JP2003098651A - Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法、寸法測定情報作成手法および寸法測定順番決定方法 - Google Patents
Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法、寸法測定情報作成手法および寸法測定順番決定方法Info
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- JP2003098651A JP2003098651A JP2001289739A JP2001289739A JP2003098651A JP 2003098651 A JP2003098651 A JP 2003098651A JP 2001289739 A JP2001289739 A JP 2001289739A JP 2001289739 A JP2001289739 A JP 2001289739A JP 2003098651 A JP2003098651 A JP 2003098651A
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- dimension measurement
- pattern
- lsi
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体ウェハ上のチップ領域内部の実パターン
から、人手をかけることなく、短時間で、ミスなく寸法
測定箇所を選定する。 【解決手段】ＣＡＤ装置を使用してＬＳＩのレイアウト
データからフォトマスクあるいはそれを用いて加工され
たウェハ上のＬＳＩチップ領域のパターンの寸法測定箇
所を選定する際、ＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定条
件を得るステップと、寸法測定箇所選定条件に基づいて
ＬＳＩのレイアウトデータからＬＳＩパターンの寸法測
定箇所を選定するためのデザインルールチェック(DRC)
コマンド記述を作成するステップと、ＤＲＣ記述とＬＳ
Ｉパターンを入力としてデザインルールチェックを実行
するステップと、ＤＲＣの実行によって出力されたＬＳ
Ｉパターンの寸法測定箇所候補を入力として必要個数だ
け寸法測定箇所を抽出する個数限定ステップとを具備す
る。
から、人手をかけることなく、短時間で、ミスなく寸法
測定箇所を選定する。 【解決手段】ＣＡＤ装置を使用してＬＳＩのレイアウト
データからフォトマスクあるいはそれを用いて加工され
たウェハ上のＬＳＩチップ領域のパターンの寸法測定箇
所を選定する際、ＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定条
件を得るステップと、寸法測定箇所選定条件に基づいて
ＬＳＩのレイアウトデータからＬＳＩパターンの寸法測
定箇所を選定するためのデザインルールチェック(DRC)
コマンド記述を作成するステップと、ＤＲＣ記述とＬＳ
Ｉパターンを入力としてデザインルールチェックを実行
するステップと、ＤＲＣの実行によって出力されたＬＳ
Ｉパターンの寸法測定箇所候補を入力として必要個数だ
け寸法測定箇所を抽出する個数限定ステップとを具備す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハの製
造に使用されるフォトマスクあるいはそれを用いて加工
されたウェハ上の各チップ領域に形成されるＬＳＩ（半
導体集積回路）パターンの寸法測定箇所選定方法、測定
情報作成方法および測定順番決定方法に関するものであ
り、ＣＡＤ（コンピュータ支援設計）装置を使用したフ
ォトマスクの設計に際してＬＳＩパターンの寸法品質
（精度）保証を行うために使用されるものである。
造に使用されるフォトマスクあるいはそれを用いて加工
されたウェハ上の各チップ領域に形成されるＬＳＩ（半
導体集積回路）パターンの寸法測定箇所選定方法、測定
情報作成方法および測定順番決定方法に関するものであ
り、ＣＡＤ（コンピュータ支援設計）装置を使用したフ
ォトマスクの設計に際してＬＳＩパターンの寸法品質
（精度）保証を行うために使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＬＳＩの製造に際して、半導体ウ
ェハの製造に使用されるフォトマスクあるいはそれを用
いて加工されたウェハ（以下、加工後ウェハと記す）に
対するＬＳＩパターンの寸法測定は、マスク上のＬＳＩ
チップ領域の外側に予め配置しておいた寸法測定マーク
を測定することによって実現していた。
ェハの製造に使用されるフォトマスクあるいはそれを用
いて加工されたウェハ（以下、加工後ウェハと記す）に
対するＬＳＩパターンの寸法測定は、マスク上のＬＳＩ
チップ領域の外側に予め配置しておいた寸法測定マーク
を測定することによって実現していた。
【０００３】しかし、加工寸法の微細化に伴って、チッ
プ領域外の特殊な環境下にある寸法測定マークの仕上が
り寸法とチップ領域内部のパターン仕上がり寸法との相
関が小さくなるという問題が発生していた。
プ領域外の特殊な環境下にある寸法測定マークの仕上が
り寸法とチップ領域内部のパターン仕上がり寸法との相
関が小さくなるという問題が発生していた。
【０００４】これを解決するために、近年、チップ領域
内部のパターン寸法を測定することによって、フォトマ
スクマスクおよび加工後ウェハの品質（精度）保証を行
うようになってきた。
内部のパターン寸法を測定することによって、フォトマ
スクマスクおよび加工後ウェハの品質（精度）保証を行
うようになってきた。
【０００５】従来、フォトマスクあるいは加工後ウェハ
におけるチップ領域内部のパターン寸法測定箇所を選定
するために、レイアウトデータまたはEB（電子ビーム）
描画データをビュワーで表示し、人手によって適切な測
定箇所を選定していた。
におけるチップ領域内部のパターン寸法測定箇所を選定
するために、レイアウトデータまたはEB（電子ビーム）
描画データをビュワーで表示し、人手によって適切な測
定箇所を選定していた。
【０００６】しかし、１つのフォトマスクあるいは加工
後ウェハに対して何百箇所もの測定箇所の選定が必要で
あり、人手で作業すると、測定箇所の選定に長い時間と
労力を要し、作業ミスが多発するなどの問題があった。
後ウェハに対して何百箇所もの測定箇所の選定が必要で
あり、人手で作業すると、測定箇所の選定に長い時間と
労力を要し、作業ミスが多発するなどの問題があった。
【０００７】このパターン寸法測定箇所の選定を電子計
算機を用いて自動的に実行する場合、ＬＳＩパターンの
幅・スペース等がパターン寸法測定箇所として適切な部
分を抽出する処理は既存のＣＡＤツールであるデザイン
ルールチェック(Design RuleCheck; ＤＲＣ) 機能によ
って実現可能である。
算機を用いて自動的に実行する場合、ＬＳＩパターンの
幅・スペース等がパターン寸法測定箇所として適切な部
分を抽出する処理は既存のＣＡＤツールであるデザイン
ルールチェック(Design RuleCheck; ＤＲＣ) 機能によ
って実現可能である。
【０００８】しかし、ＤＲＣ機能を用いて抽出される個
数は、レイアウトデータまたはEB描画データによって異
なり、予め知ることができず、通常は非常に多数抽出さ
れる。寸法測定作業の時間的制約によって測定点数は固
定もしくは一定の範囲に限定されており、フォトマスク
内あるいは加工後ウェハ内に均一に分散させることも必
要である。そこで、多数の寸法測定箇所候補からフォト
マスク内あるいは加工後ウェハ内に均一に分散するよう
に特定個数の寸法測定箇所を選定する手段の実現が要望
されていた。
数は、レイアウトデータまたはEB描画データによって異
なり、予め知ることができず、通常は非常に多数抽出さ
れる。寸法測定作業の時間的制約によって測定点数は固
定もしくは一定の範囲に限定されており、フォトマスク
内あるいは加工後ウェハ内に均一に分散させることも必
要である。そこで、多数の寸法測定箇所候補からフォト
マスク内あるいは加工後ウェハ内に均一に分散するよう
に特定個数の寸法測定箇所を選定する手段の実現が要望
されていた。
【０００９】また、前述したようにＬＳＩパターンの寸
法測定箇所として適切な部分を抽出する処理をＤＲＣ機
能によって実現する際、抽出結果として、測定箇所の図
形（矩形）だけを出力した場合、矩形の縦横比によって
は測定方向・測定寸法を確定することができないという
問題があった。
法測定箇所として適切な部分を抽出する処理をＤＲＣ機
能によって実現する際、抽出結果として、測定箇所の図
形（矩形）だけを出力した場合、矩形の縦横比によって
は測定方向・測定寸法を確定することができないという
問題があった。
【００１０】また、従来は、フォトマスクあるいは加工
後ウェハの寸法測定に使用するＬＳＩパターンの寸法を
設計データに付加するなどしていたので、複雑な図形処
理などに伴って設計データ上の寸法とマスク上の寸法が
変るような処理が行われる場合には、処理内容を加味す
ることで寸法値を出す必要があった。
後ウェハの寸法測定に使用するＬＳＩパターンの寸法を
設計データに付加するなどしていたので、複雑な図形処
理などに伴って設計データ上の寸法とマスク上の寸法が
変るような処理が行われる場合には、処理内容を加味す
ることで寸法値を出す必要があった。
【００１１】しかし、近年になってＯＰＣ(0ptical Pro
ximity Correction)処理などによる加工に伴って、設計
データからフォトマスク上の寸法を単純には出せない場
合が多くなっており、寸法測定のための情報を作成する
手間が大きくなっている。
ximity Correction)処理などによる加工に伴って、設計
データからフォトマスク上の寸法を単純には出せない場
合が多くなっており、寸法測定のための情報を作成する
手間が大きくなっている。
【００１２】また、加工後ウェハ上のパターン寸法を測
定する順序として、従来は、図１８に示すように、隣接
する例えば４個のＬＳＩチップ領域ＣＨＩＰ１〜４の各
測定箇所１、２、３、４について、図中矢印で示すよう
に、「測定箇所のＸ座標を第１キー、Ｙ座標を第２キー
としてソートする方法」、または、「測定箇所のＹ座標
を第１キー、Ｘ座標を第２キーとしてソートする方法」
が採用されていた。
定する順序として、従来は、図１８に示すように、隣接
する例えば４個のＬＳＩチップ領域ＣＨＩＰ１〜４の各
測定箇所１、２、３、４について、図中矢印で示すよう
に、「測定箇所のＸ座標を第１キー、Ｙ座標を第２キー
としてソートする方法」、または、「測定箇所のＹ座標
を第１キー、Ｘ座標を第２キーとしてソートする方法」
が採用されていた。
【００１３】この際、寸法測定作業を行うオペレータ
が、測定パターンを示した図面と被測定パターンとを視
認により対比しながら寸法測定を行う場合、測定毎に被
測定パターンが異なるので、測定効率が悪いという問題
があった。
が、測定パターンを示した図面と被測定パターンとを視
認により対比しながら寸法測定を行う場合、測定毎に被
測定パターンが異なるので、測定効率が悪いという問題
があった。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
フォトマスクあるいは加工後ウェハのパターン寸法測定
箇所の選定に際して、人手で作業すると、測定箇所の選
定に長い時間と労力を要し、作業ミスが多発するなどの
問題があった。
フォトマスクあるいは加工後ウェハのパターン寸法測定
箇所の選定に際して、人手で作業すると、測定箇所の選
定に長い時間と労力を要し、作業ミスが多発するなどの
問題があった。
【００１５】また、フォトマスクあるいは加工後ウェハ
のパターン寸法測定箇所の選定に際して、ＤＲＣ機能を
用いて測定箇所を多数抽出した場合、フォトマスク内あ
るいは加工後ウェハ内に均一に分散するように特定個数
の寸法測定箇所を選定する手段の実現が要望されてい
た。この際、測定箇所の図形（矩形）だけを抽出した場
合、矩形の縦横比によっては測定方向・測定寸法を確定
することができないという問題があった。また、複雑な
図形処理などに伴って設計データ上の寸法とマスク上の
寸法が変るような処理が行われる場合には、処理内容を
加味することで寸法値を出す必要があったが、寸法測定
のための情報を作成する手間が大きくなるという問題が
あった。
のパターン寸法測定箇所の選定に際して、ＤＲＣ機能を
用いて測定箇所を多数抽出した場合、フォトマスク内あ
るいは加工後ウェハ内に均一に分散するように特定個数
の寸法測定箇所を選定する手段の実現が要望されてい
た。この際、測定箇所の図形（矩形）だけを抽出した場
合、矩形の縦横比によっては測定方向・測定寸法を確定
することができないという問題があった。また、複雑な
図形処理などに伴って設計データ上の寸法とマスク上の
寸法が変るような処理が行われる場合には、処理内容を
加味することで寸法値を出す必要があったが、寸法測定
のための情報を作成する手間が大きくなるという問題が
あった。
【００１６】また、従来の加工後ウェハ上のパターン寸
法測定順序の決定に際して、測定毎に被測定パターンが
異なるので、測定効率が悪いという問題があった。
法測定順序の決定に際して、測定毎に被測定パターンが
異なるので、測定効率が悪いという問題があった。
【００１７】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、フォトマスクあるいは加工後ウェハ上のパタ
ーン寸法測定箇所をＣＡＤ装置を使用して自動的に選定
する際、自動的に高速かつ適切に選定し得るＬＳＩパタ
ーンの寸法測定箇所選定方法を提供することを目的とす
る。
たもので、フォトマスクあるいは加工後ウェハ上のパタ
ーン寸法測定箇所をＣＡＤ装置を使用して自動的に選定
する際、自動的に高速かつ適切に選定し得るＬＳＩパタ
ーンの寸法測定箇所選定方法を提供することを目的とす
る。
【００１８】また、本発明は、フォトマスクあるいは加
工後ウェハのパターン寸法測定箇所をＣＡＤ装置を使用
して自動的に選定する際、多数の寸法測定箇所候補から
フォトマスク内に均一に分散するように特定個数の寸法
測定箇所を選定し得るＬＳＩパターンの寸法測定箇所選
定方法を提供することを目的とする。
工後ウェハのパターン寸法測定箇所をＣＡＤ装置を使用
して自動的に選定する際、多数の寸法測定箇所候補から
フォトマスク内に均一に分散するように特定個数の寸法
測定箇所を選定し得るＬＳＩパターンの寸法測定箇所選
定方法を提供することを目的とする。
【００１９】また、本発明の他の目的は、フォトマスク
あるいは加工後ウェハ上のＬＳＩパターンの寸法測定の
ために使用する情報を作成する際、複雑な図形処理など
に伴って設計データに対してマスク上のパターンサイズ
が種々に変ってしまう際にも、マスクの寸法測定に用い
る情報を容易に作成し得るＬＳＩパターンの寸法測定情
報作成方法を提供することにある。
あるいは加工後ウェハ上のＬＳＩパターンの寸法測定の
ために使用する情報を作成する際、複雑な図形処理など
に伴って設計データに対してマスク上のパターンサイズ
が種々に変ってしまう際にも、マスクの寸法測定に用い
る情報を容易に作成し得るＬＳＩパターンの寸法測定情
報作成方法を提供することにある。
【００２０】また、本発明の他の目的は、加工後ウェハ
上のＬＳＩパターンの寸法測定順番を決定する際、寸法
測定作業を行うオペレータの負担を軽くし、測定効率の
向上、測定ミスの低減化を図り得るＬＳＩパターンの寸
法測定順序決定方法を提供することを目的とする。
上のＬＳＩパターンの寸法測定順番を決定する際、寸法
測定作業を行うオペレータの負担を軽くし、測定効率の
向上、測定ミスの低減化を図り得るＬＳＩパターンの寸
法測定順序決定方法を提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明のＬＳＩパターン
の寸法測定箇所選定方法は、コンピュータ支援設計装置
を使用してＬＳＩのレイアウトデータからフォトマスク
あるいはそれを用いて加工されたウェハ上のＬＳＩチッ
プ領域のパターンの寸法測定箇所を選定する際、ＬＳＩ
パターンの寸法測定箇所選定条件を得る手段および前記
寸法測定箇所選定条件に基づいてＬＳＩのレイアウトデ
ータからＬＳＩパターンの寸法測定箇所を選定するため
のデザインルールチェックコマンド記述を作成する手段
と、前記デザインルールチェックコマンド記述とＬＳＩ
パターンを入力としてデザインルールチェックを実行す
る手段と、前記デザインルールチェックの実行によって
出力されたＬＳＩパターンの寸法測定箇所候補を入力と
して必要個数だけ寸法測定箇所を抽出する個数限定手段
とを具備することを特徴とする。
の寸法測定箇所選定方法は、コンピュータ支援設計装置
を使用してＬＳＩのレイアウトデータからフォトマスク
あるいはそれを用いて加工されたウェハ上のＬＳＩチッ
プ領域のパターンの寸法測定箇所を選定する際、ＬＳＩ
パターンの寸法測定箇所選定条件を得る手段および前記
寸法測定箇所選定条件に基づいてＬＳＩのレイアウトデ
ータからＬＳＩパターンの寸法測定箇所を選定するため
のデザインルールチェックコマンド記述を作成する手段
と、前記デザインルールチェックコマンド記述とＬＳＩ
パターンを入力としてデザインルールチェックを実行す
る手段と、前記デザインルールチェックの実行によって
出力されたＬＳＩパターンの寸法測定箇所候補を入力と
して必要個数だけ寸法測定箇所を抽出する個数限定手段
とを具備することを特徴とする。
【００２２】また、本発明のＬＳＩパターンの寸法測定
箇所選定方法は、コンピュータ支援設計装置を使用して
ＬＳＩのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそ
れを用いて加工されたウェハ上のＬＳＩチップ領域のパ
ターンの寸法測定箇所候補を抽出し、その中から寸法測
定箇所を選定処理する際に、少なくとも、選定すべき寸
法測定点数を得る手段と前記フォトマスクあるいは加工
後ウェハの全領域を規定する矩形領域座標値を得る手段
を使用し、前記矩形領域座標値とその領域に割り当てら
れた寸法測定点数に基づいてその領域をｘ方向サイズが
等しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇
所候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振
り分ける第１のステップと、前記矩形領域座標値とその
領域に割り当てられた寸法測定点数に基づいてその領域
をｙ方向サイズが等しくなるよう二等分し、各領域に存
在する寸法測定箇所候補の個数によって各領域に適切な
寸法測定点数を振り分ける第２のステップと、前記第１
のステップおよび第２のステップにおいて、ある領域の
寸法測定点数が１である場合に、その領域内の任意の寸
法測定箇所候補あるいはその領域の中心点に最も近くに
存在する寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定
し、ある領域の寸法測定点数が２以上の場合にその領域
およびその領域に割り振られた寸法測定点数に対して前
記第２のステップあるいは第１のステップを適用するこ
とを特徴とする。
箇所選定方法は、コンピュータ支援設計装置を使用して
ＬＳＩのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそ
れを用いて加工されたウェハ上のＬＳＩチップ領域のパ
ターンの寸法測定箇所候補を抽出し、その中から寸法測
定箇所を選定処理する際に、少なくとも、選定すべき寸
法測定点数を得る手段と前記フォトマスクあるいは加工
後ウェハの全領域を規定する矩形領域座標値を得る手段
を使用し、前記矩形領域座標値とその領域に割り当てら
れた寸法測定点数に基づいてその領域をｘ方向サイズが
等しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇
所候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振
り分ける第１のステップと、前記矩形領域座標値とその
領域に割り当てられた寸法測定点数に基づいてその領域
をｙ方向サイズが等しくなるよう二等分し、各領域に存
在する寸法測定箇所候補の個数によって各領域に適切な
寸法測定点数を振り分ける第２のステップと、前記第１
のステップおよび第２のステップにおいて、ある領域の
寸法測定点数が１である場合に、その領域内の任意の寸
法測定箇所候補あるいはその領域の中心点に最も近くに
存在する寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定
し、ある領域の寸法測定点数が２以上の場合にその領域
およびその領域に割り振られた寸法測定点数に対して前
記第２のステップあるいは第１のステップを適用するこ
とを特徴とする。
【００２３】また、本発明のＬＳＩパターンの寸法測定
情報作成方法は、コンピュータ支援設計装置を使用して
ＬＳＩのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそ
れを用いて加工されたウェハ上のＬＳＩチップ領域のパ
ターンの寸法測定箇所を選定処理するための寸法測定情
報を作成する際、ＬＳＩのレイアウトデータに、寸法測
定箇所を示す図形データを付加し、この図形データを利
用して測定位置と寸法値と測定方向を得ることを特徴と
する。
情報作成方法は、コンピュータ支援設計装置を使用して
ＬＳＩのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそ
れを用いて加工されたウェハ上のＬＳＩチップ領域のパ
ターンの寸法測定箇所を選定処理するための寸法測定情
報を作成する際、ＬＳＩのレイアウトデータに、寸法測
定箇所を示す図形データを付加し、この図形データを利
用して測定位置と寸法値と測定方向を得ることを特徴と
する。
【００２４】また、本発明のＬＳＩパターンの寸法測定
順番決定方法は、半導体ウェハの製造に使用されるフォ
トマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のＬ
ＳＩパターンの寸法を測定する際、前記フォトマスクあ
るいはウェハ上の隣接する複数個のＬＳＩチップ領域に
おける同一座標のパターンについて各チップ領域を一定
の順序でソートすることによって測定の順番を決定する
ことを特徴とする。
順番決定方法は、半導体ウェハの製造に使用されるフォ
トマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のＬ
ＳＩパターンの寸法を測定する際、前記フォトマスクあ
るいはウェハ上の隣接する複数個のＬＳＩチップ領域に
おける同一座標のパターンについて各チップ領域を一定
の順序でソートすることによって測定の順番を決定する
ことを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。
施の形態を詳細に説明する。
【００２６】＜第１の実施形態＞図１は、本発明の第１
の実施形態に係る半導体ウェハの製造に使用されるフォ
トマスク（あるいはそれを用いて加工された加工後ウェ
ハ）のＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定方法の全体的
な処理を示している。
の実施形態に係る半導体ウェハの製造に使用されるフォ
トマスク（あるいはそれを用いて加工された加工後ウェ
ハ）のＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定方法の全体的
な処理を示している。
【００２７】ＣＡＤ装置を使用してＬＳＩのレイアウト
データからフォトマスクあるいはそれを用いて加工され
たウェハ上のＬＳＩチップ領域のパターンの寸法測定箇
所を選定する際、図１に示すように、まず、ＬＳＩパタ
ーンの寸法測定箇所選定条件ファイル１０を得る。そし
て、前記寸法測定箇所選定条件ファイル１０に基づいて
ＬＳＩのレイアウトデータからＬＳＩパターンの寸法測
定箇所を選定するためのＤＲＣコマンド記述を作成する
機能１１によりＤＲＣコマンド記述を作成し、ＤＲＣコ
マンド記述ファイル１２に格納する。
データからフォトマスクあるいはそれを用いて加工され
たウェハ上のＬＳＩチップ領域のパターンの寸法測定箇
所を選定する際、図１に示すように、まず、ＬＳＩパタ
ーンの寸法測定箇所選定条件ファイル１０を得る。そし
て、前記寸法測定箇所選定条件ファイル１０に基づいて
ＬＳＩのレイアウトデータからＬＳＩパターンの寸法測
定箇所を選定するためのＤＲＣコマンド記述を作成する
機能１１によりＤＲＣコマンド記述を作成し、ＤＲＣコ
マンド記述ファイル１２に格納する。
【００２８】次に、ＤＲＣコマンド記述ファイル１２か
ら入力するＤＲＣコマンド記述とＬＳＩレイアウトパタ
ーンデータファイル１３から入力するＬＳＩレイアウト
パターンデータに基づいてＤＲＣ機能１４によりＤＲＣ
を実行し、この実行によって出力されたＬＳＩパターン
の寸法測定箇所候補データを寸法測定箇所候補ファイル
１５に格納する。
ら入力するＤＲＣコマンド記述とＬＳＩレイアウトパタ
ーンデータファイル１３から入力するＬＳＩレイアウト
パターンデータに基づいてＤＲＣ機能１４によりＤＲＣ
を実行し、この実行によって出力されたＬＳＩパターン
の寸法測定箇所候補データを寸法測定箇所候補ファイル
１５に格納する。
【００２９】次に、前記寸法測定箇所候補ファイル１５
から入力するデータおよび前記ＤＲＣ機能１４により得
られたデータに基づいて必要個数だけ寸法測定箇所を抽
出する個数限定機能１６により寸法測定箇所を抽出し、
抽出した寸法測定箇所データを寸法測定箇所ファイル１
７に格納する。
から入力するデータおよび前記ＤＲＣ機能１４により得
られたデータに基づいて必要個数だけ寸法測定箇所を抽
出する個数限定機能１６により寸法測定箇所を抽出し、
抽出した寸法測定箇所データを寸法測定箇所ファイル１
７に格納する。
【００３０】図２は、図１中の寸法測定箇所選定条件を
記述した寸法測定箇所選定条件ファイル１０の一例を示
す。
記述した寸法測定箇所選定条件ファイル１０の一例を示
す。
【００３１】図３は、図１中の寸法測定箇所選定用ＤＲ
Ｃコマンド記述作成機能１１の具体例を示す。
Ｃコマンド記述作成機能１１の具体例を示す。
【００３２】この機能は、寸法測定箇所選定条件ファイ
ル１０に記述された条件およびＤＲＣコマンド記述テン
プレートを入力として、テンプレート内の記述のうち可
変のパラメータを寸法測定箇所選定条件ファイル１０に
記述された条件に基づいて決定し、ＤＲＣ機能（図１中
の１４）に入力可能なファイルとしてＤＲＣコマンド記
述ファイル（図１中の１２）に出力するものである。
ル１０に記述された条件およびＤＲＣコマンド記述テン
プレートを入力として、テンプレート内の記述のうち可
変のパラメータを寸法測定箇所選定条件ファイル１０に
記述された条件に基づいて決定し、ＤＲＣ機能（図１中
の１４）に入力可能なファイルとしてＤＲＣコマンド記
述ファイル（図１中の１２）に出力するものである。
【００３３】図４（Ａ）乃至（Ｄ）は、図１中のＤＲＣ
機能１４を実行した場合に、レイアウトパターンから寸
法測定箇所候補が選定される過程を説明するための図で
ある。
機能１４を実行した場合に、レイアウトパターンから寸
法測定箇所候補が選定される過程を説明するための図で
ある。
【００３４】即ち、図４（Ａ）に示すレイアウトパター
ンに対応するレイアウトデータとして入力された場合、
ＤＲＣ機能は、図２に示した寸法測定箇所選定条件ファ
イル１０中の条件１に対応するＤＲＣコマンド記述 A=(Layerから幅min-width 以上max-width 未満の部分を
抽出するコマンド記述）にしたがって、図４（Ｂ）に示
すように幅が適切なパターン部分a を選択して中間層A
とする。
ンに対応するレイアウトデータとして入力された場合、
ＤＲＣ機能は、図２に示した寸法測定箇所選定条件ファ
イル１０中の条件１に対応するＤＲＣコマンド記述 A=(Layerから幅min-width 以上max-width 未満の部分を
抽出するコマンド記述）にしたがって、図４（Ｂ）に示
すように幅が適切なパターン部分a を選択して中間層A
とする。
【００３５】次に、図２に示した寸法測定箇所選定条件
ファイル１０中の条件２に対応するＤＲＣコマンド記述 B=(Aから間隔min-space 以上max-space 未満の部分を抽
出するコマンド記述）にしたがって、図４（Ｃ）に示す
ように間隔が適切なパターン部分b を選択して中間層B
とする。
ファイル１０中の条件２に対応するＤＲＣコマンド記述 B=(Aから間隔min-space 以上max-space 未満の部分を抽
出するコマンド記述）にしたがって、図４（Ｃ）に示す
ように間隔が適切なパターン部分b を選択して中間層B
とする。
【００３６】次に、図２に示した寸法測定箇所選定条件
ファイル１０中の条件３に対応するＤＲＣコマンド記述 C=(Bから長さmin-length以上max-length未満の部分を抽
出するコマンド記述）にしたがって、図４（Ｄ）に示す
ように長さが適切なパターン部分c を選択して中間層C
とし、結果として、寸法測定箇所候補ファイル（図１中
の１５）に出力する。
ファイル１０中の条件３に対応するＤＲＣコマンド記述 C=(Bから長さmin-length以上max-length未満の部分を抽
出するコマンド記述）にしたがって、図４（Ｄ）に示す
ように長さが適切なパターン部分c を選択して中間層C
とし、結果として、寸法測定箇所候補ファイル（図１中
の１５）に出力する。
【００３７】上記したように前記ＤＲＣ機能１４によっ
て抽出されて寸法測定箇所候補ファイル１５に格納され
た多数の寸法測定箇所候補から寸法測定に必要な個数だ
けを個数限定機能（図１中の１６）により取り出し、寸
法測定箇所ファイル１７に出力する。この際、ＬＳＩレ
イアウト図形から、図４（Ａ）あるいは（Ｂ）あるいは
（Ｃ）に示したようなパターン幅・間隔・長さなどの条
件毎に個数を絞り込む。
て抽出されて寸法測定箇所候補ファイル１５に格納され
た多数の寸法測定箇所候補から寸法測定に必要な個数だ
けを個数限定機能（図１中の１６）により取り出し、寸
法測定箇所ファイル１７に出力する。この際、ＬＳＩレ
イアウト図形から、図４（Ａ）あるいは（Ｂ）あるいは
（Ｃ）に示したようなパターン幅・間隔・長さなどの条
件毎に個数を絞り込む。
【００３８】即ち、第１の実施形態に係る寸法測定箇所
選定方法は、ＣＡＤ装置を使用してＬＳＩのレイアウト
データからフォトマスクあるいはそれを用いて加工され
たウェハ上のＬＳＩチップ領域のパターンの寸法測定箇
所を選定する際、ＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定条
件を得るステップと、前記寸法測定箇所選定条件に基づ
いてＬＳＩのレイアウトデータからＬＳＩパターンの寸
法測定箇所を選定するためのＤＲＣコマンド記述を作成
するステップと、前記デザインルールチェックコマンド
記述とＬＳＩパターンを入力としてＤＲＣを実行するス
テップと、前記ＤＲＣの実行によって出力されたＬＳＩ
パターンの寸法測定箇所候補を入力として必要個数だけ
寸法測定箇所を抽出する個数限定ステップとを具備する
ことを特徴とするものである。
選定方法は、ＣＡＤ装置を使用してＬＳＩのレイアウト
データからフォトマスクあるいはそれを用いて加工され
たウェハ上のＬＳＩチップ領域のパターンの寸法測定箇
所を選定する際、ＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定条
件を得るステップと、前記寸法測定箇所選定条件に基づ
いてＬＳＩのレイアウトデータからＬＳＩパターンの寸
法測定箇所を選定するためのＤＲＣコマンド記述を作成
するステップと、前記デザインルールチェックコマンド
記述とＬＳＩパターンを入力としてＤＲＣを実行するス
テップと、前記ＤＲＣの実行によって出力されたＬＳＩ
パターンの寸法測定箇所候補を入力として必要個数だけ
寸法測定箇所を抽出する個数限定ステップとを具備する
ことを特徴とするものである。
【００３９】上記第１の実施形態に係る寸法測定箇所選
定方法によれば、ＬＳＩレイアウトパターンまたはＬＳ
Ｉレイアウトパターンに対してＯＰＣなどの補正を行っ
た結果であるマスクパターンから、パターン幅・間隔そ
の他の条件に適合する部位をＤＲＣ機能を利用して抽出
することによって、寸法測定箇所を選定することを特徴
とするものであり、ＬＳＩパターンの寸法測定箇所を自
動的に高速かつ適切に選定することができる。
定方法によれば、ＬＳＩレイアウトパターンまたはＬＳ
Ｉレイアウトパターンに対してＯＰＣなどの補正を行っ
た結果であるマスクパターンから、パターン幅・間隔そ
の他の条件に適合する部位をＤＲＣ機能を利用して抽出
することによって、寸法測定箇所を選定することを特徴
とするものであり、ＬＳＩパターンの寸法測定箇所を自
動的に高速かつ適切に選定することができる。
【００４０】＜第２の実施形態＞第２の実施形態は、第
１の実施形態における個数限定機能の具体例に相当する
ものである。
１の実施形態における個数限定機能の具体例に相当する
ものである。
【００４１】図５は、本発明の第２の実施形態に係るフ
ォトマスク（あるいは加工後ウェハ）上のＬＳＩパター
ンの寸法測定箇所選定方法に使用される機能、ファイル
等を示す。
ォトマスク（あるいは加工後ウェハ）上のＬＳＩパター
ンの寸法測定箇所選定方法に使用される機能、ファイル
等を示す。
【００４２】図６乃至図８は、図５の寸法測定箇所選定
方法における領域内寸法測定箇所決定処理を示すフロー
チャートである。図９（ａ）乃至（ｅ）は、図６乃至図
８の寸法測定箇所選定処理の内容全体を説明するために
示した図である。
方法における領域内寸法測定箇所決定処理を示すフロー
チャートである。図９（ａ）乃至（ｅ）は、図６乃至図
８の寸法測定箇所選定処理の内容全体を説明するために
示した図である。
【００４３】寸法測定箇所選定処理を行うためには、図
６に示すように、処理対象データの他に選定すべき寸法
測定点数NUM 、フォトマスク描画領域を示す領域座標A
0、領域分割を行う方向の初期値D が必要となる。ここ
で、NUM 、A0は外部から与えられる値である。
６に示すように、処理対象データの他に選定すべき寸法
測定点数NUM 、フォトマスク描画領域を示す領域座標A
0、領域分割を行う方向の初期値D が必要となる。ここ
で、NUM 、A0は外部から与えられる値である。
【００４４】本例では、NUM は、図９（ａ）に示す分割
０の段階の括弧内に示した５が与えられたものとし、AO
は、図９（ａ）に示した分割０の段階の領域A0の左下の
座標値(X0,Y0）および右上の座標値(X1,Y1）が与えられ
たものとする。D は、"X" または"Y" のどちらか一方を
任意に初期値とすることが可能だが、本実施例では"X"
とした。
０の段階の括弧内に示した５が与えられたものとし、AO
は、図９（ａ）に示した分割０の段階の領域A0の左下の
座標値(X0,Y0）および右上の座標値(X1,Y1）が与えられ
たものとする。D は、"X" または"Y" のどちらか一方を
任意に初期値とすることが可能だが、本実施例では"X"
とした。
【００４５】これらの情報を用いて領域内寸法測定箇所
決定処理を行うことにより、フォトマスク面内で均一と
なるように寸法測定箇所を選定することができる。
決定処理を行うことにより、フォトマスク面内で均一と
なるように寸法測定箇所を選定することができる。
【００４６】図７および図８は、図６中の領域内寸法測
定箇所決定処理を示すフローチャートである。
定箇所決定処理を示すフローチャートである。
【００４７】図７に示すように、処理が開始されると、
まず、領域内寸法測定点数NUM が１であるか検査する。
NUM が１であれば、その領域内の寸法測定候補から任意
の１個を寸法測定箇所として選定し、処理を終了する。
まず、領域内寸法測定点数NUM が１であるか検査する。
NUM が１であれば、その領域内の寸法測定候補から任意
の１個を寸法測定箇所として選定し、処理を終了する。
【００４８】NUM が１でない場合は、NUM が領域内の寸
法測定箇所候補数以上であるか検査する。この条件を満
たしている場合、その領域内の寸法測定候補全てを寸法
測定箇所として選定し、処理を終了する。この条件を満
たさない場合は以下の処理が必要となる。
法測定箇所候補数以上であるか検査する。この条件を満
たしている場合、その領域内の寸法測定候補全てを寸法
測定箇所として選定し、処理を終了する。この条件を満
たさない場合は以下の処理が必要となる。
【００４９】まず、与えられた領域をD 方向に2 分割し
てA1，A2とする。この場合、D の初期値は"X" としたの
で、図９（ｂ）に示す分割１の段階のように、領域A0は
A1-1,A1-2 という左右２つの領域に分割される。
てA1，A2とする。この場合、D の初期値は"X" としたの
で、図９（ｂ）に示す分割１の段階のように、領域A0は
A1-1,A1-2 という左右２つの領域に分割される。
【００５０】次に、領域A0に割り当てられていた寸法測
定点数５を分割後の各領域にNUMl,NUM2 として振り分け
る。基本的には両者ともNUM の1/2 に設定するが、領域
A1-1の寸法測定箇所候補数がNUM1より小さい場合、NUMl
を領域A1-1の寸法測定箇所候補数とし、NUM2をNUM-NUMl
に設定する。
定点数５を分割後の各領域にNUMl,NUM2 として振り分け
る。基本的には両者ともNUM の1/2 に設定するが、領域
A1-1の寸法測定箇所候補数がNUM1より小さい場合、NUMl
を領域A1-1の寸法測定箇所候補数とし、NUM2をNUM-NUMl
に設定する。
【００５１】上記とは逆に、領域A1-2の寸法測定箇所候
補数がNUM2より小さい場合、NUM2をA1-2の寸法測定箇所
候補数とし、NUM1をNUM-NUM2に設定する。
補数がNUM2より小さい場合、NUM2をA1-2の寸法測定箇所
候補数とし、NUM1をNUM-NUM2に設定する。
【００５２】上記どちらの条件にも該当しない場合は、
NUMl,NUM2 ともNUM の1/2 に設定するが、NUM が奇数の
場合は、寸法測定箇所候補数が多い方の領域に対する寸
法測定点数が多くなるよう振り分ける。図９（ｂ）に示
した分割１の段階では、NUM1が３、NUM2が２に設定され
る。
NUMl,NUM2 ともNUM の1/2 に設定するが、NUM が奇数の
場合は、寸法測定箇所候補数が多い方の領域に対する寸
法測定点数が多くなるよう振り分ける。図９（ｂ）に示
した分割１の段階では、NUM1が３、NUM2が２に設定され
る。
【００５３】次に、図８に示すように、分割方向D を、
現在の値が"X" なら"Y" に、"Y" なら"X" に変更し、領
域A1,A2 の座標を算出した後、領域A1,A2 およびその領
域に割り振られた寸法測定点数に対して順に領域内寸法
測定箇所決定処理を再帰的に実行することによって処理
が終了する。この場合の分割２、３、４の段階の領域を
図９（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示した。
現在の値が"X" なら"Y" に、"Y" なら"X" に変更し、領
域A1,A2 の座標を算出した後、領域A1,A2 およびその領
域に割り振られた寸法測定点数に対して順に領域内寸法
測定箇所決定処理を再帰的に実行することによって処理
が終了する。この場合の分割２、３、４の段階の領域を
図９（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）に示した。
【００５４】即ち、第２の実施形態に係る寸法測定箇所
方法は、ＣＡＤ装置を使用してＬＳＩのレイアウトデー
タからフォトマスク（あるいはそれを用いて加工された
ウェハ）上のＬＳＩチップ領域のパターンの寸法測定箇
所候補を抽出し、その中から寸法測定箇所を選定処理す
る際に、少なくとも、選定すべき寸法測定点数を得る手
段と前記フォトマスクあるいは加工後ウェハの全領域を
規定する矩形領域座標値を得る手段を使用し、前記矩形
領域座標値とその領域に割り当てられた寸法測定点数に
基づいてその領域をｘ方向サイズが等しくなるよう二等
分し、各領域に存在する寸法測定箇所候補の個数によっ
て各領域に適切な寸法測定点数を振り分ける第１のステ
ップと、前記矩形領域座標値とその領域に割り当てられ
た寸法測定点数に基づいてその領域をｙ方向サイズが等
しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所
候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り
分ける第２のステップとを具備し、ある領域の寸法測定
点数が１である場合に、その領域内の任意の寸法測定箇
所候補、もしくは、その領域の中心点に最も近くに存在
する寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定するこ
とを特徴とするものである。
方法は、ＣＡＤ装置を使用してＬＳＩのレイアウトデー
タからフォトマスク（あるいはそれを用いて加工された
ウェハ）上のＬＳＩチップ領域のパターンの寸法測定箇
所候補を抽出し、その中から寸法測定箇所を選定処理す
る際に、少なくとも、選定すべき寸法測定点数を得る手
段と前記フォトマスクあるいは加工後ウェハの全領域を
規定する矩形領域座標値を得る手段を使用し、前記矩形
領域座標値とその領域に割り当てられた寸法測定点数に
基づいてその領域をｘ方向サイズが等しくなるよう二等
分し、各領域に存在する寸法測定箇所候補の個数によっ
て各領域に適切な寸法測定点数を振り分ける第１のステ
ップと、前記矩形領域座標値とその領域に割り当てられ
た寸法測定点数に基づいてその領域をｙ方向サイズが等
しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所
候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り
分ける第２のステップとを具備し、ある領域の寸法測定
点数が１である場合に、その領域内の任意の寸法測定箇
所候補、もしくは、その領域の中心点に最も近くに存在
する寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定するこ
とを特徴とするものである。
【００５５】換言すれば、ＬＳＩレイアウト図形からパ
ターン幅・間隔その他の条件によって条件毎に抽出され
た寸法測定箇所候補の中から、予め指定されている測定
点数分だけをフォトマスク全領域に均一に分散するよう
に選定することを特徴とするものである。
ターン幅・間隔その他の条件によって条件毎に抽出され
た寸法測定箇所候補の中から、予め指定されている測定
点数分だけをフォトマスク全領域に均一に分散するよう
に選定することを特徴とするものである。
【００５６】上記第２の実施形態に係る寸法測定箇所選
定方法によれば、多数の寸法測定箇所候補からフォトマ
スク面内あるいは加工後ウェハ面内に均一に分散するよ
うに特定個数の寸法測定箇所を選定することができる。
定方法によれば、多数の寸法測定箇所候補からフォトマ
スク面内あるいは加工後ウェハ面内に均一に分散するよ
うに特定個数の寸法測定箇所を選定することができる。
【００５７】＜第３の実施形態＞第３の実施形態は、第
１の実施形態におけるＤＲＣ機能によって多数の寸法測
定箇所候補を抽出する際に適用されるものである。
１の実施形態におけるＤＲＣ機能によって多数の寸法測
定箇所候補を抽出する際に適用されるものである。
【００５８】図１０（Ａ）乃至（Ｃ）は、本発明の第３
の実施形態に係るフォトマスク（あるいは加工後ウェ
ハ）上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法を示し
ている。
の実施形態に係るフォトマスク（あるいは加工後ウェ
ハ）上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法を示し
ている。
【００５９】図１０（Ａ）に示すレイアウトパターンａ
に対して、ＤＲＣ機能によって寸法測定箇所候補として
図１０（Ｂ）に示す矩形ｂが抽出された場合に、図１０
（Ｃ）に示すように矩形ｂを両側に延長した矩形ｃのパ
ターンを作成し、これらの矩形ｂ、ｃを異なる層のデー
タとして出力させる。これにより、寸法測定箇所の位置
（座標値）、測定寸法、測定方向を確定するための測定
情報を提供することができる。
に対して、ＤＲＣ機能によって寸法測定箇所候補として
図１０（Ｂ）に示す矩形ｂが抽出された場合に、図１０
（Ｃ）に示すように矩形ｂを両側に延長した矩形ｃのパ
ターンを作成し、これらの矩形ｂ、ｃを異なる層のデー
タとして出力させる。これにより、寸法測定箇所の位置
（座標値）、測定寸法、測定方向を確定するための測定
情報を提供することができる。
【００６０】パターン間隔の寸法測定箇所についても、
上記と同様に、図１１中の矩形ｂ、ｃを出力させること
により、パターン間隔の寸法測定箇所の測定情報を提供
することができる。
上記と同様に、図１１中の矩形ｂ、ｃを出力させること
により、パターン間隔の寸法測定箇所の測定情報を提供
することができる。
【００６１】図１２は、図１０（Ａ）乃至（Ｃ）および
図１１に示した寸法測定情報生成方法によって出力され
る図形情報である。
図１１に示した寸法測定情報生成方法によって出力され
る図形情報である。
【００６２】図１２中の矩形ｂの中心点座標から測定位
置ｅを決定でき、矩形ｂの４辺のうちで矩形ｃの辺と重
なりを持たない辺から測定寸法および測定方向ｄを決定
することができる。
置ｅを決定でき、矩形ｂの４辺のうちで矩形ｃの辺と重
なりを持たない辺から測定寸法および測定方向ｄを決定
することができる。
【００６３】図１３（Ａ）、（Ｂ）は、図１０（Ａ）乃
至（Ｃ）、図１１に示した寸法測定情報生成方法におい
て付加するパターンｃを作成するための具体例を示す。
至（Ｃ）、図１１に示した寸法測定情報生成方法におい
て付加するパターンｃを作成するための具体例を示す。
【００６４】図１３（Ａ）、（Ｂ）中、ｆは付加パター
ンｃを作成するための中間パターンであり、ｇは矩形ｂ
から中間パターンを作成するための太め幅である。
ンｃを作成するための中間パターンであり、ｇは矩形ｂ
から中間パターンを作成するための太め幅である。
【００６５】図１３（Ａ）中のレイアウトパターンａに
対する測定箇所抽出用ＤＲＣ機能によって測定箇所ｂが
抽出された場合、ｂを一定距離ｇだけ太めた中間パター
ンｆを作成し、パターンａとｆの共通部分を抽出するこ
とによって、図１３（Ｂ）中の付加パターンｃを作成す
ることができる。
対する測定箇所抽出用ＤＲＣ機能によって測定箇所ｂが
抽出された場合、ｂを一定距離ｇだけ太めた中間パター
ンｆを作成し、パターンａとｆの共通部分を抽出するこ
とによって、図１３（Ｂ）中の付加パターンｃを作成す
ることができる。
【００６６】即ち、第３の実施形態に係る寸法測定情報
生成方法は、半導体ウェハの製造に使用されるフォトマ
スクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のＬＳＩ
パターンの寸法測定箇所をコンピュータ支援設計装置を
使用して選定処理する際に寸法測定情報を作成する際、
ＤＲＣ機能によってパターン幅、パターン間隔の寸法測
定箇所候補として矩形の図形データが抽出された場合
に、別の矩形の図形データを作成し、これらの２つの矩
形を異なる層に出力させることを特徴とするものであ
る。
生成方法は、半導体ウェハの製造に使用されるフォトマ
スクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のＬＳＩ
パターンの寸法測定箇所をコンピュータ支援設計装置を
使用して選定処理する際に寸法測定情報を作成する際、
ＤＲＣ機能によってパターン幅、パターン間隔の寸法測
定箇所候補として矩形の図形データが抽出された場合
に、別の矩形の図形データを作成し、これらの２つの矩
形を異なる層に出力させることを特徴とするものであ
る。
【００６７】上記第３の実施形態によれば、ＤＲＣ機能
によって抽出された測定箇所から、寸法測定箇所の位置
（座標値）、測定寸法、測定方向を確定するための測定
情報を、図形データの出力だけで表現し、伝達すること
が可能となる。
によって抽出された測定箇所から、寸法測定箇所の位置
（座標値）、測定寸法、測定方向を確定するための測定
情報を、図形データの出力だけで表現し、伝達すること
が可能となる。
【００６８】＜第４の実施形態＞第４の実施形態は、第
１の実施形態におけるＤＲＣ機能によって設計者が指定
した寸法測定箇所候補を抽出する際に適用されるもので
ある。
１の実施形態におけるＤＲＣ機能によって設計者が指定
した寸法測定箇所候補を抽出する際に適用されるもので
ある。
【００６９】図１４は、本発明の第４の実施形態の実施
例１に係るフォトマスク（あるいは加工後ウェハ）上の
ＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法を示している。
例１に係るフォトマスク（あるいは加工後ウェハ）上の
ＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法を示している。
【００７０】処理前の設計データ２に対して、設計者の
指定により、寸法測定箇所・寸法抽出用パターン１を付
加しておく。この寸法測定箇所・寸法抽出用パターン１
は、ＯＰＣなどの処理によって変化し得る処理後データ
４よりも測定寸法３の測長方向に対して大きくしてお
く。
指定により、寸法測定箇所・寸法抽出用パターン１を付
加しておく。この寸法測定箇所・寸法抽出用パターン１
は、ＯＰＣなどの処理によって変化し得る処理後データ
４よりも測定寸法３の測長方向に対して大きくしてお
く。
【００７１】寸法測定箇所・寸法抽出用パターン１と処
理後データ４との共有部（アンド部）の中心座標を算出
することにより、寸法を測定する箇所の座標情報を得る
ことができ、同じく共有部の長さを抽出すれば、処理後
の寸法値を得ることができる。この時、図１５に示すよ
うに、測定寸法３の方向は共有部の外側に図１４中の処
理後データが存在する側の辺と平行と判断すればよい。
理後データ４との共有部（アンド部）の中心座標を算出
することにより、寸法を測定する箇所の座標情報を得る
ことができ、同じく共有部の長さを抽出すれば、処理後
の寸法値を得ることができる。この時、図１５に示すよ
うに、測定寸法３の方向は共有部の外側に図１４中の処
理後データが存在する側の辺と平行と判断すればよい。
【００７２】即ち、第４の実施形態の実施例１に係る寸
法測定情報生成方法は、半導体ウェハの製造に使用され
るフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ
上のＬＳＩパターンの寸法測定箇所をコンピュータ支援
設計装置を使用して選定処理する際に寸法測定情報を作
成する際、ＬＳＩのレイアウトデータに、寸法測定箇所
を示す図形を付加し、この図形を利用して測定位置と寸
法値と測定方向を得ることを特徴とするものである。
法測定情報生成方法は、半導体ウェハの製造に使用され
るフォトマスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ
上のＬＳＩパターンの寸法測定箇所をコンピュータ支援
設計装置を使用して選定処理する際に寸法測定情報を作
成する際、ＬＳＩのレイアウトデータに、寸法測定箇所
を示す図形を付加し、この図形を利用して測定位置と寸
法値と測定方向を得ることを特徴とするものである。
【００７３】上記第４の実施形態の実施例１によれば、
設計データに対して予測困難な図形処理が行われるよう
なフォトマスクについても、寸法を測定するパターンの
座標や方法・方向などを容易に抽出することが可能とな
る。
設計データに対して予測困難な図形処理が行われるよう
なフォトマスクについても、寸法を測定するパターンの
座標や方法・方向などを容易に抽出することが可能とな
る。
【００７４】ここで、前記ＬＳＩのレイアウトデータ
に、測定の目的や用途などを示す情報をさらに付加する
ことによって、測定情報の分別をさらに容易にすること
が可能である。
に、測定の目的や用途などを示す情報をさらに付加する
ことによって、測定情報の分別をさらに容易にすること
が可能である。
【００７５】図１６は、本発明の第４の実施形態の実施
例２に係るフォトマスク（あるいは加工後ウェハ）上の
ＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法を示している。
例２に係るフォトマスク（あるいは加工後ウェハ）上の
ＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法を示している。
【００７６】ひとつのパターンの処理前の設計データ２
に対してｘ、ｙ両方向の測定を行う必要がある場合は、
寸法測定箇所・寸法抽出用パターン１を設計データ２の
両方向に対して付加し、各方向について寸法抽出を行
う。
に対してｘ、ｙ両方向の測定を行う必要がある場合は、
寸法測定箇所・寸法抽出用パターン１を設計データ２の
両方向に対して付加し、各方向について寸法抽出を行
う。
【００７７】上記第４の実施形態の実施例２によれば、
ｘ、ｙ両方向について寸法測定情報を生成することがで
きる。
ｘ、ｙ両方向について寸法測定情報を生成することがで
きる。
【００７８】＜第５の実施形態＞図１７は、本発明の第
５の実施形態に係るウェハ上のＬＳＩパターンの寸法測
定順序決定方法を示している。
５の実施形態に係るウェハ上のＬＳＩパターンの寸法測
定順序決定方法を示している。
【００７９】図１７に示すように、隣接する例えば４個
のＬＳＩチップ領域ＣＨＩＰ１〜４の各測定箇所１、
２、３、４について、図中矢印で示すように、各チップ
領域における同一座標の測定箇所のパターンについてＣ
ＨＩＰ１〜４の順序（あるいは、その逆の順序）でソー
トしてパターン寸法を測定する。
のＬＳＩチップ領域ＣＨＩＰ１〜４の各測定箇所１、
２、３、４について、図中矢印で示すように、各チップ
領域における同一座標の測定箇所のパターンについてＣ
ＨＩＰ１〜４の順序（あるいは、その逆の順序）でソー
トしてパターン寸法を測定する。
【００８０】この際、加工後ウェハ上の寸法測定作業を
行うオペレータが、測定パターンを示した図面と被測定
パターンとを視認により対比しながら寸法測定を行う場
合、同一の被測定パターンとなる箇所を連続的に視認す
ることができるので、測定効率が向上し、測定ミスが低
減することが期待できる。
行うオペレータが、測定パターンを示した図面と被測定
パターンとを視認により対比しながら寸法測定を行う場
合、同一の被測定パターンとなる箇所を連続的に視認す
ることができるので、測定効率が向上し、測定ミスが低
減することが期待できる。
【００８１】
【発明の効果】上述したように本発明のＬＳＩパターン
の寸法測定箇所選定方法によれば、チップ領域内部の実
パターンから、人手をかけることなく、短時間で、ミス
なく寸法測定箇所を選定することができる。また、多数
の寸法測定箇所候補の中から既定の測定点数にしたがっ
て、フォトマスク面内あるいは加工後ウェハ面内で均一
となるように寸法測定箇所を選定することができる。
の寸法測定箇所選定方法によれば、チップ領域内部の実
パターンから、人手をかけることなく、短時間で、ミス
なく寸法測定箇所を選定することができる。また、多数
の寸法測定箇所候補の中から既定の測定点数にしたがっ
て、フォトマスク面内あるいは加工後ウェハ面内で均一
となるように寸法測定箇所を選定することができる。
【００８２】本発明のＬＳＩパターンの寸法測定情報生
成方法によれば、ＤＲＣ機能によって抽出された測定箇
所から、寸法測定箇所の位置（座標値）、測定寸法、測
定方向を確定するための測定情報を、図形データの出力
だけで表現し、伝達することができる。また、設計デー
タに対して予測困難な図形処理が行われるようなフォト
マスクについても、寸法を測定するパターンの座標や方
法・方向などを容易に抽出することができる。
成方法によれば、ＤＲＣ機能によって抽出された測定箇
所から、寸法測定箇所の位置（座標値）、測定寸法、測
定方向を確定するための測定情報を、図形データの出力
だけで表現し、伝達することができる。また、設計デー
タに対して予測困難な図形処理が行われるようなフォト
マスクについても、寸法を測定するパターンの座標や方
法・方向などを容易に抽出することができる。
【００８３】本発明のＬＳＩパターンの寸法測定順序決
定方法によれば、加工後ウェハ上の隣接する複数のチッ
プ領域における同一の被測定パターンとなる箇所を連続
的に視認することが可能になり、測定効率が向上し、測
定ミスが低減することが期待できる。
定方法によれば、加工後ウェハ上の隣接する複数のチッ
プ領域における同一の被測定パターンとなる箇所を連続
的に視認することが可能になり、測定効率が向上し、測
定ミスが低減することが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るフォトマスク
（あるいは加工後ウェハ）のＬＳＩパターンの寸法測定
箇所選定方法の全体的な処理を説明するために示す図。
（あるいは加工後ウェハ）のＬＳＩパターンの寸法測定
箇所選定方法の全体的な処理を説明するために示す図。
【図２】図１中の寸法測定箇所選定条件を記述した寸法
測定箇所選定条件ファイルの一例を示す図。
測定箇所選定条件ファイルの一例を示す図。
【図３】図１中の寸法測定箇所選定用ＤＲＣコマンド記
述作成機能の具体例を示す図。
述作成機能の具体例を示す図。
【図４】図１中のＤＲＣ機能を実行した場合に、レイア
ウトパターンから寸法測定箇所候補が選定される過程を
説明するために示す図。
ウトパターンから寸法測定箇所候補が選定される過程を
説明するために示す図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るフォトマスク
（あるいは加工後ウェハ）上のＬＳＩパターンの寸法測
定箇所選定方法に使用される機能、ファイル等を示す
図。
（あるいは加工後ウェハ）上のＬＳＩパターンの寸法測
定箇所選定方法に使用される機能、ファイル等を示す
図。
【図６】図５における領域内寸法測定箇所決定処理を示
すフローチャート。
すフローチャート。
【図７】図５における領域内寸法測定箇所決定処理の一
部として図６に続くフローチャート。
部として図６に続くフローチャート。
【図８】図５における領域内寸法測定箇所決定処理の一
部として図７に続くフローチャート。
部として図７に続くフローチャート。
【図９】図６乃至図８の寸法測定箇所選定処理の内容全
体を説明するために示す図。
体を説明するために示す図。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係るフォトマスク
上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法においてパ
ターン幅の寸法測定箇所の位置、測定寸法、測定方向を
確定するための測定情報を提供する処理を説明するため
に示す図。
上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法においてパ
ターン幅の寸法測定箇所の位置、測定寸法、測定方向を
確定するための測定情報を提供する処理を説明するため
に示す図。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係るフォトマスク
上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法においてパ
ターン間隔の寸法測定箇所を確定するための測定情報を
提供する処理を説明するために示す図。
上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法においてパ
ターン間隔の寸法測定箇所を確定するための測定情報を
提供する処理を説明するために示す図。
【図１２】図１０および図１１に示した寸法測定情報生
成方法によって出力される図形情報を説明するために示
す図。
成方法によって出力される図形情報を説明するために示
す図。
【図１３】図１０および図１１に示した寸法測定情報生
成方法において付加するパターンを作成するための具体
例を示す図。
成方法において付加するパターンを作成するための具体
例を示す図。
【図１４】本発明の第４の実施形態の実施例１に係るフ
ォトマスク上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法
を説明するために示す図。
ォトマスク上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法
を説明するために示す図。
【図１５】図１４の処理において寸法測定箇所・寸法抽
出用パターン１と処理後データ４との共有部の長さを抽
出して処理後の寸法値を得る時、共有部の外側に処理後
データ４が存在する側の辺と平行な方向を測定寸法３の
方向と判断する様子を説明するために示す図。
出用パターン１と処理後データ４との共有部の長さを抽
出して処理後の寸法値を得る時、共有部の外側に処理後
データ４が存在する側の辺と平行な方向を測定寸法３の
方向と判断する様子を説明するために示す図。
【図１６】本発明の第４の実施形態の実施例２に係るフ
ォトマスク上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法
を説明するために示す図。
ォトマスク上のＬＳＩパターンの寸法測定情報生成方法
を説明するために示す図。
【図１７】本発明の第５の実施形態に係る加工後ウェハ
上のＬＳＩパターンの寸法測定順序決定方法を説明する
ために示す図。
上のＬＳＩパターンの寸法測定順序決定方法を説明する
ために示す図。
【図１８】加工後ウェハ上のパターン寸法を測定する順
序の従来例を説明するために示す図。
序の従来例を説明するために示す図。
１０…寸法測定箇所選定条件ファイル、
１１…寸法測定箇所選定用ＤＲＣコマンド記述作成機
能、 １２…ＤＲＣコマンド記述ファイル、 １３…ＬＳＩレイアウトパターンデータファイル、 １４…ＤＲＣ機能、 １５…寸法測定箇所候補ファイル、 １６…個数限定機能、 １７…寸法測定箇所ファイル。
能、 １２…ＤＲＣコマンド記述ファイル、 １３…ＬＳＩレイアウトパターンデータファイル、 １４…ＤＲＣ機能、 １５…寸法測定箇所候補ファイル、 １６…個数限定機能、 １７…寸法測定箇所ファイル。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 土屋 郁男
神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内
(72)発明者 菊間 克実
神奈川県川崎市川崎区駅前本町25番地１
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社内
Ｆターム(参考） 2H095 BD03
Claims (9)
- 【請求項１】 コンピュータ支援設計装置を使用してＬ
ＳＩのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそれ
を用いて加工されたウェハ上のＬＳＩチップ領域のパタ
ーンの寸法測定箇所を選定する際、 ＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定条件を得るステップ
と、 前記寸法測定箇所選定条件に基づいてＬＳＩのレイアウ
トデータからＬＳＩパターンの寸法測定箇所を選定する
ためのデザインルールチェックコマンド記述を作成する
ステップと、 前記デザインルールチェックコマンド記述とＬＳＩパタ
ーンを入力としてデザインルールチェックを実行するス
テップと、 前記デザインルールチェックの実行によって出力された
ＬＳＩパターンの寸法測定箇所候補を入力として必要個
数だけ寸法測定箇所を抽出する個数限定ステップとを具
備することを特徴とするＬＳＩパターンの寸法測定箇所
選定方法。 - 【請求項２】 コンピュータ支援設計装置を使用してＬ
ＳＩのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそれ
を用いて加工されたウェハ上のＬＳＩチップ領域のパタ
ーンの寸法測定箇所候補を抽出し、その中から寸法測定
箇所を選定処理する際に、 少なくとも、選定すべき寸法測定点数を得る手段と前記
フォトマスクあるいは加工後ウェハのチップ領域を規定
する矩形領域座標値を得る手段を使用し、 前記分割後の矩形領域座標値とその領域に割り当てられ
た寸法測定点数に基づいてその領域をｘ方向サイズが等
しくなるよう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所
候補の個数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り
分ける第１のステップと、 前記矩形領域座標値とその領域に割り当てられた寸法測
定点数に基づいてその領域をｙ方向サイズが等しくなる
よう二等分し、各領域に存在する寸法測定箇所候補の個
数によって各領域に適切な寸法測定点数を振り分ける第
２のステップとを具備し、 前記第１のステップおよび第２のステップにおいて、あ
る領域の寸法測定点数が１である場合に、その領域内の
任意の寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定し、
ある領域の寸法測定点数が２以上の場合にその領域およ
びその領域に割り振られた寸法測定点数に対して前記第
２のステップあるいは第１のステップを適用することを
特徴とするＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定方法。 - 【請求項３】 前記任意の寸法測定箇所候補は、寸法測
定点数が１である領域の中心点に最も近くに存在する寸
法測定箇所候補であることを特徴とする請求項２記載の
ＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定方法。 - 【請求項４】 前記第１のステップおよび第２のステッ
プにおいて、前記矩形領域座標値内に存在する寸法測定
箇所候補の個数がその領域に割り当てられた寸法測定点
数以下である場合は、その矩形領域内に存在するすべて
の寸法測定箇所候補を寸法測定箇所として選定すること
を特徴とする請求項２または３記載のＬＳＩパターンの
寸法測定箇所選定方法。 - 【請求項５】 請求項２乃至４のいずれか１項に記載の
ＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定方法は、請求項１記
載のＬＳＩパターンの寸法測定箇所選定方法の一部のス
テップに適用されることを特徴とするＬＳＩパターンの
寸法測定箇所選定方法。 - 【請求項６】 コンピュータ支援設計装置を使用してＬ
ＳＩのレイアウトデータからフォトマスクあるいはそれ
を用いて加工されたウェハ上のＬＳＩチップ領域のパタ
ーンの寸法測定箇所を選定処理するための寸法測定情報
を作成する際、 ＬＳＩのレイアウトデータに、寸法測定箇所を示す図形
データを付加し、この図形データを利用して測定位置と
寸法値と測定方向を得ることを特徴とするＬＳＩパター
ンの寸法測定情報作成手法。 - 【請求項７】 前記ＬＳＩのレイアウトデータに、測定
の目的や用途を示す情報をさらに付加し、測定情報の分
別を容易にしたことを特徴とする請求項６記載のＬＳＩ
パターンの寸法測定情報作成手法。 - 【請求項８】 請求項６または７記載のＬＳＩパターン
の寸法測定情報作成方法は、請求項１記載のＬＳＩパタ
ーンの寸法測定箇所選定方法の一部のステップに適用さ
れることを特徴とするＬＳＩパターンの寸法測定情報作
成方法。 - 【請求項９】 半導体ウェハの製造に使用されるフォト
マスクあるいはそれを用いて加工されたウェハ上のＬＳ
Ｉパターンの寸法を測定する際、 前記フォトマスクあるいはウェハ上の隣接する複数個の
ＬＳＩチップ領域における同一座標のパターンについて
各チップ領域を一定の順序でソートすることによって測
定の順番を決定することを特徴とするＬＳＩパターンの
寸法測定順番決定手法。
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|---|---|---|---|
| JP2001289739A JP4160286B2 (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法 |
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|---|---|---|---|
| JP2001289739A JP4160286B2 (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003098651A true JP2003098651A (ja) | 2003-04-04 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001289739A Expired - Fee Related JP4160286B2 (ja) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | Ｌｓｉパターンの寸法測定箇所選定方法 |
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| US9885872B2 (en) | 2003-11-20 | 2018-02-06 | Nikon Corporation | Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light |
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-
2001
- 2001-09-21 JP JP2001289739A patent/JP4160286B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9857599B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-01-02 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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| US9678332B2 (en) | 2007-11-06 | 2017-06-13 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
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