JP2003130927A - タイミング発生器、半導体試験装置、及びタイミング発生方法 - Google Patents
タイミング発生器、半導体試験装置、及びタイミング発生方法Info
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 遅延量を精度よく測定し、遅延量が精度よく
制御されたタイミング信号を発生するタイミング発生
器、半導体試験装置、及びタイミング発生方法を提供す
る。 【解決手段】 所定の周波数を発生する基準信号発生部
と、基準信号を所定の時間遅延させたタイミング信号を
出力する可変遅延回路部と、可変遅延回路部の遅延量を
測定する遅延量測定部とを備え、遅延量測定部が測定し
た遅延量に基づいて可変遅延回路部の遅延量を制御する
タイミング発生器において、基準信号の周波数を微小周
波数範囲で連続的に変調させることにより、遅延量測定
部が精度よく可変遅延回路部の遅延量を測定することが
できる。また、測定した遅延量に基づいて可変遅延回路
部の遅延量を制御することにより、精度よく遅延された
タイミング信号を発生することが可能となる。
制御されたタイミング信号を発生するタイミング発生
器、半導体試験装置、及びタイミング発生方法を提供す
る。 【解決手段】 所定の周波数を発生する基準信号発生部
と、基準信号を所定の時間遅延させたタイミング信号を
出力する可変遅延回路部と、可変遅延回路部の遅延量を
測定する遅延量測定部とを備え、遅延量測定部が測定し
た遅延量に基づいて可変遅延回路部の遅延量を制御する
タイミング発生器において、基準信号の周波数を微小周
波数範囲で連続的に変調させることにより、遅延量測定
部が精度よく可変遅延回路部の遅延量を測定することが
できる。また、測定した遅延量に基づいて可変遅延回路
部の遅延量を制御することにより、精度よく遅延された
タイミング信号を発生することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基準信号を所定の
時間遅延させたタイミング信号を発生させるタイミング
発生器、半導体試験装置及びタイミング発生方法に関す
る。特に、基準信号の遅延量を精度良く測定し、遅延量
を制御するタイミング発生器、半導体試験装置及びタイ
ミング発生方法に関する。
時間遅延させたタイミング信号を発生させるタイミング
発生器、半導体試験装置及びタイミング発生方法に関す
る。特に、基準信号の遅延量を精度良く測定し、遅延量
を制御するタイミング発生器、半導体試験装置及びタイ
ミング発生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、従来のタイミング発生器１００
を示す。タイミング発生器１００は、基準信号発生部１
０、選択部１２、可変遅延回路部１４、制御回路１６、
波形整形回路３２及び、周波数カウンタ１８を備える。
タイミング発生器１００は、例えば半導体を試験する半
導体試験装置に用いられる。
を示す。タイミング発生器１００は、基準信号発生部１
０、選択部１２、可変遅延回路部１４、制御回路１６、
波形整形回路３２及び、周波数カウンタ１８を備える。
タイミング発生器１００は、例えば半導体を試験する半
導体試験装置に用いられる。
【０００３】基準信号発生部１０は、所定の周波数の基
準信号を発生し、基準信号を選択部１２及び制御回路１
６に供給する。また、基準信号発生部１０は、例えばタ
イミング発生器１００が半導体試験装置に用いられてい
る場合、半導体試験装置の他の部分にも基準信号を供給
する。選択部１２は、基準信号発生部１２から供給され
た基準信号と、波形整形回路３２が出力する信号のいず
れかを選択して可変遅延回路部１４に入力する。可変遅
延回路部１４は、選択部１２によって選択された信号
を、所定の時間遅延して出力する。制御部１６は、可変
遅延回路部１４の遅延量を制御する。
準信号を発生し、基準信号を選択部１２及び制御回路１
６に供給する。また、基準信号発生部１０は、例えばタ
イミング発生器１００が半導体試験装置に用いられてい
る場合、半導体試験装置の他の部分にも基準信号を供給
する。選択部１２は、基準信号発生部１２から供給され
た基準信号と、波形整形回路３２が出力する信号のいず
れかを選択して可変遅延回路部１４に入力する。可変遅
延回路部１４は、選択部１２によって選択された信号
を、所定の時間遅延して出力する。制御部１６は、可変
遅延回路部１４の遅延量を制御する。
【０００４】タイミング発生器１００は、最初に可変遅
延回路部１４の遅延量が所望の遅延量であるか否かを測
定する。図１に示すように、タイミング発生器１００に
スタートパルスが入力される。選択部１２は、経路Ｂを
選択し、可変遅延回路部１４の出力が、可変遅延回路部
１４の入力にフィードバックされるループを形成する。
当該スタートパルスは、形成された当該ループを周回す
る。当該スタートパルスは、当該ループを周回する毎
に、可変遅延回路部１４により所定の遅延量で遅延され
る。すなわち、当該ループには、周期が可変遅延回路部
１４の遅延量にほぼ等しい発振信号が生成される。
延回路部１４の遅延量が所望の遅延量であるか否かを測
定する。図１に示すように、タイミング発生器１００に
スタートパルスが入力される。選択部１２は、経路Ｂを
選択し、可変遅延回路部１４の出力が、可変遅延回路部
１４の入力にフィードバックされるループを形成する。
当該スタートパルスは、形成された当該ループを周回す
る。当該スタートパルスは、当該ループを周回する毎
に、可変遅延回路部１４により所定の遅延量で遅延され
る。すなわち、当該ループには、周期が可変遅延回路部
１４の遅延量にほぼ等しい発振信号が生成される。
【０００５】従来のタイミング発生器１００は、当該ル
ープにおける発振信号の周波数を測定することにより、
可変遅延回路部１４の遅延量を算出することができる。
周波数カウンタ１８は、当該ループにおける発振信号の
周回数を測定するカウンタである。周波数カウンタ１８
が測定した周回数に基づいてフィードバックのループに
おける信号の周波数、すなわち可変遅延回路部１４の遅
延量を算出する。算出した遅延量に基づいて、制御部１
６は、可変遅延回路部１４の遅延量を所望の遅延量に制
御する。
ープにおける発振信号の周波数を測定することにより、
可変遅延回路部１４の遅延量を算出することができる。
周波数カウンタ１８は、当該ループにおける発振信号の
周回数を測定するカウンタである。周波数カウンタ１８
が測定した周回数に基づいてフィードバックのループに
おける信号の周波数、すなわち可変遅延回路部１４の遅
延量を算出する。算出した遅延量に基づいて、制御部１
６は、可変遅延回路部１４の遅延量を所望の遅延量に制
御する。
【０００６】通常、可変遅延回路部１４の遅延量を所望
の遅延量に対して精密に合わせる必要があるため、可変
遅延回路部１４の遅延設定値を変化させながら、それぞ
れの遅延設定値に対する当該ループにおける発振周期を
算出する。遅延設定値の変化に応じた遅延変化量の期待
値と、当該発振周期の変化量とが一致するように、制御
部１６は、可変遅延回路部１４の遅延量を制御する。こ
れにより、可変遅延回路部１４以外の回路による遅延時
間等の、一定のオフセットとして存在する遅延時間は計
算上キャンセルできる。但し、以降の説明においては、
説明を明解にするため、当該ループにおける当該オフセ
ット遅延量は零であるとする。
の遅延量に対して精密に合わせる必要があるため、可変
遅延回路部１４の遅延設定値を変化させながら、それぞ
れの遅延設定値に対する当該ループにおける発振周期を
算出する。遅延設定値の変化に応じた遅延変化量の期待
値と、当該発振周期の変化量とが一致するように、制御
部１６は、可変遅延回路部１４の遅延量を制御する。こ
れにより、可変遅延回路部１４以外の回路による遅延時
間等の、一定のオフセットとして存在する遅延時間は計
算上キャンセルできる。但し、以降の説明においては、
説明を明解にするため、当該ループにおける当該オフセ
ット遅延量は零であるとする。
【０００７】可変遅延回路部１４の遅延量を調整した
後、選択部１２は、経路Ａを選択し、基準信号発生部１
０が発生する基準信号を可変遅延回路部１４に入力す
る。可変遅延回路部１４は、入力された当該基準信号を
調整された遅延量で遅延し、出力する。
後、選択部１２は、経路Ａを選択し、基準信号発生部１
０が発生する基準信号を可変遅延回路部１４に入力す
る。可変遅延回路部１４は、入力された当該基準信号を
調整された遅延量で遅延し、出力する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のタイミ
ング発生器１００は、基準信号発生部１０は、例えば半
導体試験装置に使用されている場合、他の部分にも基準
信号を供給するため、当該他の部分に供給された基準信
号のノイズが当該ループにおける発振信号に影響を与え
る。このため、当該ループにおける発振信号の周波数を
精度良く測定することが困難であった。例えば、当該基
準信号の周期と、可変遅延回路部１４の遅延量とが近い
値を取る場合、タイミング発生器１００のフィードバッ
クのループにおける信号の周期は、当該基準信号の周期
に等しくなる。いわゆる吸い込み現象である。以下吸い
込み現象について説明する。
ング発生器１００は、基準信号発生部１０は、例えば半
導体試験装置に使用されている場合、他の部分にも基準
信号を供給するため、当該他の部分に供給された基準信
号のノイズが当該ループにおける発振信号に影響を与え
る。このため、当該ループにおける発振信号の周波数を
精度良く測定することが困難であった。例えば、当該基
準信号の周期と、可変遅延回路部１４の遅延量とが近い
値を取る場合、タイミング発生器１００のフィードバッ
クのループにおける信号の周期は、当該基準信号の周期
に等しくなる。いわゆる吸い込み現象である。以下吸い
込み現象について説明する。
【０００９】図２は、吸い込み現象についての説明図で
ある。基準信号発生器１０が発生する基準信号は、図２
（ａ）に示すように、周期Ｔ１の矩形波信号である。ま
た周期Ｔ１は、可変遅延回路部１４の遅延量Ｔ２より僅
かに小さい値とする。図２（ａ）に示す基準信号によ
り、例えば図２（ｂ）に示すようなノイズが当該ループ
における発振信号に重畳される。
ある。基準信号発生器１０が発生する基準信号は、図２
（ａ）に示すように、周期Ｔ１の矩形波信号である。ま
た周期Ｔ１は、可変遅延回路部１４の遅延量Ｔ２より僅
かに小さい値とする。図２（ａ）に示す基準信号によ
り、例えば図２（ｂ）に示すようなノイズが当該ループ
における発振信号に重畳される。
【００１０】ループに供給されたスタートパルスによる
発振信号は、当該ノイズの影響を無視した場合、図２
（ｃ）に示すように、周期が可変遅延回路部１４の遅延
量Ｔ２にほぼ等しい発振信号となる。つまり、図２
（ｃ）に示した発振信号の周期を測定すれば、可変遅延
回路部１４の遅延量Ｔ２を算出することができる。しか
し、実際には、図２（ｂ）に示したノイズの影響によ
り、当該ループの周期は、可変遅延回路部１４の遅延量
Ｔ２と、異なる値を取ってしまう。
発振信号は、当該ノイズの影響を無視した場合、図２
（ｃ）に示すように、周期が可変遅延回路部１４の遅延
量Ｔ２にほぼ等しい発振信号となる。つまり、図２
（ｃ）に示した発振信号の周期を測定すれば、可変遅延
回路部１４の遅延量Ｔ２を算出することができる。しか
し、実際には、図２（ｂ）に示したノイズの影響によ
り、当該ループの周期は、可変遅延回路部１４の遅延量
Ｔ２と、異なる値を取ってしまう。
【００１１】図２（ｄ）は、図２（ｃ）に示す発振信号
に図２（ｂ）のノイズが重畳された場合の、当該ループ
における発振信号を示す。まず、図２（ｃ）の矩形波２
２ｃに示されるスタートパルスがタイミング発生器１０
０に与えられる。スタートパルスは一例として、基準信
号の１つの矩形波と同期しているものとする。スタート
パルスによる矩形波２２ｃにノイズが重畳されたものが
矩形波２２ｄである。矩形波２２ｄは、波形成形器３２
により整形され、選択部１２を介して可変遅延回路部１
４に入力される。整形された矩形波２２ｄは、可変遅延
回路部１４により所定の時間遅延され、図２（ｂ）のノ
イズが重畳された矩形波２４ｄとなる。矩形波２２ｄ
と、矩形波２４ｄとの周期をＴ３とすると、周期Ｔ
３は、可変遅延回路部１４の遅延量Ｔ２と等しくなるは
ずであるが、重畳されたノイズの影響により異なる値を
とる。この場合は、ノイズの周期Ｔ１が可変遅延回路部
１４の遅延量より僅かに小さい値をとるため、周期Ｔ１
に近い値、Ｔ２−αとなる。矩形波２４ｄは、波形整形
器３２により整形され、図２（ｅ）に示す矩形波２４ｅ
となる。図２（ｅ）は、図２（ｄ）に示した信号を整形
した信号を示す。矩形波２４ｅは、遅延回路部１４によ
り遅延され、ノイズが重畳された矩形波２６ｄとなる。
矩形波２６ｄは、矩形波２４ｃではなく、矩形波２４ｅ
を可変遅延回路部１４により遅延させた信号である。ま
た、矩形波２６ｄは、矩形波２４ｅを、可変遅延回路部
１４の遅延量Ｔ２だけ遅延した信号であるが、ノイズの
影響により、その遅延量は、Ｔ２−αよりさらにＴ１に
近い値となる。
に図２（ｂ）のノイズが重畳された場合の、当該ループ
における発振信号を示す。まず、図２（ｃ）の矩形波２
２ｃに示されるスタートパルスがタイミング発生器１０
０に与えられる。スタートパルスは一例として、基準信
号の１つの矩形波と同期しているものとする。スタート
パルスによる矩形波２２ｃにノイズが重畳されたものが
矩形波２２ｄである。矩形波２２ｄは、波形成形器３２
により整形され、選択部１２を介して可変遅延回路部１
４に入力される。整形された矩形波２２ｄは、可変遅延
回路部１４により所定の時間遅延され、図２（ｂ）のノ
イズが重畳された矩形波２４ｄとなる。矩形波２２ｄ
と、矩形波２４ｄとの周期をＴ３とすると、周期Ｔ
３は、可変遅延回路部１４の遅延量Ｔ２と等しくなるは
ずであるが、重畳されたノイズの影響により異なる値を
とる。この場合は、ノイズの周期Ｔ１が可変遅延回路部
１４の遅延量より僅かに小さい値をとるため、周期Ｔ１
に近い値、Ｔ２−αとなる。矩形波２４ｄは、波形整形
器３２により整形され、図２（ｅ）に示す矩形波２４ｅ
となる。図２（ｅ）は、図２（ｄ）に示した信号を整形
した信号を示す。矩形波２４ｅは、遅延回路部１４によ
り遅延され、ノイズが重畳された矩形波２６ｄとなる。
矩形波２６ｄは、矩形波２４ｃではなく、矩形波２４ｅ
を可変遅延回路部１４により遅延させた信号である。ま
た、矩形波２６ｄは、矩形波２４ｅを、可変遅延回路部
１４の遅延量Ｔ２だけ遅延した信号であるが、ノイズの
影響により、その遅延量は、Ｔ２−αよりさらにＴ１に
近い値となる。
【００１２】以上のループを繰り返すことにより、発振
信号の周期は、基準信号の周期に近づいていく。ある程
度の回数繰り返すことにより、発振信号の周期は平衡状
態に達する。つまり、基準信号の周期と、可変遅延回路
部１４の遅延量が近い値をとり、基準信号の周期が一定
である場合、当該発振信号の周期に対する、当該基準信
号によるノイズの影響は、平衡状態に達するまで蓄積さ
れる。基準信号の周期と、可変遅延回路部１４の遅延量
とが、近い値であるため、平衡状態に達した発振信号の
周期は、基準信号によるノイズの影響を受け続け、基準
信号の周期と同一の周期を取り続ける。平衡状態に達し
た発振信号の周期は、基準信号の周期とほぼ等しい値と
なる。このため、発振信号の周期と、可変遅延回路部１
４の遅延量との間に誤差が生じ、精度よく可変遅延回路
部１４の遅延量Ｔ２を算出することが困難である。その
ため、可変遅延回路部１４の遅延量を精度良く制御する
ことが困難となる。また、タイミング発生器１００が、
半導体試験装置に用いられている場合、半導体デバイス
を精度良く試験することが困難となる。
信号の周期は、基準信号の周期に近づいていく。ある程
度の回数繰り返すことにより、発振信号の周期は平衡状
態に達する。つまり、基準信号の周期と、可変遅延回路
部１４の遅延量が近い値をとり、基準信号の周期が一定
である場合、当該発振信号の周期に対する、当該基準信
号によるノイズの影響は、平衡状態に達するまで蓄積さ
れる。基準信号の周期と、可変遅延回路部１４の遅延量
とが、近い値であるため、平衡状態に達した発振信号の
周期は、基準信号によるノイズの影響を受け続け、基準
信号の周期と同一の周期を取り続ける。平衡状態に達し
た発振信号の周期は、基準信号の周期とほぼ等しい値と
なる。このため、発振信号の周期と、可変遅延回路部１
４の遅延量との間に誤差が生じ、精度よく可変遅延回路
部１４の遅延量Ｔ２を算出することが困難である。その
ため、可変遅延回路部１４の遅延量を精度良く制御する
ことが困難となる。また、タイミング発生器１００が、
半導体試験装置に用いられている場合、半導体デバイス
を精度良く試験することが困難となる。
【００１３】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできるタイミング発生器、半導体試験装置及びタイ
ミング発生方法を提供することを目的とする。この目的
は、特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み
合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる
有利な具体例を規定する。
とのできるタイミング発生器、半導体試験装置及びタイ
ミング発生方法を提供することを目的とする。この目的
は、特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み
合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる
有利な具体例を規定する。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の形態においては、基準信号を所定の
時間遅延させた、タイミング信号を発生するタイミング
発生器であって、所定の周波数の基準信号を発生する基
準信号発生部と、基準信号発生部が発生した、基準信号
の周波数を変調させる変調部と、基準信号が入力され、
基準信号を所定の時間遅延させた、タイミング信号を出
力する可変遅延回路部と、可変遅延回路部の遅延量を測
定する遅延量測定部とを備えることを特徴とするタイミ
ング発生器を提供する。
に、本発明の第１の形態においては、基準信号を所定の
時間遅延させた、タイミング信号を発生するタイミング
発生器であって、所定の周波数の基準信号を発生する基
準信号発生部と、基準信号発生部が発生した、基準信号
の周波数を変調させる変調部と、基準信号が入力され、
基準信号を所定の時間遅延させた、タイミング信号を出
力する可変遅延回路部と、可変遅延回路部の遅延量を測
定する遅延量測定部とを備えることを特徴とするタイミ
ング発生器を提供する。
【００１５】基準信号発生部は基準信号を、可変遅延回
路部と電源を共にする他の回路に基準信号を供給しても
よい。また、変調部は、基準信号の周波数を、所定の時
間連続して変調させてもよい。また、タイミング発生器
は、遅延量測定部が測定した、遅延量に基づいて、可変
遅延回路部の遅延量を制御する、制御部を更に備えても
よい。遅延量測定部は、タイミング信号を可変遅延回路
部の入力にフィードバックする信号帰還部を有し、遅延
量測定部は、信号帰還部が可変遅延回路部に、タイミン
グ信号をフィードバックすることによって発振する発振
信号の周波数を測定し、測定した発振信号の周波数に基
づいて可変遅延回路部の遅延量を算出してもよい。
路部と電源を共にする他の回路に基準信号を供給しても
よい。また、変調部は、基準信号の周波数を、所定の時
間連続して変調させてもよい。また、タイミング発生器
は、遅延量測定部が測定した、遅延量に基づいて、可変
遅延回路部の遅延量を制御する、制御部を更に備えても
よい。遅延量測定部は、タイミング信号を可変遅延回路
部の入力にフィードバックする信号帰還部を有し、遅延
量測定部は、信号帰還部が可変遅延回路部に、タイミン
グ信号をフィードバックすることによって発振する発振
信号の周波数を測定し、測定した発振信号の周波数に基
づいて可変遅延回路部の遅延量を算出してもよい。
【００１６】変調部は、２つの信号が入力され、２つの
信号の周波数差に基づいた電圧値の位相差信号を出力す
る位相差比較器と、位相差信号に、所定の変調信号を重
畳する重畳部と、変調信号が重畳された位相差信号が入
力され、位相差信号の電圧値に比例して周波数が増減す
る出力信号を出力する電圧制御可変周波数発振器と、出
力信号の周期を整数倍して、位相差比較器の第１の入力
にフィードバックする分周器とを有し、基準信号は、位
相差比較器の第２の入力に入力されてもよい。また、重
畳部は、所定の時間連続して電圧値が変化する変調信号
を位相差信号に重畳してもよい。
信号の周波数差に基づいた電圧値の位相差信号を出力す
る位相差比較器と、位相差信号に、所定の変調信号を重
畳する重畳部と、変調信号が重畳された位相差信号が入
力され、位相差信号の電圧値に比例して周波数が増減す
る出力信号を出力する電圧制御可変周波数発振器と、出
力信号の周期を整数倍して、位相差比較器の第１の入力
にフィードバックする分周器とを有し、基準信号は、位
相差比較器の第２の入力に入力されてもよい。また、重
畳部は、所定の時間連続して電圧値が変化する変調信号
を位相差信号に重畳してもよい。
【００１７】本発明の第２の形態においては、半導体デ
バイスを試験する試験装置であって、所定の周波数の基
準信号及び、半導体デバイスを試験する試験信号を発生
するパターン発生部と、基準信号が入力され、基準信号
を所定の時間遅延させたタイミング信号を出力するタイ
ミング発生器と、試験信号及びタイミング信号が入力さ
れ、試験信号をタイミング信号に基づいて遅延させた整
形信号を半導体デバイスに供給する波形整形器と、整形
信号に基づく半導体デバイスからの出力信号を受け取
り、出力信号に基づいて半導体デバイスの良否を判定す
る判定部とを備え、タイミング発生器は、パターン発生
部が発生した、基準信号の周波数を変調させる変調部
と、基準信号が入力され、基準信号を所定の時間遅延さ
せた、タイミング信号を出力する可変遅延回路部と、可
変遅延回路部の遅延量を測定する遅延量測定部とを有す
ることを特徴とする試験装置を提供する。
バイスを試験する試験装置であって、所定の周波数の基
準信号及び、半導体デバイスを試験する試験信号を発生
するパターン発生部と、基準信号が入力され、基準信号
を所定の時間遅延させたタイミング信号を出力するタイ
ミング発生器と、試験信号及びタイミング信号が入力さ
れ、試験信号をタイミング信号に基づいて遅延させた整
形信号を半導体デバイスに供給する波形整形器と、整形
信号に基づく半導体デバイスからの出力信号を受け取
り、出力信号に基づいて半導体デバイスの良否を判定す
る判定部とを備え、タイミング発生器は、パターン発生
部が発生した、基準信号の周波数を変調させる変調部
と、基準信号が入力され、基準信号を所定の時間遅延さ
せた、タイミング信号を出力する可変遅延回路部と、可
変遅延回路部の遅延量を測定する遅延量測定部とを有す
ることを特徴とする試験装置を提供する。
【００１８】本発明の第３の形態においては、基準信号
を所定の時間遅延させた、タイミング信号を発生するタ
イミング発生方法であって、所定の周波数の基準信号を
発生する基準信号発生段階と、基準信号発生段階が発生
した、基準信号の周波数を変調させる変調段階と、基準
信号が入力され、基準信号を所定の時間遅延させた、タ
イミング信号を出力する遅延段階と、遅延段階における
遅延量を測定する遅延量測定段階とを備えることを特徴
とするタイミング発生方法を提供する。
を所定の時間遅延させた、タイミング信号を発生するタ
イミング発生方法であって、所定の周波数の基準信号を
発生する基準信号発生段階と、基準信号発生段階が発生
した、基準信号の周波数を変調させる変調段階と、基準
信号が入力され、基準信号を所定の時間遅延させた、タ
イミング信号を出力する遅延段階と、遅延段階における
遅延量を測定する遅延量測定段階とを備えることを特徴
とするタイミング発生方法を提供する。
【００１９】第３の形態において、遅延量測定段階にお
いて測定した遅延量に基づいて、遅延段階における遅延
量を制御する、制御段階を更に備えてもよい。また、遅
延量測定段階は、タイミング信号を遅延段階における入
力にフィードバックする信号帰還段階を有し、遅延量測
定段階は、信号帰還段階が遅延段階に、タイミング信号
をフィードバックすることによって発振する発振信号の
周波数を測定し、測定した発振信号の周波数に基づいて
遅延段階の遅延量を算出してもよい。
いて測定した遅延量に基づいて、遅延段階における遅延
量を制御する、制御段階を更に備えてもよい。また、遅
延量測定段階は、タイミング信号を遅延段階における入
力にフィードバックする信号帰還段階を有し、遅延量測
定段階は、信号帰還段階が遅延段階に、タイミング信号
をフィードバックすることによって発振する発振信号の
周波数を測定し、測定した発振信号の周波数に基づいて
遅延段階の遅延量を算出してもよい。
【００２０】尚、上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又、発明となりうる。
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又、発明となりうる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲
にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中
で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決
手段に必須であるとは限らない。
本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲
にかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中
で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決
手段に必須であるとは限らない。
【００２２】図３は、本発明に係るタイミング発生器２
００の構成の一例を示す。タイミング発生器２００は、
基準信号発生部１０、変調部３０、制御部１６、選択部
１２、可変遅延回路部１４、遅延量測定部４０を備え
る。
００の構成の一例を示す。タイミング発生器２００は、
基準信号発生部１０、変調部３０、制御部１６、選択部
１２、可変遅延回路部１４、遅延量測定部４０を備え
る。
【００２３】基準信号発生部１０は、所定の周波数の基
準信号を発生する。当該基準信号は、変調部３０を介し
て選択部１２及び制御部１６に入力される。変調部３０
は、基準信号発生部１０が発生した基準信号の周波数を
変調させる。変調部３０は、当該基準信号の周波数を所
定の時間連続して変調させることが好ましい。変調部３
０は、周波数を変調させた基準信号を、制御部１６及び
選択部１２に供給する。また、タイミング発生器２００
が例えば半導体試験装置に用いられる場合、基準信号発
生部１０は、変調部３０を介して、可変遅延回路部１４
を含む他の回路（図示せず）に基準信号を供給してもよ
い。例えば、タイミング発生器１００が半導体試験装置
に用いられる場合、基準信号発生部１０は、半導体試験
装置の他の装置にも、周波数を変調させた基準信号を供
給する。選択部１２は、供給された基準信号と波形整形
回路３２が出力する信号のいずれかを選択して、可変遅
延回路１４に供給する。制御部１６は、供給された基準
信号に基づくタイミングで、可変遅延回路１４の遅延量
を制御する。可変遅延回路部１４は、供給された基準信
号を所定の時間遅延させた、タイミング信号を出力す
る。また、制御部１６は、可変遅延回路部１４が、受け
取った信号に対し、所定の遅延量を生成するように制御
する。
準信号を発生する。当該基準信号は、変調部３０を介し
て選択部１２及び制御部１６に入力される。変調部３０
は、基準信号発生部１０が発生した基準信号の周波数を
変調させる。変調部３０は、当該基準信号の周波数を所
定の時間連続して変調させることが好ましい。変調部３
０は、周波数を変調させた基準信号を、制御部１６及び
選択部１２に供給する。また、タイミング発生器２００
が例えば半導体試験装置に用いられる場合、基準信号発
生部１０は、変調部３０を介して、可変遅延回路部１４
を含む他の回路（図示せず）に基準信号を供給してもよ
い。例えば、タイミング発生器１００が半導体試験装置
に用いられる場合、基準信号発生部１０は、半導体試験
装置の他の装置にも、周波数を変調させた基準信号を供
給する。選択部１２は、供給された基準信号と波形整形
回路３２が出力する信号のいずれかを選択して、可変遅
延回路１４に供給する。制御部１６は、供給された基準
信号に基づくタイミングで、可変遅延回路１４の遅延量
を制御する。可変遅延回路部１４は、供給された基準信
号を所定の時間遅延させた、タイミング信号を出力す
る。また、制御部１６は、可変遅延回路部１４が、受け
取った信号に対し、所定の遅延量を生成するように制御
する。
【００２４】遅延量測定部４０は、可変遅延回路部１４
が生成する遅延量を測定する。遅延量測定部４０は、周
波数カウンタ１８と、信号帰還部５０を有する。信号帰
還部５０は、波形整形回路３２を有する。遅延量測定部
４０が、可変遅延回路部１４の遅延量を測定する場合、
測定部１２は経路Ｂを選択し、可変遅延回路部１４と、
信号帰還部５０によりループを形成する。信号帰還部５
０には、スタートパルスが入力される。スタートパルス
は、例えば、１つのパルスを有する信号である。信号帰
還部５０に入力されたスタートパルスは、波形整形回路
及び選択部１２を介して可変遅延回路部１４に入力され
る。可変遅延回路部１４は、入力されたスタートパルス
を所定の時間遅延させて、信号帰還部５０に出力する。
出力されたスタートパルスは、信号帰還部５０及び選択
部１２を介して可変遅延回路部１４の入力にフィードバ
ックされる。このフィードバックを繰り返すことによ
り、可変遅延回路部１４及び信号帰還部５０を有するル
ープを周回する発振信号が生成される。
が生成する遅延量を測定する。遅延量測定部４０は、周
波数カウンタ１８と、信号帰還部５０を有する。信号帰
還部５０は、波形整形回路３２を有する。遅延量測定部
４０が、可変遅延回路部１４の遅延量を測定する場合、
測定部１２は経路Ｂを選択し、可変遅延回路部１４と、
信号帰還部５０によりループを形成する。信号帰還部５
０には、スタートパルスが入力される。スタートパルス
は、例えば、１つのパルスを有する信号である。信号帰
還部５０に入力されたスタートパルスは、波形整形回路
及び選択部１２を介して可変遅延回路部１４に入力され
る。可変遅延回路部１４は、入力されたスタートパルス
を所定の時間遅延させて、信号帰還部５０に出力する。
出力されたスタートパルスは、信号帰還部５０及び選択
部１２を介して可変遅延回路部１４の入力にフィードバ
ックされる。このフィードバックを繰り返すことによ
り、可変遅延回路部１４及び信号帰還部５０を有するル
ープを周回する発振信号が生成される。
【００２５】周波数カウンタ１８は、可変遅延回路部１
４及び信号帰還部５０を有するループにおける発振信号
の所定の時間内の周回数をカウントする。測定した当該
発振信号の周回数に基づいて、可変遅延回路部１４の遅
延量を算出する。本発明によるタイミング発生器２００
は、当該基準信号の周波数を変調することにより、当該
基準信号によるノイズの影響を蓄積することを防ぐこと
ができるため、当該基準信号の周波数を変調することに
より、可変遅延回路部１４が生成する遅延量を精度良く
算出することが可能である。当該発振信号全体として、
当該基準信号によるノイズの影響を除去することができ
る。以下、基準信号の周波数を変調した場合の、当該発
振信号の周期について例を挙げて説明する。
４及び信号帰還部５０を有するループにおける発振信号
の所定の時間内の周回数をカウントする。測定した当該
発振信号の周回数に基づいて、可変遅延回路部１４の遅
延量を算出する。本発明によるタイミング発生器２００
は、当該基準信号の周波数を変調することにより、当該
基準信号によるノイズの影響を蓄積することを防ぐこと
ができるため、当該基準信号の周波数を変調することに
より、可変遅延回路部１４が生成する遅延量を精度良く
算出することが可能である。当該発振信号全体として、
当該基準信号によるノイズの影響を除去することができ
る。以下、基準信号の周波数を変調した場合の、当該発
振信号の周期について例を挙げて説明する。
【００２６】図４は、基準信号の周波数を変調した場合
の、発振信号の周期の一例についての説明図である。図
４（ａ）は、基準信号発生部１０が、変調部３０を介し
て供給する基準信号を示す。基準信号発生部１０は、周
期Ｔ４の矩形波信号を発生し、変調部３０は、基準信号
発生部１０が発生した矩形波信号の周波数を変調して出
力する。本実施例において、基準信号発生部１０が発生
する基準信号の周期は、Ｔ４から任意の微小時間を増減
した周期とする。
の、発振信号の周期の一例についての説明図である。図
４（ａ）は、基準信号発生部１０が、変調部３０を介し
て供給する基準信号を示す。基準信号発生部１０は、周
期Ｔ４の矩形波信号を発生し、変調部３０は、基準信号
発生部１０が発生した矩形波信号の周波数を変調して出
力する。本実施例において、基準信号発生部１０が発生
する基準信号の周期は、Ｔ４から任意の微小時間を増減
した周期とする。
【００２７】図４（ｂ）は、基準信号によるノイズの一
例を示す。ノイズの周期は、基準信号の周期と同一であ
る。図４（ｃ）は、ノイズの影響を無視した場合におけ
る、スタートパルスによる発振信号を示す。矩形波４４
ｃは、スタートパルスによる矩形波である。一例とし
て、矩形波４４ｃと基準信号の矩形波の１つが同期して
いるものとする。図４（ｃ）に示される発振信号の周期
は、可変遅延回路部１４の遅延量Ｔ５とほぼ等しい。
例を示す。ノイズの周期は、基準信号の周期と同一であ
る。図４（ｃ）は、ノイズの影響を無視した場合におけ
る、スタートパルスによる発振信号を示す。矩形波４４
ｃは、スタートパルスによる矩形波である。一例とし
て、矩形波４４ｃと基準信号の矩形波の１つが同期して
いるものとする。図４（ｃ）に示される発振信号の周期
は、可変遅延回路部１４の遅延量Ｔ５とほぼ等しい。
【００２８】図４（ｄ）は、図４（ｃ）に示した発振信
号に、図４（ｂ）に示したノイズが重畳された信号を示
す。矩形波４４ｄは、可変遅延回路部１４により遅延さ
れ、矩形波４６ｄとなる。矩形波４４ｄと矩形波４６ｄ
との周期は、ノイズの影響により、遅延量Ｔ５から、基
準信号の周期Ｔ４にわずかにシフトした値となる。矩形
波４６ｄは、波形整形回路３２により整形され図４
（ｅ）に示すような矩形波４６ｅとなる。図４（ｅ）
は、図４（ｄ）に示した信号を整形した信号を示す。矩
形波４６ｅは、可変遅延回路部１４により遅延され、矩
形波４８ｄとなる。本発明によるタイミング発生器２０
０は、基準信号の周波数を変調しているので、矩形波４
８ｄのタイミングと、基準信号によるノイズのタイミン
グとをずらすことができる。そのため、矩形波４６ｄと
矩形波４８ｄとの周期は、基準信号によるノイズの影響
を受けず、可変遅延回路部１４における遅延量Ｔ５と同
一となる。また、矩形波４８ｄ以降についても同様であ
る。つまり、ある矩形波において、ノイズの影響を受
け、周期がＴ５と異なる値をとっても、次の矩形波で
は、ノイズの影響を受けず、周期は可変遅延回路部１４
の遅延量Ｔ５と等しい値となる。また、複数の矩形波に
おいて、ノイズの影響を受け、その間周期がＴ５と異な
る値をとる場合であっても、ノイズの周期を変調するの
で、発振信号に影響を与えないタイミングでノイズが発
生し、発振信号の周期は可変遅延回路部１４の遅延量Ｔ
５に修正される。よって発振信号全体の周期は、可変遅
延回路部１４の遅延量Ｔ５と等しい周期となる。
号に、図４（ｂ）に示したノイズが重畳された信号を示
す。矩形波４４ｄは、可変遅延回路部１４により遅延さ
れ、矩形波４６ｄとなる。矩形波４４ｄと矩形波４６ｄ
との周期は、ノイズの影響により、遅延量Ｔ５から、基
準信号の周期Ｔ４にわずかにシフトした値となる。矩形
波４６ｄは、波形整形回路３２により整形され図４
（ｅ）に示すような矩形波４６ｅとなる。図４（ｅ）
は、図４（ｄ）に示した信号を整形した信号を示す。矩
形波４６ｅは、可変遅延回路部１４により遅延され、矩
形波４８ｄとなる。本発明によるタイミング発生器２０
０は、基準信号の周波数を変調しているので、矩形波４
８ｄのタイミングと、基準信号によるノイズのタイミン
グとをずらすことができる。そのため、矩形波４６ｄと
矩形波４８ｄとの周期は、基準信号によるノイズの影響
を受けず、可変遅延回路部１４における遅延量Ｔ５と同
一となる。また、矩形波４８ｄ以降についても同様であ
る。つまり、ある矩形波において、ノイズの影響を受
け、周期がＴ５と異なる値をとっても、次の矩形波で
は、ノイズの影響を受けず、周期は可変遅延回路部１４
の遅延量Ｔ５と等しい値となる。また、複数の矩形波に
おいて、ノイズの影響を受け、その間周期がＴ５と異な
る値をとる場合であっても、ノイズの周期を変調するの
で、発振信号に影響を与えないタイミングでノイズが発
生し、発振信号の周期は可変遅延回路部１４の遅延量Ｔ
５に修正される。よって発振信号全体の周期は、可変遅
延回路部１４の遅延量Ｔ５と等しい周期となる。
【００２９】従来のタイミング発生器においては、基準
信号の周期が一定であったため、基準信号の周期と、可
変遅延回路部１４の遅延量とが近い値である場合、一旦
発振信号がノイズの影響をうけると、発振信号の周期
は、基準信号の周期に吸い込まれてしまう。図３及び図
４に関連して説明した、タイミング発生器２００では、
基準信号の周期を変調し、基準信号によるノイズの周期
を変調させることにより、当該ノイズが発振信号に影響
を与えるタイミングを変えている。当該ノイズが発振信
号に影響を与えるタイミングを変えることにより、発振
信号の周期が、基準信号の周期に吸い込まれることを防
ぐことが可能となる。
信号の周期が一定であったため、基準信号の周期と、可
変遅延回路部１４の遅延量とが近い値である場合、一旦
発振信号がノイズの影響をうけると、発振信号の周期
は、基準信号の周期に吸い込まれてしまう。図３及び図
４に関連して説明した、タイミング発生器２００では、
基準信号の周期を変調し、基準信号によるノイズの周期
を変調させることにより、当該ノイズが発振信号に影響
を与えるタイミングを変えている。当該ノイズが発振信
号に影響を与えるタイミングを変えることにより、発振
信号の周期が、基準信号の周期に吸い込まれることを防
ぐことが可能となる。
【００３０】本例においては、基準信号発生部１０が発
生する基準信号によるノイズについて説明したが、他の
例においては、タイミング発生器２００は、他の原因に
よるノイズについて周波数を変調させる変調部を備えて
いてもよい。
生する基準信号によるノイズについて説明したが、他の
例においては、タイミング発生器２００は、他の原因に
よるノイズについて周波数を変調させる変調部を備えて
いてもよい。
【００３１】図５は、変調部３０の構成の一例を示す。
変調部３０は、分周器３２、分周器３４、位相比較器３
６、増幅器３８、重畳部４０及び、電圧制御可変周波数
発振器４２を有する。
変調部３０は、分周器３２、分周器３４、位相比較器３
６、増幅器３８、重畳部４０及び、電圧制御可変周波数
発振器４２を有する。
【００３２】分周期４４は、基準信号発生部１０（図３
参照）から基準信号が入力され、入力された基準信号の
周波数を１／Ｍ倍（Ｍは自然数）した信号を位相比較器
３６に供給する。位相比較器３６は、２つの信号が入力
され、２つの信号の位相差に基づいた電圧値の位相差信
号を出力する。増幅器３８は、位相差比較器３６から出
力された位相差信号を受け取り、所定の割合で増幅した
信号を重畳部４０に供給する。重畳部４０は、増幅器３
８から受け取った信号に、所定の変調信号を重畳して、
電圧制御可変周波数発振器４２に供給する。重畳部４０
は、所定の時間連続して電圧値が変化する変調信号を位
相差信号に重畳することが好ましい。電圧制御可変周波
数発振器４２は、重畳部４０から受け取った信号の電圧
値に基づく周波数を有する出力信号を出力する。分周期
３４は、電圧制御可変周波数発振器４２が出力した出力
信号を受け取り、出力信号の周波数を１／Ｎ倍（Ｎは自
然数）した信号を位相差比較器３６の入力にフィードバ
ックする。
参照）から基準信号が入力され、入力された基準信号の
周波数を１／Ｍ倍（Ｍは自然数）した信号を位相比較器
３６に供給する。位相比較器３６は、２つの信号が入力
され、２つの信号の位相差に基づいた電圧値の位相差信
号を出力する。増幅器３８は、位相差比較器３６から出
力された位相差信号を受け取り、所定の割合で増幅した
信号を重畳部４０に供給する。重畳部４０は、増幅器３
８から受け取った信号に、所定の変調信号を重畳して、
電圧制御可変周波数発振器４２に供給する。重畳部４０
は、所定の時間連続して電圧値が変化する変調信号を位
相差信号に重畳することが好ましい。電圧制御可変周波
数発振器４２は、重畳部４０から受け取った信号の電圧
値に基づく周波数を有する出力信号を出力する。分周期
３４は、電圧制御可変周波数発振器４２が出力した出力
信号を受け取り、出力信号の周波数を１／Ｎ倍（Ｎは自
然数）した信号を位相差比較器３６の入力にフィードバ
ックする。
【００３３】本例において説明した変調部３０によれ
ば、入力される基準信号の周波数を変調した信号を出力
することができる。重畳部４０において重畳される変調
信号は、例えば、正弦波、ホワイトノイズ等であってよ
い。変調部３０から出力される出力信号の周波数は、変
調部３０に入力される基準信号の周波数を、Ｎ／Ｍ倍し
た周波数を基準として、微小な周波数範囲で変調する。
変調部３０から出力される信号は、タイミング発生器２
００以外の装置にも供給されるので、変調部３０が出力
する信号が変調される周波数範囲は、タイミング発生器
２００以外の装置の動作に影響を与えない範囲であるこ
とが好ましい。例えば、変調部３０が信号の周波数を変
調する周波数範囲に対応する周期は、数ピコ秒から数十
ピコ秒であってよい。本発明によるタイミング発生器に
よれば、信号の周波数を数ピコ秒から数十ピコ秒程度変
調させることで、タイミング発生器２００以外の装置の
動作にほとんど影響させずに、図１及び図２に関連して
説明した吸い込み現象を防ぐことが可能である。また、
変調部３０は、遅延量測定部４０が、可変遅延回路部１
４の遅延量を測定する場合のみ、基準信号の周波数を変
調してもよい。
ば、入力される基準信号の周波数を変調した信号を出力
することができる。重畳部４０において重畳される変調
信号は、例えば、正弦波、ホワイトノイズ等であってよ
い。変調部３０から出力される出力信号の周波数は、変
調部３０に入力される基準信号の周波数を、Ｎ／Ｍ倍し
た周波数を基準として、微小な周波数範囲で変調する。
変調部３０から出力される信号は、タイミング発生器２
００以外の装置にも供給されるので、変調部３０が出力
する信号が変調される周波数範囲は、タイミング発生器
２００以外の装置の動作に影響を与えない範囲であるこ
とが好ましい。例えば、変調部３０が信号の周波数を変
調する周波数範囲に対応する周期は、数ピコ秒から数十
ピコ秒であってよい。本発明によるタイミング発生器に
よれば、信号の周波数を数ピコ秒から数十ピコ秒程度変
調させることで、タイミング発生器２００以外の装置の
動作にほとんど影響させずに、図１及び図２に関連して
説明した吸い込み現象を防ぐことが可能である。また、
変調部３０は、遅延量測定部４０が、可変遅延回路部１
４の遅延量を測定する場合のみ、基準信号の周波数を変
調してもよい。
【００３４】図６は、半導体デバイスの良否を判定する
半導体試験装置３００の構成の一例を示す。半導体試験
装置３００は、パターン発生器６０、波形整形器６２、
信号入出力部６６、判定部６８及び、タイミング発生器
２００を備える。パターン発生器６０は、所定の周波数
の基準信号及び、半導体デバイス６４を試験する試験信
号を発生する。パターン発生器６０は、所定の周波数の
基準信号をタイミング発生器２００に供給し、試験信号
を波形整形器６２に供給する。タイミング発生器２００
は、図３から図５に関連して説明したタイミング発生器
２００と、同一又は同様の機能及び構成を有してよい。
この場合、図３から図５に関連して説明したタイミング
発生器２００の基準信号発生部１０は、パターン発生器
６０から受け取った基準信号を、そのまま変調部３０に
供給する。
半導体試験装置３００の構成の一例を示す。半導体試験
装置３００は、パターン発生器６０、波形整形器６２、
信号入出力部６６、判定部６８及び、タイミング発生器
２００を備える。パターン発生器６０は、所定の周波数
の基準信号及び、半導体デバイス６４を試験する試験信
号を発生する。パターン発生器６０は、所定の周波数の
基準信号をタイミング発生器２００に供給し、試験信号
を波形整形器６２に供給する。タイミング発生器２００
は、図３から図５に関連して説明したタイミング発生器
２００と、同一又は同様の機能及び構成を有してよい。
この場合、図３から図５に関連して説明したタイミング
発生器２００の基準信号発生部１０は、パターン発生器
６０から受け取った基準信号を、そのまま変調部３０に
供給する。
【００３５】タイミング発生器２００は、受け取った基
準信号を所定の時間遅延させたタイミング信号を波形整
形器６２、信号入出力部６６及び、判定部６８に供給す
る。波形整形器６２、信号入出力部６６、判定部６８に
供給されるタイミング信号は、それぞれ別のタイミング
信号であってよい。波形整形器６２は、受け取った試験
信号を整形し、受け取ったタイミング信号に基づくタイ
ミングで、信号入出力部６６に供給する。信号入出力部
６６は、波形整形器６２から受け取った試験信号を、受
け取ったタイミング信号に基づくタイミングで半導体デ
バイス６４に入力する。また、信号入出力部６６は、半
導体デバイス６４が、入力された試験信号に基づいて出
力する信号を受け取り、判定部６８に入力する。判定部
６８は、信号入出力部６６から受け取った信号に基づい
て半導体デバイス６４の良否を判定する。判定部６８
は、パターン発生器６０が発生する試験信号に基づく期
待値と、信号入出力部６６から受け取る信号とを比較
し、半導体デバイス６４の良否を判定してよい。また、
パターン発生器６０は、発生する試験信号に基づく期待
値を判定部６８に供給してよい。
準信号を所定の時間遅延させたタイミング信号を波形整
形器６２、信号入出力部６６及び、判定部６８に供給す
る。波形整形器６２、信号入出力部６６、判定部６８に
供給されるタイミング信号は、それぞれ別のタイミング
信号であってよい。波形整形器６２は、受け取った試験
信号を整形し、受け取ったタイミング信号に基づくタイ
ミングで、信号入出力部６６に供給する。信号入出力部
６６は、波形整形器６２から受け取った試験信号を、受
け取ったタイミング信号に基づくタイミングで半導体デ
バイス６４に入力する。また、信号入出力部６６は、半
導体デバイス６４が、入力された試験信号に基づいて出
力する信号を受け取り、判定部６８に入力する。判定部
６８は、信号入出力部６６から受け取った信号に基づい
て半導体デバイス６４の良否を判定する。判定部６８
は、パターン発生器６０が発生する試験信号に基づく期
待値と、信号入出力部６６から受け取る信号とを比較
し、半導体デバイス６４の良否を判定してよい。また、
パターン発生器６０は、発生する試験信号に基づく期待
値を判定部６８に供給してよい。
【００３６】本例において説明した半導体試験装置３０
０によれば、精度のよいタイミング信号を発生でき、当
該タイミング信号に基づいて半導体デバイス６４の試験
を行うので、精度のよい試験を行うことが可能となる。
０によれば、精度のよいタイミング信号を発生でき、当
該タイミング信号に基づいて半導体デバイス６４の試験
を行うので、精度のよい試験を行うことが可能となる。
【００３７】図７は、本発明にかかるタイミング発生方
法のフローチャートを示す。本タイミング発生方法は、
基準信号を所定の時間遅延させた、タイミング信号を発
生する。基準信号発生段階は、所定の周波数の基準信号
を発生する（Ｓ１００）。基準信号は、図３から図５に
関連して説明した基準信号発生部１０を用いて発生され
てよい。遅延段階は、基準信号が入力され、基準信号を
所定の時間遅延させたタイミング信号を出力する（Ｓ１
０２）。基準信号は、図３から図５に関連して説明した
可変遅延回路部１４を用いて所定の時間遅延されてよ
い。
法のフローチャートを示す。本タイミング発生方法は、
基準信号を所定の時間遅延させた、タイミング信号を発
生する。基準信号発生段階は、所定の周波数の基準信号
を発生する（Ｓ１００）。基準信号は、図３から図５に
関連して説明した基準信号発生部１０を用いて発生され
てよい。遅延段階は、基準信号が入力され、基準信号を
所定の時間遅延させたタイミング信号を出力する（Ｓ１
０２）。基準信号は、図３から図５に関連して説明した
可変遅延回路部１４を用いて所定の時間遅延されてよ
い。
【００３８】遅延量測定段階は、遅延段階における遅延
量を測定する（Ｓ１０４）。遅延段階における遅延量
は、図３から図５に関連して説明した遅延量測定部４０
を用いて測定されてよい。制御段階は、遅延量測定段階
において測定した遅延量に基づいて、遅延段階における
遅延量を制御する（Ｓ１０６）。遅延段階における遅延
量は、図３から図５に関連して説明した制御部１６を用
いて制御されてよい。
量を測定する（Ｓ１０４）。遅延段階における遅延量
は、図３から図５に関連して説明した遅延量測定部４０
を用いて測定されてよい。制御段階は、遅延量測定段階
において測定した遅延量に基づいて、遅延段階における
遅延量を制御する（Ｓ１０６）。遅延段階における遅延
量は、図３から図５に関連して説明した制御部１６を用
いて制御されてよい。
【００３９】また、遅延量測定段階は、タイミング信号
を遅延段階における入力にフィードバックする信号帰還
段階を有してもよい。遅延量測定段階は、信号帰還段階
が遅延段階にタイミング信号をフィードバックすること
によって発振する発振信号の周波数を測定し、測定した
発振信号の周波数に基づいて遅延段階の遅延量を算出す
る。タイミング信号は、図３から図５に関連して説明し
た信号帰還部５０を用いて遅延段階にフィードバックさ
れてよい。
を遅延段階における入力にフィードバックする信号帰還
段階を有してもよい。遅延量測定段階は、信号帰還段階
が遅延段階にタイミング信号をフィードバックすること
によって発振する発振信号の周波数を測定し、測定した
発振信号の周波数に基づいて遅延段階の遅延量を算出す
る。タイミング信号は、図３から図５に関連して説明し
た信号帰還部５０を用いて遅延段階にフィードバックさ
れてよい。
【００４０】以上説明したタイミング発生方法によれ
ば、図３から図５に関連して説明したタイミング発生器
と同様に、遅延段階における基準信号の遅延量を精度よ
く測定することが可能となり、遅延段階における遅延量
を精度よく制御することが可能となる。
ば、図３から図５に関連して説明したタイミング発生器
と同様に、遅延段階における基準信号の遅延量を精度よ
く測定することが可能となり、遅延段階における遅延量
を精度よく制御することが可能となる。
【００４１】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることが可能であることが当業者に明らか
である。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の
技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載
から明らかである。
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又
は改良を加えることが可能であることが当業者に明らか
である。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の
技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載
から明らかである。
【００４２】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、発生する
タイミング信号のタイミングを精度よく制御することが
可能となる。また、半導体試験装置３００においては、
タイミング信号のタイミングを精度よく制御することが
できるので、半導体デバイスの良否を精度よく判定する
ことが可能となる。
タイミング信号のタイミングを精度よく制御することが
可能となる。また、半導体試験装置３００においては、
タイミング信号のタイミングを精度よく制御することが
できるので、半導体デバイスの良否を精度よく判定する
ことが可能となる。
【図１】 従来のタイミング発生器１００の構成を示
す。
す。
【図２】 従来のタイミング発生器１００における、吸
い込み現象を説明する。（ａ）は、基準信号の一例を示
す。（ｂ）は、ノイズの一例を示す。（ｃ）は、ノイズ
の影響を無視した発振信号の一例を示す。（ｄ）は、ノ
イズの影響を受けた発振信号の一例を示す。（ｅ）は、
整形された発振信号の一例を示す。
い込み現象を説明する。（ａ）は、基準信号の一例を示
す。（ｂ）は、ノイズの一例を示す。（ｃ）は、ノイズ
の影響を無視した発振信号の一例を示す。（ｄ）は、ノ
イズの影響を受けた発振信号の一例を示す。（ｅ）は、
整形された発振信号の一例を示す。
【図３】 本発明におけるタイミング発生器２００の構
成の一例を示す。
成の一例を示す。
【図４】 タイミング発生器２００が発生する発振信号
の周期の一例を示す。（ａ）は、基準信号の一例を示
す。（ｂ）は、ノイズの一例を示す。（ｃ）は、ノイズ
の影響を無視した発振信号の一例を示す。（ｄ）は、ノ
イズの影響を受けた発振信号の一例を示す。（ｅ）は、
整形された発振信号の一例を示す。
の周期の一例を示す。（ａ）は、基準信号の一例を示
す。（ｂ）は、ノイズの一例を示す。（ｃ）は、ノイズ
の影響を無視した発振信号の一例を示す。（ｄ）は、ノ
イズの影響を受けた発振信号の一例を示す。（ｅ）は、
整形された発振信号の一例を示す。
【図５】 変調部３０の構成の一例を示す。
【図６】 本発明における半導体試験装置３００の構成
の一例を示す。
の一例を示す。
【図７】 本発明におけるタイミング発生方法のフロー
チャートを示す。
チャートを示す。
１０・・・基準信号発生部、１２・・・選択部
１４・・・可変遅延回路部、１６・・・制御部
１８・・・周波数カウンタ、３２・・・波形整形回路
３４・・・分周期、３６・・・位相比較器
３８・・・増幅器、４０・・・遅延量測定部
４２・・・電圧制御可変周波数発振器、４４・・・分周
期 ５０・・・信号帰還部、６０・・・パターン発生器 ６２・・・波形整形器、６４・・・半導体デバイス ６６・・・信号入出力部、６８・・・判定部 １００・・・タイミング発生器、２００・・・タイミン
グ発生器 ３００・・・半導体試験装置
期 ５０・・・信号帰還部、６０・・・パターン発生器 ６２・・・波形整形器、６４・・・半導体デバイス ６６・・・信号入出力部、６８・・・判定部 １００・・・タイミング発生器、２００・・・タイミン
グ発生器 ３００・・・半導体試験装置
Claims (11)
- 【請求項１】 基準信号を所定の時間遅延させた、タイ
ミング信号を発生するタイミング発生器であって、 所定の周波数の前記基準信号を発生する基準信号発生部
と、 前記基準信号発生部が発生した、前記基準信号の周波数
を変調させる変調部と、 前記基準信号が入力され、前記基準信号を所定の時間遅
延させた、前記タイミング信号を出力する可変遅延回路
部と、 前記可変遅延回路部の遅延量を測定する遅延量測定部と
を備えることを特徴とするタイミング発生器。 - 【請求項２】 前記基準信号発生部は、前記可変遅延回
路部を含む他の回路に、前記基準信号を供給することを
特徴とする請求項１に記載のタイミング発生器。 - 【請求項３】 前記変調部は、前記基準信号の周波数
を、所定の時間連続して変調させることを特徴とする請
求項１又は２に記載のタイミング発生器。 - 【請求項４】 前記遅延量測定部が測定した前記遅延量
に基づいて、前記可変遅延回路部の遅延量を制御する制
御部を更に備えることを特徴とする請求項１から３のい
ずれかに記載のタイミング発生器。 - 【請求項５】 前記遅延量測定部は、前記タイミング信
号を前記可変遅延回路部の入力にフィードバックする信
号帰還部を有し、 前記遅延量測定部は、前記信号帰還部が前記可変遅延回
路部に、前記タイミング信号をフィードバックすること
によって発振する発振信号の周波数を測定し、測定した
前記発振信号の周波数に基づいて前記可変遅延回路部の
遅延量を算出することを特徴とする請求項１から４のい
ずれかに記載のタイミング発生器。 - 【請求項６】 前記変調部は、 ２つの信号が入力され、前記２つの信号の周波数差に基
づく電圧値の位相差信号を出力する位相差比較器と、 前記位相差信号に、所定の変調信号を重畳する重畳部
と、 前記変調信号が重畳された前記位相差信号が入力され、
前記位相差信号の前記電圧値に比例して周波数が増減す
る出力信号を出力する電圧制御可変周波数発振器と、 前記出力信号の周期を整数倍して、前記位相差比較器の
第１の入力にフィードバックする分周器とを有し、 前記基準信号は、前記位相差比較器の第２の入力に入力
されることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記
載のタイミング発生器。 - 【請求項７】 前記重畳部は、所定の時間連続して電圧
値が変化する前記変調信号を前記位相差信号に重畳する
ことを特徴とする請求項６に記載のタイミング発生器。 - 【請求項８】 半導体デバイスを試験する試験装置であ
って、 所定の周波数の基準信号及び、前記半導体デバイスを試
験する試験信号を発生するパターン発生部と、 前記基準信号が入力され、前記基準信号を所定の時間遅
延させたタイミング信号を出力するタイミング発生器
と、 前記試験信号及び前記タイミング信号が入力され、前記
試験信号を前記タイミング信号に基づいて遅延させた整
形信号を前記半導体デバイスに供給する波形整形器と、 前記整形信号に基づく前記半導体デバイスからの出力信
号を受け取り、前記出力信号に基づいて前記半導体デバ
イスの良否を判定する判定部とを備え、 前記タイミング発生器は、前記パターン発生部が発生し
た、前記基準信号の周波数を変調させる変調部と、 前記基準信号が入力され、前記基準信号を所定の時間遅
延させた、前記タイミング信号を出力する可変遅延回路
部と、 前記可変遅延回路部の遅延量を測定する遅延量測定部と
を有することを特徴とする試験装置。 - 【請求項９】 基準信号を所定の時間遅延させた、タイ
ミング信号を発生するタイミング発生方法であって、 所定の周波数の前記基準信号を発生する基準信号発生段
階と、 前記基準信号発生段階が発生した、前記基準信号の周波
数を変調させる変調段階と、 前記基準信号が入力され、前記基準信号を所定の時間遅
延させた、前記タイミング信号を出力する遅延段階と、 前記遅延段階における遅延量を測定する遅延量測定段階
とを備えることを特徴とするタイミング発生方法。 - 【請求項１０】 前記遅延量測定段階において測定した
前記遅延量に基づいて、前記遅延段階における遅延量を
制御する、制御段階を更に備えることを特徴とする請求
項９に記載のタイミング発生方法。 - 【請求項１１】 前記遅延量測定段階は、 前記タイミング信号を前記遅延段階における入力にフィ
ードバックする信号帰還段階を有し、 前記遅延量測定段階は、前記信号帰還段階が前記遅延段
階に、前記タイミング信号をフィードバックすることに
よって発振する発振信号の周波数を測定し、測定した前
記発振信号の周波数に基づいて前記遅延段階の遅延量を
算出することを特徴とする請求項９又は１０に記載のタ
イミング発生方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001326500A JP3869699B2 (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | タイミング発生器、半導体試験装置、及びタイミング発生方法 |
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| DE10297363T DE10297363T5 (de) | 2001-10-24 | 2002-10-24 | Zeitgenerator, Halbleiter-Prüfvorrichtung und Zeiterzeugungsverfahren |
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|---|---|---|---|
| JP2001326500A JP3869699B2 (ja) | 2001-10-24 | 2001-10-24 | タイミング発生器、半導体試験装置、及びタイミング発生方法 |
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|---|---|
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|---|---|---|---|
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| US7751787B2 (en) | 2005-08-11 | 2010-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Timing generator and methods thereof |
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| US7681091B2 (en) * | 2006-07-14 | 2010-03-16 | Dft Microsystems, Inc. | Signal integrity measurement systems and methods using a predominantly digital time-base generator |
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| JP5440999B2 (ja) | 2009-05-22 | 2014-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数測定装置 |
| JP5517033B2 (ja) | 2009-05-22 | 2014-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数測定装置 |
| JP5582447B2 (ja) | 2009-08-27 | 2014-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電気回路、同電気回路を備えたセンサーシステム、及び同電気回路を備えたセンサーデバイス |
| JP5815918B2 (ja) | 2009-10-06 | 2015-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 周波数測定方法、周波数測定装置及び周波数測定装置を備えた装置 |
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| US10411719B1 (en) | 2018-06-05 | 2019-09-10 | Western Digital Technologies, Inc. | Direct measurement delay calibration method and apparatus |
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-
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