JP2003198414A - 高周波回路、複合高周波部品及びそれを用いた通信装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路を構成する部品（素子）数を減らすこと
で回路を簡略化し、複合高周波部品の小型化、特に低背
化と、高性能化を可能にする高周波回路および、それを
実現した複合高周波部品および通信装置を提供する。 【構成】 第1の共通端子と第１の入力端子と第1の出力
端子と第１の入出力端子とを有し、第1の入力端子、第
１の出力端子および第１の入出力端子のいずれか１つの
端子が、第1の共通端子に切換接続されるスイッチ部
と、第２の共通端子と第２の入力端子と第３の入力端子
とを有する第1のダイプレクサとを備えてなり、前記第
１の入力端子が前記第２の共通端子に接続されているこ
とを特徴とする高周波回路。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、移動体通信システ
ムなどの通信装置に用いる高周波回路、それを実現した
複合高周波部品、及びそれを用いた通信装置に関し、特
に複数の通信システムに対応する高周波回路、それを実
現した複合高周波部品、及びそれを用いた通信装置に関
する。

【０００２】現在、移動体通信装置として、多数の通信
方式／複数の高周波帯域が有る。例えば、ＴＤＭＡ方式
としては、ヨーロッパでは９００ＭＨｚ帯を使用したＥ
ＧＳＭ（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ Ｇｌｏｂａｌ; Ｓｙｓｔｅ
ｍ; ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎ）通信システムや１．
８ＧＨｚ帯を使用したＤＣＳ（Ｄｉｇｉｔａｌ; Ｃｅｌ
ｌｕｌａｒ; Ｓｙｓｔｅｍ）通信システムがあり、２つ
の通信システムで動作可能なデュアルバンド携帯電話器
が提案されている。例えば、特開２００１−１８５９０
２号や特開２０００−４９６５１号に開示されたＤＣＳ
とＥＧＳＭとのデュアルバンド携帯電話器は、ＤＣＳの
周波数帯とＥＧＳＭの周波数帯とに対応し、ある時はＤ
ＣＳの周波数帯で通信をし、またある時はＥＧＳＭの周
波数帯で通信をする。このように、複数の規格の周波数
帯を扱うことにより、一方の規格の周波数帯で通信が不
可能である場合には、他方の規格の周波数帯で通信をす
ることができる。

【０００３】 さらには、例えば１．９ＧＨｚ帯を使用
するＰＣＳ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔ
ｉｏｎ Ｓｅｒｖｉｃｅｓ）通信システムなど、他の通
信システムも加え、３つの通信システムで動作が可能ト
リプルバンド携帯電話器も提案されている。特開２００
０−１６５２８８号には、３つの通信システムで動作可
能な複合高周波部品及び移動体通信装置が開示されてい
る。

【０００４】図１は、一般的なトリプルバンド携帯電話
器のフロントエンド部を示すブロック図であり、近接し
た周波数を備える第１及び第２の通信システムに１．８
ＧＨｚ帯のＤＣＳ及び１．９ＧＨｚ帯のＰＣＳ、それら
と周波数が異なる第３の通信システムに９００ＭＨｚ帯
のＥＧＳＭとした場合の一例を示したものである。

【０００５】トリプルバンド携帯電話器に用いられる複
合高周波部品２０は、アンテナ１、ダイプレクサ２、第
１乃至第３のダイオードスイッチ３〜５、第１及び第２
のフィルタ６，７を備える。ダイプレクサ２は、送信の
際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＥＧＳＭの送信信号を結
合し、受信の際にはＤＣＳ、ＰＣＳあるいはＥＧＳＭに
受信信号を分配する役目を担う。第１のダイオードスイ
ッチ３は、ＤＣＳ及びＰＣＳの送信部側とＤＣＳ及びＰ
ＣＳの受信部側とを切り換え、第２のダイオードスイッ
チ４は、ＤＣＳの受信部Ｒｘｄ側とＰＣＳの受信部Ｒｘ
ｐ側とを切り換え、第３のダイオードスイッチ５は、Ｅ
ＧＳＭの送信部Ｔｘｇ側と受信部Ｒｘｇ側とを切り換え
る役目を担う。第１のフィルタ６は、ＤＣＳ、ＰＣＳの
送受信信号を通過させ、２次高調波及び３次高調波を減
衰させ、第２のフィルタ７は、ＥＧＳＭの送受信信号を
通過させ、３次高調波を減衰させる役目を担う。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】複合高周波部品２０
は、携帯電話などの通信装置に搭載されることから、小
型化が要求されている。同時に、通信品質向上のための
複合高周波部品の高性能化も要求されている。

【０００７】ダイオード、コンデンサ、インダクタ等で
構成されるダイオードスイッチ、コイルやコンデンサで
構成されるダイプレクサやフィルタを備える従来の複合
高周波部品２０は、多数の部品（素子）で構成され、さ
らには、非常に複雑な回路構成となっている。特に、ダ
イオードなど多層基板の内部に形成することのできない
チップ部品などは、多層基板上に搭載するため、複合高
周波部品の小型化の妨げとなっていた。また、多数の部
品（素子）が複雑な回路で構成されていることから、部
品（素子）同士を接続するための回路配線が多層基板内
で複数の基板にわたって複雑に引き回されている。別の
基板に配置された部品（素子）同士を接続するためには
通常、基板にビアを設け接続する。そのため、回路配線
が長くなり、伝送損失の増加や、回路配線同士のカップ
リングによるノイズ発生などを引き起こすといった場合
があった。

【０００８】例えば、特開２０００−４９６５１に開示
されているマルチバンド用高周波スイッチモジュールで
は、通信システムの送受信を切り換えるスイッチはダイ
オードと伝送線路とコンデンサとから構成され、伝送線
路などはビアを用い複数の基板にわたって形成されてお
り、伝送線路や別の基板に形成されているコンデンサな
どの接続も同様にビアを介して接続されている。その結
果、多層基板の厚みが大きくなり低背化が困難である場
合があった。

【０００９】 そこで、本発明の目的は、回路を構成す
る部品（素子）数を減らすことで回路を簡略化し、複合
高周波部品の小型化、特に低背化と、高性能化を可能に
する高周波回路および、それを実現した複合高周波部品
および通信装置を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段、作用及び効果】本発明の
請求項１に記載の高周波回路は、第1の共通端子と第１
の入力端子と第1の出力端子と第２の出力端子と第１の
入出力端子とを有し、第1の入力端子、第１の出力端
子、第２の出力端子および第１の入出力端子のいずれか
１つの端子が、第1の共通端子に切換接続されるスイッ
チ部と、第２の共通端子と第２の入力端子と第３の入力
端子とを有するダイプレクサとを備えてなり、前記第１
の入力端子が前記第２の共通端子に接続されていること
を特徴とする。

【００１１】 また、本発明の高周波回路は、前記第1
の入力端子と前記第２の共通端子との間にフィルタが接
続されていることを特徴とする。フィルタとしては、ロ
ーパスフィルタなどが挙げられる。

【００１２】 さらに、本発明の高周波回路は、前記ス
イッチ部が半導体素子を含むスイッチ素子とコンデンサ
とからなることを特徴とする。半導体素子を含むスイッ
チ素子としてはGａＡｓ素子やＳｉＧｅ素子からなるも
のが挙げられる。

【００１３】 本発明の複合高周波部品は、複数の誘電
体基板を積層してなる多層基板を有してなる複合高周波
部品であって、第1の共通端子と第１の入力端子と第1の
出力端子と第２の出力端子と第１の入出力端子とを有
し、第1の入力端子、第１の出力端子、第２の出力端子
および第１の入出力端子のいずれか１つの端子が、第1
の共通端子に切換接続されるスイッチ部と、第２の共通
端子と第２の入力端子と第３の入力端子とを有するダイ
プレクサとからなり、前記第１の入力端子が前記第２の
共通端子に接続され、前記スイッチ部は、GａＡｓ半導
体素子を含むスイッチ素子とコンデンサとからなり、前
記スイッチ素子は前記多層基板上に搭載され、前記ダイ
プレクサが前記多層基板の内部に形成されていることを
特徴とする。

【００１４】 また、本発明の複合高周波部品は、前記
第1の入力端子と前記第２の共通端子との間にフィルタ
が接続され、該フィルタは前記多層基板の内部に形成さ
れていることを特徴とする。フィルタとしてはローパス
フィルタなどが挙げられる。

【００１５】 さらに、本発明の複合高周波部品は、前
記スイッチ部を構成するコンデンサが多層基板上にチッ
プ部品として搭載されていることを特徴とする。

【００１６】 本発明の通信装置は、前記高周波回路を
用いたことを特徴とする。

【００１７】 本発明の通信装置は、前記複合高周波部
品を用いたことを特徴とする。

【００１８】 本発明の高周波回路及び複合高周波部品
は、前記第１の出力端子と前記第２の出力端子のそれぞ
れに表面弾性波フィルタが接続され、前記表面弾性波フ
ィルタが基板表面に搭載されていてもよい。

【００１９】 本発明の高周波回路及び複合高周波部品
は、ノイズ除去のためのインダクタ及びコンデンサを含
む回路が前記第１の共通端子に接続され、前記インダク
タ及び前記コンデンサは、前記多層基板の内部に形成さ
れるか若しくは基板表面にチップ部品を搭載して形成さ
れていても良い。

【００２０】上記の構成することにより本発明の高周波
回路および複合高周波部品は、回路を構成する部品（素
子）数を減らすことができるため、回路構成が簡素化さ
れる。また、複数の基板にわたって形成されていた送受
信を切り換えるためのスイッチ部を構成する部品（素
子）の伝送線路を省略することができるため、多層基板
を薄く形成することができ、複合高周波部品全体とし
て、小型化及び低背化が可能となる。さらに、回路を構
成する部品（素子）同士を接続すらための配線の長さが
短くなることで、伝送損失の増加を抑制し、配線同士の
カップリングによるノイズ発生を防止することができ
る。

【００２１】 また、本発明の高周波回路および複合高
周波部品は、使用する周波数帯域が近接する第１通信シ
ステム及び第２通信システム、並びに、これら第１及び
第２通信システムと使用する周波数帯域が離れた第３通
信システムに対応することが可能となる。さらに、前記
第１通信システムは、ＣＤＭＡ方式の通信システムであ
り、前記第１通信システムの送信部及び受信部とは、回
路配線のみまたは回路配線によって結ばれている高周波
回路としてもよい。ＣＤＭＡ方式の通信システムとして
は、Ｗ−ＣＤＭＡ通信システムやＵＭＴＳ(UniversalMo
bile Telecommunications System)通信システム等が挙
げられる。

【００２２】本発明の複合高周波部品は、ダイプレクサ
と少なくともスイッチ素子を備えるスイッチ部、さらに
は、フィルタ回路とを、多層基板に一体化し、ＧａＡｓ
半導体素子を含むスイッチ素子を多層基板上に搭載し、
ダイプレクサとフィルタ回路とを多層基板の内部に形成
することで、複合高周波部品の小型化が可能となる。さ
らには、ノイズ除去のための回路も多層基板に一体化し
た場合にも、同様の効果が得られる。

【００２３】また、本発明の複合高周波部品は、スイッ
チ部にＧａＡｓ半導体素子を用いることで、複数の通信
システムの送受信を切り換えるスイッチ部を構成する部
品（素子）が少なくてすむ。そのため、高周波回路が簡
略化される。また、多層基板上に搭載される部品（素
子）も少なくて済むために複合高周波部品の小型化が可
能となる。さらには、多層基板上に搭載する部品数が減
少することで部品実装の作業性も向上する。

【００２４】本発明の高周波回路及び複合高周波部品
は、スイッチ部とダイプレクサとの間にローパスフィル
タが接続されていることにより、ダイプレクサとＥＧＳ
Ｍの送信端子TX１およびＤＣＳの送信部端子TX２との間
に接続するよりも、ローパスフィルタの数を少なくでき
る。すなわち、部品（素子）の数を増やすことなく、送
信信号の高調波を除去することができる。

【００２５】 本発明の複合高周波部品のスイッチ部を
構成するコンデンサは、直流電流カット用のコンデンサ
の機能を有している。通常、直流電流カット用のコンデ
ンサは大容量のものが用いられるが、多層基板に内層す
る場合には、コンデンサ電極の電極面積を大きくした
り、あるいは複数層にもわたってコンデンサ電極を形成
しなければならないため、多層基板の小型化の妨げとな
る場合がある。しかし、本発明の複合高周波部品は、ス
イッチ部を構成するコンデンサを多層基板上に搭載する
ために多層基板を小型化ひいては複合高周波部品の小型
化を可能とする。

【００２６】また、本発明の通信装置も、本発明の高周
波回路および複合高周波部品を用いることで同様の作用
効果を奏するものである。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明の１つの実施例である複合
高周波部品２０１は図２に示すような構成となってい
る。

【００２８】図２と図３において、ガラスセラミックな
どの誘電体基板を絶縁層とし、ＡｇもしくはＡｇ合金を
主成分とした導電層とする多層基板１０１の内部に形成
された図示しない第１のダイプレクサ２１、ローパスフ
ィルタ６１と、多層基板上に搭載されたＧａＡｓ半導体
素子３１５とコンデンサ３１６、３１７、３１８、３１
９、３２０とからなるスイッチ部３１により構成されて
いる。また、多層基板１０１は略直方体形状であり、４
つの側面には、下方が半円筒状の凹部とされ、その内側
面が導体層とされたキャステレーション４０１が複数個
形成されている。複合高周波部品２０１は、このキャス
テレーション４０１により、他の基板上に搭載接続する
ことができる。また、キャステレーション４０１は、高
周波回路におけるアンテナ端子、各通信システムの送受
信部端子、制御端子、接地端子などに対応する。

【００２９】本発明の複合高周波部品２０１に形成され
ている使用する周波数帯域が近接する第１通信システム
及び第２通信システム、並びに、これら第１及び第２通
信システムと使用する周波数帯域が離れた第３通信シス
テムに対応したトリプルバンド携帯電話器に用いる高周
波回路９について図３と図４を参照して説明する。図３
はブロック図であり、図４は回路図である。ここで、本
実施例では、第一の通信システムとして、ＣＤＭＡ方式
の通信システムのＵＭＴＳ(Universal MobileTelecommu
nicationsSystem)、第２の通信システムとしてＴＤＭＡ
方式のＤＣＳ、第３の通信システムとしてＴＤＭＡ方式
のＥＧＳＭとする。

【００３０】図３、４において、高周波回路９は、アン
テナ端子ANTに接続され各通信システムの送信信号と受
信信号とを切り換えるスイッチ部３１とＥＧＳＭとＤＣ
Ｓの通信システムの送信部に接続されるダイプレクサ２
１とＥＧＳＭとＤＣＳの通信システムから送信部からの
送信信号において２次高調波及び３次高調波を減衰させ
るローパスフィルタ６１とを有している。スイッチ部３
１は、アンテナ端子ＡＮＴに接続される第１の共通端子
３１４とローパスフィルタの第1のフィルタ端子６１１
に接続される第１の入力端子３１１と、ＵＭＴＳの送受
信部端子ＴＲＸ１に接続される第１の入出力端子３１２
と、ＥＧＳＭの受信部端子ＲＸ１に接続される第１の出
力端子３１３とＤＣＳの受信部端子ＲＸ２に接続される
第２の出力端子３２１を有している。

【００３１】スイッチ部３１は、ＧａＡｓ半導体素子を
含むスイッチ素子３１５とコンデンサ３１６、３１７、
３１８、３１９、３２０とで構成されている。またスイ
ッチ素子は第１の共通端子と第１の入力端子の接続／切
断を制御する第１制御端子ＶＣ１、第１の共通端子と第
１の入出力端子の接続／切断を制御する第２の制御端子
ＶＣ２、第１の共通端子と第１の出力端子の接続／切断
を制御する第３の制御端子ＶＣ３、第１の共通端子と第
2の出力端子の接続／切断を制御する第４の制御端子Ｖ
Ｃ４を有している。ここで、コンデンサ３１６、３１
７、３１８、３１９、３２０は制御端子ＶＣ１、ＶＣ
２、ＶＣ３、ＶＣ４からの直流電流をカットするための
機能を有しており、３０ｐＦ程度以上の容量のものが使
用される場合が多い。

【００３２】ダイプレクサ２１は、ローパスフィルタ６
１の第２のフィルタ端子６１２に接続される第２の共通
端子２１１とＤＣＳ送信部端子ＴＸ２に接続される第２
入力端子２１２とＥＧＳＭの送信部端子ＴＸ１に接続さ
れる第３の入力端子２１３とを有している。また、ダイ
プレクサ２１は第２の共通端子２１１と第２の入力端子
２１２との間で、ＤＣＳ送信部端子ＴＸ２からの送信信
号を通過させるハイパスフィルタの機能と、第２の共通
端子２１１と第３の入力端子２１３との間で、ＥＧＳＭ
の送信部端子ＴＸ１からの送信信号を通過させるローパ
スフィルタの機能とを備えている。

【００３３】 ダイプレクサ２１は、コンデンサ１２
１、１２２、およびインダクタンス１２３からなるロー
パスフィルタと、コンデンサ１２７、１２８、１２９及
びインダクタンス１３０からなるハイパスフィルタとで
構成される。

【００３４】 上述したダイプレクサ２１はローパスフ
ィルタとハイパスフィルタとを組み合わせてなるもので
あるが、これに限定されるわけではなく、この組み合わ
せ以外のローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ノッチ
フィルタ、バンドパスフィルタ等を任意に組み合わせた
ダイプレクサを用いても良い。

【００３５】 ローパスフィルタ６１はスイッチ部３１
の第１の入力端子３１１とダイプレクサ２１の第２の共
通端子２１１との間に接続されている。ローパスフィル
タ６１は、コンデンサ１３６、１３７、１３８、１３
９、１４０およびインダクタンス１４１、１４２を備
え、２段のローパスフィルタで構成される

【００３６】このような構成を有する本発明の高周波回
路９では、各通信システムの送信もしくは受信の際で
は、以下のように動作する。ＥＧＳＭの送信信号は、Ｅ
ＧＳＭの送信部端子ＴＸ１からダイプレクサ２１が有す
る第２の入力端子２１３に入力され、ダイプレクサ２１
を構成するローパスフィルタを通過し、第１のダイプレ
クサ２１が有する第２の共通端子２１１に出力され、ロ
ーパスフィルタ６１を介して、スイッチ部３１の第１の
入力端子３１１に入力され、スイッチ部３１の第１の共
通端子３１４から出力される。このとき、スイッチ素子
３１５の第１制御端子VC１に第１の共通端子３１４と第
１の入力端子３１１とを接続するように直流電圧が印加
され、第２、第3、第４の制御端子VC２、VC３、VC４に
は第１の入出力端子と第1の出力端子と第２の出力端子
とは切断するように直流電圧が印加される。一方、ＥＧ
ＳＭの受信信号は、スイッチ部３１の第１の共通端子３
１４から入力され、第１の出力端子３１３から出力され
ＥＧＳＭ受信部端子ＲＸ１へと送られる。このとき、ス
イッチ素子３１５の第３制御端子ＶＣ３に第１の共通端
子３１４と第１の出力端子３１３とを接続するように直
流電圧が印加され、第１制御端子ＶＣ１と第２制御端子
ＶＣ２と第４制御端子VＣ４に第1の入力端子３１１と第
1の入出力端子３１２と第２の出力端子は切断するよう
に直流電圧が印加される。

【００３７】また、ＤＣＳ送信信号は、ＤＣＳ送信部端
子ＴＸ２からダイプレクサ２１が有する第３の入力端子
２１２に入力され、第1のダイプレクサ２１を構成する
ハイパスフィルタを通過し、ダイプレクサ２１が有する
第２の共通端子２１１に出力され、ローパスフィルタ６
１を通過して、スイッチ部３１の第１の入力端子３１１
に入力され、スイッチ部３１の第１の共通端子３１４か
ら出力される。このとき、スイッチ素子３１５の第１制
御端子VC１に第１の共通端子３１４と第１の入力端子３
１１とを接続するように直流電圧が印加され、第２、第
3、第４の制御端子VC２、VC３、VC４からは第１の入出
力端子と第1の出力端子と第２の出力端子とは切断する
ように直流電圧が印加される。一方、ＤＣＳの受信信号
は、スイッチ部３１の第１の共通端子３１４から入力さ
れ、第２の出力端子３２１から出力される。出力された
ＤＣＳ受信信号は、ＤＣＳ受信部端子ＲＸ２へと送られ
る。このとき、スイッチ素子３１５の第４の制御端子Ｖ
Ｃ４に第１の共通端子３１４と第２の出力端子３２１と
を接続するように直流電圧が印加され、第１制御端子Ｖ
Ｃ１と第２制御端子ＶＣ２と第３制御端子ＶＣ３には、
第1の入力端子３１１と第1の入出力端子３１２第1の出
力端子は切断するように直流電圧が印加される。

【００３８】また、ＵＭＴＳ送信信号は、ＵＭＴＳの送
信部端子ＴＲＸ１からスイッチ部３１の第１の入出力端
子３１２に入力され、スイッチ部３１の第１の共通端子
３１４から出力される。このとき、スイッチ素子３１５
の第１制御端子ＶＣ２に第１の共通端子３１４と第１の
入出力端子３１２とを接続するように直流電圧が印加さ
れ、第１、第3、第４制御端子VC１、VC３、ＶＣ４から
は第１の入力端子３１１と第１の出力端子３１３と第2
の出力端子３２１は切断するように直流電圧が印加され
る。一方、ＵＭＴＳの受信信号は、スイッチ部３１の第
１の共通端子３１４から入力され、第１の入出力端子３
１２から出力される。出力されたＵＭＴＳ受信信号は、
ＵＭＴＳ受信部端子ＴＲＸ１へと送られる。このとき、
送信時と同様に、スイッチ素子３１５の第１制御端子Ｖ
Ｃ２に第１の共通端子３１４と第１の入出力端子３１２
とを接続するように直流電圧が印加され、第１、第3制
御端子VC１、VC３、ＶＣ４からは第１の入力端子３１１
と第１の出力端子３１３、第２の出力端子３２１は切断
するように直流電圧が印加される。

【００３９】なお、ＥＧＳＭとＤＣＳとＵＭＴＳのトリ
プルバンド携帯電話器の場合、ＥＧＳＭの送信信号が、
８８０ＭＨｚから９１５ＭＨｚ、受信信号が９２５ＭＨ
ｚから９６０ＭＨｚ、ＤＣＳの送信信号が１７１０ＭＨ
ｚから１７８５ＭＨｚ、受信信号が１８０５ＭＨｚから
１８８０ＭＨｚ、ＵＭＴＳの送信信号が１９２０ＭＨｚ
から１９８０ＭＨｚ、受信信号が２１１０ＭＨｚから２
１７０ＭＨｚである。よって、スイッチ素子３１５は、
その周波数帯域が１０００ＭＨｚから２０００ＭＨｚ程
度である、ＧａＡｓ半導体からなるＧａＡｓＭＭＩＣを
用いている。また、各通信システムの送受信の切換がＧ
ａＡｓＭＭＩＣを用いるだけで行うことができるため、
高周波回路を構成する部品（素子）数が減少し、複合高
周波部品の小型化が可能となる。ＧａＡｓＭＭＩＣはチ
ップ部品として構成されているため、複合高周波部品に
用いる場合は、多層基板上に搭載される。また、ＧａＡ
ｓＭＭＩＣの各端子と第１、第２のダイプレクサやロー
パスフィルタなどの部品（素子）との接続は図示しない
電極パッドを介して多層基板内に形成されるダイプレク
サやローパスフィルタと接続される。

【００４０】一方、ＧａＡｓＭＭＩＣは、静電気の影響
を非常に受けやすいデバイスであることから、静電気防
止回路を高周波回路に付加してもよい。具体的には、ア
ンテナ端子とスイッチ部３１の第一の共通電極との間に
コンデンサとインダクタンスを含む回路を設ける。コン
デンサとインダクタはチップ部品として多層基板上に搭
載され形成されてもよいが、前記静電気防止回路も多層
基板内に形成すると複合高周波部品の小型化が維持でき
る。

【００４１】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は実施形態に限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更して適用でき
ることはいうまでもない。例えば、第１の出力端子と第
２の出力端子とのそれぞれに表面弾性波フィルタ（ＳＡ
Ｗフィルタ）を接続しても良い。ＳＡＷフィルタを付加
した高周波回路を複合高周波部品に用いる場合には、Ｓ
ＡＷフィルタを多層基板上に搭載する。多層基板に設け
た凹部に、ＳＡＷフィルタを搭載してもよい。また、前
記凹部は、ＧａＡｓＭＭＩＣチップ素子が搭載されてい
る面に形成してもよいが、ＧａＡｓＭＭＩＣチップ素子
が搭載されていない多層基板の底面に形成すると、平面
的に見て多層基板が小型化するため好ましい。

【００４２】 さらには、ＵＭＴＳの送受信部端子ＴＲ
Ｘ１に、ＵＭＴＳの送信信号と受信信号を切り換えるデ
ュプレクサを接続してもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来のトリプルバンド用携帯電話器に用いられ
るトリプルバンド用高周波回路のブロック図である。

【図２】本発明の一実施例である複合高周波部品の斜視
図である。

【図３】本発明の一実施例である高周波回路のブロック
図である。

【図４】本発明の一実施例である高周波回路図である。

【符号の説明】

９ 高周波回路 ３１１ 第1の入力端子 ３１２ 第1の入出力端子 ３１３ 第１の出力端子 ３１４ 第1の共通端子 ３１ スイッチ部 ３１５ スイッチ素子 ３１６〜３２０ コンデンサ ２１ 第1のダイプレクサ ２２ 第２のダイプレクサ ２１１ 第２の共通端子 ２１２ 第２の入力端子 ２１３ 第３の入力端子 ６１ ローパスフィルタ ２０１ 複合高周波部品 １０1 多層基板 ;

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第1の共通端子と第１の入力端子と第1の
   出力端子と第２の出力端子と第１の入出力端子とを有
   し、第1の入力端子、第１の出力端子、第２の出力端子
   および第１の入出力端子のいずれか１つの端子が、第1
   の共通端子に切換接続されるスイッチ部と、第２の共通
   端子と第２の入力端子と第３の入力端子とを有するダイ
   プレクサとを備えてなり、前記第１の入力端子が前記第
   ２の共通端子に接続されていることを特徴とする高周波
   回路。
2. 【請求項２】 前記第1の入力端子と前記第２の共通端
   子にフィルタが接続されていることを特徴とする、請求
   項１に記載の高周波回路。
3. 【請求項３】 前記スイッチ部は半導体素子を含むスイ
   ッチ素子とコンデンサとからなることを特徴とする、請
   求項１および２のいずれか１項に記載の高周波回路。
4. 【請求項４】 複数の誘電体基板を積層してなる多層基
   板を有してなる複合高周波部品であって、第1の共通端
   子と第１の入力端子と第1の出力端子と第２の出力端子
   と第１の入出力端子とを有し、第1の入力端子、第１の
   出力端子、第２の出力端子および第１の入出力端子のい
   ずれか１つの端子が、第1の共通端子に切換接続される
   スイッチ部と、第２の共通端子と第２の入力端子と第３
   の入力端子とを有するダイプレクサとからなり、前記第
   １の入力端子が前記第２の共通端子に接続され、前記ス
   イッチ部は、GａＡｓ半導体素子を含むスイッチ素子と
   コンデンサとからなり、前記スイッチ素子は前記多層基
   板上に搭載され、前記ダイプレクサが前記多層基板の内
   部に形成されていることを特徴とする複合高周波部品。
5. 【請求項５】 前記第1の入力端子と前記第２の共通端
   子とにフィルタが接続され、該フィルタは前記多層基板
   の内部に形成されていることを特徴とする請求項４に記
   載の複合高周波部品。
6. 【請求項６】前記スイッチ部を構成するコンデンサが多
   層基板上にチップ部品として搭載されていることを特徴
   とする請求項４もしくは５に記載の複合高周波部品。
7. 【請求項７】 請求項１及至３のいずれか１項に記載の
   高周波回路を用いたことを特徴とする通信装置。
8. 【請求項８】 請求項４及至６のいずれか１項に記載の
   複合高周波部品を用いたことを特徴とする通信装置。