JP2003121978A - ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ハーフトーン型位相シフトマスクの製造途中
において高度な洗浄および／または位相差調整を、半透
光膜になんら悪影響を与えることなく行なうことができ
る製造方法等を提供する。 【解決手段】 半透光膜パターンが遮光膜パターンで保
護された状態において、アルカリ処理または酸処理する
こと、またはその両方の処理をすることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩなどの微細
パターンを投影露光装置にて転写する際に用いられるフ
ォトマスクの作製に係わり、特にハーフトーン型位相シ
フトマスクを精度良く容易に得る方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ＬＳＩ等の製造において微細パタ
ーン転写マスクたるフォトマスクの一つとして位相シフ
トマスクが用いられる。この位相シフトマスクは、マス
クを通過する露光光間に位相差を与えることにより、転
写パターンの解像度を向上できるようにしたものであ
る。この位相シフトマスクの一つに、特に孤立したホー
ルやスペースパターンを転写するのに適したマスクとし
て特開平４−１３６８５４号に記載の位相シフトマスク
が知られている。この位相シフトマスクは、透明基板上
に実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させると同
時に通過する光の位相をシフトさせる半透光膜を形成
し、この半透光膜の一部を選択的に除去することによ
り、実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる透光
部と実質的に露光に寄与しない強度の光を透過させる半
透光部とで構成するマスクパターンを形成したものであ
る。この位相シフトマスクは、半透光部を通過する光の
位相をシフトさせて該半透光部を通過した光の位相が上
記透光部を通過した光の位相に対して実質的に反転する
関係になるようにすることにより、前記透光部と半透光
部とに境界近傍を通過して回折により回り込んだ光が互
いに打ち消しあうようにして境界部のコントラストを良
好に保持できるようにしたものであり、通称、ハーフト
ーン型位相シフトマスクと称されている。この位相シフ
トマスクにおいては、露光光の波長をλ、半透光膜の露
光光に対する屈折率をｎとしたとき一般には半透光膜の
膜厚ｔの値が ｔ＝λ／｛２（ｎ−１）｝ を満たす値に設定され、また、露光光の波長における半
透光膜の透過率が１〜５０％程度になるように設定され
るのが普通である。上述のようにハーフトーン型位相シ
フトマスクは、半透光部によって位相シフト機能と遮光
機能とを兼ねさせたものである。すなわちこの半透光部
を、パターンの境界部においては位相シフト層として機
能させ、それ以外の部分では遮光層として機能させてい
る。したがって、本来は完全に露光光を遮断するのが理
想的である部分にもわずかな漏れ光が生じている。通常
は、この漏れ光があっても実質的な露光とまで至らない
ように、全体の露光量を調整する。位相シフトマスクの
特性を最大限に発揮させるためには位相シフト量が１８
０°であることが理想的であるが、実用上はおよそ±３
°の範囲に入ることが望ましい。そこで例えばあらかじ
め位相差が９０°＜φ＜１８０°である半透光膜（ハー
フトーン膜）を形成しておき、半透光膜エッチング後に
基板であるガラスを所定量エッチングしガラス部および
半透光膜部の位相差がトータルとして１８０°になるよ
うにする方法が特開平７−１５２１４２に開示されてい
る。また、特開平１０−１０４８１５ではフッ酸溶液ま
たは蒸気によりガラス部をエッチングし位相差を調節す
る方法が示されている。クロムを主成分とするハーフト
ーン型位相シフトマスクではフッ酸溶液または蒸気によ
りガラス部のみがエッチングされるため非常に簡便かつ
有効な方法である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが上記の公開公
報において、例えば、モリフデン、シリコン、酸素、窒
素を主たる構成要素とするモリブデンシリサイド系半透
光膜の場合において上記方法ではガラス部のみならずモ
リブデンシリサイド系半透光膜も若干ではあるがエッチ
ングされてしまうため所望の特性が得られないという問
題点がある。これは、フッ酸水溶液または蒸気は元来酸
化シリコン系の物質をエッチングするのに利用されるた
め上記モリブデンシリサイド系半透光膜の中に含まれる
酸素−シリコン結合物質も同時にエッチングされてしま
うからである。また、一般にフォトマスクの洗浄には、
例えば、熱硫酸を用いるような酸洗浄と、アンモニア、
過酸化水素水および水の混合水溶液を用いるようなアル
カリ洗浄の二種類あるが、上記モリブデンシリサイド系
半透光膜等の洗浄においては後者の洗浄方法において耐
性が小さいという問題点が存在する。すなわちアルカリ
水溶液によって膜を構成する成分が溶出し、膜の位相
差、透過率といった光学特性が変化してしまうのであ
る。従ってアルカリ洗浄を行なう場合には洗浄時間を制
限する、水溶液の濃度を調節するといった特別の配慮が
必要であった。

【０００４】本発明では上記のような問題点を鑑み、位
相シフトマスク、特にモリフデンシリサイド系ハーフト
ーン型位相シフトマスクにおいて、位相差を簡単かつ精
度良く制御でき、また高度な洗浄を行うことのできるハ
ーフトーン型位相シフトマスクの製造方法等を提供する
ものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するために、以下の構成を有する。 （構成１） 透明基板上に半透光膜および遮光膜を順に
形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成する
工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記遮光
膜をエッチングし遮光膜パターンを形成する工程と、そ
の後、前記レジストパターンおよび前記遮光膜パターン
をマスクにして前記半透光膜をエッチングし半透光膜パ
ターンを形成する工程と、その後、前記レジストパター
ンを剥離する工程と、その後、前記遮光膜パターン上に
レジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマ
スクにして前記遮光膜パターンをエッチングすることに
より、最終形状の遮光膜パターンを形成する工程とを有
することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスク
の製造方法において、前記半透光膜パターンを形成し、
前記レジストパターンを剥離した後に、アルカリ処理ま
たは酸処理すること、またはその両方の処理をすること
を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
法。

【０００６】（構成２） 透明基板上に半透光膜および
遮光膜を順に形成し、さらに遮光膜上にレジストパター
ンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクに
して前記遮光膜をエッチングし遮光膜パターンを形成す
る工程と、その後、前記レジストパターンを剥離する工
程と、その後、前記遮光膜パターンをマスクにして前記
半透光膜をエッチングし半透光膜パターンを形成する工
程と、その後、前記遮光膜パターン上にレジストパター
ンを形成し、そのレジストパターンをマスクにして前記
遮光膜パターンをエッチングすることにより、最終形状
の遮光膜パターンを形成する工程とを有することを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法にお
いて、前記半透光膜パターンを形成した後に、アルカリ
処理または酸処理すること、またはその両方の処理をす
ることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの
製造方法。

【０００７】（構成３） 透明基板上に半透光膜および
遮光膜を順に形成し、さらに遮光膜上にレジストパター
ンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクに
して前記遮光膜をエッチングし遮光膜パターンを形成す
る工程と、その後、前記レジストパターンおよび前記遮
光膜パターンをマスクにして前記半透光膜をエッチング
し半透光膜パターンを形成する工程と、その後、前記レ
ジストパターンを剥離する工程と、その後、前記遮光膜
パターンをエッチングで全面除去する工程とを有するこ
とを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造
方法において、前記半透光膜パターンを形成し、前記レ
ジストパターンを剥離した後に、アルカリ処理または酸
処理すること、またはその両方の処理をすることを特徴
とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。

【０００８】（構成４） 前記アルカリ処理は、アンモ
ニア水、過酸化水素水および水の混合アルカリ水溶液に
よる処理であることを特徴とする構成１〜３のいずれか
に記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。

【０００９】（構成５） 前記酸処理は、フッ酸水溶液
またはフッ酸蒸気による処理であることを特徴とする構
成１〜３のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフト
マスクの製造方法。

【００１０】（構成６） 前記半透光膜は、金属、シリ
コン、酸素、窒素を主たる構成要素とする物質からなる
ことを特徴とする構成１〜５のいずれかに記載のハーフ
トーン型位相シフトマスクの製造方法。

【００１１】（構成７） 前記遮光膜は、クロムを主た
る構成要素とする物質からなることを特徴とする構成１
〜６のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマス
クの製造方法。

【００１２】

【作用】上記構成１〜３では、半透光膜パターン上に遮
光膜パターンがある状態、即ち半透光膜パターンが遮光
膜パターンで保護された状態において、アルカリ処理ま
たは酸処理すること、またはその両方の処理をすること
を特徴とする。この場合、マスクの製造工程中（全ての
パターニング工程終了前）に位相差制御のためのガラス
エッチング処理を行うことができ、この処理はマスクの
洗浄処理を兼ねることができる。つまり、本発明のアル
カリ処理および／または酸処理においては、洗浄効果の
他に透明基板である例えば石英ガラスをエッチングする
効果がある。すなわち、このエッチング効果を積極的に
活用してマスク完成前にマスクの位相差を制御すること
が可能である。また本発明においては、マスクの製造工
程中にマスク完成後では行うことができない強い条件で
洗浄処理を行うことができる。上記のようなガラスエッ
チング処理および／または強い条件による洗浄処理を行
なうことにより、ガラス表面に強固に付着した異物をこ
の時点で除去し（ガラス部分の清浄度を向上させ）、な
おかつ表面を滑らかにすることによって、後工程におい
て極力異物が付着しにくいようになる。よって後工程の
作業をスムースに進めることができる。つまり、マスク
完成後にガラス表面に強固に付着した異物がある場合、
再洗浄やレーザー等による異物除去の工程が必要となる
が、本発明ではこのような工程の必要がない。上記の手
法を用いることで、ハーフトーン型位相シフトマスクの
製造途中において高度な洗浄および／または位相差調整
を、半透光膜になんら悪影響を与えることなく行なうこ
とができ、結果として高品位のハーフトーン型位相シフ
トマスクを歩留よく提供できる。

【００１３】上記構成４では、アルカリ処理が、アンモ
ニア水、過酸化水素水および水の混合アルカリ水溶液に
よる処理であることによって、ガラスエッチング処理お
よび／または強い条件による洗浄処理（ガラスエッチン
グを伴う場合を含む）を効果的に行なうことができる。
なお、膜の位相差、透過率といった光学特性が変化して
しまうのを回避する目的で、洗浄時間を制限したり、水
溶液の濃度を調節した、アンモニア、過酸化水素水およ
び水の混合水溶液を用いたアルカリ洗浄（例えば、洗浄
時間３分、かつ、アンモニア水：過酸化水素水：水＝
１：１：１０又はアンモニア水：過酸化水素水：水＝
０．５：１：５）の場合（この場合もガラスエッチング
はほとんどない）、ガラス表面に強固に付着した異物を
効果的に除去することが困難である。したがって、構成
４における、アルカリ処理は、処理時間３〜１０分、ア
ンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：２〜１：１：
７とすることが好ましい。

【００１４】上記構成５では、酸処理が、フッ酸水溶液
またはフッ酸蒸気による処理であることによって、ガラ
スエッチング処理および／または強い条件による洗浄処
理（ガラスエッチングを伴う場合を含む）を効果的に行
なうことができる。なお、熱硫酸を用いるような一般的
な酸洗浄（ガラスエッチングはほとんどない）の場合、
ガラス表面に強固に付着した異物を効果的に除去するこ
とが困難である。フッ酸水溶液としては、通常のフッ酸
水溶液は強いので、バッファードフッ酸が好ましい。バ
ッファードフッ酸水溶液処理は、処理時間１〜３分、フ
ッ酸水溶液の濃度２〜１０％とすることが好ましい。

【００１５】上記構成６では、半透光膜が、金属、シリ
コン、酸素、窒素を主たる構成要素とする物質からなる
場合、特に、モリフデン、シリコン、酸素、窒素を主た
る構成要素とするモリブデンシリサイド系半透光膜の場
合、本発明のアルカリ処理および／または酸処理によっ
て、半透光膜の中に含まれる酸素−シリコン結合物質も
同時にエッチングされやすいので、半透光膜パターンが
遮光膜パターンで保護された状態において本発明のアル
カリ処理および／または酸処理を行う必要性が特に大き
いので規定したものである。

【００１６】上記構成７では、遮光膜はクロムを主成分
とする膜で構成されているため、アルカリおよび酸に耐
性があり、半透光膜は前記遮光膜で覆われているために
なんら影響を受けることなくガラスエッチング処理また
は強い条件による洗浄処理を行なうことができる。

【００１７】

【実施例】実施例１ 図１は本発明の第一の実施例にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程の説明図である。以下この図
を参照しながら本実施例を説明する。透明基板１は表面
を鏡面研磨した石英ガラス基板（大きさ６インチ角、厚
さ０．２５インチ）を所定の洗浄を施したものである。
まず、透明基板１上にモリブデン、シリコン、酸素、窒
素からなる半透光膜２を膜厚１００μｍでスパッタリン
グ法により形成し、続けてクロムからなる遮光膜３を膜
厚１００ｎｍで形成した。次に、ポジ型電子線レジスト
（ＺＥＰ７０００：日本ゼオン社製）４をスピンコート
法により膜厚５００ｎｍで塗布した（図１（ａ））。次
に、所望のパターンを電子繰描画し、現像してレジスト
パターン４１を形成した（同図（ｂ））。次に、レジス
トパターン４１をマスクにして遮光膜３を塩素と酸素か
らなるドライエッチングにてエッチングし、第一の遮光
膜パターン３１を形成した（同図（ｃ））。次に、レジ
ストパターン４１および第一の遮光膜パターン３１をマ
スクにして半透光膜をＣＦ₄／Ｏ₂の混合ガス、圧力０．
４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件でドライエッチ
ングし半透光膜パターン２１を形成した（同図
（ｄ））。最後に、レジストを剥離して第一段楷までパ
ターニングされたマスクが完成した（同図（ｅ））。次
に、アンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：５の混
合水溶液にて５分間強アルカリ洗浄を行なった。その
後、フォトレジスト（ＡＺ１３５０：クラリアント社
製）５をスピンコート法により膜厚５００ｎｍで塗布し
てベークした（同図（ｆ））。次に、所望のパターンを
露光し、現像してレジストパターン５１を形成した（同
図（９））。次に、レジストパターン５１をマスクにし
第一の遮光膜パターン３１を硝酸第２セリウムアンモニ
ウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いてエッチン
グして第二の遮光膜パターン３１１を形成した（同図
（ｈ））。最後に、レジストパターン５１を剥離して所
定の洗浄を施しハーフトーン型位相シフトマスクを得た
（同図（ｊ））。その後の欠陥検査においては異物を検
出することもなく良質なハーフトーン型位相シフトマス
クを短時間に得ることができた。また、位相差を測定し
たところ、半透光膜の特性とアルカリ洗浄条件から予想
された位相差が得られ、正確な位相特性を得ることがで
きた。なお、アンモニア水：過酸化水素水：水＝１：
１：５の混合水溶液によるアルカリ洗浄の替わりに、熱
濃硫酸洗浄、又は、前記アルカリ洗浄よりも弱い条件に
よるアルカリ洗浄をおこなったところ、モリブデンシリ
サイド系半透光膜上にクロム系の遮光膜が形成されてい
る場合異物が残りやすいので、ガラス表面に強固に付着
した異物をこの段階で除去することが困難であり、マス
ク完成後に所定の洗浄を施してもその後の欠陥検査にお
いて異物が検出された。したがって、再洗浄やレーザー
等による異物除去の工程が必要となりかなりの時間を要
した。また、洗浄を繰り返すことにより半透光膜にダメ
ージを与え、位相差、屈折率が所望の値からずれてしま
った。

【００１８】実施例２ 図２は本発明の第二の実施例にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程の説明図である。以下この図
を参照しながら本実施例を説明する。透明基板１は表面
を鏡面研度した石英ガラス基板（大きさ６インチ角、厚
さ０．２５インチ）を所定の洗浄を施したものである。
まず透明基板１上にモリブデン、シリコン、酸素、窒素
からなる半透光膜２を膜厚１６０ｎｍスパッタリング法
により形成し、続けてクロムからなる遮光膜３を膜厚１
００ｎｍで形成した。次に、ポジ型電子線レジスト（Ｅ
ＢＲ−９：東レ社製）４をスピンコート法により膜厚５
００ｎｍで塗布した（同図（ａ））。次に、所望のパタ
ーンを電子線描画し、現像してレジストパターン４１を
形成した（同図（ｂ））。次に、レジストパターン４１
をマスクにして遮光膜３を硝酸第２セリウムアンモニウ
ムと過塩素酸からなるエッチング液を用いてエッチング
して第一の遮光膜パターン３１を形成した（同図
（Ｃ））。次に、レジストを剥離して洗浄を行なった
（同図（ｄ））。次に、第一の遮光膜パターン３１をマ
スクにして半透光膜をＣＦ₄／Ｏ₂の混合ガス、圧力０．
４Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件でドライエッチ
ングし半透光膜パターン２１を形成した（同図
（ｅ））。次に、バッファードフッ酸水溶液にマスクを
１分間浸しガラス部分をエッチング処理し、更にアンモ
ニア水：過酸化水素水：水＝１：１：５の混合水溶液に
て５分間アルカリ洗浄を行なった。その後、フォトレジ
スト（ＡＺ１３５０：クラリアント社製）５をスピンコ
ート法により膜厚５００ｎｍで塗布してベークした（同
図（ｆ））。次に、所望のパターンを露光し、現像して
レジストパターン５１を形成した（同図（９））。次
に、レジストパターン５１をマスクにし第一の遮光膜パ
ターン３１を硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩素酸
からなるエッチング液を用いてエッチングして第二の遮
光膜パターン３１１を形成した（同図（ｈ））。最後
に、レジストパターン５１を剥離して所定の洗浄を施し
ハーフトーン型位相シフトマスクを得た（同図
（ｊ））。その後の欠陥検査においては異物を検出する
こともなく良質なハーフトーン型位相シフトマスクを短
時間に得ることができた。また、位相差を測定したとこ
ろ、半透光膜の特性とフッ酸処理条件、およびアルカリ
洗浄条件から予想された位相差が得られ、正確な位相特
性を得ることができた。なお、酸処理の後にアルカリ処
理を行うと、中和効果によって、酸の残存によるガラス
のくもりを回避できた。また、アルカリ処理において超
音波処理を行うことでガラス部分の清浄度をさらに向上
させることができた。

【００１９】実施例３ 図３は本発明の第三の実施例にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程の説明図である。以下この図
を参照しながら本実施例を説明する。透明基板１は表面
を鏡面研度した石英ガラス基板（大きさ６インチ角、厚
さ０．２５インチ）を所定の洗浄を施したものである。
まず透明基板１上にモリフデン、シリコン、酸素、窒素
からなる半透光膜２を膜厚１６０ｎｍでスパックリング
法により形成し、続けてクロムからなる遮光膜３を膜厚
１００ｎｍで形成した。次に、ポジ型電子線レジスト
（ＥＢＲ−９：東レ社製）４をスピンコート法により膜
厚５００ｎｍで塗布した（同図（ａ））。次に、所望の
パターンを電子線描画し、現像してレジストパターン４
１を形成した（同図（ｂ））。次に、レジストパターン
４１をマスクにして遮光膜３を硝酸第２セリウムアンモ
ニウムと過塩素酸からなるエッチング液を用いて工ッチ
ングして遮光膜パターン３１を形成した（同図
（ｃ））。次に、レジストを剥離して洗浄を行なった
（同図（ｄ））。次に、遮光膜パターン３１をマスクに
して半透光膜をＣＦ₄／Ｏ₂の混合ガス、圧力０．４Ｔｏ
ｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗの条件でドライエッチングし
半透光膜パターン２１を形成した（同図（ｅ））。この
段楷で、半透光膜成膜時から予想される位相差は１７５
°であった。よってあらかじめ求めておいたエッチング
時間と位相差変化の関係から、バッファードフッ酸水溶
液にマスクを２分間浸しガラス部分をエッチング処理
し、最後にアンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：
５の混合水溶液にて５分間アルカリ洗浄を行なった。次
に、遮光膜３１を硝酸第２セリウムアンモニウムと過塩
素酸からなるエッチング液を用いてエッチング（全面除
去）して最終形態のハーフトーン型位相シフトマスクを
得た（同図（ｆ））。その後の欠縮検査においては異物
を検出することもなく良質なハーフトーン型位相シフト
マスクを短時間に得ることができた。また、位相差を測
定したところ、半透光膜の特性とフッ酸処理条件、およ
びアルカリ洗浄条件から予想された位相差が得られ、正
確な位相特性を得ることができた。

【００２０】なお、上記実施例では、単層の半透光膜に
ついて例示したが、互いに屈折率の異なる２層又はそれ
以上の層の積層膜からなる半透光膜としてもよい。

【００２１】

【発明の効果】本発明によれば、ハーフトーン型位相シ
フトマスクの製造途中において高度な洗浄および／また
は位相差調整を、半透光膜になんら悪影響を与えること
なく行なうことができ、結果として高品位のハーフトー
ン型位相シフトマスクを歩留よく提供できる。また、マ
スク完成前に位相差の調整やガラス部分の清浄度を向上
させることができ、後工程の作業をスムースに運ぶこと
ができ短時間でマスクを完成させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例にかかるハーフトーン型位相
シフトマスクの製造工程を説明するための部分断面図で
ある。

【図２】本発明の他の実施例にかかるハーフトーン型位
相シフトマスクの製造工程を説明するための部分断面図
である。

【図３】本発明のさらに他の実施例にかかるハーフトー
ン型位相シフトマスクの製造工程を説明するための部分
断面図である。

【符号の説明】

１ 透明基板 ２ 半透光膜 ３ 遮光膜 ４ レジスト ５ レジスト ２１ 半透光膜パターン ３１ 第一の遮光膜パターン ４１ レジストパターン ５１ レジストパターン ３１１ 第二の遮光膜パターン

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明基板上に半透光膜および遮光膜を順
   に形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成す
   る工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
   チングし遮光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンおよび前記遮光膜パター
   ンをマスクにして前記半透光膜をエッチングし半透光膜
   パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを剥離する工程と、 その後、前記遮光膜パターン上にレジストパターンを形
   成し、そのレジストパターンをマスクにして前記遮光膜
   パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮光
   膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とする
   ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、 前記半透光膜パターンを形成し、前記レジストパターン
   を剥離した後に、アルカリ処理または酸処理すること、
   またはその両方の処理をすることを特徴とするハーフト
   ーン型位相シフトマスクの製造方法。
2. 【請求項２】 透明基板上に半透光膜および遮光膜を順
   に形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成す
   る工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
   チングし遮光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを剥離する工程と、 その後、前記遮光膜パターンをマスクにして前記半透光
   膜をエッチングし半透光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記遮光膜パターン上にレジストパターンを形
   成し、そのレジストパターンをマスクにして前記遮光膜
   パターンをエッチングすることにより、最終形状の遮光
   膜パターンを形成する工程とを有することを特徴とする
   ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法において、 前記半透光膜パターンを形成した後に、アルカリ処理ま
   たは酸処理すること、またはその両方の処理をすること
   を特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの製造方
   法。
3. 【請求項３】 透明基板上に半透光膜および遮光膜を順
   に形成し、さらに遮光膜上にレジストパターンを形成す
   る工程と、 前記レジストパターンをマスクにして前記遮光膜をエッ
   チングし遮光膜パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンおよび前記遮光膜パター
   ンをマスクにして前記半透光膜をエッチングし半透光膜
   パターンを形成する工程と、 その後、前記レジストパターンを剥離する工程と、 その後、前記遮光膜パターンをエッチングで全面除去す
   る工程とを有することを特徴とするハーフトーン型位相
   シフトマスクの製造方法において、 前記半透光膜パターンを形成し、前記レジストパターン
   を剥離した後に、アルカリ処理または酸処理すること、
   またはその両方の処理をすることを特徴とするハーフト
   ーン型位相シフトマスクの製造方法。
4. 【請求項４】 前記アルカリ処理は、アンモニア水、過
   酸化水素水および水の混合アルカリ水溶液による処理で
   あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
   ハーフトーン型位相シフトマスクの製造方法。
5. 【請求項５】 前記酸処理は、フッ酸水溶液またはフッ
   酸蒸気による処理であることを特徴とする請求項１〜３
   のいずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクの
   製造方法。
6. 【請求項６】 前記半透光膜は、金属、シリコン、酸
   素、窒素を主たる構成要素とする物質からなることを特
   徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のハーフトーン
   型位相シフトマスクの製造方法。
7. 【請求項７】 前記遮光膜は、クロムを主たる構成要素
   とする物質からなることを特徴とする請求項１〜６のい
   ずれかに記載のハーフトーン型位相シフトマスクの製造
   方法。