JP2014143289A - 電子デバイスの製造方法、電子デバイス及び発振器 - Google Patents

電子デバイスの製造方法、電子デバイス及び発振器 Download PDF

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Abstract

【課題】貫通電極の腐食を防止し電子デバイスを短時間で製造する。
【解決手段】電子デバイス１の製造方法は、絶縁性のベース基板２に貫通電極３を形成する貫通電極形成工程Ｓ１と、ベース基板２の一方の表面ＵＳに電子素子５を実装する電子素子実装工程Ｓ２と、電子素子５を収容する蓋体６をベース基板２に接合する蓋体設置工程Ｓ３と、ベース基板２の他方の表面ＬＳと、当該表面に露出する貫通電極３の端面Ｍとに導電膜４を形成する導電膜形成工程Ｓ４と、貫通電極３の端面Ｍと端面Ｍの周囲の表面とに導電膜４を残して電極パターン１５を形成する電極パターン形成工程と、電極パターン１５の表面に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極１３を形成する外部電極形成工程Ｓ６と、を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、パッケージに水晶振動子等の電子素子を収容する電子デバイスの製造方法、電子デバイス及びこれを用いた発振器に関する。
従来から、携帯電話や携帯情報端末機には表面実装型の電子デバイスが多く用いられている。このうち、水晶振動子やＭＥＭＳ、ジャイロ、加速度センサ等は、パッケージの内部に中空のキャビティが形成され、このキャビティに水晶振動子やＭＥＭＳ等の電子素子が封入されている。パッケージとしてガラス材料が用いられる。例えばベース基板に電子素子が実装され、その上にガラス蓋が陽極接合により接合されて電子素子が密封される。ガラスどうしの陽極接合は気密性が高くしかも安価であるという利点がある。
図７は、この種の電子デバイスの断面図である（特許文献１の図１）。電子デバイス１０１は、ベース１１０と、ベース１１０に搭載される電子部品１４０と、電子部品１４０を収容してベース１１０に接合されるキャップ１５０を備える。ベース１１０には板厚方向に貫通する貫通電極１２１と、貫通電極１２１に電気的に接続される第一の金属膜１２２と、貫通電極１２１と電子部品１４０とを電気的に接続する回路パターン１３０及び第二の金属膜１２３が形成される。第一の金属膜１２２の外部には金属膜からなる外部電極１６０が形成される。
ここで、貫通電極１２１は鉄−ニッケル系合金が使用される。第一の金属膜１２２として無電解メッキ法により形成される金が使用される。また、貫通電極１２１とベース１１０との間には図示しない低融点ガラスが使用され、熱溶着により気密性を向上させている。低融点ガラスを使用して熱溶着し貫通電極１２１とベース１１０との間の気密性を向上させようとすると、貫通電極１２１の端面に酸化膜が形成され、他の金属との間の導電性が低下する。そこで、貫通電極１２１の熱溶着時に形成される酸化膜を取り除いた後に、貫通電極１２１の端面に第一の金属膜１２２や第二の金属膜１２３を形成して貫通電極１２１の酸化を防止している。
特開２０１１−１５５５０６号公報
特許文献１では、貫通電極１２１として鉄−ニッケル系合金を使用し、貫通電極１２１の酸化防止用の第一の金属膜１２２として金薄膜を使用している。更に、外部電極１６０はスパッタ膜や蒸着膜による金属薄膜、或いは銀ペースト等の導電接着剤により形成している。しかし、外部電極１６０は数μｍの厚さに形成する必要があり、スパッタリング法や蒸着法は成膜速度が遅く、外部電極１６０を形成するのに長時間要する。また、銀ペースト等の導電接着剤により外部電極１６０を形成すると、ピンホール等により水分を完全に遮蔽することが難しい。鉄−ニッケル系合金と金とはイオン化傾向の差が大きいので、貫通電極１２１と第一の金属膜１２２の間に水分等が付着すると、電池効果により貫通電極１２１が腐食し、導電性が低下する原因となる。また、貫通電極１２１とベース１１０との間に低融点ガラスを使用し、貫通電極１２１の端面に無電解メッキ法により第一の金属膜１２２の金薄膜を形成している。低融点ガラスには無電解メッキ法による金薄膜が形成し難いので、貫通電極１２１と第一の金属膜１２２との間の境界部が露出し、腐食が進行しやすい。
本発明の電子デバイスの製造方法は、絶縁性のベース基板に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する電子素子実装工程と、前記電子素子を収容する蓋体を前記ベース基板に接合する蓋体設置工程と、前記ベース基板の他方の表面と、他方の前記表面に露出する前記貫通電極の端面とに導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とに前記導電膜を残して電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、前記電極パターンの表面に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極を形成する外部電極形成工程と、を含むこととした。
また、前記電子素子実装工程及び蓋体設置工程の後に前記外部電極形成工程を行うこととした。
また、前記外部電極形成工程の後に、前記無電解メッキ膜の表面に金属膜を形成する金属膜形成工程を備えることとした。
また、前記貫通電極は鉄−ニッケル系合金であることとした。
また、前記無電解メッキ膜はニッケル膜又は銅膜であることとした。
また、前記金属膜は金薄膜であることとした。
また、前記無電解メッキ膜は厚さが１μｍ〜１０μｍであることとした。
また、前記電子素子は水晶振動片であることとした。
本発明の電子デバイスは、複数の貫通電極が形成される絶縁性のベース基板と、前記ベース基板の一方の表面に実装される電子素子と、前記電子素子を収容し前記ベース基板に接合される蓋体と、を備え、前記ベース基板の他方の表面に露出する前記貫通電極の端面と、前記端面の周囲の他方の前記表面とには外部電極が形成され、前記外部電極は、導電膜と前記導電膜の表面に無電解メッキ法により形成される無電解メッキ膜とを有することとした。
また、前記貫通電極は鉄−ニッケル系合金からなり、前記導電膜は金属膜からなり、前記無電解メッキ膜はニッケル又は銅からなることとした。
本発明の発振器は、上記の電子デバイスと、前記電子デバイスに駆動信号を供給する駆動回路と、を備えることとした。
本発明の電子デバイスの製造方法は、絶縁性のベース基板に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する電子素子実装工程と、電子素子を収容する蓋体をベース基板に接合する蓋体設置工程と、ベース基板の他方の表面と、表面に露出する貫通電極の端面とに導電膜を形成する導電膜形成工程と、貫通電極の端面と端面の周囲の表面とに導電膜を残して電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、電極パターンの表面に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極を形成する外部電極形成工程と、を含むこととした。これにより、貫通電極の腐食を防止した電子デバイスを短時間で製造することができる。
本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの断面模式図である。 本発明の第二実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。 本発明の第二実施形態に係る電子デバイスの製造工程の説明図である。 本発明の第二実施形態に係る電子デバイスの製造工程の説明図である。 本発明の第三実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。 本発明の第四実施形態に係る発振器の上面模式図である。 従来公知の電子デバイスの断面図である。
（第一実施形態）
図１は、本発明の第一実施形態に係る電子デバイス１の断面模式図である。電子デバイス１は、ベース基板２と、その上に接合される蓋体６と、内部に収容される電子素子５とを備える。ベース基板２は、絶縁性を有し、一方の表面ＵＳから他方の表面ＬＳに貫通する複数の貫通電極３を有する。ベース基板２の一方の表面ＵＳには貫通電極３の端面を覆うように配線電極８が形成され、配線電極８の上に金属バンプ１０を介して電子素子５が実装される。蓋体６は、中央に窪みを有し、この窪みに電子素子５を収容してベース基板２の一方の表面ＵＳに接合材９を介して接合される。ベース基板２は、更に、ベース基板２の他方の表面ＬＳに露出する貫通電極３の端面Ｍと、その端面Ｍの周囲の他方の表面ＬＳとに形成される外部電極１３を有する。外部電極１３は、導電膜４と導電膜４の表面に無電解メッキ法により形成される無電解メッキ膜１１が積層される積層構造を有する。
このように、ベース基板２に形成される貫通電極３の他方の表面ＬＳに露出する端面Ｍと、その周囲近傍の他方の表面ＬＳとは、導電膜４により完全に覆われ、更に導電膜４の上面及び側面を含む表面が無電解メッキ膜１１により覆われる。そのため、貫通電極３が水分等に接触せず、腐食が防止される。なお、無電解メッキ膜１１の表面に酸化防止用の金属膜を形成することができ、金属膜は無電解メッキ膜１１の表面を覆うように形成することができる。
ベース基板２は、ガラス、セラミックス、プラスチック、ガラスエポキシ樹脂等を使用することができる。電子素子５は、圧電振動片、ＭＥＭＳ、加速度センサー、発光素子、受光素子、その他の半導体素子を使用することができる。貫通電極３は、コバール、インバー、パーマロイ、４２アロイ、ステンレス鋼等の鉄−ニッケル系合金、その他の金属材料を使用することができる。無電解メッキ膜１１は、ニッケル膜、銅膜、その他の金属膜を使用することができる。
（第二実施形態）
図２は、本発明の第二実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。図３及び図４は、本発明の第一実施形態に係る電子デバイスの製造方法における各工程の説明図である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
図２に示すように、本発明の電子デバイスの製造方法は、貫通電極形成工程Ｓ１と、電子素子実装工程Ｓ２と、蓋体設置工程Ｓ３と、導電膜形成工程Ｓ４と、電極パターン形成工程Ｓ５と、外部電極形成工程Ｓ６とを備える。貫通電極形成工程Ｓ１では、絶縁性のベース基板に板厚方向に貫通電極を形成する。電子素子実装工程Ｓ２では、ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する。蓋体設置工程Ｓ３では、電子素子を収容する蓋体をベース基板に接合する。導電膜形成工程Ｓ４は、ベース基板の他方の表面と、当該他方の表面に露出する貫通電極の端面とに導電膜を形成する。電極パターン形成工程Ｓ５は、貫通電極の端面とその周囲の表面とに導電膜を残し、他の領域から導電膜を除去して電極パターンを形成する。外部電極形成工程Ｓ６では、電極パターンの表面に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極を形成する。
なお、本発明の製造方法は、上記貫通電極形成工程Ｓ１の後であり電子素子実装工程Ｓ２の前に、ベース基板の他方の表面に導電膜形成工程Ｓ４により導電膜を形成し、次に電極パターン形成工程Ｓ５、次に外部電極形成工程Ｓ６を実施し、次に電子素子実装工程Ｓ２においてベース基板の一方の表面に電子素子を実装し、最後に、蓋体設置工程Ｓ３を実施してもよい。また、蓋体設置工程Ｓ３の後であり、導電膜形成工程Ｓ４の前に、ベース基板２の他方の表面を研削又は研磨して貫通電極の端面とベース基板の他方の表面とを面一に形成すると共に端面に形成される酸化膜を除去する研削工程を付加することができる。
これにより、導電膜と貫通電極の間の導電性が低下するのを防止することができる。また、外部電極形成工程Ｓ６の後に、無電解メッキ膜の表面に金属膜を形成する金属膜形成工程Ｓ７を備えることもできる。以下、具体的に説明する。
図３（Ｓ１）は、貫通電極形成工程Ｓ１において、絶縁性のベース基板２に貫通電極３を形成した状態を表す断面模式図である。ベース基板２として、例えばガラス基板、プラスチック基板、ガラスエポキシ樹脂基板等の絶縁性基板を使用することができる。貫通電極３としては、コバール、インバー、パーマロイ、４２アロイ、ステンレス鋼等の鉄−ニッケル系合金、その他の金属材料を使用することができる。ベース基板２としてガラス基板を使用し、貫通電極３としてコバールを使用すれば、熱膨張係数が近似し、信頼性の高いパッケージを構成することができる。以下、ベース基板２としてガラス基板を使用し、貫通電極３として鉄−ニッケル系合金を使用する例について説明する。
ガラスからなるベース基板２を軟化又は溶融し、型成形により貫通孔を形成する。貫通孔に鉄−ニッケル系合金の線材を充填し、加熱・軟化させて線材とガラスとを溶着する。ガラスを冷却後に両面を研磨して平坦化し、貫通電極３の端面Ｍを露出させて酸化膜を除去するとともに、端面Ｍとベース基板２の表面とを面一に形成する。平坦化されたベース基板２は、例えば、厚さが０．２ｍｍ〜１ｍｍである。なお、ベース基板２の貫通孔は、サンドブラスト法やエッチング法により形成することもできる。
図３（Ｓ２）は、電子素子実装工程Ｓ２において、ベース基板２に電子素子５を実装した状態を表す断面模式図である。一方の表面ＵＳに蒸着法やスパッタリング法等により金属膜を形成し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により金属膜のパターニングを行って配線電極８を形成する。配線電極８は、蒸着法やスパッタリング法の他に印刷法により形成してもよい。次に、金属バンプ１０を介して電子素子５をベース基板２に表面実装により設置する。表面実装に代えて、電子素子５をベース基板２の表面に接着剤等により接着し、ワイヤーボンディングにより配線電極８と電子素子５とを電気的に接続してもよい。電子素子５が圧電振動片である場合に、圧電振動片をベース基板２の一方の表面ＵＳに片持ち状に実装することができる。
図３（Ｓ３）は、蓋体設置工程Ｓ３において、ベース基板２の一方の表面ＵＳに蓋体６を接合した状態を表す断面模式図である。蓋体６としてベース基板２と同じ材料、例えばガラス材料を使用することができる。蓋体６は中央に窪みを備え、窪みの上端面には予め接合材９を形成しておく。接合材９として、例えば、蒸着法やスパッタリング法等によりアルミニウム膜、クロム膜、シリコン膜等の導電性膜、又はこれらの複合層を形成する。そして、中央の窪みに電子素子５を収容してベース基板２と蓋体６を陽極接合により接合する。接合の際に周囲を真空にすれば、電子素子５が収容されるパッケージ内部を真空にすることができる。例えば、電子素子５として水晶振動片を使用する場合に、パッケージ内部を真空に維持すれば、水晶振動片の物理的な振動に対する空気抵抗を無くすことができる。なお、ベース基板２と蓋体６との間は、陽極接合の他に用途に応じて金属間接合や接着剤によって接合することもできる。
図３（Ｓ４）は、導電膜形成工程Ｓ４において、ベース基板２の他方の表面ＬＳに導電膜４を形成した状態を表す断面模式図である。ベース基板２の他方の表面ＬＳを研磨又は洗浄して端面Ｍの酸化膜を除去する。次に、他方の表面ＬＳに蒸着法やスパッタリング法により金属の導電膜４を０．０５μｍ〜０．５μｍの厚さに堆積する。導電膜４は複数の貫通電極３の端面Ｍに跨って堆積される。導電膜４は複数の端面Ｍに跨って形成される。導電膜４としてチタン膜の他、ニッケル膜や銅膜などの金属膜を使用することができる。導電膜４として金属膜を使用する場合に、端面Ｍ及びベース基板２に対して密着性の良い材料を選定する。また、導電膜４の上部に形成する金属膜に対してイオン化傾向差の小さい材料を選定するのが望ましい。
図３（Ｓ５）は、電極パターン形成工程Ｓ５において、貫通電極の端面とその周囲の表面とに導電膜４を残し、他の領域から導電膜４を除去して電極パターン１５を形成した状態を表す断面模式図である。導電膜４の表面にレジストからなる感光性樹脂膜を塗布又は貼り付けて設置し、露光・現像を行って、導電膜４を残す領域にマスクを形成する。感光性樹脂膜からマスクを形成することに代えて、印刷法によりマスクを形成してもよい。酸やアルカリ溶液を使用するウエットエッチング法や反応性ガスを使用するドライエッチング法によりマスクのパターン以外の領域から導電膜４を除去する。その後、マスクを除去して貫通電極の端面とその周囲の表面に導電膜４からなる電極パターン１５を形成する。
図４（Ｓ６）は、外部電極形成工程Ｓ６において、電極パターン１５（導電膜４）の表面に無電解メッキ膜１１を堆積した状態を表す断面模式図である。電極パターン１５の表面に無電解メッキ法により無電解メッキ膜１１を堆積して外部電極１３を形成する。無電解メッキ膜１１は、他方の表面ＬＳを無電解メッキ液に浸して導電膜４が他方の表面ＬＳ側に露出する露出面の全体を覆うように形成する。つまり、無電解メッキ膜１１は電極パターン１５の上面の他に側面にも形成される。無電解メッキ膜１１は、厚さを１μｍ〜１０μｍとし、好ましくは１μｍ〜５μｍとする。また、無電解メッキ膜１１として、ニッケル膜の他に銅膜、その他の金属膜を形成することができる。
また、図４（Ｓ７）に示すように、外部電極形成工程Ｓ６の後に無電解メッキ膜１１の表面に金属膜１２を形成する金属膜形成工程を付加することができる。無電解メッキ膜１１の表面の酸化を防止し、導電性を確保するために、無電解メッキ法により金、銀、白金等のイオン化傾向の小さい薄膜からなる金属膜１２を無電解メッキ法により形成することができる。金属膜１２は、無電解メッキ膜１１の露出面の全体を覆うように形成することができる。なお、金属膜１２は、無電解メッキ法に代えて、蒸着法又はスパッタリング法により形成してもよい。また、電極パターン１５、無電解メッキ膜１１及び金属膜１２の積層電極を外部電極１３としてもよい。
このように、貫通電極３の端面Ｍ及びその周囲の表面に電極パターン１５を形成し、その後、無電解メッキ法により電極パターン１５の表面に無電解メッキ膜１１を形成するので、貫通電極３の端面Ｍが電極パターン１５により完全に密閉され、更に電極パターン１５の露出表面が無電解メッキ膜１１により完全に覆われる。その結果、貫通電極３の腐食が防止される。更に、無電解メッキ膜１１はスパッタリング法や蒸着法と比較して短時間で製膜することができ、信頼性の高い電子デバイス１を短時間で製造することができる。
（第三実施形態）
図５は、本発明の第三実施形態に係る電子デバイスの製造方法を表す工程図である。電子素子として圧電振動片を実装した圧電振動子からなる電子デバイスを製造する具体例である。なお、本実施形態は、多数の窪みが形成されるガラスウエハーと、多数の電子素子が実装されるガラスウエハーとを重ね合わせて接合し、多数の電子デバイス１を同時に形成する製造方法である。同一の工程には同一の符号を付している。
ベース基板に実装する電子素子は水晶振動子などからなる圧電振動片である。蓋体形成工程Ｓ２０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハーを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ２１においてガラスウエハーを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、窪み形成工程Ｓ２２において、各電子デバイスが形成される領域の中央部に加熱プレスの型成形により窪みを形成する。次に、研磨工程Ｓ２３において、窪みの周囲の上端面を平坦な鏡面に研磨加工する。次に、接合材堆積工程Ｓ２４において、窪みを形成した表面にスパッタリング法又は蒸着法により、例えばアルミニウムからなる接合材を５０ｎｍ〜１５０ｎｍの厚さで堆積する。次に、パターン形成工程Ｓ２５において、フォトリソグラフィ及びエッチング法により、窪み周囲の上端面以外の表面から接合材を除去する。このようにしてガラスウエハーからなる蓋体を形成する。
圧電振動片作成工程Ｓ３０を説明する。水晶の原石を所定角度でスライスし、水晶ウエハーを形成し、次に、水晶ウエハーを研削及び研磨加工して一定の厚みとする。次に、水晶ウエハーの加工変質層をエッチング処理を行って除去する。次に、水晶ウエハーの両表面に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により金属膜をパターニングし、所定形状の励振電極、配線電極、マウント電極に加工する。次にフォトリソグラフィ及びエッチング法あるいはダイシングにより水晶ウエハーを圧電振動片の外形形状に加工する。
ベース基板形成工程Ｓ４０を説明する。ソーダ石灰ガラスからなる板状のガラスウエハーを準備する。まず、研磨、洗浄、エッチング工程Ｓ４１においてガラスウエハーを所定の厚さまで研磨し、洗浄した後にエッチング処理を行って最表面の加工変質層を除去する。次に、貫通電極形成工程Ｓ１において、加熱プレスの型成形により、或いは表面にマスクを設置後にエッチング処理あるいはサンドブラストにより研削してガラスウエハーの板厚方向に貫通孔を形成する。次に、この貫通孔に鉄−ニッケル系合金からなる貫通電極を埋め込む。次に、研削工程Ｓ４２において、貫通電極の両端部及びガラスウエハーの両面を研磨して平坦化し、貫通電極の端面を露出させてベース基板を形成する。次に、配線電極形成工程Ｓ４３において、スパッタリング法あるいは蒸着法によりベース基板の一方の表面に金属膜を堆積し、フォトリソグラフィ及びエッチング法によりパターニングして配線電極を形成する。
次に、電子素子実装工程Ｓ２において、圧電振動片をベース基板の一方の表面に実装する。実装の際に、ベース基板の配線電極に導電性接着剤又は金属バンプを設置し、その上に圧電振動片のマウント電極を接合してベース基板上に圧電振動片を片持ち状に固定する。これにより、貫通電極と圧電振動片の励振電極とを電気的に接続する。このように多数の圧電振動片が実装されるガラスウエハーからなるベース基板を形成する。
次に、重ね合わせ工程Ｓ１１において、蓋体の各窪みに圧電振動片が収容されるように蓋体をベース基板の上に載置し、上下方向から押圧する。次に、蓋体設置工程Ｓ３において、ベース基板及び蓋体を２００℃以上の温度に加熱し、蓋体の接合材を陽極にベース基板を陰極にして数百Ｖの電圧を印加し、接合材を介してベース基板と蓋体とを接合する。接合の際には周囲を真空に保持する。
次に、導電膜形成工程Ｓ４において、ベース基板の他方の表面に蒸着法又はスパッタリング法によりニッケルからなる導電膜を堆積する。次に、電極パターン形成工程Ｓ５により、感光性樹脂膜から電極パターンを形成する導電膜にマスクを形成してウエットエッチング法やドライエッチング法によりマスクのパターン以外の領域から導電膜を除去する。なお、印刷法によりマスクを形成してもよい。その後、マスクを除去して貫通電極の端面とその周囲の表面とに導電膜による電極パターンを形成する。
次に、外部電極形成工程Ｓ６において、電極パターンの表面に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極を形成する。なお、無電解メッキ膜の表面の酸化を防止し、導電性を確保するために、外部電極形成工程Ｓ６の後に、無電解メッキ膜の表面に無電解メッキ法により金薄膜などの金属膜を形成してもよい。
次に、切断工程Ｓ１２において、接合体の表面にスクライブ線を設け、切断刃を押し当てて割断する、あるいはダイシングブレードやダイシングソーを用いて分割し、個々の電子デバイス１を得る。次に、電気特性検査工程Ｓ１３において、電子デバイス１の共振周波数や共振抵抗値等を測定して検査する。
（第四実施形態）
図６は、本発明の第四実施形態に係る発振器４０の上面模式図である。上記第一実施形態において説明した電子デバイス１、又は、第二又は第三実施形態において説明した製造方法により製造した電子デバイス１を組み込んでいる。図６に示すように、発振器４０は、基板４３、この基板上に設置した電子デバイス１、集積回路４１及び電子部品４２を備えている。電子デバイス１は、外部電極に与えられる駆動信号に基づいて一定周波数の信号を生成し、集積回路４１及び電子部品４２は、電子デバイス１から供給される一定周波数の信号を処理して、クロック信号等の基準信号を生成する。本発明による電子デバイス１は、高信頼性でかつ小型に形成することができるので、発振器４０の全体をコンパクトに構成することができる。
１ 電子デバイス
２ ベース基板
３ 貫通電極
４ 導電膜
５ 電子素子
６ 蓋体
８ 配線電極
９ 接合材
１０ 金属バンプ
１１ 無電解メッキ膜
１２ 金属膜
１３ 外部電極
１５ 電極パターン
ＵＳ 一方の表面、ＬＳ 他方の表面ＬＳ、Ｍ 端面

Claims (11)

  1. 絶縁性のベース基板に貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
    前記ベース基板の一方の表面に電子素子を実装する電子素子実装工程と、
    前記電子素子を収容する蓋体を前記ベース基板に接合する蓋体設置工程と、
    前記ベース基板の他方の表面と、他方の前記表面に露出する前記貫通電極の端面とに導電膜を形成する導電膜形成工程と、
    前記貫通電極の端面と前記端面の周囲の前記表面とに前記導電膜を残して電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、
    前記電極パターンの表面に無電解メッキ法により無電解メッキ膜を堆積して外部電極を形成する外部電極形成工程と、を含む電子デバイスの製造方法。
  2. 前記電子素子実装工程及び蓋体設置工程の後に前記外部電極形成工程を行う請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
  3. 前記外部電極形成工程の後に、前記無電解メッキ膜の表面に金属膜を形成する金属膜形成工程を備える請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
  4. 前記貫通電極は鉄−ニッケル系合金である請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  5. 前記無電解メッキ膜はニッケル膜又は銅膜である請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  6. 前記金属膜は金薄膜である請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
  7. 前記無電解メッキ膜は厚さが１μｍ〜１０μｍである請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  8. 前記電子素子は水晶振動片である請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
  9. 複数の貫通電極が形成される絶縁性のベース基板と、
    前記ベース基板の一方の表面に実装される電子素子と、
    前記電子素子を収容し前記ベース基板に接合される蓋体と、を備え、
    前記ベース基板の他方の表面に露出する前記貫通電極の端面と、前記端面の周囲の他方の前記表面とには外部電極が形成され、
    前記外部電極は、導電膜と前記導電膜の表面に無電解メッキ法により形成される無電解メッキ膜とを有する電子デバイス。
  10. 前記貫通電極は鉄−ニッケル系合金からなり、前記導電膜は金属膜からなり、前記無電解メッキ膜はニッケル又は銅からなる請求項９に記載の電子デバイス。
  11. 請求項９に記載の電子デバイスと、
    前記電子デバイスに駆動信号を供給する駆動回路と、を備える発振器。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013081022A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 水晶振動子及びその製造方法
JP6155551B2 (ja) * 2012-04-10 2017-07-05 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、電子機器および電子デバイスの製造方法
JP6247006B2 (ja) * 2013-01-23 2017-12-13 セイコーインスツル株式会社 電子デバイス、発振器及び電子デバイスの製造方法
KR102563926B1 (ko) 2016-05-23 2023-08-04 삼성전자 주식회사 전압 정보와 온도 정보를 피드백할 수 있는 이미지 센서 칩과 이를 포함하는 이미지 처리 시스템
CN110627013A (zh) * 2018-06-22 2019-12-31 日月光半导体制造股份有限公司 电气装置及其制造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08186195A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品用パッケージ
JP2008294480A (ja) * 2008-08-28 2008-12-04 Yoshikawa Kogyo Co Ltd 半導体素子収納用パッケージの製造方法、その製造方法で製造した半導体素子収納用パッケージ、並びにそれを用いた圧電発振器、通信機器及び電子機器
WO2010016487A1 (ja) * 2008-08-05 2010-02-11 株式会社大真空 圧電振動デバイスの封止部材、及びその製造方法
JP2010193029A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Seiko Instruments Inc 電子部品、電子装置、及び電子部品製造方法
JP2011035660A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Kyocera Kinseki Corp 圧電デバイス
JP2011155506A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Seiko Instruments Inc 電子デバイス、電子機器、及び電子デバイスの製造方法
JP2011166310A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Seiko Instruments Inc 圧電振動子及びこれを用いた発振器
JP2012015363A (ja) * 2010-07-01 2012-01-19 Seiko Instruments Inc 電子デバイス、電子機器及び電子デバイスの製造方法
JP2012044105A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Seiko Instruments Inc 電子デバイス、電子機器及び電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1032456A (ja) * 1996-07-17 1998-02-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 振動子
JP4015820B2 (ja) * 2001-04-11 2007-11-28 日本碍子株式会社 配線基板及びその製造方法
JP2006173557A (ja) * 2004-11-22 2006-06-29 Toshiba Corp 中空型半導体装置とその製造方法
JP5275155B2 (ja) * 2009-06-26 2013-08-28 セイコーインスツル株式会社 電子デバイスの製造方法
JP2011026680A (ja) * 2009-07-28 2011-02-10 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置
JP5425005B2 (ja) * 2009-08-19 2014-02-26 日本電波工業株式会社 圧電部品及びその製造方法
JP5485714B2 (ja) * 2010-01-07 2014-05-07 セイコーインスツル株式会社 パッケージの製造方法
JP2012129481A (ja) * 2010-12-17 2012-07-05 Seiko Instruments Inc 電子部品及びその製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08186195A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Shinko Electric Ind Co Ltd 電子部品用パッケージ
WO2010016487A1 (ja) * 2008-08-05 2010-02-11 株式会社大真空 圧電振動デバイスの封止部材、及びその製造方法
JP2008294480A (ja) * 2008-08-28 2008-12-04 Yoshikawa Kogyo Co Ltd 半導体素子収納用パッケージの製造方法、その製造方法で製造した半導体素子収納用パッケージ、並びにそれを用いた圧電発振器、通信機器及び電子機器
JP2010193029A (ja) * 2009-02-17 2010-09-02 Seiko Instruments Inc 電子部品、電子装置、及び電子部品製造方法
JP2011035660A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Kyocera Kinseki Corp 圧電デバイス
JP2011155506A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Seiko Instruments Inc 電子デバイス、電子機器、及び電子デバイスの製造方法
JP2011166310A (ja) * 2010-02-05 2011-08-25 Seiko Instruments Inc 圧電振動子及びこれを用いた発振器
JP2012015363A (ja) * 2010-07-01 2012-01-19 Seiko Instruments Inc 電子デバイス、電子機器及び電子デバイスの製造方法
JP2012044105A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Seiko Instruments Inc 電子デバイス、電子機器及び電子デバイスの製造方法

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