JP2003142775A - 近接場光プローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】物体に近接して配置することができ、かつ、量
産性が高く応用装置の組立が容易な近接場光プローブ集
積半導体レーザを提供すること。 【解決手段】半導体基板の主面上に形成した互いに導電
性の異なる半導体層よりなる１対の反射鏡と、同１対の
反射鏡に挟まれた上記半導体層よりも禁制帯幅の狭い活
性層とを少なくとも有する面発光半導体レーザを形成
し、その上面の光出射位置に近接場光を発生するプロー
ブを形成する。面発光レーザを形成する領域以外の該半
導体基板の一部に主面からこれに対向する裏面に到達す
る孔を設け、上記半導体レーザの主面側への通電を該裏
面に達する孔を経、かつ面発光レーザの上面に達しない
高さに形成した電極を介して裏面側から行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録、光計測等
に用いる近接場光プローブを備えた半導体レーザとそれ
を用いた光記録装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】金属膜に設けた光の波長以下の孔や先端
が鋭く尖った構造の尖端などの本来光を透過しない構造
においても光の電磁場が漏れ出し、数十ナノメートル程
度の空間に強い光電磁場が形成される現象が知られてお
り、この現象を利用した近接場光プローブを超高密度光
記録や超高感度表面センサの光源に利用することが検討
されている。

【０００３】そのような近接場光プローブを小型で低コ
ストに実現する方法として、光源である半導体レーザに
直接近接場プローブを設けることが提案されている。一
例として、面発光半導体レーザの表面に金属膜を設け、
これに微少な孔をあけることにより近接場光を得る技術
がある［例えば、応用物理学会誌「応用物理」第６８巻
第１２号の第１３８０頁（１９９９年１２月）参照］。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の近接場光プロー
ブを設けた面発光レーザにおいては、面発光レーザの発
光部分と金属膜にあけた近接場光発生のための孔との位
置合わせが必要になる。位置合わせは、収束イオンビー
ムの位置を面発光レーザの中央に合わせることにより行
われていた。しかし、この様な位置合わせをウエハ内に
多数形成された素子に対し同時に精密に行なうことは難
しく、量産性に問題があった。

【０００５】また、従来の近接場光プローブを備えた半
導体レーザにおいては、一方の電極が素子の主面上に、
他方の電極が素子の裏面上に設けられる。近接場光を用
いたシステムにおいては、光ディスクや測定対象の物体
に素子を近接して配置する必要があり、素子の主面側は
極力平坦に形成する必要がある。しかし、一方の電極が
素子主面上にあるため、主面側に電流を流し込むための
ボンディングワイヤなどが、プローブを他の物体に近接
して使用する場合に障害になるという問題があった。

【０００６】本発明の目的は、以上のような従来技術の
問題点を解決し、物体に近接して配置することができ、
かつ、量産性が高く応用装置の組立が容易な近接場光プ
ローブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置を
提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、下記の
通りである。 （１）半導体基板の主面上に形成した互いに導電性の異
なる半導体層よりなる１対の反射鏡及び該１対の反射鏡
に挟まれた上記半導体層よりも禁制帯幅の狭い活性層を
少なくとも有する面発光半導体レーザと、該面発光レー
ザの上面の光出射位置に形成された近接場光を発生する
プローブとを備えており、面発光レーザを形成する領域
以外の半導体基板の一部に主面からこれに対向する裏面
に到達する孔が設けられ、面発光レーザの上面側の上記
半導体層への通電が基板裏面に達する孔を経て形成され
た電極を介して基板裏面側から行なわれ、該電極が面発
光半導体レーザの上面に達しない高さに配置されている
近接場光プローブ集積半導体レーザ。 （２）項番(1)において、通電のための孔は、上記半導
体基板の主面側と裏面側からそれぞれ基板厚さの略２分
の１の深さのエッチングを行なうことにより形成されて
おり、主面側及び裏面側の電極は、いずれもエッチング
を行なう主面及び裏面と鈍角で交差する結晶面上に形成
されている。 （３）項番(２)の主面側の上記孔は、樹脂などの絶縁性
固体により充填され、該絶縁性固体により孔の底に設け
た金属膜が支持されている。 （４）項番(1)において、近接場光プローブは、面発光
レーザの光出射面上に形成された、厚さ及び頂点の曲率
半径が光波長以下の三角形の形状をした金属膜の頂点に
よって構成されている。 （５）項番(４)において、近接場光プローブ以外の面発
光レーザの上面は、反射率が近接場光プローブを設けた
領域よりも高い反射率を有する誘電体多層膜で覆われて
いる。 （６）項番(１)において、前記近接場光プローブは、前
記面発光レーザの光出射部位を規定する構造と同一の作
製工程によって形成されたものである。

【０００８】上述の項番（１）の構造によれば、面発光
レーザの上面側の半導体層から面発光レーザに電流を流
すために必要な電極は、基板裏側から基板を貫通しかつ
主面側に上記上面から突出せずに形成されるため、面発
光レーザと近接場光プローブを備えた素子の主面（面発
光レーザの上面）に記録媒体を近接させて駆動する際に
障害となる構造物は存在しない。

【０００９】素子裏面から素子主面側に通電するそのよ
うな電極は、具体的には、項番（２）のように通電用の
孔を基板の主面と裏面からそれぞれエッチングで穿ち、
形成された孔の側面がエッチング前の主面と裏面のそれ
ぞれに対し鈍角で交差する面上に形成される。エッチン
グで孔を形成する場合、(１００)面である主面と(−１
００)面である裏面に鈍角で交わる面は、それぞれ(１１
−１)(１−１１)面及び(−１１１)(−１−１−１)面で
ある。このような鈍角の面に電極を形成することによっ
て電極の段切れが防止される。また、このような孔には
項番（３）のように樹脂などの絶縁物で充填することに
より孔の底の金属膜を支持するとともに、同絶縁物の面
平坦化により素子上面の平坦性を向上することが可能で
ある。

【００１０】近接場光プローブとして、基板面に垂直な
方向の厚さ及び頂点の曲率半径がともに光波長以下の三
角形の形状をした金属膜の表面プラズモンの作用を利用
して近接場光を発生する項番（４）の構造が採用され
る。この場合、面発光レーザの出力光のうち金属膜以外
の部分から出射する光は無効なバックグランド光となる
が、金属膜以外の面発光レーザ表面を反射率９７％以上
の高反射絶縁物多層膜で覆う項番（５）の構造とすれ
ば、バックグランド光をレーザ素子内に反射させること
により減少させ、近接場光の強度を高めることが可能と
なる。

【００１１】また、項番（６）の工程により、面発光レ
ーザと近接場光プローブが自己整合的に形成され、従っ
て高精度の位置合わせの必要がなく、近接場光プローブ
集積半導体レーザの量産が可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る近接場光プロ
ーブ集積半導体レーザ及びそれを用いた光記録装置を図
面に示した発明の実施の形態を参照して更に詳細に説明
する。

【００１３】本発明の近接場光プローブ集積半導体レー
ザの一実施形態を図１に示す。図１において、101はｐ
型ＧａＡｓ基板、102〜108は基板101の上面（主面）に
この順に形成した半導体層で、102は光反射鏡となる下
側ｐ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector)層、106
は下部スぺーサ層103と量子井戸活性層104と上部スぺー
サ層105とで構成された活性層領域（広義の活性層）、1
07はｎ型ＡｌＡｓ層、108は光反射鏡となる上側ｎ型Ｄ
ＢＲ層であり、更に、109はＤＢＲ層108の上に形成した
光反射鏡となる絶縁膜ＤＢＲ層、110は絶縁膜ＤＢＲ層1
09の上に形成した近接場光プローブとなる金属膜、118
は、上側ｎ型ＤＢＲ層109に接続され、基板101の裏面側
に延びるｎ側電極、131は基板101の裏面に形成したｐ側
電極である。そして、活性層領域106は、ＤＢＲ層102，
108に挟まれかつＤＢＲ層102，108をなす半導体層より
も禁制帯幅が狭い半導体層である。

【００１４】本構造の製造方法を以下に述べる。まず、
分子線エピタキシ法により、ｐ型ＧａＡｓ基板101上
に、ＡｌＡｓとＧａＡｓをそれぞれの膜厚が媒質内波長
の１／４となるように交互に３０周期積層し、キャリア
濃度１×１０^１８ｃｍ^−３となる下側ｐ型ＤＢＲ層102
を形成した。

【００１５】次に、ＤＢＲ層102の上にアンドープＡｌ
_0.22Ｇａ_0.78Ａｓの下部スぺーサ層103を形成し、その
上にアンドープ量子井戸活性層104を形成し、更にその
上にアンドープＡｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓの上部スぺーサ層
105を形成し、膜厚が媒質内波長となる活性層領域106を
構成した。アンドープ量子井戸活性層104は、膜厚８０
ｎｍのＩｎＧａＡｓ量子井戸層と膜厚１５０ｎｍのＧａ
Ａｓ障壁層とを、量子井戸層が３層、障壁層が４層とな
るように交互に積層して形成した。

【００１６】続いて、活性層領域106の上に、キャリア
濃度が１×１０^１８ｃｍ^−３で膜厚が媒質内波長の１／
４となるｎ型ＡｌＡｓ層107を形成し、更にその上に、
それぞれの膜厚が媒質内波長の１／４のＡｌ_0.9Ｇａ_0.1
ＡｓとＧａＡｓとを交互に１５周期積層し、キャリア濃
度が１×１０^１８ｃｍ^−３で総膜厚が約２μｍとなる上
側ｎ型ＤＢＲ層108を形成した。

【００１７】次いで、以上のようにして形成したウエハ
上に膜厚が媒質内波長の１／４となる酸化シリコン及び
窒化シリコン、即ち二種の誘電体膜を交互に４周期積層
して絶縁膜ＤＢＲ層109とした。

【００１８】この様な構造の上に、電子線レジストを用
いて金による金属膜110を厚さ約５０ｎｍ堆積した。金
属膜110は、近接場光プローブとなるもので、そのパタ
ーンについては後述する。金属膜110形成のために、ま
ず、電子線レジストを用いて絶縁膜ＤＢＲ層109の最上
層の窒化シリコンを金属膜110のパターンとほぼ同一の
形状に除去した。再び電子線レジストを用いて、最上層
の窒化シリコンを除去した部分に金属膜110を堆積し
た。金属膜110のパターニングは、電子線レジストを所
望のパターンの部分のみ除去し、金属膜110を蒸着した
後に残りの電子線レジストを除去するリフトオフ法によ
り行なった。

【００１９】ここ迄形成した状態での面発光レーザの反
射鏡の反射率は、下側ｐ型ＤＢＲ層102が９９．８％、
上側ｎ型ＤＢＲ層108が９５．５％、絶縁膜ＤＢＲ層109
が９７．３％、絶縁膜ＤＢＲ層109最上層の窒化シリコ
ン膜を除去した領域が４０％であった。活性層側からみ
た上側ｎ型ＤＢＲ層108と絶縁膜ＤＢＲ層109を合わせた
反射率は９９．８％であり、最上層の窒化シリコン膜を
除去して金を付けた領域では９６％であった。

【００２０】このような反射率により、近接場プローブ
とその近傍以外に照射する光は、面発光レーザ内部に大
部分が反射されて再利用される。これにより、素子発光
効率の向上と近接場光に対するバックグランド光比率の
低減という二重の効果が得られた。

【００２１】近接場光プローブである金属膜110の形状
を図２に示す。形状は、頂点が互いに向き合った２個の
三角形で、頂点の曲率半径が金属膜110の厚さの５０ｎ
ｍとほぼ同じく光波長以下であり、二つの頂点の間の間
隔もほぼ同じである。この間隔から近接場光が放射され
る。

【００２２】さて、金属膜110の形成のときに同時に、
上記間隔を中心にした金属膜110を囲むリング状の金の
金属膜132を形成した。金属膜132は、レーザ発光や近接
場光の放射に関与せず、もっぱら半導体レーザの発光部
分の製造のために利用される。即ち、金属膜110と金属
膜132は同時に形成することにより、相対位置精度を高
くすることができる。そのような金属膜132を使うこと
により、レーザ発光部分と金属膜110とは、自己整合に
より高精度の位置合わせがなされることになる。

【００２３】金属膜110及び金属膜132を形成してからの
工程を図２に示す。金属膜110及び金属膜132をホトレジ
スト111で覆い、ホトレジスト111と金属膜132をマスク
として、上記積層膜を、上側ｎ型ＤＢＲ層108のＡｌＡ
ｓ層107に最も近いＧａＡｓ層、即ちＤＢＲ層108のＧａ
Ａｓ層の最下層を残して、四塩化炭素をエッチングガス
として用いた反応性イオンエッチングによりエッチング
した。これにより直径５０μｍの円筒状の構造112が形
成された。

【００２４】続いて、図３に示すように、この円筒を覆
い、他の部分では幅約２０μｍのストライプ状となるホ
トレジスト133を形成し、これをマスクにして反応性イ
オンエッチングにより下側ｐ型ＤＢＲ層102に達するエ
ッチングを行なった。それにより、ストライプ状の部分
では、ＤＢＲ層108の最下層のＧａＡｓ層やＡｌＡｓ層1
07等がストライプ領域113となる。

【００２５】その後、ホトレジスト133を除去し、約４
００℃の炉中で水蒸気によりＡｌＡｓ層107だけを側方
から酸化し高抵抗化させ、酸化領域114を形成した。但
し、この横方向酸化は、円筒112の中央の径約４μｍに
は達しないように途中で中止した。このようにして、上
面から見た図４に示すように、径約４μｍの非酸化領域
115が円筒112の中央に形成された。その結果、酸化領域
114の上下が電気的に絶縁され、非酸化領域115が電流注
入領域となる。この領域からレーザ光が放射される。

【００２６】上記エッチングによって形成されたストラ
イプ領域113では、酸化領域114によって下側ｐ型ＤＢＲ
層102と上側ｎ型ＤＢＲ層108が電気的に分離されるた
め、ストライプ領域113の上に導電膜を形成すると、こ
の導電膜は、上側ｎ型ＤＢＲ層108に至る横方向の電流
通路として用いることができる。

【００２７】その後、ストライプ領域113に隣接してＧ
ａＡｓ基板101の表面（主面）側から基板101の途中まで
深さ約１５μｍの化学エッチングを行ない、表側コンタ
クト孔116を形成した。

【００２８】更に、酸化シリコン絶縁膜117を素子全体
に厚さ約１００ｎｍ蒸着し、レジストマスクを利用し
て、ストライプ領域113にある上側ｎ型ＤＢＲ層108の最
下層のＧａＡｓ層に電極をつけるための小孔を酸化シリ
コン絶縁膜117にあけた。同時に、コンタクト孔116の底
部の酸化シリコン絶縁膜117に孔をあけた。次に、再び
ホトレジストマスクを利用してコンタクト孔116の底部
孔からストライプ領域の小孔までつながるＴｉ／Ｐｔ／
Ａｕ電極118を形成した。このとき、電極118は表側コン
タクト孔116の（０１−１)方向の辺の斜面上に形成する
ことにより基板段差による電極の段切れが防止される。

【００２９】以上のようにして形成した基板101（ウエ
ハに形成されている状態）にポリイミド樹脂119を塗布
した。続いて、図５に示すように、基板101の接合面を
下向きにしてウエハを石英基板120に貼り付けた。石英
基板120は、酸化亜鉛121及び酸化シリコン122をスパッ
タ法により設け、その上にポリイミド樹脂119を約１μ
ｍ塗布したものである。ウエハと石英基板120を貼り付
けた後、ポリイミドをベークして固化させた。石英基板
１２０は、以降の工程でウエハの強度を保つために用い
られるもので、所定の工程後に除去される。

【００３０】石英基板120に固定したＧａＡｓ基板101を
裏面から研磨して、ウエハ全体の厚さを３０μｍ以下と
した。次いで、両面合わせ技術を用いて基板101裏側に
表側コンタクト孔116と重なる位置に裏側コンタクト孔1
23を設けた。裏側コンタクト孔123は表側コンタクト孔1
16よりも小さく、エッチングは表側コンタクト孔116の
底部に達したときに停止する。

【００３１】次に、基板101裏面全体を覆う酸化シリコ
ン絶縁膜117を厚さ約１００ｎｍ堆積した。続いて、裏
面コンタクト孔123の底部の酸化シリコン絶縁膜117と面
発光レーザの発光部となる非酸化領域115の裏側の酸化
シリコン絶縁膜117とをホトリソグラフ技術を利用して
し除去した後、裏面側のｎ側電極118とｐ側電極131を形
成した。

【００３２】コンタクト孔部分の電極118は、図６に示
すように、表側電極118と裏側電極118が直交するように
形成され、その交点で両電極が接触し、電気的に接続さ
れる。図６におけるＡ・Ａ線による表側コンタクト孔11
6及び裏側コンタクト孔123とそれらの近傍の断面、Ｂ・
Ｂ線による同じ部分の断面を図７に示す。図７に示すよ
うに、それぞれの電極118がウエハの表面と鈍角で交わ
る面上に形成されている。

【００３３】続いて、ウエハ裏面の電極118，131に対応
したパターンの金電極118，131及び半田124を設けたサ
ブマウント125を用意し、これに電極118，131の位置を
合わせながらウエハを半田付けした。

【００３４】次いで、塩酸系エッチング液により酸化亜
鉛膜121を除去して石英基板120をウエハから分離した。
ウエハの研磨工程以降サブマウントに取り付けるまで、
ウエハは石英基板120に貼り付けて取り扱われるため、
３０μｍ程度の薄い素子となっても取り扱い上の問題は
発生しなかった。面発光レーザの表面には、金属膜110
を覆う厚さ約１μｍのポリイミド樹脂119が残っている
ため、リアクティブイオンエッチング法によりこれを除
去した。除去後の表側コンタクト孔116を充填している
ポリイミド樹脂119により、孔116の底に設けた金属膜11
8が支持される。ポリイミド樹脂119は、これに限らず、
コンタクト孔116を充填可能な絶縁性固体であれば良
い。以上により、図１に示す素子を完成させた。図８
は、図１の正面からに対して側面から完成した素子を示
したものである。

【００３５】本実施形態により、面発光半導体レーザと
近接場光プローブを自己整合的に集積することが可能と
なり、レーザ発光部分と近接場光プローブを高い位置精
度で配置することができる。それにより、レーザ光の利
用効率が向上して面発光レーザの特性向上と近接場光の
出力増加が可能となる。半導体レーザと近接場光プロー
ブを自己整合的に集積することにより、高精度の位置合
わせが不要になり、量産性を高めることができる。

【００３６】更に、本実施形態により、表面が平坦な近
接場プローブが形成可能となり、光ディスク面に近接し
て光プローブを設置する光記録装置が容易に実現でき
る。

【００３７】なお、以上では、単一の面発光レーザを形
成する場合を例に述べたが、単一チップ上に複数の素子
を形成するアレイ型素子においても本発明が同様の効果
を持つことは言うまでもない。アレイ型とする場合に
は、特にサブマウントへの取り付けが終了してから素子
分離を行なうことにより上面の電極118の作成が容易に
なる点等で、アレイ化に伴った利点も発生する。

【００３８】また、本実施形態では、活性層にＧａＡｓ
を用いた例を説明したが、本発明は、ＧａＩｎＡｓを用
いた近赤外用、ＩｎＧａＰ又はＡｌＧａＩｎＰを用いた
赤色用の面発光レーザに適用することが可能である。更
には、ＧａＮ系やＺｎＳｅ系等の青色又は紫外線を発光
する面発光レーザ、ＩｎＧａＡｓＰ系等の１．３〜１．
５μｍ帯の長波長を発光する面発光レーザにも適用可能
であることは言うまでもない。

【００３９】次に、上述の近接場光プローブ集積半導体
レーザを用いた光記録装置の実施形態を図９に示す。図
９ａにおいて、701は下面に記録膜を形成した光ディス
ク、702は上記半導体レーザを搭載したスライダ、703は
スライダ702を備えた記録ヘッド、704は記録ヘッド703
を光ディスク701の矢印の半径方向に移動させるアクチ
ュエータである。

【００４０】図９ｂに、記録ヘッド703の詳細を示す。
近接場光プローブが光ディスク701の記録膜に対向する
ように近接場光プローブ集積半導体レーザ707がスライ
ダ702に搭載される。スライダ702はサスペンション705
の一方の端に置かれ、サスペンション705の他方の端が
圧電素子706に固定される。更に、圧電素子706は、記録
ヘッド703の基部に設置される。圧電素子706は、トラッ
キング調整のために用いられる。

【００４１】光記録装置は、上記のほか、光ディスク70
1の回転機構、記録信号を生成する信号回路、アクチュ
エータ704及び圧電素子706を制御する制御回路等を有す
るが図示を省略した。

【００４２】記録時に、スライダ702はサスペンション7
05のばね力によって光ディスク701の面に押し付けられ
るが、逆に光ディスク701の回転によって生じる光ディ
スク701の面上の空気流による浮上力がはたらき、両者
の力のバランスで、光ディスク701の面と半導体レーザ7
07の近接場光プローブの上面との間に数十ナノメータの
間隙が形成される。

【００４３】以上の構造により、近接場光プローブから
光の波長よりも小さい径の光スポットが光ディスク701
の記録膜に照射され、超高密度の光記録が行なわれる。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、面発光半導体レーザと
近接場光プローブを自己整合的に集積することにより、
高精度の位置合わせを伴わずに両者を精度良く配置する
ことが可能となる。それにより、レーザ光の利用効率を
向上させることができ、面発光レーザの特性向上と近接
場光の出力増加が可能となる。高精度の位置合わせが不
要になることから、量産性を高めることができる。更
に、半導体レーザの上側の電極を半導体レーザの表面に
突出しないで裏面に至る構造にすることができるので、
電極プローブを設けた半導体レーザの表面を平坦にする
ことが可能になる。そのような近接場光プローブ集積半
導体レーザを光ディスク面に近接して設置することが可
能になり、光の波長より小さい光スポットを利用した超
高密度の光記録装置を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る近接場光プローブ集積半導体レー
ザの発明の実施の形態を説明するための断面図。

【図２】本発明の近接場光プローブ集積半導体レーザの
製作工程を説明するための図。

【図３】本発明の近接場光プローブ集積半導体レーザの
製作工程を説明するための別の図。

【図４】図３の工程によって形成した酸化領域及び非酸
化領域を説明するための上面図。

【図５】本発明の近接場光プローブ集積半導体レーザの
製作工程を説明するための更に別の図。

【図６】図５の工程によって形成したコンタクト孔を説
明するための上面図。

【図７】図６に示したコンタクト孔の断面図。

【図８】本発明の近接場光プローブ集積半導体レーザを
説明するための別方向の断面図。

【図９】本発明の光記録装置を説明するための斜視図。

【符号の説明】

101…ｐ型ＧａＡｓ基板、102…下側ｐ型ＤＢＲ層、103
…下部スぺーサ層、104…量子井戸活性層、105…上部ス
ぺーサ層、106…活性層領域、107…ｎ型ＡｌＡｓ層、10
8…上側ｎ型ＤＢＲ層、109…絶縁膜ＤＢＲ層、110…金
属膜、114…酸化領域、115…非酸化領域、116…表側コ
ンタクト孔、117…酸化シリコン絶縁膜、118，131…電
極、123…裏側コンタクト孔、124…半田、125…サブマ
ウント701…光ディスク、702…スライダ、703…記録ヘ
ッド、707…近接場光プローブ集積半導体レーザ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１２Ｂ 21/06 Ｇ１２Ｂ 1/00 ６０１Ｃ Ｆターム(参考） 5D119 AA11 AA22 AA38 BA01 CA06 EB02 FA05 FA16 JA34 MA06 5D789 AA11 AA22 AA38 BA01 CA06 CA21 CA22 CA23 EB02 FA05 FA16 JA34 MA06 5F073 AA65 AA74 BA04 CA07 CB22 DA21 DA27

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板の主面上に形成した互いに導電
   性の異なる半導体層よりなる１対の反射鏡及び該１対の
   反射鏡に挟まれた上記半導体層よりも禁制帯幅の狭い活
   性層を少なくとも有する面発光半導体レーザと、該面発
   光半導体レーザの上面の光出射位置に形成された近接場
   光を発生するプローブとを備えており、該面発光半導体
   レーザを形成する領域以外の該半導体基板の一部に主面
   からこれに対向する裏面に到達する孔が設けられ、裏面
   側から該面発光半導体レーザの上面側の上記半導体層へ
   通電を行なうための電極が該孔を経て形成され、該電極
   は、該面発光半導体レーザの上面に達しない高さに配置
   されていることを特徴とする近接場光プローブ集積半導
   体レーザ。
2. 【請求項２】通電のための前記孔は、前記半導体基板の
   主面側と裏面側からそれぞれ基板厚さの略２分の１の深
   さのエッチングを行なうことにより形成されており、主
   面側及び裏面側の電極はいずれもエッチングを開始する
   前の面に対し鈍角で交わる結晶面に形成されていること
   を特徴とする請求項１に記載の近接場光プローブ集積半
   導体レーザ。
3. 【請求項３】前記近接場光プローブは、前記面発光半導
   体レーザの上面の光出射面上に形成された、厚さ及び頂
   点の曲率半径が光波長以下の三角形の形状をした金属膜
   の頂点によって構成されていることを特徴とする請求項
   １に記載の近接場光プローブ集積半導体レーザ。
4. 【請求項４】前記近接場光プローブは、前記面発光レー
   ザの光出射部位を規定する構造と同一の作製工程によっ
   て形成されたものであることを特徴とする請求項１に記
   載の近接場光プローブ集積半導体レーザ。
5. 【請求項５】請求項１に記載の近接場光プローブ集積半
   導体レーザと、該半導体レーザの近接場光プローブの上
   面と光ディスクの面との間に間隙を設けるためのスライ
   ダと、該スライダを支持しかつ該スライダを光ディスク
   の面へ押すばね力を有するサスペンションと、該半導体
   レーザ、該スライダ及び該サスペンションを含む記録ヘ
   ッドと、該記録ヘッドを光ディスクの半径方向に移動さ
   せるアクチュエータとを備えていることを特徴とする光
   記録装置。