JP2003012710A - 低誘電正接樹脂組成物、その硬化物ならびに該組成物を用いたプリプレグ、積層板及び多層プリント基板 - Google Patents
低誘電正接樹脂組成物、その硬化物ならびに該組成物を用いたプリプレグ、積層板及び多層プリント基板Info
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- JP2003012710A JP2003012710A JP2001201227A JP2001201227A JP2003012710A JP 2003012710 A JP2003012710 A JP 2003012710A JP 2001201227 A JP2001201227 A JP 2001201227A JP 2001201227 A JP2001201227 A JP 2001201227A JP 2003012710 A JP2003012710 A JP 2003012710A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電率及び誘電正接が低く、不揮発性で、溶
解性及び各種樹脂との相溶性に優れ、その上、硬化後の
耐熱性及び柔軟性が良好な架橋剤を含む、樹脂組成物、
その硬化物ならびに該組成物を用いたプリプレグ、積層
板及び多層プリント基板を提供する。 【解決手段】 下式： 【化１】 （式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ1は、同一又は異
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物であって、該樹
脂組成物を１８０℃、１００分で硬化させて得られる硬
化物のガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は該
硬化物の１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上で
ある樹脂組成物、その硬化物ならびに該組成物を用いた
プリプレグ、積層板及び多層プリント基板
解性及び各種樹脂との相溶性に優れ、その上、硬化後の
耐熱性及び柔軟性が良好な架橋剤を含む、樹脂組成物、
その硬化物ならびに該組成物を用いたプリプレグ、積層
板及び多層プリント基板を提供する。 【解決手段】 下式： 【化１】 （式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ1は、同一又は異
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物であって、該樹
脂組成物を１８０℃、１００分で硬化させて得られる硬
化物のガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は該
硬化物の１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上で
ある樹脂組成物、その硬化物ならびに該組成物を用いた
プリプレグ、積層板及び多層プリント基板
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高周波信号に対応す
るための誘電損失の小さなプリント配線板、導体付積層
板、プリプレグならびにそれらを製造するために用いる
低誘電正接樹脂組成物及びその硬化物に関する。
るための誘電損失の小さなプリント配線板、導体付積層
板、プリプレグならびにそれらを製造するために用いる
低誘電正接樹脂組成物及びその硬化物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＰＨＳ、携帯電話等の情報通信機
器の信号帯域、コンピューターのＣＰＵクロックタイム
はＧＨｚ帯に達し、高周波数化が進行している。電気信
号の誘電損失は、回路を形成する絶縁体の比誘電率の平
方根、誘電正接及び使用される信号の周波数の積に比例
する。そのため、使用される信号の周波数が高いほど誘
電損失が大きくなる。誘電損失は電気信号を減衰させて
信号の信頼性を損なうので、これを抑制するために絶縁
体には誘電率及び誘電正接の小さな材料を選定する必要
がある。絶縁体の低誘電率化及び低誘電正接化には分子
構造中の極性基の除去が有効であり、フッ素樹脂、硬化
性ポリオレフィン、シアネートエステル系樹脂、硬化性
ポリフェニレンオキサイド、アリル変性ポリフェニレン
エーテル、ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンで
変性したポリエーテルイミド等が提案されている。
器の信号帯域、コンピューターのＣＰＵクロックタイム
はＧＨｚ帯に達し、高周波数化が進行している。電気信
号の誘電損失は、回路を形成する絶縁体の比誘電率の平
方根、誘電正接及び使用される信号の周波数の積に比例
する。そのため、使用される信号の周波数が高いほど誘
電損失が大きくなる。誘電損失は電気信号を減衰させて
信号の信頼性を損なうので、これを抑制するために絶縁
体には誘電率及び誘電正接の小さな材料を選定する必要
がある。絶縁体の低誘電率化及び低誘電正接化には分子
構造中の極性基の除去が有効であり、フッ素樹脂、硬化
性ポリオレフィン、シアネートエステル系樹脂、硬化性
ポリフェニレンオキサイド、アリル変性ポリフェニレン
エーテル、ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンで
変性したポリエーテルイミド等が提案されている。
【０００３】ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）
に代表されるフッ素樹脂は、誘電率及び誘電正接がとも
に低く、高周波信号を扱う基板材料に使用されている。
しかし、ＰＴＦＥは熱可塑性樹脂であるため、成形加工
時の膨張収縮が大きく、扱いにくい材料であった。ま
た、フッ素樹脂に架橋性及び溶解性を付与する提案も種
々行われているが、それらの材料は総じて高価で、特性
的にはＰＴＦＥに及ばないものが多い。これに対して、
有機溶剤に可溶で取り扱い易い、非フッ素系の低誘電率
で低誘電正接の樹脂が種々検討されてきた。例えば、特
開平８−２０８８５６号記載のポリブタジエン等のジエ
ン系ポリマーをガラスクロスに含浸して過酸化物で硬化
した例；特開平１０−１５８３３７号記載の如く、ノル
ボルネン系付加型重合体にエポキシ基を導入し、硬化性
を付与した環状ポリオレフィンの例；特開平１１−１２
４４９１号記載の如く、シアネートエステル、ジエン系
ポリマー及びエポキシ樹脂を加熱してＢステージ化した
例；特開平９−１１８７５９号記載のポリフェニレンオ
キサイド、ジエン系ポリマー及びトリアリルイソシアネ
ートからなる変性樹脂の例；特開平９−２４６４２９号
記載のアリル化ポリフェニレンエーテル及びトリアリル
イソシアネート等からなる樹脂組成物の例；特開平５−
１５６１５９号記載のポリエーテルイミドと、スチレ
ン、ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンとをアロ
イ化した例；特開平５−７８５５２号記載のジヒドロキ
シ化合物とクロロメチルスチレンからウイリアムソン反
応で合成した、例えばヒドロキノンビス（ビニルベンジ
ル）エーテルとノボラックフェノール樹脂からなる樹脂
組成物の例など多数が挙げられる。前述の例の多くに
は、架橋剤又は架橋助剤としてジビニルベンゼンを含ん
でもよいとの記述があった。これは、ジビニルベンゼン
が構造中に極性基を有しておらず、その硬化物の誘電率
及び誘電正接が低いこと、ならびに熱分解温度が３５０
℃以上と高いことに起因する。しかし、ジビニルベンゼ
ン硬化物は非常に脆いため、硬化時に硬化物にひび割れ
が生じ易いという欠点を有していた。そのため、通常ジ
ビニルベンゼンの添加量は、他の樹脂成分に比べて低く
設定されていた。ジビニルベンゼンを主たる架橋剤に使
用している特開平５−１５６１５９号公報の例でも樹脂
全体の９％程度の添加量である。同公報記載のジビニル
ナフタレンも硬化物の脆さという点ではジビニルベンゼ
ンと同様の問題を有している。また、ジビニルベンゼン
は揮発性を有しているため、硬化する際に揮発してしま
い硬化物の特性コントロールが難しいという欠点を有し
ていた。これに対して、特開平５−７８５５２号公報で
はヒドロキノンビス（ビニルベンジル）エーテル等のビ
ススチレン化合物が不揮発性であり、柔軟性の高い硬化
物を与えることを明らかにしている。しかし、一般的に
アルキレンエーテル基は、アルキレン基及びアリーレン
基に比べて誘電率、誘電正接及び耐熱性の観点で不利で
ある。スチレン基間を結合する構造にはアルキレン基及
びアリーレン基等の炭化水素系の骨格が好ましい。スチ
レン基間をエチレン基で結合した多官能スチレン化合物
の例としては特開平９−２０８６２５号公報記載の１，
２−ビス(ビニルフェニル)エタン、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．
Ｃｈｅｍ．ｖｏｌ．１８７、２３頁（１９８６）記載の
側鎖にビニル基を有するジビニルベンゼンオリゴマーが
ある。しかし、これらの報告では、機械強度、耐熱性、
誘電率又は誘電正接に関する検討はなされていなかっ
た。
に代表されるフッ素樹脂は、誘電率及び誘電正接がとも
に低く、高周波信号を扱う基板材料に使用されている。
しかし、ＰＴＦＥは熱可塑性樹脂であるため、成形加工
時の膨張収縮が大きく、扱いにくい材料であった。ま
た、フッ素樹脂に架橋性及び溶解性を付与する提案も種
々行われているが、それらの材料は総じて高価で、特性
的にはＰＴＦＥに及ばないものが多い。これに対して、
有機溶剤に可溶で取り扱い易い、非フッ素系の低誘電率
で低誘電正接の樹脂が種々検討されてきた。例えば、特
開平８−２０８８５６号記載のポリブタジエン等のジエ
ン系ポリマーをガラスクロスに含浸して過酸化物で硬化
した例；特開平１０−１５８３３７号記載の如く、ノル
ボルネン系付加型重合体にエポキシ基を導入し、硬化性
を付与した環状ポリオレフィンの例；特開平１１−１２
４４９１号記載の如く、シアネートエステル、ジエン系
ポリマー及びエポキシ樹脂を加熱してＢステージ化した
例；特開平９−１１８７５９号記載のポリフェニレンオ
キサイド、ジエン系ポリマー及びトリアリルイソシアネ
ートからなる変性樹脂の例；特開平９−２４６４２９号
記載のアリル化ポリフェニレンエーテル及びトリアリル
イソシアネート等からなる樹脂組成物の例；特開平５−
１５６１５９号記載のポリエーテルイミドと、スチレ
ン、ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンとをアロ
イ化した例；特開平５−７８５５２号記載のジヒドロキ
シ化合物とクロロメチルスチレンからウイリアムソン反
応で合成した、例えばヒドロキノンビス（ビニルベンジ
ル）エーテルとノボラックフェノール樹脂からなる樹脂
組成物の例など多数が挙げられる。前述の例の多くに
は、架橋剤又は架橋助剤としてジビニルベンゼンを含ん
でもよいとの記述があった。これは、ジビニルベンゼン
が構造中に極性基を有しておらず、その硬化物の誘電率
及び誘電正接が低いこと、ならびに熱分解温度が３５０
℃以上と高いことに起因する。しかし、ジビニルベンゼ
ン硬化物は非常に脆いため、硬化時に硬化物にひび割れ
が生じ易いという欠点を有していた。そのため、通常ジ
ビニルベンゼンの添加量は、他の樹脂成分に比べて低く
設定されていた。ジビニルベンゼンを主たる架橋剤に使
用している特開平５−１５６１５９号公報の例でも樹脂
全体の９％程度の添加量である。同公報記載のジビニル
ナフタレンも硬化物の脆さという点ではジビニルベンゼ
ンと同様の問題を有している。また、ジビニルベンゼン
は揮発性を有しているため、硬化する際に揮発してしま
い硬化物の特性コントロールが難しいという欠点を有し
ていた。これに対して、特開平５−７８５５２号公報で
はヒドロキノンビス（ビニルベンジル）エーテル等のビ
ススチレン化合物が不揮発性であり、柔軟性の高い硬化
物を与えることを明らかにしている。しかし、一般的に
アルキレンエーテル基は、アルキレン基及びアリーレン
基に比べて誘電率、誘電正接及び耐熱性の観点で不利で
ある。スチレン基間を結合する構造にはアルキレン基及
びアリーレン基等の炭化水素系の骨格が好ましい。スチ
レン基間をエチレン基で結合した多官能スチレン化合物
の例としては特開平９−２０８６２５号公報記載の１，
２−ビス(ビニルフェニル)エタン、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．
Ｃｈｅｍ．ｖｏｌ．１８７、２３頁（１９８６）記載の
側鎖にビニル基を有するジビニルベンゼンオリゴマーが
ある。しかし、これらの報告では、機械強度、耐熱性、
誘電率又は誘電正接に関する検討はなされていなかっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来、それを含む組成
物の硬化後の誘電率及び誘電正接を低いものとしうる架
橋剤として使用されていたジビニルベンゼンは、揮発性
であること、及びその硬化物が脆いこと等の欠点を有し
ていた。本発明の目的は、誘電率及び誘電正接が低く、
不揮発性で、溶解性及び各種樹脂との相溶性に優れ、そ
の上、硬化後の耐熱性及び柔軟性が良好な架橋剤を含
む、樹脂組成物、その硬化物ならびに該組成物を用いた
プリプレグ、積層板及び多層プリント基板を提供するこ
とにある。
物の硬化後の誘電率及び誘電正接を低いものとしうる架
橋剤として使用されていたジビニルベンゼンは、揮発性
であること、及びその硬化物が脆いこと等の欠点を有し
ていた。本発明の目的は、誘電率及び誘電正接が低く、
不揮発性で、溶解性及び各種樹脂との相溶性に優れ、そ
の上、硬化後の耐熱性及び柔軟性が良好な架橋剤を含
む、樹脂組成物、その硬化物ならびに該組成物を用いた
プリプレグ、積層板及び多層プリント基板を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、以下の発明を
包含する。 （１）下記一般式：
包含する。 （１）下記一般式：
【化３】
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ1は、同一又は異
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物であって、該樹
脂組成物を１８０℃、１００分で硬化させて得られる硬
化物のガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は該
硬化物の１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上で
ある樹脂組成物。 （２）スチレン基を重合しうる硬化触媒及びスチレン基
の重合を抑制しうる重合禁止剤の少なくとも一方を更に
含有する前記（１）に記載の組成物。 （３）前記架橋成分及び高分子量体の合計１００重量部
に対して、前記硬化触媒の添加量が０．０００５〜１０
重量部であり、前記重合禁止剤の添加量が０．０００５
〜５重量部である前記（２）に記載の組成物。 （４）前記高分子量体のガラス転移温度が１７０℃以上
である前記（１）〜（３）のいずれかに記載の組成物。 （５）前記高分子量体が、ブタジエン、イソプレン、ス
チレン、メチルスチレン、エチルスチレン、ジビニルベ
ンゼン、アクリル酸エステル、アクリロニトリル、Ｎ−
フェニルマレイミド及びＮ−ビニルフェニルマレイミド
の少なくとも一種からなる重合体、置換基を有していて
もよいポリフェニレンオキサイド、ならびに脂環式構造
を有するポリオレフィンからなる群から選ばれる少なく
とも一種の樹脂である前記（１）〜（４）のいずれかに
記載の組成物。 （６）下記一般式：
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物であって、該樹
脂組成物を１８０℃、１００分で硬化させて得られる硬
化物のガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は該
硬化物の１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上で
ある樹脂組成物。 （２）スチレン基を重合しうる硬化触媒及びスチレン基
の重合を抑制しうる重合禁止剤の少なくとも一方を更に
含有する前記（１）に記載の組成物。 （３）前記架橋成分及び高分子量体の合計１００重量部
に対して、前記硬化触媒の添加量が０．０００５〜１０
重量部であり、前記重合禁止剤の添加量が０．０００５
〜５重量部である前記（２）に記載の組成物。 （４）前記高分子量体のガラス転移温度が１７０℃以上
である前記（１）〜（３）のいずれかに記載の組成物。 （５）前記高分子量体が、ブタジエン、イソプレン、ス
チレン、メチルスチレン、エチルスチレン、ジビニルベ
ンゼン、アクリル酸エステル、アクリロニトリル、Ｎ−
フェニルマレイミド及びＮ−ビニルフェニルマレイミド
の少なくとも一種からなる重合体、置換基を有していて
もよいポリフェニレンオキサイド、ならびに脂環式構造
を有するポリオレフィンからなる群から選ばれる少なく
とも一種の樹脂である前記（１）〜（４）のいずれかに
記載の組成物。 （６）下記一般式：
【化４】
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ1は、同一又は異
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物を硬化させて得
られる硬化物であって、ガラス転移温度が１７０℃以上
であるか、又は１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ
以上である硬化物。 （７）前記（１）〜（５）のいずれかに記載の組成物の
硬化物。 （８）前記（１）〜（５）のいずれかに記載の組成物
を、有機又は無機のクロス又は不織布に含浸させ、乾燥
させてなるプリプレグ。 （９）前記（８）に記載のプリプレグの硬化物。 （１０）前記（８）に記載のプリプレグ又はその硬化物
の両面又は片面に導体層が設置されてなる積層板。 （１１）前記（１０）に記載の積層板の導体層に配線加
工を施した後、プリプレグを介して該積層板を積層接着
してなる多層プリント基板。
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物を硬化させて得
られる硬化物であって、ガラス転移温度が１７０℃以上
であるか、又は１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ
以上である硬化物。 （７）前記（１）〜（５）のいずれかに記載の組成物の
硬化物。 （８）前記（１）〜（５）のいずれかに記載の組成物
を、有機又は無機のクロス又は不織布に含浸させ、乾燥
させてなるプリプレグ。 （９）前記（８）に記載のプリプレグの硬化物。 （１０）前記（８）に記載のプリプレグ又はその硬化物
の両面又は片面に導体層が設置されてなる積層板。 （１１）前記（１０）に記載の積層板の導体層に配線加
工を施した後、プリプレグを介して該積層板を積層接着
してなる多層プリント基板。
【０００６】(作用)ジビニルベンゼンの硬化物の耐熱性
が高く、その誘電率及び誘電正接が低いことはすでに述
べた。本発明により、スチレン基を複数有する重量平均
分子量が１０００以下で不揮発性の炭化水素骨格の架橋
成分と、高分子量体とを含有する樹脂組成物が、硬化時
にひび割れせず、誘電率及び誘電正接が低い硬化物を与
えることが明らかとなった。スチレン基間をアルキレン
基のような柔軟な炭化水素骨格で結合しているため、硬
化時のひび割れが生じないものである。また、硬化後の
ガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は硬化後の
１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上である低誘
電正接樹脂組成物は、金ワイヤボンディング、はんだ付
等の高温での加工プロセスにおいて変形が小さいので、
マルチチップモジュール、多層プリント基板等の電子部
品のための絶縁材料に適する。
が高く、その誘電率及び誘電正接が低いことはすでに述
べた。本発明により、スチレン基を複数有する重量平均
分子量が１０００以下で不揮発性の炭化水素骨格の架橋
成分と、高分子量体とを含有する樹脂組成物が、硬化時
にひび割れせず、誘電率及び誘電正接が低い硬化物を与
えることが明らかとなった。スチレン基間をアルキレン
基のような柔軟な炭化水素骨格で結合しているため、硬
化時のひび割れが生じないものである。また、硬化後の
ガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は硬化後の
１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上である低誘
電正接樹脂組成物は、金ワイヤボンディング、はんだ付
等の高温での加工プロセスにおいて変形が小さいので、
マルチチップモジュール、多層プリント基板等の電子部
品のための絶縁材料に適する。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂組成物及びその硬化
物について説明する。本発明の樹脂組成物は、下記一般
式：
物について説明する。本発明の樹脂組成物は、下記一般
式：
【化５】
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ1は、同一又は異
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物であって、該樹
脂組成物を１８０℃、１００分で硬化させて得られる硬
化物のガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は該
硬化物の１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上で
ある樹脂組成物であり、前記硬化物のガラス転移温度が
１７０〜３００℃であるか、又は該硬化物の１７０℃に
おける弾性率が５００〜３０００ＭＰａであることが好
ましい。
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物であって、該樹
脂組成物を１８０℃、１００分で硬化させて得られる硬
化物のガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は該
硬化物の１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上で
ある樹脂組成物であり、前記硬化物のガラス転移温度が
１７０〜３００℃であるか、又は該硬化物の１７０℃に
おける弾性率が５００〜３０００ＭＰａであることが好
ましい。
【０００８】本発明の硬化物は、前記架橋成分と、高分
子量体とを含有する樹脂組成物を硬化させて得られる硬
化物であって、ガラス転移温度が１７０℃以上である
か、又は１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上で
ある硬化物であり、ガラス転移温度が１７０〜３００℃
であるか、又は１７０℃における弾性率が５００〜３０
００ＭＰａであることが好ましい。
子量体とを含有する樹脂組成物を硬化させて得られる硬
化物であって、ガラス転移温度が１７０℃以上である
か、又は１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上で
ある硬化物であり、ガラス転移温度が１７０〜３００℃
であるか、又は１７０℃における弾性率が５００〜３０
００ＭＰａであることが好ましい。
【０００９】なお、本明細書中において、ガラス転移温
度とは、昇温速度５℃／分の条件で動的粘弾性特性を観
測した際に、損失弾性率と貯蔵弾性率の比であるｔａｎ
δがピークとなる温度を示すものであり、弾性率とは同
条件で測定した１７０℃における弾性率を示すものであ
る。誘電率及び誘電正接が低く、ガラス転移温度が高
く、高温下における弾性率が高い本発明の樹脂組成物の
硬化物を絶縁層に使用するプリント基板を使用すること
により、電気信号の誘電損失を低く押さえ、かつ金ワイ
ヤボンディング、ハンダ付等の高温での加工プロセスに
おける変形を抑制することができる。
度とは、昇温速度５℃／分の条件で動的粘弾性特性を観
測した際に、損失弾性率と貯蔵弾性率の比であるｔａｎ
δがピークとなる温度を示すものであり、弾性率とは同
条件で測定した１７０℃における弾性率を示すものであ
る。誘電率及び誘電正接が低く、ガラス転移温度が高
く、高温下における弾性率が高い本発明の樹脂組成物の
硬化物を絶縁層に使用するプリント基板を使用すること
により、電気信号の誘電損失を低く押さえ、かつ金ワイ
ヤボンディング、ハンダ付等の高温での加工プロセスに
おける変形を抑制することができる。
【００１０】前記式において、Ｒで表される炭化水素骨
格は、該架橋成分の重量平均分子量が１０００以下とな
るものであれば特に制限はない。即ち、Ｒで表される炭
化水素骨格は、スチレン基における置換基、Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3及びＲ4の有無及びその大きさ、ｍ及びｎの数に応じ
て適宜選択することができるが、一般には炭素数１〜６
０であり、好ましくは炭素数２〜３０である。Ｒで表さ
れる炭化水素骨格は、直鎖状又は分枝状のいずれでもよ
く、また、脂環式構造、芳香族環構造等の環構造を１つ
以上含んでいてもよく、更に、ビニレン、エチニレン等
の不飽和結合を含んでいてもよい。
格は、該架橋成分の重量平均分子量が１０００以下とな
るものであれば特に制限はない。即ち、Ｒで表される炭
化水素骨格は、スチレン基における置換基、Ｒ1、Ｒ2、
Ｒ3及びＲ4の有無及びその大きさ、ｍ及びｎの数に応じ
て適宜選択することができるが、一般には炭素数１〜６
０であり、好ましくは炭素数２〜３０である。Ｒで表さ
れる炭化水素骨格は、直鎖状又は分枝状のいずれでもよ
く、また、脂環式構造、芳香族環構造等の環構造を１つ
以上含んでいてもよく、更に、ビニレン、エチニレン等
の不飽和結合を含んでいてもよい。
【００１１】Ｒで表される炭化水素骨格としては、例え
ば、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、メチル
トリメチレン、メチルテトラメチレン、ペンタメチレ
ン、メチルペンタメチレン、シクロペンチレン、シクロ
ヘキシレン、フェニレン、フェニレンジエチレン、キシ
リレン、１−フェニレン−３−メチルプロペニレン等が
挙げられる。
ば、エチレン、トリメチレン、テトラメチレン、メチル
トリメチレン、メチルテトラメチレン、ペンタメチレ
ン、メチルペンタメチレン、シクロペンチレン、シクロ
ヘキシレン、フェニレン、フェニレンジエチレン、キシ
リレン、１−フェニレン−３−メチルプロペニレン等が
挙げられる。
【００１２】前記式において、Ｒ1で表される炭化水素
基としては、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１
０の、直鎖状もしくは分枝状のアルキル基、例えばメチ
ル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチ
ル、イソブチル、ｓ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、デ
シル、エイコシル；炭素数２〜２０、好ましくは炭素数
２〜１０の、直鎖状もしくは分枝状のアルケニル基、例
えばビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、２−メ
チルアリル；アリール基、例えばフェニル、ナフチル、
ベンジル、フェネチル、スチリル、シンナミルが挙げら
れる。
基としては、炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜１
０の、直鎖状もしくは分枝状のアルキル基、例えばメチ
ル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチ
ル、イソブチル、ｓ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、デ
シル、エイコシル；炭素数２〜２０、好ましくは炭素数
２〜１０の、直鎖状もしくは分枝状のアルケニル基、例
えばビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、２−メ
チルアリル；アリール基、例えばフェニル、ナフチル、
ベンジル、フェネチル、スチリル、シンナミルが挙げら
れる。
【００１３】前記式において、ｎが２以上の整数である
ことからＲ1は複数存在し、ｍが２〜４の整数である場
合も、Ｒ1は複数存在するが、そのような複数存在する
Ｒ1は同一でも異なっていてもよく、その結合位置も同
一でも異なっていてもよい。前記式において、Ｒ2、Ｒ3
又はＲ4で表されるアルキル基としては、炭素数１〜６
の直鎖状もしくは分枝状のアルキル基、例えばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イ
ソブチル、ヘキシルが挙げられる。前記式において、置
換されていてもよいビニル基［（Ｒ3）（Ｒ4）Ｃ＝Ｃ
（Ｒ 2）−］は、ベンゼン環上、Ｒに対して、好ましく
はメタ位又はパラ位に存在する。
ことからＲ1は複数存在し、ｍが２〜４の整数である場
合も、Ｒ1は複数存在するが、そのような複数存在する
Ｒ1は同一でも異なっていてもよく、その結合位置も同
一でも異なっていてもよい。前記式において、Ｒ2、Ｒ3
又はＲ4で表されるアルキル基としては、炭素数１〜６
の直鎖状もしくは分枝状のアルキル基、例えばメチル、
エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イ
ソブチル、ヘキシルが挙げられる。前記式において、置
換されていてもよいビニル基［（Ｒ3）（Ｒ4）Ｃ＝Ｃ
（Ｒ 2）−］は、ベンゼン環上、Ｒに対して、好ましく
はメタ位又はパラ位に存在する。
【００１４】本発明に用いる架橋成分としては、複数の
（置換されていてもよい）スチレン基を有する重量平均
分子量１０００以下の多官能性モノマーが好ましい。ス
チレン基は反応性が高く、誘電率及び誘電正接が非常に
低い。架橋成分の骨格には誘電率及び誘電正接の観点か
ら炭化水素骨格を採用することが好ましい。これによっ
て、スチレン基の低誘電率性及び低誘電正接性を損なう
ことなく、該架橋成分に不揮発性及び柔軟性を付与する
ことができる。また、重量平均分子量１０００以下の架
橋成分を選択することによって、比較的低い温度で溶融
流動性を示し、有機溶媒への溶解性もよくなるため、成
形加工及びワニス化が容易になる。架橋成分の重量平均
分子量が大きすぎると、溶融流動性が低くなり、成形加
工の際に架橋が生じて成形不良となる場合がある。該架
橋成分の重量平均分子量は１０００以下であれば制限は
ないが、好ましくは２００〜５００である。
（置換されていてもよい）スチレン基を有する重量平均
分子量１０００以下の多官能性モノマーが好ましい。ス
チレン基は反応性が高く、誘電率及び誘電正接が非常に
低い。架橋成分の骨格には誘電率及び誘電正接の観点か
ら炭化水素骨格を採用することが好ましい。これによっ
て、スチレン基の低誘電率性及び低誘電正接性を損なう
ことなく、該架橋成分に不揮発性及び柔軟性を付与する
ことができる。また、重量平均分子量１０００以下の架
橋成分を選択することによって、比較的低い温度で溶融
流動性を示し、有機溶媒への溶解性もよくなるため、成
形加工及びワニス化が容易になる。架橋成分の重量平均
分子量が大きすぎると、溶融流動性が低くなり、成形加
工の際に架橋が生じて成形不良となる場合がある。該架
橋成分の重量平均分子量は１０００以下であれば制限は
ないが、好ましくは２００〜５００である。
【００１５】架橋成分の好ましい例としては、１，２−
ビス（ｐ−ビニルフェニル）エタン、１，２−ビス（ｍ
−ビニルフェニル）エタン、１−（ｐ−ビニルフェニ
ル）−２−（ｍ−ビニルフェニル）エタン、１，４−ビ
ス（ｐ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１，４−ビ
ス（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１，３−ビ
ス（ｐ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１，３−ビ
ス（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１−（ｐ−
ビニルフェニルエチル）−４−（ｍ−ビニルフェニルエ
チル）ベンゼン、１−（ｐ−ビニルフェニルエチル）−
３−（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン及び側鎖に
ビニル基を有するジビニルベンゼン重合体（オリゴマ
ー）等が挙げられる。これらの架橋成分は２種以上組み
合わせて使用することもできる。
ビス（ｐ−ビニルフェニル）エタン、１，２−ビス（ｍ
−ビニルフェニル）エタン、１−（ｐ−ビニルフェニ
ル）−２−（ｍ−ビニルフェニル）エタン、１，４−ビ
ス（ｐ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１，４−ビ
ス（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１，３−ビ
ス（ｐ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１，３−ビ
ス（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン、１−（ｐ−
ビニルフェニルエチル）−４−（ｍ−ビニルフェニルエ
チル）ベンゼン、１−（ｐ−ビニルフェニルエチル）−
３−（ｍ−ビニルフェニルエチル）ベンゼン及び側鎖に
ビニル基を有するジビニルベンゼン重合体（オリゴマ
ー）等が挙げられる。これらの架橋成分は２種以上組み
合わせて使用することもできる。
【００１６】本発明に好ましく用いられる架橋成分の合
成方法としては、特開平１１−６０５１９号公報に記載
の方法で合成されたハロゲノアルキルスチレンをグリニ
ャール反応によって種々のハロゲン化物とカップリング
する方法、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．ｖｏｌ．１８
７、２３頁（１９８６）記載の側鎖にビニル基を有する
ジビニルベンゼンオリゴマーの合成方法が挙げられる
が、これらに限定されない。このようにして得られた架
橋成分は、特に硬化触媒を添加しなくとも１８０℃以下
の比較的低い温度で架橋し、耐熱性が高く、誘電率及び
誘電正接の低い硬化物を与える。しかし、該架橋成分を
高分子量体と組み合わせずに単独で使用した場合には、
プリプレグ化した際のタックフリー性が得られない場合
や、また、硬化後に十分な機械強度を得られない場合が
ある。
成方法としては、特開平１１−６０５１９号公報に記載
の方法で合成されたハロゲノアルキルスチレンをグリニ
ャール反応によって種々のハロゲン化物とカップリング
する方法、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．ｖｏｌ．１８
７、２３頁（１９８６）記載の側鎖にビニル基を有する
ジビニルベンゼンオリゴマーの合成方法が挙げられる
が、これらに限定されない。このようにして得られた架
橋成分は、特に硬化触媒を添加しなくとも１８０℃以下
の比較的低い温度で架橋し、耐熱性が高く、誘電率及び
誘電正接の低い硬化物を与える。しかし、該架橋成分を
高分子量体と組み合わせずに単独で使用した場合には、
プリプレグ化した際のタックフリー性が得られない場合
や、また、硬化後に十分な機械強度を得られない場合が
ある。
【００１７】本発明では前述の架橋成分と高分子量体と
を組み合わせることによって、タックフリー性及び硬化
物の機械強度の向上を図ることを特徴としている。本発
明に使用される高分子量体は、そのガラス転移温度が１
７０℃以上であるか、又は１７０℃における弾性率が５
００ＭＰａ以上であり、かつワニス化が容易な可溶性ポ
リマーであることが好ましく、ガラス転移温度が１７０
〜３００℃であるか、又は１７０℃における弾性率が５
００〜３０００ＭＰａであることが更に好ましい。高分
子量体が硬化性を有する場合には、硬化後のガラス転移
温度が１７０℃以上であるか又は１７０℃における弾性
率が５００ＭＰａ以上であることが好ましく、硬化後の
ガラス転移温度が１７０〜３００℃であるか又は１７０
℃における弾性率が５００〜３０００ＭＰａであること
が更に好ましい。このような高分子量体の具体的な例と
しては、ブタジエン、イソプレン、スチレン、メチルス
チレン、エチルスチレン、ジビニルベンゼン、アクリル
酸エステル（例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸ブ
チル、アクリル酸フェニルなど）、アクリロニトリル及
びＮ−フェニルマレイミドから選択される単量体とＮ−
ビニルフェニルマレイミドとの共重合体、置換基を有し
ていてもよいポリフェニレンオキサイドならびに脂環式
構造を有するポリオレフィン等が挙げられるが、これら
に限定されない。本発明に用いる架橋成分は殆どの有機
溶媒に可溶であるため、種々の高分子量体と混合し、均
一なワニスを得ることができる。前記有機溶媒として
は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン等のケトン類、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジエチル
エーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル類、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール等のアルコール類等が挙げら
れ、これらの有機溶剤は単独で、又は２種以上混合して
用いることができる。ブタジエン、イソプレン及びアク
リル酸エステルなどのゴム状成分は、それを含む樹脂組
成物の硬化物に柔軟性及び接着性を付与し、かつ塗膜に
平滑性を付与する。スチレン、エチルスチレン及び／又
はアクリロニトリルは、先のゴム状成分と共重合するこ
とによって、その硬化物の耐熱性を向上させる働きを有
する。ジビニルベンゼン及び／又はＮ−ビニルフェニル
マレイミドを用い、公知のイオン重合法によって、側鎖
に官能基を有する高分子量体を合成することができる。
特にＮ−ビニルフェニルマレイミドは、アニオン重合に
よってマレイミド基のみが、カチオン重合によってスチ
レン基のみが重合するため、各種単量体との共重合が容
易であり、その共重合体のガラス転移温度は高い。ま
た、側鎖に官能基を有する高分子量体は、前記架橋成分
と反応するため、該高分子量体と架橋成分とを含む樹脂
組成物は硬化後の相分離がおさえられ、強固な硬化物を
与える。ポリフェニレンオキサイド及び脂環式構造を有
するポリオレフィンは耐熱性ポリマーであり、前記架橋
成分とアロイ化することによって、硬化物に柔軟性及び
接着性を付与し、その機械強度を向上させることができ
る。これらの高分子量体は単独で用いても、複合して用
いてもよい。例えば、ポリフェニレンオキサイドとポリ
ブタジエンとを組合せるのが好ましい。
を組み合わせることによって、タックフリー性及び硬化
物の機械強度の向上を図ることを特徴としている。本発
明に使用される高分子量体は、そのガラス転移温度が１
７０℃以上であるか、又は１７０℃における弾性率が５
００ＭＰａ以上であり、かつワニス化が容易な可溶性ポ
リマーであることが好ましく、ガラス転移温度が１７０
〜３００℃であるか、又は１７０℃における弾性率が５
００〜３０００ＭＰａであることが更に好ましい。高分
子量体が硬化性を有する場合には、硬化後のガラス転移
温度が１７０℃以上であるか又は１７０℃における弾性
率が５００ＭＰａ以上であることが好ましく、硬化後の
ガラス転移温度が１７０〜３００℃であるか又は１７０
℃における弾性率が５００〜３０００ＭＰａであること
が更に好ましい。このような高分子量体の具体的な例と
しては、ブタジエン、イソプレン、スチレン、メチルス
チレン、エチルスチレン、ジビニルベンゼン、アクリル
酸エステル（例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸ブ
チル、アクリル酸フェニルなど）、アクリロニトリル及
びＮ−フェニルマレイミドから選択される単量体とＮ−
ビニルフェニルマレイミドとの共重合体、置換基を有し
ていてもよいポリフェニレンオキサイドならびに脂環式
構造を有するポリオレフィン等が挙げられるが、これら
に限定されない。本発明に用いる架橋成分は殆どの有機
溶媒に可溶であるため、種々の高分子量体と混合し、均
一なワニスを得ることができる。前記有機溶媒として
は、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
ソブチルケトン等のケトン類、トルエン、キシレン等の
芳香族炭化水素類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジエチル
エーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プ
ロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン等のエーテル類、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール等のアルコール類等が挙げら
れ、これらの有機溶剤は単独で、又は２種以上混合して
用いることができる。ブタジエン、イソプレン及びアク
リル酸エステルなどのゴム状成分は、それを含む樹脂組
成物の硬化物に柔軟性及び接着性を付与し、かつ塗膜に
平滑性を付与する。スチレン、エチルスチレン及び／又
はアクリロニトリルは、先のゴム状成分と共重合するこ
とによって、その硬化物の耐熱性を向上させる働きを有
する。ジビニルベンゼン及び／又はＮ−ビニルフェニル
マレイミドを用い、公知のイオン重合法によって、側鎖
に官能基を有する高分子量体を合成することができる。
特にＮ−ビニルフェニルマレイミドは、アニオン重合に
よってマレイミド基のみが、カチオン重合によってスチ
レン基のみが重合するため、各種単量体との共重合が容
易であり、その共重合体のガラス転移温度は高い。ま
た、側鎖に官能基を有する高分子量体は、前記架橋成分
と反応するため、該高分子量体と架橋成分とを含む樹脂
組成物は硬化後の相分離がおさえられ、強固な硬化物を
与える。ポリフェニレンオキサイド及び脂環式構造を有
するポリオレフィンは耐熱性ポリマーであり、前記架橋
成分とアロイ化することによって、硬化物に柔軟性及び
接着性を付与し、その機械強度を向上させることができ
る。これらの高分子量体は単独で用いても、複合して用
いてもよい。例えば、ポリフェニレンオキサイドとポリ
ブタジエンとを組合せるのが好ましい。
【００１８】本発明の組成物には、その硬化物の機械強
度の向上、熱膨張係数の低減、誘電率の調整、軽量化又
は表面粗化によるめっき配線との接着力の向上等の目的
のために充填剤を添加することができる。機械強度の向
上のためには、硼酸アルミニウムウィスカー又はカーボ
ン繊維等の繊維状の充填剤を添加することが好ましい。
熱膨張係数の低減のためには、酸化珪素等の粒径の異な
る球状充填剤を高い割合で充填することが好ましい。誘
電率の調整においては、誘電率の高い酸化チタンを添加
して誘電率を高めるか、又は誘電率の低い硼珪酸ガラス
バルーンを添加することによって誘電率を低減させるの
が好ましい。表面粗化のためには、炭酸カルシウム、水
酸化マグネシウムのような、アルカリ水溶液に可溶な充
填剤を添加することが好ましい。これら充填剤は単独で
も又は複合して用いてもよい。
度の向上、熱膨張係数の低減、誘電率の調整、軽量化又
は表面粗化によるめっき配線との接着力の向上等の目的
のために充填剤を添加することができる。機械強度の向
上のためには、硼酸アルミニウムウィスカー又はカーボ
ン繊維等の繊維状の充填剤を添加することが好ましい。
熱膨張係数の低減のためには、酸化珪素等の粒径の異な
る球状充填剤を高い割合で充填することが好ましい。誘
電率の調整においては、誘電率の高い酸化チタンを添加
して誘電率を高めるか、又は誘電率の低い硼珪酸ガラス
バルーンを添加することによって誘電率を低減させるの
が好ましい。表面粗化のためには、炭酸カルシウム、水
酸化マグネシウムのような、アルカリ水溶液に可溶な充
填剤を添加することが好ましい。これら充填剤は単独で
も又は複合して用いてもよい。
【００１９】本発明の樹脂組成物に含まれる架橋成分、
高分子量体及び充填剤の添加量に関しては特に制限はな
いが、架橋成分が５〜９５重量部、高分子量体が９５〜
５重量部、充填剤が７０〜５重量部の範囲で添加するの
が好ましい。前記組成範囲内で、成膜性の付与、強度の
向上、熱膨張係数の低減、誘電率の調整、軽量化及び表
面粗化によるめっき配線との接着力の向上等の目的に応
じて組成を調整することができる。より好ましい組成と
しては、架橋成分が５０〜９５重量部、高分子量体が５
０〜５重量部、充填剤が７０〜５重量部であり、更に好
ましい組成としては、架橋成分が５０〜８０重量部、高
分子量体が５０〜２０重量部、充填剤が７０〜５重量部
であり、この組成範囲により架橋性の官能基を持たない
高分子量体を用いた場合にもその硬化物の耐溶剤性が保
たれる。
高分子量体及び充填剤の添加量に関しては特に制限はな
いが、架橋成分が５〜９５重量部、高分子量体が９５〜
５重量部、充填剤が７０〜５重量部の範囲で添加するの
が好ましい。前記組成範囲内で、成膜性の付与、強度の
向上、熱膨張係数の低減、誘電率の調整、軽量化及び表
面粗化によるめっき配線との接着力の向上等の目的に応
じて組成を調整することができる。より好ましい組成と
しては、架橋成分が５０〜９５重量部、高分子量体が５
０〜５重量部、充填剤が７０〜５重量部であり、更に好
ましい組成としては、架橋成分が５０〜８０重量部、高
分子量体が５０〜２０重量部、充填剤が７０〜５重量部
であり、この組成範囲により架橋性の官能基を持たない
高分子量体を用いた場合にもその硬化物の耐溶剤性が保
たれる。
【００２０】本発明の樹脂組成物は硬化触媒を添加しな
くとも加熱のみによって硬化することができるが、硬化
効率の向上を目的として、スチレン基を重合しうる硬化
触媒を添加することができる。その添加量には特に制限
はないが、硬化触媒の残基が誘電特性に悪影響を与える
恐れがあるので、前記架橋成分及び高分子量体の合計１
００重量部に対して、０．０００５〜１０重量部とする
ことが望ましい。硬化触媒を前記範囲で添加することに
より、スチレン基の重合反応が促進され、低温で強固な
硬化物を得ることができる。スチレン基の重合を開始し
うるカチオン又はラジカル活性種を、熱又は光によって
生成する硬化触媒の例を以下に示す。カチオン重合開始
剤としては、ＢＦ4、ＰＦ6、ＡｓＦ6、ＳｂＦ6を対アニ
オンとするジアリルヨードニウム塩、トリアリルスルホ
ニウム塩及び脂肪族スルホニウム塩が挙げられ、旭電化
工業製ＳＰ−７０、１７２、ＣＰ−６６、日本曹達製Ｃ
Ｉ−２８５５、２８２３、三新化学工業製ＳＩ−１００
Ｌ及びＳＩ−１５０Ｌ等の市販品を使用することができ
る。ラジカル重合開始剤としては、ベンゾイン及びベン
ゾインメチルのようなベンゾイン系化合物、アセトフェ
ノン及び２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェ
ノンのようなアセトフェノン系化合物、チオキサントン
及び２，４−ジエチルチオキサントンのようなチオキサ
ンソン系化合物、４，４’−ジアジドカルコン、２，６
−ビス（４’−アジドベンザル）シクロヘキサノン及び
４，４’−ジアジドベンゾフェノンのようなビスアジド
化合物、アゾビスイソブチルニトリル、２、２−アゾビ
スプロパン、ｍ，ｍ’−アゾキシスチレン及びヒドラゾ
ンのようなアゾ化合物、ならびに２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン及び２，
５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘ
キシン−３、ジクミルパーオキシドのような有機過酸化
物等が挙げられる。特に、官能基を持たない化合物の水
素引き抜きを生じさせ、架橋成分と高分子量体間の架橋
をもたらしうる有機過酸化物又はビスアジド化合物を添
加することが望ましい。
くとも加熱のみによって硬化することができるが、硬化
効率の向上を目的として、スチレン基を重合しうる硬化
触媒を添加することができる。その添加量には特に制限
はないが、硬化触媒の残基が誘電特性に悪影響を与える
恐れがあるので、前記架橋成分及び高分子量体の合計１
００重量部に対して、０．０００５〜１０重量部とする
ことが望ましい。硬化触媒を前記範囲で添加することに
より、スチレン基の重合反応が促進され、低温で強固な
硬化物を得ることができる。スチレン基の重合を開始し
うるカチオン又はラジカル活性種を、熱又は光によって
生成する硬化触媒の例を以下に示す。カチオン重合開始
剤としては、ＢＦ4、ＰＦ6、ＡｓＦ6、ＳｂＦ6を対アニ
オンとするジアリルヨードニウム塩、トリアリルスルホ
ニウム塩及び脂肪族スルホニウム塩が挙げられ、旭電化
工業製ＳＰ−７０、１７２、ＣＰ−６６、日本曹達製Ｃ
Ｉ−２８５５、２８２３、三新化学工業製ＳＩ−１００
Ｌ及びＳＩ−１５０Ｌ等の市販品を使用することができ
る。ラジカル重合開始剤としては、ベンゾイン及びベン
ゾインメチルのようなベンゾイン系化合物、アセトフェ
ノン及び２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェ
ノンのようなアセトフェノン系化合物、チオキサントン
及び２，４−ジエチルチオキサントンのようなチオキサ
ンソン系化合物、４，４’−ジアジドカルコン、２，６
−ビス（４’−アジドベンザル）シクロヘキサノン及び
４，４’−ジアジドベンゾフェノンのようなビスアジド
化合物、アゾビスイソブチルニトリル、２、２−アゾビ
スプロパン、ｍ，ｍ’−アゾキシスチレン及びヒドラゾ
ンのようなアゾ化合物、ならびに２，５−ジメチル−
２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン及び２，
５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘ
キシン−３、ジクミルパーオキシドのような有機過酸化
物等が挙げられる。特に、官能基を持たない化合物の水
素引き抜きを生じさせ、架橋成分と高分子量体間の架橋
をもたらしうる有機過酸化物又はビスアジド化合物を添
加することが望ましい。
【００２１】本発明の樹脂組成物には、保存安定性を増
すために重合禁止剤を添加することもできる。その添加
量は、誘電特性、硬化時の反応性を著しく阻害しないよ
うな範囲であることが好ましく、前記架橋成分及び高分
子量体の合計１００重量部に対して、０．０００５〜５
重量部とすることが望ましい。重合禁止剤を前記範囲で
添加すると、保存時の余計な架橋反応を抑制することが
でき、また、硬化時に著しい硬化障害をもたらすことも
ない。重合禁止剤の例としては、ハイドロキノン、ｐ−
ベンゾキノン、クロラニル、トリメチルキノン、４−ｔ
−ブチルピロカテコール等のキノン類及び芳香族ジオー
ル類が挙げられる。
すために重合禁止剤を添加することもできる。その添加
量は、誘電特性、硬化時の反応性を著しく阻害しないよ
うな範囲であることが好ましく、前記架橋成分及び高分
子量体の合計１００重量部に対して、０．０００５〜５
重量部とすることが望ましい。重合禁止剤を前記範囲で
添加すると、保存時の余計な架橋反応を抑制することが
でき、また、硬化時に著しい硬化障害をもたらすことも
ない。重合禁止剤の例としては、ハイドロキノン、ｐ−
ベンゾキノン、クロラニル、トリメチルキノン、４−ｔ
−ブチルピロカテコール等のキノン類及び芳香族ジオー
ル類が挙げられる。
【００２２】本発明の樹脂組成物は、有機又は無機のク
ロス又は不織布に含浸し、乾燥させることによりプリプ
レグとして用いることができる。プリプレグの基材につ
いては特に制限はなく、各種ガラスクロス、ガラス不織
布、アラミド不織布及び多孔質ＰＴＦＥ等を用いること
ができる。プリプレグは、樹脂組成物を用いて作製した
ワニスに、基材となるクロス又は不織布を浸し、その後
これを乾燥することにより作製される。含浸後の乾燥条
件は樹脂組成物によるが、例えば溶媒としてトルエンを
使用した場合は、８０〜１３０℃で３０〜９０分程度乾
燥するのが好ましい。
ロス又は不織布に含浸し、乾燥させることによりプリプ
レグとして用いることができる。プリプレグの基材につ
いては特に制限はなく、各種ガラスクロス、ガラス不織
布、アラミド不織布及び多孔質ＰＴＦＥ等を用いること
ができる。プリプレグは、樹脂組成物を用いて作製した
ワニスに、基材となるクロス又は不織布を浸し、その後
これを乾燥することにより作製される。含浸後の乾燥条
件は樹脂組成物によるが、例えば溶媒としてトルエンを
使用した場合は、８０〜１３０℃で３０〜９０分程度乾
燥するのが好ましい。
【００２３】本発明のプリプレグに電解銅箔等の導体箔
を重ね、加熱プレス加工することによって、表面に導体
層を有する積層板を作製することができる。銅箔の厚さ
は、１２〜３６μｍ程度であるのが好ましい。加圧プレ
ス加工の条件は、樹脂組成物によるが、例えば高分子量
体として環状ポリオレフィンを使用した場合には、１２
０〜１８０℃、１．０〜５ＭＰａで１〜３時間成形する
のが好ましい。
を重ね、加熱プレス加工することによって、表面に導体
層を有する積層板を作製することができる。銅箔の厚さ
は、１２〜３６μｍ程度であるのが好ましい。加圧プレ
ス加工の条件は、樹脂組成物によるが、例えば高分子量
体として環状ポリオレフィンを使用した場合には、１２
０〜１８０℃、１．０〜５ＭＰａで１〜３時間成形する
のが好ましい。
【００２４】この積層板の導体層を通常のエッチング法
によって配線加工し、これを前記プリプレグを介して複
数積層し、加熱プレス加工することによって多層化して
多層プリント基板を作製することもできる。このように
して得られた多層プリント基板は誘電正接が低いため、
誘電損失の小さな多層プリント基板となる。また、本発
明の多層プリント基板は、ガラス転移温度が高く、かつ
高温下での弾性率が高いため金ワイヤボンディング、ハ
ンダ付け等の高温での加工プロセスに十分対応できる。
によって配線加工し、これを前記プリプレグを介して複
数積層し、加熱プレス加工することによって多層化して
多層プリント基板を作製することもできる。このように
して得られた多層プリント基板は誘電正接が低いため、
誘電損失の小さな多層プリント基板となる。また、本発
明の多層プリント基板は、ガラス転移温度が高く、かつ
高温下での弾性率が高いため金ワイヤボンディング、ハ
ンダ付け等の高温での加工プロセスに十分対応できる。
【００２５】
【実施例】以下に実施例及び比較例を示して本発明を具
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。な
お、以下の説明中に部とあるのは、特に断りのない限り
重量部を指す。表１〜３に本発明の実施例と比較例の組
成及びその特性を示す。以下に実施例及び比較例に使用
した試薬の名称、合成方法、ワニスの調製方法及び硬化
物の評価方法を説明する。
体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。な
お、以下の説明中に部とあるのは、特に断りのない限り
重量部を指す。表１〜３に本発明の実施例と比較例の組
成及びその特性を示す。以下に実施例及び比較例に使用
した試薬の名称、合成方法、ワニスの調製方法及び硬化
物の評価方法を説明する。
【００２６】（１）１，２−ビス（ビニルフェニル）エ
タン（ＢＶＰＥ）の合成 １，２−ビス（ビニルフェニル）エタン（ＢＶＰＥ）
は、以下に示すような公知の方法で合成した。５００ｍ
ｌの三つ口フラスコにグリニャール反応用粒状マグネシ
ウム（関東化学製）５．３６ｇ（２２０ｍｍｏｌ）をと
り、滴下ロート、窒素導入管及びセプタムキャップを取
り付けた。窒素気流下、スターラーによってマグネシウ
ム粒を攪拌しながら、系全体をドライヤーで加熱脱水し
た。乾燥テトラヒドロフラン３００ｍｌをシリンジにと
り、セプタムキャップを通じて注入した。溶液を−５℃
に冷却した後、滴下ロートを用いてビニルベンジルクロ
ライド（ＶＢＣ、東京化成製）３０．５ｇ（２００ｍ
ｌ）を約４時間かけて滴下した。滴下終了後、０℃／２
０時間、攪拌を続けた。反応終了後、反応溶液をろ過し
て残存マグネシウムを除き、エバポレーターで濃縮し
た。濃縮溶液をヘキサンで希釈し、３．６％塩酸水溶液
で１回、純水で３回洗浄し、次いで硫酸マグネシウムで
脱水した。脱水溶液をシリカゲル（和光純薬製ワコーゲ
ルＣ３００）／ヘキサンのショートカラムに通して精製
し、真空乾燥してＢＶＰＥを得た。得られたＢＶＰＥは
ｍ−ｍ体（液状）、ｍ−ｐ体（液状）、ｐ−ｐ体（結
晶）の混合物であり、収率は９０％であった。1Ｈ−Ｎ
ＭＲによって構造を調べたところその値は文献値と一致
した（６Ｈ−ビニル：α−２Ｈ、６．７、β−４Ｈ、
５．７、５．２；８Ｈ−アロマティック：７．１〜７．
３５；４Ｈ−メチレン：２．９）。このＢＶＰＥを架橋
成分として用いた。
タン（ＢＶＰＥ）の合成 １，２−ビス（ビニルフェニル）エタン（ＢＶＰＥ）
は、以下に示すような公知の方法で合成した。５００ｍ
ｌの三つ口フラスコにグリニャール反応用粒状マグネシ
ウム（関東化学製）５．３６ｇ（２２０ｍｍｏｌ）をと
り、滴下ロート、窒素導入管及びセプタムキャップを取
り付けた。窒素気流下、スターラーによってマグネシウ
ム粒を攪拌しながら、系全体をドライヤーで加熱脱水し
た。乾燥テトラヒドロフラン３００ｍｌをシリンジにと
り、セプタムキャップを通じて注入した。溶液を−５℃
に冷却した後、滴下ロートを用いてビニルベンジルクロ
ライド（ＶＢＣ、東京化成製）３０．５ｇ（２００ｍ
ｌ）を約４時間かけて滴下した。滴下終了後、０℃／２
０時間、攪拌を続けた。反応終了後、反応溶液をろ過し
て残存マグネシウムを除き、エバポレーターで濃縮し
た。濃縮溶液をヘキサンで希釈し、３．６％塩酸水溶液
で１回、純水で３回洗浄し、次いで硫酸マグネシウムで
脱水した。脱水溶液をシリカゲル（和光純薬製ワコーゲ
ルＣ３００）／ヘキサンのショートカラムに通して精製
し、真空乾燥してＢＶＰＥを得た。得られたＢＶＰＥは
ｍ−ｍ体（液状）、ｍ−ｐ体（液状）、ｐ−ｐ体（結
晶）の混合物であり、収率は９０％であった。1Ｈ−Ｎ
ＭＲによって構造を調べたところその値は文献値と一致
した（６Ｈ−ビニル：α−２Ｈ、６．７、β−４Ｈ、
５．７、５．２；８Ｈ−アロマティック：７．１〜７．
３５；４Ｈ−メチレン：２．９）。このＢＶＰＥを架橋
成分として用いた。
【００２７】（２）ポリジビニルベンゼン（ｐｏｌｙＤ
ＶＢ）の合成 ポリジビニルベンゼン（ｐｏｌｙＤＶＢ）は、以下に示
すような公知の方法で合成した。５２０ｍｌのジイソプ
ロピルアミンＴＨＦ溶液（ジイソプロピルアミン含有量
１０１ｇ＝１ｍｏｌ）を窒素置換した１０００ｍｌの三
つ口フラスコに入れた。１１ｍｌのｎ−ブチルリチウム
ヘキサン溶液（ｎ−ブチルリチウム含有量１．９ｇ＝２
０ｍｍｏｌ）を加えた。１４０ｍｍｏｌ（１８．２ｇ）
のジビニルベンゼンを加えた。６０分間室温で攪拌し
た。メタノールを加えて反応を停止した。反応溶液をエ
バポレーターで濃縮した後、冷メタノールで再沈、乾燥
してポリジビニルベンゼンを得た。収率は約５０％で、
分子量は約２００００であった。ポリジビニルベンゼン
は可溶性であり、側鎖にビニル基を有していた（４Ｈ−
アロマティック：６．５−７．２；３Ｈ−ビニル：５−
６．５；３Ｈ−メチレン、メチン：１−２）。このポリ
ジビニルベンゼンを比較例５の架橋成分として使用し
た。
ＶＢ）の合成 ポリジビニルベンゼン（ｐｏｌｙＤＶＢ）は、以下に示
すような公知の方法で合成した。５２０ｍｌのジイソプ
ロピルアミンＴＨＦ溶液（ジイソプロピルアミン含有量
１０１ｇ＝１ｍｏｌ）を窒素置換した１０００ｍｌの三
つ口フラスコに入れた。１１ｍｌのｎ−ブチルリチウム
ヘキサン溶液（ｎ−ブチルリチウム含有量１．９ｇ＝２
０ｍｍｏｌ）を加えた。１４０ｍｍｏｌ（１８．２ｇ）
のジビニルベンゼンを加えた。６０分間室温で攪拌し
た。メタノールを加えて反応を停止した。反応溶液をエ
バポレーターで濃縮した後、冷メタノールで再沈、乾燥
してポリジビニルベンゼンを得た。収率は約５０％で、
分子量は約２００００であった。ポリジビニルベンゼン
は可溶性であり、側鎖にビニル基を有していた（４Ｈ−
アロマティック：６．５−７．２；３Ｈ−ビニル：５−
６．５；３Ｈ−メチレン、メチン：１−２）。このポリ
ジビニルベンゼンを比較例５の架橋成分として使用し
た。
【００２８】（３）その他の試薬
その他の高分子量体、架橋成分として、以下に示すもの
を使用した。 高分子量体； Ｚｅｏｎｏｒ：日本ゼオン製、環状ポリオレフィン（Ｚ
ｅｏｎｏｒ１６００Ｒ） ＰＰＥ：アルドリッチ製、ポリ−２，６−ジメチル−
１，４−フェニレンオキシド 比較例４の架橋成分； ＤＶＢ：和光純薬製、ジビニルベンゼン 硬化触媒； ２５Ｂ：日本油脂製２，５−ジメチル−２，５−ビス
（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（パーヘキシン
２５Ｂ） 有機不織布； クラレ製ベクトランＫ−９ デュポン製サーマウントＥ２１０ ガラスクロス； 日東紡製＃２１１６
を使用した。 高分子量体； Ｚｅｏｎｏｒ：日本ゼオン製、環状ポリオレフィン（Ｚ
ｅｏｎｏｒ１６００Ｒ） ＰＰＥ：アルドリッチ製、ポリ−２，６−ジメチル−
１，４−フェニレンオキシド 比較例４の架橋成分； ＤＶＢ：和光純薬製、ジビニルベンゼン 硬化触媒； ２５Ｂ：日本油脂製２，５−ジメチル−２，５−ビス
（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（パーヘキシン
２５Ｂ） 有機不織布； クラレ製ベクトランＫ−９ デュポン製サーマウントＥ２１０ ガラスクロス； 日東紡製＃２１１６
【００２９】（４）ワニスの調製方法
所定量の高分子量体、架橋成分及び硬化触媒をクロロホ
ルム又は二硫化炭素に溶解することによって樹脂組成物
のワニスを作製した。
ルム又は二硫化炭素に溶解することによって樹脂組成物
のワニスを作製した。
【００３０】（５）樹脂板の作製
前記ワニスをＰＥＴフィルムに塗布して乾燥した後に、
これを剥離してテフロン（登録商標）製のスペーサー内
に所定量入れ、ポリイミドフィルム及び鏡板を介し、真
空下で、加熱及び加圧して硬化物としての樹脂板を得
た。加熱条件は、１２０℃／３０分、１５０℃／３０
分、１８０℃／１００分で、プレス圧力１．５ＭＰａの
多段階加熱とした。樹脂板の大きさは７０×７０×１ｍ
ｍとした。
これを剥離してテフロン（登録商標）製のスペーサー内
に所定量入れ、ポリイミドフィルム及び鏡板を介し、真
空下で、加熱及び加圧して硬化物としての樹脂板を得
た。加熱条件は、１２０℃／３０分、１５０℃／３０
分、１８０℃／１００分で、プレス圧力１．５ＭＰａの
多段階加熱とした。樹脂板の大きさは７０×７０×１ｍ
ｍとした。
【００３１】（６）プリプレグの作製
実施例において作製したプリプレグはすべて、樹脂組成
物のワニスを所定の有機不織布又はガラスクロスに含浸
して、室温にて約１時間、９０℃で６０分間乾燥するこ
とにより作製した。使用した基材名及び樹脂含有率（高
分子量体と架橋成分の含有率）を表３に示した。
物のワニスを所定の有機不織布又はガラスクロスに含浸
して、室温にて約１時間、９０℃で６０分間乾燥するこ
とにより作製した。使用した基材名及び樹脂含有率（高
分子量体と架橋成分の含有率）を表３に示した。
【００３２】（７）プリプレグ硬化物の作製
積層板とした際のプリプレグの特性を知るため、前記の
方法で作製したプリプレグを真空下、加熱及び加圧して
模擬基板を作製した。加熱条件は１２０℃／３０分、１
５０℃／３０分、１８０℃／１００分、プレス圧力１．
５ＭＰａの多段階加熱とした。模擬基板は７０×７０×
０．１４〜０．３ｍｍとした。
方法で作製したプリプレグを真空下、加熱及び加圧して
模擬基板を作製した。加熱条件は１２０℃／３０分、１
５０℃／３０分、１８０℃／１００分、プレス圧力１．
５ＭＰａの多段階加熱とした。模擬基板は７０×７０×
０．１４〜０．３ｍｍとした。
【００３３】（８）誘電率及び誘電正接の測定
誘電率、誘電正接は空洞共振法（アジレントテクノロジ
ー製８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー、関東電
子応用開発製空洞共振器）によって、１０ＧＨｚでの値
を観測した。
ー製８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー、関東電
子応用開発製空洞共振器）によって、１０ＧＨｚでの値
を観測した。
【００３４】（９）引張強度及び伸びの測定
引張強度及び伸びは、島津製ＡＧＳ−１００型引張試験
機を用い、厚さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、長さ７０ｍｍの柱状
サンプルを用い、室温、支点間距離２０ｍｍ引張速度１
０ｍｍ／分の条件で測定した。
機を用い、厚さ１ｍｍ、幅１ｍｍ、長さ７０ｍｍの柱状
サンプルを用い、室温、支点間距離２０ｍｍ引張速度１
０ｍｍ／分の条件で測定した。
【００３５】（１０）ガラス転移温度（Ｔｇ）、弾性率
Ｔｇ、弾性率は、アイティー計測制御製ＤＶＡ−２００
型粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて、ｔａｎδのピー
ク位置、１７０℃における弾性率を観測して求めた。サ
ンプル形状及び支点間距離は引張強度用サンプルと同じ
であり、昇温速度は５℃／分とした。
型粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて、ｔａｎδのピー
ク位置、１７０℃における弾性率を観測して求めた。サ
ンプル形状及び支点間距離は引張強度用サンプルと同じ
であり、昇温速度は５℃／分とした。
【００３６】（１１）ピール強度
ピール強度測定用サンプルは、各樹脂組成物を電解銅箔
（１８μｍ）の粗面上に樹脂板の作製方法と同様の条件
で樹脂層を形成して作製した。樹脂層は厚さ２ｍｍ、大
きさは７０×７０ｍｍとした。樹脂層上の電解銅箔を幅
１０ｍｍに切断して、そのピール強度を測定した。
（１８μｍ）の粗面上に樹脂板の作製方法と同様の条件
で樹脂層を形成して作製した。樹脂層は厚さ２ｍｍ、大
きさは７０×７０ｍｍとした。樹脂層上の電解銅箔を幅
１０ｍｍに切断して、そのピール強度を測定した。
【００３７】［比較例１］比較例１は、高分子量体とし
ての環状ポリオレフィン樹脂Ｚｅｏｎｏｒのみからなる
樹脂組成物の例である。この組成物の硬化物は、所定量
のペレットを金属製のスペーサー内に入れ、ポリイミド
フィルム及び鏡板を介して真空下、加熱及び加圧するこ
とにより樹脂板として作製した。加熱条件は２６０℃／
３０分、プレス圧力１．５ＭＰａとした。樹脂板は７０
×７０×１ｍｍとした。この樹脂板は、誘電率が２．２
０、誘電正接が０．０００７とどちらも非常に低く、Ｔ
ｇは１８５℃、弾性率は１１９０ＭＰａとどちらも高
い。ただし、本樹脂は硬化性を有していないため有機溶
剤中で膨潤する。また、成形時の加熱温度は２６０℃程
度必要であった。
ての環状ポリオレフィン樹脂Ｚｅｏｎｏｒのみからなる
樹脂組成物の例である。この組成物の硬化物は、所定量
のペレットを金属製のスペーサー内に入れ、ポリイミド
フィルム及び鏡板を介して真空下、加熱及び加圧するこ
とにより樹脂板として作製した。加熱条件は２６０℃／
３０分、プレス圧力１．５ＭＰａとした。樹脂板は７０
×７０×１ｍｍとした。この樹脂板は、誘電率が２．２
０、誘電正接が０．０００７とどちらも非常に低く、Ｔ
ｇは１８５℃、弾性率は１１９０ＭＰａとどちらも高
い。ただし、本樹脂は硬化性を有していないため有機溶
剤中で膨潤する。また、成形時の加熱温度は２６０℃程
度必要であった。
【００３８】［比較例２］比較例２は、高分子量体とし
てのＰＰＥのみからなる樹脂組成物の例である。この組
成物の硬化物は、所定量の樹脂粉末を金属製のスペーサ
ー内に入れ、ポリイミドフィルム及び鏡板を介して真空
下、加熱及び加圧することにより樹脂板として作製し
た。加熱条件は３２０℃／３０分、プレス圧力１．５Ｍ
Ｐａとした。樹脂板は７０×７０×１ｍｍとした。この
樹脂板は、誘電率が２．４１、誘電正接が０．００２２
と非常に低く、Ｔｇは２２９℃、弾性率は２０００ＭＰ
ａとどちらも高い。ただし、本樹脂は硬化性を有してい
ないため有機溶剤中で膨潤する。また、成形温度は３２
０℃程度必要であった。
てのＰＰＥのみからなる樹脂組成物の例である。この組
成物の硬化物は、所定量の樹脂粉末を金属製のスペーサ
ー内に入れ、ポリイミドフィルム及び鏡板を介して真空
下、加熱及び加圧することにより樹脂板として作製し
た。加熱条件は３２０℃／３０分、プレス圧力１．５Ｍ
Ｐａとした。樹脂板は７０×７０×１ｍｍとした。この
樹脂板は、誘電率が２．４１、誘電正接が０．００２２
と非常に低く、Ｔｇは２２９℃、弾性率は２０００ＭＰ
ａとどちらも高い。ただし、本樹脂は硬化性を有してい
ないため有機溶剤中で膨潤する。また、成形温度は３２
０℃程度必要であった。
【００３９】［比較例３］比較例３は、架橋成分１，２
−ビス（ビニルフェニル）エタン（ＢＶＰＥ）及びＢＶ
ＰＥの重量に対して１ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含んで
なる樹脂組成物の例である。この組成物の硬化物は、テ
フロンスペーサーを貼り付けた二枚のガラス板の間に無
溶剤の状態で樹脂組成物を注入して密閉し、加熱して硬
化することにより樹脂板として作製した。加熱条件は１
２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００
分の多段階加熱とした。樹脂板は７０×７０×１ｍｍと
した。作製した樹脂板は、誘電率が２．５６、誘電正接
が０．００１７と低く、Ｔｇが４００℃以上であり、弾
性率は２５９０ＭＰａとどちらも高い。硬化性を有して
いるため耐溶剤性にも優れる。硬化温度は１８０℃と比
較的低い。しかし、引張強度が３１．２ＭＰａ、伸びが
２％と小さい点で問題を有する。
−ビス（ビニルフェニル）エタン（ＢＶＰＥ）及びＢＶ
ＰＥの重量に対して１ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含んで
なる樹脂組成物の例である。この組成物の硬化物は、テ
フロンスペーサーを貼り付けた二枚のガラス板の間に無
溶剤の状態で樹脂組成物を注入して密閉し、加熱して硬
化することにより樹脂板として作製した。加熱条件は１
２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００
分の多段階加熱とした。樹脂板は７０×７０×１ｍｍと
した。作製した樹脂板は、誘電率が２．５６、誘電正接
が０．００１７と低く、Ｔｇが４００℃以上であり、弾
性率は２５９０ＭＰａとどちらも高い。硬化性を有して
いるため耐溶剤性にも優れる。硬化温度は１８０℃と比
較的低い。しかし、引張強度が３１．２ＭＰａ、伸びが
２％と小さい点で問題を有する。
【００４０】［実施例１〜３］実施例１〜３は、高分子
量体であるＺｅｏｎｏｒと架橋成分であるＢＶＰＥをそ
れぞれ異なった配合比で含み、更に樹脂成分の重量に対
して１ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含んでなる樹脂組成物
の例である。これらの組成物の硬化物は、溶媒に二硫化
硫黄を使用してワニスを調製し、上述の方法で樹脂板と
して作製した。各実施例から明らかなように、各樹脂板
の誘電率及び誘電正接は非常に低く、誘電率は２．２７
〜２．３５であり、誘電正接は０．００１３〜０．００
１７であった。その他の特性は添加した高分子量体の特
性が反映され、引張強度が６８〜７９ＭＰａ、伸びが２
１〜２８％、Ｔｇが１７８〜１８３℃、弾性率が１００
０〜１１３０ＭＰａ、ピール強度が０．７〜１．２Ｎ／
ｍと優れた値を示した。本樹脂組成物は硬化性を有する
ため耐溶剤性も優れている。また、成形温度は１８０℃
であり、低い温度での成形が可能であった。
量体であるＺｅｏｎｏｒと架橋成分であるＢＶＰＥをそ
れぞれ異なった配合比で含み、更に樹脂成分の重量に対
して１ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含んでなる樹脂組成物
の例である。これらの組成物の硬化物は、溶媒に二硫化
硫黄を使用してワニスを調製し、上述の方法で樹脂板と
して作製した。各実施例から明らかなように、各樹脂板
の誘電率及び誘電正接は非常に低く、誘電率は２．２７
〜２．３５であり、誘電正接は０．００１３〜０．００
１７であった。その他の特性は添加した高分子量体の特
性が反映され、引張強度が６８〜７９ＭＰａ、伸びが２
１〜２８％、Ｔｇが１７８〜１８３℃、弾性率が１００
０〜１１３０ＭＰａ、ピール強度が０．７〜１．２Ｎ／
ｍと優れた値を示した。本樹脂組成物は硬化性を有する
ため耐溶剤性も優れている。また、成形温度は１８０℃
であり、低い温度での成形が可能であった。
【００４１】［実施例４〜６］実施例４〜６は、高分子
量体であるＰＰＥと架橋成分であるＢＶＰＥをそれぞれ
異なった配合比で含み、更に樹脂成分の重量に対して１
ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含んでなる樹脂組成物の例で
ある。これらの樹脂組成物の硬化物は、溶媒にクロロホ
ルムを使用してワニスを調製し、上述の方法で樹脂板と
して作製した。各実施例から明らかなように本樹脂組成
物の誘電率及び誘電正接は非常に低く、誘電率は２．４
３〜２．４５であり、誘電正接は０．００１７〜０．０
０１９であった。その他の特性は添加した高分子量体の
特性が反映され、引張強度が６３〜８２ＭＰａ、伸びが
２６〜４７％、Ｔｇが２１０〜２２５℃、弾性率が２４
７０〜２５３０ＭＰａ、ピール強度が０．７〜１．２Ｎ
／ｍと優れた値を示した。本樹脂組成物は硬化性を有す
るため耐溶剤性にも優れている。また、成形温度は１８
０℃であり、低い温度での成形が可能であった。前記比
較例１〜３及び実施例１〜６の結果を、以下の表１に示
す；
量体であるＰＰＥと架橋成分であるＢＶＰＥをそれぞれ
異なった配合比で含み、更に樹脂成分の重量に対して１
ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含んでなる樹脂組成物の例で
ある。これらの樹脂組成物の硬化物は、溶媒にクロロホ
ルムを使用してワニスを調製し、上述の方法で樹脂板と
して作製した。各実施例から明らかなように本樹脂組成
物の誘電率及び誘電正接は非常に低く、誘電率は２．４
３〜２．４５であり、誘電正接は０．００１７〜０．０
０１９であった。その他の特性は添加した高分子量体の
特性が反映され、引張強度が６３〜８２ＭＰａ、伸びが
２６〜４７％、Ｔｇが２１０〜２２５℃、弾性率が２４
７０〜２５３０ＭＰａ、ピール強度が０．７〜１．２Ｎ
／ｍと優れた値を示した。本樹脂組成物は硬化性を有す
るため耐溶剤性にも優れている。また、成形温度は１８
０℃であり、低い温度での成形が可能であった。前記比
較例１〜３及び実施例１〜６の結果を、以下の表１に示
す；
【００４２】
【表１】
【００４３】［比較例４］比較例４は、ＤＶＢ及びＤＶ
Ｂの重量に対して１ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含むが、
高分子量体を含まない樹脂組成物の例である。この組成
物の硬化物は、溶媒を使用せずに、上述の方法で樹脂板
として作製した。この樹脂板は非常に脆く、硬化時及び
冷却時にひび割れが生じて、評価できなかった。
Ｂの重量に対して１ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含むが、
高分子量体を含まない樹脂組成物の例である。この組成
物の硬化物は、溶媒を使用せずに、上述の方法で樹脂板
として作製した。この樹脂板は非常に脆く、硬化時及び
冷却時にひび割れが生じて、評価できなかった。
【００４４】［比較例５］比較例５は分子量が約２００
００のＰｏｌｙＤＶＢを架橋成分として、ＰＰＥを高分
子量体としてそれぞれ５０重量部含み、更に樹脂成分の
重量に対して１ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含んでなる樹
脂組成物の例である。この組成物の硬化物は、溶媒にク
ロロホルムを使用してワニスを調製し、上述の方法で樹
脂板として作製した。この樹脂板は架橋剤の分子量が大
きいため、溶融流動性が不十分となり、成形板が作製で
きないことが確認された。
００のＰｏｌｙＤＶＢを架橋成分として、ＰＰＥを高分
子量体としてそれぞれ５０重量部含み、更に樹脂成分の
重量に対して１ｗｔ％の硬化触媒２５Ｂを含んでなる樹
脂組成物の例である。この組成物の硬化物は、溶媒にク
ロロホルムを使用してワニスを調製し、上述の方法で樹
脂板として作製した。この樹脂板は架橋剤の分子量が大
きいため、溶融流動性が不十分となり、成形板が作製で
きないことが確認された。
【００４５】［比較例６］比較例６は、高分子量体とし
てのＰＰＥ及び架橋成分としてのＢＶＰＥをそれぞれ５
０重量部含み、更に硬化触媒を樹脂成分の合計重量に対
して２０ｗｔ％と過剰に含んでなる樹脂組成物の例であ
る。この組成物の硬化物は、溶媒にクロロホルムを使用
してワニスを調製し、上述の方法で樹脂板として作製し
た。この樹脂板は、硬化触媒を過剰に加えたため、誘電
率が２．６、誘電正接が０．００３と増加した。また、
硬化速度が速いため成形時の流動性が低下して樹脂板の
形、厚さが不均一になった。
てのＰＰＥ及び架橋成分としてのＢＶＰＥをそれぞれ５
０重量部含み、更に硬化触媒を樹脂成分の合計重量に対
して２０ｗｔ％と過剰に含んでなる樹脂組成物の例であ
る。この組成物の硬化物は、溶媒にクロロホルムを使用
してワニスを調製し、上述の方法で樹脂板として作製し
た。この樹脂板は、硬化触媒を過剰に加えたため、誘電
率が２．６、誘電正接が０．００３と増加した。また、
硬化速度が速いため成形時の流動性が低下して樹脂板の
形、厚さが不均一になった。
【００４６】［実施例７及び８］実施例７及び８は、高
分子量体としてのＰＰＥ及び架橋成分としてのＢＶＰＥ
をそれぞれ５０重量部含み、更に硬化触媒２５Ｂを樹脂
成分の重量に対してそれぞれ１０ｗｔ％又は５ｗｔ％含
んでなる樹脂組成物の例である。この組成物の硬化物
は、溶媒にクロロホルムを使用してワニスを調製し、上
述の方法で樹脂板として作製した。この樹脂板は、硬化
触媒量が１０ｗｔ％以下であれば、成形不良は発生しな
い。また、誘電率は２．４３、誘電正接は０．００１８
〜０．００１９であり、著しい特性低下は認められなか
った。前記比較例４〜６及び実施例７〜８の結果を以下
の表２に示す；
分子量体としてのＰＰＥ及び架橋成分としてのＢＶＰＥ
をそれぞれ５０重量部含み、更に硬化触媒２５Ｂを樹脂
成分の重量に対してそれぞれ１０ｗｔ％又は５ｗｔ％含
んでなる樹脂組成物の例である。この組成物の硬化物
は、溶媒にクロロホルムを使用してワニスを調製し、上
述の方法で樹脂板として作製した。この樹脂板は、硬化
触媒量が１０ｗｔ％以下であれば、成形不良は発生しな
い。また、誘電率は２．４３、誘電正接は０．００１８
〜０．００１９であり、著しい特性低下は認められなか
った。前記比較例４〜６及び実施例７〜８の結果を以下
の表２に示す；
【００４７】
【表２】
【００４８】［実施例９〜１１］表３には、本発明の樹
脂組成物に各種基材を含浸させて作製したプリプレグの
構成及び誘電特性を示した。作製したプリプレグは何れ
もタックフリー性を有する。プリプレグの作製には、実
施例５で調製した樹脂組成物、すなわち、高分子量体と
してのＰＰＥ及び架橋成分としてのＢＶＰＥをそれぞれ
５０重量部ならびに樹脂成分の重量に対して１ｗｔ％の
硬化触媒２５Ｂを含んでなる樹脂組成物を使用した。プ
リプレグは、有機溶媒としてクロロホルムを使用してワ
ニスを調製し、このワニスを所定の有機不織布又はガラ
スクロスに含浸して、室温にて約１時間、９０℃で６０
分間乾燥することにより作製した。各基材名及び樹脂含
有率を表３に示した。前記のように作製したプリプレグ
を、真空下、加熱及び加圧して硬化させ模擬基板を作製
した。加熱条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０
分、１８０℃／１００分、プレス圧力１．５ＭＰａの多
段階加熱とした。模擬基板は７０×７０×０．１４〜
０．３ｍｍとした。ガラスクロス（＃２１１６）を基材
とする実施例９の模擬基板は、誘電率が３．１２、誘電
正接が０．００３８、有機不織布（Ｋ−９）を基材とす
る実施例１０の模擬基板は誘電率２．５１、誘電正接が
０．００２７、Ｅ２１０を基材とする実施例１１の模擬
基板は誘電率２．６１、誘電正接０．００２４であっ
た。何れも良好な誘電特性を有する。前記実施例９〜１
１の結果を以下の表３に示す；
脂組成物に各種基材を含浸させて作製したプリプレグの
構成及び誘電特性を示した。作製したプリプレグは何れ
もタックフリー性を有する。プリプレグの作製には、実
施例５で調製した樹脂組成物、すなわち、高分子量体と
してのＰＰＥ及び架橋成分としてのＢＶＰＥをそれぞれ
５０重量部ならびに樹脂成分の重量に対して１ｗｔ％の
硬化触媒２５Ｂを含んでなる樹脂組成物を使用した。プ
リプレグは、有機溶媒としてクロロホルムを使用してワ
ニスを調製し、このワニスを所定の有機不織布又はガラ
スクロスに含浸して、室温にて約１時間、９０℃で６０
分間乾燥することにより作製した。各基材名及び樹脂含
有率を表３に示した。前記のように作製したプリプレグ
を、真空下、加熱及び加圧して硬化させ模擬基板を作製
した。加熱条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０
分、１８０℃／１００分、プレス圧力１．５ＭＰａの多
段階加熱とした。模擬基板は７０×７０×０．１４〜
０．３ｍｍとした。ガラスクロス（＃２１１６）を基材
とする実施例９の模擬基板は、誘電率が３．１２、誘電
正接が０．００３８、有機不織布（Ｋ−９）を基材とす
る実施例１０の模擬基板は誘電率２．５１、誘電正接が
０．００２７、Ｅ２１０を基材とする実施例１１の模擬
基板は誘電率２．６１、誘電正接０．００２４であっ
た。何れも良好な誘電特性を有する。前記実施例９〜１
１の結果を以下の表３に示す；
【００４９】
【表３】
【００５０】［実施例１２］実施例９で作製したプリプ
レグの両面に電解銅箔の粗面を張り付け、真空下、加
圧、加熱して両面銅張積層板を作製した。加熱条件は１
２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００
分、プレス圧力１．５ＭＰａとした。銅箔とプリプレグ
は良好な接着性を示した。これにより多層プリント基板
の作製が可能となった。
レグの両面に電解銅箔の粗面を張り付け、真空下、加
圧、加熱して両面銅張積層板を作製した。加熱条件は１
２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃／１００
分、プレス圧力１．５ＭＰａとした。銅箔とプリプレグ
は良好な接着性を示した。これにより多層プリント基板
の作製が可能となった。
【００５１】［実施例１３］以下に本発明の多層プリン
ト基板の作成例を示す。（Ａ）実施例１２で得た両面銅
張積層板の片面にフォトレジスト（日立化成製ＨＳ４２
５）をラミネートして全面に露光した。次いで残る銅表
面にフォトレジスト（日立化成製ＨＳ４２５）をラミネ
ートしてテストパターンを露光し、未露光部分のフォト
レジストを１％炭酸ナトリウム液で現像した。（Ｂ）硫
酸５％、過酸化水素５％のエッチング液で露出した銅箔
をエッチング除去して、両面銅張積層板の片面に導体配
線を形成した。（Ｃ）３％水酸化ナトリウム溶液で残存
するフォトレジストを除去し、片面に配線を有する配線
基板を得た。同様にして２枚の配線基板を作製した。
（Ｄ）二枚の配線基板の配線側の面に実施例９のプリプ
レグを挟み、真空下、加熱、加圧して多層化した。加熱
条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃
／１００分、プレス圧力１．５ＭＰａの多段階加熱とし
た。（Ｅ）作製した多層板の両面の外装銅にフォトレジ
スト（日立化成製ＨＳ４２５）をラミネートしてテスト
パターンを露光し、未露光部分のフォトレジストを１％
炭酸ナトリウム液で現像した。（Ｆ）硫酸５％、過酸化
水素５％のエッチング液で露出した銅箔をエッチング除
去し、３％水酸化ナトリウム溶液で残存するフォトレジ
ストを除去して外装配線を形成した。（Ｇ）内層配線と
外装配線を接続するスルーホールをドリル加工で形成し
た。（Ｈ）配線基板をめっき触媒のコロイド溶液に浸し
て、スルーホール内、基板表面に触媒を付与した。
（Ｉ）めっき触媒の活性化処理の後、無電解めっき（日
立化成製ＣＵＳＴ２０００）により、約１μｍの種膜を
設けた。（Ｊ）フォトレジスト（日立化成製ＨＮ９２
０）を配線基板の両面にラミネートした。（Ｋ）スルー
ホール部及び配線基板の端部をマスクして露光後、３％
炭酸ナトリウムで現像して開孔部を設置した。（Ｌ）配
線基板の端部に電極を設置して電解めっきによってスル
ー部分にめっき銅を約１８μｍ形成した。（Ｍ）電極部
分を切断除去し、残存するフォトレジストを５％水酸化
ナトリウム水溶液で除去した。（Ｎ）硫酸５％、過酸化
水素５％のエッチング液に配線基板を浸して約１μｍエ
ッチングして種膜を除去し多層配線板を作製した。本多
層配線板を２００℃のハンダリフロー槽に１０分間、２
８８℃ハンダ槽に１分保持したが、樹脂界面、配線の剥
離等は生じなかった。
ト基板の作成例を示す。（Ａ）実施例１２で得た両面銅
張積層板の片面にフォトレジスト（日立化成製ＨＳ４２
５）をラミネートして全面に露光した。次いで残る銅表
面にフォトレジスト（日立化成製ＨＳ４２５）をラミネ
ートしてテストパターンを露光し、未露光部分のフォト
レジストを１％炭酸ナトリウム液で現像した。（Ｂ）硫
酸５％、過酸化水素５％のエッチング液で露出した銅箔
をエッチング除去して、両面銅張積層板の片面に導体配
線を形成した。（Ｃ）３％水酸化ナトリウム溶液で残存
するフォトレジストを除去し、片面に配線を有する配線
基板を得た。同様にして２枚の配線基板を作製した。
（Ｄ）二枚の配線基板の配線側の面に実施例９のプリプ
レグを挟み、真空下、加熱、加圧して多層化した。加熱
条件は１２０℃／３０分、１５０℃／３０分、１８０℃
／１００分、プレス圧力１．５ＭＰａの多段階加熱とし
た。（Ｅ）作製した多層板の両面の外装銅にフォトレジ
スト（日立化成製ＨＳ４２５）をラミネートしてテスト
パターンを露光し、未露光部分のフォトレジストを１％
炭酸ナトリウム液で現像した。（Ｆ）硫酸５％、過酸化
水素５％のエッチング液で露出した銅箔をエッチング除
去し、３％水酸化ナトリウム溶液で残存するフォトレジ
ストを除去して外装配線を形成した。（Ｇ）内層配線と
外装配線を接続するスルーホールをドリル加工で形成し
た。（Ｈ）配線基板をめっき触媒のコロイド溶液に浸し
て、スルーホール内、基板表面に触媒を付与した。
（Ｉ）めっき触媒の活性化処理の後、無電解めっき（日
立化成製ＣＵＳＴ２０００）により、約１μｍの種膜を
設けた。（Ｊ）フォトレジスト（日立化成製ＨＮ９２
０）を配線基板の両面にラミネートした。（Ｋ）スルー
ホール部及び配線基板の端部をマスクして露光後、３％
炭酸ナトリウムで現像して開孔部を設置した。（Ｌ）配
線基板の端部に電極を設置して電解めっきによってスル
ー部分にめっき銅を約１８μｍ形成した。（Ｍ）電極部
分を切断除去し、残存するフォトレジストを５％水酸化
ナトリウム水溶液で除去した。（Ｎ）硫酸５％、過酸化
水素５％のエッチング液に配線基板を浸して約１μｍエ
ッチングして種膜を除去し多層配線板を作製した。本多
層配線板を２００℃のハンダリフロー槽に１０分間、２
８８℃ハンダ槽に１分保持したが、樹脂界面、配線の剥
離等は生じなかった。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、誘電率、誘電正接が低
く、ガラス転移温度が高く、引張強度、伸びの大きな硬
化物が得られる。本樹脂組成物は、高周波用電気部品の
絶縁材料に好適であり、高周波信号用配線基板、及びそ
れに用いられるプリプレグへの応用が可能である。
く、ガラス転移温度が高く、引張強度、伸びの大きな硬
化物が得られる。本樹脂組成物は、高周波用電気部品の
絶縁材料に好適であり、高周波信号用配線基板、及びそ
れに用いられるプリプレグへの応用が可能である。
【図１】多層配線板作製時のプロセスを現わす模式図で
ある。
ある。
１…電解銅箔、２…樹脂基板、３…フォトレジスト、４
…プリプレグ、５…内層配線、６…外層配線、７…スル
ーホール、８…めっき触媒、９…種膜、１０…開孔部、
１１…電極、１２…めっき銅
…プリプレグ、５…内層配線、６…外層配線、７…スル
ーホール、８…めっき触媒、９…種膜、１０…開孔部、
１１…電極、１２…めっき銅
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｃ０８Ｌ 57:00 Ｃ０８Ｌ 57:00
(72)発明者 石川 敬郎
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
(72)発明者 三輪 崇夫
茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株
式会社日立製作所日立研究所内
Ｆターム(参考） 4F072 AB29 AD02 AD03 AD05 AD09
AG03 AL13
4J011 PA54 PA64 PA65 PA69 PA70
PC02
4J026 AA11 AA17 AA18 AA42 AA49
AA57 AA68 AA69 BA07 DB15
GA07
5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 BB01
CC02 CC08 CC31 DD02 DD31
EE02 EE06 EE07 EE09 GG28
HH06 HH18
Claims (11)
- 【請求項１】 下記一般式： 【化１】 （式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ1は、同一又は異
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物であって、該樹
脂組成物を１８０℃、１００分で硬化させて得られる硬
化物のガラス転移温度が１７０℃以上であるか、又は該
硬化物の１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ以上で
ある樹脂組成物。 - 【請求項２】 スチレン基を重合しうる硬化触媒及びス
チレン基の重合を抑制しうる重合禁止剤の少なくとも一
方を更に含有する請求項１に記載の組成物。 - 【請求項３】 前記架橋成分及び高分子量体の合計１０
０重量部に対して、前記硬化触媒の添加量が０．０００
５〜１０重量部であり、前記重合禁止剤の添加量が０．
０００５〜５重量部である請求項２に記載の組成物。 - 【請求項４】 前記高分子量体のガラス転移温度が１７
０℃以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載の組
成物。 - 【請求項５】 前記高分子量体が、ブタジエン、イソプ
レン、スチレン、メチルスチレン、エチルスチレン、ジ
ビニルベンゼン、アクリル酸エステル、アクリロニトリ
ル、Ｎ−フェニルマレイミド及びＮ−ビニルフェニルマ
レイミドの少なくとも一種からなる重合体、置換基を有
していてもよいポリフェニレンオキサイド、ならびに脂
環式構造を有するポリオレフィンからなる群から選ばれ
る少なくとも一種の樹脂である請求項１〜４のいずれか
１項に記載の組成物。 - 【請求項６】 下記一般式： 【化２】 （式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ1は、同一又は異
なって、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表
し、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、同一又は異なって、水素原子
又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、ｍは１〜４の整
数、ｎは２以上の整数を表す。）で示される複数のスチ
レン基を有する重量平均分子量１０００以下の架橋成分
と、高分子量体とを含有する樹脂組成物を硬化させて得
られる硬化物であって、ガラス転移温度が１７０℃以上
であるか、又は１７０℃における弾性率が５００ＭＰａ
以上である硬化物。 - 【請求項７】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の組
成物の硬化物。 - 【請求項８】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の組
成物を、有機又は無機のクロス又は不織布に含浸させ、
乾燥させてなるプリプレグ。 - 【請求項９】 請求項８に記載のプリプレグの硬化物。
- 【請求項１０】 請求項８に記載のプリプレグ又はその
硬化物の両面又は片面に導体層が設置されてなる積層
板。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の積層板の導体層に
配線加工を施した後、プリプレグを介して該積層板を積
層接着してなる多層プリント基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201227A JP4550324B2 (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 低誘電正接樹脂組成物、その硬化物ならびに該組成物を用いたプリプレグ、積層板及び多層プリント基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201227A JP4550324B2 (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 低誘電正接樹脂組成物、その硬化物ならびに該組成物を用いたプリプレグ、積層板及び多層プリント基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003012710A true JP2003012710A (ja) | 2003-01-15 |
| JP4550324B2 JP4550324B2 (ja) | 2010-09-22 |
Family
ID=19038229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001201227A Expired - Fee Related JP4550324B2 (ja) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | 低誘電正接樹脂組成物、その硬化物ならびに該組成物を用いたプリプレグ、積層板及び多層プリント基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4550324B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1517595A2 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resin composition, prepreg, laminate sheet and printed wiring board using the same and method for production thereof |
| US7193009B2 (en) | 2002-08-26 | 2007-03-20 | Hitachi, Ltd. | Electronic device using low dielectric loss tangent insulators for high frequency signals |
| JP2007096159A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Alaxala Networks Corp | 多層プリント配線板 |
| KR100867661B1 (ko) | 2006-12-27 | 2008-11-10 | 전자부품연구원 | 고주파 저유전율 저손실의 열경화성 수지 조성물 |
| JP2009267201A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 回路基板用樹脂組成物、プリプレグおよび積層板 |
| US7638564B2 (en) | 2005-10-04 | 2009-12-29 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Low dielectric loss tangent-resin varnish, prepreg, laminated sheet, and printed wiring board using the varnish |
| US8115105B2 (en) | 2008-01-15 | 2012-02-14 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Prepreg and its application products for low thermal expansion and low dielectric tangent |
| CN113574102A (zh) * | 2019-03-27 | 2021-10-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 预浸料、覆金属箔层压板、以及布线板 |
-
2001
- 2001-07-02 JP JP2001201227A patent/JP4550324B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| EP1517595A2 (en) * | 2003-09-19 | 2005-03-23 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resin composition, prepreg, laminate sheet and printed wiring board using the same and method for production thereof |
| US7273900B2 (en) | 2003-09-19 | 2007-09-25 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Resin composition, prepreg, laminate sheet and printed wiring board using the same and method for production thereof |
| CN100355829C (zh) * | 2003-09-19 | 2007-12-19 | 日立化成工业株式会社 | 树脂组合物、使用其的预浸渍体、层压板及多层印刷线路板 |
| EP1517595A3 (en) * | 2003-09-19 | 2008-04-02 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Resin composition, prepreg, laminate sheet and printed wiring board using the same and method for production thereof |
| US8420210B2 (en) | 2003-09-19 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Resin composition, prepreg, laminate sheet and printed wiring board using the same and method for production thereof |
| JP2007096159A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Alaxala Networks Corp | 多層プリント配線板 |
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