JP2003229505A - 圧電デバイスのリッド、圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス - Google Patents

圧電デバイスのリッド、圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス

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JP2003229505A JP2002028758A JP2002028758A JP2003229505A JP 2003229505 A JP2003229505 A JP 2003229505A JP 2002028758 A JP2002028758 A JP 2002028758A JP 2002028758 A JP2002028758 A JP 2002028758A JP 2003229505 A JP2003229505 A JP 2003229505A
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Shuichi Iguchi
修一 井口
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 リッドのシーム溶接に伴う圧電デバイスの周
波数シフト量を低減させることが可能な、圧電デバイス
のリッドの提供を目的とする。 【解決手段】 線膨張係数の小さいインバー材料または
スーパーインバー材料によりリッド本体１１を形成する
一方で、リッド本体１１の表面に、電解ニッケルメッキ
により下層膜１３を形成するとともに、無電解ニッケル
メッキにより上層膜１５を形成した。これにより、無電
解ニッケルメッキの融点までリッドの温度を上昇させれ
ば、リッドをシーム溶接することができるので、シーム
溶接時におけるリッドの熱膨張量が小さくなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電デバイスのリ
ッド、圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイスに関す
るものであり、特にＳＡＷチップを実装する圧電デバイ
スのリッド、圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイス
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気回路において一定の周波数を得るた
め、圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスが広く利
用されている。圧電デバイスは、圧電振動片をパッケー
ジの内部に実装するとともに、圧電振動片の励振電極に
対して通電可能な外部端子をパッケージの外部に形成し
たものである。
【０００３】図３及び図４には、ＳＡＷチップ２０をパ
ッケージ３０の内部に実装したＳＡＷデバイス１の例を
示している。なお、図３は図４のＡ−Ａ線における平面
断面図であり、図４は図３のＢ−Ｂ線における正面断面
図である。ＳＡＷデバイス１では、パッケージ３０にリ
ッド（蓋部材）１１０を固着して、パッケージ３０の内
部を窒素雰囲気又は真空等に封止することにより、ＳＡ
Ｗデバイス１の周波数の径時変化を防止している。図７
に従来技術に係るリッドの断面図を示す。リッド１１０
は、コバール等の金属材料でリッド本体１１１を形成す
るとともに、リッド本体１１１の表面に電解ニッケルメ
ッキ又は無電解ニッケルメッキ１１３を施して、リッド
本体１１１の腐食によるリークの発生を防止している。
【０００４】一方、図４に示すように、パッケージ３０
に対するリッド１１０の固着は、シーム溶接等により行
う。すなわち、ローラ電極４０をリッド１１０の周縁部
に当接させて電流を流し、リッド１１０の温度を上昇さ
せて表面の電解ニッケルメッキ又は無電解ニッケルメッ
キを溶解させることにより、リッド１１０とシームリン
グ３４とを固着している。なお、ローラ電極４０を回転
させつつ、リッド１１０の周縁部に沿って移動させるこ
とにより、リッド１１０の全周をパッケージに固着す
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したシーム溶接の
うち、例えば電解ニッケルメッキを溶解させる場合に
は、電解ニッケルメッキの融点である１４５０℃程度に
まで、リッド１１０の温度を上昇させる必要がある。な
お、シーム溶接時にはリッド１１０の温度のみが上昇
し、シームリング３４やパッケージ３０の温度上昇は少
ないので、リッド１１０のみが矢印１８のように熱膨張
した状態でシームリング３４に固着される。その結果図
８に示すように、リッド１１０の温度が低下し矢印１９
のように熱収縮するに伴って、パッケージ３０に曲げモ
ーメントが作用することになる。これにより、パッケー
ジ３０に実装されたＳＡＷチップ２０にも曲げモーメン
トが作用し、ＳＡＷチップ２０の表面に形成された櫛歯
状のＩＤＴ電極２４（図３参照）のピッチが狭くなっ
て、周波数がプラス方向にシフトするという問題があ
る。また、この熱変形を低減させるために、融点の低い
無電解ニッケルメッキ（融点７５０℃）を使用する場合
には、リッドの耐腐食性を極端に低下させてしまうとい
う問題がある。
【０００６】本発明は上記問題点に着目し、リッドのシ
ーム溶接に伴う圧電デバイスの周波数シフト量を低減さ
せることが可能な、圧電デバイスのリッド、圧電デバイ
スの製造方法及び圧電デバイスの提供を目的とする。ま
た本発明は、リッドの耐腐食性を確保することが可能
な、圧電デバイスのリッド、圧電デバイスの製造方法及
び圧電デバイスの提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る圧電デバイスのリッドは、圧電デバイ
スのパッケージを封止するリッドであって、リッド本体
の表面に、耐腐食材料により下層膜を形成するととも
に、前記下層膜より融点の低い材料により上層膜を形成
した。
【０００８】この場合、上層膜の融点までリッドの温度
を上昇させれば、シーム溶接が可能となる。これによ
り、シーム溶接時におけるリッドの熱膨張量が低下し、
シーム溶接後におけるリッドの熱収縮量も低下する。従
って、リッドのシーム溶接に伴う圧電デバイスの周波数
シフト量を低減させることができる。また、上層膜の融
点までリッドの温度を上昇させても、これより融点の高
い下層膜は溶解しない。従って、リッドの耐腐食性を確
保することができる。また、圧電デバイスのパッケージ
を封止するリッドであって、リッド本体の表面に、電解
ニッケルメッキにより下層膜を形成するとともに、無電
解ニッケルメッキにより上層膜を形成した。
【０００９】この場合、無電解ニッケルメッキの融点で
ある７５０℃程度までリッドの温度を上昇させればシー
ム溶接が可能となる。これにより、シーム溶接時におけ
るリッドの熱膨張量が低下し、シーム溶接後におけるリ
ッドの熱収縮量も低下する。従って、リッドのシーム溶
接に伴う圧電デバイスの周波数シフト量を低減させるこ
とができる。また、無電解ニッケルメッキの融点である
７５０℃までリッドの温度を上昇させても、融点が１４
５０℃である電解ニッケルメッキは溶解しない。従っ
て、リッドの耐腐食性を確保することができる。
【００１０】なお前記リッド本体を、インバー材料又は
スーパーインバー材料で形成してもよい。インバー材料
又はスーパーインバー材料は、従来のリッドに使用され
ていたコバール材料より線膨張係数が小さいので、シー
ム溶接時におけるリッドの熱膨張量が低下するととも
に、シーム溶接後におけるリッドの熱収縮量も低下す
る。従って、リッドのシーム溶接に伴う圧電デバイスの
周波数シフト量を低減させることができる。
【００１１】一方、本発明に係る圧電デバイスの製造方
法は、請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電デバイ
スのリッドを使用し、前記上層膜のみを溶融させて、前
記リッドを前記パッケージに固着する構成とした。これ
により、リッドのシーム溶接に伴う圧電デバイスの周波
数シフト量を低減させることができる。また、リッドの
耐腐食性を確保することができる。
【００１２】一方、本発明に係る圧電デバイスは、請求
項１ないし３のいずれかに記載の圧電デバイスのリッド
を使用して製造した構成とした。また、請求項４に記載
の圧電デバイスの製造方法を使用して製造した構成とし
た。これにより、所定周波数の圧電デバイスを提供する
ことができる。また、耐腐食性に優れた圧電デバイスを
提供することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明に係る圧電デバイスのリッ
ド、圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイスの好まし
い実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。な
お以下に記載するのは本発明の実施形態の一態様にすぎ
ず、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１４】図１に実施形態に係る圧電デバイスのリッ
ドの断面図を示す。本実施形態に係る圧電デバイスのリ
ッド１０は、インバー材料によりリッド本体１１を形成
する一方で、リッド本体１１の表面に、電解ニッケルメ
ッキにより下層膜１３を形成するとともに、無電解ニッ
ケルメッキにより上層膜１５を形成したものである。
【００１５】従来のリッド本体がコバール材料により形
成されていたのに対して、本実施形態に係るリッド本体
１１はインバー材料により形成する。具体的には、イン
バー材料の鋼板からプレス加工によりブランクを形成
し、さらにバリレス加工を行って、リッド本体１１を形
成する。なおリッド本体１１は、スーパーインバー材料
により形成してもよい。表１に各材料の組成比及び線膨
張係数を示す。
【表１】
【００１６】また、従来のリッドがリッド本体の表面に
電解ニッケルメッキ又は無電解ニッケルメッキのどちら
か一方を施していたのに対して、本実施形態ではリッド
本体１１の表面に、電解ニッケルメッキにより下層膜１
３を形成するとともに、無電解ニッケルメッキにより上
層膜１５を形成する。電解ニッケルメッキは、外部電源
からリッドを介して電子を供給することにより、溶液中
のニッケルイオンをリッド表面上に析出させるものであ
る。ニッケルイオン源として硫酸ニッケル等を使用す
る。電解ニッケルメッキは析出物の延性が高く、耐腐食
性に優れたメッキを得ることができるが、析出物の融点
が高くなるという問題がある。
【００１７】一方、無電解ニッケルメッキは、溶液中の
還元剤から電子を供給することにより、溶液中のニッケ
ルイオンをリッド表面上に析出させるものである。ニッ
ケルイオン源として硫酸ニッケル等を使用し、還元剤と
して次亜りん酸塩等を使用する。無電解ニッケルメッキ
では析出物の延性が低下するので、マイクロクラックが
発生しやすく、電解ニッケルメッキに比べて耐腐食性は
劣るが、低融点の析出物が得られる。表２に、電解ニッ
ケルメッキ及び無電解ニッケルメッキの耐腐食性及び融
点の評価を示す。なお、表２中の耐腐食性は、塩水噴霧
試験（８日間）にて、錆発生のない場合を１０点、表面
積の５０％に錆発生した場合を０点として評価したもの
である。
【表２】
【００１８】そこで本実施形態では、上記のように形成
したリッド本体１１を洗浄及び乾燥した後に、その表面
に電解ニッケルメッキにより下層膜１３を形成する。下
層膜の厚さは、２〜３μｍ程度に、好ましくは２．５μ
ｍ程度に形成する。なお、Ｚｎ−Ｐメッキにより下層膜
を形成することも可能である。さらに、これを洗浄及び
乾燥した後に、その表面に無電解ニッケルメッキにより
上層膜１５を形成する。上層膜の厚さは、３〜５μｍ程
度に、好ましくは４μｍ程度に形成する。このように、
二重メッキを施したリッド１０を形成する。なお、リッ
ド表面に不純物が存在すると、シーム溶接時の温度上昇
により不純物がガス化して、ＳＡＷチップの表面に付着
することにより、ＳＡＷデバイスの周波数をシフトさせ
る原因となる。そこで、最後にリッドの洗浄及び乾燥を
行って、表面に付着する不純物を取り除くことが望まし
い。
【００１９】次に、上述した本実施形態に係るリッドを
使用して、ＳＡＷデバイスを製造する方法について説明
する。図２にＳＡＷデバイスの製造方法のフローチャー
トを示す。まず、ＳＡＷチップを形成する。具体的に
は、図３に示すように、水晶等の圧電材料からなる圧電
基板のＳＡＷ伝搬面２２に、アルミ等の金属材料により
ＩＤＴ電極２４を形成する。ＩＤＴ電極２４は、櫛歯状
の正極側電極および負極側電極からなり、両電極の電極
指を交互に組み合わせ平行に配置する。なおＳＡＷチッ
プ２０では、ＩＤＴ電極２４の電極指のピッチと同一波
長の弾性表面波が励振される。また、ＩＤＴ電極２４の
側部には、ＩＤＴ電極２４に通電する電極パッド２５を
形成する。さらに、ＩＤＴ電極２４の両端部には、弾性
表面波の反射器２６を形成する。
【００２０】また、ＳＡＷチップを実装するパッケージ
を形成する。パッケージ３０は、図４に示すように、所
定形状にブランクしたセラミックシートを積層し、焼成
することによって形成する。なお、パッケージ３０の中
央部には、ＳＡＷチップ２０を実装するキャビティ３２
を設ける。また、キャビティ３２の内面には配線パター
ンを形成し、パッケージの外部端子（不図示）との導通
を確保する。そして、キャビティ３２の開口縁部には、
シームリング３４を固定する。シームリング３４はコバ
ール材料等で形成し、Ｎｉ下付けＡｕメッキを施す。
【００２１】そして、ＳＡＷチップ２０のダイアタッチ
を行う（Ｓ７０）。具体的には、パッケージ３０におけ
るキャビティ３２の底部に、接着剤２８を介して、ＳＡ
Ｗチップ２０を実装する。なお、接着剤２８には、硬化
後に弾性を示すシリコーン系又はポリブタジェンゴム系
等の接着剤を使用するのが好ましい。また、接着剤２８
は厚く塗布するのが好ましい。さらに、接着剤２８は、
ＳＡＷチップ２０の裏面中央部に相当する部分に小範囲
で塗布するのが好ましい。これらにより、パッケージが
変形した場合でも、それに伴うＳＡＷチップの変形量が
少なくなり、周波数のシフト量を低減させることができ
る。
【００２２】次に、ＳＡＷチップ２０のワイヤボンディ
ングを行う（Ｓ７２）。具体的には、実装したＳＡＷチ
ップ２０の電極パッドと、パッケージ３０の配線パター
ンとを、アルミ線２９等で接続する。これにより、パッ
ケージ３０の外部端子（不図示）から、ＳＡＷチップ２
０のＩＤＴ電極に対して通電可能となる。
【００２３】次に、ＳＡＷチップ２０の周波数調整を行
う（Ｓ７４）。具体的には、ＳＡＷチップ２０の周波数
を測定しつつ、ＩＤＴ電極を形成した圧電基板をエッチ
ングすることにより、周波数を目標値に一致させる。圧
電基板のエッチングは、ドライエッチングにより行う。
なお、エッチングガスとして、Ｃ4Ｆ8等のＣＦ系ガス
や、ＳＦ6等のＳＦ系ガスなどの、フッ素を含むガスを
使用することができる。このエッチングガスをプラズマ
化してフッ素ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルで
圧電基板を処理することによりエッチングを行う。
【００２４】次に、パッケージ３０の内部を窒素雰囲気
に封止する（Ｓ７６）。具体的には、まずシーム溶接装
置を窒素雰囲気に保持し、ＳＡＷチップ２０を実装した
パッケージ３０を溶接作業位置にセットする（Ｓ７
８）。次に、上記のように構成した本実施形態に係るリ
ッド１０を、パッケージ３０に載置する（Ｓ８０）。そ
のとき、リッド１０の周縁部全周をシームリング３４の
表面上に配置して、キャビティ３２の開口部を閉塞す
る。なお、パッケージ３０の内部は真空に封止してもよ
い。
【００２５】次に、リッドをシーム溶接する（Ｓ８
２）。図５にシーム溶接工程の説明図を示す。なお図５
は、図４のＣ部の拡大図である。具体的には、図５に示
すように、ローラ電極４０の側面をリッド１０の周縁部
に当接させ、ローラ電極４０から電流を流す。すると、
ローラ電極４０とリッド１０との間や、リッド１０とシ
ームリング３４との間など、電気抵抗の高い部分が発熱
し、リッド１０の温度が上昇する。なお、無電解ニッケ
ルメッキの融点である７５０℃程度にまでリッド１０の
温度が上昇するように、ローラ電極４０の電流を調整す
る。この温度上昇により、無電解ニッケルメッキにより
リッド１０の表面に形成した上層膜１５が溶解し、これ
が封止材料となってリッド１０とシームリング３４との
間が気密封止される。なお、電解ニッケルメッキにより
形成された下層膜１３は、融点が１４５０℃であるため
溶解しない。また、線膨張係数の小さいインバー材料又
はスーパーインバー材料によりリッド本体１１を形成し
たので、リッド１０は温度上昇に伴って大きく膨張する
ことなくシームリングに固着される。
【００２６】そして、ローラ電極４０を回転させつつ、
リッド１０の周縁部に沿って移動させることにより、リ
ッド１０とシームリング３４との間を全周にわたって気
密封止する。以上により、パッケージ３０の内部が窒素
雰囲気に封止される。最後に、ＳＡＷデバイスの電気的
特性等についての検査を行う（Ｓ８４）。以上により、
ＳＡＷデバイスが完成する。
【００２７】上述した本実施形態に係る圧電デバイスの
リッドにより、ＳＡＷデバイスの周波数シフト量を低減
させることができる。この点、従来のリッドは、リッド
本体の表面に電解ニッケルメッキのみを施していたの
で、リッドのシーム溶接時には、電解ニッケルメッキの
融点である１４５０℃程度にまでリッドの温度を上昇さ
せる必要があった。このとき、リッドの温度は１４５０
℃程度にまで上昇するが、シームリングは４００℃程度
にとどまり、パッケージの温度はほとんど上昇しない。
従って、リッドのみが熱膨張した状態でシームリングに
固着される。その結果、図８に示すように、リッド１０
の温度が低下し矢印１９のように熱収縮するに伴って、
パッケージ３０に曲げモーメントが作用することにな
る。これにより、パッケージ３０に実装されたＳＡＷチ
ップ２０にも曲げモーメントが作用し、ＳＡＷチップ２
０の表面に形成された櫛歯状ＩＤＴ電極のピッチが狭く
なって、周波数がプラス方向にシフトするという問題が
ある。
【００２８】しかし、本実施形態に係る圧電デバイスの
リッドは、リッド本体の表面に、電解ニッケルメッキに
より下層膜を形成するとともに、無電解ニッケルメッキ
により上層膜を形成した構成とした。この場合、無電解
ニッケルメッキの融点である７５０℃程度までリッドの
温度を上昇させればシーム溶接が可能となる。これによ
り、シーム溶接時におけるリッドの熱膨張量が低下し、
シーム溶接後におけるリッドの熱収縮量も低下し、ＳＡ
Ｗチップに作用する曲げモーメントを低減させることが
できる。従って、ＳＡＷデバイスの周波数シフト量を低
減させることができる。また、周波数シフト量のばらつ
きも低減させることができる。
【００２９】なお、リッド本体の表面に無電解ニッケル
メッキのみを施した場合には、リッドの耐腐食性の確保
が困難となる。すなわち、シーム溶接により無電解ニッ
ケルメッキが溶解し、ローラ電極との当接部には薄膜が
残るのみとなるが、無電解ニッケルメッキは延性が低い
ため薄膜部分でマイクロクラックが発生し、当該部分か
らリッド本体が腐食するおそれがある。なお、その腐食
がリッドを貫通しパッケージの内部と外部とがリークす
ると、ＳＡＷチップの表面に不純物が付着して、ＳＡＷ
デバイスの周波数が変化することになる。
【００３０】しかし、本実施形態に係る圧電デバイスの
リッドでは、リッド本体の表面に、電解ニッケルメッキ
により下層膜を形成するとともに、無電解ニッケルメッ
キにより上層膜を形成した構成とした。これにより、シ
ーム溶接時に、無電解ニッケルメッキの融点である７５
０℃までリッドの温度を上昇させても、融点が１４５０
℃である電解ニッケルメッキは溶解しない。従って、リ
ッドの耐腐食性を確保することができる。
【００３１】なお、一般にメッキでは不可避的にピンホ
ールが発生するので、リッド本体に至るピンホールを通
してリッドが腐食するおそれがある。しかし本実施形態
では、リッド本体に二重メッキを施したので、リッド本
体に至るピンホールの発生確率を大幅に低減することが
できる。従って、リッドの耐腐食性を確保することがで
きる。
【００３２】なお、シーム溶接工程では、パッケージに
対して、積層したリッド群からリッドを１個ずつ自動供
給する。しかし、リッドが磁性を帯びると、隣接するリ
ッドが相互に密着して、リッドの自動供給が困難にな
る。しかし、本実施形態に係る圧電デバイスのリッドで
は、上層膜を構成する無電解ニッケルメッキが非磁性体
であることから、隣接するリッド相互の密着を防止する
ことができる。これにより、リッドの自動供給が可能と
なる。
【００３３】また、本実施形態に係る圧電デバイスのリ
ッドは、リッド本体を、インバー材料又はスーパーイン
バー材料で形成した構成とした。インバー材料又はスー
パーインバー材料は、従来のリッドに使用されていたコ
バール材料より線膨張係数が小さいので、シーム溶接時
におけるリッドの熱膨張量が低下するとともに、シーム
溶接後におけるリッドの熱収縮量も低下し、ＳＡＷチッ
プに作用する曲げモーメントを低減させることができ
る。従って、圧電デバイスの周波数シフト量を低減させ
ることができる。
【００３４】なお、表１に示すように、インバー材料及
びスーパーインバー材料はＦｅを多く含むため、コバー
ル材料に比べて腐食しやすいという性質を有する。しか
し本実施形態では、インバー材料又はスーパーインバー
材料からなるリッド本体に二重メッキを施したので、リ
ッド本体の腐食を有効に防止することができる。
【００３５】本願発明者は、リッド本体の材質及びメッ
キ方法の異なる複数のリッドを、パッケージにシーム溶
接して、周波数シフト量を測定した。その結果を図６に
示す。図６では、コバール材料からなるリッド本体の表
面に、電解ニッケルメッキのみを施した従来技術に係る
リッドの場合には、周波数がプラス側に大きくシフト
し、なおかつばらついている。しかし、スーパーインバ
ー材料からなるリッド本体の表面に、電解ニッケルメッ
キにより下層膜を形成し、無電解ニッケルメッキにより
上層膜を形成した本実施形態に係るリッドの場合には、
周波数のシフト量が小さく、なおかつばらつきも小さく
なっている。これにより、上述した本実施形態に係るリ
ッドの有する優れた効果が確認された。
【００３６】なお、上述した実施形態では、本発明に係
る圧電デバイスのリッドを、ＳＡＷデバイスのリッドに
適用した場合を例にして説明したが、本発明に係る圧電
デバイスのリッドは、例えばＡＴカット圧電振動片を実
装した圧電デバイスのリッドに適用することも可能であ
る。特に、ＡＴカット圧電振動片の両端部をパッケージ
に固定した圧電デバイスの場合には、リッドの熱収縮に
伴って圧電振動片も変形し得るので、本発明に係る圧電
デバイスのリッドを使用することにより、周波数シフト
量を低減させることができる。
【００３７】
【発明の効果】圧電デバイスのパッケージを封止するリ
ッドであって、リッド本体の表面に、耐腐食材料により
下層膜を形成するとともに、前記下層膜より融点の低い
材料により上層膜を形成したので、リッドのシーム溶接
に伴う圧電デバイスの周波数シフト量を低減させること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態に係るＳＡＷデバイスのリッドの断
面図である。
【図２】 ＳＡＷデバイスの製造方法のフローチャート
である。
【図３】 ＳＡＷデバイスの説明図であり、図４のＡ−
Ａ線における平面断面図である。
【図４】 ＳＡＷデバイスの説明図であり、図３のＢ−
Ｂ線における正面断面図である。
【図５】 シーム溶接工程の説明図であり、図４のＣ部
の拡大図である。
【図６】 周波数シフト量の測定結果のグラフである。
【図７】 従来技術に係るＳＡＷデバイスのリッドの断
面図である。
【図８】 リッドの熱収縮による周波数変化の説明図で
ある。
【符号の説明】
１………ＳＡＷデバイス、１０………リッド、１１……
…リッド本体、１３………下層膜、１５………上層膜、
１８，１９………矢印、２０………ＳＡＷチップ、２２
………ＳＡＷ伝搬面、２４………ＩＤＴ電極、２５……
…電極パッド、２６………反射器、２８………接着剤、
２９………アルミ線、３０………パッケージ、３２……
…キャビティ、３４………シームリング、４０………ロ
ーラ電極、１１０………リッド、１１１………リッド本
体、１１３………電解ニッケルメッキ。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１５年３月２４日（２００３．３．２
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】従来のリッド本体がコバール材料により形
成されていたのに対して、本実施形態に係るリッド本体
１１はインバー材料により形成する。具体的には、イン
バー材料の鋼板からプレス加工によりブランクを形成
し、さらにバリレス加工を行って、リッド本体１１を形
成する。なおリッド本体１１は、スーパーインバー材料
により形成してもよい。表１に各材料の組成比及び線膨
張係数を示す。
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０３Ｈ 3/08 Ｈ０１Ｌ 41/22 Ｚ 9/25 41/18 １０１Ａ

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 圧電デバイスのパッケージを封止するリ
    ッドであって、 リッド本体の表面に、耐腐食材料により下層膜を形成す
    るとともに、前記下層膜より融点の低い材料により上層
    膜を形成したことを特徴とする圧電デバイスのリッド。
  2. 【請求項２】 圧電デバイスのパッケージを封止するリ
    ッドであって、 リッド本体の表面に、電解ニッケルメッキにより下層膜
    を形成するとともに、無電解ニッケルメッキにより上層
    膜を形成したことを特徴とする圧電デバイスのリッド。
  3. 【請求項３】 前記リッド本体を、インバー材料又はス
    ーパーインバー材料で形成したことを特徴とする、請求
    項１または２に記載の圧電デバイスのリッド。
  4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の圧
    電デバイスのリッドを使用し、前記上層膜のみを溶融さ
    せて、前記リッドを前記パッケージに固着することを特
    徴とする圧電デバイスの製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１ないし３のいずれかに記載の圧
    電デバイスのリッドを使用して製造したことを特徴とす
    る圧電デバイス。
  6. 【請求項６】 請求項４に記載の圧電デバイスの製造方
    法を使用して製造したことを特徴とする圧電デバイス。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006221890A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電池
JP2007095812A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Pioneer Electronic Corp 電子部品用筐体、レーザ溶接装置、レーザ溶接方法
JP2010186691A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Seiko Instruments Inc 電気化学セル

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006221890A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電池
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