JP2003196823A

JP2003196823A - 薄膜磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2003196823A
Application number: JP2002298454A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Sugiyama; 正彦杉山; Masaru Segawa; 勝瀬川
Original assignee: Victor Company of Japan Ltd
Current assignee: Victor Company of Japan Ltd
Priority date: 2001-10-17
Filing date: 2002-10-11
Publication date: 2003-07-11
Anticipated expiration: 2022-10-11
Also published as: JP4078641B2

Abstract

(57)【要約】【課題】抗磁力が大きくドロップアウトが少ない薄膜
磁気記録媒体を得る。【解決手段】非磁性基板（３１）上に形成した非磁性
金属酸化膜よりなる下地膜（３２）と、この下地膜（３
２）の上に斜方蒸着法により形成したＣo系磁性膜（３
３）とを順次積層してなる薄膜磁気記録媒体（３０）で
あって、前記非磁性金属酸化膜よりなる下地膜（３２）
は、非磁性金属酸化膜の微粒子が等方的に成長し、前記
微粒子の集合体を分離する明瞭な粒界を有しない構造と
した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、非磁性基板上に、
スパッタリング法により非磁性金属よりなる下地膜を形
成し、この下地膜の上に、斜方蒸着法により磁性膜をそ
れぞれ形成した薄膜磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録媒体の記録密度は急速に
高密度化が図られている。この高密度化の過程で、磁気
記録媒体は高抗磁力、高磁束密度を有する酸化鉄テープ
からメタルテープ及び薄膜磁気記録媒体（薄膜テープ）
へと高性能なものに移行してきていることは周知の事実
である。この磁気記録媒体の応用として、例えば、ＶＴ
Ｒ分野では、今後、デジタル化、高精細化を達成するた
めに、特に、薄膜テープが注目されてきてから久しいも
のである。

【０００３】ところで、薄膜テープとしては、磁性膜が
斜方蒸着法により形成された、いわゆる蒸着テープが実
用化されている。これは、具体的には後述するピアス型
電子銃を用いて、真空中で電子ビームをルツボ内のＣ
ｏ、ＣｏＮｉなどの磁性材料に照射して、これらの材料
を溶融、蒸発させ、酸素を導入しながら、後述するＰＥ
Ｔ、ＰＥＮ、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＡ（ポリアミド）
などのベースフィルム上にＣｏＯ、ＣｏＮｉＯよりなる
薄膜を形成することにより製造されるものである。

【０００４】図１５は、この斜方蒸着法を使用した、一
般的な成膜装置の構成を示した構成図である。この図１
５に示す如く、斜方蒸着法を適用した薄膜磁気記録媒体
（薄膜テープ）成膜装置２０は、真空槽１内が図示しな
い真空ポンプにより真空状態に保たれている。この真空
槽１内には、一対のフィルム巻回用ロール２、３と、一
対のテープガイドロール４、５と、冷却キャンロール７
とが配置されている。

【０００５】そして、ベースフィルム６への通常の成膜
時には、前記した一対のフィルム巻回用ロール２、３の
うち、一方（供給側）のフィルム巻回用ロール２に巻回
したベースフィルム６を、テープガイドロール４、冷却
キャンロール７、テープガイドロール５に沿って他方
（巻取り側）のフィルム巻回用ロール３に向かって図中
矢印方向に走行させている。

【０００６】この際、薄膜テープの媒体素材となるベー
スフィルム６は、例えば、所定厚さのＰＥＴ（ポリエチ
レンテレフタレート）フィルムを用いている。また、冷
却キャンロール７の内部には、図示しない冷却装置が設
けられ、前記ベースフィルム６への蒸着時に、温度上昇
によるベースフィルム６の変形などを抑制している。

【０００７】また、真空槽１内で冷却キャンロール７の
斜め右下方には、例えば、Ｃｏなどの磁性金属材料１１
を収容した箱状のルツボ８が配置されている。更に、前
記した真空槽１の右側壁１ａには、前記した磁性材料１
１を溶融、蒸発させるための加熱装置として、例えば、
ピアス型電子銃１２が斜め左下方のルツボ８に向かって
取付けられている。このピアス型電子銃１２は、ルツボ
８内の磁性金属材料１１に向かって電子ビーム１３が出
射されるように構成されており、電子ビーム１３の照射
により磁性金属材料１１を、例えば溶融させることによ
り、冷却キャンロール７に沿って走行しているベースフ
ィルム６に蒸着させている。

【０００８】また、ベースフィルム６の走行時に、前記
したルツボ８から蒸発した磁性金属材蒸気１１ａが冷却
キャンロール７に付着しないように、ベースフィルム６
のエッヂ部分を覆う必要がある。更に、薄膜テープを作
製する場合には、電磁変換特性向上の要求から、ベース
フィルム６の面に対して蒸発したＣｏなどの磁性金属材
蒸気１１ａの付着入射角度を制限する必要があり、不適
切な部分での蒸着を防ぐために、入射角規制マスク９、
１０を冷却キャンロール７とルツボ８との間に配設して
いる。

【０００９】ここで、一方のマスク９は、前記した冷却
キャンロール７の所定位置に配置されることにより、磁
性金属材料１１の磁性金属材蒸気１１ａのベースフィル
ム６に対する最大入射角θｍａｘが規制され、また、他
方のマスク１０は、前記した冷却キャンロール７の所定
位置に配置されることにより、同じく最小入射角θｍｉ
ｎが規制されるものである。

【００１０】そして、前記したベースフィルム６が冷却
キャンロール７の外周面を走行している間に、所定の角
度に設定された最大及び最小入射角の範囲（この範囲
を、蒸着開口部という）で磁性金属材蒸気１１ａがベー
スフィルム６の表面に付着し、磁性膜が形成される。こ
のとき得られる磁性膜の磁気特性は、磁性金属材料１１
の磁性金属材蒸気１１ａの最大入射角θｍａｘ及び最小
入射角θｍｉｎにより決定される。一般には、最大入射
角θｍａｘ＝９０°、最小入射角θｍｉｎ＝４０°に設
定されている。

【００１１】なお、前記した冷却キャンロール７と入射
角規制マスク１０との間で最小入射角θｍｉｎ側の内側
には、図示しない酸素ガス導入パイプが取付けられてお
り、この図示しない酸素ガス導入パイプに設けられた、
これまた図示しない複数の孔から酸素ガスＯ₂が、ルツ
ボ８内から蒸発した磁性金属材蒸気１１ａに向かって射
出されるものである。

【００１２】また、ピアス型電子銃１２から出射される
電子ビーム１３は、軌道に偏向磁界を印加する偏向マグ
ネット１５と、ルツボ８に近接して配置された偏向マグ
ネット１４とにより制御されている。従って、ルツボ８
の長手方向に電子ビーム１３を走査することにより、蒸
発したＣｏなどの磁性金属材蒸気１１ａがベースフィル
ム６の幅方向に、例えば、Ｃｏ−ＣｏＯなどの部分酸化
磁性膜として極薄く膜付けされ、この部分酸化磁性膜を
ベースフィルム６の長手方向に成膜することにより、長
尺な薄膜テープが他方（巻取り側）のフィルム巻回用ロ
ール３に巻取られるものである。

【００１３】なお、ルツボ８に近接して偏向マグネット
１４を設置せずに、ピアス型電子銃１２から出射された
直進する電子ビーム１３を、ピアス型電子銃１２内の偏
向マグネット１５のみを用いてルツボ８内で走査させる
方法もあり、そのような方法によっても勿論よいもので
ある。

【００１４】図１６は、前記した斜方蒸着法を適用した
薄膜磁気記録媒体（薄膜テープ）成膜装置２０により形
成された薄膜磁気記録媒体の一部を構成する非磁性下地
膜及びこの非磁性下地膜の上に形成された磁性膜の状態
を模式的に示した模式図である。すなわち、この図１６
は、ベースフィルム走行方向に磁性膜を切断した際の断
面を、加速電圧２００ｋＶで透過型電子顕微鏡（（株）
日立製作所製Ｈ−８００）により観察して得られた、
５０〜２５０万倍の断面写真より構造を模式化したもの
である。

【００１５】この図１６において１６は、図示しないベ
ースフィルムとなる非磁性基板の上に、斜方蒸着法によ
り導入酸素量の制御により磁性金属材蒸気を非磁性化し
て形成された柱状構造を有する非磁性金属酸化膜（Ｃｏ
Ｏ）よりなる下地膜であり、この非磁性下地膜１６に
は、微小Ｃｏ結晶粒子（以後Ｃｏ粒子と呼ぶ）が多い柱
状領域１６Ａと、微小ＣｏＯ結晶粒子（以後ＣｏＯ粒子
と呼ぶ）が多い領域１７Ａとが長手方向に形成されてい
る。そして、この柱状領域１６Ａは、膜面に垂直又は垂
直方向からやや傾いた形状として形成されている。１８
は、この非磁性下地膜１６の上に斜方蒸着法により導入
酸素量を最適化して形成された磁性膜である。

【００１６】すなわち、従来の薄膜磁気記録媒体（薄膜
テープ）成膜装置２０で、斜方蒸着法により形成された
薄膜磁気記録媒体は、前記した如く非磁性下地膜１６
は、Ｃｏ粒子とＣｏＯ粒子とより形成されている。そし
て、非磁性下地膜１６を構成する各部のＣｏ粒子とＣｏ
Ｏ粒子の相対的な数は、柱状領域１６Ａと柱状領域１６
との間の領域１７ＡにはＣｏＯ粒子が多く、柱状領域１
６Ａの内部にはＣｏ粒子が多い。

【００１７】すなわち、Ｃｏ粒子が多い柱状領域１６Ａ
は、それが長手方向に複数個（１６ａ〜１６ｎ）形成さ
れており、また、ＣｏＯ粒子が多い領域１７Ａは、前記
したＣｏ粒子が多い複数個（１６ａ〜１６ｎ）の柱状領
域の間に、これまたそれが長手方向に複数個（１７ａ〜
１７ｎ）形成されているものである。

【００１８】このため、前記した長手方向に複数個形成
されたＣｏ粒子が多い柱状領域１６ＡとＣｏＯ粒子が多
い領域１７Ａとの境界を形成する粒界は明瞭になる。

【００１９】また、前記した磁性膜１８は、Ｃｏ粒子が
多い柱状領域（１８ａ〜１８ｎ）と、このＣｏ粒子が多
い柱状領域（１８ａ〜１８ｎ）の間にＣｏＯ粒子が多い
領域（１９ａ〜１９ｎ）とで形成されている。

【００２０】複数個の柱状領域（１８ａ〜１８ｎ）は、
膜面に斜め方向に傾いた形状をしている。前記した柱状
領域１６Ａを有する非磁性下地膜１６の上から斜方蒸着
法で酸素を導入してＣｏＯ磁性膜１８を形成して薄膜テ
ープを完成する場合は、非磁性ＣｏＯ膜を作成する場合
より酸素濃度が低い。従って、Ｃｏ蒸発粒子は、導入し
た酸素との衝突確率が非磁性下地膜（ＣｏＯ膜）１６を
作成する場合より低くなるため直進する割合が多く、前
記した図１５に示すように初期の入射角はθｍａｘに設
定しているため、ベースフィルム６面に斜めに入射する
ことになる。このため、粒子の集合体は入射方向に近い
斜め方向に成長して柱状構造をとることになると思われ
る。

【００２１】ところで、従来の記録再生用のヘッドとし
ては、磁束誘導型ヘッドが用いられていたが、ヘッドイ
ンピーダンスが高いため、このヘッドの熱雑音によりＣ
Ｎ比が制限されていた。また、記録機器の小型化により
ヘッドとテープの相対速度が低くなると、再生出力が小
さくなり、高ビットレートで信号を記録再生することが
難しくなってきている。一方、記録媒体の高密度化に
は、抗磁力を高めるとともに磁性膜の膜厚を薄くする必
要がある。

【００２２】前記した磁束誘導型ヘッドを用いてこの高
抗磁力化に対応した場合において、磁性膜の膜厚を大幅
に薄くした場合には、再生出力が低下しＳＮ比が低下す
るという問題が生じる。この問題を解決するヘッドとし
ては、磁気抵抗効果を用いたＭＲヘッドが注目されてい
る。このＭＲヘッドは、記録媒体との相対速度に関係な
く高出力が得られる。また、このＭＲヘッドは、全帯域
にわたり抵抗値が小さいため、磁束誘導型ヘッドと比較
して熱雑音を大幅に低減できる利点がある。

【００２３】しかしながら、このＭＲヘッドは、記録媒
体からの磁束が一定量以上になるとＭＲ素子が飽和し、
素子の動作範囲が線形領域を越え、波形歪みやパルスの
非対称性が発生する。一方、ＭＲ素子に吸収される磁束
量は、記録媒体の残留磁束密度Ｂｒと磁性膜厚δの積で
あるＢｒδに比例する。このため、ＭＲヘッドに最適な
Ｂｒ、δを設定する必要がある。一般にＭＲヘッドに最
適な磁性膜厚δは、磁束誘導型ヘッドを用いた場合より
も薄くなる。

【００２４】しかしながら、前記した斜方蒸着法を適用
して形成された磁性膜を、ＭＲヘッドに最適な膜厚に設
定するため、膜厚を１０００オングストロームより薄く
した場合に、抗磁力Ｈｃが急激に低下する問題が発生し
た。

【００２５】これを解決する方法として、斜方蒸着法に
より、非磁性基板上に酸素雰囲気中で磁性金属材料であ
るＣｏを蒸発させて形成した非磁性ＣｏＯの下地膜を設
け、この下地膜の上に斜方蒸着法により、ＣｏＯ磁性膜
を形成することにより、磁性膜厚が１０００オングスト
ローム以下の領域における抗磁力Ｈｃの低下を防ぐ方法
が提案されている（登録２９８８１８８、日本応用磁気
学会誌Ｖｏｌ２１，ＮＯ４−２、１９９７年「ＣｏＯ斜
方蒸着膜におけるＣｏＯ下地膜効果」）。

【００２６】この方法は、孤立化したＣｏＯ非磁性下地
膜の成長粒子上に、Ｃｏ−ＣｏＯ磁性膜を成膜した時
に、ＣｏＯ非磁性下地膜の成長粒子にならってＣｏ−Ｃ
ｏＯ磁性膜の成長粒子も孤立化することにより、Ｃｏ−
ＣｏＯ磁性膜の粒子間の磁気的相互作用が少なくなるこ
とによって極薄のＣｏ−ＣｏＯ磁性膜においても静磁気
特性の劣化を防ぐものである。

【００２７】

【特許文献１】特許第２９８８１８８号公報（第５−６
頁、第５図）

【００２８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
方法によれば、以下の如くの問題点があった。すなわ
ち、この方法によれば、非磁性ＣｏＯ下地膜を３００
オングストローム以上形成する必要があり、材料コスト
が上がってしまう。非磁性ＣｏＯ下地膜、ＣｏＯ磁性
膜を形成する場合、前記した図１５のベースフィルム６
走行系を２回通して蒸着する必要があり、量産性が甚だ
悪い。前記したベースフィルム６の２回走行により、
ベースフィルム６表面と、下地膜表面にゴミが混入した
り、キズが入る確率が高くなり、完成した薄膜テープの
ドロップアウトが多くなる。前記した量産性が悪い問
題点を解決するために、１回のベースフィルムの走行に
より生産を終えるためには、冷却キャンロール７を２台
設置し、ピアス型電子銃１２、ルツボ８も２台設置する
必要があり、結果的には設備導入費がかかりすぎるので
実用的でない。

【００２９】以上の問題点を考察すると、非磁性下地膜
の材質、膜厚等において問題が発生していることが分か
った。また、非磁性下地膜が良好に成膜されたものであ
っても、この下地膜を構成する微粒子の状態によっては
所望の磁気特性が得られない場合があることも分かっ
た。以上のことより、非磁性下地膜の材質、膜厚等の選
択が正しければ所望の磁気特性が得られるはずであると
いう知見が生まれることになる。

【００３０】そこで、本発明者等はかかる課題を解決す
べく鋭意検討した結果、下地膜を構成する微粒子の構
造、下地膜の膜厚、下地膜の材質等が所定のものである
場合には、所望の磁気特性が得られる薄膜磁気記録媒体
を案出したもので、本発明は、かかる薄膜磁気記録媒体
を提供することを目的とするものである。

【００３１】

【課題を解決するための手段】本発明は、前記した目的
を達成するためになされたものであり、請求項１に係る
発明は、図１に示すように、非磁性基板（３１）上に形
成した非磁性金属酸化膜よりなる下地膜（３２）と、こ
の下地膜（３２）の上に斜方蒸着法により形成したＣo
系磁性膜（３３）とを順次積層してなる薄膜磁気記録媒
体（３０）であって、前記非磁性金属酸化膜よりなる下
地膜（３２）は、非磁性金属酸化膜の微粒子が等方的に
成長し、前記微粒子の集合体を分離する明瞭な粒界を有
しない構造としたことを特徴とする。

【００３２】請求項２に係る発明は、請求項１記載の薄
膜磁気記録媒体（３０）において、前記下地膜（３２）
は、スパッタリング法で形成した膜であることを特徴と
する。

【００３３】請求項３に係る発明は、請求項１記載の薄
膜磁気記録媒体（３０）において、前記下地膜（３２）
の膜厚は、５オングストローム〜３００オングストロー
ムであることを特徴とする。

【００３４】請求項４に係る発明は、請求項１記載の薄
膜磁気記録媒体（３０）において、前記下地膜（３２）
は、ＣｏＯであることを特徴とする。

【００３５】請求項５に係る発明は、図１２に示すよう
に非磁性基板（５１）上に形成した非磁性金属窒化膜よ
りなる下地膜（５２）と、この下地膜（５２）の上に斜
方蒸着法により形成したＣｏ系磁性膜（５３）とを順次
積層したことを特徴とする。

【００３６】請求項６に係る発明は、請求項５記載の薄
膜磁気記録媒体（５０）において、前記下地膜（５２）
は、スパッタリング法で形成した膜であることを特徴と
する。

【００３７】請求項７に係る発明は、請求項５記載の薄
膜磁気記録媒体（５０）において、前記下地膜（５２）
は、Ｃｏ窒化膜であることを特徴とする。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて説明する。なお、以下に述べる実
施の形態は、本発明の好適な具体例であるから技術的に
好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲
は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載
がない限り、これらの態様に限られるものではない。

【００３９】

【実施形態１】以下、本発明になる薄膜磁気記録媒体の
好ましい実施形態１について説明する。図１は、第１の
発明である実施形態１に係わる薄膜磁気記録媒体を模式
的に示した模式図、図２は、実施形態１に係わる薄膜磁
気記録媒体を構成する非磁性下地膜及びこの非磁性下地
膜の上に形成された磁性膜の状態を模式的に示した模式
図、図３は、実施形態１に係わる薄膜磁気記録媒体を製
造するための薄膜磁気記録媒体（薄膜テープ）成膜装置
の構成図、図４は、実施形態１における非磁性下地膜の
厚みと抗磁力との関係を示す説明図、図５は、実施形態
１における磁性膜の厚みと抗磁力との関係を示す説明
図、図６は、実施形態１における非磁性下地膜の成膜時
の条件を変化させた場合の、非磁性下地膜の厚みと抗磁
力との関係を示す説明図、図７は、実施形態１における
非磁性下地膜を得るための酸素分圧と飽和磁化との関係
を示す説明図、図８は、実施形態１における磁性膜の初
期成長角度θとＨｃの関係を示す説明図、図９は、図
２，図１６の要部拡大図、図１０は、実施形態１に係わ
る薄膜磁気記録媒体を構成する磁性膜表面の状態を示す
拡大図、図１１は、薄膜磁気記録媒体を構成する他の磁
性膜表面の状態を示す拡大図である。

【００４０】まず、第１の発明である実施形態１につい
て説明する。なお、図２は、前記した図１６と同様にベ
ースフィルム走行方向に磁性膜を切断した際の断面を、
加速電圧２００ｋＶで透過型電子顕微鏡（（株）日立製
作所製Ｈ−８００）により観察して得られた、５０〜
２５０万倍の断面写真より構造を模式化したものであ
る。

【００４１】図１、図２において、薄膜磁気記録媒体３
０は、ベースフィルムとなる、例えば、前記したＰＥＴ
フィルムを用いた非磁性基板３１、この非磁性基板３１
の上に非磁性金属酸化膜の微粒子が柱状に集合して成長
したものではなく、スパッタリング法により形成され
た、非磁性金属酸化膜の微粒子が等方的に成長し、前記
した微粒子の集合体を分離する明瞭な粒界のない非磁性
等方ＣｏＯ下地膜３２、この非磁性等方ＣｏＯ下地膜３
２の上に斜方蒸着法により形成されたＣｏＯ磁性膜３３
より大略構成されている。

【００４２】図２の模式図より明らかな如く、実施形態
１に係わる非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２は、前記した従
来例と異なり、ＣｏＯ粒子が多い領域３２ａのみで構成
されている。すなわち、Ｃｏ粒子が多い柱状領域が基板
面から成長が終了する表面まで存在せず、このＣｏ粒子
が多い柱状領域はＣｏＯ磁性層３３のみに存在するため
に非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２は、前記した柱状Ｃｏ粒
子が長手方向に実質的に線状の構造として配列されるも
のではないものである。

【００４３】すなわち、実施形態１では、非磁性等方Ｃ
ｏＯ下地膜３２の成膜に際してスパッタリング法を用い
ているので、導入する酸素、アルゴンの量を多く用いる
ことができ、従って、前記した斜方蒸着法で非磁性等方
ＣｏＯ下地膜３２を形成する場合よりも成膜時の圧力を
高くすることができるため、後述するスパッターターゲ
ットよりスパッタされたＣｏ粒子は、前記した斜方蒸着
法による蒸発粒子より更にランダムな方向から基板面に
到達することになる。また、粒子のエネルギーは、斜方
蒸着法より高いため、基板面に到達した粒子の移動量が
大きい。このため、従来例と異なりＣｏＯ粒子として等
方的構造が得られたものと思われる。

【００４４】（実施例１）以下、前記した実施形態１に
なる構造を有する薄膜磁気記録媒体３０を製造する方法
につき、図３〜図１１を参照して説明する。なお、実施
形態１になる構造を有する薄膜磁気記録媒体３０を製造
するための成膜装置４０としては、基本的には前記した
図１５の成膜装置２０を用いて行うので、その装置の具
体的構成等についての説明は省略し、相違点のみについ
て説明する。

【００４５】図３に明示される如く、実施形態１になる
構造を有する薄膜磁気記録媒体３０の成膜装置４０にお
いて、前記した図１５の斜方蒸着法を適用して形成した
薄膜磁気記録媒体（薄膜テープ）の成膜装置２０と相違
する点は、成膜に際し供給側のフィルム巻回用ロ―ル２
に巻回されたベースフィルム６が矢印方向に走行された
際、テープガイドロール４と、一方（この実施例では供
給側）の入射角規制マスク９との間にスパッターターゲ
ット４１を配置した点にある。

【００４６】また、スパッタリング法により成膜を行う
部分と蒸着法により成膜する部分の圧力及び構成ガスは
異なるため、真空槽１の上部１ｂと下部１ｃは隔壁４２
により分離され、各真空槽１ｂ，１ｃは図示しない独立
の排気系により排気され、所定の圧力に保たれている。

【００４７】ここでは、図３中のベースフィルム６は、
図１における非磁性基板３１となるものである。まず、
図３に示す如くバージンのベースフィルム６上に非磁性
等方ＣｏＯ下地膜３２を成膜する成膜工程では、一対の
フィルム巻回用ロール２，３のうちで一方（供給側）の
フィルム巻回用ロール２に巻回させたベースフィルム６
を冷却キャンロール７に沿って入射角規制マスク９の最
大入射角θｍａｘ側から最小入射角θｍｉｎ側に走行さ
せながら他方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３に向
かう途中で、スパッターターゲット４１、具体的にはＣ
ｏターゲットを用いてアルゴン（Ａｒ）ガスと酸素（Ｏ
₂）ガスを導入してスパッタリング法により成膜を行
い、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２をベースフィルム６上
に形成する。

【００４８】次に、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２が形成
されたベースフィルム６が、冷却キャンロール７の外周
面を走行している間に、所定の角度に設定された最大及
び最小入射角の範囲で、斜方蒸着法により図示しない酸
素ガス導入パイプにより導入した所定量の酸素（Ｏ₂）
ガスをルツボ８内の磁性金属材１１であるＣｏから蒸発
した磁性金属材蒸気１１ａに向けて射出することによ
り、磁性金属材蒸気１１ａを非磁性等方ＣｏＯ下地膜３
２上に形成して、図１に示すように非磁性基板３１（ベ
ースフィルム６）上に非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２、Ｃ
ｏＯ磁性膜３３が順次成膜されるものである。

【００４９】前記した斜方蒸着法によるＣｏＯ磁性膜３
３の成膜に際し、このＣｏＯ磁性膜３３の成長粒子は、
入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側での粗な付
着状態から最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態に移
行しながらベースフィルム６上に成膜されるものであ
る。すなわち、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２は、非磁性
微粒子が等方的に成長し、前記微粒子の集合体を分離す
る明瞭な粒界を有しない構造として成膜されるものであ
る。そして、前記した等方構造を有する非磁性等方Ｃｏ
Ｏ下地膜３２及びＣｏＯ磁性膜３３を成膜したベースフ
ィルム６は、他方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３
に巻き取られるものである。

【００５０】なお、前記した非磁性等方ＣｏＯ下地膜３
２の膜厚は、５〜６００オングストロームの範囲で変化
させるとともにＣｏＯ磁性膜３３を下記の成膜条件で形
成した。

【００５１】非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２の成膜条件Ａｒ分圧（ｍＴｏｒｒ）２Ｏ₂分圧（ｍＴｏｒｒ）１．７ＣｏＯ磁性膜３３の成膜条件Ｏ₂ガス圧（Ｔｏｒｒ) ３．８×１０^-5 膜厚（オングストローム）５００

【００５２】（比較例１）図１５の成膜装置２０を用い
て、酸素を導入して６×１０^-4Ｔｏｒｒのガス圧にした
状態で、斜方蒸着法により、Ｃｏを蒸発させて、ベース
フィルム６上に非磁性下地膜を形成した。この非磁性下
地膜の膜厚は、実施例１と同様５〜６００オングストロ
ームの範囲で変化させて形成した。前記した非磁性下地
膜の上に実施例１と同様な条件で、斜方蒸着法によりＣ
ｏＯ磁性膜３３を形成した。ここで、比較例１で形成し
た非磁性下地膜は、非磁性微粒子が柱状的に成長し、前
記微粒子の集合体を分離する明瞭な粒界を有する構造と
して成膜された非磁性柱状ＣｏＯ下地膜である。

【００５３】（比較例２）比較例１と同様、図１５の成
膜装置２０を用い、非磁性下地膜なしの状態で、ＣｏＯ
磁性膜３３のみを実施例１と同様な条件でベースフィル
ム６上に斜方蒸着法により形成した。

【００５４】前記した実施例１で形成した非磁性等方Ｃ
ｏＯ下地膜３２及び比較例１で形成した非磁性柱状Ｃｏ
Ｏ下地膜とＣｏＯ磁性膜３３に関して、各下地膜の状態
及び膜厚違いによる磁性膜のＨｃの変化を図４に示す。
図４中、○は、非磁性等方ＣｏＯ下地膜の場合、●は、
非磁性柱状ＣｏＯ下地膜の場合、△は、下地膜なしの場
合を示し，縦軸は、ＣｏＯ磁性膜のＨｃ、横軸は、非磁
性等方ＣｏＯ下地膜の厚さを示している。

【００５５】この図４より明らかな如く、実施例１のよ
うに、すなわち、非磁性微粒子が等方的に成長し、前記
微粒子の集合体を分離する明瞭な粒界を有しない構造と
して成膜された非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２は、５〜３
００オングストロームの範囲で、比較例１で形成した非
磁性柱状ＣｏＯ下地膜よりＨｃが高い。特に、非磁性等
方ＣｏＯ下地膜３２は、５０〜２００オングストローム
の範囲で同じ膜厚の非磁性柱状ＣｏＯ下地膜では得られ
ない２１００Ｏｅ以上のＨｃが得られるものである。

【００５６】また、非磁性柱状ＣｏＯ下地膜の膜厚が２
５オングストローム以下では、下地膜がない場合とＨｃ
は同じで、Ｈｃを増加する効果はないが、非磁性等方Ｃ
ｏＯ下地膜３２は、膜厚が５オングストロームの薄い範
囲でも、Ｈｃを増加する効果があることが分かる。

【００５７】また、図４より明らかな如く、下地膜なし
の状態では、Ｈｃは、たかだか１２００Ｏｅ程度であ
り、実用に供さないものであることが分かる。

【００５８】（実施例２）実施例１と同様な成膜条件で
非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２をスパッタリング法で５０
オングストローム形成し、この非磁性等方ＣｏＯ下地膜
３２の上にＣｏＯ磁性膜３３を実施例１と同じ成膜条件
で、膜厚１００〜１８００オングストロームの範囲で斜
方蒸着法により形成した。

【００５９】（比較例３）非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２
なしの状態で、ＣｏＯ磁性膜３３のみを実施例２と同様
な条件で、膜厚１００〜１８００オングストロームの範
囲でベースフィルム６上に斜方蒸着法により形成した。

【００６０】実施例２と比較例３の結果を図５に示す。
図５中、○は、厚さ５０オングストロームの非磁性等方
ＣｏＯ下地膜の場合、●は、非磁性等方ＣｏＯ下地膜無
しの場合を示し、縦軸は、ＣｏＯ磁性膜のＨｃ、横軸
は、ＣｏＯ磁性膜の厚さを示している。ＣｏＯ磁性膜３
３の膜厚が１００オングストローム〜１０００オングス
トロームの範囲で、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２を形成
することによりＨｃが増加しており、効果が大きいこと
が分かる。特に、ＣｏＯ磁性膜３３の膜厚が１００オン
グストロームでも、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２が無い
場合よりＨｃが６００Ｏｅ増加しており、効果が大きい
ことが分かる。

【００６１】図６は、ＣｏＯ磁性膜３３の膜厚を５００
オングストロームに設定した場合の非磁性等方ＣｏＯ下
地膜３２の最適成膜条件を得るための説明図であり、特
に、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２の膜厚を変化させると
共に、成膜時の酸素分圧とアルゴン分圧を変化させた場
合の、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２の厚みと抗磁力との
関係を示す説明図である。図６中、縦軸は、ＣｏＯ磁性
膜のＨｃ、横軸は、非磁性等方ＣｏＯ下地膜の厚さを示
している。

【００６２】この図６より明らかな如く、各膜厚におい
てＡｒ分圧が２ｍＴｏｒｒ、Ｏ₂分圧が１．７ｍＴｏｒ
ｒの時に、高Ｈｃが得られることがわかる。

【００６３】図７は、前記した最適な非磁性等方ＣｏＯ
下地膜３２を得るための酸素分圧と非磁性等方ＣｏＯ下
地膜３２の飽和磁化Ｍｓとの関係を示す説明図である。
図７中、縦軸は、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２の飽和磁
化Ｍｓ、横軸は、酸素分圧を示している。この図７より
明らかなように、アルゴン（Ａｒ）分圧が２ｍＴｏｒｒ
では、Ｏ₂分圧が０．７４ｍＴｏｒｒ以上で、アルゴン
（Ａｒ）分圧が１０ｍＴｏｒｒでは、Ｏ₂分圧が２ｍＴ
ｏｒｒ以上の部分で磁化がなく、この部分で非磁性等方
ＣｏＯ下地膜３２が得られることが分かる。従って、第
１の実施例では、この範囲内において図６のアルゴン
（Ａｒ）分圧及び酸素（Ｏ₂）分圧を決めたものであ
る。

【００６４】図８及び図９は、ＣｏＯ磁性膜３３の初期
成長角度θとＨｃの関係を示すもので、図８はその説明
図、図９は要部拡大図である。図８中、〇は、非磁性等
方ＣｏＯ下地膜有りの場合、●は、非磁性等方ＣｏＯ下
地膜なしの場合を示し、縦軸は、ＣｏＯ磁性膜のＨｃ、
横軸は、ＣｏＯ磁性膜の初期成長角を示している。な
お、初期成長角度θは、前記した透過型電子顕微鏡観察
による磁性膜の断面写真より得られた値である。以下、
その点につき具体的に説明する。

【００６５】更に、図８について詳細に説明すると、同
図中、●は、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２が無い場合に
おける膜厚が共に３５０オングストロームで、それぞれ
１４００Ｏｅと１１００ＯｅのＨｃを有するＣｏＯ磁性
膜３３の場合であり、〇は、スパッタリング法により膜
厚１００オングストロームの非磁性等方ＣｏＯ下地膜３
２を形成した上に非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２が無い場
合と同じ成膜条件で形成したＣｏＯ磁性膜３３の場合で
あり、それぞれのＣｏＯ磁性膜３３のＨｃと初期成長角
度θの変化を示している。そして、矢印は、非磁性等方
ＣｏＯ下地膜３２が無い状態で形成されたＣｏＯ磁性膜
３３のＨｃが非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２上に形成され
た場合の初期成長角θのシフトする様子を示している。
非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２の付与により初期成長角度
θは、３°〜４°低下していることから、非磁性等方Ｃ
ｏＯ下地膜３２がある場合には、初期成長方向を水平方
向に寝かせる作用が強いことが分かる。このため、自己
陰影効果が高まり高Ｈｃが得られるものと思われる。

【００６６】また、従来例の蒸着法により膜厚１００オ
ングストロームの非磁性ＣｏＯ柱状下地膜を形成し、こ
の上にＣｏＯ磁性層３３を前記と同様な成膜条件で形成
した際の初期成長層の変化は、非磁性柱状ＣｏＯ下地膜
が無い場合と有る場合では、非磁性柱状ＣｏＯ下地膜の
付与により初期成長角度θは、１°〜２°低下する。以
上から、非磁性等方ＣｏＯ下地膜３２は、非磁性柱状Ｃ
ｏＯ下地膜より初期成長方向を水平方向に寝かせる作用
が強く、このため自己陰影効果が高く、Ｈｃの増加効果
が大きくなったものと思われる。

【００６７】更に、図１０、図１１を用いて非磁性等方
ＣｏＯ下地膜３２の有無による効果の相違について説明
する。前記した如く図１０は、実施形態１に係わる薄膜
磁気記録媒体を構成する磁性膜表面の状態を示す拡大
図、すなわち、スパッタリング法により非磁性等方Ｃｏ
Ｏ下地膜３２を設けた場合の磁性膜表面の高分解能ＳＥ
Ｍ（（株）日立製作所製Ｈ−５０００）によるＳＥＭ
像、また図１１は、非磁性等方下地膜を設けない場合の
磁性膜表面の高分解能ＳＥＭによるＳＥＭ像である。

【００６８】このＣｏＯ磁性膜３３表面の高分解能ＳＥ
Ｍ観察から明らかな如く、図１１に示す比較例２の下地
膜がないＣｏＯ磁性膜３３には、粒界に空隙は見られな
いが、図１０に示す実施例１、実施例２になる非磁性等
方ＣｏＯ下地膜３２があるＣｏＯ磁性膜３３の粒界には
明瞭な空隙が発生していることが分かる。これは、非磁
性等方ＣｏＯ下地膜３２によりＣｏＯ磁性膜３３の粒界
に空隙が発生し、これにより粒子の孤立化が促進され、
Ｈｃが増加したものと考えられる。

【００６９】

【実施形態２】図１２は、第２の発明である実施形態２
に係わる薄膜磁気記録媒体を模式的に示した模式図、図
１３は、実施形態２に係わる薄膜磁気記録媒体を構成す
る非磁性下地膜の条件を変化させた場合の酸素分圧と抗
磁力との関係を示す説明図、図１４は、実施形態２に係
わる薄膜磁気記録媒体を構成する非磁性下地膜の厚みと
抗磁力との関係を示す説明図である。

【００７０】次に、第２の発明について説明する。図１
２において、第２の発明である実施形態２に係わる薄膜
磁気記録媒体５０は、ベースフィルムとなる、例えば、
前記したＰＥＴフィルムを用いた非磁性基板５１、この
非磁性基板５１の上にスパッタリング法により形成され
た非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２、この非磁性窒化Ｃｏ下地
膜５２の上に斜方蒸着法により形成されたＣｏＯ磁性膜
５３より大略構成されている。

【００７１】（実施例３）以下、前記した第２の発明で
ある実施形態２に係わる薄膜磁気記録媒体５０を製造す
る方法について説明する。なお、第２の発明である実施
形態２に係わる構造を有する薄膜磁気記録媒体５０を製
造するための製造装置としては、基本的には前記した図
３の成膜装置４０を用いて行うので、その装置の具体的
構成等についての説明は省略し、相違点のみについて説
明する。

【００７２】第２の発明である実施形態２に係わる構造
を有する薄膜磁気記録媒体５０の成膜装置４０におい
て、第１の発明である実施形態１に係わる構造を有する
薄膜磁気記録媒体３０と根本的に相違するところは、非
磁性下地膜として窒化膜を用いることにある。従って、
スパッターターゲット４１にはＣｏターゲットを用いて
アルゴン（Ａｒ）ガスと窒素（Ｎ₂）ガスを導入してス
パッタリング法により成膜を行なうことになる。

【００７３】ここでは、図３中のベースフィルム６は、
図１２における非磁性基板５１となるものである。すな
わち、図３に示す如くバージンのベースフィルム６上に
非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２を成膜する成膜工程では、一
対のフィルム巻回用ロール２，３のうちで一方（供給
側）のフィルム巻回用ロール２に巻回させたベースフィ
ルム６を冷却キャンロール７に沿って入射角規制マスク
９の最大入射角θｍａｘ側から最小入射角θｍｉｎ側に
走行させながら他方（巻取側）のフィルム巻回用ロール
３に向かう途中で、スパッターターゲット４１、具体的
にはＣｏターゲットを用いてアルゴン（Ａｒ）ガスと窒
素（Ｎ₂）ガスを導入してスパッタリング法により成膜
を行い、非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２をベースフィルム６
上に形成する。

【００７４】次に、非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２が形成さ
れたベースフィルム６が、冷却キャンロール７の外周面
を走行している間に、所定の角度に設定された最大及び
最小入射角の範囲で、斜方蒸着法により図示しない酸素
ガス導入パイプにより導入した所定量の酸素（Ｏ₂）ガ
スをルツボ８内の磁性金属材１１であるＣｏから蒸発し
た磁性金属材蒸気１１ａに向けて射出することにより、
磁性金属材蒸気１１ａを非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２上に
形成して、図１２に示すように非磁性基板５１（ベース
フィルム６）上に非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２、ＣｏＯ磁
性膜５３が順次成膜されるものである。

【００７５】前記した斜方蒸着法によるＣｏＯ磁性膜５
３の成膜に際し、このＣｏＯ磁性膜５３の成長粒子は、
入射角規制マスク９の最大入射角θｍａｘ側での粗な付
着状態から最小入射角θｍｉｎ側での密な付着状態に移
行しながらベースフィルム６上に成膜されるものであ
る。そして、前記した構造を有する非磁性窒化Ｃｏ下地
膜５２及びＣｏＯ磁性膜５３を成膜したベースフィルム
６は、他方（巻取側）のフィルム巻回用ロール３に巻き
取られるものである。

【００７６】なお、前記した非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２
の膜厚は１００オングストロームに設定すると共にＣｏ
Ｏ磁性膜５３の膜厚を下記の成膜条件で形成した。

【００７７】非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２の成膜条件Ａｒ分圧（ｍＴｏｒｒ）２Ｎ₂分圧（ｍＴｏｒｒ）１ＣｏＯ磁性膜５３の成膜条件Ｏ₂ガス圧（Ｔｏｒｒ) １．８×１０^-5〜８．３×
１０^-5 膜厚（オングストローム）５００

【００７８】（比較例４）非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２な
しの状態で、前記したベースフィルム６の上に実施例３
と同様な条件で、ＣｏＯ磁性膜５３を５００オングスト
ロームの膜厚で形成した。

【００７９】この実施例３と比較例４の結果を図１３に
示す。図１３中、●は、非磁性窒化Ｃｏ下地膜有りの場
合、〇は、非磁性窒化Ｃｏ下地膜無しの場合を示し、縦
軸は、ＣｏＯ磁性膜のＨｃ、横軸は、酸素圧力を示して
いる。この図１３より明らかな様に、磁性膜成膜時の酸
素（Ｏ₂）圧が１．８×１０^- ⁵〜４．０×１０^-5Ｔｏｒ
ｒの範囲で、非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２を設けた場合に
は、それを設けない場合に比して、ＣｏＯ磁性膜５３の
Ｈｃが最大で４００Ｏｅ増加している。また、酸素圧が
４．０×１０^-5〜５．７×１０^-5Ｔｏｒｒの範囲で高い
Ｈｃが得られていることが分かる。

【００８０】（実施例４）Ｃｏターゲットを用いてＡｒ
ガスとＮ₂ガスを導入して、実施例３と同様のＡｒ分
圧、Ｎ₂分圧条件で、スパッタリング法により膜厚を１
０〜２００オングストロームの範囲で変化させて、非磁
性窒化Ｃｏ下地膜５２をベースフィルム６上に形成し
た。そして、この非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２上に図３に
示す成膜装置４０によりＣｏを斜方蒸着法により蒸発さ
せＯ₂ガスを導入して、Ｏ₂圧力が４．１×１０^-5Ｔｏｒ
ｒの条件で膜厚５００オングストロームのＣｏＯ磁性膜
５３を形成した。

【００８１】（比較例５）非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２よ
りなる下地膜なしの状態で膜厚５００オングストローム
のＣｏＯ磁性膜５３のみを実施例４と同様な条件でベー
スフィルム６上に斜方蒸着法により形成した。

【００８２】実施例４と比較例５の結果を図１４に示
す。図１４中、●は、非磁性ＣｏＮ下地膜有りの場合、
△は、非磁性ＣｏＮ下地膜無しの場合を示し、縦軸は、
ＣｏＯ磁性膜のＨｃ、横軸は、非磁性ＣｏＮ下地膜の厚
さを示している。図１４に示すように、非磁性窒化Ｃｏ
下地膜５２が５０〜２００オングストロームの範囲で、
非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２がない場合よりＨｃが増加し
ていて効果が大きいことが分かる。

【００８３】また、図示していないがＣｏＯ磁性膜５３
表面の高分解能ＳＥＭ観察から、比較例４，５の下地膜
がないＣｏＯ磁性膜５３には粒界に空隙は見られない
が、実施例３、実施例４になる非磁性窒化Ｃｏ下地膜５
２があるＣｏＯ磁性膜５３の粒界には明瞭な空隙が発生
しているものである。これは、非磁性窒化Ｃｏ下地膜５
２よりなる下地膜によりＣｏＯ磁性膜５３の粒界に空隙
が発生し、これにより粒子の孤立化が促進され、Ｈｃが
増加したものと考えられる。

【００８４】本各実施例の説明では、非磁性等方ＣｏＯ
下地膜３２及び非磁性窒化Ｃｏ下地膜５２の成膜方法と
してスパッタリング法を用いて説明したが、これはあく
までも一方法である。また、非磁性ＣｏＯ下地膜の成膜
結果として等方的なものが得られるのであればスパッタ
リング法に限定されるものではない。

【００８５】

【発明の効果】以上詳細に説明したとおり、本請求項１
になる発明によれば、非磁性基板上に形成した非磁性金
属酸化膜よりなる下地膜と、この下地膜の上に斜方蒸着
法により形成したＣo系磁性膜とを順次積層してなる薄
膜磁気記録媒体であって、前記非磁性金属酸化膜よりな
る下地膜は、非磁性金属酸化膜の微粒子が等方的に成長
し、前記微粒子の集合体を分離する明瞭な粒界を有しな
い構造としたことにより、ドロップアウトが少ない薄膜
磁気記録媒体を量産性良く生産することができる。

【００８６】本請求項２になる発明によれば、請求項１
記載の薄膜磁気記録媒体において、前記下地膜は、スパ
ッタリング法で形成した膜であることにより、抗磁力Ｈ
ｃを高めることが出来る。

【００８７】本請求項３になる発明によれば、請求項１
記載の薄膜磁気記録媒体において、前記下地膜の膜厚
は、５オングストローム〜３００オングストロームにす
ることにより、抗磁力Ｈｃを高めることが出来る。

【００８８】本請求項４になる発明によれば、請求項１
記載の薄膜磁気記録媒体において、前記下地膜は、Ｃｏ
Ｏとしたことにより、Ｈｃが高くドロップアウトが少な
い薄膜磁気記録媒体を量産性良く生産することができ
る。

【００８９】本請求項５になる発明によれば、非磁性基
板上に形成した非磁性金属窒化膜よりなる下地膜と、こ
の下地膜の上に斜方蒸着法により形成したＣo系磁性膜
とを順次積層したことにより、Ｈｃが高くドロップアウ
トが少ない薄膜磁気記録媒体を量産性良く生産すること
ができる。

【００９０】本請求項６になる発明によれば、請求項５
記載の薄膜磁気記録媒体において、前記下地膜は、スパ
ッタリング法で形成した膜であることにより、抗磁力Ｈ
ｃを高めることが出来る。

【００９１】本請求項７になる発明によれば、請求項５
記載の薄膜磁気記録媒体において、前記下地膜は、Ｃｏ
Ｏとしたことにより、Ｈｃが高くドロップアウトが少な
い薄膜磁気記録媒体を量産性良く生産することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の発明である実施形態１に係わる薄膜磁気
記録媒体を模式的に示した模式図である。

【図２】実施形態１に係わる薄膜磁気記録媒体を構成す
る非磁性下地膜及びこの非磁性下地膜の上に形成された
磁性膜の状態を模式的に示した模式図である。

【図３】実施形態１に係わる薄膜磁気記録媒体を製造す
るための薄膜磁気記録媒体（薄膜テープ）成膜装置の構
成図である。

【図４】実施形態１における非磁性下地膜の厚みと抗磁
力との関係を示す説明図である。

【図５】実施形態１における磁性膜の厚みと抗磁力との
関係を示す説明図である。

【図６】実施形態１における非磁性下地膜の成膜時の条
件を変化させた場合の、非磁性下地膜の厚みと抗磁力と
の関係を示す説明図である。

【図７】実施形態１における非磁性下地膜を得るための
酸素分圧と飽和磁化との関係を示す説明図である。

【図８】実施形態１における磁性膜の初期成長角度θと
Ｈｃの関係を示す説明図である。

【図９】図２、１６の要部拡大図である。

【図１０】実施形態１に係わる薄膜磁気記録媒体を構成
する磁性膜表面の状態を示す拡大図である。

【図１１】薄膜磁気記録媒体を構成する他の磁性膜表面
の状態を示す拡大図である。

【図１２】第２の発明である実施形態２に係わる薄膜磁
気記録媒体を模式的に示した模式図である。

【図１３】実施形態２に係わる薄膜磁気記録媒体を構成
する非磁性下地膜の条件を変化させた場合の酸素分圧と
抗磁力との関係を示す説明図である。

【図１４】実施形態２に係わる薄膜磁気記録媒体を構成
する非磁性下地膜の厚みと抗磁力との関係を示す説明図
である。

【図１５】従来例に係わる薄膜磁気記録媒体を製造する
ための薄膜磁気記録媒体（薄膜テープ）成膜装置の構成
図である。

【図１６】従来の薄膜磁気記録媒体成膜装置により形成
された薄膜磁気記録媒体の一部を構成する非磁性下地膜
及びこの非磁性下地膜の上に形成された磁性膜の状態を
模式的に示した模式図である。

【符号の説明】

１真空槽１ａ右側壁１ｂ上部真空槽１ｃ下部真空槽２フィルム巻回ロール３フィルム巻回ロール４テープガイドロール５テープガイドロール６ベースフィルム７冷却キャンロール８ルツボ９入射角規制マスク１０入射角規制マスク１１磁性金属材料１１ａ磁性金属材蒸気１２ピアス型電子銃１３電子ビーム１４偏向マグネット１５偏向マグネット１６下地膜１７蒸着磁性膜２０薄膜磁気記録媒体の成膜装置３０薄膜磁気記録媒体３１非磁性基板３２非磁性等方ＣｏＯ下地膜３３ＣｏＯ磁性膜４０薄膜磁気記録媒体の成膜装置４１スパッターゲート４２隔壁５０薄膜磁気記録媒体５１非磁性基板５２非磁性窒化Ｃｏ下地膜５３ＣｏＯ磁性膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5D006 BB01 BB07 BB09 CA01 CA05 EA03 FA00 FA09 5E049 AA04 AC05 CB02 DB12 GC01 HC01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に形成した非磁性金属酸化膜
よりなる下地膜と、この下地膜の上に斜方蒸着法により
形成したＣｏ系磁性膜とを順次積層してなる薄膜磁気記
録媒体であって、前記非磁性金属酸化膜よりなる下地膜は、非磁性金属酸
化膜の微粒子が等方的に成長し、前記微粒子の集合体を
分離する明瞭な粒界を有しない構造としたことを特徴と
する薄膜磁気記録媒体。
【請求項２】前記下地膜は、スパッタリング法で形成し
た膜であることを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気記
録媒体。
【請求項３】前記下地膜の膜厚は、５オングストローム
〜３００オングストロームであることを特徴とする請求
項１記載の薄膜磁気記録媒体。
【請求項４】前記下地膜は、ＣｏＯであることを特徴と
する請求項１記載の薄膜磁気記録媒体。
【請求項５】非磁性基板上に形成した非磁性金属窒化膜
よりなる下地膜と、この下地膜の上に斜方蒸着法により
形成したＣｏ系磁性膜とを順次積層したことを特徴とす
る薄膜磁気記録媒体。
【請求項６】前記下地膜は、スパッタリング法で形成し
た膜であることを特徴とする請求項５記載の薄膜磁気記
録媒体。
【請求項７】前記下地膜は、Ｃｏ窒化膜であることを特
徴とする請求項５記載の薄膜磁気記録媒体。