KR101080008B1 - 하드마스크용 원판 및 이를 이용한 하드마스크 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 투명 기판 상부에 형성되는 식각 저지막;상기 식각 저지막 상부에 형성되는 차광막;상기 차광막 상부에 형성되는 반사방지막;상기 반사방지막 상부에 형성되는 하드마스크층;상기 하드마스크층 상부에, 액침노광(Immersion Lithography)의 리칭 아웃(leaching-out) 방지용 상부-도포 물질(top-coating material)로 형성되는 바닥 절연막; 및상기 바닥 절연막 상부에 형성되는 포토레지스트;를 포함하는 하드마스크용 원판.
- 제 1 항에 있어서,상기 투명 기판은 쿼츠(Quartz) 재질인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 원판.
- 제 1 항에 있어서,상기 하드마스크용 원판은 상기 투명 기판 및 상기 식각 저지막 사이에 형성되며, 4 ~ 8% 투과율을 갖는 하프톤 물질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하 드마스크용 원판.
- 제 1 항에 있어서,상기 차광막은 MoSi막이고, 상기 반사방지막은 MoSiN막인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 원판.
- 제 1 항에 있어서,상기 식각 저지막 및 상기 하드마스크층은 크롬(Cr)을 포함하는 박막인 것을 특징으로 하는 하드마스크용 원판.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 바닥 절연막은 1000Å이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 하드마스크용 원판.
- 제 1 항 내지 제 5 항, 제 7 항 중 어느 한 항의 하드마스크용 원판으로 제조된 것을 특징으로 하는 하드마스크.
- 제 1 항 내지 제 5 항, 제 7 항 중 어느 한 항의 하드마스크용 원판으로 제조된 것을 특징으로 하는 포토마스크.
- 투명 기판 상부에 식각 저지막을 형성하는 단계;상기 식각 저지막 상부에 차광막을 형성하는 단계;상기 차광막 상부에 반사방지막을 형성하는 단계;상기 반사방지막 상부에 하드마스크층을 형성하는 단계;상기 하드마스크층 상부에, 액침노광의 리칭 아웃 방지용 상부-도포 물질을 이용하여 바닥 절연막을 형성하는 단계;상기 바닥 절연막 상부에 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 포토레지스트에 노광 및 현상공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 현상공정에서 상기 바닥 절연막도 식각되도록 하여, 바닥 절연막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴 및 상기 바닥 절연막 패턴을 마스크로 상기 하드마스크층을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 식각 저지막 형성공정 이전에 상기 투명 기판 상부에 4 ~ 8% 투과율을 갖는 하프톤 물질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 포토레지스트를 노광하는 단계는 전자빔 리소그래피 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 하드마스크 패턴을 형성하는 단계는 건식 식각 공정을 이용하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 하드마스크 패턴을 형성한 후 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 바닥 절연막 패턴을 제거하는 단계; 및상기 하드마스크 패턴 상부에 잔류하는 잔존 유기물(Organic residue)을 제거하는 세정 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 제조 방법.
- 제 10 항에 있어서,상기 하드마스크 패턴을 형성한 후 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 바닥 절연막 패턴을 제거하는 단계;상기 하드마스크 패턴 상부에 잔류하는 잔존 유기물(Organic residue)을 제거하는 제 1 세정 단계;상기 하드마스크 패턴을 마스크로 상기 반사방지막 및 상기 차광막을 식각하여 반사방지/차광막 패턴을 형성하는 단계;상기 하드마스크 패턴 및 상기 반사방지/차광막 패턴을 마스크로 상기 식각 저지막을 식각하여 식각 저지막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 반사방지막 패턴 상부에 잔류하는 잔존 유기물(Organic residue)을 제거하는 제 2 세정 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 제조 방법.
- 제 15 항에 있어서,상기 식각 저지막 패턴을 형성하는 단계에서 상기 하드마스크 패턴이 인-시츄 (in-situ)로 제거되도록 하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 제조 방법.
- 투명 기판 상부에 하프톤 물질층을 형성하는 단계;상기 하프톤 물질층에 식각 저지막을 형성하는 단계;상기 식각 저지막 상부에 차광막을 형성하는 단계;상기 차광막 상부에 반사방지막을 형성하는 단계;상기 반사방지막 상부에 하드마스크층을 형성하는 단계;상기 하드마스크층 상부에, 액침노광의 리칭 아웃 방지용 상부-도포 물질을 이용하여 바닥 절연막을 형성하는 단계;상기 바닥 절연막 상부에 포토레지스트를 형성하는 단계;상기 포토레지스트에 노광 및 현상공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 현상공정에서 상기 바닥 절연막도 식각되도록 하여, 바닥 절연막 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴 및 상기 바닥 절연막 패턴을 마스크로 상기 하드마스크층을 식각하여 하드마스크 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴 및 상기 바닥 절연막 패턴을 제거하는 단계;상기 하드마스크 패턴을 마스크로 상기 반사방지막 및 상기 차광막을 식각하여 반사방지/차광막 패턴을 형성하는 단계;상기 하드마스크 패턴과 상기 반사방지/차광막 패턴을 마스크로 상기 식각 저지막을 식각하여 식각 저지막 패턴을 형성하되, 상기 하드마스크 패턴이 동시에 제거되도록 하는 단계;상기 반사방지/차광막 패턴을 포함하는 기판 전면에 IP 계열의 포토레지스트를 형성하는 단계; 및리소그래피 공정을 수행하여 IP 계열의 포토레지스트 패턴을 형성한 후, IP 계열의 포토레지스트 패턴 및 상기 반사방지/차광막 패턴 및 식각 저지막 패턴을 마스크로 상기 하프톤층을 식각하여 하프톤 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 하드마스크 제조 방법.
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