LED素子下面の電極11,11’と配線電極21,21’との間に最大圧力が加わるため、その間に存在する異方導電性接着剤3中の導電性球状体32が互いに接触するようになり、一対の電極11,11’と配線電極21,21’とが導通可能状態となる。一方、それ以外の部分では導電性球状体32同士は接触しないので絶縁状態のままとなる。ここで、LED素子1が押圧されたとき、LED素子1に対向する配線電極21,21’の表面に形成された凹部22,22’により、配線電極21,21’と一対の電極11,11’との間から前記接着剤3中の導電性球状体32が逃避するのが抑えられ、前記両電極間に存在する導電性球状体32の数が維持されるので、圧力が加わった時の導電性球状体32同士の接触が多くなり、結果として両電極間に良好な導通が確保できる。そして熱硬化性樹脂31を加熱硬化してこの状態を固定化する。
【0014】
凹部22を形成する配線電極21上の位置としては、LED素子1の対向位置であれば特に限定はないが、好ましくは一対の電極11,11’の対向位置である。したがって、配線電極21上の凹部22の形成位置は、配線電極21の配線形状及びLED素子1の一対の電極の形状21によって種々に変わる。図2に、破線で示したLED素子1の底面形状および一対の電極11,11’に対する、配線電極21,21’および凹部22,22’の平面形状の例を示す。もちろん、凹部の数に限定はなく、1つの配線電極上に2以上の凹部を設けても構わない。
【0015】
また凹部の深さとしては特に限定はないが、深すぎると押圧力がかかったときに電極間に充分な圧力が加わらず、導電性球状体同士の充分な接触が得られないおそれがある。そこで、図3に示すように、凹部22の深さdは導電性球状体32の直径Dよりも浅くするのが好ましい。一方、凹部22の深さdが浅すぎると、押圧力がかかったときに導電性球状体32が電極21上から逃避するおそれがあるので、凹部22の深さdは導電性球状体32の直径の1/10よりも深くするのがよい。また、凹部21の断面形状としては特に限定はなく、例えば長方形状やすり鉢状、球状など従来公知の形状が挙げられるが、押圧力がかかった時に導電性球状体32の逃避を阻止する働きや加工容易性の観点からは長方形状が望ましい。
【0016】
本発明で使用する、導電性球状体を熱硬化性樹脂に分散混合した異方導電性接着剤としては従来公知のものが挙げられる。導電性球状体としては、例えば球状樹脂の周りにNi,AuメッキをしたものやAg粒子などが例示される。粒径としては3〜10μmの範囲が好ましい。一方、熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂やシリコン樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。この中でも、強度や耐熱性などの観点からエポキシ樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂中への導電性球状体の分散混合量は1〜20重量%程度が好ましい。
【0017】
LED素子に加える押圧力は、使用する異方導電性接着剤の種類や量から適宜決定すればよいが、通常は1〜50kg/mm2程度である。また熱硬化性樹脂の熱硬化条件は、加熱温度:100〜300℃の範囲、加熱時間:10〜120secの範囲である。
【0018】
また、異方導電性接着剤はペースト状であってもよいし、シート状であってもよい。シート状の接着剤を用いる場合、LED素子程度の小さなのものを用いることも可能ではあるが、このようなシート状接着剤を基板の所定位置に精度よく配置するには時間と労力がかかるので、後述するように通常は、基板のほぼ全面を覆う大きさのものが基板に取り付けられる。このため、発光素子から出射された光がシート状の異方導電性接着剤に吸収されてしまい光取り出し効率が悪くなる。したがって、異方導電性接着剤としてはペースト状のものを用い、基板上の必要な部分にのみ塗布するのが望ましい。
【0019】
本発明で使用する発光素子としては同一面側に一対の電極が形成されたものであれば特に限定はなく、例えばサファイア基板を用いる青色LED素子や緑色LED素子などが挙げられる。
【0020】
本発明の半導体発光素子は従来公知の製造方法で製造できる。例えばペースト状の異方導電性接着剤を用いる場合には、複数の配線電極が形成された基板の発光素子の載置部分に前記接着剤をピンやディスペンサで塗布した後、接着剤上に発光素子をそれぞれ載置する。そして、前記例示した押圧条件で発光素子を押圧して、発光素子の電極と基板の配線電極との間の導通可能とすると同時に、接着剤を加熱硬化させる。次に、半導体発光素子を透光性樹脂で封止した後、基板を切断してそれぞれ半導体発光装置とする。一方、シート状の異方導電性接着剤を用いる場合には、前記基板の表面を覆うように一枚のシート状接着剤を貼り付け、所定位置に発光素子をそれぞれ載置する。そして発光素子を押圧して電極間を導通とする同時に、接着剤を加熱硬化させる。次に、半導体発光素子を透光性樹脂で封止した後、基板を切断して各半導体発光装置とする。
【0021】
次に、第2の発明に係る半導体発光装置について説明する。この発明の大きな特徴は、半導体発光素子に対向する配線電極の領域における、前記配線電極に直接接触している導電性球状体の面積の合計割合を10〜60%の範囲としたことにある。以下、図に基づいて本発明の半導体発光装置について説明する。
【0022】
図4は、本発明の半導体発光装置の平面図である。この図において、破線は発光素子1の接着面及び一対の電極11,11’の外形を示している。そして配線電極21,21’の斜線部分は、発光素子1に対向する配線電極部分を、また斜線部分中の白マルは配線電極21,21’に直接接触している導電性球状体32の接触面積をそれぞれ示す。ここで、斜線部分の面積に対して、導電性球状体32の接触面積(白マル)の合計割合を10〜60%の範囲とすることが重要である。前記接触面積の合計割合が10%未満であると、発光素子1の電極11,11’と配線電極21,21’との間の導通が充分に確保できないおそれがあり、他方、接触面積の合計割合が60%を超えると、前記電極間の導通は確保できるものの配線電極21,21’に対する接着強度が弱くなり、異方導電性接着剤3が配線電極21,21’の表面から剥離するおそれがあるからである。より好ましい接触面積の合計割合は20〜40%の範囲である。
【0023】
前記接触面積の合計割合を前記範囲とするには、例えば異方導電性接着剤3に含まれる導電性球状体32の粒径およびその分散混合量、発光素子1に対する押圧力を調整する、あるいは第1の発明で説明したような配線電極21に凹部22を設けることにより調整すればよい。
【0024】
なお、導電性球状体32の接触面積は、完成した半導体発光装置を配線電極表面を境界として分断し、硬化している異方導電性接着剤3の配線電極側表面に露出している導電性球状体32の面積をSEMを用いて測定したものである。
【0025】
本発明で使用できる発光素子および異方導電性接着剤としては、前記例示したものがここでも例示される。
【0026】
【発明の効果】
本発明の半導体発光装置では、半導体発光素子の同一面側に形成された一対の電極と、基板に形成された配線電極との間に異方導電性接着剤を介在させるとともに、半導体発光素子に対向する配線電極の表面に凹部を形成し、前記一対の電極と前記配線電極との間に異方導電性接着剤中の導電性球状体を安定して存在させるようにしたので、ボンディング部分の機械的強度が高く、高い生産性と歩留まりが得られると同時に、安定した導電性が得られる。
【0027】
また配線電極の表面に形成する凹部の深さを導電性球状体の直径よりも浅くすると、電極間に導電性球状体をより安定して存在させることができる。
【0028】
またもう一つの発明に係る半導体発光装置では、半導体発光素子の同一面側に形成された一対の電極と、基板に形成された配線電極との間に異方導電性接着剤を介在させるとともに、半導体発光素子に対向する配線電極の領域における、配線電極に直接接触している導電性球状体の面積の合計割合を10〜60%の範囲としたので、高い生産性と歩留まりが得られると同時に、配線基板と接着剤との間の接着強度が高く、しかも安定した導電性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の発明に係る半導体発光装置の一例を示す断面図である。
【図2】配線電極に形成する凹部の例を示す平面図である。
【図3】配線電極に形成する凹部の一例を示す断面図である。
【図4】第2の発明に係る半導体発光装置の一例を示す平面図である。
【図5】従来の半導体発光装置の一例を示す斜視図である。
【図6】従来の半導体発光装置の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
1 LED素子(半導体発光素子)
2 基板
3 異方導電性接着剤
W ボンディングワイヤ
11、11’ 電極
12,12’ 電極
13 電流拡散膜
14 保護膜
21,21’ 配線電極
22,22’ 凹部
31 熱硬化性樹脂
32 導電性球状体
Claims (3)
- 同一面側に一対の電極が形成された半導体発光素子と、配線電極が形成された基板と有し、前記一対の電極と前記配線電極との間に、導電性球状体を熱硬化性樹脂に分散混合した異方導電性接着剤を介在させて前記半導体発光素子を前記基板に実装した半導体発光装置であって、
前記半導体発光素子に対向する前記配線電極の表面に凹部を形成し、前記一対の電極と前記配線電極との間に前記導電性球状体を安定して存在させたことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記配線電極の表面に形成する凹部の深さを、前記導電性球状体の直径よりも浅くした請求項1記載の半導体発光装置。
- 同一面側に一対の電極が形成された半導体発光素子と、配線電極が形成された基板と有し、前記一対の電極と前記配線電極との間に、導電性球状体を熱硬化性樹脂に分散混合した異方導電性接着剤を介在させて前記半導体発光素子を前記基板に実装した半導体発光装置であって、
前記半導体発光素子に対向する前記配線電極の領域における、前記配線電極に直接接触している前記導電性球状体の面積の合計割合を10〜60%の範囲としたことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002197483A JP2004039983A (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 半導体発光装置 |
CNA031490816A CN1471179A (zh) | 2002-07-05 | 2003-06-26 | 半导体发光器件 |
US10/610,754 US6956242B2 (en) | 2002-07-05 | 2003-07-02 | Semiconductor light-emitting device having a semiconductor light-emitting element mounted on a substrate with anisotropically conductive adhesive interposed therebetween |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002197483A JP2004039983A (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004039983A true JP2004039983A (ja) | 2004-02-05 |
Family
ID=30437155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002197483A Withdrawn JP2004039983A (ja) | 2002-07-05 | 2002-07-05 | 半導体発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6956242B2 (ja) |
JP (1) | JP2004039983A (ja) |
CN (1) | CN1471179A (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007049045A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびこれを備えた半導体装置 |
JP2007123613A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
KR100755658B1 (ko) | 2006-03-09 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
EP1928027A2 (en) | 2006-11-29 | 2008-06-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell module |
WO2010007817A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 異方性導電接着剤 |
KR100999736B1 (ko) | 2010-02-17 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 라이트 유닛 |
WO2011086680A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 異方性導電接着剤 |
KR20120045637A (ko) * | 2010-10-29 | 2012-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP2012178400A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledランプ |
JP2013243344A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-12-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
JP2015019020A (ja) * | 2013-07-12 | 2015-01-29 | スタンレー電気株式会社 | 発光パネルとその製造方法 |
JP2015122487A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-07-02 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置、発光装置製造方法 |
WO2015137414A1 (ja) * | 2014-03-12 | 2015-09-17 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置 |
US9337405B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-05-10 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
JP2017195408A (ja) * | 2012-04-23 | 2017-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017537475A (ja) * | 2015-05-21 | 2017-12-14 | ゴルテック.インク | マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器 |
US9955619B2 (en) | 2013-02-27 | 2018-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device, light emitting element mounting method, and light emitting element mounter |
WO2021107270A1 (ko) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005197329A (ja) * | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造 |
CN100345292C (zh) * | 2005-11-02 | 2007-10-24 | 友达光电股份有限公司 | 芯片压合结构及其形成方法和电子装置 |
WO2009098636A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting sheet |
KR101673259B1 (ko) * | 2015-02-17 | 2016-11-07 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
CN104821368A (zh) * | 2015-05-25 | 2015-08-05 | 叶志伟 | 一种倒装led的封装结构 |
US10756119B2 (en) * | 2016-04-20 | 2020-08-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing same |
KR20180007025A (ko) * | 2016-07-11 | 2018-01-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 초소형 발광 소자를 포함하는 픽셀 구조체, 표시장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000135814A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Kyocera Corp | 光プリンタヘッド |
-
2002
- 2002-07-05 JP JP2002197483A patent/JP2004039983A/ja not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-06-26 CN CNA031490816A patent/CN1471179A/zh active Pending
- 2003-07-02 US US10/610,754 patent/US6956242B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007049045A (ja) * | 2005-08-11 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびこれを備えた半導体装置 |
JP2007123613A (ja) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
KR100755658B1 (ko) | 2006-03-09 | 2007-09-04 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
US8314323B2 (en) | 2006-11-29 | 2012-11-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell module |
EP1928027A2 (en) | 2006-11-29 | 2008-06-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Solar cell module |
US9825188B2 (en) | 2006-11-29 | 2017-11-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell module |
US8636924B2 (en) | 2008-07-16 | 2014-01-28 | Dexerials Corporation | Anisotropic conductive adhesive |
US9418958B2 (en) | 2008-07-16 | 2016-08-16 | Dexerials Corporation | Anisotropic conductive adhesive |
WO2010007817A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 異方性導電接着剤 |
JP2010024301A (ja) * | 2008-07-16 | 2010-02-04 | Sony Chemical & Information Device Corp | 異方性導電接着剤 |
CN102089398A (zh) * | 2008-07-16 | 2011-06-08 | 索尼化学&信息部件株式会社 | 各向异性导电粘合剂 |
WO2011086680A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 異方性導電接着剤 |
JPWO2011086680A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2013-05-16 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤 |
US8790547B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-07-29 | Dexerials Corporation | Anisotropic conductive adhesive |
KR100999736B1 (ko) | 2010-02-17 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 라이트 유닛 |
US8698185B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-04-15 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and light unit having improved electrode and chip structures with concave/convex shapes |
KR20120045637A (ko) * | 2010-10-29 | 2012-05-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
KR101714049B1 (ko) * | 2010-10-29 | 2017-03-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP2012178400A (ja) * | 2011-02-25 | 2012-09-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledランプ |
JP2017195408A (ja) * | 2012-04-23 | 2017-10-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2013243344A (ja) * | 2012-04-23 | 2013-12-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
US9337405B2 (en) | 2012-08-31 | 2016-05-10 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
US9955619B2 (en) | 2013-02-27 | 2018-04-24 | Nichia Corporation | Light emitting device, light emitting element mounting method, and light emitting element mounter |
JP2015019020A (ja) * | 2013-07-12 | 2015-01-29 | スタンレー電気株式会社 | 発光パネルとその製造方法 |
JP2015122487A (ja) * | 2013-11-19 | 2015-07-02 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置、発光装置製造方法 |
JP2015188078A (ja) * | 2014-03-12 | 2015-10-29 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置 |
WO2015137414A1 (ja) * | 2014-03-12 | 2015-09-17 | デクセリアルズ株式会社 | 発光装置 |
KR20160132917A (ko) * | 2014-03-12 | 2016-11-21 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
KR102348352B1 (ko) | 2014-03-12 | 2022-01-10 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
JP2017537475A (ja) * | 2015-05-21 | 2017-12-14 | ゴルテック.インク | マイクロ発光ダイオードの搬送方法、製造方法、装置及び電子機器 |
WO2021107270A1 (ko) * | 2019-11-28 | 2021-06-03 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6956242B2 (en) | 2005-10-18 |
US20050045899A1 (en) | 2005-03-03 |
CN1471179A (zh) | 2004-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004039983A (ja) | 半導体発光装置 | |
US6858919B2 (en) | Semiconductor package | |
TWI529878B (zh) | 集成電路封裝件及其裝配方法 | |
TW554553B (en) | Sub-mount for high power light emitting diode | |
JP4507358B2 (ja) | 光半導体素子 | |
TWI327369B (en) | Multichip stack package | |
WO2010050067A1 (ja) | 発光素子パッケージ用基板及び発光素子パッケージ | |
JP3602968B2 (ja) | 半導体装置およびその基板接続構造 | |
TWI420630B (zh) | 半導體封裝結構與半導體封裝製程 | |
TWI242863B (en) | Heat dissipating structure and semiconductor package with the heat dissipating structure | |
CN101533814B (zh) | 芯片级倒装芯片封装构造 | |
JP2015050342A (ja) | 配線基板、発光装置及び配線基板の製造方法 | |
JP2006086178A (ja) | 樹脂封止型光半導体装置 | |
TWI278079B (en) | Pillar grid array package | |
JP2008300542A (ja) | 発光素子パッケージ用基板及び発光素子パッケージ | |
TW200810160A (en) | Light-emitting device | |
TW200529387A (en) | Chip package structure | |
JPH09199629A (ja) | 半導体装置 | |
TW200418161A (en) | Semiconductor chip package and method for manufacturing the same | |
JP5912471B2 (ja) | 半導体デバイス | |
TW200414561A (en) | Light emitting diode package structure | |
TWI581392B (zh) | 電子封裝組件 | |
JP2019096783A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2845488B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP2928822B2 (ja) | 半導体装置およびその接続方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040924 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070223 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20070404 |