JP2003258068A - 半導体／液晶製造装置 - Google Patents
半導体／液晶製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 筒状支持部材の気密封止が容易で、電極端子
の腐食並びに酸化を防止でき、且つ保持体の均熱性を高
めると共に熱効率を向上させることができ、また筒状支
持部材を短尺にして反応容器の小型化を図ることが可能
な半導体又は液晶の製造装置を提供する。 【解決手段】 反応容器９内に、内部に抵抗発熱体３が
埋設されたセラミックス保持体１と、セラミックス保持
体１を一端で支え且つ他端が反応容器９に固定された筒
状支持部材２とを備え、筒状支持部材２の一端はセラミ
ックス保持体１に気密接合されると共に、他端側は内部
で仕切板６と封止材料７で気密封止されている。この半
導体／液晶製造装置は、筒状支持部材２内のセラミック
ス保持体１と仕切板６で区画された空間を真空又は不活
性ガスの減圧雰囲気とする。
の腐食並びに酸化を防止でき、且つ保持体の均熱性を高
めると共に熱効率を向上させることができ、また筒状支
持部材を短尺にして反応容器の小型化を図ることが可能
な半導体又は液晶の製造装置を提供する。 【解決手段】 反応容器９内に、内部に抵抗発熱体３が
埋設されたセラミックス保持体１と、セラミックス保持
体１を一端で支え且つ他端が反応容器９に固定された筒
状支持部材２とを備え、筒状支持部材２の一端はセラミ
ックス保持体１に気密接合されると共に、他端側は内部
で仕切板６と封止材料７で気密封止されている。この半
導体／液晶製造装置は、筒状支持部材２内のセラミック
ス保持体１と仕切板６で区画された空間を真空又は不活
性ガスの減圧雰囲気とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反応容器内に被処
理物を保持して加熱する手段を備えた半導体や液晶の製
造装置に関し、特にＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、
エッチング装置、プラズマエッチング装置等の半導体又
は液晶製造装置に関する。
理物を保持して加熱する手段を備えた半導体や液晶の製
造装置に関し、特にＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置、
エッチング装置、プラズマエッチング装置等の半導体又
は液晶製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコンウエハ上でエッチングや成膜を
行う場合、反応制御性に優れた枚葉式の半導体製造装置
が一般に使用されている。半導体ウエハは反応容器内に
配置した保持体の表面上に載せて、そのまま静置した
り、機械的に固定したり、又は保持体に内蔵した電極に
電圧を付加して静電力によってチャックしたりして、保
持体上に固定される。
行う場合、反応制御性に優れた枚葉式の半導体製造装置
が一般に使用されている。半導体ウエハは反応容器内に
配置した保持体の表面上に載せて、そのまま静置した
り、機械的に固定したり、又は保持体に内蔵した電極に
電圧を付加して静電力によってチャックしたりして、保
持体上に固定される。
【０００３】保持された半導体ウエハは、ＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｓｉｔｉｏ
ｎ）、プラズマＣＶＤ等、あるいはエッチング、プラズ
マエッチング等における成膜速度やエッチング速度を均
一に維持するために、その温度が厳密に制御される。そ
の厳密な温度制御のために、保持体に内蔵した発熱体に
よって保持体を加熱し、その表面からの伝熱によって半
導体ウエハを加熱するようになっている。
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｓｉｔｉｏ
ｎ）、プラズマＣＶＤ等、あるいはエッチング、プラズ
マエッチング等における成膜速度やエッチング速度を均
一に維持するために、その温度が厳密に制御される。そ
の厳密な温度制御のために、保持体に内蔵した発熱体に
よって保持体を加熱し、その表面からの伝熱によって半
導体ウエハを加熱するようになっている。
【０００４】発熱体を内蔵した保持体は、例えばセラミ
ックス中にＭｏコイルを埋め込んで形成される。また、
Ｍｏコイルに接続されたＷやＭｏの電極を保持体の被処
理物保持表面の反対側（裏面）に設け、その電極端子に
Ｎｉ等の引出線を接合して系外の電源に接続し、セラミ
ックス保持体に埋め込んだＭｏコイルに電力を供給して
加熱させることが行われていた。
ックス中にＭｏコイルを埋め込んで形成される。また、
Ｍｏコイルに接続されたＷやＭｏの電極を保持体の被処
理物保持表面の反対側（裏面）に設け、その電極端子に
Ｎｉ等の引出線を接合して系外の電源に接続し、セラミ
ックス保持体に埋め込んだＭｏコイルに電力を供給して
加熱させることが行われていた。
【０００５】上記反応容器内においては、反応ガスとし
てハロゲン系等の腐食性ガスを用いることが多いため、
保持体の裏面に露出したＷやＭｏの電極が腐食されやす
い。そこで、耐食性の高いセラミックスや金属製の筒状
支持部材を保持体の裏面に気密接合すると共に、筒状支
持部材の他端を反応容器の一部にＯ−リング封止するこ
とにより、電極端子が反応ガスに暴露されないように保
護していた。
てハロゲン系等の腐食性ガスを用いることが多いため、
保持体の裏面に露出したＷやＭｏの電極が腐食されやす
い。そこで、耐食性の高いセラミックスや金属製の筒状
支持部材を保持体の裏面に気密接合すると共に、筒状支
持部材の他端を反応容器の一部にＯ−リング封止するこ
とにより、電極端子が反応ガスに暴露されないように保
護していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体や液晶の
製造装置では、保持体裏面の電極端子を腐食性ガスから
保護するため、電極端子を収納した筒状支持部材と反応
容器の間をＯ−リングで気密封止する方法が用いられて
いた。必要とされる気密性はＨｅリークで少なくとも１
０−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満とされている。しかし、Ｏ−
リング封止は簡便で安価な割に信頼性が高い反面、Ｏ−
リングがゴムで構成されるため比較的耐熱性の高い材料
を用いても耐熱温度は精々２００℃が上限であった。
製造装置では、保持体裏面の電極端子を腐食性ガスから
保護するため、電極端子を収納した筒状支持部材と反応
容器の間をＯ−リングで気密封止する方法が用いられて
いた。必要とされる気密性はＨｅリークで少なくとも１
０−８Ｐａ・ｍ３／ｓ未満とされている。しかし、Ｏ−
リング封止は簡便で安価な割に信頼性が高い反面、Ｏ−
リングがゴムで構成されるため比較的耐熱性の高い材料
を用いても耐熱温度は精々２００℃が上限であった。
【０００７】半導体や液晶の製造時における膜形成、エ
ッチング、熱処理等は２００℃以上の温度で反応を起こ
すことが多く、中でも膜形成に用いるＣＶＤやプラズマ
ＣＶＤでは５００〜８００℃という高温が用いられるこ
とが多い。そのため筒状支持部材を伝わってくる熱でＯ
−リングが劣化しないように、Ｏ−リング近傍を強制冷
却して２００℃未満に維持していた。その結果、供給し
た熱の５０％以上が本来のウエハ加熱に用いられず、無
駄に失われていた。
ッチング、熱処理等は２００℃以上の温度で反応を起こ
すことが多く、中でも膜形成に用いるＣＶＤやプラズマ
ＣＶＤでは５００〜８００℃という高温が用いられるこ
とが多い。そのため筒状支持部材を伝わってくる熱でＯ
−リングが劣化しないように、Ｏ−リング近傍を強制冷
却して２００℃未満に維持していた。その結果、供給し
た熱の５０％以上が本来のウエハ加熱に用いられず、無
駄に失われていた。
【０００８】また、筒状支持部材をセラミックスで構成
する場合、筒状支持部材に大きな熱勾配が掛かると、脆
性材料であるセラミックスが割れてしまうため、３００
ｍｍ程度の長い筒状支持部材にして温度勾配を緩やかに
せざるを得なかった。そのため、長い筒状支持部材を中
に収める反応容器も小型化できず、必要以上に大型な構
造にせざるを得なかった。
する場合、筒状支持部材に大きな熱勾配が掛かると、脆
性材料であるセラミックスが割れてしまうため、３００
ｍｍ程度の長い筒状支持部材にして温度勾配を緩やかに
せざるを得なかった。そのため、長い筒状支持部材を中
に収める反応容器も小型化できず、必要以上に大型な構
造にせざるを得なかった。
【０００９】更に、筒状支持部材は、反応容器内からの
ハロゲン等の腐食性ガスの侵入に対しては気密封止によ
り防止されているが、その内部は大気雰囲気で用いるこ
とが多かった。その場合、電極端子付近は５００〜８０
０℃の大気による酸化雰囲気に曝されるため、耐酸化性
の低いＷやＭｏの電極端子は耐酸化性シールを施して保
護する必要があった。しかし、長い筒状支持部材の奥で
シール処理を行うのは容易な作業ではなく、製造歩留ま
りも低かった。
ハロゲン等の腐食性ガスの侵入に対しては気密封止によ
り防止されているが、その内部は大気雰囲気で用いるこ
とが多かった。その場合、電極端子付近は５００〜８０
０℃の大気による酸化雰囲気に曝されるため、耐酸化性
の低いＷやＭｏの電極端子は耐酸化性シールを施して保
護する必要があった。しかし、長い筒状支持部材の奥で
シール処理を行うのは容易な作業ではなく、製造歩留ま
りも低かった。
【００１０】本発明は、このような従来の事情に鑑み、
筒状支持部材の気密封止作業が容易であって、電極端子
の腐食並びに酸化を防止でき、且つ保持体の均熱性を高
めると共に熱効率を向上させることができ、また筒状支
持部材を短尺にして反応容器の小型化を図ることが可能
な半導体又は液晶の製造装置を提供することを目的とす
る。
筒状支持部材の気密封止作業が容易であって、電極端子
の腐食並びに酸化を防止でき、且つ保持体の均熱性を高
めると共に熱効率を向上させることができ、また筒状支
持部材を短尺にして反応容器の小型化を図ることが可能
な半導体又は液晶の製造装置を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、反応ガスが供給される反応容器内に、被
処理物を表面上に保持すると共に内部に埋設された抵抗
発熱体で加熱するセラミックス保持体と、セラミックス
保持体の被処理物保持表面以外を一端で支え、他端が反
応容器の一部に固定された筒状支持部材とを備える半導
体又は液晶の製造装置であって、筒状支持部材の一端と
セラミックス保持体とが気密接合されると共に、筒状支
持部材の他端側は内部で気密封止され、筒状支持部材内
のセラミックス保持体と仕切板で区画された空間を真空
又は不活性ガスの減圧雰囲気とすることを特徴とする半
導体／液晶製造装置を提供するものである。
め、本発明は、反応ガスが供給される反応容器内に、被
処理物を表面上に保持すると共に内部に埋設された抵抗
発熱体で加熱するセラミックス保持体と、セラミックス
保持体の被処理物保持表面以外を一端で支え、他端が反
応容器の一部に固定された筒状支持部材とを備える半導
体又は液晶の製造装置であって、筒状支持部材の一端と
セラミックス保持体とが気密接合されると共に、筒状支
持部材の他端側は内部で気密封止され、筒状支持部材内
のセラミックス保持体と仕切板で区画された空間を真空
又は不活性ガスの減圧雰囲気とすることを特徴とする半
導体／液晶製造装置を提供するものである。
【００１２】上記本発明の半導体／液晶製造装置におい
ては、前記筒状支持部材の他端側は、封止材料のみで気
密封止されているか、又は筒状支持部材の内部に仕切板
を配置し、その隙間が封止材料で気密封止されているこ
とを特徴とする。また、前記筒状支持部材の他端側封止
部は、筒状支持部材の長さ方向の中央より更に他端側に
あること、好ましくは筒状支持部材の他端近傍にあるこ
とを特徴とする。
ては、前記筒状支持部材の他端側は、封止材料のみで気
密封止されているか、又は筒状支持部材の内部に仕切板
を配置し、その隙間が封止材料で気密封止されているこ
とを特徴とする。また、前記筒状支持部材の他端側封止
部は、筒状支持部材の長さ方向の中央より更に他端側に
あること、好ましくは筒状支持部材の他端近傍にあるこ
とを特徴とする。
【００１３】また、上記本発明の半導体／液晶製造装置
においては、前記筒状支持部材の他端側の気密封止に用
いる封止材料は、その耐熱性が２００℃以上であること
を特徴とする。前記封止材料がガラス又は結晶化ガラス
であること、若しくは前記封止材料が耐熱樹脂であるこ
とを特徴とする。
においては、前記筒状支持部材の他端側の気密封止に用
いる封止材料は、その耐熱性が２００℃以上であること
を特徴とする。前記封止材料がガラス又は結晶化ガラス
であること、若しくは前記封止材料が耐熱樹脂であるこ
とを特徴とする。
【００１４】更に、上記本発明の半導体／液晶製造装置
においては、前記セラミックス保持体及び筒状支持部材
は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化
アルミニウムから選ばれた少なくとも１種のセラミック
ス材料で構成されていることを特徴とする。また、前記
抵抗発熱体は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｃｒから選ばれた少なくとも１種の金属材料で構成
されていることを特徴とする。
においては、前記セラミックス保持体及び筒状支持部材
は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化
アルミニウムから選ばれた少なくとも１種のセラミック
ス材料で構成されていることを特徴とする。また、前記
抵抗発熱体は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｃｒから選ばれた少なくとも１種の金属材料で構成
されていることを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の半導体又は液晶の製造装
置では、抵抗発熱体が埋設された板状のセラミックス保
持体と、このセラミックス保持体の被処理物保持表面以
外を一端で支える筒状支持部材とを気密接合すると共
に、筒状支持部材の他端側は内部で気密封止する。筒状
支持部材の内部にはセラミックス保持体と他端側封止部
とで気密に区画された空間が形成され、この空間内を真
空又は不活性ガスの減圧雰囲気とすることによって、耐
腐食性や耐酸化性のシール処理を施さなくても電極端子
を腐食や酸化から保護することができる。
置では、抵抗発熱体が埋設された板状のセラミックス保
持体と、このセラミックス保持体の被処理物保持表面以
外を一端で支える筒状支持部材とを気密接合すると共
に、筒状支持部材の他端側は内部で気密封止する。筒状
支持部材の内部にはセラミックス保持体と他端側封止部
とで気密に区画された空間が形成され、この空間内を真
空又は不活性ガスの減圧雰囲気とすることによって、耐
腐食性や耐酸化性のシール処理を施さなくても電極端子
を腐食や酸化から保護することができる。
【００１６】また、上記のごとく筒状支持部材内の区画
された空間を真空又は不活性ガスの減圧雰囲気に維持す
ることによって、空気や不活性ガスの大気圧雰囲気に比
較して、セラミックス保持体の熱が筒状支持部材を経由
して内部雰囲気に逃げる割合を減らすことができる。し
かも、筒状支持部材の他端側の気密封止にＯ−リングを
使用しないため、その部分の冷却をなくすか又は少なく
することができる。これらにより、セラミックス保持体
における均熱性が向上し、且つ熱効率を大幅に高めるこ
とができる。
された空間を真空又は不活性ガスの減圧雰囲気に維持す
ることによって、空気や不活性ガスの大気圧雰囲気に比
較して、セラミックス保持体の熱が筒状支持部材を経由
して内部雰囲気に逃げる割合を減らすことができる。し
かも、筒状支持部材の他端側の気密封止にＯ−リングを
使用しないため、その部分の冷却をなくすか又は少なく
することができる。これらにより、セラミックス保持体
における均熱性が向上し、且つ熱効率を大幅に高めるこ
とができる。
【００１７】筒状支持部材の他端側の気密封止について
は、筒状支持部材の内部を封止材料のみで封止してもよ
いが、筒状支持部材の内部にセラミックスや金属の仕切
板を配置し、その隙間を封止材料で封止することが、信
頼性、作業性、コスト等を考えると好ましい。
は、筒状支持部材の内部を封止材料のみで封止してもよ
いが、筒状支持部材の内部にセラミックスや金属の仕切
板を配置し、その隙間を封止材料で封止することが、信
頼性、作業性、コスト等を考えると好ましい。
【００１８】また、筒状支持部材の他端側を封止する他
端側封止部の位置は、長さ方向における中央より更に他
端側（反応容器寄り）にあることが好ましい。他端側封
止部をできるだけセラミックス保持体から離し、低温と
なる位置で封止することによって、封止材料の自由度が
増加し、封止材料の劣化が抑えられると共に、封止作業
も容易になる。特に、他端側封止部を筒状支持部材の他
端近傍にすれば、封止材料の劣化防止効果、封止作業効
率が最大になり最も好ましい。
端側封止部の位置は、長さ方向における中央より更に他
端側（反応容器寄り）にあることが好ましい。他端側封
止部をできるだけセラミックス保持体から離し、低温と
なる位置で封止することによって、封止材料の自由度が
増加し、封止材料の劣化が抑えられると共に、封止作業
も容易になる。特に、他端側封止部を筒状支持部材の他
端近傍にすれば、封止材料の劣化防止効果、封止作業効
率が最大になり最も好ましい。
【００１９】筒状支持部材の他端側の気密封止に用いる
封止材料は、２００℃未満の耐熱性しかないＯ−リング
は使用せず、耐熱性が２００℃以上の封止材料を用い
る。耐熱性が２００℃以上の封止材料としては、ガラス
又は結晶化ガラス、若しくはイミド樹脂、エポキシ樹脂
等の耐熱性樹脂の使用が好ましい。
封止材料は、２００℃未満の耐熱性しかないＯ−リング
は使用せず、耐熱性が２００℃以上の封止材料を用い
る。耐熱性が２００℃以上の封止材料としては、ガラス
又は結晶化ガラス、若しくはイミド樹脂、エポキシ樹脂
等の耐熱性樹脂の使用が好ましい。
【００２０】封止用のガラスは耐熱性、耐酸化性に優
れ、筒状支持部材の他端近傍を水冷することなく用いる
ことが可能である。また、耐熱性樹脂を使用すれば、筒
状支持部材内部での封止作業が行いやすく、常温での封
止が可能となるため、封止コストが大幅に低減でき、歩
留まりが大幅に向上する。
れ、筒状支持部材の他端近傍を水冷することなく用いる
ことが可能である。また、耐熱性樹脂を使用すれば、筒
状支持部材内部での封止作業が行いやすく、常温での封
止が可能となるため、封止コストが大幅に低減でき、歩
留まりが大幅に向上する。
【００２１】セラミックス保持体は、ハロゲン等に対し
ても耐腐蝕性が高く、耐熱性、絶縁性の高いセラミック
スが好ましく、具体的には、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）がより好まし
い。
ても耐腐蝕性が高く、耐熱性、絶縁性の高いセラミック
スが好ましく、具体的には、窒化アルミニウム（Ａｌ
Ｎ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）がより好まし
い。
【００２２】セラミックス保持体に埋設される抵抗発熱
体としては、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｃｒから選ばれた金属からなることが好ましく、例
えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ−Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｃｒ
のメタライズのほか、これらの箔、メッシュ、コイル等
を埋め込んで構成することができる。
体としては、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎ
ｉ、Ｃｒから選ばれた金属からなることが好ましく、例
えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ−Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ−Ｃｒ
のメタライズのほか、これらの箔、メッシュ、コイル等
を埋め込んで構成することができる。
【００２３】また、筒状支持部材には耐腐蝕性の高いセ
ラミックスや金属が用いられるが、その一端でセラミッ
クス保持体と耐熱性の高い気密接合を行うことを考慮す
ると、熱膨張率の合ったセラミックス材料、特にセラミ
ックス保持体と同一材料であることが最も好ましい。
ラミックスや金属が用いられるが、その一端でセラミッ
クス保持体と耐熱性の高い気密接合を行うことを考慮す
ると、熱膨張率の合ったセラミックス材料、特にセラミ
ックス保持体と同一材料であることが最も好ましい。
【００２４】
【実施例】実施例１
窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粉末に、焼結助剤として
０.５重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）を添加し、更に
有機バインダを添加して分散混合した後に、スプレード
ライにより造粒した。得られた造粒粉末を、焼結後の寸
法が直径３５０ｍｍ×厚さ５ｍｍとなる形状Ａの成形体
を、一軸プレスにより２枚成形した。また、同じ造粒粉
末を用いて、焼結後の寸法が外径１００ｍｍ、内径９０
ｍｍ、長さ１００ｍｍの略円筒状となる形状Ｂの成形体
を、ＣＩＰ（冷間静水圧プレス）により１枚成形した。
０.５重量％のイットリア（Ｙ２Ｏ３）を添加し、更に
有機バインダを添加して分散混合した後に、スプレード
ライにより造粒した。得られた造粒粉末を、焼結後の寸
法が直径３５０ｍｍ×厚さ５ｍｍとなる形状Ａの成形体
を、一軸プレスにより２枚成形した。また、同じ造粒粉
末を用いて、焼結後の寸法が外径１００ｍｍ、内径９０
ｍｍ、長さ１００ｍｍの略円筒状となる形状Ｂの成形体
を、ＣＩＰ（冷間静水圧プレス）により１枚成形した。
【００２５】形状Ａの成形体は、表面に幅４.５ｍｍ、
深さ２.５ｍｍの溝を形成した後、８００℃の窒素気流
中で脱脂した。溝内にＭｏコイルを這わせて２枚の成形
体を重ね合わせ、窒素気流中にて１８５０℃で４時間、
１００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でホットプレス焼結した。
得られた焼結体の表面をダイヤモンド砥粒で研磨し、裏
面にＭｏコイルの端部を露出させてＷの電極端子を設
け、ＡｌＮ製のセラミックス保持体とした。一方、形状
Ｂの成形体は、８００℃の窒素気流中で脱脂し、窒素気
流中にて１８５０℃で４時間焼結し、得られた焼結体の
表面をダイヤモンド砥粒で研磨してＡｌＮ製の筒状支持
部材とした。
深さ２.５ｍｍの溝を形成した後、８００℃の窒素気流
中で脱脂した。溝内にＭｏコイルを這わせて２枚の成形
体を重ね合わせ、窒素気流中にて１８５０℃で４時間、
１００ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力でホットプレス焼結した。
得られた焼結体の表面をダイヤモンド砥粒で研磨し、裏
面にＭｏコイルの端部を露出させてＷの電極端子を設
け、ＡｌＮ製のセラミックス保持体とした。一方、形状
Ｂの成形体は、８００℃の窒素気流中で脱脂し、窒素気
流中にて１８５０℃で４時間焼結し、得られた焼結体の
表面をダイヤモンド砥粒で研磨してＡｌＮ製の筒状支持
部材とした。
【００２６】図１に示すように、上記セラミックス保持
体１の裏面に筒状支持部材２の一端を当接させ、その内
部にＭｏコイルからなる抵抗発熱体３の電極端子４が入
るようにセットして、１８００℃で１時間、圧力１００
ｋｇｆ／ｃｍ２でホットプレス接合した。その後、セラ
ミックス保持体１の裏面の電極端子４にＮｉの引出線５
を接続した。引出線５と排気管１０を通す穴を有するＡ
ｌＮ製の仕切板６を筒状支持部材２の内部の他端近くに
あてがい、引出線５と排気管１０を挿通させた後、仕切
板６の他端側全面にイミド樹脂の封止材料７を施して、
仕切板６と筒状支持部材２、引出線５、排気管１０との
隙間を気密封止した。
体１の裏面に筒状支持部材２の一端を当接させ、その内
部にＭｏコイルからなる抵抗発熱体３の電極端子４が入
るようにセットして、１８００℃で１時間、圧力１００
ｋｇｆ／ｃｍ２でホットプレス接合した。その後、セラ
ミックス保持体１の裏面の電極端子４にＮｉの引出線５
を接続した。引出線５と排気管１０を通す穴を有するＡ
ｌＮ製の仕切板６を筒状支持部材２の内部の他端近くに
あてがい、引出線５と排気管１０を挿通させた後、仕切
板６の他端側全面にイミド樹脂の封止材料７を施して、
仕切板６と筒状支持部材２、引出線５、排気管１０との
隙間を気密封止した。
【００２７】この筒状支持部材２（一端にセラミックス
保持体１が気密接合され且つ他端側は内部で仕切板６と
封止材料７により気密封止されている）を反応容器９に
入れ、筒状支持部材２の他端を反応容器９の底部にクラ
ンプで固定したが、Ｏ−リングによる気密シールは施さ
なかった。筒状支持部材２の内部を封止する封止材料７
の他端面（下側面）と反応容器９の底部の間にはほとん
ど隙間が存在しなかった。その後、仕切板６と封止材料
７を貫通した排気管１０を通して、筒状支持部材２の内
部を真空引きしながら窒素ガスを導入した。尚、図中の
８は温度測定用の熱電対、１１は反応容器の排気管であ
る。
保持体１が気密接合され且つ他端側は内部で仕切板６と
封止材料７により気密封止されている）を反応容器９に
入れ、筒状支持部材２の他端を反応容器９の底部にクラ
ンプで固定したが、Ｏ−リングによる気密シールは施さ
なかった。筒状支持部材２の内部を封止する封止材料７
の他端面（下側面）と反応容器９の底部の間にはほとん
ど隙間が存在しなかった。その後、仕切板６と封止材料
７を貫通した排気管１０を通して、筒状支持部材２の内
部を真空引きしながら窒素ガスを導入した。尚、図中の
８は温度測定用の熱電対、１１は反応容器の排気管であ
る。
【００２８】筒状支持部材２の内部の窒素ガス雰囲気を
圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミックス保持体１を５
００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均
熱性は±０.５％であり、熱効率は８０％であった。
圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミックス保持体１を５
００℃に加熱した。そのときのセラミックス保持体の均
熱性は±０.５％であり、熱効率は８０％であった。
【００２９】実施例２
窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）粉末に、焼結助剤として３重
量％のイットリア（Ｙ ２Ｏ３）と２重量％のアルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）を加え、更に有機バインダを添加して分
散混合したのち、スプレードライにより造粒した。得ら
れた造粒粉末を用い、上記実施例１と同じ方法でセラミ
ックス保持体及び筒状支持部材を作製したが、焼結条件
は１７５０℃で５時間、接合条件は１７３０℃で１時間
とした。
量％のイットリア（Ｙ ２Ｏ３）と２重量％のアルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）を加え、更に有機バインダを添加して分
散混合したのち、スプレードライにより造粒した。得ら
れた造粒粉末を用い、上記実施例１と同じ方法でセラミ
ックス保持体及び筒状支持部材を作製したが、焼結条件
は１７５０℃で５時間、接合条件は１７３０℃で１時間
とした。
【００３０】このＳｉ３Ｎ４製のセラミックス保持体と
筒状支持部材を用い、上記実施例１と同じ装置を作製
し、同じ方法で評価した。その結果、セラミックス保持
体の均熱性は±０.８％であり、熱効率は６５％であっ
た。
筒状支持部材を用い、上記実施例１と同じ装置を作製
し、同じ方法で評価した。その結果、セラミックス保持
体の均熱性は±０.８％であり、熱効率は６５％であっ
た。
【００３１】実施例３
炭化ケイ素（ＳｉＣ）粉末に、焼結助剤として２重量％
の炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）と１重量％のカーボン（Ｃ）を
加え、更に有機バインダを添加して分散混合した後、ス
プレードライにより造粒した。得られた造粒粉末を用
い、上記実施例１と同じ方法でセラミックス保持体及び
筒状支持部材を作製したが、焼結条件は１９５０℃で５
時間、接合条件は１９００℃で２時間とした。
の炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）と１重量％のカーボン（Ｃ）を
加え、更に有機バインダを添加して分散混合した後、ス
プレードライにより造粒した。得られた造粒粉末を用
い、上記実施例１と同じ方法でセラミックス保持体及び
筒状支持部材を作製したが、焼結条件は１９５０℃で５
時間、接合条件は１９００℃で２時間とした。
【００３２】このＳｉＣ製のセラミックス保持体と筒状
支持部材を用い、上記実施例１と同じ装置を作製し、同
じ方法で評価した。その結果、セラミックス保持体の均
熱性は±０.７％であり、熱効率は７０％であった。
支持部材を用い、上記実施例１と同じ装置を作製し、同
じ方法で評価した。その結果、セラミックス保持体の均
熱性は±０.７％であり、熱効率は７０％であった。
【００３３】実施例４
酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粉末に、焼結助剤とし
て２重量％のマグネシア（ＭｇＯ）を加え、更に有機バ
インダを添加して分散混合した後、スプレードライによ
り造粒した。得られた造粒粉末を用い、上記実施例１と
同じ方法でセラミックス保持体及び筒状支持部材を作製
したが、焼結条件は１６００℃で５時間、接合条件は１
５５０℃で１時間とした。
て２重量％のマグネシア（ＭｇＯ）を加え、更に有機バ
インダを添加して分散混合した後、スプレードライによ
り造粒した。得られた造粒粉末を用い、上記実施例１と
同じ方法でセラミックス保持体及び筒状支持部材を作製
したが、焼結条件は１６００℃で５時間、接合条件は１
５５０℃で１時間とした。
【００３４】このＡｌ２Ｏ３製のセラミックス保持体と
筒状支持部材を用い、上記実施例１と同じ装置を作製
し、同じ方法で評価した。その結果、セラミックス保持
体の均熱性は±０.９５％であり、熱効率は５５％であ
った。
筒状支持部材を用い、上記実施例１と同じ装置を作製
し、同じ方法で評価した。その結果、セラミックス保持
体の均熱性は±０.９５％であり、熱効率は５５％であ
った。
【００３５】実施例５
上記実施例１と同じ方法でＡｌＮからなる形状Ａ及び形
状Ｂの各成形体を作製した。いずれの成形体も窒素気流
中にて８００℃で脱脂し、窒素気流中にて１８５０℃で
４時間焼結した後、表面をダイヤモンド砥石で研磨し
た。
状Ｂの各成形体を作製した。いずれの成形体も窒素気流
中にて８００℃で脱脂し、窒素気流中にて１８５０℃で
４時間焼結した後、表面をダイヤモンド砥石で研磨し
た。
【００３６】形状Ａの成形体から得た１枚の板状焼結体
の表面に、Ｗ粉末に焼結助剤とエチルセルロース系のバ
インダーを添加したＷペーストで回路を印刷し、窒素気
流中にて９００℃で脱脂した後、窒素気流中にて１８３
０℃で焼き付けた。残り１枚の板状焼結体に接合材を塗
布し、窒素気流中にて９００℃で脱脂し、上記回路を形
成した板状焼結体と重ね合わせた。
の表面に、Ｗ粉末に焼結助剤とエチルセルロース系のバ
インダーを添加したＷペーストで回路を印刷し、窒素気
流中にて９００℃で脱脂した後、窒素気流中にて１８３
０℃で焼き付けた。残り１枚の板状焼結体に接合材を塗
布し、窒素気流中にて９００℃で脱脂し、上記回路を形
成した板状焼結体と重ね合わせた。
【００３７】更に、形状Ｂの成形体から得た筒状焼結体
の一端面にも接合材を塗布し、上記重ね合わせた板状焼
結体の裏面にあてがい、窒素気流中にて９００℃で脱脂
した後、１８００℃で２時間焼結して接合した。得られ
たセラミックス保持体の裏面に内部のＷ回路に接続した
Ｗの電極端子を接合し、Ｗ電極端子にＮｉの引出線を接
続した。
の一端面にも接合材を塗布し、上記重ね合わせた板状焼
結体の裏面にあてがい、窒素気流中にて９００℃で脱脂
した後、１８００℃で２時間焼結して接合した。得られ
たセラミックス保持体の裏面に内部のＷ回路に接続した
Ｗの電極端子を接合し、Ｗ電極端子にＮｉの引出線を接
続した。
【００３８】その後、引出線を挿通する穴の開いたＡｌ
Ｎ製の仕切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてが
い、仕切板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気
密封止した。この筒状支持部材を反応容器に入れ、上記
実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反応容器の底部
にクランプで固定した。
Ｎ製の仕切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてが
い、仕切板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気
密封止した。この筒状支持部材を反応容器に入れ、上記
実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反応容器の底部
にクランプで固定した。
【００３９】上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
【００４０】実施例６
回路用のペーストとしてＰｔ−Ａｕと焼結助剤とエチル
セルロース系のバインダの混練したペーストを用い、焼
成条件を９００℃で２時間としたこと、及びセラミック
ス支持体と筒状支持部材との接合材に接合用ガラスを用
い、８００℃にて１時間の条件で接合したこと以外は、
上記実施例５と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス支持
体及び筒状支持部材を作製した。
セルロース系のバインダの混練したペーストを用い、焼
成条件を９００℃で２時間としたこと、及びセラミック
ス支持体と筒状支持部材との接合材に接合用ガラスを用
い、８００℃にて１時間の条件で接合したこと以外は、
上記実施例５と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス支持
体及び筒状支持部材を作製した。
【００４１】引出線を挿通する穴の開いたＡｌＮ製の仕
切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切
板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止し
た。このセラミックス保持体と筒状支持部材を反応容器
に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反
応容器の底部にクランプで固定した。
切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切
板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止し
た。このセラミックス保持体と筒状支持部材を反応容器
に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反
応容器の底部にクランプで固定した。
【００４２】上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
【００４３】実施例７
回路用のペーストとしてＡｇ−Ｐｄと焼結助剤とエチル
セルロース系のバインダの混練したペーストを用い、焼
成条件を８５０℃で２時間としたこと以外は、上記実施
例６と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス支持体及び筒
状支持部材を作製した。
セルロース系のバインダの混練したペーストを用い、焼
成条件を８５０℃で２時間としたこと以外は、上記実施
例６と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス支持体及び筒
状支持部材を作製した。
【００４４】引出線を挿通する穴の開いたＡｌＮ製の仕
切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切
板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止し
た。このセラミックス保持体と筒状支持部材を反応容器
に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反
応容器の底部にクランプで固定した。
切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切
板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止し
た。このセラミックス保持体と筒状支持部材を反応容器
に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反
応容器の底部にクランプで固定した。
【００４５】上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
【００４６】実施例８
回路用のペーストとしてＮｉ−Ｃｒと焼結助剤とエチル
セルロース系のバインダの混練したペーストを用い、焼
成条件を７５０℃で２時間としたこと以外は、上記実施
例６と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス支持体及び筒
状支持部材を作製した。
セルロース系のバインダの混練したペーストを用い、焼
成条件を７５０℃で２時間としたこと以外は、上記実施
例６と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス支持体及び筒
状支持部材を作製した。
【００４７】引出線を挿通する穴の開いたＡｌＮ製の仕
切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切
板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止し
た。このセラミックス保持体と筒状支持部材を反応容器
に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反
応容器の底部にクランプで固定した。
切板を筒状支持部材の内部の他端近くにあてがい、仕切
板の他端側全面をエポキシ樹脂の封止材料で気密封止し
た。このセラミックス保持体と筒状支持部材を反応容器
に入れ、上記実施例１と同様に筒状支持部材の他端を反
応容器の底部にクランプで固定した。
【００４８】上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
【００４９】実施例９
筒状支持部材の他端側を気密封止する際に、仕切板を用
いず、封止用のガラスのみを用いて７５０℃で１時間封
止した以外は、上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセ
ラミックス保持体及び筒状支持部材を作製し、上記実施
例１と同様に反応容器内に設置した。
いず、封止用のガラスのみを用いて７５０℃で１時間封
止した以外は、上記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセ
ラミックス保持体及び筒状支持部材を作製し、上記実施
例１と同様に反応容器内に設置した。
【００５０】上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
【００５１】実施例１０
筒状支持部材の他端側を気密封止する際に、図２に示す
ように、筒状支持部材２の内部に他端から２５ｍｍの位
置にＡｌＮ製の仕切板６を配置し、イミド樹脂の封止材
料７で隙間を気密封止した以外は、上記実施例１と同じ
方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体１及び筒状支持部
材２を作製し、上記実施例１と同様に反応容器９内に設
置した。
ように、筒状支持部材２の内部に他端から２５ｍｍの位
置にＡｌＮ製の仕切板６を配置し、イミド樹脂の封止材
料７で隙間を気密封止した以外は、上記実施例１と同じ
方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体１及び筒状支持部
材２を作製し、上記実施例１と同様に反応容器９内に設
置した。
【００５２】上記実施例１と同様に、筒状支持部材内部
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
の窒素ガス雰囲気を圧力１００ｔｏｒｒに保ち、セラミ
ックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラミ
ックス保持体の均熱性は±０.４５％であり、熱効率は
８０％であった。
【００５３】比較例１
Ｗの電極端子をガラスでシールしたこと、及び筒状支持
部材の他端と反応容器の間をＯ−リングで気密封止し、
その近傍を２００℃未満に強制水冷したこと以外は、上
記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体
及び筒状支持部材を作製し、上記実施例１と同様に反応
容器内に設置した。
部材の他端と反応容器の間をＯ−リングで気密封止し、
その近傍を２００℃未満に強制水冷したこと以外は、上
記実施例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体
及び筒状支持部材を作製し、上記実施例１と同様に反応
容器内に設置した。
【００５４】筒状支持部材内部を大気雰囲気とし、セラ
ミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラ
ミックス保持体の均熱性は±１.８％であり、熱効率は
３０％であった。尚、この加熱測定中に、熱応力により
筒状支持部材にクラックが入ったため、途中で測定を中
止した。
ミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラ
ミックス保持体の均熱性は±１.８％であり、熱効率は
３０％であった。尚、この加熱測定中に、熱応力により
筒状支持部材にクラックが入ったため、途中で測定を中
止した。
【００５５】比較例２
筒状支持部材の長さを３００ｍｍにした以外は、上記比
較例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体及び
筒状支持部材を作製し、上記実施例１と同様に反応容器
内に設置した。
較例１と同じ方法でＡｌＮ製のセラミックス保持体及び
筒状支持部材を作製し、上記実施例１と同様に反応容器
内に設置した。
【００５６】筒状支持部材内部を大気雰囲気とし、セラ
ミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラ
ミックス保持体の均熱性は±１.５％であり、熱効率は
４０％であった。尚、この測定中には、筒状支持部材に
クラックは生じなかった。
ミックス保持体を５００℃に加熱した。そのときのセラ
ミックス保持体の均熱性は±１.５％であり、熱効率は
４０％であった。尚、この測定中には、筒状支持部材に
クラックは生じなかった。
【００５７】
【発明の効果】本発明によれば、筒状支持部材の気密封
止作業が容易であり、電極端子の腐食並びに酸化を防止
でき、且つ気密封止にＯ−リングを使用しないことで冷
却をなくし又は冷却を少なくして、セラミックス保持体
の均熱性を高めると共に熱効率を向上させることができ
る。しかも、筒状支持部材を短尺にできるため、反応容
器の小型化を図ることが可能である。
止作業が容易であり、電極端子の腐食並びに酸化を防止
でき、且つ気密封止にＯ−リングを使用しないことで冷
却をなくし又は冷却を少なくして、セラミックス保持体
の均熱性を高めると共に熱効率を向上させることができ
る。しかも、筒状支持部材を短尺にできるため、反応容
器の小型化を図ることが可能である。
【図１】本発明による半導体／液晶製造装置の一具体例
を示す概略の断面図である。
を示す概略の断面図である。
【図２】本発明による半導体／液晶製造装置の他の具体
例を示す概略の断面図である。
例を示す概略の断面図である。
１ セラミックス保持体
２ 筒状支持部材
３ 抵抗発熱体
４ 電極端子
６ 仕切板
７ 封止材料
９ 反応容器
１０、１１ 排気管
フロントページの続き
(72)発明者 仲田 博彦
兵庫県伊丹市昆陽北一丁目１番１号 住友
電気工業株式会社伊丹製作所内
Ｆターム(参考） 3K092 PP20 QA05 QB02 QB31 QB43
QB73 QB78 QC02 QC16 QC25
QC33 QC38 RF03 RF11 RF17
RF26 RF27 TT16 TT28 UB03
VV04 VV09
5F031 CA02 HA02 HA17 HA37 MA28
MA32 NA04 PA06
Claims (9)
- 【請求項１】 反応ガスが供給される反応容器内に、被
処理物を表面上に保持すると共に内部に埋設された抵抗
発熱体で加熱するセラミックス保持体と、セラミックス
保持体の被処理物保持表面以外を一端で支え、他端が反
応容器の一部に固定された筒状支持部材とを備える半導
体又は液晶の製造装置であって、筒状支持部材の一端と
セラミックス保持体とが気密接合されると共に、筒状支
持部材の他端側は内部で気密封止され、筒状支持部材内
のセラミックス保持体と他端側封止部とで区画された空
間を真空又は不活性ガスの減圧雰囲気とすることを特徴
とする半導体／液晶製造装置。 - 【請求項２】 前記筒状支持部材の他端側は、封止材料
のみで気密封止されているか、又は筒状支持部材の内部
に仕切板を配置し、その隙間が封止材料で気密封止され
ていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体／液
晶製造装置。 - 【請求項３】 前記筒状支持部材の他端側封止部が、筒
状支持部材の長さ方向の中央より更に他端側にあること
を特徴とする、請求項１又は２に記載の半導体／液晶製
造装置。 - 【請求項４】 前記筒状支持部材の他端側封止部が、筒
状支持部材の他端近傍にあることを特徴とする、請求項
３に記載の半導体／液晶製造装置。 - 【請求項５】 前記筒状支持部材の他端側の気密封止に
用いる封止材料は、その耐熱性が２００℃以上であるこ
とを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の半導
体／液晶製造装置。 - 【請求項６】 前記封止材料がガラス又は結晶化ガラス
であることを特徴とする、請求項５記載の半導体／液晶
製造装置。 - 【請求項７】 前記封止材料が耐熱樹脂であることを特
徴とする、請求項５に記載の半導体／液晶製造装置。 - 【請求項８】 前記セラミックス保持体及び筒状支持部
材は、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸
化アルミニウムから選ばれた少なくとも１種のセラミッ
クス材料で構成されていることを特徴とする、請求項１
〜７のいずれかに記載の半導体／液晶製造装置。 - 【請求項９】 前記抵抗発熱体は、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ａ
ｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒから選ばれた少なくとも１
種の金属材料で構成されていることを特徴とする、請求
項１〜８のいずれかに記載の半導体／液晶製造装置。
Priority Applications (7)
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