JP2003248232A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡易な製造工程により高歩留りを実現する液晶
表示装置及びその製造方法を提供すること 【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を
挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一
方の基板上に、外光を反射する反射電極１０、１１と背
面光源からの光を透過する透過電極９とを１画素内に構
成する画素電極を備えた、いわゆる半透過型液晶表示装
置に関する。特に、画素電極を構成する反射電極１０、
１１と透過電極９とが絶縁層を介さずに設けている。さ
らに、ハーフトーン露光を活用して、製造工程を簡易化
している。
表示装置及びその製造方法を提供すること 【解決手段】本発明にかかる液晶表示装置は、液晶層を
挟んで互いに対向して配置された１対の基板のうちの一
方の基板上に、外光を反射する反射電極１０、１１と背
面光源からの光を透過する透過電極９とを１画素内に構
成する画素電極を備えた、いわゆる半透過型液晶表示装
置に関する。特に、画素電極を構成する反射電極１０、
１１と透過電極９とが絶縁層を介さずに設けている。さ
らに、ハーフトーン露光を活用して、製造工程を簡易化
している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、外光を反射する反
射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画
素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置及びその
製造方法に関する。
射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画
素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置は、それぞれの上
面および下面に電極を備えた２枚の基板の間に液晶から
なる液晶層が挟持され、さらに２枚の基板の上下に偏光
板が設置され、透過型のものでは背面にバックライトが
設置された構造を有している。これらの基板の電極を有
する表面には、いわゆる配向処理がなされ、液晶分子の
向きを平均的に表わしたダイレクタが所望の液晶には複
屈折性があり、バックライトから偏光板を通して入射さ
れた光は複屈折により楕円偏光に変化し、反対側の偏光
板に入射される。この状態で、上下の電極間に電圧を印
加すると、ダイレクタの配列状態が変化して液晶層の複
屈折率が変化し、反対側の偏光板に入射される楕円偏光
状態が変化し、したがって、液晶表示装置を透過する光
強度およびスペクトルが変化する電気光学効果が得られ
る。
面および下面に電極を備えた２枚の基板の間に液晶から
なる液晶層が挟持され、さらに２枚の基板の上下に偏光
板が設置され、透過型のものでは背面にバックライトが
設置された構造を有している。これらの基板の電極を有
する表面には、いわゆる配向処理がなされ、液晶分子の
向きを平均的に表わしたダイレクタが所望の液晶には複
屈折性があり、バックライトから偏光板を通して入射さ
れた光は複屈折により楕円偏光に変化し、反対側の偏光
板に入射される。この状態で、上下の電極間に電圧を印
加すると、ダイレクタの配列状態が変化して液晶層の複
屈折率が変化し、反対側の偏光板に入射される楕円偏光
状態が変化し、したがって、液晶表示装置を透過する光
強度およびスペクトルが変化する電気光学効果が得られ
る。
【０００３】液晶表示装置には、バックライト（背面光
源）をその背面又は側方に設置して、画像表示を行う透
過型液晶表示装置と、基板に反射板を設置し、周囲光を
反射板表面で反射させることにより画像表示を行う反射
型液晶表示装置とがある。この透過型液晶表示装置は、
周囲光が非常に明るい場合には、周囲光に比べて表示光
が暗いため表示を観察できないという問題がある。他
方、反射型液晶表示装置は、周囲光が暗い場合には視認
性が極端に低下するという欠点を有する。
源）をその背面又は側方に設置して、画像表示を行う透
過型液晶表示装置と、基板に反射板を設置し、周囲光を
反射板表面で反射させることにより画像表示を行う反射
型液晶表示装置とがある。この透過型液晶表示装置は、
周囲光が非常に明るい場合には、周囲光に比べて表示光
が暗いため表示を観察できないという問題がある。他
方、反射型液晶表示装置は、周囲光が暗い場合には視認
性が極端に低下するという欠点を有する。
【０００４】これらの問題点を解決するために、光の一
部を透過し、また光の一部を反射する半透過型反射膜を
用いた液晶表示装置（以下、半透過型液晶表示装置）が
提案されている。例えば、半透過型液晶表示装置は、特
開平７−３３３５９８号公報、特開２０００−１９５６
３号公報や特開２０００−３０５１１０号公報に開示さ
れている。
部を透過し、また光の一部を反射する半透過型反射膜を
用いた液晶表示装置（以下、半透過型液晶表示装置）が
提案されている。例えば、半透過型液晶表示装置は、特
開平７−３３３５９８号公報、特開２０００−１９５６
３号公報や特開２０００−３０５１１０号公報に開示さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これらの文献に開示さ
れた従来の半透過型液晶表示装置は、製造工程が複雑で
あり、歩留りが低いものであった。
れた従来の半透過型液晶表示装置は、製造工程が複雑で
あり、歩留りが低いものであった。
【０００６】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたもので、簡易な製造工程により高歩留りを
実現する液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
めになされたもので、簡易な製造工程により高歩留りを
実現する液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる液晶表示
装置は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対
の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電
極（例えば、発明の実施の形態における第３の金属薄膜
１０、１１）と背面光源からの光を透過する透過電極
（例えば、発明の実施の形態における導電性薄膜９）と
を１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置で
あって、前記画素電極を構成する前記反射電極と前記透
過電極とが絶縁層を介さずに設けられたことを特徴とす
るものである。このような構成の液晶表示装置は、製造
が容易となり、高歩留りを実現できる。
装置は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対
の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電
極（例えば、発明の実施の形態における第３の金属薄膜
１０、１１）と背面光源からの光を透過する透過電極
（例えば、発明の実施の形態における導電性薄膜９）と
を１画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置で
あって、前記画素電極を構成する前記反射電極と前記透
過電極とが絶縁層を介さずに設けられたことを特徴とす
るものである。このような構成の液晶表示装置は、製造
が容易となり、高歩留りを実現できる。
【０００８】ここで、前記反射電極は、最上層に設けら
れていることが好ましい。また、前記反射電極は、パタ
ーン形成前に当該反射電極を覆う導電性材料を形成し、
パターン形成後に当該導電性材料を除去することにより
形成されているとよい。これにより透過電極が侵食され
ることを防止できる。
れていることが好ましい。また、前記反射電極は、パタ
ーン形成前に当該反射電極を覆う導電性材料を形成し、
パターン形成後に当該導電性材料を除去することにより
形成されているとよい。これにより透過電極が侵食され
ることを防止できる。
【０００９】好適な実施の形態では、前記反射電極は、
アルミニウムを含む材料により構成され、前記導電性材
料は、クロム、モリブデン、タンタル、タングステンの
いずれかを含む材料により構成される。また、前記透過
電極と第１の金属薄膜の間の接続部又は前記透過電極と
第２の金属薄膜の間の接続部において、当該透過電極は
一部において除去され、その部分が反射電極により覆わ
れ、当該反射電極が前記第１の金属薄膜又は第２の金属
薄膜に接続されるようにしてもよい。このような構成に
より、透過電極と第１あるいは第２の金属薄膜との接続
抵抗を低減できる。さらに、画素部において、透過電極
が反射電極により包含するとよい。このような構成によ
り、透過電極と反射電極との密着力を向上させることが
できる。また、画素部において、前記透過電極部に存在
する段差部が前記反射電極により覆われるようにすると
よい。画素部において、前記段差部が前記反射電極によ
り２から６μｍ覆われているとさらによい。そして、画
素部において、ＴＦＴ部の半導体膜がソース配線下部ま
で連続形状で残存させるとよい。
アルミニウムを含む材料により構成され、前記導電性材
料は、クロム、モリブデン、タンタル、タングステンの
いずれかを含む材料により構成される。また、前記透過
電極と第１の金属薄膜の間の接続部又は前記透過電極と
第２の金属薄膜の間の接続部において、当該透過電極は
一部において除去され、その部分が反射電極により覆わ
れ、当該反射電極が前記第１の金属薄膜又は第２の金属
薄膜に接続されるようにしてもよい。このような構成に
より、透過電極と第１あるいは第２の金属薄膜との接続
抵抗を低減できる。さらに、画素部において、透過電極
が反射電極により包含するとよい。このような構成によ
り、透過電極と反射電極との密着力を向上させることが
できる。また、画素部において、前記透過電極部に存在
する段差部が前記反射電極により覆われるようにすると
よい。画素部において、前記段差部が前記反射電極によ
り２から６μｍ覆われているとさらによい。そして、画
素部において、ＴＦＴ部の半導体膜がソース配線下部ま
で連続形状で残存させるとよい。
【００１０】他方、本発明にかかる液晶表示装置の製造
方法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対
の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電
極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内
に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法で
あって、透過電極を形成するステップと、形成された前
記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するス
テップを備えたものである。このような製造方法によれ
ば、製造が容易となり、高歩留りを実現できる。
方法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対
の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電
極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内
に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法で
あって、透過電極を形成するステップと、形成された前
記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さずに形成するス
テップを備えたものである。このような製造方法によれ
ば、製造が容易となり、高歩留りを実現できる。
【００１１】ここで、前記反射電極を形成するステップ
は、パターン形成前に当該反射電極を覆う導電性材料を
形成するステップと、パターン形成後に当該導電性材料
を除去するステップとを備えることが好ましい。
は、パターン形成前に当該反射電極を覆う導電性材料を
形成するステップと、パターン形成後に当該導電性材料
を除去するステップとを備えることが好ましい。
【００１２】好適な実施の形態では、前記反射電極は、
アルミニウムを含む材料により構成され、前記導電性材
料は、クロム、モリブデン、タンタル、タングステンの
いずれかを含む材料により構成される。
アルミニウムを含む材料により構成され、前記導電性材
料は、クロム、モリブデン、タンタル、タングステンの
いずれかを含む材料により構成される。
【００１３】本発明にかかる他の液晶表示装置の製造方
法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の
基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極
と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に
構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であ
って、絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニ
ングするステップと、第１の絶縁膜、半導体能動膜、オ
ーミックコンタクト膜、第２の金属薄膜を成膜するステ
ップと、ハーフトーン露光を用いてレジストパターンを
形成するステップと、前記半導体能動膜、オーミックコ
ンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパタ
ーニングするステップとを備えたものである。このよう
な製造方法によれば、写真工程を減らすことができ、製
造が容易となり、高歩留りを実現できる。
法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の
基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極
と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に
構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であ
って、絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニ
ングするステップと、第１の絶縁膜、半導体能動膜、オ
ーミックコンタクト膜、第２の金属薄膜を成膜するステ
ップと、ハーフトーン露光を用いてレジストパターンを
形成するステップと、前記半導体能動膜、オーミックコ
ンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパタ
ーニングするステップとを備えたものである。このよう
な製造方法によれば、写真工程を減らすことができ、製
造が容易となり、高歩留りを実現できる。
【００１４】ここで、前記半導体能動膜、オーミックコ
ンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパタ
ーニングするステップ後に、第２の絶縁膜を形成するス
テップと、ハーフトーン露光を用いて凹凸パターンを形
成するステップと、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜
をエッチングによりパターニングするステップとをさら
に備えるようにするとよい。このような製造方法によれ
ば、さらに、写真工程を減らすことができ、製造が容易
となり、高歩留りを実現できる。
ンタクト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパタ
ーニングするステップ後に、第２の絶縁膜を形成するス
テップと、ハーフトーン露光を用いて凹凸パターンを形
成するステップと、前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜
をエッチングによりパターニングするステップとをさら
に備えるようにするとよい。このような製造方法によれ
ば、さらに、写真工程を減らすことができ、製造が容易
となり、高歩留りを実現できる。
【００１５】本発明にかかる他の液晶表示装置の製造方
法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の
基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極
と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に
構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であ
って、絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニ
ングするステップと、第１の絶縁膜、半導体能動膜、オ
ーミックコンタクト膜、第２の金属薄膜を成膜するステ
ップと、前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及
び第２の金属薄膜を成膜するステップと、ハーフトーン
露光を用いてレジストパターンを形成するステップと、
前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の
金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ
後に、第２の絶縁膜を形成するステップと、ハーフトー
ン露光を用いて凹凸パターンを形成するステップと、前
記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングによりパ
ターニングするステップを備えたものである。このよう
な製造方法によれば、写真工程を減らすことができ、製
造が容易となり、高歩留りを実現できる。ここで、前記
透過電極および反射電極を形成するステップは、非晶質
ＩＴＯを形成するステップと、非晶質ＩＴＯをパターニ
ングするステップと、非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴＯにす
るステップと、反射電極を形成するステップとを備える
ようにしてもよい。この非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴＯに
するステップにおいては、２００℃以上に加熱すること
でＩＴＯの結晶化を行なうとよい。
法は、液晶層を挟んで互いに対向して配置された１対の
基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反射電極
と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画素内に
構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造方法であ
って、絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニ
ングするステップと、第１の絶縁膜、半導体能動膜、オ
ーミックコンタクト膜、第２の金属薄膜を成膜するステ
ップと、前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及
び第２の金属薄膜を成膜するステップと、ハーフトーン
露光を用いてレジストパターンを形成するステップと、
前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の
金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ
後に、第２の絶縁膜を形成するステップと、ハーフトー
ン露光を用いて凹凸パターンを形成するステップと、前
記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングによりパ
ターニングするステップを備えたものである。このよう
な製造方法によれば、写真工程を減らすことができ、製
造が容易となり、高歩留りを実現できる。ここで、前記
透過電極および反射電極を形成するステップは、非晶質
ＩＴＯを形成するステップと、非晶質ＩＴＯをパターニ
ングするステップと、非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴＯにす
るステップと、反射電極を形成するステップとを備える
ようにしてもよい。この非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴＯに
するステップにおいては、２００℃以上に加熱すること
でＩＴＯの結晶化を行なうとよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】発明の実施の形態１．図１に本発
明の実施の形態１にかかる半透過型液晶表示装置の製造
プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、７回の
写真工程により半透過型のＴＦＴアレイを製造してい
る。
明の実施の形態１にかかる半透過型液晶表示装置の製造
プロセスフローを示す。この製造プロセスでは、７回の
写真工程により半透過型のＴＦＴアレイを製造してい
る。
【００１７】まず、絶縁性基板としてガラス基板を洗浄
して表面を清浄化する。絶縁性基板には、ガラス基板等
の透明な絶縁性基板を用いる。また、絶縁性基板の厚さ
は任意でよいが、液晶表示装置の厚さを薄くするために
１．１ｍｍ厚以下のものが好ましい。絶縁性基板が薄す
ぎる場合には各種の成膜やプロセスの熱履歴によって基
板の歪みが生じるためにパターニング精度が低下するな
どの不具合を生じるので、絶縁性基板の厚さは使用する
プロセスを考慮して選択する必要がある。また、絶縁性
基板がガラスなどの脆性破壊材料からなる場合、基板の
端面は面取りを実施しておくことが、端面からのチッピ
ングによる異物の混入を防止する上で好ましい。また、
絶縁性基板の一部に切り欠きを設けて基板の向きが特定
できるようにすることが、各プロセスでの基板処理の方
向が特定できることでプロセス管理がしやすくなること
より好ましい。
して表面を清浄化する。絶縁性基板には、ガラス基板等
の透明な絶縁性基板を用いる。また、絶縁性基板の厚さ
は任意でよいが、液晶表示装置の厚さを薄くするために
１．１ｍｍ厚以下のものが好ましい。絶縁性基板が薄す
ぎる場合には各種の成膜やプロセスの熱履歴によって基
板の歪みが生じるためにパターニング精度が低下するな
どの不具合を生じるので、絶縁性基板の厚さは使用する
プロセスを考慮して選択する必要がある。また、絶縁性
基板がガラスなどの脆性破壊材料からなる場合、基板の
端面は面取りを実施しておくことが、端面からのチッピ
ングによる異物の混入を防止する上で好ましい。また、
絶縁性基板の一部に切り欠きを設けて基板の向きが特定
できるようにすることが、各プロセスでの基板処理の方
向が特定できることでプロセス管理がしやすくなること
より好ましい。
【００１８】つぎに、スパッタリングなどの方法で第１
の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのいずれかからなる１００ｎｍ から５００ｎｍ程
度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金
属薄膜１上には、後述の工程でドライエッチングにより
コンタクトホールが形成され、導電性薄膜が形成される
ので、表面酸化が生じにくい金属薄膜や酸化されても導
電性を有する金属薄膜を第１の金属薄膜１に用いること
が好ましく、少なくとも表面がクロム、チタン、タンタ
ル、モリブデンなどのうちのいずれかであることが好ま
しい。また、第１の金属薄膜１として、異種の金属薄膜
を積層した金属薄膜や膜厚方向に組成の異なる金属薄膜
を用いることもできる。また、第１の金属薄膜１として
アルミニウムを含む材料を用いた場合は、少なくとも表
面が１０〜１０００μΩ程度の比抵抗を有する窒化アル
ミニウムであることが好ましい。
の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのいずれかからなる１００ｎｍ から５００ｎｍ程
度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金
属薄膜１上には、後述の工程でドライエッチングにより
コンタクトホールが形成され、導電性薄膜が形成される
ので、表面酸化が生じにくい金属薄膜や酸化されても導
電性を有する金属薄膜を第１の金属薄膜１に用いること
が好ましく、少なくとも表面がクロム、チタン、タンタ
ル、モリブデンなどのうちのいずれかであることが好ま
しい。また、第１の金属薄膜１として、異種の金属薄膜
を積層した金属薄膜や膜厚方向に組成の異なる金属薄膜
を用いることもできる。また、第１の金属薄膜１として
アルミニウムを含む材料を用いた場合は、少なくとも表
面が１０〜１０００μΩ程度の比抵抗を有する窒化アル
ミニウムであることが好ましい。
【００１９】つぎに、第１のフォトリソグラフィープロ
セス（写真工程）で第１の金属薄膜１をゲート電極およ
びゲート配線、補助容量電極および補助容量配線をパタ
ーニングする。これにより、図１（ａ）で示される構造
が形成される。フォトリソグラフィープロセスはＴＦＴ
アレイ基板を洗浄後、感光性レジストを塗布・乾燥した
のちに、所定のパターンが形成されたマスクパターンを
通して露光し、現像することで写真製版的にＴＦＴアレ
イ基板上にマスクパターンを転写したレジストを形成
し、感光性レジストを加熱硬化させたのちにエッチング
を行い、感光性レジストを剥離することで行われる。感
光性レジストとＴＦＴアレイ基板との濡れ性が不良で、
感光性レジストのはじきが生じる場合には、塗布前にＵ
Ｖ洗浄を実施したり、濡れ性改善のためにＨＭＤＳ（ヘ
キサメチルジシラザン）を蒸気塗布するなどの処理を行
う。また、感光性レジストとＴＦＴアレイ基板との密着
性が不良で、剥がれが生じる場合には加熱硬化温度を高
くしたり、時間を長くしたりするなどを行う。第１の金
属薄膜１のエッチングは、公知のエッチャント（たとえ
ば、第１の金属薄膜１がクロムからなる場合には、第二
硝酸セリウムアンモンおよび硝酸が混合されてなる水溶
液）を用いてウェットエッチングでエッチング可能であ
る。また、第１の金属薄膜１のエッチングはパターンエ
ッジがテーパ形状となるようにエッチングすることが、
他の配線との段差での短絡を防止する上で好ましい。こ
こで、テーパ形状とは断面が台形状になるようにパター
ンエッジがエッチングされることをいう。また、この工
程でゲート電極およびゲート配線、補助容量電極および
補助容量配線を形成することを示したが、その他にＴＦ
Ｔアレイ基板を製造する上で必要な各種のマーク類や配
線が形成される。
セス（写真工程）で第１の金属薄膜１をゲート電極およ
びゲート配線、補助容量電極および補助容量配線をパタ
ーニングする。これにより、図１（ａ）で示される構造
が形成される。フォトリソグラフィープロセスはＴＦＴ
アレイ基板を洗浄後、感光性レジストを塗布・乾燥した
のちに、所定のパターンが形成されたマスクパターンを
通して露光し、現像することで写真製版的にＴＦＴアレ
イ基板上にマスクパターンを転写したレジストを形成
し、感光性レジストを加熱硬化させたのちにエッチング
を行い、感光性レジストを剥離することで行われる。感
光性レジストとＴＦＴアレイ基板との濡れ性が不良で、
感光性レジストのはじきが生じる場合には、塗布前にＵ
Ｖ洗浄を実施したり、濡れ性改善のためにＨＭＤＳ（ヘ
キサメチルジシラザン）を蒸気塗布するなどの処理を行
う。また、感光性レジストとＴＦＴアレイ基板との密着
性が不良で、剥がれが生じる場合には加熱硬化温度を高
くしたり、時間を長くしたりするなどを行う。第１の金
属薄膜１のエッチングは、公知のエッチャント（たとえ
ば、第１の金属薄膜１がクロムからなる場合には、第二
硝酸セリウムアンモンおよび硝酸が混合されてなる水溶
液）を用いてウェットエッチングでエッチング可能であ
る。また、第１の金属薄膜１のエッチングはパターンエ
ッジがテーパ形状となるようにエッチングすることが、
他の配線との段差での短絡を防止する上で好ましい。こ
こで、テーパ形状とは断面が台形状になるようにパター
ンエッジがエッチングされることをいう。また、この工
程でゲート電極およびゲート配線、補助容量電極および
補助容量配線を形成することを示したが、その他にＴＦ
Ｔアレイ基板を製造する上で必要な各種のマーク類や配
線が形成される。
【００２０】つぎに、プラズマＣＶＤにより第１の絶縁
膜２、半導体能動膜３、オーミックコンタクト膜４を連
続で成膜する。ゲート絶縁膜となる第１の絶縁膜２とし
てはＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚＮｗ膜やこれら
の積層膜が用いられる（なお、ｘ、ｙ、ｚ、ｗはそれぞ
れ正数である）。第１の絶縁膜２の膜厚は３００ｎｍか
ら６００ｎｍ程度とする。膜厚が薄い場合にはゲート配
線とソース配線の交差部で短絡を生じやすく、第１の金
属薄膜１の厚さ程度以上とすることが好ましい。膜厚が
厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなり、表示特性
が低下することからなるべく薄くすることが好ましい。
好ましい実施例では、３００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜した
後、１００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜することにより、第１
の絶縁膜２を形成する。
膜２、半導体能動膜３、オーミックコンタクト膜４を連
続で成膜する。ゲート絶縁膜となる第１の絶縁膜２とし
てはＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚＮｗ膜やこれら
の積層膜が用いられる（なお、ｘ、ｙ、ｚ、ｗはそれぞ
れ正数である）。第１の絶縁膜２の膜厚は３００ｎｍか
ら６００ｎｍ程度とする。膜厚が薄い場合にはゲート配
線とソース配線の交差部で短絡を生じやすく、第１の金
属薄膜１の厚さ程度以上とすることが好ましい。膜厚が
厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなり、表示特性
が低下することからなるべく薄くすることが好ましい。
好ましい実施例では、３００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜した
後、１００ｎｍのＳｉＮ膜を成膜することにより、第１
の絶縁膜２を形成する。
【００２１】半導体能動膜３としてはアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）膜、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜が用
いられる。半導体能動膜３の膜厚は１００ｎｍから３０
０ｎｍ程度とする。膜厚が薄い場合には後述するオーミ
ックコンタクト膜４のドライエッチ時の消失が発生し、
厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなることより、
オーミックコンタクト膜４のドライエッチ時のエッチン
グ深さの制御性と必要とするＴＦＴのＯＮ電流より膜厚
を選択する。半導体能動膜３としてａ−Ｓｉ膜を用いる
場合には第１の絶縁膜２のａ−Ｓｉ膜との界面はＳｉＮ
ｘ膜またはＳｉＯｚＮｗ膜とすることが、ＴＦＴが導通
状態となるゲート電圧であるＴＦＴのＶｔｈの制御性お
よび信頼性上好ましい。半導体能動膜３としてｐ−Ｓｉ
膜を用いる場合には第１の絶縁膜２のｐ−Ｓｉ膜との界
面はＳｉＯｙ膜またはＳｉＯｚＮｗ膜とすることがＴＦ
ＴのＶｔｈの制御性および信頼性上好ましい。また、半
導体能動膜３としてａ−Ｓｉ膜を用いる場合には第１の
絶縁膜２との界面付近を成膜レートの小さい条件で成膜
し、上層部を成膜レートの大きい条件で成膜することが
短い成膜時間で移動度の大きいＴＦＴ特性がえられるこ
とと、ＴＦＴのオフ時のリーク電流を小さくできること
より好ましい。好適な実施例では、半導体能動膜３とし
て１５０ｎｍのｉ−ａ−Ｓｉ膜を成膜する。
コン（ａ−Ｓｉ）膜、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）膜が用
いられる。半導体能動膜３の膜厚は１００ｎｍから３０
０ｎｍ程度とする。膜厚が薄い場合には後述するオーミ
ックコンタクト膜４のドライエッチ時の消失が発生し、
厚い場合にはＴＦＴのＯＮ電流が小さくなることより、
オーミックコンタクト膜４のドライエッチ時のエッチン
グ深さの制御性と必要とするＴＦＴのＯＮ電流より膜厚
を選択する。半導体能動膜３としてａ−Ｓｉ膜を用いる
場合には第１の絶縁膜２のａ−Ｓｉ膜との界面はＳｉＮ
ｘ膜またはＳｉＯｚＮｗ膜とすることが、ＴＦＴが導通
状態となるゲート電圧であるＴＦＴのＶｔｈの制御性お
よび信頼性上好ましい。半導体能動膜３としてｐ−Ｓｉ
膜を用いる場合には第１の絶縁膜２のｐ−Ｓｉ膜との界
面はＳｉＯｙ膜またはＳｉＯｚＮｗ膜とすることがＴＦ
ＴのＶｔｈの制御性および信頼性上好ましい。また、半
導体能動膜３としてａ−Ｓｉ膜を用いる場合には第１の
絶縁膜２との界面付近を成膜レートの小さい条件で成膜
し、上層部を成膜レートの大きい条件で成膜することが
短い成膜時間で移動度の大きいＴＦＴ特性がえられるこ
とと、ＴＦＴのオフ時のリーク電流を小さくできること
より好ましい。好適な実施例では、半導体能動膜３とし
て１５０ｎｍのｉ−ａ−Ｓｉ膜を成膜する。
【００２２】オーミックコンタクト膜４としては、ａ−
Ｓｉにリン（Ｐ）を微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ
膜、ｎ−ｐ−Ｓｉ膜が用いられる。オーミックコンタク
ト膜４の膜厚は、２０ｎｍから７０ｎｍ程度とすること
ができる。これらのＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚ
Ｎｗ膜、ａ−Ｓｉ膜、ｐ−Ｓｉ膜、ｎ−ａ−Ｓｉ膜、ｎ
−ｐ−Ｓｉ膜は公知のガス（ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｈ2、Ｎ
Ｏ2、ＰＨ3、Ｎ2およびこれらの混合ガス）を用いて成
膜することが可能である。好適な実施例では、オーミッ
クコンタクト膜４として３０ｎｍのｎ−ａ−Ｓｉ膜を成
膜する。
Ｓｉにリン（Ｐ）を微量にドーピングしたｎ−ａ−Ｓｉ
膜、ｎ−ｐ−Ｓｉ膜が用いられる。オーミックコンタク
ト膜４の膜厚は、２０ｎｍから７０ｎｍ程度とすること
ができる。これらのＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｙ膜、ＳｉＯｚ
Ｎｗ膜、ａ−Ｓｉ膜、ｐ−Ｓｉ膜、ｎ−ａ−Ｓｉ膜、ｎ
−ｐ−Ｓｉ膜は公知のガス（ＳｉＨ4、ＮＨ3、Ｈ2、Ｎ
Ｏ2、ＰＨ3、Ｎ2およびこれらの混合ガス）を用いて成
膜することが可能である。好適な実施例では、オーミッ
クコンタクト膜４として３０ｎｍのｎ−ａ−Ｓｉ膜を成
膜する。
【００２３】つぎに、第２のフォトリソグラフィープロ
セスで半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４
を少なくともＴＦＴ部が形成される部分にパターニング
する。これにより、図１（ｂ）に示す構造が形成され
る。第１の絶縁膜２は、全体に亘って残存する。半導体
能動膜３およびオーミックコンタクト膜４はＴＦＴ部が
形成される部分の他に、ソース配線とゲート配線および
補助容量配線とが平面的に交差する部分にもパターニン
グして残存させることが交差部での耐電圧が大きくなる
ことより好ましい。また、ＴＦＴ部の半導体能動膜３お
よびオーミックコンタクト膜４をソース配線の下部まで
連続形状で残存させることが、ソース電極が半導体能動
膜３およびオーミックコンタクト膜４の段差をのりこえ
ることがなく、段差部でのソース電極の断線が発生しに
くいので好ましい。
セスで半導体能動膜３およびオーミックコンタクト膜４
を少なくともＴＦＴ部が形成される部分にパターニング
する。これにより、図１（ｂ）に示す構造が形成され
る。第１の絶縁膜２は、全体に亘って残存する。半導体
能動膜３およびオーミックコンタクト膜４はＴＦＴ部が
形成される部分の他に、ソース配線とゲート配線および
補助容量配線とが平面的に交差する部分にもパターニン
グして残存させることが交差部での耐電圧が大きくなる
ことより好ましい。また、ＴＦＴ部の半導体能動膜３お
よびオーミックコンタクト膜４をソース配線の下部まで
連続形状で残存させることが、ソース電極が半導体能動
膜３およびオーミックコンタクト膜４の段差をのりこえ
ることがなく、段差部でのソース電極の断線が発生しに
くいので好ましい。
【００２４】半導体能動膜３およびオーミックコンタク
ト膜４のエッチングは、公知のガス組成（たとえば、Ｓ
Ｆ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ4とＯ2の混合ガス）でド
ライエッチングが可能である。
ト膜４のエッチングは、公知のガス組成（たとえば、Ｓ
Ｆ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ4とＯ2の混合ガス）でド
ライエッチングが可能である。
【００２５】つぎに、スパッタリングなどの方法で第２
の金属薄膜を成膜する。第２の金属薄膜１としては、た
とえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミ
ニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あ
るいはこれらの積層膜が用いられる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚を有するクロムが成膜される。
の金属薄膜を成膜する。第２の金属薄膜１としては、た
とえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アルミ
ニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金あ
るいはこれらの積層膜が用いられる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚を有するクロムが成膜される。
【００２６】つぎに第３のフォトリソグラフィープロセ
スで第２の金属薄膜がソース電極５及びドレイン電極６
を形成するようにパターニングする。これにより、図１
（ｃ）に示す構造が形成される。ソース電極５は、ソー
ス配線とゲート配線が交差する部分にまで亘って形成さ
れる。ドレイン電極６は、反射部まで亘って形成され
る。次に、オーミックコンタクト膜４のエッチングを行
なう。このプロセスによりＴＦＴ部のオーミックコンタ
クト膜４の中央部が除去され、半導体能動膜３が露出す
る。オーミックコンタクト膜４のエッチングは、公知の
ガス組成（たとえば、ＳＦ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ
4とＯ2の混合ガス）でドライエッチングが可能である。
スで第２の金属薄膜がソース電極５及びドレイン電極６
を形成するようにパターニングする。これにより、図１
（ｃ）に示す構造が形成される。ソース電極５は、ソー
ス配線とゲート配線が交差する部分にまで亘って形成さ
れる。ドレイン電極６は、反射部まで亘って形成され
る。次に、オーミックコンタクト膜４のエッチングを行
なう。このプロセスによりＴＦＴ部のオーミックコンタ
クト膜４の中央部が除去され、半導体能動膜３が露出す
る。オーミックコンタクト膜４のエッチングは、公知の
ガス組成（たとえば、ＳＦ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ
4とＯ2の混合ガス）でドライエッチングが可能である。
【００２７】つぎに、プラズマＣＶＤにより第２の絶縁
膜７を形成し、次にスピン塗布、スリット塗布、転写等
により有機膜８を形成する。好適な実施例では、第２の
絶縁膜７として１００ｎｍの膜厚のＳｉＮが用いられ
る。また、有機膜８は、公知の感光性有機膜であり、例
えば、ＪＳＲ製ＰＣ３３５又はＰＣ４０５が用いられ
る。
膜７を形成し、次にスピン塗布、スリット塗布、転写等
により有機膜８を形成する。好適な実施例では、第２の
絶縁膜７として１００ｎｍの膜厚のＳｉＮが用いられ
る。また、有機膜８は、公知の感光性有機膜であり、例
えば、ＪＳＲ製ＰＣ３３５又はＰＣ４０５が用いられ
る。
【００２８】つぎに第４のフォトリソグラフィープロセ
スで有機膜８を図１（ｄ）に示す形状にパターニングす
る。具体的には、続く第５のフォトリソグラフィープロ
セスによって第１及び第２の絶縁膜２及び７を除去する
部分で当該第１及び第２の絶縁膜２及び７が露出するよ
うに有機膜８をパターニングする。また、反射部も有機
膜８が除去された箇所と除去されない箇所を形成し、凹
凸形状を形成する。
スで有機膜８を図１（ｄ）に示す形状にパターニングす
る。具体的には、続く第５のフォトリソグラフィープロ
セスによって第１及び第２の絶縁膜２及び７を除去する
部分で当該第１及び第２の絶縁膜２及び７が露出するよ
うに有機膜８をパターニングする。また、反射部も有機
膜８が除去された箇所と除去されない箇所を形成し、凹
凸形状を形成する。
【００２９】つぎに第５のフォトリソグラフィープロセ
スで有機膜がパターニングされる。このとき、第１及び
第２の絶縁膜２及び７が除去される部分の有機膜は除去
される。また、凹凸部の有機膜は除去されず、一層目の
凹凸を適度に緩和することで良好な散乱特性を得ること
ができる。続いてテーパーエッチングが実行され、図１
（ｅ）の構造が形成される。即ち、ゲート端子部では、
ゲート配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタク
トホールを形成するため、第１の絶縁膜２及び第２の絶
縁膜７の双方が除去され、第１の金属薄膜１が露出して
いる。ソース端子部では、第２の絶縁膜７が除去され第
２の金属薄膜が露出している。ＴＦＴ部と反射部の間で
は、第２の絶縁膜が除去されドレイン電極６が露出して
いる。さらに透過部では、第１の絶縁膜及び第２の絶縁
膜の双方が除去され、第１の絶縁性基板が露出してい
る。なお透過部の有機膜を除去しない場合は、公知のブ
リーチング処理、すなわち紫外光照射による感光性有機
膜の透明度向上処理を、有機膜のフォトリソグラフプロ
セスによるパターニング後に追加するのが望ましい。
スで有機膜がパターニングされる。このとき、第１及び
第２の絶縁膜２及び７が除去される部分の有機膜は除去
される。また、凹凸部の有機膜は除去されず、一層目の
凹凸を適度に緩和することで良好な散乱特性を得ること
ができる。続いてテーパーエッチングが実行され、図１
（ｅ）の構造が形成される。即ち、ゲート端子部では、
ゲート配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタク
トホールを形成するため、第１の絶縁膜２及び第２の絶
縁膜７の双方が除去され、第１の金属薄膜１が露出して
いる。ソース端子部では、第２の絶縁膜７が除去され第
２の金属薄膜が露出している。ＴＦＴ部と反射部の間で
は、第２の絶縁膜が除去されドレイン電極６が露出して
いる。さらに透過部では、第１の絶縁膜及び第２の絶縁
膜の双方が除去され、第１の絶縁性基板が露出してい
る。なお透過部の有機膜を除去しない場合は、公知のブ
リーチング処理、すなわち紫外光照射による感光性有機
膜の透明度向上処理を、有機膜のフォトリソグラフプロ
セスによるパターニング後に追加するのが望ましい。
【００３０】つぎに、スパッタリングなどの方法で導電
性薄膜９を成膜する。導電性薄膜９としては、透明導電
膜であるＩＴＯ、ＳｎＯ2などを用いることができ、と
くに化学的安定性の点からＩＴＯが好ましい。好適な実
施例では、導電性薄膜９は、８０ｎｍの膜厚を有するＩ
ＴＯが用いられる。なお、ＩＴＯは、結晶化ＩＴＯ又は
アモルファスＩＴＯのいずれでもよいが、アモルファス
ＩＴＯを用いた場合は、第３の金属薄膜成膜前に結晶化
温度１８０℃以上に加熱して結晶化させる必要がある。
好適な実施例では、２００℃以上に加熱する。
性薄膜９を成膜する。導電性薄膜９としては、透明導電
膜であるＩＴＯ、ＳｎＯ2などを用いることができ、と
くに化学的安定性の点からＩＴＯが好ましい。好適な実
施例では、導電性薄膜９は、８０ｎｍの膜厚を有するＩ
ＴＯが用いられる。なお、ＩＴＯは、結晶化ＩＴＯ又は
アモルファスＩＴＯのいずれでもよいが、アモルファス
ＩＴＯを用いた場合は、第３の金属薄膜成膜前に結晶化
温度１８０℃以上に加熱して結晶化させる必要がある。
好適な実施例では、２００℃以上に加熱する。
【００３１】つぎに、第６のフォトリソグラフィープロ
セスで導電性薄膜９を図１（ｆ）に示されるように画素
電極等の形状にパターニングする。導電性薄膜９のエッ
チングは使用する材料によって公知のウェットエッチン
グ（たとえば、導電性薄膜９が結晶化ＩＴＯからなる場
合には塩酸および硝酸が混合されてなる水溶液）などを
用いて行うことが可能である。導電性薄膜９がＩＴＯの
場合、公知のガス組成（たとえば、ＨＩ、ＨＢｒ）での
ドライエッチングによるエッチングも可能である。ま
た、この工程で画素電極を形成することを示したが、そ
の他に対向基板とＴＦＴアレイ基板間を導電性粒子を含
む樹脂を用いて電気的に接続するためのトランスファー
端子部の導電性薄膜９による電極などが形成される。な
お、アモルファスＩＴＯの場合、パターニングは、前記
加熱後であれば結晶化ＩＴＯと同様に、前記加熱前であ
れば公知のしゅう酸が混合されてなる水溶液で行なう。
セスで導電性薄膜９を図１（ｆ）に示されるように画素
電極等の形状にパターニングする。導電性薄膜９のエッ
チングは使用する材料によって公知のウェットエッチン
グ（たとえば、導電性薄膜９が結晶化ＩＴＯからなる場
合には塩酸および硝酸が混合されてなる水溶液）などを
用いて行うことが可能である。導電性薄膜９がＩＴＯの
場合、公知のガス組成（たとえば、ＨＩ、ＨＢｒ）での
ドライエッチングによるエッチングも可能である。ま
た、この工程で画素電極を形成することを示したが、そ
の他に対向基板とＴＦＴアレイ基板間を導電性粒子を含
む樹脂を用いて電気的に接続するためのトランスファー
端子部の導電性薄膜９による電極などが形成される。な
お、アモルファスＩＴＯの場合、パターニングは、前記
加熱後であれば結晶化ＩＴＯと同様に、前記加熱前であ
れば公知のしゅう酸が混合されてなる水溶液で行なう。
【００３２】つぎに、スパッタリングなどの方法で第３
の金属薄膜１０、１１を成膜する。第３の金属薄膜１
０、１１としては、たとえばクロム、モリブデン、タン
タル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を
微量に添加した合金などのうちのいずれかからなる１０
０ｎｍから５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることが
できる。金属薄膜１０は、金属薄膜１１がコンタクトホ
ール部等の段差で段切れが生じるのを防ぐ効果を有す
る。この段切れが無視できる場合は、金属薄膜１０は形
成しなくてもよい。この場合、工程数が減少し、コスト
低減が可能となる。好適な実施例では、１００ｎｍの膜
厚を有するクロムを成膜後、３００ｎｍの膜厚を有する
アルミニウムとＣｕの合金を成膜し、さらに１００ｎｍ
の膜厚を有するクロムを成膜する。アルミニウムとＣｕ
の合金が露出していると、次の写真工程の現像時に、Ｉ
ＴＯ９の腐食が進むため、これを防止するために最上層
にクロムを設けている。なお同様の効果を有する金属と
してはモリブデン、タンタル、タングステンがある。
の金属薄膜１０、１１を成膜する。第３の金属薄膜１
０、１１としては、たとえばクロム、モリブデン、タン
タル、チタン、アルミニウム、銅やこれらに他の物質を
微量に添加した合金などのうちのいずれかからなる１０
０ｎｍから５００ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることが
できる。金属薄膜１０は、金属薄膜１１がコンタクトホ
ール部等の段差で段切れが生じるのを防ぐ効果を有す
る。この段切れが無視できる場合は、金属薄膜１０は形
成しなくてもよい。この場合、工程数が減少し、コスト
低減が可能となる。好適な実施例では、１００ｎｍの膜
厚を有するクロムを成膜後、３００ｎｍの膜厚を有する
アルミニウムとＣｕの合金を成膜し、さらに１００ｎｍ
の膜厚を有するクロムを成膜する。アルミニウムとＣｕ
の合金が露出していると、次の写真工程の現像時に、Ｉ
ＴＯ９の腐食が進むため、これを防止するために最上層
にクロムを設けている。なお同様の効果を有する金属と
してはモリブデン、タンタル、タングステンがある。
【００３３】つぎに、第７のフォトリソグラフィープロ
セスで第３の金属薄膜１０、１１及び最上層のクロムを
反射電極の形状にパターニングおよび最上層のクロムを
エッチング除去して、反射電極を形成する。このとき、
透過部の有機膜を除去した場合は当該箇所の段差により
液晶の配向異常が発生し、表示品位を低下させる場合が
ある。これを防ぐため図１-Gに示すように段差部を反射
電極で覆うとよい。なお、種々の検討の結果、段差部か
ら配向異常領域が発生する範囲は最小で２μｍ、最大で
６μｍであった。したがって反射電極をオーバーラップ
させる長さは少なくとも２μｍ必要であり、透過の開口
率の低下が許容できる場合でも６μｍで十分であること
がわかった。故に好適な例としては２から６μｍであ
る。なお、金属膜１０がクロムの場合、最上層のクロム
と同時にエッチングすることも可能である。なお金属膜
１０と最上層の金属薄膜が同一の場合、金属膜１０と最
上層の金属は薄膜は同一のエッチング工程で除去するこ
とが可能である。なお反射電極は、クロムよりなる金属
薄膜１０上にアルミニウムとＣｕの合金からなる金属薄
膜１１が積層した状態で形成される。最上層のクロム
は、ＩＴＯ９の腐食防止のため設けられたが、反射率を
上げるためにこの段階で除去される。第３の金属薄膜の
エッチングは、公知のエッチャントを用いてウェットエ
ッチングで行うことが可能である。最終的には、図１
（ｇ）で示す構造が形成される。本発明の実施の形態に
かかる液晶表示装置では、このように、反射電極１０、
１１が導電性薄膜９とが絶縁層を介さずに設けられてい
る点に特徴を有する。
セスで第３の金属薄膜１０、１１及び最上層のクロムを
反射電極の形状にパターニングおよび最上層のクロムを
エッチング除去して、反射電極を形成する。このとき、
透過部の有機膜を除去した場合は当該箇所の段差により
液晶の配向異常が発生し、表示品位を低下させる場合が
ある。これを防ぐため図１-Gに示すように段差部を反射
電極で覆うとよい。なお、種々の検討の結果、段差部か
ら配向異常領域が発生する範囲は最小で２μｍ、最大で
６μｍであった。したがって反射電極をオーバーラップ
させる長さは少なくとも２μｍ必要であり、透過の開口
率の低下が許容できる場合でも６μｍで十分であること
がわかった。故に好適な例としては２から６μｍであ
る。なお、金属膜１０がクロムの場合、最上層のクロム
と同時にエッチングすることも可能である。なお金属膜
１０と最上層の金属薄膜が同一の場合、金属膜１０と最
上層の金属は薄膜は同一のエッチング工程で除去するこ
とが可能である。なお反射電極は、クロムよりなる金属
薄膜１０上にアルミニウムとＣｕの合金からなる金属薄
膜１１が積層した状態で形成される。最上層のクロム
は、ＩＴＯ９の腐食防止のため設けられたが、反射率を
上げるためにこの段階で除去される。第３の金属薄膜の
エッチングは、公知のエッチャントを用いてウェットエ
ッチングで行うことが可能である。最終的には、図１
（ｇ）で示す構造が形成される。本発明の実施の形態に
かかる液晶表示装置では、このように、反射電極１０、
１１が導電性薄膜９とが絶縁層を介さずに設けられてい
る点に特徴を有する。
【００３４】以上の工程によりＴＦＴアレイ基板が７工
程のフォトリソグラフィープロセスにより製造され、歩
留りを高くすることができる。尚、発明の実施の形態１
においては、第３の金属薄膜１０、１１を２層設けた
が、これに限らず、図７に示されるように、第３の金属
薄膜１１のみ１層としてもよい。以下の発明の実施の形
態２、３、４では、第３の金属薄膜１１のみ１層とした
例について説明する。また、三菱化学製ＥＬＭ−ＤＳＡ
等のＩＴＯの腐食抑制効果を有する現像液を金属薄膜１
０、或いは１１の写真工程に用いることで最上層の金
属、すなわち、モリブデン、タンタル、タングステンの
いずれかを含む金属が不要となる。この場合工程数が削
減できる。なお、以下の実施の形態では、最上層にクロ
ムを設けた例について説明する。
程のフォトリソグラフィープロセスにより製造され、歩
留りを高くすることができる。尚、発明の実施の形態１
においては、第３の金属薄膜１０、１１を２層設けた
が、これに限らず、図７に示されるように、第３の金属
薄膜１１のみ１層としてもよい。以下の発明の実施の形
態２、３、４では、第３の金属薄膜１１のみ１層とした
例について説明する。また、三菱化学製ＥＬＭ−ＤＳＡ
等のＩＴＯの腐食抑制効果を有する現像液を金属薄膜１
０、或いは１１の写真工程に用いることで最上層の金
属、すなわち、モリブデン、タンタル、タングステンの
いずれかを含む金属が不要となる。この場合工程数が削
減できる。なお、以下の実施の形態では、最上層にクロ
ムを設けた例について説明する。
【００３５】発明の実施の形態２．図２に本発明の実施
の形態２にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセス
フローを示す。この製造プロセスでは、６回の写真工程
により半透過型のＴＦＴアレイを製造している。
の形態２にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセス
フローを示す。この製造プロセスでは、６回の写真工程
により半透過型のＴＦＴアレイを製造している。
【００３６】まず、絶縁性基板として０．７ｍｍ厚のガ
ラス基板を洗浄して表面を清浄化する。絶縁性基板につ
いては、上述の発明の実施の形態１において説明したも
のと同様であるため、説明を省略する。
ラス基板を洗浄して表面を清浄化する。絶縁性基板につ
いては、上述の発明の実施の形態１において説明したも
のと同様であるため、説明を省略する。
【００３７】つぎに、スパッタリングなどの方法で第１
の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度
の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金
属薄膜１についても上述の発明の実施の形態１において
説明したものと同様であるため、説明を省略する。
の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度
の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金
属薄膜１についても上述の発明の実施の形態１において
説明したものと同様であるため、説明を省略する。
【００３８】つぎに、第１のフォトリソグラフィープロ
セスで第１の金属薄膜１をゲート電極およびゲート配
線、補助容量電極および補助容量配線をパターニングす
る。これにより、図２（ａ）で示される構造が形成され
る。この構造の製造方法についても上述の発明の実施の
形態１の場合と同様であるため、説明を省略する。
セスで第１の金属薄膜１をゲート電極およびゲート配
線、補助容量電極および補助容量配線をパターニングす
る。これにより、図２（ａ）で示される構造が形成され
る。この構造の製造方法についても上述の発明の実施の
形態１の場合と同様であるため、説明を省略する。
【００３９】つぎに、第１の絶縁膜２、半導体能動膜
３、オーミックコンタクト膜４、第２の金属薄膜を連続
で成膜する。好適な実施例では、ゲート絶縁膜となる第
１の絶縁膜２としては、３００ｎｍのＳｉＮと、１００
ｎｍのＳｉＮの積層膜が用いられる。また、半導体能動
膜３としては、１５０ｎｍのｉ−ａ−Ｓｉ膜が用いられ
る。さらに、オーミックコンタクト膜４としては、３０
ｎｍのｎ−ａ−Ｓｉ膜が用いられる。第２の金属薄膜と
しては、２００ｎｍのクロムが用いられる。これらのＳ
ｉＮ膜、ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ａ−Ｓｉ膜は、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて成膜し、オーミック成膜時にはＰＨ３を
ドープしてｎ−ａ−Ｓｉ膜を形成する。Ｃｒ成膜につい
ては、例えばＤＣマグネトロン型スパッタ装置を用いて
成膜する。
３、オーミックコンタクト膜４、第２の金属薄膜を連続
で成膜する。好適な実施例では、ゲート絶縁膜となる第
１の絶縁膜２としては、３００ｎｍのＳｉＮと、１００
ｎｍのＳｉＮの積層膜が用いられる。また、半導体能動
膜３としては、１５０ｎｍのｉ−ａ−Ｓｉ膜が用いられ
る。さらに、オーミックコンタクト膜４としては、３０
ｎｍのｎ−ａ−Ｓｉ膜が用いられる。第２の金属薄膜と
しては、２００ｎｍのクロムが用いられる。これらのＳ
ｉＮ膜、ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ａ−Ｓｉ膜は、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて成膜し、オーミック成膜時にはＰＨ３を
ドープしてｎ−ａ−Ｓｉ膜を形成する。Ｃｒ成膜につい
ては、例えばＤＣマグネトロン型スパッタ装置を用いて
成膜する。
【００４０】つぎに第２のフォトリソグラフィープロセ
スでソース配線、ソース端子部金属パッド、ドレイン電
極、半導体能動膜３等を形成するためのレジストパター
ンを形成する。第２のフォトリソグラフィープロセスで
は、ハーフトーン露光が用いられる。
スでソース配線、ソース端子部金属パッド、ドレイン電
極、半導体能動膜３等を形成するためのレジストパター
ンを形成する。第２のフォトリソグラフィープロセスで
は、ハーフトーン露光が用いられる。
【００４１】ここで、ハーフトーン露光について、図５
及び図６を用いて説明する。ハーフトーン露光では、例
えば、図５に示すようなマスクが用いられる。このマス
クは、マスク上の露光パターンの空間周波数を露光機の
パターン分解能力（たとえば１．６μｍ）より高くし、
フォトレジスト上でマスクのパターンが解像できない状
態とし、露光強度を調整するものである。このマスクを
介して光を照射するが、その照射光の光量を制御するこ
とにより、フォトレジストの残存膜厚を制御することが
できる。即ち、図６に示すように、フォトレジストが現
像により消失する光量の範囲内で光量を調整すると、そ
れに応じて、フォトレジストの残存膜厚が変わる。具体
的には、光量が多い場所では、より少ないフォトレジス
トが残存し、光量が少ない場所では、より多いフォトレ
ジストが残存する。
及び図６を用いて説明する。ハーフトーン露光では、例
えば、図５に示すようなマスクが用いられる。このマス
クは、マスク上の露光パターンの空間周波数を露光機の
パターン分解能力（たとえば１．６μｍ）より高くし、
フォトレジスト上でマスクのパターンが解像できない状
態とし、露光強度を調整するものである。このマスクを
介して光を照射するが、その照射光の光量を制御するこ
とにより、フォトレジストの残存膜厚を制御することが
できる。即ち、図６に示すように、フォトレジストが現
像により消失する光量の範囲内で光量を調整すると、そ
れに応じて、フォトレジストの残存膜厚が変わる。具体
的には、光量が多い場所では、より少ないフォトレジス
トが残存し、光量が少ない場所では、より多いフォトレ
ジストが残存する。
【００４２】この例では、レジストはノボラック樹脂系
のポジ型レジストを用い、レジスト塗布はスピンコータ
により１．５μｍとする。レジスト塗布後は１２０℃で
９０秒プリベークを実施し、その後、レジストパターン
は通常のＣｒ全面マスクパターンでありかつ、レジスト
パターンをライン／スペース＝１．５μｍ／１．５μｍ
のＣｒストライプ形状を有するハーフトーンのマスクパ
ターンを用いて１０００ｍｓｅｃ露光を行った。露光機
は通常のステッパあるいはミラープロジェクションタイ
プの露光機であり、光源には高圧水銀ランプのｇ線、ｈ
線を用いた。このとき、ストライプパターンは露光装置
の解像限界よりも微細なパターンなので、レジストはス
トライプ状には露光されず、平均的で他の露光部よりも
少ない露光量となる。
のポジ型レジストを用い、レジスト塗布はスピンコータ
により１．５μｍとする。レジスト塗布後は１２０℃で
９０秒プリベークを実施し、その後、レジストパターン
は通常のＣｒ全面マスクパターンでありかつ、レジスト
パターンをライン／スペース＝１．５μｍ／１．５μｍ
のＣｒストライプ形状を有するハーフトーンのマスクパ
ターンを用いて１０００ｍｓｅｃ露光を行った。露光機
は通常のステッパあるいはミラープロジェクションタイ
プの露光機であり、光源には高圧水銀ランプのｇ線、ｈ
線を用いた。このとき、ストライプパターンは露光装置
の解像限界よりも微細なパターンなので、レジストはス
トライプ状には露光されず、平均的で他の露光部よりも
少ない露光量となる。
【００４３】ついで、有機アルカリ系の現像液を用いて
現像したのち、１００℃から１２０℃でポストベークを
１８０秒実施、レジスト中の溶媒を揮発させると同時に
レジストとＣｒの密着力を高める。その後さらに１２０
℃から１３０℃でオーブンベークを実施し、さらにレジ
スト・Ｃｒ間の密着力を高める。このときベーク温度が
高すぎる場合にはレジスト端面がだれてしまうので注意
を要する。その後Ｃｒ膜のエッチングを（ＮＨ4）2［Ｃ
ｅ（ＮＯ3）6］＋ＨＮＯ3＋Ｈ2Ｏ液を用いて実施する。
その後ＨＣｌ＋ＳＦ6ガスを用いてオーミックコンタク
ト膜４および半導体能動膜３をエッチングする。その後
酸素プラズマによりレジストをアッシングし、レジスト
パターン部のＣｒ膜を露出するようにする。アッシング
は圧力が４０Ｐａで６０秒実施した。またアッシングす
る際はＲＩＥモードの方がＰＥモードに比べて、レジス
ト開口部の大きさが制御しやすい。このようにして、図
２（ｂ）に示す構造が形成される。
現像したのち、１００℃から１２０℃でポストベークを
１８０秒実施、レジスト中の溶媒を揮発させると同時に
レジストとＣｒの密着力を高める。その後さらに１２０
℃から１３０℃でオーブンベークを実施し、さらにレジ
スト・Ｃｒ間の密着力を高める。このときベーク温度が
高すぎる場合にはレジスト端面がだれてしまうので注意
を要する。その後Ｃｒ膜のエッチングを（ＮＨ4）2［Ｃ
ｅ（ＮＯ3）6］＋ＨＮＯ3＋Ｈ2Ｏ液を用いて実施する。
その後ＨＣｌ＋ＳＦ6ガスを用いてオーミックコンタク
ト膜４および半導体能動膜３をエッチングする。その後
酸素プラズマによりレジストをアッシングし、レジスト
パターン部のＣｒ膜を露出するようにする。アッシング
は圧力が４０Ｐａで６０秒実施した。またアッシングす
る際はＲＩＥモードの方がＰＥモードに比べて、レジス
ト開口部の大きさが制御しやすい。このようにして、図
２（ｂ）に示す構造が形成される。
【００４４】その後１３０℃から１４０℃でオーブンベ
ークを実施した後、（ＮＨ4）2［Ｃｅ（ＮＯ3）6］＋Ｈ
ＮＯ3＋Ｈ2Ｏ液を用いてＣｒ膜をエッチングする。次に
オーミックコンタクト膜を除去する。
ークを実施した後、（ＮＨ4）2［Ｃｅ（ＮＯ3）6］＋Ｈ
ＮＯ3＋Ｈ2Ｏ液を用いてＣｒ膜をエッチングする。次に
オーミックコンタクト膜を除去する。
【００４５】つぎにプラズマＣＶＤにより第２の絶縁膜
７を成膜する。つぎに第３のフォトリソグラフィープロ
セスで有機膜８を図２（ｃ）に示す形状にパターニング
する。具体的には、続く第５のフォトリソグラフィープ
ロセスによって第１及び第２の絶縁膜２及び７を除去す
る部分で当該第１及び第２の絶縁膜２及び７が露出する
ように有機膜８をパターニングする。また、反射部も有
機膜８が除去された箇所と除去されない箇所を形成し、
凹凸形状を形成する。
７を成膜する。つぎに第３のフォトリソグラフィープロ
セスで有機膜８を図２（ｃ）に示す形状にパターニング
する。具体的には、続く第５のフォトリソグラフィープ
ロセスによって第１及び第２の絶縁膜２及び７を除去す
る部分で当該第１及び第２の絶縁膜２及び７が露出する
ように有機膜８をパターニングする。また、反射部も有
機膜８が除去された箇所と除去されない箇所を形成し、
凹凸形状を形成する。
【００４６】つぎに第４のフォトリソグラフィープロセ
スで有機膜がパターニングされる。このとき、第１及び
第２の絶縁膜２及び７が除去される部分の有機膜は除去
される。また、凹凸部の有機膜は除去されず、一層目の
凹凸を適度に緩和することで良好な散乱特性を得ること
ができる。続いてテーパーエッチングが実行され、図２
（ｄ）の構造が形成される。即ち、ゲート端子部では、
ゲート配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタク
トホールを形成するため、第１の絶縁膜２及び第２の絶
縁膜７の双方が除去され、第１の金属薄膜１が露出して
いる。ソース端子部では、第２の絶縁膜７が除去され第
２の金属薄膜が露出している。ＴＦＴ部と反射部の間で
は、第２の絶縁膜が除去されドレイン電極６が露出して
いる。さらに透過部では、第１の絶縁膜及び第２の絶縁
膜の双方が除去され、第１の絶縁性基板が露出してい
る。
スで有機膜がパターニングされる。このとき、第１及び
第２の絶縁膜２及び７が除去される部分の有機膜は除去
される。また、凹凸部の有機膜は除去されず、一層目の
凹凸を適度に緩和することで良好な散乱特性を得ること
ができる。続いてテーパーエッチングが実行され、図２
（ｄ）の構造が形成される。即ち、ゲート端子部では、
ゲート配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタク
トホールを形成するため、第１の絶縁膜２及び第２の絶
縁膜７の双方が除去され、第１の金属薄膜１が露出して
いる。ソース端子部では、第２の絶縁膜７が除去され第
２の金属薄膜が露出している。ＴＦＴ部と反射部の間で
は、第２の絶縁膜が除去されドレイン電極６が露出して
いる。さらに透過部では、第１の絶縁膜及び第２の絶縁
膜の双方が除去され、第１の絶縁性基板が露出してい
る。
【００４７】つぎに、スパッタリングなどの方法で導電
性薄膜９を成膜する。好適な実施例では、導電性薄膜９
は、８０ｎｍの膜厚を有するＩＴＯが用いられる。な
お、ＩＴＯは、結晶化ＩＴＯ又はアモルファスＩＴＯの
いずれでもよいが、アモルファスＩＴＯを用いた場合
は、第３の金属薄膜成膜前に結晶化温度１８０℃以上に
加熱して結晶化させる必要がある。好適な実施例では、
２００℃以上に加熱する。
性薄膜９を成膜する。好適な実施例では、導電性薄膜９
は、８０ｎｍの膜厚を有するＩＴＯが用いられる。な
お、ＩＴＯは、結晶化ＩＴＯ又はアモルファスＩＴＯの
いずれでもよいが、アモルファスＩＴＯを用いた場合
は、第３の金属薄膜成膜前に結晶化温度１８０℃以上に
加熱して結晶化させる必要がある。好適な実施例では、
２００℃以上に加熱する。
【００４８】つぎに、第５のフォトリソグラフィープロ
セスで導電性薄膜９を図２（ｅ）に示されるように画素
電極等の形状にパターニングする。導電性薄膜９のエッ
チングは使用する材料によって公知のウェットエッチン
グ（たとえば、導電性薄膜９が結晶化ＩＴＯからなる場
合には塩酸および硝酸が混合されてなる水溶液）などを
用いて行うことが可能である。導電性薄膜９がＩＴＯの
場合、公知のガス組成（たとえば、ＨＩ、ＨＢｒ）での
ドライエッチングによるエッチングも可能である。ま
た、この工程で画素電極を形成することを示したが、そ
の他に対向基板とＴＦＴアレイ基板間を導電性粒子を含
む樹脂を用いて電気的に接続するためのトランスファー
端子部の導電性薄膜９による電極などが形成される。な
お、アモルファスＩＴＯの場合、パターニングは、加熱
後であればＩＴＯと同様に、加熱前であれば公知のしゅ
う酸が混合されてなる水溶液で行なう。
セスで導電性薄膜９を図２（ｅ）に示されるように画素
電極等の形状にパターニングする。導電性薄膜９のエッ
チングは使用する材料によって公知のウェットエッチン
グ（たとえば、導電性薄膜９が結晶化ＩＴＯからなる場
合には塩酸および硝酸が混合されてなる水溶液）などを
用いて行うことが可能である。導電性薄膜９がＩＴＯの
場合、公知のガス組成（たとえば、ＨＩ、ＨＢｒ）での
ドライエッチングによるエッチングも可能である。ま
た、この工程で画素電極を形成することを示したが、そ
の他に対向基板とＴＦＴアレイ基板間を導電性粒子を含
む樹脂を用いて電気的に接続するためのトランスファー
端子部の導電性薄膜９による電極などが形成される。な
お、アモルファスＩＴＯの場合、パターニングは、加熱
後であればＩＴＯと同様に、加熱前であれば公知のしゅ
う酸が混合されてなる水溶液で行なう。
【００４９】つぎに、スパッタリングなどの方法で第３
の金属薄膜１１を成膜する。第３の金属薄膜１１として
は、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、
アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した
合金などのうちのいずれかからなる１００ｎｍから５０
０ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な
実施例では、３００ｎｍの膜厚を有するアルミニウムと
Ｃｕの合金を成膜し、さらに１００ｎｍの膜厚を有する
クロムを成膜する。アルミニウムとＣｕの合金が露出し
ていると、次の写真工程の現像時に、ＩＴＯ９の腐食が
進むため、これを防止するために最上層にクロムを設け
ている。なお同様の効果を有する金属としてモリブデ
ン、タンタル、タングステンがある。
の金属薄膜１１を成膜する。第３の金属薄膜１１として
は、たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、
アルミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した
合金などのうちのいずれかからなる１００ｎｍから５０
０ｎｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な
実施例では、３００ｎｍの膜厚を有するアルミニウムと
Ｃｕの合金を成膜し、さらに１００ｎｍの膜厚を有する
クロムを成膜する。アルミニウムとＣｕの合金が露出し
ていると、次の写真工程の現像時に、ＩＴＯ９の腐食が
進むため、これを防止するために最上層にクロムを設け
ている。なお同様の効果を有する金属としてモリブデ
ン、タンタル、タングステンがある。
【００５０】つぎに、第７のフォトリソグラフィープロ
セスで第３の金属薄膜１１及び最上層のクロムを反射電
極の形状にパターニングおよび最上層のクロムをエッチ
ング除去して、反射電極を形成する。なお、金属膜１１
がクロムの場合、最上層のクロムと同時にエッチングす
ることも可能である。最上層のクロムは、ＩＴＯ９の腐
食防止のため設けられたが、反射率を上げるためにこの
段階で除去される。第３の金属薄膜のエッチングは、公
知のエッチャントを用いてウェットエッチングで行うこ
とが可能である。最終的には、図２（ｆ）で示す構造が
形成される。本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置
では、このように、反射電極１１が導電性薄膜９とが絶
縁層を介さずに設けられている点に特徴を有する。
セスで第３の金属薄膜１１及び最上層のクロムを反射電
極の形状にパターニングおよび最上層のクロムをエッチ
ング除去して、反射電極を形成する。なお、金属膜１１
がクロムの場合、最上層のクロムと同時にエッチングす
ることも可能である。最上層のクロムは、ＩＴＯ９の腐
食防止のため設けられたが、反射率を上げるためにこの
段階で除去される。第３の金属薄膜のエッチングは、公
知のエッチャントを用いてウェットエッチングで行うこ
とが可能である。最終的には、図２（ｆ）で示す構造が
形成される。本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置
では、このように、反射電極１１が導電性薄膜９とが絶
縁層を介さずに設けられている点に特徴を有する。
【００５１】以上の工程によりＴＦＴアレイ基板が６工
程のフォトリソグラフィープロセスにより製造され、歩
留りを高くすることができる。
程のフォトリソグラフィープロセスにより製造され、歩
留りを高くすることができる。
【００５２】発明の実施の形態３．図３に本発明の実施
の形態３にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセス
フローを示す。この製造プロセスでは、６枚のマスクを
用いて半透過型のＴＦＴアレイを製造している。
の形態３にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセス
フローを示す。この製造プロセスでは、６枚のマスクを
用いて半透過型のＴＦＴアレイを製造している。
【００５３】まず、絶縁性基板として０．７ｍｍ厚のガ
ラス基板を洗浄して表面を清浄化する。絶縁性基板につ
いては、上述の発明の実施の形態１において説明したも
のと同様であるため、説明を省略する。
ラス基板を洗浄して表面を清浄化する。絶縁性基板につ
いては、上述の発明の実施の形態１において説明したも
のと同様であるため、説明を省略する。
【００５４】つぎに、スパッタリングなどの方法で第１
の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度
の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金
属薄膜１についても上述の発明の実施の形態１において
説明したものと同様であるため、説明を省略する。
の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎｍ程度
の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金
属薄膜１についても上述の発明の実施の形態１において
説明したものと同様であるため、説明を省略する。
【００５５】つぎに、第１のフォトリソグラフィープロ
セスで第１の金属薄膜１をゲート電極１およびゲート配
線、補助容量電極２および補助容量配線をパターニング
する。これにより、図３（ａ）で示される構造が形成さ
れる。この構造の製造方法についても上述の発明の実施
の形態１の場合と同様であるため、説明を省略する。
セスで第１の金属薄膜１をゲート電極１およびゲート配
線、補助容量電極２および補助容量配線をパターニング
する。これにより、図３（ａ）で示される構造が形成さ
れる。この構造の製造方法についても上述の発明の実施
の形態１の場合と同様であるため、説明を省略する。
【００５６】つぎに、プラズマＣＶＤにより第１の絶縁
膜２、半導体能動膜３、オーミックコンタクト膜４を連
続で成膜する。その後、エッチング等により図３（ｂ）
で示される構造が形成される。この製造方法についても
上述の発明の実施の形態１の場合と同様であるため、説
明を省略する。
膜２、半導体能動膜３、オーミックコンタクト膜４を連
続で成膜する。その後、エッチング等により図３（ｂ）
で示される構造が形成される。この製造方法についても
上述の発明の実施の形態１の場合と同様であるため、説
明を省略する。
【００５７】つぎに、スパッタリングなどの方法で第２
の金属薄膜を成膜する。第１の金属薄膜１としては、た
とえばクロムが用いられる。好適な実施例では、２００
ｎｍの膜厚を有するクロムが成膜される。
の金属薄膜を成膜する。第１の金属薄膜１としては、た
とえばクロムが用いられる。好適な実施例では、２００
ｎｍの膜厚を有するクロムが成膜される。
【００５８】つぎに第３のフォトリソグラフィープロセ
スで第２の金属薄膜がソース電極５及びドレイン電極６
を形成するようにパターニングする。これにより、図３
（ｃ）に示す構造が形成される。ソース電極５は、ソー
ス配線とゲート配線が交差する部分にまで亘って形成さ
れる。ドレイン電極６は、反射部まで亘って形成され
る。このプロセスによりＴＦＴ部のオーミックコンタク
ト膜４の中央部が除去され、半導体能動膜３が露出す
る。オーミックコンタクト膜４のエッチングは、公知の
ガス組成（たとえば、ＳＦ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ
4とＯ2の混合ガス）でドライエッチングが可能である。
スで第２の金属薄膜がソース電極５及びドレイン電極６
を形成するようにパターニングする。これにより、図３
（ｃ）に示す構造が形成される。ソース電極５は、ソー
ス配線とゲート配線が交差する部分にまで亘って形成さ
れる。ドレイン電極６は、反射部まで亘って形成され
る。このプロセスによりＴＦＴ部のオーミックコンタク
ト膜４の中央部が除去され、半導体能動膜３が露出す
る。オーミックコンタクト膜４のエッチングは、公知の
ガス組成（たとえば、ＳＦ6とＯ2の混合ガスまたはＣＦ
4とＯ2の混合ガス）でドライエッチングが可能である。
【００５９】つぎに、プラズマＣＶＤにより第２の絶縁
膜７及びスピン塗布、スリット塗布、転写等により有機
膜８を形成する。好適な実施例では、第２の絶縁膜７と
して１００ｎｍの膜厚のＳｉＮが用いられる。また、有
機膜８は、公知の感光性有機膜であり、例えば、ＪＳＲ
製ＰＣ３３５又はＰＣ４０５等が用いられる。
膜７及びスピン塗布、スリット塗布、転写等により有機
膜８を形成する。好適な実施例では、第２の絶縁膜７と
して１００ｎｍの膜厚のＳｉＮが用いられる。また、有
機膜８は、公知の感光性有機膜であり、例えば、ＪＳＲ
製ＰＣ３３５又はＰＣ４０５等が用いられる。
【００６０】つぎに第４のフォトリソグラフィープロセ
スで図３（ｄ）に示す形状にパターニングする。第４の
フォトリソグラフィープロセスでは、ハーフトーン露光
が用いられる。ハーフトーン露光については、発明の実
施の形態２において説明した通りである。このハーフト
ーン露光と次のエッチングにより、ゲート端子部では、
ゲート配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタク
トホール部の有機膜が除去され、次のエッチングにより
第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜７の双方が除去され、
第１の金属薄膜１が露出している。ソース端子部では、
第２の絶縁膜７が除去され第２の金属薄膜が露出してい
る。ＴＦＴ部と反射部の間では、第２の絶縁膜が除去さ
れドレイン電極６が露出している。さらに透過部では、
第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の双方が除去され、第１
の絶縁性基板が露出している。また、凹凸部の凹部は、
有機膜が残存しているため、第２の絶縁膜は除去され
ず、有機膜による凹凸が形成される。
スで図３（ｄ）に示す形状にパターニングする。第４の
フォトリソグラフィープロセスでは、ハーフトーン露光
が用いられる。ハーフトーン露光については、発明の実
施の形態２において説明した通りである。このハーフト
ーン露光と次のエッチングにより、ゲート端子部では、
ゲート配線と駆動信号源とを電気的に接続するコンタク
トホール部の有機膜が除去され、次のエッチングにより
第１の絶縁膜２及び第２の絶縁膜７の双方が除去され、
第１の金属薄膜１が露出している。ソース端子部では、
第２の絶縁膜７が除去され第２の金属薄膜が露出してい
る。ＴＦＴ部と反射部の間では、第２の絶縁膜が除去さ
れドレイン電極６が露出している。さらに透過部では、
第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜の双方が除去され、第１
の絶縁性基板が露出している。また、凹凸部の凹部は、
有機膜が残存しているため、第２の絶縁膜は除去され
ず、有機膜による凹凸が形成される。
【００６１】つぎに、スパッタリングなどの方法で導電
性薄膜９を成膜する。導電性薄膜９としては、液晶表示
装置を透過型で構成する場合には透明導電膜であるＩＴ
Ｏ、ＳｎＯ2などを用いることができ、とくに化学的安
定性の点からＩＴＯが好ましい。好適な実施例では、導
電性薄膜９は、８０ｎｍの膜厚を有するＩＴＯが用いら
れる。なお、ＩＴＯは、結晶化ＩＴＯ又はアモルファス
ＩＴＯ（非晶ＩＴＯ）のいずれでもよいが、アモルファ
スＩＴＯを用いた場合は、第３の金属薄膜成膜前に結晶
化温度１８０℃以上に加熱して結晶化させる必要があ
る。好適な実施例では、２００℃以上に加熱する。
性薄膜９を成膜する。導電性薄膜９としては、液晶表示
装置を透過型で構成する場合には透明導電膜であるＩＴ
Ｏ、ＳｎＯ2などを用いることができ、とくに化学的安
定性の点からＩＴＯが好ましい。好適な実施例では、導
電性薄膜９は、８０ｎｍの膜厚を有するＩＴＯが用いら
れる。なお、ＩＴＯは、結晶化ＩＴＯ又はアモルファス
ＩＴＯ（非晶ＩＴＯ）のいずれでもよいが、アモルファ
スＩＴＯを用いた場合は、第３の金属薄膜成膜前に結晶
化温度１８０℃以上に加熱して結晶化させる必要があ
る。好適な実施例では、２００℃以上に加熱する。
【００６２】つぎに、第５のフォトリソグラフィープロ
セスで導電性薄膜９を図３（ｅ）に示されるように画素
電極等の形状にパターニングする。導電性薄膜９のエッ
チングは使用する材料によって公知のウェットエッチン
グ（たとえば、導電性薄膜９が結晶化ＩＴＯからなる場
合には塩酸および硝酸が混合されてなる水溶液）などを
用いて行うことが可能である。導電性薄膜９がＩＴＯの
場合、公知のガス組成（たとえば、ＨＩ、ＨＢｒ）での
ドライエッチングによるエッチングも可能である。ま
た、この工程で画素電極を形成することを示したが、そ
の他に対向基板とＴＦＴアレイ基板間を導電性粒子を含
む樹脂を用いて電気的に接続するためのトランスファー
端子部の導電性薄膜９による電極などが形成される。な
お、アモルファスＩＴＯの場合、パターニングは、加熱
後であればＩＴＯと同様に、加熱前であれば公知のしゅ
う酸が混合されてなる水溶液で行なう。
セスで導電性薄膜９を図３（ｅ）に示されるように画素
電極等の形状にパターニングする。導電性薄膜９のエッ
チングは使用する材料によって公知のウェットエッチン
グ（たとえば、導電性薄膜９が結晶化ＩＴＯからなる場
合には塩酸および硝酸が混合されてなる水溶液）などを
用いて行うことが可能である。導電性薄膜９がＩＴＯの
場合、公知のガス組成（たとえば、ＨＩ、ＨＢｒ）での
ドライエッチングによるエッチングも可能である。ま
た、この工程で画素電極を形成することを示したが、そ
の他に対向基板とＴＦＴアレイ基板間を導電性粒子を含
む樹脂を用いて電気的に接続するためのトランスファー
端子部の導電性薄膜９による電極などが形成される。な
お、アモルファスＩＴＯの場合、パターニングは、加熱
後であればＩＴＯと同様に、加熱前であれば公知のしゅ
う酸が混合されてなる水溶液で行なう。
【００６３】つぎに、スパッタリングなどの方法で第３
の金属薄膜１１を成膜する。第３の金属薄膜としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのうちのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎ
ｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施
例では、１００ｎｍの膜厚を有するクロムを成膜後、３
００ｎｍの膜厚を有するアルミニウムとＣｕの合金を成
膜し、さらに１００ｎｍの膜厚を有するクロムを成膜す
る。アルミニウムとＣｕの合金が露出していると、次の
写真工程の現像時に、ＩＴＯ９の腐食が進むため、これ
を防止するために最上層にクロムを設けている。なお同
様の効果を有する金属としてモリブデン、タンタル、タ
ングステンがある。
の金属薄膜１１を成膜する。第３の金属薄膜としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのうちのいずれかからなる１００ｎｍから５００ｎ
ｍ程度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施
例では、１００ｎｍの膜厚を有するクロムを成膜後、３
００ｎｍの膜厚を有するアルミニウムとＣｕの合金を成
膜し、さらに１００ｎｍの膜厚を有するクロムを成膜す
る。アルミニウムとＣｕの合金が露出していると、次の
写真工程の現像時に、ＩＴＯ９の腐食が進むため、これ
を防止するために最上層にクロムを設けている。なお同
様の効果を有する金属としてモリブデン、タンタル、タ
ングステンがある。
【００６４】つぎに、第６のフォトリソグラフィープロ
セスで第３の金属薄膜１１及び最上層のクロムを反射電
極の形状にパターニングして、反射電極を形成する。な
お、金属膜１１がクロムの場合、最上層のクロムと同時
にエッチングすることも可能である。第３の金属薄膜１
１のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウェッ
トエッチングで行うことが可能である。最終的には、図
３（ｆ）で示す構造が形成される。本発明の実施の形態
にかかる液晶表示装置では、このように、反射電極１１
が導電性薄膜９とが絶縁層を介さずに設けられている点
に特徴を有する。
セスで第３の金属薄膜１１及び最上層のクロムを反射電
極の形状にパターニングして、反射電極を形成する。な
お、金属膜１１がクロムの場合、最上層のクロムと同時
にエッチングすることも可能である。第３の金属薄膜１
１のエッチングは、公知のエッチャントを用いてウェッ
トエッチングで行うことが可能である。最終的には、図
３（ｆ）で示す構造が形成される。本発明の実施の形態
にかかる液晶表示装置では、このように、反射電極１１
が導電性薄膜９とが絶縁層を介さずに設けられている点
に特徴を有する。
【００６５】以上の工程によりＴＦＴアレイ基板が６工
程のフォトリソグラフィープロセスにより製造され、歩
留りを高くすることができる。
程のフォトリソグラフィープロセスにより製造され、歩
留りを高くすることができる。
【００６６】発明の実施の形態４．図４に本発明の実施
の形態４にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセス
フローを示す。この製造プロセスでは、５回の写真工程
を用いて半透過型のＴＦＴアレイを製造している。
の形態４にかかる半透過型液晶表示装置の製造プロセス
フローを示す。この製造プロセスでは、５回の写真工程
を用いて半透過型のＴＦＴアレイを製造している。
【００６７】まず、絶縁性基板として０．７ｍｍ厚のガ
ラス基板を洗浄して表面を清浄化する。絶縁性基板につ
いては、上述の発明の実施の形態１において説明したも
のと同様であるため、説明を省略する。
ラス基板を洗浄して表面を清浄化する。絶縁性基板につ
いては、上述の発明の実施の形態１において説明したも
のと同様であるため、説明を省略する。
【００６８】つぎに、スパッタリングなどの方法で第１
の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのいずれかからなる１００ｎｍ から５００ｎｍ程
度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金
属薄膜１についても上述の発明の実施の形態１において
説明したものと同様であるため、説明を省略する。
の金属薄膜１を成膜する。第１の金属薄膜１としては、
たとえばクロム、モリブデン、タンタル、チタン、アル
ミニウム、銅やこれらに他の物質を微量に添加した合金
などのいずれかからなる１００ｎｍ から５００ｎｍ程
度の膜厚の薄膜を用いることができる。好適な実施例で
は、２００ｎｍの膜厚のクロムが用いられる。第１の金
属薄膜１についても上述の発明の実施の形態１において
説明したものと同様であるため、説明を省略する。
【００６９】つぎに、第１のフォトリソグラフィープロ
セスで第１の金属薄膜１をゲート電極１およびゲート配
線、補助容量電極２および補助容量配線をパターニング
する。これにより、図４（ａ）で示される構造が形成さ
れる。この構造の製造方法についても上述の発明の実施
の形態１の場合と同様であるため、説明を省略する。
セスで第１の金属薄膜１をゲート電極１およびゲート配
線、補助容量電極２および補助容量配線をパターニング
する。これにより、図４（ａ）で示される構造が形成さ
れる。この構造の製造方法についても上述の発明の実施
の形態１の場合と同様であるため、説明を省略する。
【００７０】つぎに、第１の絶縁膜２、半導体能動膜
３、オーミックコンタクト膜４、第２の金属薄膜を連続
で成膜する。好適な実施例では、ゲート絶縁膜２となる
第１の絶縁膜としては、３００ｎｍのＳｉＮと、１００
ｎｍのＳｉＮの積層膜が用いられる。また、半導体能動
膜３としては、１５０ｎｍのｉ−ａ−Ｓｉ膜が用いられ
る。さらに、オーミックコンタクト膜４としては、３０
ｎｍのｎ−ａ−Ｓｉ膜が用いられる。第２の金属薄膜と
しては、２００ｎｍのクロムが用いられる。これらのＳ
ｉＮ膜、ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ａ−Ｓｉ膜は、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて成膜し、オーミック成膜時にはＰＨ３を
ドープしてｎ−ａ−Ｓｉ膜を形成する。Ｃｒ成膜につい
ては、例えばＤＣマグネトロン型スパッタ装置を用いて
成膜する。
３、オーミックコンタクト膜４、第２の金属薄膜を連続
で成膜する。好適な実施例では、ゲート絶縁膜２となる
第１の絶縁膜としては、３００ｎｍのＳｉＮと、１００
ｎｍのＳｉＮの積層膜が用いられる。また、半導体能動
膜３としては、１５０ｎｍのｉ−ａ−Ｓｉ膜が用いられ
る。さらに、オーミックコンタクト膜４としては、３０
ｎｍのｎ−ａ−Ｓｉ膜が用いられる。第２の金属薄膜と
しては、２００ｎｍのクロムが用いられる。これらのＳ
ｉＮ膜、ａ−Ｓｉ膜、ｎ−ａ−Ｓｉ膜は、プラズマＣＶ
Ｄ装置を用いて成膜し、オーミック成膜時にはＰＨ３を
ドープしてｎ−ａ−Ｓｉ膜を形成する。Ｃｒ成膜につい
ては、例えばＤＣマグネトロン型スパッタ装置を用いて
成膜する。
【００７１】つぎに第２のフォトリソグラフィープロセ
スでソース配線、ソース端子部金属パッド、ドレイン電
極、半導体能動膜３等を形成するためのレジストパター
ンを形成する。第２のフォトリソグラフィープロセスで
は、ハーフトーン露光が用いられる。ハーフトーン露光
について、発明の実施の形態２において説明した通りで
ある。また、この工程も発明の実施の形態２において説
明した通りであるため説明を省略する。このようにし
て、図４（ｂ）に示す構造が形成される。
スでソース配線、ソース端子部金属パッド、ドレイン電
極、半導体能動膜３等を形成するためのレジストパター
ンを形成する。第２のフォトリソグラフィープロセスで
は、ハーフトーン露光が用いられる。ハーフトーン露光
について、発明の実施の形態２において説明した通りで
ある。また、この工程も発明の実施の形態２において説
明した通りであるため説明を省略する。このようにし
て、図４（ｂ）に示す構造が形成される。
【００７２】その後１３０℃から１４０℃でオーブンベ
ークを実施した後、（ＮＨ4）2［Ｃｅ（ＮＯ3）6］＋Ｈ
ＮＯ3＋Ｈ2Ｏ液を用いてＣｒ膜をエッチングする。
ークを実施した後、（ＮＨ4）2［Ｃｅ（ＮＯ3）6］＋Ｈ
ＮＯ3＋Ｈ2Ｏ液を用いてＣｒ膜をエッチングする。
【００７３】つぎに、プラズマＣＶＤにより第２の絶縁
膜７及び有機膜８を形成する。好適な実施例では、第２
の絶縁膜７として１００ｎｍの膜厚のＳｉＮが用いられ
る。また、有機膜８は、公知の感光性有機膜であり、例
えば、ＪＳＲ製ＰＣ３３５又はＰＣ４０５等が用いられ
る。
膜７及び有機膜８を形成する。好適な実施例では、第２
の絶縁膜７として１００ｎｍの膜厚のＳｉＮが用いられ
る。また、有機膜８は、公知の感光性有機膜であり、例
えば、ＪＳＲ製ＰＣ３３５又はＰＣ４０５等が用いられ
る。
【００７４】つぎに第３のフォトリソグラフィープロセ
スで図３（ｄ）に示す形状にパターニングする。第４の
フォトリソグラフィープロセスでは、ハーフトーン露光
が用いられる。この工程は、発明の実施の形態３で説明
した通りであり、説明を省略する。
スで図３（ｄ）に示す形状にパターニングする。第４の
フォトリソグラフィープロセスでは、ハーフトーン露光
が用いられる。この工程は、発明の実施の形態３で説明
した通りであり、説明を省略する。
【００７５】つぎに、スパッタリングなどの方法で導電
性薄膜９を成膜する。導電性薄膜９としては、液晶表示
装置を透過型で構成する場合には透明導電膜であるＩＴ
Ｏ、ＳｎＯ2などを用いることができ、とくに化学的安
定性の点からＩＴＯが好ましい。好適な実施例では、導
電性薄膜９は、８０ｎｍの膜厚を有するＩＴＯが用いら
れる。
性薄膜９を成膜する。導電性薄膜９としては、液晶表示
装置を透過型で構成する場合には透明導電膜であるＩＴ
Ｏ、ＳｎＯ2などを用いることができ、とくに化学的安
定性の点からＩＴＯが好ましい。好適な実施例では、導
電性薄膜９は、８０ｎｍの膜厚を有するＩＴＯが用いら
れる。
【００７６】つぎに、第４のフォトリソグラフィープロ
セスで導電性薄膜９を図４（ｄ）に示されるように画素
電極等の形状にパターニングする。この工程は、発明の
実施の形態３で説明した通りであり、説明を省略する。
セスで導電性薄膜９を図４（ｄ）に示されるように画素
電極等の形状にパターニングする。この工程は、発明の
実施の形態３で説明した通りであり、説明を省略する。
【００７７】つぎに、スパッタリングなどの方法で第３
の金属薄膜１１を成膜する。この工程も発明の実施の形
態３で説明した通りであり、説明を省略する。さらに、
第５のフォトリソグラフィープロセスで第３の金属薄膜
１１を反射電極の形状にパターニングして、反射電極を
形成する。最終的には、図４（ｅ）で示す構造が形成さ
れる。本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置では、
このように、反射電極１１が導電性薄膜９とが絶縁層を
介さずに設けられている点に特徴を有する。
の金属薄膜１１を成膜する。この工程も発明の実施の形
態３で説明した通りであり、説明を省略する。さらに、
第５のフォトリソグラフィープロセスで第３の金属薄膜
１１を反射電極の形状にパターニングして、反射電極を
形成する。最終的には、図４（ｅ）で示す構造が形成さ
れる。本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置では、
このように、反射電極１１が導電性薄膜９とが絶縁層を
介さずに設けられている点に特徴を有する。
【００７８】以上の工程によりＴＦＴアレイ基板が５工
程のフォトリソグラフィープロセスにより製造され、歩
留りを高くすることができる。
程のフォトリソグラフィープロセスにより製造され、歩
留りを高くすることができる。
【００７９】発明の実施の形態５．図８に本発明の実施
の形態５にかかる半透過型液晶表示装置の構成を示す。
この構成は実施の形態１から４のいずれでも実現可能で
あるが、本実施の形態は、実施の形態１に示すプロセス
フローにより形成させた例について示す。
の形態５にかかる半透過型液晶表示装置の構成を示す。
この構成は実施の形態１から４のいずれでも実現可能で
あるが、本実施の形態は、実施の形態１に示すプロセス
フローにより形成させた例について示す。
【００８０】本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置
では、第１あるいは第２の金属薄膜と透過電極（導電性
薄膜９）の接続部すなわち第１あるいは第２の絶縁膜に
設けられたコンタクトホール部分の少なくとも一部の透
過電極を除去し、この部分を第３の金属薄膜１０あるい
は１１で覆う構造としている。このとき、第３の金属薄
膜１０、１１は、導電性薄膜９及び第１あるいは第２の
金属薄膜の両方に接続されていることを特徴とする。こ
のような構成においては、以下のような効果を有する。
一般的にコンタクトホールを介した透過電極と金属薄膜
の接続抵抗は、コンタクトホールを介した金属薄膜と金
属薄膜の接続抵抗に比べ高くなる。したがって、上記の
ような構成にすることで、透過電極と第１あるいは第２
の金属薄膜との接続抵抗を低減できる。
では、第１あるいは第２の金属薄膜と透過電極（導電性
薄膜９）の接続部すなわち第１あるいは第２の絶縁膜に
設けられたコンタクトホール部分の少なくとも一部の透
過電極を除去し、この部分を第３の金属薄膜１０あるい
は１１で覆う構造としている。このとき、第３の金属薄
膜１０、１１は、導電性薄膜９及び第１あるいは第２の
金属薄膜の両方に接続されていることを特徴とする。こ
のような構成においては、以下のような効果を有する。
一般的にコンタクトホールを介した透過電極と金属薄膜
の接続抵抗は、コンタクトホールを介した金属薄膜と金
属薄膜の接続抵抗に比べ高くなる。したがって、上記の
ような構成にすることで、透過電極と第１あるいは第２
の金属薄膜との接続抵抗を低減できる。
【００８１】以上の構成により、ＴＦＴアレイ基板にお
ける各配線と透過電極の接続抵抗が低減でき、接続抵抗
の増加により生じる表示不良を抑制でき、歩留りを高く
することができる。
ける各配線と透過電極の接続抵抗が低減でき、接続抵抗
の増加により生じる表示不良を抑制でき、歩留りを高く
することができる。
【００８２】発明の実施の形態６．図９に本発明の実施
の形態６にかかる半透過型液晶表示装置の構成を示す。
この構成は、実施の形態１から４のいずれでも実現可能
であるが、この実施の形態６では、実施の形態１のプロ
セスフローにより形成させた例について示す。
の形態６にかかる半透過型液晶表示装置の構成を示す。
この構成は、実施の形態１から４のいずれでも実現可能
であるが、この実施の形態６では、実施の形態１のプロ
セスフローにより形成させた例について示す。
【００８３】本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置
では、画素部において有機膜上の透過電極（導電性薄膜
９）が第３の金属薄膜１０、１１により包含されている
ことを特徴とする。このような構成においては、以下の
効果を有する。一般的に有機膜上に形成される透過電極
（導電性薄膜９）と、その透過電極上に絶縁膜を介さず
に形成される金属薄膜の密着力は、有機膜上に直接形成
された金属薄膜より低く、以降の製造工程中に有機膜上
の透過電極と、その透過電極上に形成された金属薄膜が
剥離する問題が生じる。この課題に対し、本実施の形態
のような構成をとることで金属薄膜の剥離が著しく改善
する。好適な例としては、透過電極を１μｍ以上金属薄
膜の内側に包含する構成がよい。なお、絶縁基板上の透
過電極と、金属薄膜の密着力は良好であり、透過部開口
部では透過電極と金属薄膜の剥離の問題は生じない。
では、画素部において有機膜上の透過電極（導電性薄膜
９）が第３の金属薄膜１０、１１により包含されている
ことを特徴とする。このような構成においては、以下の
効果を有する。一般的に有機膜上に形成される透過電極
（導電性薄膜９）と、その透過電極上に絶縁膜を介さず
に形成される金属薄膜の密着力は、有機膜上に直接形成
された金属薄膜より低く、以降の製造工程中に有機膜上
の透過電極と、その透過電極上に形成された金属薄膜が
剥離する問題が生じる。この課題に対し、本実施の形態
のような構成をとることで金属薄膜の剥離が著しく改善
する。好適な例としては、透過電極を１μｍ以上金属薄
膜の内側に包含する構成がよい。なお、絶縁基板上の透
過電極と、金属薄膜の密着力は良好であり、透過部開口
部では透過電極と金属薄膜の剥離の問題は生じない。
【００８４】以上の構成により、ＴＦＴアレイ基板にお
ける透過電極と第３の金属薄膜の剥離を抑制でき、歩留
りを高くすることができる。
ける透過電極と第３の金属薄膜の剥離を抑制でき、歩留
りを高くすることができる。
【００８５】
【発明の効果】本発明によれば、簡易な製造工程により
高歩留りを実現する液晶表示装置及びその製造方法を提
供することができる。
高歩留りを実現する液晶表示装置及びその製造方法を提
供することができる。
【図１】本発明の実施の形態１にかかる液晶表示装置の
プロセスフローを示す図である。
プロセスフローを示す図である。
【図２】本発明の実施の形態２にかかる液晶表示装置の
プロセスフローを示す図である。
プロセスフローを示す図である。
【図３】本発明の実施の形態３にかかる液晶表示装置の
プロセスフローを示す図である。
プロセスフローを示す図である。
【図４】本発明の実施の形態４にかかる液晶表示装置の
プロセスフローを示す図である。
プロセスフローを示す図である。
【図５】有機膜の塗布、露光及び現像により凹凸を形成
する場合の原理図である。
する場合の原理図である。
【図６】本発明において用いられるハーフトーンマスク
の構成例を示す図である。
の構成例を示す図である。
【図７】その他の実施の形態にかかる液晶表示装置のプ
ロセスフローを示す図である。
ロセスフローを示す図である。
【図８】本発明の実施の形態５にかかる液晶表示装置の
断面図である。
断面図である。
【図９】本発明の実施の形態６にかかる液晶表示装置の
断面図である。
断面図である。
１ 第１の金属薄膜 ２ 第１の絶縁膜
３ 半導体能動膜 ４ オーミックコンタクト膜
５ ソース電極 ６ ドレイン電極
７ 第２の絶縁膜 ８ 有機膜
９ 導電性薄膜 １０，１１ 第３の金属薄膜
フロントページの続き
(72)発明者 庭野 泰則
熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株
式会社アドバンスト・ディスプレイ内
Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FA41Z FB06 FB08
GA01 GA03 HA06 LA12
2H092 GA13 GA17 HA04 HA05 JA24
JB05 KA18 KB14 KB25 MA05
NA27 NA29 QA05 RA10
Claims (17)
- 【請求項１】液晶層を挟んで互いに対向して配置された
１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する反
射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１画
素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置であっ
て、 前記画素電極を構成する前記反射電極と前記透過電極と
が絶縁層を介さずに設けられたことを特徴とする液晶表
示装置。 - 【請求項２】前記反射電極は、最上層に設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】前記反射電極は、パターン形成前に当該反
射電極を覆う導電性材料を形成し、パターン形成後に当
該導電性材料を除去することにより形成されていること
を特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】前記反射電極は、アルミニウムを含む材料
により構成され、前記導電性材料は、クロム、モリブデ
ン、タンタル、タングステンのいずれかを含む材料によ
り構成されたことを特徴とする請求項３記載の液晶表示
装置。 - 【請求項５】前記透過電極と第１の金属薄膜の間の接続
部又は前記透過電極と第２の金属薄膜の間の接続部にお
いて、当該透過電極は一部において除去され、その部分
が反射電極により覆われ、当該反射電極が前記第１の金
属薄膜又は第２の金属薄膜に接続されていることを特徴
とする請求項１、２、３又は４記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】画素部において、前記透過電極が前記反射
電極により包含されていることを特徴とする請求項１、
２、３、４又は５記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】画素部において、前記透過電極部に存在す
る段差部が前記反射電極により覆われていることを特徴
とする請求項１、２、３、４、５または６記載の液晶表
示装置。 - 【請求項８】画素部において、前記段差部が前記反射電
極により２から６μｍ覆われていることを特徴とする請
求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】画素部において、ＴＦＴ部の半導体膜がソ
ース配線下部まで連続形状で残存させたことを特徴とす
る請求項１、２、３、４、５、６、７，８または９記載
の液晶表示装置。 - 【請求項１０】液晶層を挟んで互いに対向して配置され
た１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する
反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１
画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造
方法であって、 透過電極を形成するステップと、 形成された前記透過電極上に反射電極を絶縁層を介さず
に形成するステップを備えた液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】前記反射電極を形成するステップは、 パターン形成前に当該反射電極を覆う導電性材料を形成
するステップと、 パターン形成後に当該導電性材料を除去するステップと
を備えたことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１２】前記反射電極は、アルミニウムを含む材
料により構成され、前記導電性材料は、クロム、モリブ
デン、タンタル、タングステンのいずれかを含む材料に
より構成されたことを特徴とする請求項１１記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】液晶層を挟んで互いに対向して配置され
た１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する
反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１
画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造
方法であって、 絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニングす
るステップと、 第１の絶縁膜、半導体能動膜、オーミックコンタクト
膜、第２の金属薄膜を成膜するステップと、 ハーフトーン露光を用いてレジストパターンを形成する
ステップと、 前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の
金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ
とを備えた請求項１０、１１、または１２記載の液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項１４】前記半導体能動膜、オーミックコンタク
ト膜及び第２の金属薄膜をエッチングによりパターニン
グするステップ後に、第２の絶縁膜を形成するステップ
と、 ハーフトーン露光を用いて凹凸パターンを形成するステ
ップと、 前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングにより
パターニングするステップとをさらに備えたことを特徴
とする請求項１０、１１、または１２記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１５】液晶層を挟んで互いに対向して配置され
た１対の基板のうちの一方の基板上に、外光を反射する
反射電極と背面光源からの光を透過する透過電極とを１
画素内に構成する画素電極を備えた液晶表示装置の製造
方法であって、 絶縁基板上に第１の金属薄膜を形成し、パターニングす
るステップと、 第１の絶縁膜、半導体能動膜、オーミックコンタクト
膜、第２の金属薄膜を成膜するステップと、 前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の
金属薄膜を成膜するステップと、 ハーフトーン露光を用いてレジストパターンを形成する
ステップと、 前記半導体能動膜、オーミックコンタクト膜及び第２の
金属薄膜をエッチングによりパターニングするステップ
後に、第２の絶縁膜を形成するステップと、 ハーフトーン露光を用いて凹凸パターンを形成するステ
ップと、 前記第１の絶縁膜及び第２の絶縁膜をエッチングにより
パターニングするステップを備えたことを特徴とする請
求項１０、１１、または１２記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項１６】前記透過電極および反射電極を形成する
ステップは、 非晶質ＩＴＯを形成するステップと、非晶質ＩＴＯをパ
ターニングするステップと、非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴ
Ｏにするステップと、反射電極を形成するステップとを
備えたことを特徴とする請求項１１、１２、１３、１４
又は１５記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１７】前記非晶質ＩＴＯを結晶化ＩＴＯにする
ステップにおいて、２００℃以上に加熱することでＩＴ
Ｏの結晶化を行なうことを特徴とする請求項１６記載の
液晶表示装置の製造方法。
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