JP2003021827A - 有機膜の平坦化方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
有機膜の平坦化方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2003021827A JP2003021827A JP2001209410A JP2001209410A JP2003021827A JP 2003021827 A JP2003021827 A JP 2003021827A JP 2001209410 A JP2001209410 A JP 2001209410A JP 2001209410 A JP2001209410 A JP 2001209410A JP 2003021827 A JP2003021827 A JP 2003021827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- organic
- substrate
- organic solvent
- flattening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134363—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/10—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by other chemical means
- B05D3/107—Post-treatment of applied coatings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/48—Flattening arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】レジストを使用して半導体基板表面の平坦化プ
ロセスにおいて、平坦化を目的とするためにはレジスト
自体の流動性を高くする必要があるが、流動性を高くす
ると今度は塗布した時に流れてしまい十分な膜厚の平坦
化膜ができない、という問題がある。一方、平坦性は悪
いが流動性の高いレジストを使用して厚めの膜を塗った
後で、加熱リフローにより平坦化を図ろうとすると、加
熱リフローではリフロー性が不十分であり膜が十分平坦
化されないという問題がある。本願は、レジストを用い
て如何に効果的な平坦化膜を造るかを提供するものであ
る。 【解決手段】塗布膜２１に有機溶剤を浸透させて発生す
る塗布膜２１の溶解リフローを用いれば、加熱処理が低
温で済み、塗布膜２１の上層部のみを横方向へ大きく、
制御性良く変形させることができるので、平坦性の良い
有機絶縁膜１１を形成することができる。
ロセスにおいて、平坦化を目的とするためにはレジスト
自体の流動性を高くする必要があるが、流動性を高くす
ると今度は塗布した時に流れてしまい十分な膜厚の平坦
化膜ができない、という問題がある。一方、平坦性は悪
いが流動性の高いレジストを使用して厚めの膜を塗った
後で、加熱リフローにより平坦化を図ろうとすると、加
熱リフローではリフロー性が不十分であり膜が十分平坦
化されないという問題がある。本願は、レジストを用い
て如何に効果的な平坦化膜を造るかを提供するものであ
る。 【解決手段】塗布膜２１に有機溶剤を浸透させて発生す
る塗布膜２１の溶解リフローを用いれば、加熱処理が低
温で済み、塗布膜２１の上層部のみを横方向へ大きく、
制御性良く変形させることができるので、平坦性の良い
有機絶縁膜１１を形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機膜の平坦化方
法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法に関し、リ
フロー距離が大きくしかも制御性の良い有機膜の平坦化
方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法に関す
る。
法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法に関し、リ
フロー距離が大きくしかも制御性の良い有機膜の平坦化
方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子が形成された基板の表面の凹
凸を埋めて基板表面を平坦化する技術には、凹凸を有す
る下地の基板上に有機膜を塗布し、有機膜に熱を加えて
下地の凹凸を埋めて平坦化させる方法がある。
凸を埋めて基板表面を平坦化する技術には、凹凸を有す
る下地の基板上に有機膜を塗布し、有機膜に熱を加えて
下地の凹凸を埋めて平坦化させる方法がある。
【０００３】この方法を用いた例が、特開平７−１２０
７８４号公報に開示されており、図６の断面図を用いて
説明する。
７８４号公報に開示されており、図６の断面図を用いて
説明する。
【０００４】図６（ａ）に示されるように、ガラス基板
３０１の上に下層配線３０２を形成する。次に、下層配
線３０２が形成されたガラス基板３０１上に、ポリアミ
ド酸を０．１〜１μｍの厚さにスピンコーターで塗布
し、２００〜３００℃の温度で焼成し、イミド化させて
ポリイミドからなる層間絶縁膜３０３を形成する（図６
（ｂ））。続いて、層間絶縁膜３０３上に上層配線３０
４を下層配線３０２と同様の方法により形成する。さら
に、上層配線３０４上に層間絶縁膜３０３の形成と同様
の方法を用いてポリイミド膜を０．１〜１．５μｍの厚
さに形成して絶縁保護膜３１１とする（図６（ｃ））。
３０１の上に下層配線３０２を形成する。次に、下層配
線３０２が形成されたガラス基板３０１上に、ポリアミ
ド酸を０．１〜１μｍの厚さにスピンコーターで塗布
し、２００〜３００℃の温度で焼成し、イミド化させて
ポリイミドからなる層間絶縁膜３０３を形成する（図６
（ｂ））。続いて、層間絶縁膜３０３上に上層配線３０
４を下層配線３０２と同様の方法により形成する。さら
に、上層配線３０４上に層間絶縁膜３０３の形成と同様
の方法を用いてポリイミド膜を０．１〜１．５μｍの厚
さに形成して絶縁保護膜３１１とする（図６（ｃ））。
【０００５】以上のように、層間絶縁膜３０３及び絶縁
保護膜３１１は、共に液状のポリアミド酸をスピンコー
トすることにより形成しているため、下層配線３０２及
び上層配線３０４による凹凸を埋めて層間絶縁膜３０３
及び絶縁保護膜３１１の表面はそれぞれ平坦化される。
保護膜３１１は、共に液状のポリアミド酸をスピンコー
トすることにより形成しているため、下層配線３０２及
び上層配線３０４による凹凸を埋めて層間絶縁膜３０３
及び絶縁保護膜３１１の表面はそれぞれ平坦化される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
有機絶縁膜は、スピンコーターで塗布された後に、いず
れも２００〜３００℃の温度で数十分〜１時間程度の加
熱処理を受けており、下層配線または上層配線がアルミ
ニウムで形成される場合は、加熱処理によるヒロック発
生の問題が生じる可能性を有しており、２００℃を超え
る熱処理を経る有機絶縁膜の平坦化は、下地金属に熱的
ストレスを与える。また、上記の有機絶縁膜の形成方法
には、有機絶縁膜の平坦化の度合いが記載されていな
い。
有機絶縁膜は、スピンコーターで塗布された後に、いず
れも２００〜３００℃の温度で数十分〜１時間程度の加
熱処理を受けており、下層配線または上層配線がアルミ
ニウムで形成される場合は、加熱処理によるヒロック発
生の問題が生じる可能性を有しており、２００℃を超え
る熱処理を経る有機絶縁膜の平坦化は、下地金属に熱的
ストレスを与える。また、上記の有機絶縁膜の形成方法
には、有機絶縁膜の平坦化の度合いが記載されていな
い。
【０００７】本発明の目的は、凹凸を有する下地膜の表
面を平坦化するに当たり、２００℃以下の加熱処理でし
かも表面の平坦化が容易となる有機膜の平坦化方法及び
それを用いた液晶表示装置の製造方法を提供することに
ある。
面を平坦化するに当たり、２００℃以下の加熱処理でし
かも表面の平坦化が容易となる有機膜の平坦化方法及び
それを用いた液晶表示装置の製造方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の有機膜の平坦化
方法は、絶縁基板の表面に有機膜を塗布した後、前記有
機膜に有機溶剤を浸透させて溶解を生じさせることによ
り前記有機膜を平坦化させることを特徴とする。
方法は、絶縁基板の表面に有機膜を塗布した後、前記有
機膜に有機溶剤を浸透させて溶解を生じさせることによ
り前記有機膜を平坦化させることを特徴とする。
【０００９】本発明の有機膜の平坦化方法に用いられる
有機膜は、次のような形態を有している。
有機膜は、次のような形態を有している。
【００１０】まず、前記有機膜が有機溶剤に溶解する有
機材料であり、前記有機溶剤が下記に示す材料のうち少
なくとも一つを含み、前記有機材料がアクリル、ポリイ
ミド、ポリアクリルアミドのいずれかである。 有機溶剤（Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒは
フェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す）： ・アルコール類（Ｒ−ＯＨ） ・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−
Ａｒ） ・エステル類 ・ケトン類 ・グリコール類 ・アルキレングリコール類 ・アルコキシアルコール類 ・グリコールエーテル類 次に、前記有機材料がアクリル、ポリイミド、ポリアク
リルアミドのいずれかである。
機材料であり、前記有機溶剤が下記に示す材料のうち少
なくとも一つを含み、前記有機材料がアクリル、ポリイ
ミド、ポリアクリルアミドのいずれかである。 有機溶剤（Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒは
フェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す）： ・アルコール類（Ｒ−ＯＨ） ・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−
Ａｒ） ・エステル類 ・ケトン類 ・グリコール類 ・アルキレングリコール類 ・アルコキシアルコール類 ・グリコールエーテル類 次に、前記有機材料がアクリル、ポリイミド、ポリアク
リルアミドのいずれかである。
【００１１】また、本発明の有機膜の平坦化方法の一適
用形態として、前記有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解
を生じさせた後、１００〜１８０℃の範囲の温度で熱処
理を行い、前記有機膜中に含まれる有機溶剤を蒸発させ
る。
用形態として、前記有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解
を生じさせた後、１００〜１８０℃の範囲の温度で熱処
理を行い、前記有機膜中に含まれる有機溶剤を蒸発させ
る。
【００１２】次に、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、第１基板上にゲート線及びゲート電極を形成し、続
いて、前記第１基板上に前記ゲート線及び前記ゲート電
極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶
縁膜上に半導体膜を形成し、前記半導体膜をその上に形
成したソース電極及びドレイン電極と接続する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に前記半導体膜、前記ソース電極
及び前記ドレイン電極を覆う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上に平坦化膜を形成する工程とを有する製
造方法によりＴＦＴ基板を形成し、続いて、前記第１基
板の前記平坦化膜側に前記第１基板と対向する第２基板
を配置して対向基板を形成し、さらに、前記ＴＦＴ基板
と前記対向基板との間に液晶組成物を充填する液晶表示
装置の製造方法であって、前記平坦化膜を形成する工程
が、前記保護膜の上に有機膜を塗布した後、前記有機膜
に有機溶剤を浸透させて前記有機膜の溶解を生じさせる
ことにより行われる。
は、第１基板上にゲート線及びゲート電極を形成し、続
いて、前記第１基板上に前記ゲート線及び前記ゲート電
極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶
縁膜上に半導体膜を形成し、前記半導体膜をその上に形
成したソース電極及びドレイン電極と接続する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に前記半導体膜、前記ソース電極
及び前記ドレイン電極を覆う保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上に平坦化膜を形成する工程とを有する製
造方法によりＴＦＴ基板を形成し、続いて、前記第１基
板の前記平坦化膜側に前記第１基板と対向する第２基板
を配置して対向基板を形成し、さらに、前記ＴＦＴ基板
と前記対向基板との間に液晶組成物を充填する液晶表示
装置の製造方法であって、前記平坦化膜を形成する工程
が、前記保護膜の上に有機膜を塗布した後、前記有機膜
に有機溶剤を浸透させて前記有機膜の溶解を生じさせる
ことにより行われる。
【００１３】本発明の液晶表示装置の製造方法の一適用
形態において、前記第１基板上には前記ゲート線と同時
に共通電極が形成され、前記ソース・ドレイン電極の形
成と同時に前記ソース・ドレイン電極の一部を構成する
画素電極が形成され、前記共通電極と前記画素電極は互
いに並行する櫛歯状の電極を有する。
形態において、前記第１基板上には前記ゲート線と同時
に共通電極が形成され、前記ソース・ドレイン電極の形
成と同時に前記ソース・ドレイン電極の一部を構成する
画素電極が形成され、前記共通電極と前記画素電極は互
いに並行する櫛歯状の電極を有する。
【００１４】また、本発明の液晶表示装置の製造方法に
おける平坦化膜は、上記の本発明の有機膜の平坦化方法
における有機膜を用いて形成される。
おける平坦化膜は、上記の本発明の有機膜の平坦化方法
における有機膜を用いて形成される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の第１の実施形態について
図面を参照して説明する。図１は、２層配線の表面に平
坦化膜を形成する方法を示す製造工程断面図である。
図面を参照して説明する。図１は、２層配線の表面に平
坦化膜を形成する方法を示す製造工程断面図である。
【００１６】先ず、絶縁基板１上に下層配線２を形成
後、層間絶縁膜３を成膜しさらにその上に上層配線４を
形成する。続いて、上層配線４の上にアクリル、ポリイ
ミド等の樹脂材料による塗布膜２１を約２μｍ塗布形成
する。このとき、下層配線２、層間絶縁膜３、上層配線
４は、下層配線２、上層配線４による塗布膜２１表面の
凹凸の段差１３が５００ｎｍとなるように形成される。
後、層間絶縁膜３を成膜しさらにその上に上層配線４を
形成する。続いて、上層配線４の上にアクリル、ポリイ
ミド等の樹脂材料による塗布膜２１を約２μｍ塗布形成
する。このとき、下層配線２、層間絶縁膜３、上層配線
４は、下層配線２、上層配線４による塗布膜２１表面の
凹凸の段差１３が５００ｎｍとなるように形成される。
【００１７】この塗布膜２１は、有機溶剤に溶解性の有
る有機材料、又は有機溶剤に溶解性の有る無機材料で構
成され、スピンコート法により絶縁基板１上に塗布され
る。
る有機材料、又は有機溶剤に溶解性の有る無機材料で構
成され、スピンコート法により絶縁基板１上に塗布され
る。
【００１８】スピンコート法により塗布された塗布膜２
１は、１００〜１４０℃で１次加熱処理され、塗布膜２
１を脱水処理するとともに塗布膜２１に含まれる有機溶
剤の一部を蒸発させる。
１は、１００〜１４０℃で１次加熱処理され、塗布膜２
１を脱水処理するとともに塗布膜２１に含まれる有機溶
剤の一部を蒸発させる。
【００１９】次に、この塗布膜２１の形成された絶縁基
板１を有機溶剤の溶液の蒸気中に暴露する。この処理時
の蒸気圧がリフロー処理進行速度に影響し、有機溶剤の
温度と絶縁基板の温度とが共に常温（２５℃付近）であ
る場合、約２μｍの膜厚の塗布膜２１全体に有機溶剤に
よる溶解リフローが生じ、塗布膜２１は変形して有機絶
縁膜１１となる。
板１を有機溶剤の溶液の蒸気中に暴露する。この処理時
の蒸気圧がリフロー処理進行速度に影響し、有機溶剤の
温度と絶縁基板の温度とが共に常温（２５℃付近）であ
る場合、約２μｍの膜厚の塗布膜２１全体に有機溶剤に
よる溶解リフローが生じ、塗布膜２１は変形して有機絶
縁膜１１となる。
【００２０】ここで、塗布膜に用いる有機材料によって
蒸気圧が異なるため溶解リフローの速さが異なる。アセ
トンやプロピレングリコールモノエチルエーテルを用い
ると蒸気圧が高いため、０．１〜３分の蒸気暴露処理時
間で塗布膜２１の平坦化が完了するが、トリプロピレン
グリコールモノエチルエーテルやＮ−メチル−２−ピロ
リドンを用いると蒸気圧が低いため、５〜２０分の蒸気
暴露処理時間を要する。
蒸気圧が異なるため溶解リフローの速さが異なる。アセ
トンやプロピレングリコールモノエチルエーテルを用い
ると蒸気圧が高いため、０．１〜３分の蒸気暴露処理時
間で塗布膜２１の平坦化が完了するが、トリプロピレン
グリコールモノエチルエーテルやＮ−メチル−２−ピロ
リドンを用いると蒸気圧が低いため、５〜２０分の蒸気
暴露処理時間を要する。
【００２１】また、有機溶剤の温度に対して基板温度が
高くなると処理時間は長時間を必要とし、基板温度が低
くなると短時間の蒸気暴露処理で済む、という傾向が見
られる。
高くなると処理時間は長時間を必要とし、基板温度が低
くなると短時間の蒸気暴露処理で済む、という傾向が見
られる。
【００２２】ここで、上記第１の実施形態においては、
有機溶剤としてアセトン、プロピレングリコールモノエ
チルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いたが、他
に、以下に示す有機溶剤のうち少なくとも一つを含むも
のであれば良い。以下に述べる他の実施形態においても
同様のことが言える。以下には、有機溶剤を上位概念と
しての有機溶剤と、それを具体化した下位概念の有機溶
剤とに分けて示している。（Ｒはアルキル基又は置換ア
ルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香
環を示す） 有機溶剤： ・アルコール類（Ｒ−ＯＨ） ・アルコキシアルコール類 ・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−
Ａｒ）・エステル類 ・ケトン類 ・グリコール類 ・アルキレングリコール類 ・グリコールエーテル類 上記有機溶剤の具体例： ・ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３（ＣＨ２）ＸＯＨ ・イソプロピルアルコール（ＩＰＡ） ・エトキシエタノール ・メトキシアルコール ・長鎖アルキルエステル ・モノエタノールアミン（ＭＥＡ） ・アセトン ・アセチルアセトン ・ジオキサン ・酢酸エチル ・酢酸ブチル ・トルエン ・メチルエチルケトン（ＭＥＫ） ・ジエチルケトン ・ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ） ・メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ） ・ブチルカルビトール ・ｎ−ブチルアセテート（ｎＢＡ） ・ガンマーブチロラクトン ・エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ） ・乳酸エチル ・ピルビン酸エチル ・２−ヘプタノン（ＭＡＫ） ・３−メトキシブチルアセテート ・エチレングリコール ・プロピレングリコール ・ブチレングリコール ・エチレングリコールモノエチルエーテル ・ジエチレングリコールモノエチルエーテル ・エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート ・エチレングリコールモノメチルエーテル ・エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート ・エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル ・ポリエチレングリコール ・ポリプロレングリコール ・ポリブチレングリコール ・ポリエチレングリコールモノエチルエーテル ・ポリジエチレングリコールモノエチルエーテル ・ポリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト ・ポリエチレングリコールモノメチルエーテル ・ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト ・ポリエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル ・メチル−３−メトキシプロピオネート（ＭＭＰ） ・プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭ
Ｅ） ・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ） ・プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＧ
Ｐ） ・プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥ
Ｅ） ・エチル−３−エトキシプロピオネート（ＦＥＰ） ・ジプロピレングリコールモノエチルエーテル ・トリプロピレングリコールモノエチルエーテル ・ポリプロピレングリコールモノエチルエーテル ・プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネ
ート ・３−メトキシプロピオン酸メチル ・３−エトキシプロピオン酸エチル ・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ） また、本実施形態のリフローには、塗布膜を有機溶剤の
蒸気中に暴露する方法を用いたが、塗布膜を極希薄な
（例として、１／１００〜１／１０００）濃度の有機溶
剤中に浸漬する方法も用いることができる。この方法で
は、有機溶剤濃度が高いと有機溶剤中にレジストが溶解
し剥離を起こす為、溶解剥離を起こさずに、しかもレジ
スト中に有機溶剤の一部が浸透するように溶液中の有機
溶剤濃度を極希薄に調整する必要がある。
有機溶剤としてアセトン、プロピレングリコールモノエ
チルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエ
ーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いたが、他
に、以下に示す有機溶剤のうち少なくとも一つを含むも
のであれば良い。以下に述べる他の実施形態においても
同様のことが言える。以下には、有機溶剤を上位概念と
しての有機溶剤と、それを具体化した下位概念の有機溶
剤とに分けて示している。（Ｒはアルキル基又は置換ア
ルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香
環を示す） 有機溶剤： ・アルコール類（Ｒ−ＯＨ） ・アルコキシアルコール類 ・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−
Ａｒ）・エステル類 ・ケトン類 ・グリコール類 ・アルキレングリコール類 ・グリコールエーテル類 上記有機溶剤の具体例： ・ＣＨ３ＯＨ、Ｃ２Ｈ５ＯＨ、ＣＨ３（ＣＨ２）ＸＯＨ ・イソプロピルアルコール（ＩＰＡ） ・エトキシエタノール ・メトキシアルコール ・長鎖アルキルエステル ・モノエタノールアミン（ＭＥＡ） ・アセトン ・アセチルアセトン ・ジオキサン ・酢酸エチル ・酢酸ブチル ・トルエン ・メチルエチルケトン（ＭＥＫ） ・ジエチルケトン ・ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ） ・メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ） ・ブチルカルビトール ・ｎ−ブチルアセテート（ｎＢＡ） ・ガンマーブチロラクトン ・エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ） ・乳酸エチル ・ピルビン酸エチル ・２−ヘプタノン（ＭＡＫ） ・３−メトキシブチルアセテート ・エチレングリコール ・プロピレングリコール ・ブチレングリコール ・エチレングリコールモノエチルエーテル ・ジエチレングリコールモノエチルエーテル ・エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート ・エチレングリコールモノメチルエーテル ・エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート ・エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル ・ポリエチレングリコール ・ポリプロレングリコール ・ポリブチレングリコール ・ポリエチレングリコールモノエチルエーテル ・ポリジエチレングリコールモノエチルエーテル ・ポリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテー
ト ・ポリエチレングリコールモノメチルエーテル ・ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテー
ト ・ポリエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル ・メチル−３−メトキシプロピオネート（ＭＭＰ） ・プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭ
Ｅ） ・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
（ＰＧＭＥＡ） ・プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＧ
Ｐ） ・プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥ
Ｅ） ・エチル−３−エトキシプロピオネート（ＦＥＰ） ・ジプロピレングリコールモノエチルエーテル ・トリプロピレングリコールモノエチルエーテル ・ポリプロピレングリコールモノエチルエーテル ・プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネ
ート ・３−メトキシプロピオン酸メチル ・３−エトキシプロピオン酸エチル ・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ） また、本実施形態のリフローには、塗布膜を有機溶剤の
蒸気中に暴露する方法を用いたが、塗布膜を極希薄な
（例として、１／１００〜１／１０００）濃度の有機溶
剤中に浸漬する方法も用いることができる。この方法で
は、有機溶剤濃度が高いと有機溶剤中にレジストが溶解
し剥離を起こす為、溶解剥離を起こさずに、しかもレジ
スト中に有機溶剤の一部が浸透するように溶液中の有機
溶剤濃度を極希薄に調整する必要がある。
【００２３】上記塗布膜が、有機材料と有機溶剤とで構
成される場合、有機材料としてアクリル、ポリイミド、
ポリアクリルアミド等が用いられる。この他に、塗布膜
が無機材料と有機溶剤とで構成される場合、無機材料と
しては、シロキサン、ポリシロキサン、ポリシラン、ポ
リシリーン、カルボシラン、シリコン、無機ガラス等が
用いられる。
成される場合、有機材料としてアクリル、ポリイミド、
ポリアクリルアミド等が用いられる。この他に、塗布膜
が無機材料と有機溶剤とで構成される場合、無機材料と
しては、シロキサン、ポリシロキサン、ポリシラン、ポ
リシリーン、カルボシラン、シリコン、無機ガラス等が
用いられる。
【００２４】次に、本実施形態に用いられるリフロー方
法を具体例に説明する。
法を具体例に説明する。
【００２５】まず、図２に示すように、深さ２０ｍｍの
ステンレスバット容器４０１に、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン等の有機溶剤４０２を１０ｍｍまで入れ、バット
容器４０１の上に絶縁基板１を処理面を裏返しにして蒸
気暴露処理する面が有機溶剤４０２側に向くように配置
させる。絶縁基板１の温度を２４℃、有機溶剤４０２の
温度は、常温（２６℃付近）に保つようにする。こうし
て、有機溶剤の蒸気にさらし、蒸気暴露処理する。
ステンレスバット容器４０１に、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン等の有機溶剤４０２を１０ｍｍまで入れ、バット
容器４０１の上に絶縁基板１を処理面を裏返しにして蒸
気暴露処理する面が有機溶剤４０２側に向くように配置
させる。絶縁基板１の温度を２４℃、有機溶剤４０２の
温度は、常温（２６℃付近）に保つようにする。こうし
て、有機溶剤の蒸気にさらし、蒸気暴露処理する。
【００２６】塗布膜に上述した有機溶剤が浸透している
状態では塗布膜が溶解してリフローが起きる（溶解リフ
ロー）。有機溶剤の供給を絶つと有機溶剤は数十秒〜数
分以内（有機溶剤の種類による）に塗布膜中に浸透した
有機溶剤が蒸発して塗布膜が固まる現象が見られる。ま
た、溶解中は有機溶剤が浸透しているので塗布膜は膨張
状態になるが、有機溶剤が蒸発した後では体積が元に戻
る。
状態では塗布膜が溶解してリフローが起きる（溶解リフ
ロー）。有機溶剤の供給を絶つと有機溶剤は数十秒〜数
分以内（有機溶剤の種類による）に塗布膜中に浸透した
有機溶剤が蒸発して塗布膜が固まる現象が見られる。ま
た、溶解中は有機溶剤が浸透しているので塗布膜は膨張
状態になるが、有機溶剤が蒸発した後では体積が元に戻
る。
【００２７】この塗布膜２１の溶解リフローは、有機溶
剤の浸透した塗布膜２１の上層より溶解が始まり、主と
して塗布膜２１の上層部分のリフローにより塗布膜２１
の平坦化が完了する。
剤の浸透した塗布膜２１の上層より溶解が始まり、主と
して塗布膜２１の上層部分のリフローにより塗布膜２１
の平坦化が完了する。
【００２８】上記実施形態においては、有機絶縁膜１１
の形成で平坦化を完了させているが、この後に、有機絶
縁膜の平坦化膜としての絶縁性を高めるために、有機絶
縁膜１１に、１５０〜１８０℃の範囲の温度で６０〜３
００分の２次加熱処理や、１００〜１５０℃の範囲の温
度で３０〜６０分の真空乾燥処理を加え、有機絶縁膜１
１に含まれる有機溶剤等をほぼ完全に蒸発させる処理を
追加する方法が採られる場合もある。
の形成で平坦化を完了させているが、この後に、有機絶
縁膜の平坦化膜としての絶縁性を高めるために、有機絶
縁膜１１に、１５０〜１８０℃の範囲の温度で６０〜３
００分の２次加熱処理や、１００〜１５０℃の範囲の温
度で３０〜６０分の真空乾燥処理を加え、有機絶縁膜１
１に含まれる有機溶剤等をほぼ完全に蒸発させる処理を
追加する方法が採られる場合もある。
【００２９】本実施形態の平坦化方法を用いれば、塗布
膜２１が塗布直後に示した５００ｎｍの凸部の段差が、
平坦化後に４０〜６０ｎｍに低減した。また、塗布膜２
１の加熱処理が１００〜１４０℃で行われるため、塗布
膜の下にある配線がアルミニウムで形成された場合にお
いても、熱の影響によるヒロックの発生はない。
膜２１が塗布直後に示した５００ｎｍの凸部の段差が、
平坦化後に４０〜６０ｎｍに低減した。また、塗布膜２
１の加熱処理が１００〜１４０℃で行われるため、塗布
膜の下にある配線がアルミニウムで形成された場合にお
いても、熱の影響によるヒロックの発生はない。
【００３０】このように本発明の溶解リフローは前述の
加熱リフローに比較すると、溶解リフロー時の塗布膜の
粘度が低いので、凸部の塗布膜が溶解する際の塗布膜の
重力で流出する速度が大きくなり、流出量が多くなる。
従って、溶解リフローは加熱リフローに比較し、塗布膜
が平坦化し易く、平坦性も良好で、熱処理による配線へ
の影響もない。
加熱リフローに比較すると、溶解リフロー時の塗布膜の
粘度が低いので、凸部の塗布膜が溶解する際の塗布膜の
重力で流出する速度が大きくなり、流出量が多くなる。
従って、溶解リフローは加熱リフローに比較し、塗布膜
が平坦化し易く、平坦性も良好で、熱処理による配線へ
の影響もない。
【００３１】また、本実施形態では図１（ａ）に示す様
に、塗布膜２１の下地の凹凸を緩和させ易くするため
に、厚い膜厚で、高粘度の塗布膜を形成する。その後、
塗布膜２１を有機溶剤の蒸気にさらすと、塗布膜２１中
の表面側から有機溶剤が浸透し、塗布膜２１中に溶解す
るので塗布膜２１の上層部分の粘度が部分的に低下し、
その部分の流動性が高くなる。
に、塗布膜２１の下地の凹凸を緩和させ易くするため
に、厚い膜厚で、高粘度の塗布膜を形成する。その後、
塗布膜２１を有機溶剤の蒸気にさらすと、塗布膜２１中
の表面側から有機溶剤が浸透し、塗布膜２１中に溶解す
るので塗布膜２１の上層部分の粘度が部分的に低下し、
その部分の流動性が高くなる。
【００３２】また、このときの有機溶剤の種類により、
塗布膜２１の表面側からの有機溶剤の浸透速度、塗布膜
２１の上層部分の粘度を異ならせることができるので、
必要に応じ流動する速度と流動する深度を有機溶剤の選
択と処理時間等でコントロールする。このような処理を
施すことにより、塗布膜２１の表面の高流動性が実現で
き、理想的な平坦化が実現出来る。
塗布膜２１の表面側からの有機溶剤の浸透速度、塗布膜
２１の上層部分の粘度を異ならせることができるので、
必要に応じ流動する速度と流動する深度を有機溶剤の選
択と処理時間等でコントロールする。このような処理を
施すことにより、塗布膜２１の表面の高流動性が実現で
き、理想的な平坦化が実現出来る。
【００３３】次に、本発明の第２の実施形態について図
３〜５を用いて説明する。本実施形態は、横電界方式の
液晶表示装置におけるＴＦＴ基板及びＣＦ（カラーフィ
ルタ）基板の表面の平坦化膜の形成方法である。図３
は、薄膜トランジスタを搭載する基板（ＴＦＴ基板）
を、それに対向する基板側から見た模式平面図であり、
図４は、液晶表示装置を、図３における切断線Ｐ−Ｐ’
を含み、基板に直交する平面で切断したときの液晶表示
装置の模式断面図である。
３〜５を用いて説明する。本実施形態は、横電界方式の
液晶表示装置におけるＴＦＴ基板及びＣＦ（カラーフィ
ルタ）基板の表面の平坦化膜の形成方法である。図３
は、薄膜トランジスタを搭載する基板（ＴＦＴ基板）
を、それに対向する基板側から見た模式平面図であり、
図４は、液晶表示装置を、図３における切断線Ｐ−Ｐ’
を含み、基板に直交する平面で切断したときの液晶表示
装置の模式断面図である。
【００３４】まず、ガラス等からなる第１の透明基板１
０１の上に、Ｃｒ材料をパターニングすることでゲート
電極１０２と同時に共通電極１０３を形成する。
０１の上に、Ｃｒ材料をパターニングすることでゲート
電極１０２と同時に共通電極１０３を形成する。
【００３５】次に、ＳｉＮｘとＳｉＯ2からなる層間絶
縁膜１０４を第１の透明基板１０１の全面を覆うよう形
成する。続いて、アモルファスシリコン等からなる島状
半導体膜１０５（図３）を形成し、さらに、Ｃｒ材料を
パターニングすることで同一工程にて、ドレイン電極１
０６、データ線１０７、ソース電極１０８、画素電極１
０９をそれぞれ形成する。
縁膜１０４を第１の透明基板１０１の全面を覆うよう形
成する。続いて、アモルファスシリコン等からなる島状
半導体膜１０５（図３）を形成し、さらに、Ｃｒ材料を
パターニングすることで同一工程にて、ドレイン電極１
０６、データ線１０７、ソース電極１０８、画素電極１
０９をそれぞれ形成する。
【００３６】最後に、バックチャネル部を保護する目的
でＳｉＮｘからなるパッシベーション膜１１０を第１の
透明基板１０１の最上層に全面を覆うよう形成して、さ
らにその上に平坦化膜１１１を形成するとＴＦＴ基板１
００が得られる。
でＳｉＮｘからなるパッシベーション膜１１０を第１の
透明基板１０１の最上層に全面を覆うよう形成して、さ
らにその上に平坦化膜１１１を形成するとＴＦＴ基板１
００が得られる。
【００３７】次に、ＴＦＴ基板１００に対向して配置さ
れ、透過光を着色するカラーフィルタ基板２００の製造
手順を記載する。
れ、透過光を着色するカラーフィルタ基板２００の製造
手順を記載する。
【００３８】まず、ガラス等からなる第２の透明基板２
０１の上に、遮光材料を分散した樹脂からなるブラック
マトリクス２１５をパターニングにより形成する。次
に、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色の色層２１６を形成する。続い
て、第２の透明基板２０１の全面を覆うように平坦化膜
２１１を形成して、カラーフィルタ基板２００が形成さ
れる。
０１の上に、遮光材料を分散した樹脂からなるブラック
マトリクス２１５をパターニングにより形成する。次
に、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色の色層２１６を形成する。続い
て、第２の透明基板２０１の全面を覆うように平坦化膜
２１１を形成して、カラーフィルタ基板２００が形成さ
れる。
【００３９】このようにして作成したＴＦＴ基板１００
とカラーフィルタ基板２００のそれぞれに、オフセット
印刷等による方法で、配向膜１５０を印刷する。こうし
て得られたＴＦＴ基板１００とカラーフィルタ基板２０
０の配向膜１５０をラビング方法により所定の方向に配
向膜分子を並べて（ラビング方向１６０）、この２枚の
基板が所定の間隔を持つようにセルギャップ材を挟みこ
ませて組み合わせ、その間隙に液晶１７０を封止した。
とカラーフィルタ基板２００のそれぞれに、オフセット
印刷等による方法で、配向膜１５０を印刷する。こうし
て得られたＴＦＴ基板１００とカラーフィルタ基板２０
０の配向膜１５０をラビング方法により所定の方向に配
向膜分子を並べて（ラビング方向１６０）、この２枚の
基板が所定の間隔を持つようにセルギャップ材を挟みこ
ませて組み合わせ、その間隙に液晶１７０を封止した。
【００４０】最後に、第１の透明基板１０１の他方の面
上には偏光板１１８が、第２の透明基板２０１の他方の
面上には導電膜２１７、偏光板２１８とが形成される。
上には偏光板１１８が、第２の透明基板２０１の他方の
面上には導電膜２１７、偏光板２１８とが形成される。
【００４１】上述の製造方法の中で、ＴＦＴ基板１００
側の平坦化膜１１１は、図５の製造方法に従って形成さ
れる。
側の平坦化膜１１１は、図５の製造方法に従って形成さ
れる。
【００４２】パッシベーション膜１１０上にアクリル、
ポリイミド等の樹脂材料による塗布膜１２１を約２μｍ
塗布形成する。このとき、塗布膜１２１の表面には有機
絶縁膜１２１より下層のゲート電極１０２、共通電極１
０３、島状半導体膜１０５、ドレイン電極１０６、デー
タ線１０７、ソース電極１０８、画素電極１０９の段差
に相当する凹凸が約５００ｎｍの高さに形成される（図
５（ａ））。
ポリイミド等の樹脂材料による塗布膜１２１を約２μｍ
塗布形成する。このとき、塗布膜１２１の表面には有機
絶縁膜１２１より下層のゲート電極１０２、共通電極１
０３、島状半導体膜１０５、ドレイン電極１０６、デー
タ線１０７、ソース電極１０８、画素電極１０９の段差
に相当する凹凸が約５００ｎｍの高さに形成される（図
５（ａ））。
【００４３】この塗布膜１２１は、有機溶剤に溶解性の
有る有機材料、または有機溶剤に溶解性の有る無機材料
で構成され、スピンコート法により塗布される。
有る有機材料、または有機溶剤に溶解性の有る無機材料
で構成され、スピンコート法により塗布される。
【００４４】スピンコート法により塗布された塗布膜１
２１は、１００〜１４０℃で１次加熱処理され、塗布膜
を脱水処理するとともに有機溶剤の一部を蒸発させる。
２１は、１００〜１４０℃で１次加熱処理され、塗布膜
を脱水処理するとともに有機溶剤の一部を蒸発させる。
【００４５】次に、この塗布膜１２１の形成されたＴＦ
Ｔ基板１００を有機溶剤の溶液の蒸気中に暴露する。こ
の処理時の有機溶剤の蒸気圧がリフロー処理進行速度に
影響し、有機溶剤の温度と基板の温度とが共に常温（２
５℃付近）である場合、約２μｍの膜厚の塗布膜１２１
全体に溶解リフローが生じ、塗布膜１２１は平坦化膜１
１１となる（図５（ｂ））。塗布膜１２１の溶解リフロ
ーにより、塗布膜１２１の５００ｎｍの段差が４０〜６
０ｎｍとなり、平坦性の良い平坦化膜１１１が得られ
た。塗布膜１２１の平坦化に、アセトンやプロピレング
リコールモノエチルエーテルを用いると蒸気圧が高いの
で、０．１〜３分の蒸気暴露処理時間で塗布膜１２１の
平坦化が完了するが、トリプロピレングリコールモノエ
チルエーテルやＮ−メチル−２−ピロリドンを用いると
蒸気圧が低いので、５〜２０分の蒸気暴露処理時間を要
する。
Ｔ基板１００を有機溶剤の溶液の蒸気中に暴露する。こ
の処理時の有機溶剤の蒸気圧がリフロー処理進行速度に
影響し、有機溶剤の温度と基板の温度とが共に常温（２
５℃付近）である場合、約２μｍの膜厚の塗布膜１２１
全体に溶解リフローが生じ、塗布膜１２１は平坦化膜１
１１となる（図５（ｂ））。塗布膜１２１の溶解リフロ
ーにより、塗布膜１２１の５００ｎｍの段差が４０〜６
０ｎｍとなり、平坦性の良い平坦化膜１１１が得られ
た。塗布膜１２１の平坦化に、アセトンやプロピレング
リコールモノエチルエーテルを用いると蒸気圧が高いの
で、０．１〜３分の蒸気暴露処理時間で塗布膜１２１の
平坦化が完了するが、トリプロピレングリコールモノエ
チルエーテルやＮ−メチル−２−ピロリドンを用いると
蒸気圧が低いので、５〜２０分の蒸気暴露処理時間を要
する。
【００４６】上記実施形態においては、平坦化膜１１１
の形成で平坦化を完了させているが、この後に、平坦化
膜としての絶縁性を高めるために、平坦化膜１１１に、
１５０〜１８０℃の範囲の温度で６０〜３００分の２次
加熱処理や、１００〜１５０℃の範囲の温度で３０〜６
０分の真空乾燥処理を加え、平坦化膜１１１のに含まれ
る有機溶剤等をほぼ完全に蒸発させる処理を追加する方
法が採られる場合もある。
の形成で平坦化を完了させているが、この後に、平坦化
膜としての絶縁性を高めるために、平坦化膜１１１に、
１５０〜１８０℃の範囲の温度で６０〜３００分の２次
加熱処理や、１００〜１５０℃の範囲の温度で３０〜６
０分の真空乾燥処理を加え、平坦化膜１１１のに含まれ
る有機溶剤等をほぼ完全に蒸発させる処理を追加する方
法が採られる場合もある。
【００４７】最後に、平坦化膜１１１の上に有機溶媒に
ポリイミドを溶解させた有機絶縁膜を塗布して配向膜１
５０を形成する（図５（ｃ））。
ポリイミドを溶解させた有機絶縁膜を塗布して配向膜１
５０を形成する（図５（ｃ））。
【００４８】ＣＦ基板２００側の平坦化膜２１１もＴＦ
Ｔ基板１００側と同じ方法で形成され、さらにその上に
配向膜１５０が形成される。
Ｔ基板１００側と同じ方法で形成され、さらにその上に
配向膜１５０が形成される。
【００４９】以上のように、本発明の液晶表示装置の製
造方法では、平坦化膜が塗布膜の溶解リフローにより
（段差が４０〜６０ｎｍ）優れた平坦性を示すので、そ
の上に形成される配向膜に対するラビング処理が配向膜
全体に渡って均一となり、大きな凹凸（段差が約２００
ｎｍ）を有する配向膜に対するラビングで生じる配向不
良を防止することができる。
造方法では、平坦化膜が塗布膜の溶解リフローにより
（段差が４０〜６０ｎｍ）優れた平坦性を示すので、そ
の上に形成される配向膜に対するラビング処理が配向膜
全体に渡って均一となり、大きな凹凸（段差が約２００
ｎｍ）を有する配向膜に対するラビングで生じる配向不
良を防止することができる。
【００５０】上述の実施形態では、塗布膜に有機溶剤に
溶解する有機材料を用いたが、水溶性材料を用いること
も可能である。この場合、水溶性材料として、ポリアク
リル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポリ
エチレンオキシド、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリ
ン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素
樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミドのうちのいずれ
か、或いは、これらの２種類以上の混合物を用いること
ができる。また、この水溶性材料を塗布膜として用いる
場合には、溶解リフロー用の薬液として少なくとも水を
含む水溶液を用いることで、有機溶媒における有機材料
と同様の溶解リフローを生じさせることも可能である。
溶解する有機材料を用いたが、水溶性材料を用いること
も可能である。この場合、水溶性材料として、ポリアク
リル酸、ポリビニルアセタール、ポリビニルピロリド
ン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンイミン、ポリ
エチレンオキシド、スチレン−無水マレイン酸共重合
体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリ
ン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素
樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミドのうちのいずれ
か、或いは、これらの２種類以上の混合物を用いること
ができる。また、この水溶性材料を塗布膜として用いる
場合には、溶解リフロー用の薬液として少なくとも水を
含む水溶液を用いることで、有機溶媒における有機材料
と同様の溶解リフローを生じさせることも可能である。
【００５１】最後に、上述の本発明の第１、２の実施形
態に示す塗布膜の形成方法は、例えばエレクトロルミネ
ッセンス表示装置（ＥＬ）、フィールドエミッションデ
ィスプレイ（ＦＥＤ）、蛍光表示装置、プラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ）のアクティブ素子基板、半導体
集積回路の製造方法として用いられる。
態に示す塗布膜の形成方法は、例えばエレクトロルミネ
ッセンス表示装置（ＥＬ）、フィールドエミッションデ
ィスプレイ（ＦＥＤ）、蛍光表示装置、プラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ）のアクティブ素子基板、半導体
集積回路の製造方法として用いられる。
【００５２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明の有機膜
の形成方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法で
は、有機膜の平坦化に、２００℃以下の加熱処理を経て
有機膜に有機溶剤を浸透させて有機膜を溶解リフローさ
せるので、平坦性をよくすることができると共に、熱リ
フローに比べて熱処理温度が低く、配線のみならずＴＦ
Ｔなどの素子に対する熱の影響をなくすことができる。
また、液晶表示装置においては、液晶表示装置の配向膜
の下地として優れた平坦化膜を提供することができる。
また、有機膜を横方向へ大きく、しかも制御性良く変形
させることができるので、凹凸を有する基板の表面の平
坦化であれば、種々の分野における製造局面での表面の
平坦化にも適用することができる。
の形成方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法で
は、有機膜の平坦化に、２００℃以下の加熱処理を経て
有機膜に有機溶剤を浸透させて有機膜を溶解リフローさ
せるので、平坦性をよくすることができると共に、熱リ
フローに比べて熱処理温度が低く、配線のみならずＴＦ
Ｔなどの素子に対する熱の影響をなくすことができる。
また、液晶表示装置においては、液晶表示装置の配向膜
の下地として優れた平坦化膜を提供することができる。
また、有機膜を横方向へ大きく、しかも制御性良く変形
させることができるので、凹凸を有する基板の表面の平
坦化であれば、種々の分野における製造局面での表面の
平坦化にも適用することができる。
【図１】本発明の第１の実施形態を製造工程順に示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明に用いられる蒸気暴露装置の模式断面図
である。
である。
【図３】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置におけ
るＴＦＴ基板の平面図である。
るＴＦＴ基板の平面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置の断面
図である。
図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の液晶表示装置におけ
るＴＦＴ基板の製造工程を示す断面図である。
るＴＦＴ基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】従来の平坦化膜の製造工程を示す断面図であ
る。
る。
１ 絶縁基板
２、３０２ 下層配線
３、１０４、３０３ 層間絶縁膜
４、３０４ 上層配線
１１、１１１、２１１ 有機絶縁膜
１３ 段差
２１、１２１、３２１ 塗布膜
１００ ＴＦＴ基板
１０１ 第１の透明基板
１０３ 共通電極
１０５ 半導体膜
１０６ ドレイン電極
１０７ データ線
１０８ ソース電極
１０９ 画素電極
１１０ パッシベーション膜
１１８、２１８ 偏光板
１５０ 配向膜
１７０ 液晶
２００ ＣＦ基板
２０１ 第２の透明基板
２１５ ブラックマトリクス
２１６ 色層
２１７ 導電膜
３０１ ガラス基板
３１１ 絶縁保護膜
４０１ ステンレスバット容器
４０２ 有機溶剤
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｈ０１Ｌ 21/312 Ｂ ５Ｆ０５８
21/3205 21/88 Ｋ ５Ｆ１１０
21/768 21/90 Ｓ
29/786 Ｑ
Ｒ
29/78 ６１９Ａ
Ｆターム(参考） 2H048 BA02 BA11 BA45 BA47 BB24
BB28 BB42
2H090 HA03 HB07 HC05 HC14 HD03
JA02 JA06 JC08 JD14 LA04
2H092 JA24 JB58 KB22 KB25 NA19
PA01
5C094 AA33 BA03 BA43 CA19 DA14
DA15 EA04 EA07
5F033 GG04 HH07 HH08 QQ00 QQ74
QQ75 RR04 RR05 RR21 RR22
SS22 TT04 VV15 XX01 XX16
XX19
5F058 AA06 AB07 AC02 AF04 AG01
AG10
5F110 AA18 AA26 BB01 CC07 DD02
EE04 FF02 FF03 FF09 GG02
GG15 HK04 NN03 NN04 NN22
NN24 NN27 NN36 NN72 QQ19
Claims (7)
- 【請求項１】 絶縁基板の表面に有機膜を塗布した後、
前記有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解を生じさせるこ
とにより前記有機膜を平坦化させることを特徴とする有
機膜の平坦化方法。 - 【請求項２】 前記有機膜が有機溶剤に溶解する有機材
料であり、前記有機溶剤が下記に示す材料のうち少なく
とも一つを含む請求項１記載の有機膜の平坦化方法。 有機溶剤（Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒは
フェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示す）： ・アルコール類（Ｒ−ＯＨ） ・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−
Ａｒ） ・エステル類 ・ケトン類 ・グリコール類 ・アルキレングリコール類 ・アルコキシアルコール類 ・グリコールエーテル類 - 【請求項３】 前記有機材料がアクリル、ポリイミド、
ポリアクリルアミドのいずれかである請求項２記載の有
機膜の平坦化方法。 - 【請求項４】 前記有機膜に有機溶剤を浸透させて溶解
を生じさせた後、１００〜１８０℃の範囲の温度で熱処
理を行い、前記有機膜中に含まれる有機溶剤を蒸発させ
る請求項１、２又は３記載の有機膜の平坦化方法。 - 【請求項５】 第１基板上にゲート線及びゲート電極を
形成し、続いて、前記第１基板上に前記ゲート線及び前
記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、前
記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、前記半導体膜を
その上に形成したソース・ドレイン電極と接続する工程
と、前記ゲート絶縁膜の上に前記半導体膜、前記ソース
・ドレイン電極を覆う保護膜を形成する工程と、前記保
護膜の上に平坦化膜を形成する工程とを有する製造方法
によりＴＦＴ基板を形成し、続いて、前記第１基板の前
記平坦化膜側に前記第１基板と対向する第２基板を配置
して対向基板を形成し、さらに、前記ＴＦＴ基板と前記
対向基板との間に液晶組成物を充填する液晶表示装置の
製造方法であって、前記平坦化膜を形成する工程が、前
記保護膜の上に有機膜を塗布した後、前記有機膜に有機
溶剤を浸透させて前記有機膜の溶解を生じさせることに
より行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項６】 前記第１基板上には前記ゲート線と同時
に共通電極が形成され、前記ソース・ドレイン電極の形
成と同時に前記ソース・ドレイン電極の一部を構成する
画素電極が形成され、前記共通電極と前記画素電極は互
いに並行する櫛歯状の電極を有する請求項５記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記平坦化膜が、請求項１乃至３のいず
れかに記載の有機膜を用いて形成される液晶表示装置の
製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001209410A JP4290905B2 (ja) | 2001-07-10 | 2001-07-10 | 有機膜の平坦化方法 |
| TW091114593A TWI311658B (en) | 2001-07-10 | 2002-07-02 | Pattern forming method and method for manufacturing liquid crystal display device using the same |
| US10/189,571 US6617263B2 (en) | 2001-07-10 | 2002-07-08 | Pattern forming method for flattening an organic film for a liquid crystal display device |
| CNB021413908A CN1198171C (zh) | 2001-07-10 | 2002-07-09 | 图案形成方法及使用该方法制备液晶显示器的方法 |
| CNB2004101006641A CN100351692C (zh) | 2001-07-10 | 2002-07-09 | 图案形成方法及使用该方法制备液晶显示器的方法 |
| KR1020020039775A KR100557455B1 (ko) | 2001-07-10 | 2002-07-09 | 유기막의 평탄화방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001209410A JP4290905B2 (ja) | 2001-07-10 | 2001-07-10 | 有機膜の平坦化方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007258154A Division JP4819016B2 (ja) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003021827A true JP2003021827A (ja) | 2003-01-24 |
| JP2003021827A5 JP2003021827A5 (ja) | 2004-11-11 |
| JP4290905B2 JP4290905B2 (ja) | 2009-07-08 |
Family
ID=19045065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001209410A Expired - Fee Related JP4290905B2 (ja) | 2001-07-10 | 2001-07-10 | 有機膜の平坦化方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6617263B2 (ja) |
| JP (1) | JP4290905B2 (ja) |
| KR (1) | KR100557455B1 (ja) |
| CN (2) | CN1198171C (ja) |
| TW (1) | TWI311658B (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005165047A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Nec Corp | 電気光学装置及び投射型表示装置 |
| JP2005340802A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び表示装置の作製方法 |
| JP2006320807A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Nissan Chem Ind Ltd | 段差を有する基板上に被覆膜を形成する方法 |
| JP2007034218A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2007206686A (ja) * | 2006-02-04 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | カラーフィルタ製造方法 |
| JP2008275758A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置用反射板の製造方法、液晶表示装置及び液晶表示装置用アレイ基板 |
| JP2009139568A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| US7586183B2 (en) | 2005-04-19 | 2009-09-08 | Panasonic Corporation | Multilevel semiconductor module and method for fabricating the same |
| US8293128B2 (en) | 2003-09-18 | 2012-10-23 | Nec Corporation | Apparatus for processing substrate and method of doing the same |
| US8563230B2 (en) | 2007-12-17 | 2013-10-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing system |
| WO2016158697A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 三井化学株式会社 | 埋め込み平坦化膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7592201B2 (en) * | 2003-09-09 | 2009-09-22 | Csg Solar Ag | Adjustments of masks by re-flow |
| US7585781B2 (en) * | 2003-09-09 | 2009-09-08 | Csg Solar Ag | Method of forming openings in an organic resin material |
| US20050276910A1 (en) * | 2004-06-09 | 2005-12-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Post processing of films to improve film quality |
| JP4367347B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 膜形成方法及び電気光学装置の製造方法並びに電子機器 |
| KR101108148B1 (ko) * | 2005-02-03 | 2012-02-09 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| JP4876415B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2012-02-15 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置の製造方法、デバイスの製造方法 |
| JP5145654B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2013-02-20 | 日本電気株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2009090637A (ja) * | 2007-09-18 | 2009-04-30 | Toppan Printing Co Ltd | 有機機能層及び有機機能性素子の製造方法並びに有機機能性素子製造装置 |
| JP2010050231A (ja) * | 2008-08-20 | 2010-03-04 | Nec Lcd Technologies Ltd | 溶解変形用薬液及び有機膜パターンの溶解変形処理方法 |
| DE102014113928B4 (de) * | 2014-09-25 | 2023-10-05 | Suss Microtec Lithography Gmbh | Verfahren zum Beschichten eines Substrats mit einem Lack sowie Vorrichtung zum Planarisieren einer Lackschicht |
| CN105762154B (zh) * | 2016-02-24 | 2018-12-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07120784A (ja) | 1993-10-22 | 1995-05-12 | Rohm Co Ltd | 液晶表示装置およびその製法 |
| KR970002410A (ko) * | 1995-06-20 | 1997-01-24 | 김주용 | 액정 표시 소자의 제조 방법 |
| DE69608813T2 (de) * | 1995-09-29 | 2000-10-12 | The Dow Chemical Co., Midland | Vernetzte polyolefinschäume und verfahren zu ihrer herstellung |
| JPH09134909A (ja) * | 1995-11-10 | 1997-05-20 | Hitachi Ltd | 薄膜形成用回転塗布装置、半導体装置、及び薄膜の形成方法 |
| JPH1174261A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリシロキサン塗布膜の製造法及び半導体装置の製造法 |
| EP1018163A1 (de) * | 1997-09-10 | 2000-07-12 | Infineon Technologies AG | Halbleiterbauelement mit einer driftzone |
| JPH11202122A (ja) * | 1998-01-16 | 1999-07-30 | Mitsumura Printing Co Ltd | カラ−フィルター作製法 |
| TW556357B (en) * | 1999-06-28 | 2003-10-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing an electro-optical device |
| JP3636641B2 (ja) * | 1999-08-20 | 2005-04-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置 |
-
2001
- 2001-07-10 JP JP2001209410A patent/JP4290905B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-07-02 TW TW091114593A patent/TWI311658B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-07-08 US US10/189,571 patent/US6617263B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-07-09 CN CNB021413908A patent/CN1198171C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-07-09 KR KR1020020039775A patent/KR100557455B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-07-09 CN CNB2004101006641A patent/CN100351692C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8663488B2 (en) | 2003-09-18 | 2014-03-04 | Gold Charm Limited | Apparatus for processing substrate and method of doing the same |
| US8293128B2 (en) | 2003-09-18 | 2012-10-23 | Nec Corporation | Apparatus for processing substrate and method of doing the same |
| US7468765B2 (en) | 2003-12-03 | 2008-12-23 | Nec Corporation | Electro-optical display device and image projection unit |
| JP2005165047A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Nec Corp | 電気光学装置及び投射型表示装置 |
| JP2005340802A (ja) * | 2004-04-28 | 2005-12-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び表示装置の作製方法 |
| US7586183B2 (en) | 2005-04-19 | 2009-09-08 | Panasonic Corporation | Multilevel semiconductor module and method for fabricating the same |
| JP4720984B2 (ja) * | 2005-05-18 | 2011-07-13 | 日産化学工業株式会社 | 段差を有する基板上に被覆膜を形成する方法 |
| JP2006320807A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Nissan Chem Ind Ltd | 段差を有する基板上に被覆膜を形成する方法 |
| JP2007034218A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2007206686A (ja) * | 2006-02-04 | 2007-08-16 | Samsung Electronics Co Ltd | カラーフィルタ製造方法 |
| JP2008275758A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置用反射板の製造方法、液晶表示装置及び液晶表示装置用アレイ基板 |
| JP2009139568A (ja) * | 2007-12-05 | 2009-06-25 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置 |
| US8563230B2 (en) | 2007-12-17 | 2013-10-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing system |
| US9016231B2 (en) | 2007-12-17 | 2015-04-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method and substrate processing system |
| WO2016158697A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 三井化学株式会社 | 埋め込み平坦化膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
| JPWO2016158697A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2017-09-28 | 三井化学株式会社 | 埋め込み平坦化膜の製造方法及び電子デバイスの製造方法 |
| US10043677B2 (en) | 2015-03-30 | 2018-08-07 | Mitsui Chemicals, Inc. | Method for manufacturing filling planarization film and method for manufacturing electronic device |
| KR101926294B1 (ko) | 2015-03-30 | 2018-12-06 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 매입 평탄화막의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100557455B1 (ko) | 2006-03-07 |
| KR20030007085A (ko) | 2003-01-23 |
| CN1198171C (zh) | 2005-04-20 |
| TWI311658B (en) | 2009-07-01 |
| CN1396487A (zh) | 2003-02-12 |
| CN100351692C (zh) | 2007-11-28 |
| US6617263B2 (en) | 2003-09-09 |
| JP4290905B2 (ja) | 2009-07-08 |
| CN1624553A (zh) | 2005-06-08 |
| US20030012869A1 (en) | 2003-01-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003021827A (ja) | 有機膜の平坦化方法及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2002334830A (ja) | パターン形成方法及びそれを用いた表示装置の製造方法 | |
| KR100326821B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조 방법 | |
| CN105445986B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| US6940578B2 (en) | Method for fabricating liquid crystal display device | |
| KR20070082960A (ko) | 세정제 및 이를 사용한 표시판의 제조 방법 | |
| KR20010111552A (ko) | 패턴형성방법 및 이 방법을 사용한 디스플레이제조방법 | |
| US20110261477A1 (en) | Substrate for display device, method for manufacturing same, and display device | |
| CN108139823B (zh) | 薄膜触控传感器及其制造方法 | |
| JP2013235196A (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US5336535A (en) | Plastic liquid crystal display device | |
| US8673545B2 (en) | Method for manufacturing liquid crystal display device | |
| CN111223911B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| JP4819016B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| CN106990618A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 | |
| JP2002156651A (ja) | パターン形成方法及びそれを用いた反射型液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2009086685A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2003280008A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| CN106449522A (zh) | 显示基板、其制作方法及显示装置 | |
| US11302876B2 (en) | Organic light emitting diode display panel and method of manufacturing same | |
| KR20020096997A (ko) | 액정 디스플레이 장치의 제조 방법 | |
| KR102010959B1 (ko) | 배향막 형성 방법 및 이를 이용한 액정표시장치 제조 방법 | |
| JP2004146690A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| KR101140118B1 (ko) | 액정표시소자의 제조방법 | |
| JP2006209075A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051003 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060929 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070409 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070414 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070831 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071001 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20071106 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080307 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090221 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090402 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120410 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130410 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |