JP2003085736A - 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置Info
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 過酷な条件下においても膜膨れしない磁気記
録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
層、磁性層、保護膜および液体潤滑剤層が順次積層され
た磁気記録媒体であって、非磁性基板はプラスチックで
あり、この非磁性基板の外周または内周から２ｍｍ以下
の範囲、または、非データ領域に、外周とほぼ同一の中
心を有する円に沿う溝が形成される。
録媒体を提供する。 【解決手段】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
層、磁性層、保護膜および液体潤滑剤層が順次積層され
た磁気記録媒体であって、非磁性基板はプラスチックで
あり、この非磁性基板の外周または内周から２ｍｍ以下
の範囲、または、非データ領域に、外周とほぼ同一の中
心を有する円に沿う溝が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体、そ
の製造方法および磁気記録装置に関し、より詳細には、
コンピュータの外部記憶装置を初めとする各種磁気記録
装置に搭載される磁気記録媒体およびその製造方法と、
それを用いた磁気記録装置に関する。
の製造方法および磁気記録装置に関し、より詳細には、
コンピュータの外部記憶装置を初めとする各種磁気記録
装置に搭載される磁気記録媒体およびその製造方法と、
それを用いた磁気記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置等の
各種磁気記録媒体装置に搭載される磁気記録媒体に対す
る大容量化が期待されている。このような背景から、磁
気記録媒体に対して高い記録密度、およびそれに伴うヘ
ッドの低浮上化に対する信頼性が要求されている。この
要求に応えるべく、従来からさまざまな磁性層の組成お
よび構造、非磁性下地層の材料、ならびに非磁性基板の
材料などが提案されている。また、発展しつつあるデジ
タル家電製品向け磁気記録媒体は低コストであることが
必須となってきている。
各種磁気記録媒体装置に搭載される磁気記録媒体に対す
る大容量化が期待されている。このような背景から、磁
気記録媒体に対して高い記録密度、およびそれに伴うヘ
ッドの低浮上化に対する信頼性が要求されている。この
要求に応えるべく、従来からさまざまな磁性層の組成お
よび構造、非磁性下地層の材料、ならびに非磁性基板の
材料などが提案されている。また、発展しつつあるデジ
タル家電製品向け磁気記録媒体は低コストであることが
必須となってきている。
【０００３】高い記録密度とヘッドの低浮上が要求され
る磁気記録媒体に対し、従来からさまざまな磁性層の組
成、構造、非磁性下地層の材料および非磁性基板の材料
等が提案されている。非磁性基板材料として、現状では
アルミ及ぴガラスが主流であるが、特に近年、非磁性基
板に、一般にプラスチック基板と呼ばれる、高分子樹脂
基板が提案されている。
る磁気記録媒体に対し、従来からさまざまな磁性層の組
成、構造、非磁性下地層の材料および非磁性基板の材料
等が提案されている。非磁性基板材料として、現状では
アルミ及ぴガラスが主流であるが、特に近年、非磁性基
板に、一般にプラスチック基板と呼ばれる、高分子樹脂
基板が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、これ
からの磁気記録媒体は高記録密度化に伴うヘッドの低浮
上化のため、および近い将来発展しつつあるデジタル家
電製品向け磁気記録媒体においては、現状よりもより過
酷な環境の下での長期信頼性が要求されている。具体的
に要求される過酷な環境としては、−４０℃の極低温か
ら８０℃／８０％の高温高湿までなどがあり、更にこの
環境下で５年間の正常動作可能を求めてくる家電メーカ
ーもある。
からの磁気記録媒体は高記録密度化に伴うヘッドの低浮
上化のため、および近い将来発展しつつあるデジタル家
電製品向け磁気記録媒体においては、現状よりもより過
酷な環境の下での長期信頼性が要求されている。具体的
に要求される過酷な環境としては、−４０℃の極低温か
ら８０℃／８０％の高温高湿までなどがあり、更にこの
環境下で５年間の正常動作可能を求めてくる家電メーカ
ーもある。
【０００５】しかしながら、現状でのプラスチック基板
を用いた磁気記録媒体の場合、過酷な環境下での試験の
中で膜膨れ（膜剥がれの一種）が発生してしまうという
問題があった。
を用いた磁気記録媒体の場合、過酷な環境下での試験の
中で膜膨れ（膜剥がれの一種）が発生してしまうという
問題があった。
【０００６】本発明はこのような問題に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、過酷な環境下に
おいても膜膨れが起こらない長期信頼性を有する磁気記
録媒体、その製造方法および磁気記録装置を提供するこ
とにある。
ものであり、その目的とするところは、過酷な環境下に
おいても膜膨れが起こらない長期信頼性を有する磁気記
録媒体、その製造方法および磁気記録装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために誠意検討した結果、非磁性基板の端部付近に溝
を施すことにより、過酷な環境下においても膜膨れが起
こらない磁性記録媒体が得られることが見出された。
るために誠意検討した結果、非磁性基板の端部付近に溝
を施すことにより、過酷な環境下においても膜膨れが起
こらない磁性記録媒体が得られることが見出された。
【０００８】具体的には、本発明における磁気記録媒体
は、非磁性基板上に少なくとも非磁性下地層、磁性層、
保護膜および液体潤滑剤層が順次積層された磁気記録媒
体であって、前記非磁性基板はプラスチック樹脂であ
り、前記非磁性基板の端部付近に、該端部に沿う溝が形
成されている。
は、非磁性基板上に少なくとも非磁性下地層、磁性層、
保護膜および液体潤滑剤層が順次積層された磁気記録媒
体であって、前記非磁性基板はプラスチック樹脂であ
り、前記非磁性基板の端部付近に、該端部に沿う溝が形
成されている。
【０００９】ここで、前記溝の幅は０．１μｍ〜１．０
μｍであり、深さは１００ｎｍ以上であることが好まし
い。
μｍであり、深さは１００ｎｍ以上であることが好まし
い。
【００１０】また、前記溝は、前記非磁性基板の端部よ
り２ｍｍ以下の範囲に形成されていることが好ましい。
り２ｍｍ以下の範囲に形成されていることが好ましい。
【００１１】また、前記溝は、前記非磁性基板の非デー
タ領域に形成されていることが好ましい。
タ領域に形成されていることが好ましい。
【００１２】本発明の非磁性基板上に少なくとも非磁性
下地層、磁性層、保護膜および液体潤滑剤層が順次積層
する磁気記録媒体の製造方法は、前記非磁性基板として
プラスチック基板を用意する工程と、前記非磁性基板の
端部付近に、該端部に沿う溝を形成する工程とを備え
る。
下地層、磁性層、保護膜および液体潤滑剤層が順次積層
する磁気記録媒体の製造方法は、前記非磁性基板として
プラスチック基板を用意する工程と、前記非磁性基板の
端部付近に、該端部に沿う溝を形成する工程とを備え
る。
【００１３】ここで、前記形成する工程において形成す
る溝の幅は０．１μｍ〜１．０μｍであり、深さは１０
０ｎｍ以上であることが好ましい。
る溝の幅は０．１μｍ〜１．０μｍであり、深さは１０
０ｎｍ以上であることが好ましい。
【００１４】また、前記形成する工程は、前記溝を前記
非磁性基板の最内周より２ｍｍ以下の範囲に形成するこ
とが好ましい。
非磁性基板の最内周より２ｍｍ以下の範囲に形成するこ
とが好ましい。
【００１５】また、前記形成する工程は、前記溝を前記
非磁性基板の非データ領域に形成することが好ましい。
非磁性基板の非データ領域に形成することが好ましい。
【００１６】更に、本発明は、上述した磁気記録媒体を
搭載した磁気記録装置も提供する。
搭載した磁気記録装置も提供する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、円形の磁気記録媒体を例
に挙げて、本発明の実施の形態について詳細に説明す
る。
に挙げて、本発明の実施の形態について詳細に説明す
る。
【００１８】まず、本発明で解決しようとしている膜膨
れの発生メカニズムについて説明する。高温高湿環境に
磁気記録媒体を放置すると、水蒸気が膜を通り抜けて非
磁性基板表面に到達する。このとき、非磁性基板がプラ
スチック基板（高分子樹脂基板）の場合、基板が疎水性
のため到達した水蒸気が凝集し膜膨れが起こる。更に、
非磁性基板表面にコンタミがあると、そのコンタミが核
となり凝集が起こりやすくなる。
れの発生メカニズムについて説明する。高温高湿環境に
磁気記録媒体を放置すると、水蒸気が膜を通り抜けて非
磁性基板表面に到達する。このとき、非磁性基板がプラ
スチック基板（高分子樹脂基板）の場合、基板が疎水性
のため到達した水蒸気が凝集し膜膨れが起こる。更に、
非磁性基板表面にコンタミがあると、そのコンタミが核
となり凝集が起こりやすくなる。
【００１９】本発明の磁気記録媒体は、このようにして
生じる膜膨らみ、さらには膜剥がれを解決するためのも
のであり、非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、
磁性層、保護膜、および液体潤滑剤層が順次積層されて
おり、非磁性基板にはプラスチックが用いられ、非磁性
基板の外周とほぼ同一の中心を有する円の円周上に幅
０．１μｍ〜１．０μｍ、深さ１００μｍ以上のエンボ
ス加工が施されている。
生じる膜膨らみ、さらには膜剥がれを解決するためのも
のであり、非磁性基板上に、少なくとも非磁性下地層、
磁性層、保護膜、および液体潤滑剤層が順次積層されて
おり、非磁性基板にはプラスチックが用いられ、非磁性
基板の外周とほぼ同一の中心を有する円の円周上に幅
０．１μｍ〜１．０μｍ、深さ１００μｍ以上のエンボ
ス加工が施されている。
【００２０】膜膨れは、エンボス加工したところに集中
して発生する。これは、基板から涌き出した水や外部か
らの水が溝に集中するためである。そこで、この加工を
媒体の端部付近に、この端部に沿う溝を施す。溝を施す
領域は、媒体の内周または外周から２ｍｍ以下の範囲、
または非データ領域（外周であればスキージャンプ部分
やＬ／∪Ｌ部外周、内周であればクランプ領域等）であ
ることが好ましい。
して発生する。これは、基板から涌き出した水や外部か
らの水が溝に集中するためである。そこで、この加工を
媒体の端部付近に、この端部に沿う溝を施す。溝を施す
領域は、媒体の内周または外周から２ｍｍ以下の範囲、
または非データ領域（外周であればスキージャンプ部分
やＬ／∪Ｌ部外周、内周であればクランプ領域等）であ
ることが好ましい。
【００２１】通常のプラスチック基板の場合、非磁性基
板の端部付近に幅０．５ｎｍ深さが１００ｎｍ以上の溝
をほぼ１周にわたって施すことで、データ領域の膜膨れ
を抑えることができる。また、基板にプラズマ照射やカ
ルボン酸の塗布を行うことで、膜膨れが発生する領域を
小さくすることができる。プラズマ照射で処理を行う場
合、ＡｒガスおよびＯ２ガスの少なくとも１種類を用い
ることが好ましい。また、カルボン酸を塗布する場合
は、浸漬法、ヴェーパー法、およびスピンコート法のい
ずれか１つの方法で行われてもよい。
板の端部付近に幅０．５ｎｍ深さが１００ｎｍ以上の溝
をほぼ１周にわたって施すことで、データ領域の膜膨れ
を抑えることができる。また、基板にプラズマ照射やカ
ルボン酸の塗布を行うことで、膜膨れが発生する領域を
小さくすることができる。プラズマ照射で処理を行う場
合、ＡｒガスおよびＯ２ガスの少なくとも１種類を用い
ることが好ましい。また、カルボン酸を塗布する場合
は、浸漬法、ヴェーパー法、およびスピンコート法のい
ずれか１つの方法で行われてもよい。
【００２２】非磁性基板に用いられる材料としては、例
えば三井化学（株）製ＡＰＬ６０１５Ｔ、日本ゼオン
（株）製ＺＥＯＮＥＸ２８０Ｒ、ＪＳＲ（株）製ＡＲＴ
ＯＮなどが挙げられるが、本発明はこれらに限定される
ものではない。
えば三井化学（株）製ＡＰＬ６０１５Ｔ、日本ゼオン
（株）製ＺＥＯＮＥＸ２８０Ｒ、ＪＳＲ（株）製ＡＲＴ
ＯＮなどが挙げられるが、本発明はこれらに限定される
ものではない。
【００２３】このような材料からなる非磁性基板に、円
周１周ほどのエンボス加工を施す。このエンボス加工
は、例えば、表面に溝を有する基板を成形するための加
工を施した金型を用いて射出成形や圧縮成形を行うこと
としてもよいし、また、通常の鏡面金型を用いて基板を
成形した後に、スタンパーにより溝を設けることとして
もよい。
周１周ほどのエンボス加工を施す。このエンボス加工
は、例えば、表面に溝を有する基板を成形するための加
工を施した金型を用いて射出成形や圧縮成形を行うこと
としてもよいし、また、通常の鏡面金型を用いて基板を
成形した後に、スタンパーにより溝を設けることとして
もよい。
【００２４】そして、上記の表面処理を行った非磁性基
板の上に、従来用いられている材料および方法によって
少なくとも非磁性下地層、磁性層、保護膜および液体潤
滑剤層を準に形成して、磁気記録媒体を製造する。
板の上に、従来用いられている材料および方法によって
少なくとも非磁性下地層、磁性層、保護膜および液体潤
滑剤層を準に形成して、磁気記録媒体を製造する。
【００２５】上述のようにして製造された磁気記録媒体
は、情報処理装置等の磁気記録装置に搭載して用いるこ
とができる。
は、情報処理装置等の磁気記録装置に搭載して用いるこ
とができる。
【００２６】
【実施例】（実施例１）プラスチックの非磁性基板上
に、幅が０．５μｍ、半径Ｒが４５ｍｍ，４５．５ｍ
ｍ，４６ｍｍ，１４ｍｍ，１４．５ｍｍおよび１５ｍｍ
の各円の円周上にエンボス加工を１周施した。そして、
エンボスの深さを、２０ｎｍ，２５ｎｍ，５０ｎｍ，７
５ｎｍ，１００ｎｍ，１２５ｎｍ，１５０ｎｍと変化さ
せて媒体化した時の膨れの発生を、光学顕微鏡にて確認
した。
に、幅が０．５μｍ、半径Ｒが４５ｍｍ，４５．５ｍ
ｍ，４６ｍｍ，１４ｍｍ，１４．５ｍｍおよび１５ｍｍ
の各円の円周上にエンボス加工を１周施した。そして、
エンボスの深さを、２０ｎｍ，２５ｎｍ，５０ｎｍ，７
５ｎｍ，１００ｎｍ，１２５ｎｍ，１５０ｎｍと変化さ
せて媒体化した時の膨れの発生を、光学顕微鏡にて確認
した。
【００２７】得られた磁気記録媒体について、膜膨れを
観察するために、以下のような方法を行った。まず、２
５℃／２５％の環境下に１時間にわたって放置し、次い
で８０℃の環境下に１時間にわたって放置し、次いで８
０℃／８０％の環境下に４時間にわたって放置し、次い
で１時間かけて環境を８０℃／５％に変更し、次いで８
０℃／５％の環境下に１時間にわたって放置し、次いで
−４０℃の環境下に４時間にわたって放置し、次いで１
時間かけて環境を２５℃／５％に変更し、次いで２５℃
／５％の環境下に１時間にわたって放置し、そして２５
℃／２５％の環境に戻した。引き続き、光学顕微鏡にて
磁気記録媒体の膨れを観察した。
観察するために、以下のような方法を行った。まず、２
５℃／２５％の環境下に１時間にわたって放置し、次い
で８０℃の環境下に１時間にわたって放置し、次いで８
０℃／８０％の環境下に４時間にわたって放置し、次い
で１時間かけて環境を８０℃／５％に変更し、次いで８
０℃／５％の環境下に１時間にわたって放置し、次いで
−４０℃の環境下に４時間にわたって放置し、次いで１
時間かけて環境を２５℃／５％に変更し、次いで２５℃
／５％の環境下に１時間にわたって放置し、そして２５
℃／２５％の環境に戻した。引き続き、光学顕微鏡にて
磁気記録媒体の膨れを観察した。
【００２８】エンボスの深さが１００ｎｍ以上の媒体の
場合は、膨れがエンボス加工した溝に集中し、半径Ｒ＝
４５ｍｍ〜４６ｍｍと１４ｍｍ〜１５ｍｍ以外の場所に
は膨れが発生しなかった。
場合は、膨れがエンボス加工した溝に集中し、半径Ｒ＝
４５ｍｍ〜４６ｍｍと１４ｍｍ〜１５ｍｍ以外の場所に
は膨れが発生しなかった。
【００２９】一方、エンボスの深さが７５ｎｍ以下の媒
体の場合は、膨れがエンボス加工した溝付近に集中して
はいるものの、半径Ｒが４５ｍｍより小さい領域にも膨
れがはみ出していた。そして、エンボスの深さが２０ｎ
ｍの媒体の場合は、エンボス加工に関係なく膨れが発生
していた。
体の場合は、膨れがエンボス加工した溝付近に集中して
はいるものの、半径Ｒが４５ｍｍより小さい領域にも膨
れがはみ出していた。そして、エンボスの深さが２０ｎ
ｍの媒体の場合は、エンボス加工に関係なく膨れが発生
していた。
【００３０】（実施例２）プラスチックの非磁性基板上
に、幅が０．５μｍ，半径Ｒが４５．５ｍｍ，４６ｍ
ｍ，１４ｍｍおよび１４．５ｍｍの各円の円周上にエン
ボス加工を１周施した。そして、エンボスの深さを２０
ｎｍ，２５ｎｍ，５０ｎｍ，７５ｎｍ，１００ｎｍ，１
２５ｎｍ，１５０ｎｍと変化させて媒体化した時の膨れ
の発生を、光学顕微鏡にて確認した。
に、幅が０．５μｍ，半径Ｒが４５．５ｍｍ，４６ｍ
ｍ，１４ｍｍおよび１４．５ｍｍの各円の円周上にエン
ボス加工を１周施した。そして、エンボスの深さを２０
ｎｍ，２５ｎｍ，５０ｎｍ，７５ｎｍ，１００ｎｍ，１
２５ｎｍ，１５０ｎｍと変化させて媒体化した時の膨れ
の発生を、光学顕微鏡にて確認した。
【００３１】得られた磁気記録媒体について、膜膨れを
観察するために、以下のような方法を行った。まず、２
５℃／２５％の環境下に１時間にわたって放置し、次い
で８０℃の環境下に１時間にわたって放置し、次いで８
０℃／８０％の環境下に４時間にわたって放置し、次い
で１時間かけて環境を８０℃／５％に変更し、次いで８
０℃／５％の環境下に１時間にわたって放置し、次いで
−４０℃の環境下に４時間にわたって放置し、次いで１
時間かけて環境を２５℃／５％に変更し、次いで２５℃
／５％の環境下に１時間にわたって放置し、そして２５
℃／２５％の環境に戻した。引き続き光学顕微鏡にて磁
気記録媒体の膨れを観察した。
観察するために、以下のような方法を行った。まず、２
５℃／２５％の環境下に１時間にわたって放置し、次い
で８０℃の環境下に１時間にわたって放置し、次いで８
０℃／８０％の環境下に４時間にわたって放置し、次い
で１時間かけて環境を８０℃／５％に変更し、次いで８
０℃／５％の環境下に１時間にわたって放置し、次いで
−４０℃の環境下に４時間にわたって放置し、次いで１
時間かけて環境を２５℃／５％に変更し、次いで２５℃
／５％の環境下に１時間にわたって放置し、そして２５
℃／２５％の環境に戻した。引き続き光学顕微鏡にて磁
気記録媒体の膨れを観察した。
【００３２】エンボスの深さが５０ｎｍ以上の媒体の場
合は、膨れがエンボス加工した溝付近に集中していた
が、半径が４５．５ｍｍよりも小さい領域にも膨れがは
み出していた。また、エンボスの深さが２５ｎｍ以下の
媒体の場合はエンボス加工に関係なく膨れが発生してい
た。
合は、膨れがエンボス加工した溝付近に集中していた
が、半径が４５．５ｍｍよりも小さい領域にも膨れがは
み出していた。また、エンボスの深さが２５ｎｍ以下の
媒体の場合はエンボス加工に関係なく膨れが発生してい
た。
【００３３】（実施例３）幅が０．５μｍ、半径Ｒが４
５．５ｍｍ，４６ｍｍ，１４ｍｍ，１４．５ｍｍの各円
の円周上にエンボス加工を１周施した。そして、エンボ
スの深さを２０ｎｍ，２５ｎｍ，５０ｎｍ，７５ｎｍ，
１００ｎｍ，１２５ｎｍ，１５０ｎｍと変え、それぞれ
の基板にＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）グロ
ー処理を施して、媒体化した時の膨れの発生を確認し
た。
５．５ｍｍ，４６ｍｍ，１４ｍｍ，１４．５ｍｍの各円
の円周上にエンボス加工を１周施した。そして、エンボ
スの深さを２０ｎｍ，２５ｎｍ，５０ｎｍ，７５ｎｍ，
１００ｎｍ，１２５ｎｍ，１５０ｎｍと変え、それぞれ
の基板にＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）グロ
ー処理を施して、媒体化した時の膨れの発生を確認し
た。
【００３４】得られた磁気記録媒体について、膜膨れを
観察するために、以下のような方法を行った。まず、２
５℃／２５％で１時間にわたって放置し、次いで８０℃
の環境下に１時間にわたって放置し、次いで８０℃／８
０％の環境下に４時間にわたって放置し、次いで１時間
かけて環境を８０℃／５％に変更し、次いで８０℃／５
％の環境下に１時間にわたって放置し、次いで−４０℃
の環境下に４時間にわたって放置し、次いで１時間かけ
て環境を２５℃／５％に変更し、次いで２５℃／５％の
環境下に１時間にわたって放置し、そして２５℃／２５
％の環境に戻した。ここで、ＲＦグローの条件は、パワ
ー１００Ｗ，Ａｒガス１００％、処理時間は１０ｓｅｃ
である。
観察するために、以下のような方法を行った。まず、２
５℃／２５％で１時間にわたって放置し、次いで８０℃
の環境下に１時間にわたって放置し、次いで８０℃／８
０％の環境下に４時間にわたって放置し、次いで１時間
かけて環境を８０℃／５％に変更し、次いで８０℃／５
％の環境下に１時間にわたって放置し、次いで−４０℃
の環境下に４時間にわたって放置し、次いで１時間かけ
て環境を２５℃／５％に変更し、次いで２５℃／５％の
環境下に１時間にわたって放置し、そして２５℃／２５
％の環境に戻した。ここで、ＲＦグローの条件は、パワ
ー１００Ｗ，Ａｒガス１００％、処理時間は１０ｓｅｃ
である。
【００３５】エンボスの深さに関するすべての条件にお
いて、膨れはエンボス加工した溝付近にのみ現れ、溝以
外の領域に膨れは発生しなかった。
いて、膨れはエンボス加工した溝付近にのみ現れ、溝以
外の領域に膨れは発生しなかった。
【００３６】以上、本発明の好適な実施形態を説明した
が、本発明はこの実施形態のみに限定されることなく他
の種々の態様でも実施することができることはいうまで
もない。例えば、上述の実施形態では、円形の磁気記録
媒体について、非磁性基板の外周または内周とほぼ同一
の中心を有する円の円周上に溝を施す例について説明し
たが、本発明はテープ等の磁気記録媒体に適用すること
もできる。この場合は、テープの両端部付近、好ましく
はテープの端部から２ｍｍ以下の範囲または非データ領
域に、テープの進行方向に沿ってエンボス加工を施せば
よい。
が、本発明はこの実施形態のみに限定されることなく他
の種々の態様でも実施することができることはいうまで
もない。例えば、上述の実施形態では、円形の磁気記録
媒体について、非磁性基板の外周または内周とほぼ同一
の中心を有する円の円周上に溝を施す例について説明し
たが、本発明はテープ等の磁気記録媒体に適用すること
もできる。この場合は、テープの両端部付近、好ましく
はテープの端部から２ｍｍ以下の範囲または非データ領
域に、テープの進行方向に沿ってエンボス加工を施せば
よい。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、プラスチック基板
上の端部付近に溝を施すことにより、過酷な条件下にお
いても膜膨れしない磁気記録媒体を提供することが可能
となる。特に、幅が０．１μｍ〜１．０μｍ、深さが１
００ｎｍ以上のエンボス加工を施すことにより、−４０
℃〜８０℃／８０％の環境下において、データ領域に膨
れの発生しない媒体を提供できる。
上の端部付近に溝を施すことにより、過酷な条件下にお
いても膜膨れしない磁気記録媒体を提供することが可能
となる。特に、幅が０．１μｍ〜１．０μｍ、深さが１
００ｎｍ以上のエンボス加工を施すことにより、−４０
℃〜８０℃／８０％の環境下において、データ領域に膨
れの発生しない媒体を提供できる。
Claims (9)
- 【請求項１】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
層、磁性層、保護膜および液体潤滑剤層が順次積層され
た磁気記録媒体であって、前記非磁性基板はプラスチッ
ク樹脂であり、前記非磁性基板の端部付近に、該端部に
沿う溝が形成されていることを特徴とする磁気記録媒
体。 - 【請求項２】 前記溝の幅は０．１μｍ〜１．０μｍで
あり、深さは１００ｎｍ以上であることを特徴とする請
求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 前記溝は、前記非磁性基板の端部より２
ｍｍ以下の範囲に形成されていることを特徴とする請求
項１または２に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 前記溝は、前記非磁性基板の非データ領
域に形成されていることを特徴とする請求項１または２
に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性基板上に少なくとも非磁性下地
層、磁性層、保護膜および液体潤滑剤層が順次積層する
磁気記録媒体の製造方法であって、前記非磁性基板とし
てプラスチック基板を用意する工程と、前記非磁性基板
の端部付近に、該端部に沿う溝を形成する工程とを備え
たことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項６】 前記形成する工程において形成する溝の
幅は０．１μｍ〜１．０μｍであり、深さは１００ｎｍ
以上であることを特徴とする請求項５に記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項７】 前記形成する工程は、前記溝を前記非磁
性基板の端部より２ｍｍ以下の範囲に形成することを特
徴とする請求項５または６に記載の磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項８】 前記形成する工程は、前記溝を前記非磁
性基板の非データ領域に形成することを特徴とする請求
項５または６に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項９】 請求項１〜４のいずれかに記載の磁気記
録媒体を搭載したことを特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278279A JP4666246B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
| SG200205507A SG125073A1 (en) | 2001-09-13 | 2002-09-13 | Magnetic recording medium, the method of manufacturing the same, and the magnetic storage using the magnetic recording medium |
| US10/244,058 US6686025B2 (en) | 2001-09-13 | 2002-09-13 | Magnetic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278279A JP4666246B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003085736A true JP2003085736A (ja) | 2003-03-20 |
| JP4666246B2 JP4666246B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=19102671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001278279A Expired - Fee Related JP4666246B2 (ja) | 2001-09-13 | 2001-09-13 | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 |
Country Status (3)
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|---|---|
| US (1) | US6686025B2 (ja) |
| JP (1) | JP4666246B2 (ja) |
| SG (1) | SG125073A1 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06243462A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂基板磁気ディスク |
| JPH07225944A (ja) * | 1994-02-08 | 1995-08-22 | Sony Corp | 磁気ディスク |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2857476A (en) * | 1953-07-22 | 1958-10-21 | Joseph P Kleiber | System of electro-magnetic recording |
| US3502761A (en) * | 1967-09-25 | 1970-03-24 | Panayotis C Dimitracopoulos | Method of forming magnetic record discs |
| US3846843A (en) * | 1971-07-19 | 1974-11-05 | Minnesota Mining & Mfg | Composite film |
| JPS4890505A (ja) * | 1972-03-03 | 1973-11-26 | ||
| US3893181A (en) * | 1973-02-14 | 1975-07-01 | Robert I Desourdis | Thin base self-tracking recording tape |
| US3834972A (en) * | 1973-02-16 | 1974-09-10 | Owens T | Means for securing a magnetic tape to motion picture film |
| JPH03137821A (ja) | 1989-10-20 | 1991-06-12 | Sekisui Chem Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPH04143920A (ja) | 1990-10-03 | 1992-05-18 | Tdk Corp | 磁気ディスク |
| KR100268492B1 (ko) * | 1996-01-11 | 2000-10-16 | 윤종용 | 하드디스크드라이브의디스크및디스크고정방법 |
| EP0817176B1 (en) * | 1996-07-01 | 2001-11-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Disc type magnetic recording medium |
-
2001
- 2001-09-13 JP JP2001278279A patent/JP4666246B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-13 US US10/244,058 patent/US6686025B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-13 SG SG200205507A patent/SG125073A1/en unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06243462A (ja) * | 1993-02-15 | 1994-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂基板磁気ディスク |
| JPH07225944A (ja) * | 1994-02-08 | 1995-08-22 | Sony Corp | 磁気ディスク |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030049492A1 (en) | 2003-03-13 |
| SG125073A1 (en) | 2006-09-29 |
| US6686025B2 (en) | 2004-02-03 |
| JP4666246B2 (ja) | 2011-04-06 |
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