JP2003059699A - イオン加速装置 - Google Patents

イオン加速装置

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JP2003059699A JP2001241023A JP2001241023A JP2003059699A JP 2003059699 A JP2003059699 A JP 2003059699A JP 2001241023 A JP2001241023 A JP 2001241023A JP 2001241023 A JP2001241023 A JP 2001241023A JP 2003059699 A JP2003059699 A JP 2003059699A
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昌宏 岡村
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 大幅に単純化し、発生した加速可能なプラズ
マに含まれるイオンの総てを効率良く引き出し、なおか
つ、長いパルス幅のイオンビームも加速が可能となるイ
オン加速装置を提供する。 【解決手段】 プラズマ発生用レーザーLを照射してプ
ラズマを発生させるプラズマ発生ターゲット12と、プ
ラズマ発生ターゲット12から発生したプラズマよりイ
オンを引き出すとともに、イオン線形加速器30のイオ
ン入射口38に、直接、取り付けられる真空容器16
と、イオン線形加速器30とが直列に接続され、プラズ
マの拡散速度を利用して、イオン線形加速器30に、直
接、イオンを入射するように構成した。この場合、イオ
ン線形加速器30の加速電極にイオンのパルス幅を広げ
る無変調区間を形成すると、数十μ秒のパルス幅のイオ
ンビームを発生することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ発生用レ
ーザーを照射して、プラズマを発生させるプラズマ発生
ターゲットで発生したイオンを、このプラズマの拡散速
度を利用して、イオン線形加速器に効率良く入射するイ
オン加速装置に関する。
【従来の技術】
【0002】プラズマ中で発生したイオンを、RFQ線
形加速器、又は、ドリフトチューブ線形加速器等のイオ
ン線形加速器に、直接、入射して加速するイオン加速装
置が、本願発明者らによって開発されている(特願20
01−135357号、本願出願時未公開)。
【0003】この従来のイオン加速装置について、図4
及び図5を用いて説明する。図4は、従来のイオン加速
装置100の全体を示す平面図である。図5は、従来の
イオン加速装置100に用いるイオン直接入射装置11
0のプラズマ発生部分とイオン加速装置100のイオン
入射口近辺の一部拡大断面図である。
【0004】先ず、従来のイオン加速装置100の基本
構成について説明する。従来のイオン加速装置100の
主要構成は、図4に示すように、イオン線形加速器13
0と、このイオン線形加速器130のイオン入射口13
8近傍(図5参照)に取付けられるイオン直接入射装置
110である。
【0005】イオン線形加速器130には、RFQ線形
加速器、又は、ドリフトチューブ線形加速器等の周知の
イオン線形加速器が用いられる。なお、RFQ線形加速
器については、後に、補足説明を行う。
【0006】一方、イオン直接入射装置110は、図5
に示すように、プラズマ発生用レーザーLを照射してプ
ラズマを発生するプラズマ発生ターゲット112、プラ
ズマ発生用レーザーLをプラズマ発生ターゲット112
に集光する集光レンズ114、発生したプラズマを収容
する真空容器116、入射用スリット118と、真空容
器116を昇圧し、プラズマよりイオンを引き出す高圧
電源(図示せず)を備えた構成である。
【0007】真空容器116は、イオン線形加速器13
0のイオン入射口138近傍であって、イオン線形加速
器130の共振器134に絶縁フランジ132を介して
取り付けられる。また、イオン線形加速器130のイオ
ン入射口138に、入射用スリット118が取り付けら
れている。
【0008】なお、図4において、60は、プラズマ発
生用レーザーLを生成するレーザー発生装置、62A、
62Bは、プラズマ発生用レーザーLをイオン直接入射
装置110に誘導するミラーである。
【0009】以上の構成で、従来のイオン加速装置10
0の基本動作、イオン直接入射方法について、図4及び
図5を用いて説明する。
【0010】レーザー発生装置60により発生したパル
ス状のプラズマ発生用レーザーLは、ミラー62A、6
2Bにより真空容器116に導かれ、集光レンズ114
で反射されて、プラズマ発生ターゲット112に集光さ
れ、この結果、加熱されたプラズマ発生ターゲット11
2表面からプラズマが発生する。
【0011】発生したプラズマは、入射用スリット11
8とプラズマ発生ターゲット112の間を満たし、入射
用スリット118を通過したイオンと電子は、イオン型
線形加速器130の共振器134に、イオン入射口13
8を経て進入する。
【0012】ここで、質量の違いからイオン線形加速器
130の設計入射電位をもったイオンは加速チャンネル
(加速電極136の間隙)に入射し、一方、電子は発散
力を受け最終的に共振器134の内壁に吸収される。
【0013】加速チャンネルに入射されたイオンビーム
は、クーロン反発力の影響で発散する前に、イオン線形
加速器130の収束力によって捕獲され、設計されたビ
ームエネルギーまで加速される。
【0014】このようにすると、プラズマの発生する真
空容器116は、イオン線形加速器130の設計条件を
満たすイオンビームエネルギーに相当する電圧を印加さ
れているため、入射用スリット118を通過したイオン
のみがイオン線形加速器130に入射され、加速され
る。
【0015】このイオン加速装置100は、初段加速器
として、癌治療用加速器や、半導体製造イオン注入加速
器や、物理実験用大型複合加速器装置に利用することが
できる。
【0016】次に、イオン線形加速器130の一例とし
て、特開平7−111198号公報に開示されている通
り、周知のRFQ線形加速器130について、図6及び
図7を用いて補足説明する。
【0017】図6は、RFQ線形加速器130の構成を
示す縦断正面図である。図7は、RFQ線形加速器13
0の構成を示す縦断側面図である。
【0018】RFQ(Radio Frequency
Quadrupole)線形加速器130は、主とし
て、内部が真空とされる導電性の円筒容器132内に、
それぞれ直交させた4枚のヴェイン電極134を取り付
けることにより構成される。なお、後述するように、R
FQ線形加速器には4ロッド型のものも開発されてい
る。
【0019】円筒容器132とヴェイン電極134とで
共振器を構成し、図7に示すように、高周波導波管13
8を介して高周波電力を供給し、先端部134aが波状
に形成されているヴェイン電極134で、イオンを集束
するとともに、所望のエネルギーに中心軸方向に加速す
る。
【0020】先端部134aが波状に形成されているヴ
ェイン電極134のイオンを加速、集束する区間は、変
調区間と呼ばれ、イオンを集束し加速するだけではな
く、バンチに対する電場も発生する。
【0021】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来のイオン加速装置では、高圧電源で真空容器を高電位
に保ち、プラズマよりイオンを引き出すようにしてい
た。
【0022】しかし、このように、プラズマを高電位に
保つ方法では、絶縁のためプラズマ発生ターゲットとイ
オン線形加速器間に十数cm以上の距離を保つ必要があ
り、このため、発生したプラズマは発散角が大きいた
め、総てのプラズマを捕獲することはできなかった。
【0023】また、高強度パルスレーザーを利用した場
合は、得られるイオンビームパルスが1μ秒程度しかな
く、従来のイオン線形加速器を用いたイオン加速装置で
は、パルス幅を長くすることは非常に困難であった。
【0024】更に、従来のイオン加速装置では、プラズ
マ発生ターゲットを含む真空容器の絶縁の必要があり高
圧発生のための装置を含んだ複雑な構成のものが必要で
あった。
【0025】一方、従来のイオン加速装置に用いるイオ
ン源を、レーザーをターゲットに照射することによりプ
ラズマを発生する、プラズマ発生ターゲットに限定すれ
ば、その拡散速度を利用して、プラズマをイオン線形加
速器の収束・加速チャンネル内に入射させることができ
るので、必ずしも、上記高圧電源が必要であるとは限ら
ないことが判明した。
【0026】本発明は、上記従来の課題を解決し、従来
のイオン加速装置のターゲット用真空容器とイオン線形
加速器からなる組み合わせを、更に、大幅に単純化し、
発生した加速可能なプラズマに含まれるイオンの総てを
効率良く引き出し、なおかつ、長いパルス幅のイオンビ
ームも加速が可能となるイオン加速装置を提供すること
を目的とする。
【0027】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のイオン加速装置は、請求項1に記載のもの
は、プラズマ発生用レーザーを照射してプラズマを発生
させるプラズマ発生ターゲットと、前記プラズマ発生タ
ーゲットから発生したプラズマよりイオンを引き出すと
ともに、イオン線形加速器のイオン入射口に、直接、取
り付けられる真空容器と、イオン線形加速器とが直列に
接続され、プラズマの拡散速度を利用して、前記イオン
線形加速器に、直接、イオンを入射するように構成し
た。
【0028】このように構成すると、従来のものとは異
なり、高電圧を印加したプラズマの生成する真空容器を
絶縁部分を介して取り付けることを廃し、プラズマ発生
用ターゲットをイオン線形加速器の加速電極に極限まで
近づけることができ、発生したイオンの殆ど総てを、高
電圧を印加することなく、プラズマ自身の拡散速度でイ
オン線形加速器内に入射させることが可能となる。
【0029】従って、本発明によれば大電流のレーザー
励起によるパルスイオンビームでも、単純化された装置
により、効率良く加速することが可能となる。
【0030】この結果、プラズマ中では、負の電荷を持
った電子と正の電荷を持ったイオンが混在するため、ク
ーロン反発力は発生しないので、イオン線形加速器の直
前までその影響を回避することができる。
【0031】その際、イオンビームはプラズマから放出
された直後であるため、クーロン反発力の影響は非常に
小さく、パルス内で変化するイオン電荷数と電流量の急
激な変化の影響も回避できる。
【0032】また、イオン線形加速器の内部では、通
常、強力な高周波電界が発生しており、入射された殆ど
の電子は線形加速器の加速チャンネルにとどまることが
できないため、イオンと電子は効率良く分離される。
【0033】請求項2に記載のイオン加速装置は、上記
イオン加速装置に用いるイオン線形加速器の加速電極に
イオンのパルス幅を広げる無変調区間を形成するように
構成した。
【0034】このように構成すると、イオン線形加速器
によって分離捕獲されたイオンビームは、比較的低速で
あり、なおかつ、イオンビームの速度と同程度の各イオ
ン粒子の速度分布をもつため、イオン線形加速器の加速
電界が発生しない領域を長く設計することによって、イ
オンはイオン加速器の軸方向に広がり数mのイオン加速
器で数十μ秒のパルス幅を発生することができる。
【0035】請求項3に記載のイオン加速装置は、上記
イオン加速装置において、上記イオン線形加速器のイオ
ン入射口に入射用スリットを取り付けるように構成し
た。
【0036】このように構成すると、発生したプラズマ
の発散角度が大きい場合、余分なプラズマが線形加速器
の加速電極をたたき、放電を起こすのを防止することが
できる。また、イオン線形加速器の入り口付近では、通
常、強力な高周波電界が発生しており、この領域でスリ
ットを通過した殆どの電子は、イオン線形加速器の加速
チャンネルに入射することができないため、イオンと電
子は効率良く分離される。
【0037】請求項4に記載のイオン加速装置は、上記
入射用スリットを、上記イオン線形加速器のイオン入射
口の径方向に調整自在に取り付けるように構成した。
【0038】このように構成すると、イオン線形加速器
に対して正確な入射用スリットの軸出しに対する位置調
整が可能になる。
【0039】請求項5に記載のイオン加速装置は、上記
イオン加速装置において、上記イオン線形加速器内部に
設置され、プラズマ発生用レーザーを集光する分割型集
光レンズを備えた構成とした。
【0040】このように構成すると、プラズマ発生ター
ゲットとイオン線形加速器との距離が小さくなり、加速
できるイオンの量を増大することができる。
【0041】請求項6に記載のイオン加速装置は、上記
集光装置を3軸移動可能となるように取り付けるように
構成した。
【0042】このように構成すると、プラズマ発生ター
ゲット上でのプラズマ発生用レーザーの焦点位置を調整
できる。
【0043】請求項7に記載のイオン加速装置は、上記
イオン加速装置において、1又は2以上のミラーと、1
又は2以上の軸出し用レーザーを具備し、プラズマ発生
ターゲットとプラズマ発生用レーザーの焦点との位置合
わせを行うターゲット位置決め装置を備えた構成とし
た。
【0044】このように構成すると、プラズマ発生ター
ゲットとプラズマ発生用レーザーの焦点との位置合わせ
が正確に行えるようになる。
【0045】請求項8に記載のイオン加速装置は、上記
プラズマ発生ターゲットを回転可能な円筒形とした構成
とした。
【0046】このように構成すると、プラズマ発生ター
ゲットは、プラズマ発生用レーザーを照射すると損傷を
受けるが、プラズマ発生ターゲットを所定角度回転し、
照射位置を変えることができるため、プラズマ発生ター
ゲットを交換することなく、常時良好なターゲット表面
が得られる。
【0047】請求項9に記載のイオン加速装置は、上記
イオン線形加速器として、RFQ線形加速器、又は、ド
リフトチューブ線形加速器を用いるように構成した。
【0048】このように構成すると、イオン加速に好適
なイオン線形加速器を備えたイオン加速装置とすること
ができる。
【0049】
【発明の実施の形態】本発明のイオン加速装置につい
て、図1乃至図3を用い、図5を参照して説明する。先
ず、本発明のイオン加速装置20の基本構成について、
図1及び図2を用いて説明する。
【0050】図1は、本実施の形態のイオン加速装置2
0の全体を示す平面図である。図2は、本発明のイオン
加速装置20に用いるイオン線形加速器として、4ロッ
ド型RFQ線形加速器を用いた場合における、プラズマ
発生ターゲットと集光レンズを配置した概略構成斜視図
である。
【0051】本実施の形態のイオン加速装置20の主要
構成は、図1に示すように、イオン線形加速器30と、
このイオン線形加速器30のイオン入射口に、直接、取
付けられるイオン直接入射装置10である。
【0052】イオン線形加速器30には、従来のイオン
加速装置100(図4参照)と同様に、RFQ線形加速
器、又は、ドリフトチューブ線形加速器等の周知のイオ
ン線形加速器が用いられる。従って、以下において、イ
オン線形加速器を適宜、RFQ線形加速器と記載する場
合がある。
【0053】イオン直接入射装置10は、プラズマ発生
用レーザーLを照射してプラズマを発生するプラズマ発
生ターゲット12、プラズマ発生用レーザーLをプラズ
マ発生ターゲット12に集光する集光レンズ14(図2
参照)、発生したプラズマを真空内で収容する真空容器
16を備えている。
【0054】集光レンズ14は、イオン線形加速器30
内部にプラズマ発生用レーザーを集光する分割型集光レ
ンズ14としている。なお、図2には、本発明のイオン
加速装置20に用いるイオン線形加速器30として、4
ロッド型RFQ線形加速器を用いた例を図示している
が、これを4ヴェイン型RFQ線形加速器に適用できる
のは勿論のことである。
【0055】一方、従来のイオン加速装置100とは異
なり、イオン直接入射装置10は、真空容器16を昇圧
し、プラズマよりイオンを引き出す高圧電源を用いず、
真空容器16をイオン線形加速器30のイオン入射口3
8に、直接、取り付ける構造となっている。
【0056】なお、図1において、60は、プラズマ発
生用レーザーLを生成するレーザー発生装置、62A、
62Bは、プラズマ発生用レーザーLをイオン直接入射
装置10に誘導するミラーである。
【0057】以上の構成で、本実施の形態のイオン加速
装置20の基本動作、本発明のイオン直接入射方法につ
いて、図1及び図2を用い、図5を参照して説明する。
【0058】レーザー発生装置60により発生したパル
ス状のプラズマ発生用レーザーLは、ミラー62A、6
2Bにより真空容器16に導かれ、集光レンズ14で反
射され、プラズマ発生ターゲット12に集光され、加熱
されたプラズマ発生ターゲット12表面からプラズマが
発生、拡散する。
【0059】この発生、拡散したプラズマは、拡散速度
を有しており、イオン型線形加速器30の共振器(図5
の134を参照)に、イオン入射口38を経て進入し、
質量の違いからイオン線形加速器30の設計入射電位を
もったイオンは加速チャンネル(加速電極の間隙)に入
射する。一方、電子は発散力を受け最終的に共振器の内
壁に吸収される。
【0060】本実施の形態のイオン加速装置20では、
従来のイオン加速装置100とは異なり、高電圧を印加
したプラズマの生成する真空容器16を絶縁部分を介し
て取り付けることを廃している(図5の132を参
照)。
【0061】この結果、プラズマ発生ターゲット12
を、イオン線形加速器30の加速電極(図5の136を
参照)に極限まで近づけることができ、発生したイオン
の殆ど総てを、高電圧を印加することなくプラズマ自身
の拡散速度でイオン線形加速器30内に入射させること
が可能となる。
【0062】従って、本実施の形態のイオン加速装置2
0によれば大電流のレーザー励起によるパルスイオンビ
ームでも、従来のイオン加速装置100よりも単純化さ
れた構成となり、より効率良く加速することが可能とな
る。
【0063】また、イオン線形加速器30の内部では、
通常、強力な高周波電界が発生しており、入射された殆
どの電子はイオン線形加速器30の加速チャンネルにと
どまることができないため、イオンと電子は効率良く分
離される。
【0064】また、本実施の形態のイオン加速装置20
では、イオン線形加速器30内部にプラズマ発生用レー
ザーを集光する分割型集光レンズ14を取り付けた構成
としたためにプラズマ発生ターゲット12とイオン線形
加速器30との距離が、一層小さくなり、加速できるイ
オンの量を更に増大することができる。
【0065】ここで、図2に示すように、イオン線形加
速器30として、4ロッド型のRFQ線形加速器30を
用いることにより、高周波共振器に対するターゲットの
影響を最小限に押さえつつ、その距離を極限まで近づけ
ることができる。
【0066】例えば、本実施の形態では、プラズマの発
散角は最大、20度程度であるので、平均ボア半径が5
mm程度のRFQ線形加速器の場合で、15mm程度の
距離にプラズマ発生用ターゲットを配置すれば殆ど全て
のイオンを捕獲できることになる。
【0067】次に、上記実施の形態とは異なる、本発明
のイオン加速装置20の実施の形態を、図3を用いて説
明する。図3は、本発明のイオン加速装置20に用いる
イオン線形加速器30として、4ヴェイン型RFQ加速
器を用い、このヴェイン電極に無変調区間を形成した場
合のRFQ電極の水平又は垂直方向の断面図である。
【0068】ところで、加速チャンネルに入射されたイ
オンビームは進行方向と垂直な方向には、RFQ線形加
速器30の収束力によって捕獲され、進行方向には、ク
ーロン反発力と速度分布の影響で急激に広がる。
【0069】従って、図3に示すように、加速電極の先
端形状が直線的で、加速電極の変調がない、すなわち、
進行方向にビームのバンチ構造を発生したり、加速しな
い電極の形状の区間を設けることによって、バンチの長
さを数メートルの区間で数10倍以上に簡単に増大する
ことができる。
【0070】特に、本願発明のイオン加速装置20のよ
うに、プラズマ発生ターゲット12表面からプラズマが
発生、拡散したプラズマの入射速度が極めて遅いためこ
の方法は有効である。
【0071】このようにイオン線形加速器30の加速電
極にイオンのパルス幅を広げる無変調区間を形成するよ
うにすると、イオン線形加速器30によって分離捕獲さ
れたイオンビームは、比較的低速であり、なおかつ、イ
オンビームの速度と同程度の各イオン粒子の速度分布を
もつため、イオン線形加速器30の加速電界が発生しな
い領域を長く設計することによってイオン粒子はイオン
線形加速器30の軸方向に広がり数mのイオン線形加速
器30で数十μ秒のパルス幅を発生することができる。
【0072】例えば、核子当たり100eVのプラズマ
が、±50eVのエネルギーの広がりを持って4ヴェイ
ン型のRFQ線形加速器30に入射したとすると、3m
の無変調区間を設けることによって、ビームパルス幅を
14μ秒まで広げることができる。更に、ビーム軸方向
には、クーロン反発力が強く働くため、より長いパルス
幅が期待できる。
【0073】本発明のイオン加速装置は、上記実施の形
態には限定されず種々の変更が可能である。例えば、イ
オン線形加速器のイオン入射口に入射用スリットをイオ
ン入射口の径方向に調整自在に取り付けるようにしても
よい。このようにすると、発生したプラズマの発散角度
が大きい場合、余分なプラズマが線形加速器の加速電極
をたたき、放電を起こすのを防止することができ、イオ
ンと電子は効率良く分離される。また、線形加速器に対
して正確な入射用スリットの軸出に対する位置調整が可
能になる。
【0074】他の実施の形態の変更例として、プラズマ
発生ターゲットを回転可能な円筒形としてもよい。この
ようにすると、プラズマ発生ターゲットは、プラズマ発
生用レーザーを照射すると損傷を受けるが、プラズマ発
生ターゲットを所定角度回転し照射位置を変えることに
より、プラズマ発生ターゲットを交換することなく、常
時、良好なターゲット表面が得られる。
【0075】更に、上記実施の形態で説明した集光装置
を、ベローズ等で取り付けることにより、3軸移動可能
となるようにしてもよい。このようにすると、プラズマ
発生ターゲット上でのプラズマ発生用レーザーの焦点位
置を調整できるようになり、プラズマの生成効率を向上
させることができる。
【0076】また、上記実施の形態において、2枚のミ
ラーと、2つの軸出し用レーザー発生装置を具備し、プ
ラズマ発生ターゲットとプラズマ発生用レーザーの焦点
との位置合わせを行うターゲット位置決め装置を、真空
容器内に取り付けると、2つの軸出し用レーザー発生装
置からの測量用レーザーを、真空容器後方から照射し、
この2つの測量用レーザーが交差する点を、本来の位置
に合わせておくことによって簡単に、プラズマ発生ター
ゲットとプラズマ発生用レーザーの焦点との位置合わせ
が正確に行えるようになる。
【0077】
【発明の効果】本発明のイオン加速装置は、上述のよう
に構成されているので、以下に記載される優れた効果を
有する。 (1)本発明のイオン加速装置は、請求項1に記載に記
載したように、構成すると、従来のものとは異なり、高
電圧を印加したプラズマの生成する真空容器を絶縁部分
を介して取り付けることを廃し、プラズマ発生用ターゲ
ットをイオン線形加速器の加速電極に極限まで近づける
ことができ、発生したイオンの殆ど総てを、高電圧を印
加することなく、プラズマ自身の拡散速度でイオン線形
加速器内に入射させることが可能となる。 (2)従って、本発明によれば大電流のレーザー励起に
よるパルスイオンビームでも、単純化された装置によ
り、効率良く加速することが可能となる。 (3)この結果、プラズマ中では、負の電荷を持った電
子と正の電荷を持ったイオンが混在するため、クーロン
反発力は発生しないので、イオン線形加速器の直前まで
その影響を回避することができる。 (4)その際、イオンビームはプラズマから放出された
直後であるため、クーロン反発力の影響は非常に小さ
く、パルス内で変化するイオン電荷数と電流量の急激な
変化の影響も回避できる。 (5)また、イオン線形加速器の内部では、通常、強力
な高周波電界が発生しており、入射された殆どの電子は
線形加速器の加速チャンネルにとどまることができない
ため、イオンと電子は効率良く分離される。
【0078】(6)請求項2に記載したように、イオン
加速装置に用いるイオン線形加速器の加速電極にイオン
のパルス幅を広げる無変調区間を形成するように構成す
ると、イオン線形加速器によって分離捕獲されたイオン
ビームは、比較的低速であり、なおかつ、イオンビーム
の速度と同程度の各イオン粒子の速度分布をもつため、
イオン線形加速器の加速電界が発生しない領域を長く設
計することによって、イオンはイオン加速器の軸方向に
広がり数mのイオン加速器で数十μ秒のパルス幅を発生
することができる。
【0079】(7)請求項3に記載したように、イオン
加速装置において、イオン線形加速器のイオン入射口に
入射用スリットを取り付けるように構成すると、発生し
たプラズマの発散角度が大きい場合、余分なプラズマが
線形加速器の加速電極をたたき、放電を起こすのを防止
することができる。(8)また、イオン線形加速器の入
り口付近では、通常、強力な高周波電界が発生してお
り、この領域でスリットを通過した殆どの電子は、イオ
ン線形加速器の加速チャンネルに入射することができな
いため、イオンと電子は効率良く分離される。
【0080】(9)請求項4に記載したように、入射用
スリットを、イオン線形加速器のイオン入射口の径方向
に調整自在に取り付けるように構成すると、イオン線形
加速器に対して正確な入射用スリットの軸出しに対する
位置調整が可能になる。
【0081】(10)請求項5に記載したように、イオ
ン加速装置において、イオン線形加速器内部に設置さ
れ、プラズマ発生用レーザーを集光する分割型集光レン
ズを備えた構成とすると、プラズマ発生ターゲットとイ
オン線形加速器との距離が小さくなり、加速できるイオ
ンの量を増大することができる。
【0082】(11)請求項6に記載したように、集光
装置を3軸移動可能となるように取り付けるように構成
すると、プラズマ発生ターゲット上でのプラズマ発生用
レーザーの焦点位置を調整できる。
【0083】(12)請求項7に記載したように、イオ
ン加速装置において、1又は2以上のミラーと、1又は
2以上の軸出し用レーザーを具備し、プラズマ発生ター
ゲットとプラズマ発生用レーザーの焦点との位置合わせ
を行うターゲット位置決め装置を備えた構成とすると、
プラズマ発生ターゲットとプラズマ発生用レーザーの焦
点との位置合わせが正確に行えるようになる。
【0084】(13)請求項8に記載したように、プラ
ズマ発生ターゲットを回転可能な円筒形とした構成とす
ると、プラズマ発生ターゲットは、プラズマ発生用レー
ザーを照射すると損傷を受けるが、プラズマ発生ターゲ
ットを所定角度回転し、照射位置を変えることができる
ため、プラズマ発生ターゲットを交換することなく、常
時良好なターゲット表面が得られる。
【0085】(14)請求項9に記載したように、イオ
ン線形加速器として、RFQ線形加速器、又は、ドリフ
トチューブ線形加速器を用いるように構成すると、イオ
ン加速に好適なイオン線形加速器を備えたイオン加速装
置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のイオン加速装置の全体を示す平面図で
ある。
【図2】本発明のイオン加速装置に用いるイオン線形加
速器として、4ロッド型RFQ線形加速器を用いた場合
における、プラズマ発生ターゲットと集光レンズを配置
した概略構成斜視図である。
【図3】本発明のイオン加速装置に用いるイオン線形加
速器として、4ヴェイン型RFQ線形加速器を用い、こ
のヴェイン電極に無変調区間を形成した場合のRFQ電
極の水平又は垂直方向の断面図である。
【図4】従来のイオン加速装置の全体を示す平面図であ
る。
【図5】従来のイオン加速装置に用いるイオン直接入射
装置のプラズマ発生部分とイオン加速装置のイオン入射
口近辺の一部拡大断面図である。
【図6】RFQ線形加速器の構成を示す縦断正面図であ
る。
【図7】RFQ線形加速器の構成を示す縦断側面図であ
る。
【符号の説明】
10:イオン直接入射装置 12:プラズマ発生ターゲット 14:集光レンズ 16:真空容器 20:イオン加速装置 30:イオン線形加速器 38:イオン入射口 60:レーザー発生装置 62A、62B:ミラー L:プラズマ発生用レーザー
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05H 9/00 H05H 9/00 F (72)発明者 服部 俊幸 埼玉県和光市広沢2番1号 理化学研究所 内 Fターム(参考) 2G085 AA03 AA06 BA02 BA05 BA06 BA13 BA16 BE03 BE05 BE06 DA04 EA07 EA08 5C030 DD08 DE10 DG09

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 プラズマ発生用レーザーを照射してプラ
    ズマを発生させるプラズマ発生ターゲットと、 前記プラズマ発生ターゲットから発生したプラズマより
    イオンを引き出すとともに、イオン線形加速器のイオン
    入射口に、直接、取り付けられる真空容器と、イオン線
    形加速器とが直列に接続され、 プラズマの拡散速度を利用して、前記イオン線形加速器
    に、直接、イオンを入射するようにしたことを特徴とす
    るイオン加速装置。
  2. 【請求項2】 上記イオン加速装置に用いるイオン線形
    加速器の加速電極にイオンのパルス幅を広げる無変調区
    間を形成するようにしたことを特徴とする請求項1に記
    載のイオン加速装置。
  3. 【請求項3】 上記イオン加速装置において、 上記イオン線形加速器のイオン入射口に入射用スリット
    を取り付けるようにしたことを特徴とする請求項1又は
    2に記載のイオン加速装置。
  4. 【請求項4】 上記入射用スリットを、上記イオン線形
    加速器のイオン入射口の径方向に調整自在に取り付ける
    ようにしたことを特徴とする請求項3に記載のイオン加
    速装置。
  5. 【請求項5】 上記イオン加速装置において、 上記イオン線形加速器内部に設置され、プラズマ発生用
    レーザーを集光する分割型集光レンズを備えたことを特
    徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のイオン加速
    装置。
  6. 【請求項6】 上記集光装置を3軸移動可能となるよう
    に取り付けるようにしたことを特徴とする請求項5に記
    載のイオン加速装置。
  7. 【請求項7】 上記イオン加速装置において、 1又は2以上のミラーと、1又は2以上の軸出し用レー
    ザーを具備し、プラズマ発生ターゲットとプラズマ発生
    用レーザーの焦点との位置合わせを行うターゲット位置
    決め装置を備えたことを特徴とする請求項1乃至6のい
    ずれかに記載のイオン加速装置。
  8. 【請求項8】 上記プラズマ発生ターゲットを回転可能
    な円筒形としたことを特徴とする請求項1乃至7のいず
    れかに記載のイオン加速装置。
  9. 【請求項9】 上記イオン線形加速器として、RFQ線
    形加速器、又は、ドリフトチューブ線形加速器を用いる
    ようにしたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか
    に記載のイオン加速装置。
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