JP2003075961A - 光情報記録媒体および情報の記録方法 - Google Patents
光情報記録媒体および情報の記録方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】、短波長のレーザーを用いること無く、高容量
かつ高密度な情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 レーザー光により情報の記録が可能であ
る光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含む光情報記録媒体。 一般式（１） Ｘ2−(−ＣＲ4＝ＣＲ3−)m−Ｃ(＝Ｏ)−(−ＣＲ1＝ＣＲ
2−)n−Ｘ1 （式中Ｘ1およびＸ2は置換もしくは無置換のアリール
基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表し、同
一でもそれぞれ異なってもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3および
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、または置換基を表
し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4のうちのいくつかが互いに
結合して環を形成してもよく、ｎおよびｍが２以上の場
合、複数個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一でもそれぞ
れ異なってもよく、ｎおよびｍはそれぞれ独立に１〜４
の整数を表す。）
かつ高密度な情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 レーザー光により情報の記録が可能であ
る光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含む光情報記録媒体。 一般式（１） Ｘ2−(−ＣＲ4＝ＣＲ3−)m−Ｃ(＝Ｏ)−(−ＣＲ1＝ＣＲ
2−)n−Ｘ1 （式中Ｘ1およびＸ2は置換もしくは無置換のアリール
基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表し、同
一でもそれぞれ異なってもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3および
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、または置換基を表
し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4のうちのいくつかが互いに
結合して環を形成してもよく、ｎおよびｍが２以上の場
合、複数個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一でもそれぞ
れ異なってもよく、ｎおよびｍはそれぞれ独立に１〜４
の整数を表す。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はレーザー光による情
報書き込みが可能な光情報記録媒体およびそれその記録
方法に関するものである。特に本発明は多光子吸収を用
いて情報を記録するのに適した光情報記録媒体に関する
ものである。
報書き込みが可能な光情報記録媒体およびそれその記録
方法に関するものである。特に本発明は多光子吸収を用
いて情報を記録するのに適した光情報記録媒体に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来からレーザー光を用いて情報を記録
する記録媒体としてＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷのような光デ
ィスクが知られている。これらの光ディスクでは約７８
０ｎｍの波長のレーザーが用いられている。近年、情報
技術の急速な発展にともない、記録媒体の高容量化、高
密度化がますます強く求められている。高容量化、記録
密度を実現するには、情報記録のためのレーザー光の半
径をできるだけ小さく絞ることが有効であるが、回折限
界を超えて絞り込むことはできない。回折限界はレーザ
ー光の波長に依存しており、短波長であるほど小さいこ
とが理論的に知られている。このため、従来から用いら
れている７８０ｎｍより短波長のレーザーを用いて記録
再生が可能な光ディスクの開発が進められており、例え
ばＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷと称される光ディスクが提
案されている。ＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷでは６００ｎ
ｍ〜７００ｎｍの波長のレーザーが用いられており、Ｃ
Ｄ−ＲやＣＤ−ＲＷよりも高容量かつ高密度の記録が可
能となっている。しかしながらレーザーの短波長化はよ
うやく６００ｎｍ台まで普及したレベルであり、更なる
短波長レーザーの普及とそれに必要な記録媒体構成の最
適化にはかなりの時間を要する。
する記録媒体としてＣＤ−ＲやＣＤ−ＲＷのような光デ
ィスクが知られている。これらの光ディスクでは約７８
０ｎｍの波長のレーザーが用いられている。近年、情報
技術の急速な発展にともない、記録媒体の高容量化、高
密度化がますます強く求められている。高容量化、記録
密度を実現するには、情報記録のためのレーザー光の半
径をできるだけ小さく絞ることが有効であるが、回折限
界を超えて絞り込むことはできない。回折限界はレーザ
ー光の波長に依存しており、短波長であるほど小さいこ
とが理論的に知られている。このため、従来から用いら
れている７８０ｎｍより短波長のレーザーを用いて記録
再生が可能な光ディスクの開発が進められており、例え
ばＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷと称される光ディスクが提
案されている。ＤＶＤ−ＲやＤＶＤ−ＲＷでは６００ｎ
ｍ〜７００ｎｍの波長のレーザーが用いられており、Ｃ
Ｄ−ＲやＣＤ−ＲＷよりも高容量かつ高密度の記録が可
能となっている。しかしながらレーザーの短波長化はよ
うやく６００ｎｍ台まで普及したレベルであり、更なる
短波長レーザーの普及とそれに必要な記録媒体構成の最
適化にはかなりの時間を要する。
【０００３】そこで、短波長のレーザーを用いること無
く、高容量かつ高密度な情報記録媒体を得るための手段
として、非線形光学効果の一つである２（多）光子吸収
過程を利用することが提案されている。
く、高容量かつ高密度な情報記録媒体を得るための手段
として、非線形光学効果の一つである２（多）光子吸収
過程を利用することが提案されている。
【０００４】２光子吸収とは、分子が２つの光子を同時
に吸収して励起される現象であり、照射したレーザー光
波長に対応する光子の２倍のエネルギーを分子が吸収す
るため、線形吸収の存在しないより長波な波長領域の光
を用いても分子を励起すること可能である。さらに、２
光子吸収の起こる確率は照射する光強度の２乗に比例す
るため、２光子吸収を誘起するレーザー光の強度分布が
半値幅の狭まったより鋭い形状になる。これは２次元的
にはレーザー光の半径をより絞り込むことに相当し、照
射レーザー光の半径よりも小さい半径領域での情報記録
が可能となる。また、３次元的には、レーザー光をレン
ズで絞った焦点のレーザー光強度の強い微小な領域での
み２光子吸収が誘起され、焦点位置から少しでも外れる
と全く２光子吸収が起こらないため、３次元空間の任意
の微小空間で選択的に２光子吸収を誘起することができ
る。すなわち、３次元空間内の奥行き方向の記録再生が
可能になるということである。これらの性質により、２
光子吸収を用いれば、原理的には短波長のレーザーを用
いなくともより高密度な情報記録が可能となる。
に吸収して励起される現象であり、照射したレーザー光
波長に対応する光子の２倍のエネルギーを分子が吸収す
るため、線形吸収の存在しないより長波な波長領域の光
を用いても分子を励起すること可能である。さらに、２
光子吸収の起こる確率は照射する光強度の２乗に比例す
るため、２光子吸収を誘起するレーザー光の強度分布が
半値幅の狭まったより鋭い形状になる。これは２次元的
にはレーザー光の半径をより絞り込むことに相当し、照
射レーザー光の半径よりも小さい半径領域での情報記録
が可能となる。また、３次元的には、レーザー光をレン
ズで絞った焦点のレーザー光強度の強い微小な領域での
み２光子吸収が誘起され、焦点位置から少しでも外れる
と全く２光子吸収が起こらないため、３次元空間の任意
の微小空間で選択的に２光子吸収を誘起することができ
る。すなわち、３次元空間内の奥行き方向の記録再生が
可能になるということである。これらの性質により、２
光子吸収を用いれば、原理的には短波長のレーザーを用
いなくともより高密度な情報記録が可能となる。
【０００５】しかしながら、２光子吸収は非線形光学過
程であるため、その効率は極めて小さいのが一般的で、
効率良く２光子吸収を行う物質（大きな２光子吸収断面
積を有する化合物）はほとんど存在しないような状況で
あった。
程であるため、その効率は極めて小さいのが一般的で、
効率良く２光子吸収を行う物質（大きな２光子吸収断面
積を有する化合物）はほとんど存在しないような状況で
あった。
【０００６】最近になって、いくつかの化合物が大きな
２光子吸収断面積を有する有機化合物として報告され
た。すなわち、B.A.Reinhardtら、Chem.Mater.1998,10,
1863、M.Albotaら、Science 1998,281,1653、J.D.Bhawa
lkarら、Opt.Commun. 1996,124,33、 G.S.Heら、Appl.P
hys.Lett. 1995,67,3703、 G.S.Heら、Appl.Phys.Lett.
1995,67,2433、P.N.Prasadら、Nonlinear Optics 199
9,21,39、 G.S.Heら、Appl.Phys.Lett. 1996,68,3549、
G.S.Heら、J.Appl.Phys. 1997,81,2529、L.-Z.Wuら、C
hem.Phys.Lett.1999,315,379、S.-J.Chungら、J.Phys.C
hem.B 1999,103,10741、 G.S.Heら、Opt.Lett. 1995,2
0,435、J.W.Perryら、Nonlinear Optics,1999,21,225。
これらの論文中には従来の化合物よりも数倍〜数千倍程
度大きな２光子吸収断面積を有する化合物が記載されて
はいるが、依然としてそれらを用いた記録材料への応用
面は実現されていない状況にある。
２光子吸収断面積を有する有機化合物として報告され
た。すなわち、B.A.Reinhardtら、Chem.Mater.1998,10,
1863、M.Albotaら、Science 1998,281,1653、J.D.Bhawa
lkarら、Opt.Commun. 1996,124,33、 G.S.Heら、Appl.P
hys.Lett. 1995,67,3703、 G.S.Heら、Appl.Phys.Lett.
1995,67,2433、P.N.Prasadら、Nonlinear Optics 199
9,21,39、 G.S.Heら、Appl.Phys.Lett. 1996,68,3549、
G.S.Heら、J.Appl.Phys. 1997,81,2529、L.-Z.Wuら、C
hem.Phys.Lett.1999,315,379、S.-J.Chungら、J.Phys.C
hem.B 1999,103,10741、 G.S.Heら、Opt.Lett. 1995,2
0,435、J.W.Perryら、Nonlinear Optics,1999,21,225。
これらの論文中には従来の化合物よりも数倍〜数千倍程
度大きな２光子吸収断面積を有する化合物が記載されて
はいるが、依然としてそれらを用いた記録材料への応用
面は実現されていない状況にある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、短波
長のレーザーを用いること無く、高容量かつ高密度な情
報記録媒体を提供するとともに、そのための新規な情報
記録方法とそれらを実現するための新規な情報記録媒体
用素材を提供することである。
長のレーザーを用いること無く、高容量かつ高密度な情
報記録媒体を提供するとともに、そのための新規な情報
記録方法とそれらを実現するための新規な情報記録媒体
用素材を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の発明者らの鋭意
検討の結果、２光子吸収波長の調整が容易に可能で、２
光子吸収断面積が大きい化合物が重要であることに着目
し、本発明が下記（１）及び（２）によって解決される
ことを見出した。
検討の結果、２光子吸収波長の調整が容易に可能で、２
光子吸収断面積が大きい化合物が重要であることに着目
し、本発明が下記（１）及び（２）によって解決される
ことを見出した。
【０００９】（１）レーザー光により情報の記録が可能
である光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含むことを特徴とする光情報
記録媒体。 一般式（１） Ｘ2−(−ＣＲ4＝ＣＲ3−)m−Ｃ(＝Ｏ)−(−ＣＲ1＝ＣＲ
2−)n−Ｘ1 （式中Ｘ1およびＸ2は置換もしくは無置換のアリール
基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表し、同
一でもそれぞれ異なってもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3および
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、または置換基を表
し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4のうちのいくつかが互いに
結合して環を形成してもよく、ｎおよびｍが２以上の場
合、複数個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一でもそれぞ
れ異なってもよく、ｎおよびｍはそれぞれ独立に１〜４
の整数を表す。）
である光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含むことを特徴とする光情報
記録媒体。 一般式（１） Ｘ2−(−ＣＲ4＝ＣＲ3−)m−Ｃ(＝Ｏ)−(−ＣＲ1＝ＣＲ
2−)n−Ｘ1 （式中Ｘ1およびＸ2は置換もしくは無置換のアリール
基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表し、同
一でもそれぞれ異なってもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3および
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、または置換基を表
し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4のうちのいくつかが互いに
結合して環を形成してもよく、ｎおよびｍが２以上の場
合、複数個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一でもそれぞ
れ異なってもよく、ｎおよびｍはそれぞれ独立に１〜４
の整数を表す。）
【００１０】（２）（１）に記載の光情報記録媒体に、
一般式（１）の化合物が有する線形吸収帯より長波長
で、かつ、線形吸収の存在しない波長のレーザー光を照
射して誘起された２光子以上の多光子吸収を利用するこ
とを特徴とする情報の記録方法。
一般式（１）の化合物が有する線形吸収帯より長波長
で、かつ、線形吸収の存在しない波長のレーザー光を照
射して誘起された２光子以上の多光子吸収を利用するこ
とを特徴とする情報の記録方法。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の光情報記録媒体お
よび記録方法の態様を詳しく述べる。本発明の光情報記
録媒体は下記一般式（１）で表される化合物を含むこと
を特徴とする。
よび記録方法の態様を詳しく述べる。本発明の光情報記
録媒体は下記一般式（１）で表される化合物を含むこと
を特徴とする。
【００１２】一般式（１）
Ｘ2−(−ＣＲ4＝ＣＲ3−)m−Ｃ(＝Ｏ)−(−ＣＲ1＝ＣＲ
2−)n−Ｘ1 （式中Ｘ1およびＸ2は置換もしくは無置換のアリール
基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表し、同
一でもそれぞれ異なってもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3および
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、または置換基を表
し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4のうちのいくつかが互いに
結合して環を形成してもよく、ｎおよびｍが２以上の場
合、複数個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一でもそれぞ
れ異なってもよく、ｎおよびｍはそれぞれ独立に１〜４
の整数を表す。）
2−)n−Ｘ1 （式中Ｘ1およびＸ2は置換もしくは無置換のアリール
基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表し、同
一でもそれぞれ異なってもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3および
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、または置換基を表
し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4のうちのいくつかが互いに
結合して環を形成してもよく、ｎおよびｍが２以上の場
合、複数個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一でもそれぞ
れ異なってもよく、ｎおよびｍはそれぞれ独立に１〜４
の整数を表す。）
【００１３】以下に一般式（１）で表される化合物につ
いて詳しく述べる。一般式（１）において、Ｘ1 および
Ｘ2 はそれぞれ、好ましくは炭素原子数６〜３０の置換
もしくは無置換のアリール基、または炭素原子数１〜１
０の置換もしくは無置換のヘテロ環基を表す。
いて詳しく述べる。一般式（１）において、Ｘ1 および
Ｘ2 はそれぞれ、好ましくは炭素原子数６〜３０の置換
もしくは無置換のアリール基、または炭素原子数１〜１
０の置換もしくは無置換のヘテロ環基を表す。
【００１４】一般式（１）のＸ1およびＸ2で表されるア
リール基としては、フェニル、ナフチル、アントラセニ
ル、またはフェナンスレニル等を挙げることができ、フ
ェニルまたはナフチルが好ましく、特にフェニルが好ま
しい。
リール基としては、フェニル、ナフチル、アントラセニ
ル、またはフェナンスレニル等を挙げることができ、フ
ェニルまたはナフチルが好ましく、特にフェニルが好ま
しい。
【００１５】一般式（１）のＸ1およびＸ2で表されるヘ
テロ環基としては、炭素数１〜１０のヘテロ環基であ
り、更に好ましくは炭素数２〜９のヘテロ環基であり、
特に好ましくは炭素数２〜５のヘテロ環基であり、ヘテ
ロ原子として好ましいものは、窒素原子、酸素原子また
は硫黄原子である。ヘテロ環基の具体例としては、例え
ばピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリ
ン、チオフェン、セレノフェン、フラン、ピロール、イ
ミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダ
ジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、インド
ール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾー
ル、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オ
キサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジ
ン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノ
リン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フ
ェナジン、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾ
オキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾー
ル、テトラザインデン、ベンゾインドレニン、カルバゾ
ール、ジベンゾフラン、および窒素原子が環を構成する
場合には、その窒素原子が４級化された４級オニウムカ
チオン等が挙げられる。ヘテロ環として好ましくは、ピ
リジン、ピリミジン、ピラジン、インドール、チオフェ
ン、チアゾール、オキサゾール、キノリン、アクリジ
ン、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾ
チアゾール、ベンゾインドレニンおよび窒素原子が環を
構成する場合にその窒素原子が４級化された４級オニウ
ムカチオン等であり、より好ましくはピリジン、チオフ
ェン、アクリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサ
ゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾインドレニンおよび
窒素原子が環を構成する場合にその窒素原子が４級化さ
れた４級オニウムカチオン等である。
テロ環基としては、炭素数１〜１０のヘテロ環基であ
り、更に好ましくは炭素数２〜９のヘテロ環基であり、
特に好ましくは炭素数２〜５のヘテロ環基であり、ヘテ
ロ原子として好ましいものは、窒素原子、酸素原子また
は硫黄原子である。ヘテロ環基の具体例としては、例え
ばピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルフォリ
ン、チオフェン、セレノフェン、フラン、ピロール、イ
ミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダ
ジン、ピリミジン、トリアゾール、トリアジン、インド
ール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾー
ル、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オ
キサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジ
ン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノ
リン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フ
ェナジン、テトラゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾ
オキサゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾトリアゾー
ル、テトラザインデン、ベンゾインドレニン、カルバゾ
ール、ジベンゾフラン、および窒素原子が環を構成する
場合には、その窒素原子が４級化された４級オニウムカ
チオン等が挙げられる。ヘテロ環として好ましくは、ピ
リジン、ピリミジン、ピラジン、インドール、チオフェ
ン、チアゾール、オキサゾール、キノリン、アクリジ
ン、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾ
チアゾール、ベンゾインドレニンおよび窒素原子が環を
構成する場合にその窒素原子が４級化された４級オニウ
ムカチオン等であり、より好ましくはピリジン、チオフ
ェン、アクリジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサ
ゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾインドレニンおよび
窒素原子が環を構成する場合にその窒素原子が４級化さ
れた４級オニウムカチオン等である。
【００１６】一般式（１）のＸ1およびＸ2は更に置換基
を有しても良く、該置換基の例としては、例えば以下に
記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜２０
の鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭素
数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例えば、
フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、１−
ナフチル）、炭素原子数２〜２０のアルケニル基（例え
ばビニル、２−メチルビニル）、炭素原子数２〜２０の
アルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエチニ
ル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例えば、
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、炭素数２〜２０のアミノ基（例
えばジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジブチルアミ
ノ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭
素原子数２〜１０のアシル基（例えば、アセチル、ベン
ゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、炭素原子数１〜
２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シ
クロヘキシルオキシ）、炭素数６〜１８のアリールオキ
シ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ）、炭素原
子数１〜２０のアルキルチオ基（例えば、フェニルチ
オ、４−クロロフェニルチオ）、炭素原子数１〜２０の
アルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、ブ
タンスルホニル）、炭素数６〜１８のアリールスルホニ
ル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラトルエンンス
ルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭
素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２〜１２のイ
ミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基、炭素原
子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１
〜１０のヘテロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリ
ル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香
族ヘテロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン
環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラ
ン環などの脂肪族ヘテロ環）。
を有しても良く、該置換基の例としては、例えば以下に
記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜２０
の鎖状または環状アルキル基（例えば、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭素
数６〜１８の置換または無置換のアリール基（例えば、
フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、１−
ナフチル）、炭素原子数２〜２０のアルケニル基（例え
ばビニル、２−メチルビニル）、炭素原子数２〜２０の
アルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエチニ
ル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例えば、
Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、炭素数２〜２０のアミノ基（例
えばジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジブチルアミ
ノ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭
素原子数２〜１０のアシル基（例えば、アセチル、ベン
ゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、炭素原子数１〜
２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シ
クロヘキシルオキシ）、炭素数６〜１８のアリールオキ
シ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ）、炭素原
子数１〜２０のアルキルチオ基（例えば、フェニルチ
オ、４−クロロフェニルチオ）、炭素原子数１〜２０の
アルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、ブ
タンスルホニル）、炭素数６〜１８のアリールスルホニ
ル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラトルエンンス
ルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭
素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２〜１２のイ
ミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基、炭素原
子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１
〜１０のヘテロ環基（例えばピリジル、チエニル、フリ
ル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香
族ヘテロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン
環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラ
ン環などの脂肪族ヘテロ環）。
【００１７】一般式（１）において、Ｘ1およびＸ2の置
換基として好ましいものは、炭素数１〜１６の鎖状また
は環状のアルキル基、炭素数６〜１４のアリール基、炭
素数７〜１５のアラルキル基、炭素数１〜１６のアルコ
キシ基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、炭素数２
〜２０のアミノ基、ハロゲン原子、炭素数２〜１７のア
ルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０のカルバモイル
基、炭素数１〜１０のアミド基、炭素数２〜１０のヘテ
ロ環基であり、中でも好ましいものは、炭素数１〜１０
の鎖状または環状のアルキル基、炭素数７〜１３のアラ
ルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数１〜１
０のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリールオキシ
基、炭素数２〜１０のアミノ基、塩素原子、臭素原子、
炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜
７のカルバモイル基、炭素数１〜８のアミド基である。
換基として好ましいものは、炭素数１〜１６の鎖状また
は環状のアルキル基、炭素数６〜１４のアリール基、炭
素数７〜１５のアラルキル基、炭素数１〜１６のアルコ
キシ基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、炭素数２
〜２０のアミノ基、ハロゲン原子、炭素数２〜１７のア
ルコキシカルボニル基、炭素数１〜１０のカルバモイル
基、炭素数１〜１０のアミド基、炭素数２〜１０のヘテ
ロ環基であり、中でも好ましいものは、炭素数１〜１０
の鎖状または環状のアルキル基、炭素数７〜１３のアラ
ルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、炭素数１〜１
０のアルコキシ基、炭素数６〜１０のアリールオキシ
基、炭素数２〜１０のアミノ基、塩素原子、臭素原子、
炭素数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜
７のカルバモイル基、炭素数１〜８のアミド基である。
【００１８】一般式（１）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3お
よびＲ4はそれぞれ独立に、水素原子、または置換基を
表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4のうちのいくつかが互い
に結合して環を形成してもよい。それらにより形成され
る環構造として好ましいのは、Ｒ1 とＲ3 がエチレン、
プロピレンあるいはブチレン基を形成して５員環、６員
環あるいは７員環を形成する場合であり、より好ましく
は員環または６員環を形成する場合である。
よびＲ4はそれぞれ独立に、水素原子、または置換基を
表し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4のうちのいくつかが互い
に結合して環を形成してもよい。それらにより形成され
る環構造として好ましいのは、Ｒ1 とＲ3 がエチレン、
プロピレンあるいはブチレン基を形成して５員環、６員
環あるいは７員環を形成する場合であり、より好ましく
は員環または６員環を形成する場合である。
【００１９】一般式（１）においてＲ1、Ｒ2、Ｒ3およ
びＲ4で表される置換基としては、上述のＸ1およびＸ2
で表される基の置換基として挙げた基を挙げることがで
きる。
びＲ4で表される置換基としては、上述のＸ1およびＸ2
で表される基の置換基として挙げた基を挙げることがで
きる。
【００２０】一般式（１）においてＲ1、Ｒ2、Ｒ3およ
びＲ4で挙げた置換基のうちの任意の２つ互いに結合し
て環を形成してもよい。
びＲ4で挙げた置換基のうちの任意の２つ互いに結合し
て環を形成してもよい。
【００２１】一般式（１）において、ｎおよびｍが２以
上の場合、複数個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一でも
それぞれ異なってもよい。
上の場合、複数個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一でも
それぞれ異なってもよい。
【００２２】一般式（１）において、ｎおよびｍはそれ
ぞれ独立に１〜４の整数を表し、その中でも１〜３が好
ましく、１〜２が最も好ましい。本発明の一般式（１）
で示される化合物は、ケトン化合物とアルデヒド化合物
のアルドール縮合反応により合成した。
ぞれ独立に１〜４の整数を表し、その中でも１〜３が好
ましく、１〜２が最も好ましい。本発明の一般式（１）
で示される化合物は、ケトン化合物とアルデヒド化合物
のアルドール縮合反応により合成した。
【００２３】以下に、本発明に用いられる一般式（１）
で示される化合物の具体例を挙げるが、本発明の範囲は
これらのみに限定されるものではない。
で示される化合物の具体例を挙げるが、本発明の範囲は
これらのみに限定されるものではない。
【００２４】
【化１】
【００２５】
【化２】
【００２６】
【化３】
【００２７】
【化４】
【００２８】
【化５】
【００２９】
【化６】
【００３０】
【化７】
【００３１】
【化８】
【００３２】
【化９】
【００３３】
【化１０】
【００３４】一般式（１）で示される化合物の具体的合
成例を示す。
成例を示す。
【００３５】合成例１ 化合物（１）の合成
ｐ−（ジメチルアミノ）けい皮アルデヒド（１７．５
ｇ、０．１mol）とシクロペンタノン（４．２ｇ、０．
０５mol）をイソプロピルアルコール（２．４L）に溶解
させ、ナトリウムメトキシドのメタノール溶液（１ml）
を加え、４０℃で１時間攪拌した。反応が進行するにと
もなって析出した結晶をろ過し、ろ別した結晶をクロロ
ホルムに溶解させた後、メタノールを加え、析出した結
晶をろ過した。濃赤色結晶１１．０ｇ（収率５５％）。
得られた化合物は1Ｈ ＮＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝２．８６（ｓ、４Ｈ、シクロペンタン環）、３．０
１（ｓ、１２Ｈ、ジメチルアミノ基）、６．６７（ｄ、
４Ｈ、ベンゼン環）、７．３９（ｄ、４Ｈ、ベンゼン
環）、６．７６（ｔ、２Ｈ、メチン鎖）、６．９０
（ｄ、２Ｈ、メチン鎖）、７．２４（ｄ、２Ｈ、メチン
鎖）
ｇ、０．１mol）とシクロペンタノン（４．２ｇ、０．
０５mol）をイソプロピルアルコール（２．４L）に溶解
させ、ナトリウムメトキシドのメタノール溶液（１ml）
を加え、４０℃で１時間攪拌した。反応が進行するにと
もなって析出した結晶をろ過し、ろ別した結晶をクロロ
ホルムに溶解させた後、メタノールを加え、析出した結
晶をろ過した。濃赤色結晶１１．０ｇ（収率５５％）。
得られた化合物は1Ｈ ＮＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝２．８６（ｓ、４Ｈ、シクロペンタン環）、３．０
１（ｓ、１２Ｈ、ジメチルアミノ基）、６．６７（ｄ、
４Ｈ、ベンゼン環）、７．３９（ｄ、４Ｈ、ベンゼン
環）、６．７６（ｔ、２Ｈ、メチン鎖）、６．９０
（ｄ、２Ｈ、メチン鎖）、７．２４（ｄ、２Ｈ、メチン
鎖）
【００３６】合成例２ 化合物（１５）の合成
合成例１に示したシクロペンタノンの替わりにアセトン
（２．９ｇ、０．０５mol）を用いる以外は合成例１と
同様にして化合物（１５）を合成した。濃赤色結晶３．
８ｇ（収率２０％）。得られた化合物は1Ｈ ＮＭＲに
より構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝３．０１（ｓ、１２Ｈ、ジメチルアミノ基）、６．
６７（ｄ、４Ｈ、ベンゼン環）、７．３８（ｄ、４Ｈ、
ベンゼン環）、６．４６（ｄ、２Ｈ、メチン鎖）、６．
７６（ｍ、２Ｈ、メチン鎖）、６．９０（ｄ、２Ｈ、メ
チン鎖）、７．４８（ｍ、２Ｈ、メチン鎖）
（２．９ｇ、０．０５mol）を用いる以外は合成例１と
同様にして化合物（１５）を合成した。濃赤色結晶３．
８ｇ（収率２０％）。得られた化合物は1Ｈ ＮＭＲに
より構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3−ｄ1） δ＝３．０１（ｓ、１２Ｈ、ジメチルアミノ基）、６．
６７（ｄ、４Ｈ、ベンゼン環）、７．３８（ｄ、４Ｈ、
ベンゼン環）、６．４６（ｄ、２Ｈ、メチン鎖）、６．
７６（ｍ、２Ｈ、メチン鎖）、６．９０（ｄ、２Ｈ、メ
チン鎖）、７．４８（ｍ、２Ｈ、メチン鎖）
【００３７】合成例３ 化合物（２９）の合成
合成例１に示したシクロペンタノンの替わりに、シクロ
ヘキサノン（４．９ｇ、０．０５mol）を用いる以外は
合成例１と同様にして化合物（２９）を合成した。濃赤
色結晶７．２ｇ（収率３５％）。得られた化合物は1Ｈ
ＮＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6） δ＝１．８５（ｍ、２Ｈ、シクロヘキサン環）、２．７
５（ｔ、４Ｈ、シクロヘキサン環）、３．００（ｓ、１
２Ｈ、ジメチルアミノ基）、６．６６（ｄ、４Ｈ、ベン
ゼン環）、７．３９（ｄ、４Ｈ、ベンゼン環）、６．８
９（ｍ、４Ｈ、メチン鎖）、７．５０（ｄ、２Ｈ、メチ
ン鎖） 次に、本発明の光情報記録媒体の構造について説明す
る。本発明の光情報記録媒体は、前記一般式（１）で表
される化合物を含むものであれば特に制限はなく、一般
式（１）で表される化合物を含む記録層を基板上に薄膜
状に形成したものでも、一般式（１)で表される化合物
をポリマーマトリックス中に分散したブロック状のもの
でも良い。
ヘキサノン（４．９ｇ、０．０５mol）を用いる以外は
合成例１と同様にして化合物（２９）を合成した。濃赤
色結晶７．２ｇ（収率３５％）。得られた化合物は1Ｈ
ＮＭＲにより構造を確認した。1 Ｈ ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ6） δ＝１．８５（ｍ、２Ｈ、シクロヘキサン環）、２．７
５（ｔ、４Ｈ、シクロヘキサン環）、３．００（ｓ、１
２Ｈ、ジメチルアミノ基）、６．６６（ｄ、４Ｈ、ベン
ゼン環）、７．３９（ｄ、４Ｈ、ベンゼン環）、６．８
９（ｍ、４Ｈ、メチン鎖）、７．５０（ｄ、２Ｈ、メチ
ン鎖） 次に、本発明の光情報記録媒体の構造について説明す
る。本発明の光情報記録媒体は、前記一般式（１）で表
される化合物を含むものであれば特に制限はなく、一般
式（１）で表される化合物を含む記録層を基板上に薄膜
状に形成したものでも、一般式（１)で表される化合物
をポリマーマトリックス中に分散したブロック状のもの
でも良い。
【００３８】一般式（I）で表される化合物を含む記録
層を基板上に薄膜状に形成した記録媒体の場合には、プ
レグルーブ（例えば、トラックピッチ0.1〜2.0μｍ）が
形成された厚さ0.1〜３ｍｍの透明な円盤状基板上に、
前記一般式（I）で表される化合物を含む記録層を設け
た構成を好ましく用いることができる。また、プレグル
ーブは有っても無くても良い。
層を基板上に薄膜状に形成した記録媒体の場合には、プ
レグルーブ（例えば、トラックピッチ0.1〜2.0μｍ）が
形成された厚さ0.1〜３ｍｍの透明な円盤状基板上に、
前記一般式（I）で表される化合物を含む記録層を設け
た構成を好ましく用いることができる。また、プレグル
ーブは有っても無くても良い。
【００３９】基板（保護基板も含む）は、従来の光情報
記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任
意に選択することができる。基板材料としては、例え
ば、ガラス；ポリカーボネート；ポリメチルメタクリレ
ート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共
重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルフ
ァスポリオレフィンおよびポリエステル等を挙げること
ができ、所望によりそれらを併用してもよい。なお、こ
れらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板と
して使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸
法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好
ましい。
記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任
意に選択することができる。基板材料としては、例え
ば、ガラス；ポリカーボネート；ポリメチルメタクリレ
ート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共
重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルフ
ァスポリオレフィンおよびポリエステル等を挙げること
ができ、所望によりそれらを併用してもよい。なお、こ
れらの材料はフィルム状としてまたは剛性のある基板と
して使うことができる。上記材料の中では、耐湿性、寸
法安定性および価格などの点からポリカーボネートが好
ましい。
【００４０】基板（又は下塗層）上にプレグルーブがあ
る場合は、トラッキング用溝又はアドレス信号等の情報
を表す凹凸（プレグルーブ）であり、ポリカーボネート
などの樹脂材料を射出成形あるいは押出成形する際に直
接基板上に前記のトラックピッチで形成されることが好
ましい。また、プレグルーブの形成を、プレグルーブ層
を設けることにより行ってもよい。プレグルーブ層の材
料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、
トリエステルおよびテトラエステルのうち少なくとも一
種のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との
混合物を用いることができる。プレグルーブ層の形成
は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパー）上
に上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる
混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せた
のち、基板または母型を介して紫外線を照射することに
より塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。
次いで、基板を母型から剥離することにより得ることが
できる。プレグルーブ層の層厚は、０．０５〜１００μ
ｍの範囲にあり、好ましくは０．１〜５０μｍの範囲で
ある。
る場合は、トラッキング用溝又はアドレス信号等の情報
を表す凹凸（プレグルーブ）であり、ポリカーボネート
などの樹脂材料を射出成形あるいは押出成形する際に直
接基板上に前記のトラックピッチで形成されることが好
ましい。また、プレグルーブの形成を、プレグルーブ層
を設けることにより行ってもよい。プレグルーブ層の材
料としては、アクリル酸のモノエステル、ジエステル、
トリエステルおよびテトラエステルのうち少なくとも一
種のモノマー（またはオリゴマー）と光重合開始剤との
混合物を用いることができる。プレグルーブ層の形成
は、例えば、まず精密に作られた母型（スタンパー）上
に上記のアクリル酸エステルおよび重合開始剤からなる
混合液を塗布し、さらにこの塗布液層上に基板を載せた
のち、基板または母型を介して紫外線を照射することに
より塗布層を硬化させて基板と塗布層とを固着させる。
次いで、基板を母型から剥離することにより得ることが
できる。プレグルーブ層の層厚は、０．０５〜１００μ
ｍの範囲にあり、好ましくは０．１〜５０μｍの範囲で
ある。
【００４１】基板（又は下塗層）上あるいはプレグルー
ブが形成されているその表面上に、本発明に係る前記式
で示される色素化合物を含む記録層が設けられる。記録
層の形成方法としては、真空蒸着方や塗布法などを用い
ることができる。塗布法としては、スプレー法、スピン
コート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコー
ト法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げ
ることができる。記録層は単層でも重層でもよい。記録
層の層厚は一般に２０〜１０００ｎｍの範囲とすること
ができ、好ましくは５０〜５００ｎｍの範囲である。さ
らには、レーザー光の焦点深度を制御することにより、
多層記録も可能であり、この場合は、さらに厚い記録層
とすることができる。これにより、さらなる高密度記録
を可能にすることができる。
ブが形成されているその表面上に、本発明に係る前記式
で示される色素化合物を含む記録層が設けられる。記録
層の形成方法としては、真空蒸着方や塗布法などを用い
ることができる。塗布法としては、スプレー法、スピン
コート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコー
ト法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げ
ることができる。記録層は単層でも重層でもよい。記録
層の層厚は一般に２０〜１０００ｎｍの範囲とすること
ができ、好ましくは５０〜５００ｎｍの範囲である。さ
らには、レーザー光の焦点深度を制御することにより、
多層記録も可能であり、この場合は、さらに厚い記録層
とすることができる。これにより、さらなる高密度記録
を可能にすることができる。
【００４２】塗布法による記録層の形成は、本発明に係
る化合物、更に所望により結合剤などを溶剤に溶解して
塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布し
て塗膜を形成したのち乾燥することにより行うことがで
きる。色素記録層形成用の塗布液の溶剤としては、酢酸
ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエス
テル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル
イソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，
２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水
素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサ
ンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル；エタノ−ル、ｎ−プロ
パノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセ
トンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テ
トラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレンングリコール
モノエチルエーテル、プロピレンングリコールモノメチ
ルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げるこ
とができる。上記溶剤は使用する化合物の溶解性を考慮
して単独または二種以上組み合わせて用いることができ
る。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑
剤、潤滑財などの各種の添加剤を目的に応じて添加して
もよい。
る化合物、更に所望により結合剤などを溶剤に溶解して
塗布液を調製し、次いでこの塗布液を基板表面に塗布し
て塗膜を形成したのち乾燥することにより行うことがで
きる。色素記録層形成用の塗布液の溶剤としては、酢酸
ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエス
テル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチル
イソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，
２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水
素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；シクロヘキサ
ンなどの炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテ
ル、ジオキサンなどのエーテル；エタノ−ル、ｎ−プロ
パノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセ
トンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テ
トラフロロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレン
グリコールモノメチルエーテル、エチレンングリコール
モノエチルエーテル、プロピレンングリコールモノメチ
ルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げるこ
とができる。上記溶剤は使用する化合物の溶解性を考慮
して単独または二種以上組み合わせて用いることができ
る。塗布液中にはさらに酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑
剤、潤滑財などの各種の添加剤を目的に応じて添加して
もよい。
【００４３】結合剤の例としては、例えばゼラチン、セ
ルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天
然有機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹
脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリ
アクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルなどのアク
リル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレ
ン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェ
ノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期
縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。記
録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使
用量は、色素に対して一般に０．０１〜５０倍量（質量
比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量
比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の
色素の濃度は一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあ
り、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。
ルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天
然有機高分子物質；およびポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹
脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビ
ニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリ
アクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチルなどのアク
リル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレ
ン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェ
ノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期
縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。記
録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使
用量は、色素に対して一般に０．０１〜５０倍量（質量
比）の範囲にあり、好ましくは０．１〜５倍量（質量
比）の範囲にある。このようにして調製される塗布液の
色素の濃度は一般に０．０１〜１０質量％の範囲にあ
り、好ましくは０．１〜５質量％の範囲にある。
【００４４】記録層には、更に記録層の耐光性を向上さ
せるために、種々の褪色防止剤を含有させることもでき
る。褪色防止剤としては、有機酸化剤や一重項酸素クエ
ンチャーを挙げることができる。
せるために、種々の褪色防止剤を含有させることもでき
る。褪色防止剤としては、有機酸化剤や一重項酸素クエ
ンチャーを挙げることができる。
【００４５】記録層が設けられる側の基板表面には、平
面性の改善および接着力の向上および記録層の変質防止
などの目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材
料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリ
ル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン
酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールア
クリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、ク
ロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ
塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポ
リイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン
・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート等の高分子物質；およびシランカ
ップリング剤などの表面改質剤をあげることができる。
面性の改善および接着力の向上および記録層の変質防止
などの目的で、下塗層が設けられてもよい。下塗層の材
料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリ
ル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン
酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールア
クリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、ク
ロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ
塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポ
リイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン
・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、ポリカーボネート等の高分子物質；およびシランカ
ップリング剤などの表面改質剤をあげることができる。
【００４６】上記記録層の上に、情報再生時における反
射率の向上の目的で、光反射層を設けてもよい。光反射
層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する反射
率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、
Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓ
ｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を
挙げることができる。これらのうちで好ましいものは、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステ
ンレス鋼であり、特に好ましいものはＡｇである。これ
らの物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の
組み合わせで、または合金として用いてもよい。光反射
層は、例えば上記反射性物質を蒸着、スパッタリングま
たはイオンプレーティングすることにより記録層の上に
形成することができる。光反射層の層厚は、一般に１０
〜３００ｎｍの範囲とすることができ、好ましくは５０
〜２００ｎｍの範囲である。
射率の向上の目的で、光反射層を設けてもよい。光反射
層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する反射
率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、
Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａ
ｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓ
ｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属あるいはステンレス鋼を
挙げることができる。これらのうちで好ましいものは、
Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌおよびステ
ンレス鋼であり、特に好ましいものはＡｇである。これ
らの物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の
組み合わせで、または合金として用いてもよい。光反射
層は、例えば上記反射性物質を蒸着、スパッタリングま
たはイオンプレーティングすることにより記録層の上に
形成することができる。光反射層の層厚は、一般に１０
〜３００ｎｍの範囲とすることができ、好ましくは５０
〜２００ｎｍの範囲である。
【００４７】光反射層の上には、記録層などを物理的お
よび化学的に保護する目的で保護層が設けられていても
よい。この保護層は、基盤の記録層が設けられていない
側にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよ
い。保護層に用いられる材料としては、例えば、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの無機
物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等
の有機物質を挙げることができる。保護層は、たとえば
プラスチックの押出加工で得られたフィルムを光反射層
上及び／または基板上にラミネートすることにより形成
することができる。あるいは真空蒸着、スパッタリン
グ、塗布等の方法により設けられてもよい。また、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらの適当な溶
剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布
し、乾燥することによっても形成することができる。Ｕ
Ｖ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶剤
に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布し、
ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成するこ
とができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、
酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて
添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１〜１０
０μｍの範囲とすることができる。
よび化学的に保護する目的で保護層が設けられていても
よい。この保護層は、基盤の記録層が設けられていない
側にも耐傷性、耐湿性を高める目的で設けられてもよ
い。保護層に用いられる材料としては、例えば、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4などの無機
物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等
の有機物質を挙げることができる。保護層は、たとえば
プラスチックの押出加工で得られたフィルムを光反射層
上及び／または基板上にラミネートすることにより形成
することができる。あるいは真空蒸着、スパッタリン
グ、塗布等の方法により設けられてもよい。また、熱可
塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらの適当な溶
剤に溶解して塗布液を調製したのち、この塗布液を塗布
し、乾燥することによっても形成することができる。Ｕ
Ｖ硬化性樹脂の場合には、そのままもしくは適当な溶剤
に溶解して塗布液を調製したのちこの塗布液を塗布し、
ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成するこ
とができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、
酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて
添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１〜１０
０μｍの範囲とすることができる。
【００４８】本発明の光情報記録媒体が、一般式（１）
で表される化合物をポリマーマトリックス中に分散させ
たブロック状の場合には、分散させるポリマーマトリッ
クスとしては特に制限はなく、ポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート等のアクリル樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル、塩化
ビニル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート等を用いる
ことができる。
で表される化合物をポリマーマトリックス中に分散させ
たブロック状の場合には、分散させるポリマーマトリッ
クスとしては特に制限はなく、ポリカーボネート、ポリ
メチルメタクリレート等のアクリル樹脂、エポキシ樹
脂、アモルファスポリオレフィン、ポリエステル、塩化
ビニル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート等を用いる
ことができる。
【００４９】ポリマーマトリックス中に含まれる一般式
（１）の化合物は、１〜９０質量％の割合で含まれるこ
とが必要であり、５〜８０質量％の割合で含まれること
が好ましい。また、ブロックの形状は縦、横、高さがそ
れぞれ独立に１〜１００ｍｍの立方体または直方体であ
ることが好ましい。
（１）の化合物は、１〜９０質量％の割合で含まれるこ
とが必要であり、５〜８０質量％の割合で含まれること
が好ましい。また、ブロックの形状は縦、横、高さがそ
れぞれ独立に１〜１００ｍｍの立方体または直方体であ
ることが好ましい。
【００５０】一般式（１）の化合物をポリマーマトリッ
クス中に分散させる方法には特に制限はなく、種々の方
法を用いることができる。例えば、ポリマー化合物を溶
解し、これに一般式（１）の化合物を添加し、均一に混
合した後、放冷するか、ポリマー化合物と一般式（１）
の化合物を適当な溶媒に溶解させて、加熱しながら溶媒
を蒸発させる方法、もしくは一般式（１）の化合物を相
当するモノマーに溶解させて重合反応によりポリマー化
させる方法等が挙げられる。
クス中に分散させる方法には特に制限はなく、種々の方
法を用いることができる。例えば、ポリマー化合物を溶
解し、これに一般式（１）の化合物を添加し、均一に混
合した後、放冷するか、ポリマー化合物と一般式（１）
の化合物を適当な溶媒に溶解させて、加熱しながら溶媒
を蒸発させる方法、もしくは一般式（１）の化合物を相
当するモノマーに溶解させて重合反応によりポリマー化
させる方法等が挙げられる。
【００５１】次に、本発明の情報記録方法について説明
する。記録光源としては、一般式（１）の化合物が有す
る線形吸収帯より長波長で、かつ、線形吸収の存在しな
い波長のレーザー光を用いる。具体的には、中心波長１
０００ｎｍ付近に発振波長を有する固体レーザー、７８
０ｎｍ付近の発振波長を有する半導体レーザーや固体レ
ーザー、６２０〜６８０ｎｍの範囲の発振波長を有する
半導体レーザーや固体レーザーなどを用いることができ
る。本発明の光情報記録媒体を、例えば定線速度または
定角速度にて回転させながら、基板側から半導体レーザ
ーなどの記録用のレーザーを照射する。この光の照射に
より、記録層に情報が記録されるが、前述のように２光
子吸収の起こる確率は照射する光強度の２乗に比例する
ため、２光子吸収を誘起するレーザー光のスポットサイ
ズより小さいピットが形成される。
する。記録光源としては、一般式（１）の化合物が有す
る線形吸収帯より長波長で、かつ、線形吸収の存在しな
い波長のレーザー光を用いる。具体的には、中心波長１
０００ｎｍ付近に発振波長を有する固体レーザー、７８
０ｎｍ付近の発振波長を有する半導体レーザーや固体レ
ーザー、６２０〜６８０ｎｍの範囲の発振波長を有する
半導体レーザーや固体レーザーなどを用いることができ
る。本発明の光情報記録媒体を、例えば定線速度または
定角速度にて回転させながら、基板側から半導体レーザ
ーなどの記録用のレーザーを照射する。この光の照射に
より、記録層に情報が記録されるが、前述のように２光
子吸収の起こる確率は照射する光強度の２乗に比例する
ため、２光子吸収を誘起するレーザー光のスポットサイ
ズより小さいピットが形成される。
【００５２】
【実施例】以下に、本発明を具体的例に基づいてさらに
詳しく説明するが、本発明の範囲はそれらに限定される
ものではない。 〔実施例１〕 情報記録媒体の作成 化合物（１）１ｇを１，２−ジクロロエタン100mlに溶
解し、記録層形成用塗布液を得た。この塗布液をガラス
基板にスピンコートにより塗布し、記録層を形成した情
報記録媒体を作成した。
詳しく説明するが、本発明の範囲はそれらに限定される
ものではない。 〔実施例１〕 情報記録媒体の作成 化合物（１）１ｇを１，２−ジクロロエタン100mlに溶
解し、記録層形成用塗布液を得た。この塗布液をガラス
基板にスピンコートにより塗布し、記録層を形成した情
報記録媒体を作成した。
【００５３】〔実施例２〕 情報記録媒体の作成
実施例１において、前記化合物（１）の替わりに化合物
（９）を用いた以外は、実施例１と同様にして記録媒体
を作成した。
（９）を用いた以外は、実施例１と同様にして記録媒体
を作成した。
【００５４】〔実施例３〕 情報記録媒体の作成
実施例１において、前記化合物（１）の替わりに化合物
（１６）を用い、１，２−ジクロロエタンの替わりに
２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールを用いる
以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
（１６）を用い、１，２−ジクロロエタンの替わりに
２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールを用いる
以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
【００５５】〔実施例４〕 情報記録媒体の作成
実施例１において、前記化合物（１）の替わりに化合物
（２）を用い、１，２−ジクロロエタンの替わりに２，
２，３，３−テトラフルオロプロパノールを使用する以
外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
（２）を用い、１，２−ジクロロエタンの替わりに２，
２，３，３−テトラフルオロプロパノールを使用する以
外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
【００５６】〔実施例５〕 情報記録媒体の作成
実施例１において、前記化合物（１）の替わりに化合物
（４）を用いる以外は、実施例１と同様にして記録媒体
を作成した。
（４）を用いる以外は、実施例１と同様にして記録媒体
を作成した。
【００５７】〔実施例６〕 情報記録媒体の作成
実施例１において、前記化合物（１）の替わりに化合物
（６）を用い、１，２−ジクロロエタンの替わりに２，
２，３，３−テトラフルオロプロパノールを用いる以外
は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
（６）を用い、１，２−ジクロロエタンの替わりに２，
２，３，３−テトラフルオロプロパノールを用いる以外
は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
【００５８】〔実施例７〕 情報記録媒体の作成
実施例１において、前記化合物（１）の替わりに化合物
（１８）を用い、１，２−ジクロロエタンの替わりに
２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールを用いる
以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
（１８）を用い、１，２−ジクロロエタンの替わりに
２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールを用いる
以外は、実施例１と同様にして記録媒体を作成した。
【００５９】［情報記録媒体の評価１］1.06μmでの記
録 実施例１、２、３において作成した情報記録媒体に、尖
頭パワー500kW、パルス幅8ns、繰り返し周波数20Hzの1.
06μmのレーザー光パルスを照射したところ、いずれの
媒体にも0.76μm程度の大きさの良好な記録マークが形
成されたことをAFMにより確認した。
録 実施例１、２、３において作成した情報記録媒体に、尖
頭パワー500kW、パルス幅8ns、繰り返し周波数20Hzの1.
06μmのレーザー光パルスを照射したところ、いずれの
媒体にも0.76μm程度の大きさの良好な記録マークが形
成されたことをAFMにより確認した。
【００６０】［情報記録媒体の評価２］780nmでの記録
実施例４、５、６および７において作成した情報記録媒
体に、尖頭パワー5kW、パルス幅100fs、繰り返し周波数
50MHzの790nmのレーザー光パルスを照射したところ、い
ずれの媒体においても680nm程度の大きさの良好な記録
マークが形成されたことをAFMにより確認した。
体に、尖頭パワー5kW、パルス幅100fs、繰り返し周波数
50MHzの790nmのレーザー光パルスを照射したところ、い
ずれの媒体においても680nm程度の大きさの良好な記録
マークが形成されたことをAFMにより確認した。
【００６１】
【発明の効果】前記一般式（１）で表される化合物を用
いる光情報記録媒体によって高密度情報記録媒体を得る
ことができる。
いる光情報記録媒体によって高密度情報記録媒体を得る
ことができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H123 AE07 BB00 BB02 BB21 BB23
CA00 CA22 EA08
5D029 JB02 JB28 JC01
5D090 CC01 CC14 DD01 FF11 FF50
KK06
Claims (2)
- 【請求項１】 レーザー光により情報の記録が可能であ
る光情報記録媒体であって、該媒体中に下記一般式
（１）で表される化合物を含むことを特徴とする光情報
記録媒体。 一般式（１） Ｘ2−(−ＣＲ4＝ＣＲ3−)m−Ｃ(＝Ｏ)−(−ＣＲ1＝ＣＲ
2−)n−Ｘ1 （式中Ｘ1およびＸ2は置換もしくは無置換のアリール
基、または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表し、同
一でもそれぞれ異なってもよく、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3および
Ｒ4はそれぞれ独立に、水素原子、または置換基を表
し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4のうちのいくつかが互いに
結合して環を形成してもよく、ｎおよびｍが２以上の場
合、複数個のＲ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は同一でもそれぞ
れ異なってもよく、ｎおよびｍはそれぞれ独立に１〜４
の整数を表す。） - 【請求項２】 請求項１に記載の光情報記録媒体に、一
般式（１）の化合物が有する線形吸収帯より長波長で、
かつ、線形吸収の存在しない波長のレーザー光を照射し
て誘起された２光子以上の多光子吸収を利用することを
特徴とする情報の記録方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001268990A JP4154137B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 光情報記録媒体および情報の記録方法 |
| US10/233,424 US8119041B2 (en) | 2001-09-05 | 2002-09-04 | Non-resonant two-photon absorption induction method and process for emitting light thereby |
| US11/062,948 US20050156147A1 (en) | 2001-09-05 | 2005-02-23 | Two-photon polymerizable composition and process for polymerization thereof |
| US11/062,936 US20050231776A1 (en) | 2001-09-05 | 2005-02-23 | Non-resonant two-photon absorption induction method and process for emitting light thereby, optical data recording medium and process for recording data thereon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001268990A JP4154137B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 光情報記録媒体および情報の記録方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003075961A true JP2003075961A (ja) | 2003-03-12 |
| JP4154137B2 JP4154137B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=19094893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001268990A Expired - Fee Related JP4154137B2 (ja) | 2001-09-05 | 2001-09-05 | 光情報記録媒体および情報の記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4154137B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005037658A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | ２光子吸収発泡材料、３次元的屈折率変調材料及び３次元光記録媒体 |
| JP2005085350A (ja) * | 2003-09-08 | 2005-03-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光情報記録方法および光情報記録媒体 |
| JP2005100599A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | フォトンモード記録方法および３次元光記録方法 |
| JP2008273974A (ja) * | 2008-05-16 | 2008-11-13 | Hayashibara Biochem Lab Inc | シクロペンタノン化合物の製造方法 |
-
2001
- 2001-09-05 JP JP2001268990A patent/JP4154137B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005037658A (ja) * | 2003-07-14 | 2005-02-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | ２光子吸収発泡材料、３次元的屈折率変調材料及び３次元光記録媒体 |
| JP2005100599A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-04-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | フォトンモード記録方法および３次元光記録方法 |
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| JP4154137B2 (ja) | 2008-09-24 |
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