JP2003249471A - 半導体ウエハ加工用保護シート - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バックグラインドシート等の半導体ウエハ加
工用保護シートとしての基本性能を有し、しかも加熱工
程に耐えうる耐熱性を有し、加熱工程後の冷却時におけ
るウエハの反りも抑えられる半導体ウエハ加工用保護シ
ートを提供すること。 【解決手段】 基材シート上に粘着剤層が積層されてい
る半導体ウエハ加工用保護シートにおいて、基材シート
が少なくとも１層の多孔質基材シートを有することを特
徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ加工用
保護シートに関する。本発明の半導体ウエハ加工用保護
シートは、各種半導体の製造工程におけるウエハの研削
工程において、ウエハを保護するために用いる保護シー
トおよびウエハ、半導体パッケージ等の半導体部品等を
個々の大きさに切断（ダイシング）する際にこれらを固
定するために用いる保護シートとして有用である。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハの製造工程において、通
常、パターンを形成したウエハの裏面には、所定の厚さ
までウエハをバックグラインダー等の研削装置で研削す
るバックグラインド工程が一般的に施される。その際、
ウエハを保護する目的等でウエハ表面にはバックグライ
ンドシートを貼り合わせて、一般的に裏面研削が行われ
る。またウエハを分割したチップを基板または他のチッ
プ上にマウントする際には保護シートとしてダイアタッ
チフィルムが使用される。最近ではウエハ分割の前にウ
エハ裏面にダイアタッチフィルムを貼合せ、その後にダ
イシングしてチップに分割する手法が多く取られてい
る。かかる半導体ウエハの保護シートとしては、基材シ
ート上に粘着剤層が積層されている粘着シートが用いら
れる。

【０００３】また最近では８インチや１２インチといっ
たウエハの大型化、ＩＣカード用途などでのウエハの薄
型化が進んでいる。ウエハの薄型化が進む中で、ウエハ
の裏面研削後の加工工程のシステム自体も変化してい
る。たとえば、従来は、ウエハの裏面研削時にウエハ表
面を保護していたバックグラインドシートは、裏面研削
後にすぐに剥がし、その後にダイアタッチフィルムを貼
合わせるのが通常であった。しかし、ウエハの薄型化に
より、裏面研削したウエハのハンドリングが難しくなっ
た。そのため、ウエハ破損等を考慮したダイアタッチフ
ィルムを貼合わせる際にもウエハ表面をバックグライン
ドシートで保護したままダイアタッチフィルムを貼り合
せ、その後にバックグラインドシートを剥がす工法が広
がりつつある。

【０００４】前記工法においてダイアタッチフィルムを
貼合わせた後には、通常、１２０℃〜２００℃程度の高
温でダイアタッチフィルムをプレキュアする加熱工程が
施される。しかし、従来知られているバックグラインド
シートでは耐熱性が不十分である。また当該加熱工程後
に室温へ冷却した際には、ウエハとバックグラインドシ
ートの線膨張係数の違いからウエハが大きく反り返る問
題もある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、バックグラ
インドシート等の半導体ウエハ加工用保護シートとして
の基本性能を有し、しかも加熱工程に耐えうる耐熱性を
有し、加熱工程後の冷却時におけるウエハの反りも抑え
られる半導体ウエハ加工用保護シートを提供することを
目的とする。また本発明は当該半導体ウエハ加工用保護
シートを用いた半導体ウエハの製造方法、さらには当該
製造方法により得られた半導体素子を提供することを目
的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、以下に示す半導体
ウエハ加工用保護シートにより前記目的を達成できるこ
とを見出し、本発明を完成するに至った。

【０００７】すなわち本発明は、基材シート上に粘着剤
層が積層されている半導体ウエハ加工用保護シートにお
いて、基材シートが少なくとも１層の多孔質基材シート
を有することを特徴とする半導体ウエハ加工用保護シー
ト、に関する。

【０００８】上記本発明の半導体ウエハ加工用保護シー
トは、基材シートに多孔質基材シートを用いており、加
熱工程に耐えうる耐熱性を有する。また本発明の半導体
ウエハ加工用保護シートはバックグラインドシート等の
基本性能を有し、大型ウエハをバックグラインド工程に
より薄型化した際のウエハの反りを抑えることができ、
加熱工程後に室温へ冷却した際にもウエハの反りを抑え
ることができる。そのため、薄型化したウエハであって
も各工程における搬送を効率よく行うことができる。

【０００９】前記半導体ウエハ加工用保護シートにおい
て、基材シートと粘着剤層の間に、軟質樹脂層を有する
ことが好ましい。軟質樹脂層によりウエハの反りを、さ
らに抑えることができる。

【００１０】また本発明は、半導体ウエハを、前記半導
体ウエハ加工用保護シートを用いて保護し、加工する工
程を有することを特徴とする半導体ウエハの製造方法、
に関する。前記加工工程がバックグラインド工程の場合
に、本発明の半導体ウエハ加工用保護シートは好適に用
いられる。特に、加工工程中または加工工程後に、８０
℃以上の加熱工程を有する場合に好適に用いられる。

【００１１】さらには本発明は、前記製造方法で製造さ
れた半導体素子、に関する。本発明の製造方法によれば
ウエハの反りがないか、または小さく抑えた半導体素子
が得られる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体ウエハ加工
用保護シートを図１を参照しつつ詳細に説明する。図１
に示すように、本発明の半導体ウエハ加工用保護シート
は、多孔質基材シート１ａからなる基材シート１上に、
粘着剤層２が設けられている。また、必要に応じて、粘
着剤層２上にはセパレータ３を有する。図１では、基材
シート１の片面に粘着剤層２を有するが、基材シート１
の両面に粘着剤層２を形成することもできる。半導体ウ
エハ加工用保護シートはシートを巻いてテープ状とする
こともできる。

【００１３】図１では、基材シート１として１層の多孔
質基材シート１ａを有する場合を例示しているが、基材
シート１は多孔質基材シート１ａを少なくとも有してい
れば、多孔質基材シート１ａの単一層構造であってもよ
く、複数層構造であってもよい。また、基材シート１
は、図２、図３に示すように多孔質基材シート１ａと他
の基材シート１ｂとの複数層構造であってもよい。また
図４に示すように、基材シート１と粘着剤層２の間に
は、軟質樹脂層４を設けることができる。

【００１４】多孔質基材シートを形成する材料として
は、各種のポリマーを使用できる。たとえば、ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエ−テルイミ
ド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテ
ルケトンまたはこれらにスルホン酸基、カルボキシル
基、４級アミノ基などを導入した誘導体が好ましく用い
られる。これらポリマーは単独でまたは混合して用いら
れる。これらポリマーのなかでも高耐熱が必要とされる
場合にはポリイミド、ポリアミド等の耐熱性樹脂が好適
に用いられる。

【００１５】多孔質基材シートの製法は、特に制限され
ず、湿式凝固法、乾式凝固法、延伸法、超臨界抽出法、
相転換法、溶融法、焼結法等の各種の製膜法を採用でき
る。これらのなかでも、薄層の多孔質基材シートを得る
場合には湿式凝固法を採用するのが好ましい。湿式凝固
法では、一般的に、溶剤にポリマーと添加剤等を溶解し
た製膜原液（ドープ）を調製し、これをガラス板のよう
な支持基材上に一定の厚みに塗布（キャスト）し、水中
に浸漬して凝固させたり、水蒸気雰囲気下に放置して凝
固した後、水中に浸漬するなどしてポリマーを凝固（ゲ
ル化）させ、その後、凝固液等を乾燥除去するなどして
多孔質膜を得る。支持基材としてはガラス板の他に、ス
テンレス板などの無機物、ポリエチレンシートのような
高分子フィルムも使用できる。

【００１６】ポリマーを溶解する溶剤としては、ポリマ
ーを溶解し、凝固溶剤に溶解するものであれば特に制限
はない。たとえば、ポリマーの溶解性、凝固溶剤との溶
剤置換スピードの点から非プロトン性極性溶剤を好適に
使用できる。非プロトン性極性溶剤としてはＮ−メチル
−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等を例示することができる。非プロトン性極性溶剤とし
てはＮ−メチル−２−ピロリドンが好ましい。また非プ
ロトン性極性溶剤にはジエチレングリコールジメチルエ
ーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエ
チレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリ
コールジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、
１，2 −ジエトキシエタン、１，２−ジブトキシエタン
等の溶剤を混合して、溶剤置換の速度を調整してもよ
い。

【００１７】前記ドープは、好ましくは−２０〜８０℃
の温度範囲で塗布される。また、凝固溶剤としては用い
る樹脂を溶解せずに、上記溶剤と相溶性を有するもので
あれば限定されないが、たとえば水やメタノール、エタ
ノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類及び
これらの混合液が用いられ、特に水が好適に用いられ
る。浸漬時の凝固溶剤の温度は特に限定されないが、好
ましくは０〜８０℃の温度である。

【００１８】ドープのポリマー濃度は５〜２５重量％の
範囲が好ましく、７〜２０重量％がより好ましい。濃度
が高すぎると、粘度が高くなりすぎて取り扱いが困難に
なるし、濃度が低すぎると多孔質膜が形成できないから
である。ドープには、孔径形状や孔径コントロールのた
めに硝酸リチウムのような無機物やポリビニルピロリド
ンのような有機物を添加することもできる。添加物の濃
度は溶液中に１〜１０重量％まで添加するのが好まし
い。硝酸リチウムを添加すると溶剤と凝固溶剤との置換
速度が速く、スポンジ構造の中にフィンガーボイド構造
（指状にボイドを有する構造）を形成できる。ポリビニ
ルピロリドンのような凝固スピードを遅くする添加剤を
加えると、スポンジ構造が均一に広がった多孔質基材を
得ることができる。

【００１９】多孔質基材シートの孔径、気孔率は特に制
限されないが、応力緩和性と強度のバランスから平均孔
径０．０５μｍ以上が好ましい。より好ましくは０．１
〜１０μｍである。また気孔率については２０〜９５％
が好ましい。より好ましくは３０〜８０％である。

【００２０】多孔質基材シートの厚さは１〜２００μｍ
が好ましい。基材シートを多孔質基材シート単独で形成
する場合には、５０〜１５０μｍであるのがより好まし
い。他の基材シートとの複合層により形成する場合には
３０〜１５０μｍであるのがより好ましい。

【００２１】他の基材シートとしては、半導体ウエハ加
工用保護シートに使用される各種の材料を特に制限なく
使用することができる。その材料としては、低密度ポリ
エチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、
高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム
共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレ
ン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテ
ン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合
体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸
共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ラ
ンダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、
エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチ
レンテレフタレートなどのポリエステル、ポリイミド、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、フッ素樹脂、セルロース系樹脂、及びこ
れらの架橋体などのポリマーがあげられる。これら材料
は必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることが
できる。

【００２２】これら他の基材シートは、無延伸で用いて
もよく、必要に応じて一軸または二軸の延伸処理を施し
たものを用いてもよい。またその表面には、必要に応じ
てマット処理、コロナ放電処理、プライマー処理、架橋
処理（化学架橋（シラン））などの慣用の物理的または
化学的処理を施すことができる。これら他の基材シート
は、多孔質基材シートとの総厚みが、通常４００μｍ以
下、好ましくは２５０μｍ程度となるように用いられ
る。

【００２３】前記粘着剤層を構成する粘着剤としては、
たとえば、一般的に使用されている感圧性粘着剤を使用
でき、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の適宜な粘着
剤を用いることができる。なかでも、半導体ウエハヘの
接着性、剥離後の半導体ウエハの超純水やアルコール等
の有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系
ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好
ましい。

【００２４】前記アクリル系ポリマーとしては、例え
ば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メ
チルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イ
ソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエス
テル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペン
チルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステ
ル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチル
ヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエス
テル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシ
ルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、
テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタ
デシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基
の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分
岐鎖状のアルキルエステルなど）及び（メタ）アクリル
酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエ
ステル、シクロヘキシルエステルなど）の１種又は２種
以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなど
があげられる。なお、（メタ）アクリル酸エステルとは
アクリル酸エステルおよび／またはメタクリル酸エステ
ルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味であ
る。

【００２５】前記アクリル系ポリマーは凝集力、耐熱性
などの改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）ア
クリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステル
と共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含ん
でいてもよい。このようなモノマー成分として、例え
ば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メ
タ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリ
レート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン
酸などのカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン
酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー；（メタ）
アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸
２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒド
ロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキ
シル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、
（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）
アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキ
シメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート
などのヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン
酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−
２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミ
ドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリ
レート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホ
ン酸などのスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシ
エチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モ
ノマー；アクリルアミド、アクリロニトリルなどがあげ
られる。これら共重合可能なのモノマー成分は、１種又
は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの
使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好まし
い。

【００２６】さらに、前記アクリル系ポリマーは、架橋
させるため、多官能性モノマーなども、必要に応じて共
重合用モノマー成分として含むことができる。このよう
な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオール
ジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコール
ジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコー
ルジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ
（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メ
タ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メ
タ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）
アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）
アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエ
ステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリ
レートなどがあげられる。これらの多官能性モノマーも
１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマ
ーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の
３０重量％以下が好ましい。

【００２７】前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー
又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより
得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸
濁重合等の何れの方式で行うこともできる。粘着剤層は
半導体ウエハ等の汚染防止等の点から、低分子量物質の
含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系
ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、さ
らに好ましくは４０万〜３００万程度である。

【００２８】また、前記粘着剤には、ベースポリマーで
あるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高めるた
め、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架
橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合
物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架
橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法があ
げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、
架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、さらに
は、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。
一般的には、上記ベースポリマー１００重量部に対し
て、１〜５重量部程度配合するのが好ましい。さらに、
粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知
の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いて
もよい。

【００２９】また、粘着剤としては、放射線硬化型粘着
剤を使用できる。放射線硬化型粘着剤は炭素−炭素二重
結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示
すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬
化型粘着剤としては、放射線（特に紫外線）照射によっ
て粘着力が低下するものが望ましい。かかる粘着剤層に
よれば、バックグラインド工程後に紫外線照射によっ
て、保護シートの剥離を容易に行うことができる。

【００３０】放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、
一般的な粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリ
ゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化性粘着剤を例
示できる。一般的な粘着剤としては、前記アクリル系粘
着剤、ゴム系粘着剤等の感圧性粘着剤と同様のものがあ
げられる。

【００３１】配合する放射線硬化性のモノマー成分とし
ては、たとえば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メ
タ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メ
タ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メ
タ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）
アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アク
リレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ
（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メ
タ）アクリレートなどがあげられる。また放射線硬化性
のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリ
エステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系な
ど種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜
３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化
性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、粘着剤
を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１０
０重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましく
は４０〜１５０重量部程度である。

【００３２】また、放射線硬化性の粘着剤としては、上
記説明した添加型の放射線硬化性粘着剤のほかに、ベー
スポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖
または主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内
在型の放射線硬化性粘着剤があげられる。内在型の放射
線硬化性粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等
を含有する必要がなく、または多くは含まないため、経
時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することな
く、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる
ため好ましい。

【００３３】前記炭素−炭素二重結合を有するベースポ
リマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有
するものを特に制限なく使用できる。このようなベース
ポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とす
るものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格とし
ては、前記例示したアクリル系ポリマーがあげられる。

【００３４】前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二
重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用で
きるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入する
のが分子設計が容易である。たとえば、予め、アクリル
系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、
この官能基と反応しうる官能基および炭素−炭素二重結
合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化
性を維持したまま縮合または付加反応させる方法があげ
られる。

【００３５】これら官能基の組合せの例としては、カル
ボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、
ヒドロキシル基とイソシアネート基などがあげられる。
これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さか
ら、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好
適である。また、これら官能基の組み合わせにより、上
記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生
成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリ
マーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記
の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒド
ロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有
する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合
を有するイソシアネート化合物としては、たとえば、メ
タクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキ
シエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α
−ジメチルベンジルイソシアネートなどがあげられる。
また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロ
キシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエー
テル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレ
ングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物な
どを共重合したものが用いられる。

【００３６】前記内在型の放射線硬化性粘着剤は、前記
炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアク
リル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特
性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成
分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬
化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００
重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは
０〜１０重量部の範囲である。

【００３７】前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線線等
により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。
光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシ
エトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）
ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフ
ェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノ
ン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなど
のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、
２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、
２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−
［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプ
ロパン−１などのアセトフェノン系化合物；べンゾイン
エチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ア
ニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化
合物；ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合
物；２−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族ス
ルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プ
ロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシ
ムなどの光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベ
ンゾイル安息香酸、３，３′−ジメチル−４−メトキシ
ベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物；チオキ
サンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオ
キサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプ
ロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソ
ン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソ
プロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合
物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホス
フィノキシド；アシルホスフォナートなどがあげられ
る。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリ
ル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対し
て、例えば１〜１０重量部、好ましくは３〜５重量部程
度である。

【００３８】粘着剤層の厚みは特に制限されないが、通
常３〜１００μｍ、好ましくは１０〜３０μｍである。
粘着剤層は１層でもよく２層以上の複数層でもよい。

【００３９】粘着剤層の形成に用いる接着力は、ウエハ
を固定して保護するための密着維持性やウエハからの剥
離性から、使用目的に応じて適宜に決定される。たとえ
ば、粘着剤層は１８０°ピール粘着力が０. ０１Ｎ／２
０ｍｍ〜０．７Ｎ／２０ｍｍ、さらには０. ０１Ｎ／２
０ｍｍ〜０. ５Ｎ／２０ｍｍの範囲であることが望まし
い。

【００４０】また軟質樹脂層は、ウエハに接触しない層
として、上記例示の粘着剤層に加えて設けることができ
る。軟質樹脂層の形成材としては、たとえば、エチレン
−エチルアクリレート共重合体（ＥＥＡ）、エチレン−
アクリル酸共重合体（ＥＡＡ）、エチレン−メチルメタ
クリレート共重合体（ＥＭＭＡ）等のなどがあげられ
る。軟質樹脂層の厚さは特に制限されないが、３００μ
ｍ以下、好ましくは４０〜２００μｍである。

【００４１】本発明の半導体ウエハ加工用保護シートの
作製は、たとえば、基材フィルム１に、直接、粘着剤層
２を形成する方法、また、別途、セパレータ３に粘着剤
層２を形成した後、それらを基材フィルム１に貼り合せ
る方法等を採用することができる。軟質樹脂層４も設け
る場合には、基材フィルム１に、軟質樹脂層４を形成し
た後に、粘着剤層２を形成する。

【００４２】セパレータ３は、必要に応じて設けられ
る。セパレータ３の構成材料としては、紙、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の
合成樹脂フィルム等があげられる。セパレータ３の表面
には、粘着剤層２からの剥離性を高めるため、必要に応
じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等
の離型処理が施されていても良い。セパレータ３の厚み
は、通常１０〜２００μｍ、好ましくは２５〜１００μ
ｍ程度である。

【００４３】本発明の半導体ウエハ加工用保護シート
は、常法に従って用いられ、半導体ウエハを保護し、加
工する。加工工程としてはバックグラインド工程等の薄
型加工工程があげられる。

【００４４】半導体ウエハのパターン面への保護シート
の貼り付けは、テーブル上にパターン面が上になるよう
に半導体ウエハを載置し、その上に保護シートの粘着剤
層をパターン面に重ね、圧着ロールなどの押圧手段によ
り、押圧しながら貼り付ける。また、加圧可能な容器
（例えばオートクレーブなど）中で、半導体ウエハと保
護シートを上記のように重ね、容器内を加圧するにより
ウエハに貼り付けることも出きる。この際、押圧手段に
より押圧しながら貼り付けてもよい。また、真空チャン
バー内で、上記と同様に貼り付けることもできる。貼付
け方法はこれら限定されるものではなく、貼り付ける際
に、加熱をすることもできる。薄型加工は、常法を採用
できる。薄型加工機としては、研削機、ＣＭＰパッド等
があげられる。薄型加工は、半導体ウエハが所望の厚さ
になるまで行われる。

【００４５】薄型加工後には、保護シートを剥離する。
保護シートの粘着剤層として、放射線照射により粘着力
が低下する放射線硬化型粘着剤を用いている場合には、
保護シートに放射線を照射して、粘着力を低下させてか
ら剥離する。放射線照射の手段は特に制限されないが、
たとえば、紫外線照射等により行われる。

【００４６】保護シートの剥離をダイアタッチフィルム
を貼合わせた後に行う場合には、ダイアタッチフィルム
をプレキュアする加熱工程が施される。本発明の保護シ
ートは、高温度の加熱環境下においても耐熱性がよく、
１２０℃〜２００℃程度でプレキュアした場合にもウエ
ハに反りが生じ難い。

【００４７】

【実施例】以下、本発明の構成と効果を具体的に示す実
施例等について説明する。なお、多孔質基材シートの平
均孔径および空孔率は、次のようにして測定した。

【００４８】（１）多孔質基材シートの平均孔径 多孔質基材シートについて、走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）を用いて、写真撮影を行い、その写真のコンピュタ
ーによる画像解析から平均孔径を求めた。

【００４９】（２）多孔質基材シートの空孔率 空孔率（％）＝｛（重量／密度）／容積｝×１００ 多孔質基材シートの容積と重量を測定し、多孔質基材シ
ート素材の密度を用いて上式により、空孔率を求めた。

【００５０】実施例１ 芳香族ポリアミド（帝人（株）製，コーネックス）をＮ
−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）中に溶解し、さら
にポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水を加えて、芳香
族ポリアミド１００重量部、ＮＭＰ９００重量部、ＰＶ
Ｐ４０重量部および水４０重量部を含有するポリマー溶
液を得た。このポリマー溶液を厚さが３５０μｍになる
ようにガラス板の上に塗布した後、６０℃の水槽に浸漬
して多孔質基材シートを形成した。その後、一昼夜水中
保存して脱溶剤を行った。

【００５１】得られた多孔質基材シートは、厚さ７０μ
ｍの連続孔が形成されたスポンジ構造となっていた。平
均孔径は３μｍ、空孔率は４６％であった。このように
作成した７０μｍの多孔質基材シートに、アクリル系粘
着剤により形成した厚さ４０μｍの粘着剤層を貼合せ、
半導体ウエハ加工用保護シートを作製した。

【００５２】実施例２ 実施例１の芳香族ポリアミドを、ＮＭＰ中に溶解し、芳
香族ポリアミド１００重量部およびＮＭＰ９００重量部
のポリマー溶液を得た。このポリマー溶液を厚さが１９
０μｍになるようにポリプロピレンフィルム上に塗布し
た後、６０℃の水槽に浸漬して多孔質基材シートを形成
した。その後、一昼夜水中保存して脱溶剤を行った。

【００５３】得られた多孔質基材シートは、厚さ３５μ
ｍの連続孔が形成されたスポンジ構造となっていた。平
均孔径は２μｍ、空孔率は４５％であった。このように
作成した３５μｍの多孔質基材シートに、厚さ８０μｍ
のエチレン−エチルアクリレート共重合体（軟質樹脂
層）を貼合わせた後、実施例１と同様のアクリル系粘着
剤により形成した厚さ４０μｍの粘着剤層を貼合せ、半
導体ウエハ加工用保護シートを作製した。

【００５４】比較例１ 厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム
に、実施例１と同様のアクリル系粘着剤により形成した
厚さ４０μｍの粘着剤層を貼合せ、半導体ウエハ加工用
保護シートを作製した。

【００５５】上記実施例および比較例で得られた半導体
ウエハ加工用保護シートを８インチのシリコンミラーウ
エハ（厚さ７５０μｍ）に貼合わせた。次いで、ＤＩＳ
ＣＯ製バックグラインダーＤＦＧ−８４０にてウエハの
厚さが１００μｍになるまで研削した後、ウエハの反り
量（ｍｍ）の評価を行った。また、その後に１８０℃の
熱板上に２分間放置した後、室温下に２分間放置した時
の加熱後のウエハの反り量（ｍｍ）を測定した。結果を
表１に示す。

【００５６】（反り量）平板上に半導体ウエハ加工用保
護シートを貼り付けた状態のウエハを保護シートが上側
になるように置き、平板上から最も浮いているウエハ端
部の高さ（ｍｍ）を測定した。

【００５７】

【表１】

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体ウエハ加工用保護シートの断面図の一例
である。

【図２】半導体ウエハ加工用保護シートの断面図の一例
である。

【図３】半導体ウエハ加工用保護シートの断面図の一例
である。

【図４】半導体ウエハ加工用保護シートの断面図の一例
である。

【符号の説明】

１ 基材シート １ａ 多孔質基材シート ２ 粘着剤層 ３ セパレータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木内 一之 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 高橋 智一 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 川島 敏行 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 (72)発明者 田原 伸治 大阪府茨木市下穂積１丁目１番２号 日東 電工株式会社内 Ｆターム(参考） 4J004 AA01 AA05 AA10 AA17 AB06 AB07 CA03 CA04 CA05 CA06 CB04 CC03 CC07 CD02 CD08 FA04 FA05 4J040 CA001 DF001 DF041 DF051 EB132 EF282 FA141 HB14 JA09 JB07 JB08 KA13 LA06 NA20 PA23 PA42

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基材シート上に粘着剤層が積層されてい
   る半導体ウエハ加工用保護シートにおいて、基材シート
   が少なくとも１層の多孔質基材シートを有することを特
   徴とする半導体ウエハ加工用保護シート。
2. 【請求項２】 基材シートと粘着剤層の間に、軟質樹脂
   層を有することを特徴とする請求項１記載の半導体ウエ
   ハ加工用保護シート。
3. 【請求項３】 半導体ウエハを、請求項１または２記載
   の半導体ウエハ加工用保護シートを用いて保護し、加工
   する工程を有することを特徴とする半導体ウエハの製造
   方法。
4. 【請求項４】 加工工程がバックグラインド工程である
   ことを特徴とする請求項３記載の半導体ウエハの製造方
   法。
5. 【請求項５】 加工工程中または加工工程後に、８０℃
   以上の加熱工程を有することを特徴とする請求項３また
   は４記載の半導体ウエハの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項３〜５のいずれかに記載の製造方
   法で製造された半導体素子。