JP2003283049A - 半導体レーザ素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ラマンアンプの順方向励起光源に適した半導
体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体レーザ素子１００は、多
重量子井戸構造の活性層４５と、その上下に設けられた
分離閉じ込めヘテロ構造（ＳＣＨ）層４２、４４、５
０、５２を備えている。最も上に位置するＳＣＨ層５２
の上面にはクラッド層１６が設けられている。ＳＣＨ層
５２とクラッド層１６との界面には、活性層の長さの一
部分のみに沿って、回折格子３６が設けられている。回
折格子３６は、レーザ素子１００の前端面の付近にのみ
設けられる。回折格子３６は、長手方向に沿って連続的
に変化する周期を有している。これによりマルチモード
発振が達成される。周期変化の範囲を適切に設定すれ
ば、十分に狭い発光スペクトラム幅が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザ素子
に関し、特に、ラマンアンプの励起光源に適した半導体
レーザ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】ラマンアンプの励起光源としては、外部
グレーティング共振器型の半導体レーザが知られてい
る。これは、ファブリペロー（ＦＰ）型レーザの一方の
ファセットを無反射コーティングし、他方のファセット
とＦＰ型レーザの外部に配置されたグレーティング（回
折格子）とで外部共振器を構成するレーザである。最近
では、外部グレーティングとして、ファイバブラッググ
レーティング（ＦＢＧ）がしばしば使用されている。こ
のような外部ＦＢＧ共振器型レーザには、波長選択性が
よいという利点がある。また、外部ＦＢＧ共振器型レー
ザには、ＦＰ型レーザに比べて発振波長の電流依存性・
温度依存性が小さいという利点もある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ラマンアンプの高性能
化のためには、信号光に対して順方向と逆方向の双方か
ら励起光を加える双方向励起方式が望ましい。順方向励
起では、励起光源の雑音特性が信号光に強く影響する。
したがって、相対雑音強度（ＲＩＮ）の極めて低い励起
光源が必要となる。外部ＦＢＧ共振器型レーザは、優れ
た波長安定性を有するが、ラマンアンプの順方向励起に
十分なほどＲＩＮを低くすることは難しい。実際、その
ような低ＲＩＮの外部ＦＢＧ共振器型レーザは、いまだ
実現されていない。

【０００４】そこで、本発明は、ラマンアンプの順方向
励起に適した半導体レーザ素子の提供を課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ素
子は、（ａ）第１の導電型の半導体からなる基板と、
（ｂ）基板の上面側に設けられ、第１導電型の半導体か
らなる下部クラッド層と、（ｃ）下部クラッド層の上に
設けられた下部分離閉じ込めヘテロ構造層と、（ｄ）下
部分離閉じ込めヘテロ構造層の上に設けられ、多重量子
井戸構造を有する活性層と、（ｅ）活性層の上に設けら
れた上部分離閉じ込めヘテロ構造層と、（ｆ）上部分離
閉じ込めヘテロ構造層の上面に被着され、第１導電型と
異なる第２の導電型の半導体からなる上部クラッド層
と、（ｇ）上部クラッド層の上に設けられた上部電極
と、（ｈ）基板の下面側に設けられた下部電極と、
（ｉ）無反射コートが施された前端面と、（ｊ）前端面
に対向し、高反射コートが施された後端面とを備えてい
る。上部分離閉じ込めヘテロ構造層と上部クラッド層と
の界面には、活性層の長さの一部分のみに沿って回折格
子が設けられている。この回折格子は、前端面の付近に
のみ設けられている。この回折格子は、その長手方向に
沿って連続的に変化する周期を有している。本発明の半
導体レーザ素子は、発振縦モードが２本以上の発光スペ
クトラムを有している。

【０００６】回折格子の周期の各値は、長手方向の少な
くとも二つの位置で現れてもよい。つまり、同じ周期が
繰り返し現れてもよい。回折格子は、発振縦モードの波
長の光に対して、前端面の反射率よりも高い反射率を有
していてもよい。基板、下部クラッド層および上部クラ
ッド層がＩｎＰから構成され、下部分離閉じ込めヘテロ
構造層、活性層、および上部分離閉じ込めヘテロ構造層
がＩｎＧａＡｓＰから構成されていてもよい。下部分離
閉じ込めヘテロ構造層、活性層、および上部分離閉じ込
めヘテロ構造層はメサ構造を有していてもよい。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態を説明する前
に、本発明の概要を説明する。

【０００８】分布帰還型（ＤＦＢ）半導体レーザは、波
長安定性が高く、ＲＩＮが低いという特性を有してい
る。この点は、ラマンアンプの順方向励起光源に適して
いる。しかし、既存のＤＦＢレーザをラマンアンプの励
起光源として実際に使用すると、十分な励起光パワーを
維持できない。これは、ＤＦＢレーザ光が光ファイバの
内部でブルリアン散乱を起こすからである。

【０００９】ＤＦＢレーザ光のブルリアン散乱が顕著な
のは、ＤＦＢレーザがシングルモード発振（縦単一モー
ド発振）するからである。そこで、本発明者は、ＤＦＢ
レーザと同じように回折格子を有し、それでいてマルチ
モード発振（縦多モード発振）をする半導体レーザ素子
を考案した。これが、本発明の半導体レーザ素子であ
る。

【００１０】本発明者は、既存のＤＦＢレーザと同様の
構造を有する半導体レーザ素子であっても、長手方向に
沿って周期が連続的に変化する回折格子を有するものは
マルチモード発振しうることを見出した。さらに、本発
明者は、その回折格子を無反射コートされた前端面の付
近にのみ設けると好適であることを見出した。回折格子
の周期変化の範囲を適切に設定すれば、マルチモードで
はあるがスペクトラム幅の十分に狭いレーザ光が生成さ
れる。また、ＤＦＢレーザと同様に、波長安定性が高
く、ＲＩＮが低い。マルチモード発振するから、光ファ
イバ内のブルリアン散乱も抑えられる。したがって、本
発明の半導体レーザ素子は、ラマンアンプの励起光源と
して好適である。

【００１１】以下、添付図面を参照しながら本発明の実
施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同
一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略す
る。また、図示の便宜上、図面の寸法比率は説明のもの
と必ずしも一致しない。

【００１２】図１は、本実施形態の半導体レーザ素子１
００の構造を示す斜視図である。半導体レーザ素子１０
０は、基板１０の上面に順次に被着された下部クラッド
層１２、多重量子井戸−分離閉じ込め構造（ＭＱＷ−Ｓ
ＣＨ）層１４、および第１上部クラッド層１６を備えて
いる。これらは、いずれもメサ型の半導体層である。基
板１０および下部クラッド層１２は、いずれもｎ−Ｉｎ
Ｐから構成されている。ＭＱＷ−ＳＣＨ層１４は、４元
化合物半導体のＩｎＧａＡｓＰから構成されている。第
１上部クラッド層１６は、ｐ−ＩｎＰから構成されてい
る。

【００１３】下部クラッド層１２、ＭＱＷ−ＳＣＨ層１
４、および第１上部クラッド層１６の両側面は、埋め込
み層１８によって覆われている。埋め込み層１８はｐ−
ＩｎＰから構成されている。埋め込み層１８の上には、
電流ブロック層２０が設けられている。電流ブロック層
２０は、ｎ−ＩｎＰから構成されている。第１上部クラ
ッド層１６、埋め込み層１８、および電流ブロック層２
０の上には、第２上部クラッド層２２が被着されてい
る。第２上部クラッド層２２は、ｐ−ＩｎＰから構成さ
れている。このように、ｎ型の電流ブロック層２０が、
ｐ型の第２上部クラッド層２２とｐ型の埋め込み層１８
との間に介在している。

【００１４】第２上部クラッド層２２の上面には、コン
タクト層２４が被着されている。コンタクト層２４は、
ｐ⁺−ＩｎＧａＡｓから構成されている。コンタクト層
２４の上面には、上部電極層２８が被着されている。基
板１０の下面には、下部電極層３０が被着されている。
コンタクト層２４に隣接する第２上部クラッド層２２
は、第１上部クラッド層１６よりも高いｐ型導電性を有
していてもよい。下部電極層３０に隣接する基板１０
は、下部クラッド層１２よりも高いｎ型導電性を有して
いてもよい。

【００１５】第１上部クラッド層１６、第２上部クラッ
ド層２２および下部クラッド層１２は、ＭＱＷ−ＳＣＨ
層１４で発生した光をＭＱＷ−ＳＣＨ層１４内に閉じ込
めるためのものである。したがって、これらのクラッド
層は、ＭＱＷ−ＳＣＨ層１４よりも低い屈折率を有して
いる。

【００１６】以下では、図２を参照しながら、ＭＱＷ−
ＳＣＨ層１４の構造を詳細に説明する。図２は、ＭＱＷ
−ＳＣＨ層１４のバンドギャップ波長の分布を示す図で
ある。図２において、縦軸（ｘ）は半導体レーザ素子１
００の垂直方向（厚さ方向）距離を示し、横軸（λ_g）
はバンドギャップ波長を示している。

【００１７】図２に示されるように、ＭＱＷ−ＳＣＨ層
１４は、下部クラッド層１２から第１上部クラッド層１
６へ向かって、第１ＳＣＨ層４２、第２ＳＣＨ層４４、
活性層４５、第３ＳＣＨ層５０および第４ＳＣＨ層５２
が順次に積層された多層半導体である。各層は、４元化
合物半導体のＩｎＧａＡｓＰで構成されている。

【００１８】第１ＳＣＨ層４２と第４ＳＣＨ層５２は、
対になって分離閉じ込めヘテロ構造を形成している。第
１ＳＣＨ層４２と第４ＳＣＨ層５２は、同じバンドギャ
ップを有する。具体的には、第１ＳＣＨ層４２と第４Ｓ
ＣＨ層５２は、ともに１．０５μｍのバンドギャップ波
長を有している。

【００１９】第２ＳＣＨ層４４と第３ＳＣＨ層５０も、
対になって分離閉じ込めヘテロ構造を形成している。第
２ＳＣＨ層４４と第３ＳＣＨ層５０は、同じバンドギャ
ップを有する。具体的には、第２ＳＣＨ層４４と第３Ｓ
ＣＨ層５０は、ともに１．１μｍのバンドギャップ波長
を有している。

【００２０】活性層４５は、複数のバリア層４６および
複数の井戸層４８が交互に積層された多重量子井戸（Ｍ
ＱＷ）構造を有している。各バリア層４６は、１．２μ
ｍのバンドギャップ波長を有し、各井戸層４８は、１．
４８μｍのバンドギャップ波長を有している。

【００２１】ＭＱＷ−ＳＣＨ層１４は、バンドギャップ
波長分布と同様の屈折率分布を有している。すなわち、
井戸層４８、バリア層４６、ＳＣＨ層４４および５０、
ＳＣＨ層４２および５２の順に高い屈折率を有してい
る。第２ＳＣＨ層４４と第３ＳＣＨ層５０は同じ屈折率
を有する。また、第１ＳＣＨ層４２と第４ＳＣＨ層５２
は同じ屈折率を有する。このような屈折率分布により、
活性層４５で生じた光は、ＭＱＷ−ＳＣＨ層１４内に良
好に閉じ込められる。

【００２２】具体的に述べると、各井戸層４８は、３．
５０６の屈折率を有している。各バリア層４６は、３．
３１２の屈折率を有している。第２ＳＣＨ層４４および
第３ＳＣＨ層５０は、それぞれ３．２４４の屈折率を有
している。第１ＳＣＨ層４２および第４ＳＣＨ層５２
は、それぞれ３．２０６の屈折率を有している。下部ク
ラッド層１２および第１上部クラッド層１６は、それぞ
れ３．１００の屈折率を有している。

【００２３】このようなバンドギャップ波長分布と屈折
率分布は、ＩｎＧａＡｓＰの組成を調整することにより
実現できる。

【００２４】以下では、図３および図４を参照しなが
ら、半導体レーザ素子１００の構造について更に説明す
る。図３は、図１の３−３線に沿った、半導体レーザ素
子１００の縦断面図である。図４は、図３の４−４線に
沿った、半導体レーザ素子１００の平面断面図である。

【００２５】半導体レーザ素子１００の前端面３２に
は、活性層４５で発生した光に対する反射率が結晶へき
開面より小さくなるように、ＡＲ（Anti-Reflection：
無反射）コートが施されている。本実施形態では、前端
面３２の反射率（ＡＲ反射率）は０．５％である。半導
体レーザ素子１００の後端面３４には、活性層で発生し
た光に対する反射率が結晶へき開面より大きくなるよう
に、ＨＲ（High Reflection：高反射）コートが施され
ている。本実施形態では、後端面３４の反射率（ＨＲ反
射率）は９０％である。半導体レーザ素子１００で生成
されたレーザ光は、矢印６０で示されるように、前端面
３２から出射する。

【００２６】ＭＱＷ−ＳＣＨ層１４と第１上部クラッド
層１６との界面（より具体的には、第４ＳＣＨ層５２と
第１上部クラッド層１６との界面）には、回折格子３６
が設けられている。回折格子３６は、第４ＳＣＨ層５２
の上面に設けられた正弦波形状の構造である。図４に示
されるように、回折格子３６の形状は、水平方向（図１
のｙ方向）に沿って一様である。

【００２７】回折格子３６は、活性層４５の長さの一部
分のみに沿って形成されている。回折格子３６は、前端
面３２の付近にのみ設けられている。したがって、回折
格子３６は、後端面３４から離間している。回折格子３
６は、前端面３２に隣接している。回折格子３６の長さ
は３００μｍであり、活性層４５の全長は９００μｍで
ある。つまり、回折格子３６は、活性層４５の長さの１
／３のみに沿って設けられている。

【００２８】また、回折格子３６は、均一の深さ（図３
の符号ａ）を有している。本実施形態では、回折格子３
６の深さａ（回折格子３６の最上部と最下部との距離）
は３００Åである。

【００２９】回折格子３６は、いわゆるチャープ回折格
子である。つまり、回折格子３６の周期（図３の符号
Λ）は、回折格子３６の長手方向、すなわち縦方向（図
１のｚ方向）に沿って連続的に変化する。したがって、
回折格子３６の回折波長（ブラッグ反射波長）も長手方
向に沿って連続的に変化する。なお、周期変化が連続的
であるという点で、回折格子３６は、位相シフト回折格
子とは異なる。

【００３０】半導体レーザ素子１００の動作時には、回
折格子３６の長手方向の各部位と後端面３４との間で帰
還が生じる。つまり、回折格子３６と後端面３４とによ
って共振器が形成される。回折格子３６のうち位相条件
を満たす部位だけが正帰還を生じさせる。この場合、レ
ーザ発振が起こる。回折格子３６の周期の変化範囲が広
ければ、複数の波長で正帰還が生じうる。周期の変化範
囲が十分に広ければ、複数の縦モードが発振しうる。し
たがって、マルチモード発振を達成できる。

【００３１】回折格子３６は、レーザ素子１００の発振
波長範囲において、前端面３２よりも高い反射率を有し
ている。発振波長範囲とは、レーザ素子１００の発光ス
ペクトラムに含まれる複数の縦モードの包絡線の波長範
囲である。したがって、回折格子３６は、発振する各縦
モードの波長に対して、前端面３２よりも高い反射率を
有している。これにより、キンクの発生が防止される。
この点については、後述する。

【００３２】再び図２を参照し、ＭＱＷ−ＳＣＨ層１４
を構成する各層の寸法について説明する。第１および第
２ＳＣＨ層４２、４４の厚さは、それぞれ１５０Åであ
る。各バリア層４６の厚さは１００Åであり、各井戸層
４８の厚さは５０Åである。第３ＳＣＨ層５０の厚さは
１５０Åであり、第４ＳＣＨ層５２の基本厚は１００Å
である。上述のように、第４ＳＣＨ層５２の上面には、
回折格子３６が設けられている。したがって、第４ＳＣ
Ｈ層５２の厚さは縦方向（ｚ方向）に沿って周期的に変
動する。本明細書において「基本厚」は、第４ＳＣＨ層
５２のうち回折格子３６を除いた部分の厚さをいう。こ
れは、第４ＳＣＨ層５２の下面から回折格子３６の最下
部（最深部）までの距離に当たる。基本厚は、縦方向の
位置によらず一定である。基本厚をｄ、回折格子３６の
深さをａとすると、第４ＳＣＨ層５２の厚さは、縦方向
に沿ってｄとｄ＋ａの間で周期的に変動する。

【００３３】活性層４５の幅を調整すると、横モードを
単一にできる。横方向のシングルモード化のためには、
活性層４５の幅は約１〜約５μｍであることが好まし
い。本実施形態では、活性層４５の幅は約４μｍであ
る。横モードが単一であると、ファーフィールドパター
ン（ＦＦＰ）が安定するので、半導体レーザ素子１００
と光ファイバと結合が容易になる。これは、半導体レー
ザ素子１００をラマンアンプの励起光源として使用する
うえで有益である。

【００３４】上部電極層２８および下部電極層３０を介
して半導体レーザ素子１００に順方向電圧を印加する
と、半導体レーザ素子１００はレーザ発振をする。レー
ザ発振の原理は、ＤＦＢレーザと同様である。すなわ
ち、回折格子３６がレーザ共振器として機能することに
より誘導放出が促され、レーザ発振が起こる。

【００３５】図５は、半導体レーザ素子１００の発光ス
ペクトラムを示している。図５に示されるように、半導
体レーザ素子１００はマルチモード発振（縦多モード発
振）する。これは、上述のように、回折格子３６の周期
が一定でないことに起因する。

【００３６】なお、本発明の半導体レーザ素子の発光ス
ペクトラムに含まれる縦モードの数は任意であり、特に
上限を定める必要はない。また、発光スペクトラム幅
は、約１０ｎｍ以下であることが好ましい。ここで、
「発光スペクトラム幅」は、発光スペクトラムに含まれ
る複数の縦モードの包絡線の幅を指す。

【００３７】半導体レーザ素子１００の発振波長は、回
折格子３６の周期変化の範囲に応じて、ほぼ決まる。し
たがって、周期変化の範囲を調整することにより、発光
スペクトラムの広がりを自由に制御できる。このため、
周期変化の範囲を適切に設定すれば、十分に狭い発光ス
ペクトラム幅が得られる。

【００３８】半導体レーザ素子１００は、ラマンアンプ
の順方向励起光源として好適に使用できる。これには、
四つの理由がある。第１に、半導体レーザ素子１００の
レーザ光は光ファイバ内で散乱しにくい。これは、半導
体レーザ素子１００がマルチモード発振するからであ
る。第２に、半導体レーザ素子１００は、外部ファイバ
ブラッググレーティング共振器型レーザに比べて、相対
雑音強度（ＲＩＮ）が小さい。これは、半導体レーザ素
子１００は内部共振器型であるため、共振器内に外乱が
入り込みにくいからである。第３に、半導体レーザ素子
１００は優れた波長安定性を有する。半導体レーザ素子
１００のレーザ発振波長は、回折格子３６の周期によっ
て実質的に定まる。したがって、既存のＤＦＢレーザと
同様に、波長の電流依存性・温度依存性が小さい。第４
に、半導体レーザ素子１００は、ラマンアンプの順方向
励起光源として十分に狭い発光スペクトラム幅を有する
ことができる。狭い発光スペクトラム幅は、回折格子３
６の周期変化の範囲を適切に設定することにより得られ
る。

【００３９】また、半導体レーザ素子１００は、キンク
を生じさせないという利点も有している。これは、発振
する縦モードの波長に対して、回折格子３６が前端面３
２よりも高い反射率を有しているからである。以下で
は、この点について説明する。

【００４０】回折格子３６および後端面３４間の共振に
より生じるモードを、ＤＦＢモードと呼ぶことにする。
このＤＦＢモードのほかに、前端面３２および後端面３
４間での共振により発生するモードもある。これがファ
ブリペローモード（ＦＰモード）である。ＤＦＢモード
とＦＰモードが同程度の強度を有していると、モード競
合によってキンクが発生する。

【００４１】回折格子３６は、発振する縦モードの波長
に対して、前端面３２よりも高い反射率を有している。
このため、ＦＰモードの強度はＤＦＢモードの強度より
も十分に低くなる。したがって、モード競合を防ぎ、そ
れによってキンクも防ぐことができる。

【００４２】レーザ素子１００には、次のような利点も
ある。レーザ素子１００では、回折格子を設ける位置が
活性層上の一部分に限定されているので、均質で歩留り
の良い回折格子を作りやすい。

【００４３】レーザ素子１００には、高い光出力を達成
しやすいという利点もある。これは、回折格子３６が後
端面３４に隣接せず、前端面３２に隣接しているからで
ある。回折格子をレーザ素子の後端面に隣接させて設け
ると、共振器長が短くなるので、十分な利得を得にく
い。共振器長は、後端面と回折格子の先端（後端面から
遠い方の端）との間の距離である。したがって、回折格
子の長さが一定であれば、回折格子が後端面に近いほ
ど、共振器長は短くなる。逆に、回折格子を前端面に近
づけるほど、共振器長が長くなるので、高い光出力を得
やすい。

【００４４】なお、回折格子３６と前端面３２は、離間
させる必要がない。前端面３２の反射率は低いので、回
折格子３６の前端面３２での位相は、ＤＦＢモード間の
しきい値利得差にあまり影響を与えないからである。

【００４５】以上、本発明をその実施形態に基づいて詳
細に説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定さ
れるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範
囲で様々な変形が可能である。

【００４６】

【発明の効果】本発明の半導体レーザ素子は、マルチモ
ード発振をするので、光ファイバ内で散乱しにくいレー
ザ光を発する。また、本発明の半導体レーザ素子は、そ
の内部に設けられた回折格子によってレーザ共振器が構
成されているので、ＲＩＮが低く、波長安定性に優れ
る。また、回折格子の周期変化の範囲を適切に設定すれ
ば、十分に狭い発光スペクトラム幅が得られる。したが
って、本発明の半導体レーザ素子は、ラマンアンプの順
方向励起光源として好適に使用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態の半導体レーザ素子１００の構造
を示す斜視図である。

【図２】ＭＱＷ−ＳＣＨ層１４のバンドギャップ波長の
分布を示す図である。

【図３】半導体レーザ素子１００の縦断面図である。

【図４】半導体レーザ素子１００の平面断面図である。

【図５】半導体レーザ素子１００の発光スペクトラムを
示す図である。

【符号の説明】 １０…基板、１２…下部クラッド層、１４…ＭＱＷ−Ｓ
ＣＨ層、１６…第１上部クラッド層、１８…埋め込み
層、２０…電流ブロック層、２２…第２上部クラッド
層、２４…コンタクト層、２８…上部電極層、３０…下
部電極層、３２…前端面、３４…後端面、３６…回折格
子、４２…第１ＳＣＨ層、４４…第２ＳＣＨ層、４５…
活性層、４６…バリア層、４８…井戸層、５０…第３Ｓ
ＣＨ層、５２…第４ＳＣＨ層、１００…半導体レーザ素
子。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の導電型の半導体からなる基板と、 前記基板の上面側に設けられ、第１導電型の半導体から
   なる下部クラッド層と、 前記下部クラッド層の上に設けられた下部分離閉じ込め
   ヘテロ構造層と、 前記下部分離閉じ込めヘテロ構造層の上に設けられ、多
   重量子井戸構造を有する活性層と、 前記活性層の上に設けられた上部分離閉じ込めヘテロ構
   造層と、 前記上部分離閉じ込めヘテロ構造層の上面に被着され、
   前記第１導電型と異なる第２の導電型の半導体からなる
   上部クラッド層と、 前記上部クラッド層の上に設けられた上部電極と、 前記基板の下面側に設けられた下部電極と、 無反射コートが施された前端面と、 前記前端面に対向し、高反射コートが施された後端面
   と、を備え、 前記上部分離閉じ込めヘテロ構造層と前記上部クラッド
   層との界面には、前記活性層の長さの一部分のみに沿っ
   て回折格子が設けられており、 前記回折格子は、前記前端面の付近にのみ設けられてお
   り、 前記回折格子は、その長手方向に沿って連続的に変化す
   る周期を有しており、 発振縦モードが２本以上の発光スペクトラムを有する半
   導体レーザ素子。
2. 【請求項２】 前記回折格子は、前記発振縦モードの波
   長の光に対して、前記前端面の反射率よりも高い反射率
   を有している請求項１記載の半導体レーザ素子。
3. 【請求項３】 前記基板、下部クラッド層および上部ク
   ラッド層はＩｎＰから構成され、 前記下部分離閉じ込めヘテロ構造層、活性層、および上
   部分離閉じ込めヘテロ構造層はＩｎＧａＡｓＰから構成
   されている請求項１記載の半導体レーザ素子。