JP2004022585A - 静電チャック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】静電チャック(1)は、チャック面(3)側にて半導体ウェハ(5)を吸着するものであり、円盤状の絶縁体(7)と金属ベース(9)とを接合したものである。絶縁体(7)は、その表面に前記チャック面(3)を有し、アルミナ質の焼結体からなるセラミック体である。この絶縁体(7)は、その体積固有抵抗は、1.0×1012Ω・cmを上回り且つ1.0×1015Ω・cmを下回る範囲である。そして、静電チャック(1)を使用する場合には、両内部電極(15)、(17)の間に、500×{LOG(体積固有抵抗)−11}V以上の電圧を印加し、これにより、半導体ウェハ(5)を吸着する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体を製造する際に使用されるドライエッチング装置やイオン注入装置や電子ビーム露光装置などにおいて、半導体ウェハの固定、平面度矯正、搬送用などに用いることができる静電チャックに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、静電チャックは、例えば半導体製造装置において、被吸着部材である半導体ウェハ(例えばシリコンウェハ)を固定してドライエッチング等の加工を行ったり、半導体ウェハを吸着固定して反りを矯正したり、半導体ウェハを吸着して搬送するなどの目的で使用されている。
【0003】
この静電チャックに関しては、例えば特開昭62−94953号公報には、アルミナに所定の遷移金属層を混合し、還元雰囲気で焼成することで、アルミナ単体で静電チャックを製作したときよりも、低い電圧で、より大きな吸着力(チャック力)が得られることが開示されている。
【0004】
この様に、前記公報の技術において、低い電圧でチャック力が得られるのは、体積固有抵抗が1.0〜108Ω・cm〜1.0〜1012Ω・cmと、アルミナ単体に比べて小さいために、ジョンソン−ラーベック力が作用することによると考えられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、最近の研究により、ジョンソン−ラーベック力を得るために、体積固有抵抗を小さくして、静電チャックの内部電極に電圧を印加すると、その漏れ電流等により、半導体ウェハ内に微小電流が流れ、それによって、半導体ウェハに形成した集積回路に電気的ダメージを与えること(従って素子の不良率が上昇すること)が分かってきた。
【0006】
特に近年、集積回路の配線幅が0.13μm以下となった場合に、その傾向が顕著である。
ところが、この対策として、微小電流を抑えるために絶縁体の体積固有抵抗を上げると、チャック力が弱くなるため、静電チャックの機能である、半導体ウェハの固定や平面度矯正の機能が損なわれるという問題がある。
【0007】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、半導体ウェハ等に流れる微小電流を低減するとともに、静電チャックの機能である、半導体ウェハ等の固定や平面度矯正の機能を損なうことのない静電チャックを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
(1)請求項1の発明は、絶縁体の内部に電極を備えた静電チャックに関するものであり、本発明では、絶縁体の体積固有抵抗が、1.0×1012Ω・cmを上回り且つ1.0×1015Ω・cmを下回る範囲であることを特徴とする。
【0009】
本発明では、静電チャックの絶縁体の体積固有抵抗が、1.0×1012Ω・cmを上回り且つ1.0×1015Ω・cmを下回る範囲であるので、即ち、従来とは異なる適度な範囲であるので、半導体ウェハ等の被吸着部材に流れる漏れ電流を小さくすることができる。これにより、半導体ウェハ等内に漏れ電流が流れることによる集積回路の電気的ダメージを低減することができるので、素子の不良率が低下するという顕著な効果を奏する。
【0010】
また、本発明の絶縁体の体積固有抵抗は、従来に比べて過度に大きくはないので、半導体ウェハ等の吸着に必要な大きさのジョンソン−ラーベック力を得ることができる。これにより、半導体ウェハ等を十分な吸着力(チャック力)で吸着できるので、半導体ウェハ等の固定や平面度矯正等の静電チャックの機能を損なうことのないという利点がある。
【0011】
更に、絶縁体の体積固有抵抗が、本発明の範囲であれば、体積固有抵抗の変化にほぼリニアに適度の大きさでチャック力が変化するので、チャック力の調節が容易であるという効果がある。
つまり、体積固有抵抗が、本発明の範囲より小さい場合には、体積固有抵抗が変化するとチャック力が急激に変化するので、所望のチャック力を生じる絶縁体を製造することが容易でない。一方、体積固有抵抗が、本発明の範囲より大きい場合には、体積固有抵抗が変化してもチャック力があまり変化しないので、この場合も、所望のチャック力を生じる絶縁体を製造することが容易でない。
【0012】
(2)請求項2の発明では、前記電極に印加する電圧が、500×{LOG(体積固有抵抗)−11}V以上であることを特徴としている。
本発明は、電極に印加する電圧を例示したものである。
この印加電圧(例えば直流)の範囲であれば、半導体ウェハ等を十分な吸着力で吸着できるので、半導体ウェハ等の固定や平面度矯正等の静電チャックの機能を損なうことがない。また、交流電圧を印加する場合には、その実効電圧が、前記500×{LOG(体積固有抵抗)−11}V以上であれば良い。
【0013】
(3)請求項3の発明では、前記静電チャックは、前記絶縁体の内部に一方の電極を備えたモノポーラタイプ、又は、前記絶縁体の内部に一対の電極を備えたバイポーラタイプであることを特徴としている。
本発明は、静電チャックの種類を例示したものであり、本発明は、上述した電極構成を有するする静電チャックに適用することができる。
【0014】
(4)請求項4の発明では、前記絶縁体は、セラミック材料からなることを特徴としている。
本発明は、絶縁体を構成する材料を例示したものである。
(5)請求項5の発明では、前記絶縁体は、アルミナを主成分とする材料からなることを特徴としている。
【0015】
本発明は、絶縁体を構成するセラミック材料を例示したものである。
例えばアルミナを主成分とするセラミック原料を還元雰囲気で焼成することで絶縁体が得られるが、このセラミック原料中に、マグネシアとチタニアナの添加物を加えることにより、アルミナの粒子間にマグネシウムアルミニウムチタニウムの層を形成することができる。
【0016】
尚、前記マグネシウムアルミニウムチタニウムとしては、MgAl8Ti6O25、Mg0.3Al1.4Ti1.3O5、Mg0.6Al0.8Ti0.6O5等の化合物が挙げられる。
このマグネシウムアルミニウムチタニウムの層は、体積固有抵抗が、1.0×108Ω・cm〜1.0×1015Ω・cmと、アルミナの体積固有抵抗(1.0×10−16Ω・cm)に比べて小さいので、アルミナにマグネシウムアルミニウムチタニウムの層を形成することにより、前記請求項1の範囲の体積固有抵抗を有する絶縁体を形成することができる。尚、前記セラミック原料には、必要に応じてシリカ等の焼結助剤を加えてもよい。
【0017】
また、セラミック焼成時の還元雰囲気としては、N2とH2の混合ガスを用いることができるが、N2とH2については、N2がH2より多いと、絶縁体の体積固有抵抗が大きくなるので、その値を調節することにより、前記請求項1の範囲の体積固有抵抗を有する絶縁体を形成することができる。
【0018】
例えば体積固有抵抗が1.0×1012Ω・cmを上回る絶縁体を得る場合には、N2の割合(体積%)をH2よりも多くする。尚、チタンの量が増加すると体積固有抵抗が低下するので、チタンの量により、体積固有抵抗を調節することも可能である。
【0019】
この様にして製造された絶縁体を用いた静電チャック(例えばバイポーラタイプ)は、例えば12インチの静電チャックに1000V程度の直流を印加しても、両電極間に流れる電流値は10μA以下であり、半導体ウェハの上に形成したデバイスに悪影響を及ぼすことはない。
【0020】
尚、この絶縁体の材料としては、アルミナを主成分とし、アルカリ成分が酸化物換算して0.5〜2重量%、チタン又はクロムが酸化物に換算して0.5〜6重量%含まれている材料を採用できる。
(6)請求項6の発明では、更に、ヒータを備えたことを特徴としている。
【0021】
本発明では、上述した構成に加えて、更に(例えば絶縁体内部に)ヒータを備えているので、静電チャックの加熱(従って半導体ウェハ等の加熱)を行うことができる。
(7)請求項7の発明では、更に、前記電極に電力を供給する電源を備えたことを特徴としている。
【0022】
本発明では、上述した構成に加えて、更に吸着用電極に電力を供給する電源を備えたものである。尚、更に、前記ヒータに電力を供給する電源を備えていてもよい。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の静電チャックの実施の形態の例(実施例)について説明する。
(実施例1)
ここでは、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。
【0024】
a)まず、本実施例の静電チャックの構造について説明する。尚、図1は静電チャックの一部を破断して示す斜視図である、図2は静電チャックの図1におけるA−A断面を示す説明図である。
図1に示す様に、本実施例の静電チャック1は、図1の上方の吸着面(チャック面)3側にて半導体ウェハ5を吸着するものであり、(例えば直径300mm×厚み3の)円盤状の絶縁体(誘電体)7と、(例えば直径340mm×厚み20mmの)円盤状の金属ベース9とを、例えばインジウムからなる接合層(図示せず)を介して接合したものである。
【0025】
前記絶縁体7は、その表面に前記チャック面3を有し、アルミナ質の焼結体からなるセラミック体である。また、前記金属ベース5は、例えばアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属製であり、絶縁体7の全体を載置するように、絶縁体7より大径とされている。
【0026】
特に本実施例では、絶縁体7は、その体積固有抵抗は、1.0×1012Ω・cmを上回り且つ1.0×1015Ω・cmを下回る範囲(例えば1.0×1013Ω・cm)である。
また、図2に示す様に、前記静電チャック1には、絶縁体7のチャック面3から金属ベース9の裏面(ベース面)11に到るトンネルである冷却用ガス穴13が複数(例えば6箇所)設けられている。この冷却用ガス穴13は、チャック面3にて保持された半導体ウェハ5を冷却するために、He等の冷却用ガスを、ベース面11側からチャック面3側に供給するためのものである。
【0027】
更に、前記絶縁体7の内部には、一対の内部電極15、17が配置されており、各内部電極15、17は電源19に接続されている。
そして、上述した構成の静電チャック1を使用する場合には、電源19を用いて、両内部電極15、17の間に、500×{LOG(体積固有抵抗)−11}V以上の電圧(例えば3kVの直流電圧)を印加し、これにより、半導体ウェハ5を吸着する静電引力(吸着力)を発生させ、この吸着力を用いて半導体ウェハ5を吸着して固定する。
【0028】
b)次に、本実施例の静電チャック1の製造方法について、図3に基づいて説明する。
本実施例では、アルミナ粒子間のマグネシウムアルミニウムチタニウムの生成のために添加する添加物は、マグネシアとチタニアである。マグネシアは、酸化物や炭酸塩から任意に選択でき、酸化物に換算して0.5〜2重量%の範囲で添加する。チタニアについても酸化物等任意に選択でき、0.5〜6重量%の範囲で添加する。
【0029】
また、焼成については、還元雰囲気で行うが、雰囲気中のN2ガスとH2ガスとの混合割合が、絶縁体7の体積固有抵抗を決定する重要な要素になる。
以下、具体的に説明する。
(1)原料としては、主成分であるアルミナ粉末:92重量%に、MgO:1重量%、SiO2:4重量%、TiO2:3重量%を混合して、ボールミルで、50〜80時間湿式粉砕した後、脱水乾燥する。
【0030】
(2)次に、この粉末に、メタクリル酸イソブチルエステル:3重量%、ブチルエステル:3重量%、ニトロセルロース:1重量%、ジオクチルフタレート:0.5重量%を加え、更に溶剤として、トリクロール−エチレン、n−ブタノールを加え、ボールミルで混合して、流動性のあるスラリーとする。
【0031】
(3)次に、このスラリーを、減圧脱泡後平板状に流し出して徐冷し、溶剤を発散させて、厚さ0.8mmの第1〜第6アルミナグリーンシート21〜31を形成する。この第1〜第6アルミナグリーンシート21〜31には、それぞれ貫通孔33〜43を6箇所に開ける。
【0032】
(4)また、前記アルミナグリーンシート用の原料粉末中にタングステン粉末を混ぜて、前記と同様な方法によりスラリー状にして、メタライズインクとする。
(5)そして、前記第2アルミナグリーンシート23上に、前記メタライズインクを用いて、通常のスクリーン印刷法により、両内部電極15、17の(図の斜線で示す)パターン45、47を印刷する。
【0033】
(6)次に、前記第1〜第6アルミナグリーンシート21〜31を、各貫通孔33〜43により冷却用ガス穴13が形成されるように位置合わせして、熱圧着し、全体の厚みを約5mmとした積層シートを形成する。
尚、内部電極15、17に関しては、図示しないが、スルーホールにより最下層の第6アルミナグリーンシート31の裏面に引き出して端子を設ける。
【0034】
(7)次に、熱圧着した積層シートを、所定の円板形状(例えば8インチサイズの円板形状)にカットする。
(8)次に、カットしたシートを、体積比がN2ガス:H2ガス=2:1の還元雰囲気にて、1400〜1600℃にて焼成する。この焼成より、寸法が約20%小さくなるため、焼成後のセラミック体の厚みは、約4mmとなる。
【0035】
(9)そして、焼成後に、研磨によって、セラミック体の全厚みを3mmとするとともに、チャック面3の平面度が30μm以下となる加工する。
(10)次に、端子部にニッケルメッキを施し、更にこのニッケル端子をロー付け又は半田付けして、絶縁体7を完成する。
【0036】
尚、この絶縁体7は、その後、金属ベース9上に例えばインジウムを用いて接合され、静電チャック1が完成する。
c)次に、本実施例の効果について説明する。
・本実施例では、絶縁体7の体積固有抵抗が、1.0×1012Ω・cmを上回り且つ1.0×1015Ω・cmを下回る適度な範囲であるので、静電チャック1に電圧を印加して半導体ウェハ5を吸着した場合でも、半導体ウェハ5に流れる漏れ電流を小さくすることができる。これにより、半導体ウェハ5内の集積回路の電気的ダメージを低減することができるので、素子の不良率が低下するという顕著な効果を奏する。
【0037】
また、本実施例では、内部電極15、17に印加する電圧が、500×{LOG(体積固有抵抗)−11}V以上であるので、半導体ウェハ5を十分な吸着力で吸着できる。そのため、半導体ウェハ5の固定や平面度矯正等の静電チャック1の機能を損なうことがないという利点がある。
【0038】
例えば、12インチサイズのモノポーラタイプの静電チャック1で、その絶縁層7の体積固有抵抗が、1.0×1012Ω・cmを上回るものの場合に、静電チャック1に印加電圧を500Vとして半導体ウェハ5を吸着すると、半導体ウェハ5を流れる漏れ電流の電流値は10μA以下となる。
【0039】
従って、漏れ電流が少ないので、半導体ウェハ5に形成したデバイスの破壊を少なくすることができる。また、吸着力(チャック力)に関しても、50×103N/m2以上と大きく、実用に十分に耐えられる。
また、半導体ウェハ5に流れる漏れ電流の電流値を下げて、半導体ウェハ5上のデバイスの破壊を一層効果的に防止するには、体積固有抵抗を1.0〜1014Ω・cmを下回る範囲で上げてもよい。この場合、電流値は0.1μAと大幅に小さくなるが、チャック力も小さくなるため、印加電圧を上げる必要がある。例えば印加電圧を3000Vにすれば、電流値を0.1μAで、チャック力は50×103N/m2と実用に耐えられるチャック力が得られる。
【0040】
・更に、絶縁体7の体積固有抵抗が、上述した範囲であれば、体積固有抵抗の変化にほぼリニアに適度な大きさでチャック力が変化するので、チャック力の調節が容易であるという効果がある。
d)次に、本実施例の効果を確認した実験例について説明する。
【0041】
前記実施例と同様な方法にて、静電チャック(但し12インチサイズ)を製造した。尚、ここでは、還元雰囲気を調整して異なる体積固有抵抗の絶縁体を有する静電チャックを製造した。
そして、この静電チャックに、電圧を印加し、その際に半導体ウェハに流れる漏れ電流及び半導体ウェハを吸着するチャック力について調べた。その結果を下記表1に示す。
【0042】
尚、体積固有抵抗の測定は、JIS k6911の方法により行った。漏れ電流の測定は、JIS k6911の方法による抵抗を算出する際の電流を測定する方法で行った。
また、チャック力の測定は、静電チャックに3kVの直流電圧を印加し、そのチャック面の中央に半導体ウェハ片(縦30mm×横30mm×厚み0.6mm)を吸着した状態で、静かにプッシュプルゲージを引き上げることにより行った。つまり、引き上げる際に、半導体ウェハが静電チャックから離れた時の数値を読み取った。尚、プッシュプルゲージの先端は、半導体ウェハの中心に接合されている。
【0043】
【表1】
【0044】
この表1から明らかな様に、本発明の範囲の体積固有抵抗のもの(試料No.1〜3)は、漏れ電流が少なく且つチャック力が十分であり、好適である。
それに対して、比較例のうち、体積固有抵抗が本発明の範囲より小さいもの(試料No.4)は、漏れ電流が大きく、一方、体積固有抵抗が本発明の範囲より大きなもの(試料No.5)は、チャック力が少なく、必ずしも好ましくない。
(実施例2)
次に、実施例2について説明するが、前記実施例1と同様な箇所の説明は省略する。
【0045】
本実施例の静電チャックは、前記実施例1とは、ヒータの有無が異なる。
図4に静電チャック51の断面を示す様に、本実施例の静電チャック51は、前記実施例1と同様に、絶縁体53と金属ベース55とを接合したものであり、その内部には冷却用ガス穴57と内部電極59、61とを備えている。
【0046】
特に本実施例では、絶縁体53の内部の金属ベース55側に、ヒータ63を備えている。
従って、このヒータ63によって絶縁体53を加熱することにより、静電チャック51に吸着された半導体ウェハを加熱することができる。
【0047】
これにより、本実施例の静電チャック51は、半導体ウェハの冷却だけでなくその加熱も可能であり、汎用性が高いという特長を有する。
尚、本発明は前記実施例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
【0048】
例えば本発明は、前記実施例1、2の様なバイポーラ型の静電チャックに限らず、モノポーラ型の静電チャックにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の静電チャックを一部破断して示す斜視図である。
【図2】実施例1の静電チャックのA−A断面を示す説明図である。
【図3】実施例1の静電チャックを分解して示す説明図である。
【図4】実施例2の静電チャックを示す断面図である。
【符号の説明】
1、51…静電チャック
3…チャック面
5…半導体ウェハ
7、53…絶縁体
9、55…金属ベース
15、17、59、61…内部電極
Claims (7)
- 絶縁体の内部に電極を備えた静電チャックにおいて、
前記絶縁体の体積固有抵抗が、1.0×1012Ω・cmを上回り且つ1.0×1015Ω・cmを下回る範囲であることを特徴とする静電チャック。 - 前記電極に印加する電圧が、500×{LOG(体積固有抵抗)−11}V以上であることを特徴とする前記請求項1に記載の静電チャック。
- 前記静電チャックは、前記絶縁体の内部に一方の電極を備えたモノポーラタイプ、又は、前記絶縁体の内部に一対の電極を備えたバイポーラタイプであることを特徴とする前記請求項1又は2に記載の静電チャック。
- 前記絶縁体は、セラミック材料からなることを特徴とする前記請求項1〜3のいずれかに記載の静電チャック。
- 前記絶縁体は、アルミナを主成分とする材料からなることを特徴とする前記請求項4に記載の静電チャック。
- 更に、ヒータを備えたことを特徴とする前記請求項1〜5のいずれかに記載の静電チャック。
- 更に、前記電極に電力を供給する電源を備えたことを特徴とする前記請求項1〜6のいずれかに記載の静電チャック。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009259891A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着機能を有する装置 |
US8231964B2 (en) | 2009-03-06 | 2012-07-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum oxide sintered body, method for producing the same and member for semiconductor producing apparatus |
US8236722B2 (en) | 2008-09-01 | 2012-08-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum oxide sintered product and method for producing the same |
JP2012235044A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-29 | Ulvac Japan Ltd | 基板事前検査方法 |
US11688590B2 (en) | 2018-03-26 | 2023-06-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic-chuck heater |
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009259891A (ja) * | 2008-04-14 | 2009-11-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 静電吸着機能を有する装置 |
US8236722B2 (en) | 2008-09-01 | 2012-08-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum oxide sintered product and method for producing the same |
US8231964B2 (en) | 2009-03-06 | 2012-07-31 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminum oxide sintered body, method for producing the same and member for semiconductor producing apparatus |
JP2012235044A (ja) * | 2011-05-09 | 2012-11-29 | Ulvac Japan Ltd | 基板事前検査方法 |
US11688590B2 (en) | 2018-03-26 | 2023-06-27 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrostatic-chuck heater |
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