JP2003104794A - ZnO膜及びその製造方法並びに発光素子 - Google Patents
ZnO膜及びその製造方法並びに発光素子Info
- Publication number
- JP2003104794A JP2003104794A JP2001302673A JP2001302673A JP2003104794A JP 2003104794 A JP2003104794 A JP 2003104794A JP 2001302673 A JP2001302673 A JP 2001302673A JP 2001302673 A JP2001302673 A JP 2001302673A JP 2003104794 A JP2003104794 A JP 2003104794A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- zno film
- film
- zno
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 14
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052768 actinide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000001255 actinides Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 29
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 abstract description 14
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 10
- 229910021474 group 7 element Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100033029 Carbonic anhydrase-related protein 11 Human genes 0.000 description 1
- 101000867841 Homo sapiens Carbonic anhydrase-related protein 11 Proteins 0.000 description 1
- 101001075218 Homo sapiens Gastrokine-1 Proteins 0.000 description 1
- 101001062854 Rattus norvegicus Fatty acid-binding protein 5 Proteins 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02551—Group 12/16 materials
- H01L21/02554—Oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02579—P-type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/0257—Doping during depositing
- H01L21/02573—Conductivity type
- H01L21/02581—Transition metal or rare earth elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
することができるZnO膜及びその製造方法などを提供
することにある。 【解決手段】 ZnにY2O3をドーピングしてZnメ
タルターゲットを作製し、このZnメタルターゲットを
用いて、ArとN2の混合ガス雰囲気中で、RFマグネ
トロンスパッタによりサファイア基板上にZnO膜を成
膜する。この結果、p型ZnO膜を得ることができた。
Description
製造方法並びに発光素子に関し、特に、導電型がp型の
ZnO膜とその製造方法、また、そのZnO膜を用いた
発光素子に関する。
は、基板上に形成されたZnO膜が検討されている。Z
nOはAlのようなドーパントによりn型を示すので、
ZnO膜によりpn接合を実現するためには、p型のZ
nO膜が必要となる。
従来、困難であった。p型ZnO膜を製作する方法とし
ては、例えば p-Type Electrical Conduction in ZnO T
hinFilms by Ga and N Codoping (Japan J. Appl. Phy
s., Vol.38 (1999) pp.L1205-L1207)と題する論文によ
り報告されたものがある。これは、レーザーアブレーシ
ョン装置を用いる方法であって、真空チャンバ内をN2
ガスの雰囲気に保ち、GaをドープしたZnOターゲッ
トを用いてガラス基板上にZnO膜を成膜すると共にエ
キシマレーザー光を照射してガラス基板上にp型ZnO
膜を成膜する方法である。
レーションを用いる方法では、細く絞られたスポット径
の小さなレーザービームを用いるので、大口径の基板に
成膜する場合には、レーザービームの走査距離ないし走
査時間が非常に長くなり、基板全体に成膜するまでの速
度が遅くなると共にコストが高くつき、工業的な実用化
が難しかった。
なされたものであり、その目的とするところは、大型の
基板にもp型のZnO膜を容易に成膜することができる
ZnO膜及びその製造方法と、その方法を用いてp型Z
nO膜を形成された発光素子を提供することにある。
してIII族の元素とV族の元素がドープされていること
を特徴としている。ZnOを主材料とする膜にIII族の
元素とV族の元素をドープすることにより、レーザーア
ブレーションを行うことなく、p型のZnO膜を得るこ
とが可能になった。すなわち、スパッタ、ECRスパッ
タ、CVD、MOCVD又はMBEにより基板上にp型
のZnO膜を成膜することが可能になるので、レーザー
アブレーションを用いた成膜方法に比較して成膜速度を
速くすることができ、またコストも安価にでき、p型Z
nO膜の工業的な生産性を高めることができる。
La、Ac、B、Al、Ga、In、Tl、ランタニド
元素、又はアクチニド元素からなる群から選択された少
なくとも一つの元素を用いることができ、V族の元素と
しては、V、Nb、Ta、P、As、Sb又はBiから
なる群から選択された少なくとも一つの元素を用いるこ
とができる。また、III族の元素のドープ量は、0.5重
量%以上8重量%以下であることが望ましく、V族の元
素のドープ量は、1重量%以上16重量%以下であるこ
とが望ましい。さらには、V族の元素のドープ量は、II
I族の元素のドープ量よりも多いことが望ましい。
Zn又はZnOを主材料とするターゲット材料にIII族
の元素とV族の元素をドープしたターゲットを作製し、
当該ターゲットを用いて基板の上にZnO膜を形成する
方法がある。また、異なる製造方法としては、Zn又は
ZnOを主材料とするターゲット材料にIII族の元素を
ドープしたターゲットを作製し、当該ターゲットを用い
て基板の上にZnO膜を形成し、ついで、当該ZnO膜
にV族の元素イオンをイオン注入する方法がある。な
お、ターゲットにドープするIII族元素又はV族元素
は、化合物の形態でもよく、特に酸化物としてドープさ
れていてもよい。
としてI族の元素とVII族の元素がドープされており、
前記VII族の元素のドープ量が、前記I族の元素のドー
プ量よりも多いことを特徴としている。ZnOを主材料
とする膜に、VII族の元素のドープ量がI族の元素のド
ープ量よりも多くなるようにして、I族の元素とVII族
の元素をドープすることにより、レーザーアブレーショ
ンを行うことなく、p型のZnO膜を得ることが可能に
なった。すなわち、スパッタ、ECRスパッタ、CV
D、MOCVD又はMBEにより基板上にp型のZnO
膜を成膜することが可能になるので、レーザーアブレー
ションを用いた成膜方法に比較して成膜速度を速くする
ことができ、またコストも安価にでき、p型ZnO膜の
工業的な生産性を高めることができる。
光の発光ダイオード等の発光素子に用いることができ、
p型ZnO膜の成膜速度を速くすることで量産性を高め
ることができる。
(ターゲット材料)にY2O3を1〜6重量%の範囲で
ドーピングしてZnメタルターゲットを作製した。この
Znメタルターゲットをスパッタ装置内のターゲットホ
ルダーに取り付けておき、サファイア基板をスパッタ装
置内にセットした。ついで、下記の成膜条件で、RFマ
グネトロンスパッタによりサファイア基板上にZnO膜
を1μmの膜厚となるように成膜した。 ガス種: ArとN2の混合ガス ガス流量比: Arガス/O2ガス/N2ガス=25/
10/5 ガス圧: 1×10−2Torr 基板加熱温度: 200℃ このような条件で、III族金属であるYとV族元素であ
るNがドープされたZnO膜をサファイア基板に成膜し
たところp型ZnO膜を得ることができた。特に、Y2
O3のドープ量が4重量%のもので良好な結果が得られ
た。
測定することによって判定した。このCV特性とは、図
1に示すように、測定対象物(ZnO膜)1の表面に円
形電極2とC字状をした環状電極3とを形成し、この円
形電極2と環状電極3との間の電圧Vgsと両電極間の静
電容量値Chとの関係を測定したものである。測定対象
物1の導電型がp型である場合には、横軸に電極間電圧
Vgs、縦軸に静電容量値ChをとったCV特性は右下が
りの特性となり、n型である場合には、CV特性は右上
がりの特性となるので、このCV特性を求めることによ
って測定対象物1の導電型を判定できる。
の測定対象物(YとNがドープされたZnO膜)のCV
特性を示す図であって、横軸に電極間電圧Vgs、縦軸に
静電容量値Chをとっている。図2から明らかなよう
に、このZnO膜は右下がりのCV特性を示しているの
で、p型であると判定した。因みに、Alをドープした
ZnO膜では、そのCV特性は図3に示すように右上が
りとなり、n型であることを確認できる。
ト材料)にGaを1重量%、Biを2重量%ドーピング
してZnメタルターゲットを作製した。このZnメタル
ターゲットをスパッタ装置内のターゲットホルダーに取
り付けておき、サファイア基板をスパッタ装置内にセッ
トした。ついで、下記の成膜条件で、RFマグネトロン
スパッタによりサファイア基板上にZnO膜を1μmの
膜厚となるように成膜した。 ガス種: ArとO2の混合ガス ガス流量比: Arガス/O2ガス=50/50 ガス圧: 1×10−2Torr 基板加熱温度: 200℃ このような条件で、III族金属であるGaとV族金属で
あるBiがドープされたZnO膜をサファイア基板に成
膜したところ、比抵抗ρが0.1Ω・cm以下のp型Z
nO膜を得ることができた。
ぞれ変化させながらZnO膜を成膜したところ、ターゲ
ット材料であるZnに対するドープ量がGaを1〜10
重量%、Biを2〜20重量%の範囲(ただし、Gaの
ドープ量>Biのドープ量)でp型の良好なZnO膜を
得ることができた。
組み合わせ、例えばAlとNbをZnO膜にドープした
場合にも、p型ZnO膜を得ることができた。
ドープしたターゲットを用い、成膜されたZnO膜に対
して後からV族のイオンをイオン注入してもよい。例え
ば、Zn(ターゲット材料)にGaをドーピングしてZ
nメタルターゲットを作製しておき、このZnメタルタ
ーゲットを用いてRFマグネトロンスパッタによりサフ
ァイア基板上にZnO膜を成膜した後、このZnO膜に
対して1015cm−2程度Asをイオン注入すること
によりp型ZnO膜を得ることができた。
してスパッタ(RFマグネトロンスパッタ)を用いた
が、MBE法、MOCVD法、CVD法を用いてもよ
い。
に、Li、Na、K、Rb、Cu、Ag、Auのうち少
なくとも一つのI族の原子又は分子と、Mn、Tc、R
e、F、Cl、Br、I、Atのうち少なくとも一つの
VII族の原子又は分子をZnO膜にドープした場合に
も、p型のZnO膜を得ることができた。すなわち、Z
n(ターゲット材料)にCuを2重量%、Mnを1重量
%ドーピングしてZnメタルターゲットを作製した。こ
のZnメタルターゲットをスパッタ装置内のターゲット
ホルダーに取り付けておき、サファイア基板をスパッタ
装置内にセットした。ついで、下記の成膜条件で、RF
マグネトロンスパッタによりサファイア基板上にZnO
膜を1μmの膜厚となるように成膜した。 ガス種: ArとO2の混合ガス ガス流量比: Arガス/O2ガス=50/50 ガス圧: 1×10−2Torr 基板加熱温度: 200℃ このような条件で、I族金属であるCuとVII族元素で
あるMnがドープされたZnO膜をサファイア基板に成
膜したところZnO膜はp型の導電性を示した。ただ
し、I族の金属又は分子とVII族の金属又は分子とをド
ープする場合には、I族の金属又は分子のドープ量が、
VII族の金属又は分子のドープ量よりも多いことが望ま
しい。
子をドープする場合でも、I族の金属又は分子をドープ
したターゲットを用い、成膜されたZnO膜に対して後
からVII族のイオンをイオン注入してもよい。例えば、
Zn(ターゲット材料)にCuをドーピングしてZnメ
タルターゲットを作製しておき、このZnメタルターゲ
ットを用いてRFマグネトロンスパッタによりサファイ
ア基板上にZnO膜を成膜した後、このZnO膜に対し
て1016cm−2程度Brをイオン注入することによ
りp型ZnO膜を得ることができた。
発光素子11を示す断面図である。この発光素子11に
あっては、c面サファイア基板12の上に金属薄膜13
を形成し、その上にp型ZnO膜(薄膜)14を形成し
ている。このZnO膜14は、本発明の方法によりIII
族金属及びV族金属をドープしてp型にしたものであ
る。さらに、ZnO膜14の上にAlをドープしたn型
のZnO膜(薄膜)15を形成している。そして、n型
ZnO膜15の上面と金属薄膜13の上面にそれぞれ上
部電極16と下部電極17を形成している。
と下部電極17の間に電圧を印加すると、p型ZnO膜
14とn型ZnO膜15との間で発生した光は、n型Z
nO膜15から外部へ出射される。
III族の金属とV族の金属をドープすることにより、レ
ーザーアブレーションを行うことなく、p型のZnO膜
を得ることが可能になった。すなわち、スパッタ、EC
Rスパッタ、CVD、MOCVD、又はMBEにより基
板上にp型のZnO膜を成膜することが可能になるの
で、レーザーアブレーションを用いた成膜方法に比較し
て成膜速度を速くすることができ、またコストも安価に
でき、p型ZnO膜の工業的な生産性を高めることがで
きる。
nOを主材料とする膜に、VII族の元素のドープ量がI
族の元素のドープ量よりも多くなるようにして、I族の
元素とVII族の元素をドープすることにより、レーザー
アブレーションを行うことなく、p型のZnO膜を得る
ことが可能になった。すなわち、スパッタ、ECRスパ
ッタ、CVD、MOCVD又はMBEにより基板上にp
型のZnO膜を成膜することが可能になるので、レーザ
ーアブレーションを用いた成膜方法に比較して成膜速度
を速くすることができ、またコストも安価にでき、p型
ZnO膜の工業的な生産性を高めることができる。
は、n型ZnO膜の成膜速度を速くすることができるの
で、量産性を高めることができる。
ための図である。
す図である。
図である。
ある。
Claims (10)
- 【請求項1】 ZnOを主材料としてIII族の元素とV
族の元素がドープされていることを特徴とするZnO
膜。 - 【請求項2】 前記III族の元素は、Sc、Y、La、
Ac、B、Al、Ga、In、Tl、ランタニド元素、
又はアクチニド元素からなる群から選択された少なくと
も一つの元素であり、前記V族の元素は、N、V、N
b、Ta、P、As、Sb又はBiからなる群から選択
された少なくとも一つの元素であることを特徴とする、
請求項1に記載のZnO膜。 - 【請求項3】 前記III族の元素のドープ量は、0.5重
量%以上8重量%以下であることを特徴とする、請求項
1又は2に記載のZnO膜。 - 【請求項4】 前記V族の元素のドープ量は、1重量%
以上16重量%以下であることを特徴とする、請求項
1、2又は3に記載のZnO膜。 - 【請求項5】 前記V族の元素のドープ量は、前記III
族の元素のドープ量よりも多いことを特徴とする、請求
項1、2、3又は4に記載のZnO膜。 - 【請求項6】 Zn又はZnOを主材料とするターゲッ
ト材料にIII族の元素とV族の元素をドープしたターゲ
ットを作製し、当該ターゲットを用いて基板の上にZn
O膜を形成することを特徴とするZnO膜の製造方法。 - 【請求項7】 Zn又はZnOを主材料とするターゲッ
ト材料にIII族の元素をドープしたターゲットを作製
し、当該ターゲットを用いて基板の上にZnO膜を形成
し、ついで、当該ZnO膜にV族の元素イオンをイオン
注入することを特徴とするZnO膜の製造方法。 - 【請求項8】 ZnOを主材料としてI族の元素とVII
族の元素がドープされており、前記VII族の元素のドー
プ量が、前記I族の元素のドープ量よりも多いことを特
徴とするZnO膜。 - 【請求項9】 前記ZnO膜は、スパッタ、ECRスパ
ッタ、CVD、MOCVD又はMBEにより基板上に成
膜されることを特徴とする、請求項5又は6に記載のZ
nO膜の製造方法。 - 【請求項10】 請求項1、2、3、4、5又は8に記
載したZnO膜をp型層として用いた発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001302673A JP3826755B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | ZnO膜及びその製造方法並びに発光素子 |
US10/234,137 US6733895B2 (en) | 2001-09-28 | 2002-09-05 | ZnO film, method for manufacturing the same, and luminescent element including the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001302673A JP3826755B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | ZnO膜及びその製造方法並びに発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003104794A true JP2003104794A (ja) | 2003-04-09 |
JP3826755B2 JP3826755B2 (ja) | 2006-09-27 |
Family
ID=19122873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001302673A Expired - Fee Related JP3826755B2 (ja) | 2001-09-28 | 2001-09-28 | ZnO膜及びその製造方法並びに発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6733895B2 (ja) |
JP (1) | JP3826755B2 (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008255472A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255477A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255476A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255475A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255473A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255474A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
WO2008143011A1 (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-27 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 薄膜センサ、薄膜センサモジュールおよび薄膜センサの製造方法 |
JP2009094535A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-04-30 | Casio Comput Co Ltd | 酸化亜鉛半導体膜 |
JP2009096713A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009096714A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097089A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097090A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097091A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097087A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097086A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2010219214A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体薄膜の製造方法、及び該半導体薄膜を備える薄膜トランジスタ |
JP2011520253A (ja) * | 2008-04-25 | 2011-07-14 | ルーメンズ, インコーポレイテッド | 酸化亜鉛の有機金属化学気相成長 |
US8409477B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-04-02 | Mitsubishi Materials Corporation | ZnO vapor deposition material, process for producing the same, and ZnO film |
CN106400114A (zh) * | 2016-09-09 | 2017-02-15 | 昆明理工大学 | 一种非极化择优取向ZnO基多晶薄片的制备方法 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW589672B (en) * | 2002-12-31 | 2004-06-01 | Ind Tech Res Inst | Method of manufacturing p-type transparent conductive film and its system |
US7172813B2 (en) * | 2003-05-20 | 2007-02-06 | Burgener Ii Robert H | Zinc oxide crystal growth substrate |
US7161173B2 (en) * | 2003-05-20 | 2007-01-09 | Burgener Ii Robert H | P-type group II-VI semiconductor compounds |
US7141489B2 (en) * | 2003-05-20 | 2006-11-28 | Burgener Ii Robert H | Fabrication of p-type group II-VI semiconductors |
WO2006009782A2 (en) * | 2004-06-17 | 2006-01-26 | On International, Inc. | Persistent p-type group ii-vi semiconductors |
CN100428429C (zh) * | 2005-08-22 | 2008-10-22 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 用电化学沉积制备锰掺杂的氧化锌纳米柱的方法 |
US7723154B1 (en) | 2005-10-19 | 2010-05-25 | North Carolina State University | Methods of forming zinc oxide based II-VI compound semiconductor layers with shallow acceptor conductivities |
US8747630B2 (en) | 2007-01-16 | 2014-06-10 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Transparent conducting oxides and production thereof |
US20120107491A1 (en) * | 2007-01-16 | 2012-05-03 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | High Permittivity Transparent Films |
CN100552099C (zh) * | 2007-08-17 | 2009-10-21 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法 |
WO2009116990A1 (en) * | 2008-03-17 | 2009-09-24 | Midwest Research Institute | High quality transparent conducting oxide thin films |
WO2009143229A1 (en) * | 2008-05-21 | 2009-11-26 | Lumenz, Inc. | Semiconductor device having rough sidewall |
WO2009152207A2 (en) * | 2008-06-11 | 2009-12-17 | Lumenz, Inc. | Zinc oxide alloys and devices including the same |
US7829376B1 (en) | 2010-04-07 | 2010-11-09 | Lumenz, Inc. | Methods of forming zinc oxide based II-VI compound semiconductor layers with shallow acceptor conductivities |
WO2013119550A1 (en) | 2012-02-10 | 2013-08-15 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Thin film photovoltaic devices with a minimally conductive buffer layer |
WO2014077895A1 (en) | 2012-11-19 | 2014-05-22 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | Devices and methods featuring the addition of refractory metals to contact interface layers |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5532062A (en) * | 1990-07-05 | 1996-07-02 | Asahi Glass Company Ltd. | Low emissivity film |
JP3061342B2 (ja) * | 1993-10-01 | 2000-07-10 | 松下電器産業株式会社 | 透明導電膜および光電変換半導体装置の製造方法 |
JP3598749B2 (ja) | 1997-07-07 | 2004-12-08 | 東亞合成株式会社 | 光カチオン硬化性組成物の製造方法及び光カチオン硬化性ハードコート剤組成物 |
JP3399392B2 (ja) | 1999-02-19 | 2003-04-21 | 株式会社村田製作所 | 半導体発光素子、およびその製造方法 |
JP2000276943A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Tohoku Ricoh Co Ltd | 透明導電膜 |
US20020084455A1 (en) * | 1999-03-30 | 2002-07-04 | Jeffery T. Cheung | Transparent and conductive zinc oxide film with low growth temperature |
JP3904378B2 (ja) * | 2000-08-02 | 2007-04-11 | ローム株式会社 | 酸化亜鉛透明導電膜 |
JP2002105625A (ja) | 2000-09-27 | 2002-04-10 | Japan Science & Technology Corp | 低抵抗p型酸化亜鉛薄膜の製造方法 |
-
2001
- 2001-09-28 JP JP2001302673A patent/JP3826755B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-05 US US10/234,137 patent/US6733895B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008255472A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255477A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255475A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255473A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255474A (ja) * | 2007-03-09 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
JP2008255476A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-10-23 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材及びそれにより形成されたZnO膜 |
WO2008143011A1 (ja) * | 2007-05-11 | 2008-11-27 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 薄膜センサ、薄膜センサモジュールおよび薄膜センサの製造方法 |
JP2009096713A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009096714A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097089A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097090A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097091A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097087A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
JP2009097086A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-05-07 | Mitsubishi Materials Corp | ZnO蒸着材とその製造方法、およびそのZnO膜等 |
US8409477B2 (en) | 2007-09-27 | 2013-04-02 | Mitsubishi Materials Corporation | ZnO vapor deposition material, process for producing the same, and ZnO film |
JP2011520253A (ja) * | 2008-04-25 | 2011-07-14 | ルーメンズ, インコーポレイテッド | 酸化亜鉛の有機金属化学気相成長 |
JP2009094535A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-04-30 | Casio Comput Co Ltd | 酸化亜鉛半導体膜 |
JP2010219214A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 半導体薄膜の製造方法、及び該半導体薄膜を備える薄膜トランジスタ |
CN106400114A (zh) * | 2016-09-09 | 2017-02-15 | 昆明理工大学 | 一种非极化择优取向ZnO基多晶薄片的制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6733895B2 (en) | 2004-05-11 |
US20030064541A1 (en) | 2003-04-03 |
JP3826755B2 (ja) | 2006-09-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003104794A (ja) | ZnO膜及びその製造方法並びに発光素子 | |
JP6916426B2 (ja) | 積層構造体およびその製造方法、半導体装置ならびに結晶膜 | |
US10439028B2 (en) | Crystalline semiconductor film, plate-like body and semiconductor device | |
US6838308B2 (en) | Semiconductor polysilicon component and method of manufacture thereof | |
US4608581A (en) | Semiconductor light emitter based on gallium nitride and process for manufacture thereof | |
US4719501A (en) | Semiconductor device having junction formed from two different hydrogenated polycrystalline silicon layers | |
JP2016064961A (ja) | 結晶性積層構造体の製造方法および半導体装置 | |
JP4386747B2 (ja) | p型ZnO半導体膜及びその製造方法 | |
JP6350979B2 (ja) | 太陽電池 | |
TW488091B (en) | Method of fabricating compound semiconductor device and apparatus for fabricating compound semiconductor device | |
KR101610623B1 (ko) | p형 주석 산화물 박막 제조 및 제어 방법과 이를 이용한 트랜지스터 제조 방법 | |
JP2002105625A (ja) | 低抵抗p型酸化亜鉛薄膜の製造方法 | |
JP4036073B2 (ja) | 薄膜付き石英基板 | |
JP4804505B2 (ja) | スパッタ装置及び成膜方法 | |
JP2002261294A (ja) | 透明酸化物p−n接合ダイオード | |
KR100806681B1 (ko) | 주기적 급속 열처리에 의한 고전도성 산화아연의 제조방법 | |
JP2019021774A (ja) | バリウムシリサイド太陽電池およびバリウムシリサイド太陽電池の製造方法 | |
JPS5864070A (ja) | フツ素を含むアモルフアスシリコン太陽電池 | |
US20100148133A1 (en) | P-type metal oxide semiconductor material and fabrication method thereof | |
Pirposhte et al. | ZnO Thin Films: Fabrication Routes, and Applications | |
JP2013004529A (ja) | p型半導体材料 | |
CN107731953A (zh) | 一种光电探测器及其制备方法 | |
CN207800625U (zh) | 发光二极管 | |
JP2004207721A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
JP4145315B2 (ja) | プラズマcvd装置及び成膜方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060221 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060412 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060613 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060626 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090714 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100714 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110714 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110714 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120714 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |