JP2002534801A - 半導体表面を成形するための装置および方法 - Google Patents
半導体表面を成形するための装置および方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
本発明は半導体表面を成形するための装置および方法に関するものであって、この装置および方法では、成形したい表面を有する半導体ウェハ（１）が２つのプレート（２，３）との間に緊締され、この場合少なくとも一方のプレート（２）が、半導体表面の所望の形に対するネガ型の形を有しており、半導体表面は高められた温度においてプレート（２，３）によってプレスされるようになっている。この方法は特に凹状のマイクロレンズ構造体を半導体表面に形成するために使用可能であると有利である。
Description
【０００１】 本発明は半導体表面を成形するための方法および該方法を実施するための装置
に関するものである。
に関するものである。
【０００２】 長年にわたって、例えばマイクロレンズおよびマイクロレンズアレーのような
光学的なマイクロコンポーネントがオプトエレクトロニクスにおいて使用されて
いる。特に簡単に凸状のマイクロレンズを、再軟化されるフォトレジスト構造体
（フォトレジストリフロー）によって形成することができる。この凸状の形は加
熱時にフォトレジストの表面張力によって自動的に形成され、乾式エッチング方
法によって、例えばシリコン半導体ウェハに転写される。凹状の構造体の再現可
能な生産は著しく困難である。なぜならばリフローのようなセルフアライメント
するフォトレジストプロセスが提供されないからである。しかし数多くの使用例
において凹状のマイクロレンズは有利には、例えば縁部放射するレーザダイオー
ドの出射光線の非点収差を修正するために使用される。大抵は拡散効果を利用し
て湿式化学的なエッチング方法によって凹状構造体を形成しようとする。このよ
うな方法は再現性の悪さおよび表面品質の欠陥に基づきこれまで大量生産技術的
な使用において普及されていない。
光学的なマイクロコンポーネントがオプトエレクトロニクスにおいて使用されて
いる。特に簡単に凸状のマイクロレンズを、再軟化されるフォトレジスト構造体
（フォトレジストリフロー）によって形成することができる。この凸状の形は加
熱時にフォトレジストの表面張力によって自動的に形成され、乾式エッチング方
法によって、例えばシリコン半導体ウェハに転写される。凹状の構造体の再現可
能な生産は著しく困難である。なぜならばリフローのようなセルフアライメント
するフォトレジストプロセスが提供されないからである。しかし数多くの使用例
において凹状のマイクロレンズは有利には、例えば縁部放射するレーザダイオー
ドの出射光線の非点収差を修正するために使用される。大抵は拡散効果を利用し
て湿式化学的なエッチング方法によって凹状構造体を形成しようとする。このよ
うな方法は再現性の悪さおよび表面品質の欠陥に基づきこれまで大量生産技術的
な使用において普及されていない。
【０００３】 ゆえに本発明の課題は簡単でコスト安に半導体表面を形成する方法を提供する
ことである。特にこのような形式の方法を用いて凹状の表面構造体を形成するこ
とが本発明の課題である。
ことである。特にこのような形式の方法を用いて凹状の表面構造体を形成するこ
とが本発明の課題である。
【０００４】 この課題は請求項１に記載した特徴を有する構成によって解決される。本発明
では、半導体表面を形成するための方法において、成形したい表面を有する半導
体ウェハを２つのプレートの間に緊締し、少なくとも一方のプレートが、半導体
表面の所望の形に対するネガ型を有しており、半導体表面を、高められた温度に
おいてプレートでプレスするようにした。
では、半導体表面を形成するための方法において、成形したい表面を有する半導
体ウェハを２つのプレートの間に緊締し、少なくとも一方のプレートが、半導体
表面の所望の形に対するネガ型を有しており、半導体表面を、高められた温度に
おいてプレートでプレスするようにした。
【０００５】 有利な形式では、第１のプレートが、半導体ウェハの半導体表面の所望の形に
対するネガ型の形を有しており、第２のプレートが平坦な面を有している。
対するネガ型の形を有しており、第２のプレートが平坦な面を有している。
【０００６】 プレス作用を得るために、少なくとも一方のプレートまたは両方のプレートに
、押付け力を垂直方向で半導体ウェハに向けて加え、しかもこの押付け力が成形
したい半導体材料の特性に応じて有利には１ＭＰａより大きく、かつ温度は有利
には６００℃より高くなっている。
、押付け力を垂直方向で半導体ウェハに向けて加え、しかもこの押付け力が成形
したい半導体材料の特性に応じて有利には１ＭＰａより大きく、かつ温度は有利
には６００℃より高くなっている。
【０００７】 プレス過程を不活性ガス雰囲気または保護ガス雰囲気において実施することが
できる。成形したい半導体材料が化合物半導体である場合には、化合物半導体の
デコンポジションを防止するために、化合物半導体の元素の添加された雰囲気が
成形時に使用される。例えば成形したい半導体としてＧａＡｓが使用されている
場合、ヒ素の添加された雰囲気内において方法が実施される。
できる。成形したい半導体材料が化合物半導体である場合には、化合物半導体の
デコンポジションを防止するために、化合物半導体の元素の添加された雰囲気が
成形時に使用される。例えば成形したい半導体としてＧａＡｓが使用されている
場合、ヒ素の添加された雰囲気内において方法が実施される。
【０００８】 本発明の形式では丸いまたは角張ったの構成における凹状または凸状の構造体
のような多様な形を製造することができる。全半導体ウェハを同時に構造化する
ことも可能であり、これによりコスト安な大量生産が保証されている。
のような多様な形を製造することができる。全半導体ウェハを同時に構造化する
ことも可能であり、これによりコスト安な大量生産が保証されている。
【０００９】 次に本発明による実施例を図面に基づき詳説する。
【００１０】 図１には本発明による方法を実施するための装置の１実施例が示されており、 図２にはプレス成形過程を示した拡大図が示されており、 図３には本発明による方法で製造された凹状のレンズの図が示されており、 図４には本発明による方法で製造された垂直共振発光ダイオードの図が示され
ている。
ている。
【００１１】 図１には本発明による方法を実施するための装置の１実施例が示されている。
この装置では成形したい半導体ウェハ１が２つのプレート２，３の間に緊締され
、これらのプレート２，３のうち第１のプレート２は成形プレートであって、第
２のプレート３は半導体ウェハ１の保持体または補助部材として働く。この第１
のプレート２は表面構造体を有しており、この表面構造体は半導体ウェハ１の所
望の形に対するネガ型である。例示したように、この表面構造体は凸状の湾曲部
（Ｗｏｅｌｂｕｎｇ）２１を有しており、これらの凸状の湾曲部２１により成形
プロセスを介して半導体表面に凹状の窪みを形成したい。さらに示したように、
プレス装置（図示せず）によって両プレート２，３に、互いに対向する押付け力
を半導体ウェハ１に向かう垂直方向で加えることができるので、高められた温度
でのプレス過程において、成形プレート２はその表面構造体で半導体表面に押し
付けられる。このために加えられる全押付け力は、半導体ウェハ１の半導体材料
と、プレート２，３のために使用された材料と、周囲温度とに関係している。Ｊ
．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．における刊行物”ＧａＡｓ ｔｏ ＩｎＰ Ｗａｆｅｒ
Ｆｕｓｉｎｇ”（Ｂｄ．７８、４２２７〜４２３７ページ、１９９５年、Ｒ．
Ｊ．Ｒａｍ他著）により、２つの異なる半導体材料、つまりＧａＡｓとＩｎＰと
の化学的な結合では１ＭＰａ以上の押付け力と６００℃以上の温度とが必要であ
ることが公知である。そのため、本発明による方法でもこのような形式において
これらの条件を選択しなければならないことが見込まれる。プロセス条件を簡易
化にするために、成形しようとする半導体材料は、所定の成形温度においてプレ
ート材料より小さな硬度を有しているとよい。
この装置では成形したい半導体ウェハ１が２つのプレート２，３の間に緊締され
、これらのプレート２，３のうち第１のプレート２は成形プレートであって、第
２のプレート３は半導体ウェハ１の保持体または補助部材として働く。この第１
のプレート２は表面構造体を有しており、この表面構造体は半導体ウェハ１の所
望の形に対するネガ型である。例示したように、この表面構造体は凸状の湾曲部
（Ｗｏｅｌｂｕｎｇ）２１を有しており、これらの凸状の湾曲部２１により成形
プロセスを介して半導体表面に凹状の窪みを形成したい。さらに示したように、
プレス装置（図示せず）によって両プレート２，３に、互いに対向する押付け力
を半導体ウェハ１に向かう垂直方向で加えることができるので、高められた温度
でのプレス過程において、成形プレート２はその表面構造体で半導体表面に押し
付けられる。このために加えられる全押付け力は、半導体ウェハ１の半導体材料
と、プレート２，３のために使用された材料と、周囲温度とに関係している。Ｊ
．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．における刊行物”ＧａＡｓ ｔｏ ＩｎＰ Ｗａｆｅｒ
Ｆｕｓｉｎｇ”（Ｂｄ．７８、４２２７〜４２３７ページ、１９９５年、Ｒ．
Ｊ．Ｒａｍ他著）により、２つの異なる半導体材料、つまりＧａＡｓとＩｎＰと
の化学的な結合では１ＭＰａ以上の押付け力と６００℃以上の温度とが必要であ
ることが公知である。そのため、本発明による方法でもこのような形式において
これらの条件を選択しなければならないことが見込まれる。プロセス条件を簡易
化にするために、成形しようとする半導体材料は、所定の成形温度においてプレ
ート材料より小さな硬度を有しているとよい。
【００１２】 図２には成形プロセスが再度拡大されて示されている。プレスしたい半導体の
原子は高圧下で側方にシフトし、したがって成形プレート２の表面プロフィルに
相応した、ネガティブな形を成形する。
原子は高圧下で側方にシフトし、したがって成形プレート２の表面プロフィルに
相応した、ネガティブな形を成形する。
【００１３】 両プレート２，３において使用される押付け力はできるだけ均等にプレート２
，３に分配されると有利である。そのため矢印で示したように、押付け力がほぼ
半導体ウェハ１に対して垂直な１つの線に沿って生ぜしめられる場合、有利な形
式では両プレート２，３上にドーム状の構造体２２，３２が、プレートへの押付
け力作用を横方向に分配するために被着されている。
，３に分配されると有利である。そのため矢印で示したように、押付け力がほぼ
半導体ウェハ１に対して垂直な１つの線に沿って生ぜしめられる場合、有利な形
式では両プレート２，３上にドーム状の構造体２２，３２が、プレートへの押付
け力作用を横方向に分配するために被着されている。
【００１４】 プレス装置の構造の簡素化のために、両プレート２，３のうち一方のプレート
にだけ押付け力が加えられるように構成してもよい。
にだけ押付け力が加えられるように構成してもよい。
【００１５】 さらに、成形プロセスが例えば窒素またはアルゴンのような不活性ガス雰囲気
または保護ガス雰囲気において実施されるようになっていてもよい。化合物半導
体を成形したい場合、成形プロセスにおいて所望されない形式で化合物半導体の
デコンポジションが生じ得る。そのためこのような場合には、成形プロセスの間
、化合物半導体の元素の添加された雰囲気が形成されると有利である。ＧａＡｓ
のようなＩＩＩ−Ｖ族半導体の成形時には、例えばＶ族元素（ヒ素）の添加され
た雰囲気を使用することができる。これによりデコンポジションを効果的に防止
することができる。
または保護ガス雰囲気において実施されるようになっていてもよい。化合物半導
体を成形したい場合、成形プロセスにおいて所望されない形式で化合物半導体の
デコンポジションが生じ得る。そのためこのような場合には、成形プロセスの間
、化合物半導体の元素の添加された雰囲気が形成されると有利である。ＧａＡｓ
のようなＩＩＩ−Ｖ族半導体の成形時には、例えばＶ族元素（ヒ素）の添加され
た雰囲気を使用することができる。これによりデコンポジションを効果的に防止
することができる。
【００１６】 第１の成形プレート２を各使用例に応じて珪素またはモリブデンのような金属
または別の最適な材料から構成することができる。この成形プレートは成形プロ
セス前に、半導体ウェハの所望の表面プロフィルに相応したネガ型の表面プロフ
ィルを形成するように加工される。このために各プレート材料に応じてエッチン
グプロセスまたは別の研削方法もしくは研磨方法を使用することができる。プレ
スしようとする半導体ウェハに凹状のレンズ構造体を形成するために、例えば乾
式エッチング技術によって構造化された、凸状のマイクロレンズを有するシリコ
ンウェハを使用することもできる。
または別の最適な材料から構成することができる。この成形プレートは成形プロ
セス前に、半導体ウェハの所望の表面プロフィルに相応したネガ型の表面プロフ
ィルを形成するように加工される。このために各プレート材料に応じてエッチン
グプロセスまたは別の研削方法もしくは研磨方法を使用することができる。プレ
スしようとする半導体ウェハに凹状のレンズ構造体を形成するために、例えば乾
式エッチング技術によって構造化された、凸状のマイクロレンズを有するシリコ
ンウェハを使用することもできる。
【００１７】 図３には凹状のレンズ構造体のための例が示されている。このレンズ構造体は
本発明の方法によって化合物半導体ＧａＰから製造される凹状のマイクロレンズ
１０である。このマイクロレンズ１０は主として、本発明の方法によって成形さ
れた湾曲された凹状の窪み１１を有している。化合物半導体ＧａＰは、相応した
厚さにおいて可視光線のために低い吸収率を有していて、したがってほぼ透明で
あり、さらにガラスと比べて著しく高い屈折率を有しているので有利である。そ
のため凹状のマイクロレンズ１０を介して光線５は図３に示したように進入時に
に非常に強く屈折する。
本発明の方法によって化合物半導体ＧａＰから製造される凹状のマイクロレンズ
１０である。このマイクロレンズ１０は主として、本発明の方法によって成形さ
れた湾曲された凹状の窪み１１を有している。化合物半導体ＧａＰは、相応した
厚さにおいて可視光線のために低い吸収率を有していて、したがってほぼ透明で
あり、さらにガラスと比べて著しく高い屈折率を有しているので有利である。そ
のため凹状のマイクロレンズ１０を介して光線５は図３に示したように進入時に
に非常に強く屈折する。
【００１８】 本発明による方法を別の使用例において発光ダイオードまたはレーザダイオー
ドを製造するために使用することができる。この場合、まず凹状の構造体が半導
体ウェハに形成され、これをベースに、発光ダイオードまたはレーザダイオード
を製造するための別のプロセス段階が実施される。図４にはこのような形式で製
造された発光ダイオードが示されており、この発光ダイオードは素材としてｎ導
伝型のＧａＡｓ基板１００が使用される。この基板１００には本発明の方法によ
って湾曲された窪み１１０が成形される。別のプロセス段階では窪み１１０を有
する少なくとも１つの区分上に、ブラック反射層列１２０がエピタキシャル成長
される。この構造体上にはｎ型ドーピングされた層１３０とｐ型ドーピングされ
た層１４０とから成るアクティブな層列がエピタキシャル成長される。これらの
層列は発光するｐｎジャンクション１３５を層１３０と層１４０との境界面に有
している。電流供給は、ｐ側に設けられたｐ型コンタクト１５０と、ｎ型基板１
００に設けられたｎ型コンタクト（図示せず）とによって行われる。
ドを製造するために使用することができる。この場合、まず凹状の構造体が半導
体ウェハに形成され、これをベースに、発光ダイオードまたはレーザダイオード
を製造するための別のプロセス段階が実施される。図４にはこのような形式で製
造された発光ダイオードが示されており、この発光ダイオードは素材としてｎ導
伝型のＧａＡｓ基板１００が使用される。この基板１００には本発明の方法によ
って湾曲された窪み１１０が成形される。別のプロセス段階では窪み１１０を有
する少なくとも１つの区分上に、ブラック反射層列１２０がエピタキシャル成長
される。この構造体上にはｎ型ドーピングされた層１３０とｐ型ドーピングされ
た層１４０とから成るアクティブな層列がエピタキシャル成長される。これらの
層列は発光するｐｎジャンクション１３５を層１３０と層１４０との境界面に有
している。電流供給は、ｐ側に設けられたｐ型コンタクト１５０と、ｎ型基板１
００に設けられたｎ型コンタクト（図示せず）とによって行われる。
【００１９】 湾曲されたブラッグ反射器によって、発光するｐｎジャンクションから下方に
向かって放射された出射光線は表面に対して著しく垂直に反射され、これにより
高い出力結合係数が得られる。しかしブラッグ反射層列を廃止することもでき、
その結果マイクロレンズとして作用する窪み１１０上にはｐｎジャンクション１
３５を有する単にアクティブな層列だけを成長させることもできる。
向かって放射された出射光線は表面に対して著しく垂直に反射され、これにより
高い出力結合係数が得られる。しかしブラッグ反射層列を廃止することもでき、
その結果マイクロレンズとして作用する窪み１１０上にはｐｎジャンクション１
３５を有する単にアクティブな層列だけを成長させることもできる。
【００２０】 しかしさらに図４に示した構造体を垂直共振レーザダイオードに改良すること
ができる。共振器を形成するために単にアクティブな層列の上方にだけ第２のバ
ラッグ反射層列を、エピタキシャル成長させればよい。次いで垂直共振レーザダ
イオードの構造化は、公知である技術方法を用いて実施することができる。
ができる。共振器を形成するために単にアクティブな層列の上方にだけ第２のバ
ラッグ反射層列を、エピタキシャル成長させればよい。次いで垂直共振レーザダ
イオードの構造化は、公知である技術方法を用いて実施することができる。
【図１】 本発明による方法を実施するための装置の１実施例である。
【図２】 プレス成形過程を示した拡大図である。
【図３】 本発明による方法で製造された凹状のレンズの図である。
【図４】 本発明による方法で製造された垂直共振発光ダイオードの図である。
１ 半導体ウェハ、 ２，３ プレート、 ５ 光線、 １０ マイクロレン
ズ、 ２１ 湾曲部、 ２２，３２ 構造体、 １００ ｎ型基板、 １２０
ブラッグ反射層列、 １３０ 層、 １３５ ｐｎジャンクション、 １４０
層、 １５０ ｐ型コンタクト
ズ、 ２１ 湾曲部、 ２２，３２ 構造体、 １００ ｎ型基板、 １２０
ブラッグ反射層列、 １３０ 層、 １３５ ｐｎジャンクション、 １４０
層、 １５０ ｐ型コンタクト
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１月１６日（２００１．１．１６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１７】 前記２つのプレート（２，３）の、半導体ウェハ（１）と
は反対側に、押付け力を分配するためにドーム状の構造体（２２，３２）が、被
着されている、請求項１３から１６までのいずれか１項記載の装置。
は反対側に、押付け力を分配するためにドーム状の構造体（２２，３２）が、被
着されている、請求項１３から１６までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年２月２０日（２００１．２．２０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】 長年にわたって、例えばマイクロレンズおよびマイクロレンズアレーのような
光学的なマイクロコンポーネントがオプトエレクトロニクスにおいて使用されて
いる。特に簡単に凸状のマイクロレンズを、再軟化されるフォトレジスト構造体
（フォトレジストリフロー）によって形成することができる。この凸状の形は加
熱時にフォトレジストの表面張力によって自動的に形成され、乾式エッチング方
法によって、例えばシリコン半導体ウェハに転写される。凹状の構造体の再現可
能な生産は著しく困難である。なぜならばリフローのようなセルフアライメント
するフォトレジストプロセスが提供されないからである。しかし数多くの使用例
において凹状のマイクロレンズは有利には、例えば縁部放射するレーザダイオー
ドの出射光線の非点収差を修正するために使用される。大抵は拡散効果を利用し
て湿式化学的なエッチング方法によって凹状構造体を形成しようとする。このよ
うな方法は再現性の悪さおよび表面品質の欠陥に基づきこれまで大量生産技術的
な使用において普及されていない。 米国特許第５３７８２８９号明細書に、非晶質シリコンから成る表面を変形か
つ結晶化させる、半導体表面を成形するための方法が記載されていて、そのため
にピラミッド状突出部の設けられた、凹凸面を有する、結晶系シリコンから成る
圧縮フォームが温度作用のもとで非晶質シリコン表面にプレスされる。これによ
り、プレス過程のために使用されるフォームの、凹凸面を有する表面に相応して
、凹凸面を備えた表面を有する結晶系シリコン薄膜を製造することができる。
光学的なマイクロコンポーネントがオプトエレクトロニクスにおいて使用されて
いる。特に簡単に凸状のマイクロレンズを、再軟化されるフォトレジスト構造体
（フォトレジストリフロー）によって形成することができる。この凸状の形は加
熱時にフォトレジストの表面張力によって自動的に形成され、乾式エッチング方
法によって、例えばシリコン半導体ウェハに転写される。凹状の構造体の再現可
能な生産は著しく困難である。なぜならばリフローのようなセルフアライメント
するフォトレジストプロセスが提供されないからである。しかし数多くの使用例
において凹状のマイクロレンズは有利には、例えば縁部放射するレーザダイオー
ドの出射光線の非点収差を修正するために使用される。大抵は拡散効果を利用し
て湿式化学的なエッチング方法によって凹状構造体を形成しようとする。このよ
うな方法は再現性の悪さおよび表面品質の欠陥に基づきこれまで大量生産技術的
な使用において普及されていない。 米国特許第５３７８２８９号明細書に、非晶質シリコンから成る表面を変形か
つ結晶化させる、半導体表面を成形するための方法が記載されていて、そのため
にピラミッド状突出部の設けられた、凹凸面を有する、結晶系シリコンから成る
圧縮フォームが温度作用のもとで非晶質シリコン表面にプレスされる。これによ
り、プレス過程のために使用されるフォームの、凹凸面を有する表面に相応して
、凹凸面を備えた表面を有する結晶系シリコン薄膜を製造することができる。
Claims (17)
- 【請求項１】 成形したい表面を有する半導体ウェハを２つのプレートの間
に緊締し、少なくとも一方のプレートが、前記半導体表面の所望の形に対するネ
ガ型を有しており、前記半導体表面を、高められた温度においてプレートでプレ
スすることを特徴とする、半導体表面を成形するための方法。 - 【請求項２】 第１のプレートに、半導体ウェハの半導体表面の所望の形に
対するネガ型の形を与え、第２のプレートに平坦な面を与えている、請求項１記
載の方法。 - 【請求項３】 プレス作用を得るために、少なくとも一方のプレートに押付
け力を半導体ウェハに向けて垂直方向で加える、請求項１または２記載の方法。 - 【請求項４】 前記２つのプレートに、押付け力を半導体ウェハに向けて垂
直方向で加える、請求項３記載の方法。 - 【請求項５】 前記押付け力が１ＭＰａより大きく、かつ温度が６００℃よ
り高い、請求項３または４記載の方法。 - 【請求項６】 窒素またはアルゴンのような不活性ガス雰囲気または保護ガ
ス雰囲気において実施する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項７】 半導体ウェハに化合物半導体を与え、該化合物半導体の元素
の添加された雰囲気内で実施する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方
法。 - 【請求項８】 前記化合物半導体がＧａＡｓであり、ヒ素の添加された雰囲
気内で実施する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項９】 少なくとも一方のプレートの形に凸状の構造を与え、プレス
過程によって半導体表面に凹状の構造、特にマイクロレンズを形成する、請求項
１から８までのいずれか１項記載の方法。 - 【請求項１０】 半導体表面に少なくとも１つの湾曲された窪みを有する構
造体、特にマイクロレンズを、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法に
基づいて形成し、前記窪みを有する区分上にアクティブな層列を成長させ、得ら
れた前記構造体に電気的な接触部を設けることを特徴とする、発光ダイオードを
製造するための方法。 - 【請求項１１】 アクティブな層列を成長させる前に、窪みを有する区分上
にブラッグ反射層列を成長させる、請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 アクティブな層列を成長させた後に、窪みを有する区分上
に別のブラッグ反射層列を成長させ、その結果垂直共振レーザダイオードを形成
する、請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 ２つのプレート（２，３）と１つのプレス装置とが設けら
れており、該プレートのうち少なくとも一方が、半導体ウェハ（１）の半導体表
面の所望の形に対してネガ型の形を有しており、前記プレス装置によって前記両
プレート（２，３）のうち少なくとも一方に、押付け力が、半導体ウェハ（１）
に向けて垂直方向で加えられるようになっていることを特徴とする、請求項１か
ら１２までのいずれか１項記載の方法を実施するための装置。 - 【請求項１４】 第１のプレート（２）が半導体ウェハ（１）の半導体表面
の所望の形に対してネガ型の形を有しており、第２のプレート（３）が平坦な表
面を有している、請求項１３記載の装置。 - 【請求項１５】 プレスしようとする半導体ウェハ（１）が、成形温度にお
いて、成形プレート（２）の材料よりも小さな硬度を有している、請求項１３ま
たは１４記載の装置。 - 【請求項１６】 前記２つのプレート（２，３）が珪素またはモリブデンの
ような金属を有しており、特に該金属から構成されている、請求項１３から１５
までのいずれか１項記載の装置。 - 【請求項１７】 前記２つのプレート（２，３）の、半導体ウェハ（１）と
は反対側の側にドーム状の構造体（２２，３２）が、押付け力を分配するために
被着されている、請求項１３から１６までのいずれか１項記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19900051 | 1999-01-04 | ||
| DE19900051.4 | 1999-01-04 | ||
| PCT/DE2000/000009 WO2000041221A2 (de) | 1999-01-04 | 2000-01-03 | Verfahren und vorrichtung zur formgebung von halbleiteroberflächen |
Publications (1)
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|---|---|
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ID=7893558
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2000592865A Pending JP2002534801A (ja) | 1999-01-04 | 2000-01-03 | 半導体表面を成形するための装置および方法 |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1148983B1 (ja) |
| JP (1) | JP2002534801A (ja) |
| DE (1) | DE50010046D1 (ja) |
| WO (1) | WO2000041221A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013526048A (ja) * | 2010-04-28 | 2013-06-20 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 太陽電池用シリコンウェハーを機械的にテクスチャリングする装置及び方法、並びに得られるシリコンウェハー |
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| JP4148764B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2008-09-10 | 株式会社沖データ | 半導体発光装置用半導体エピタキシャル構造および半導体発光装置 |
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| US8124437B2 (en) * | 2009-12-21 | 2012-02-28 | Du Pont Apollo Limited | Forming protrusions in solar cells |
| CN114919107B (zh) * | 2022-05-17 | 2024-02-27 | 深圳技术大学 | 硅模具的高温模压成型装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US2725318A (en) | 1952-07-07 | 1955-11-29 | Gen Electric | Method of plastic working of semiconductors |
| US4240311A (en) * | 1978-12-18 | 1980-12-23 | Motorola, Inc. | Quartz crystal resonator |
| JPS56103484A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacture of semiconductor device for photoelectric conversion |
| CA1181557A (en) | 1980-12-29 | 1985-01-29 | Charles B. Willingham | Polycrystalline zinc sulfide and zinc selenide articles having improved optical quality |
| JPS59127879A (ja) * | 1983-01-12 | 1984-07-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置およびその作製方法 |
| JPS59141500A (ja) | 1983-02-01 | 1984-08-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光学部品の製造法 |
| JPS6016426A (ja) | 1983-07-08 | 1985-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造法 |
| JPS6222690A (ja) | 1985-07-24 | 1987-01-30 | 株式会社東芝 | 洗濯機 |
| JPH0385774A (ja) | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Hitachi Ltd | 半導体発光素子 |
| DE4113969A1 (de) * | 1991-04-29 | 1992-11-05 | Telefunken Electronic Gmbh | Verfahren zur herstellung von ohmschen kontakten fuer verbindungshalbleiter |
| JPH0656442A (ja) | 1992-08-15 | 1994-03-01 | Horiba Ltd | 赤外光学レンズ |
| JPH06163954A (ja) * | 1992-11-20 | 1994-06-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 結晶系シリコン薄膜の形成方法及びこの膜を用いた光起電力装置 |
| US5306646A (en) * | 1992-12-23 | 1994-04-26 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Method for producing textured substrates for thin-film photovoltaic cells |
| JPH07232319A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | M Setetsuku Kk | インゴットのスライス方法 |
| JP3121617B2 (ja) * | 1994-07-21 | 2001-01-09 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| WO1996025677A1 (fr) * | 1995-02-17 | 1996-08-22 | Washi Kosan Co., Ltd. | Structure de surface convexe d'un grain ultra-fin |
| DE19624593A1 (de) | 1996-06-20 | 1998-01-02 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Herstellen einer Mikrolinse |
| US6255004B1 (en) * | 1996-11-27 | 2001-07-03 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | III-V nitride semiconductor devices and process for the production thereof |
| US6319742B1 (en) * | 1998-07-29 | 2001-11-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of forming nitride based semiconductor layer |
-
2000
- 2000-01-03 DE DE50010046T patent/DE50010046D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-03 EP EP00904808A patent/EP1148983B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-03 JP JP2000592865A patent/JP2002534801A/ja active Pending
- 2000-01-03 WO PCT/DE2000/000009 patent/WO2000041221A2/de active IP Right Grant
-
2001
- 2001-07-05 US US09/899,697 patent/US6716659B2/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|---|---|---|
| JP2013526048A (ja) * | 2010-04-28 | 2013-06-20 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 太陽電池用シリコンウェハーを機械的にテクスチャリングする装置及び方法、並びに得られるシリコンウェハー |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| WO2000041221A3 (de) | 2000-11-02 |
| US20020048956A1 (en) | 2002-04-25 |
| DE50010046D1 (de) | 2005-05-19 |
| EP1148983A2 (de) | 2001-10-31 |
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040317 |