JP2002356776A - 単層カーボンナノチューブの製造方法 - Google Patents
単層カーボンナノチューブの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 径や長さが比較的揃った単層カーボンナノチ
ューブを低温で合成するためのカーボンナノチューブの
製造方法を提供する。 【解決手段】 アルカリ金属、硫黄及びシリカからなる
不純物の含有量が０．０５％以下の高純度アルミナにカ
ーボンナノチューブ生成反応に活性を有する触媒金属と
その触媒助剤金属としてモリブデンを含有させたものか
らなる活性基体上に、７００〜８００℃の温度におい
て、有機炭素原料の気体を流通させることを特徴とする
単層カーボンナノチューブの製造方法。
ューブを低温で合成するためのカーボンナノチューブの
製造方法を提供する。 【解決手段】 アルカリ金属、硫黄及びシリカからなる
不純物の含有量が０．０５％以下の高純度アルミナにカ
ーボンナノチューブ生成反応に活性を有する触媒金属と
その触媒助剤金属としてモリブデンを含有させたものか
らなる活性基体上に、７００〜８００℃の温度におい
て、有機炭素原料の気体を流通させることを特徴とする
単層カーボンナノチューブの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ法（化学蒸
着法）により単層カーボンナノチューブを製造する方法
に関するものである。
着法）により単層カーボンナノチューブを製造する方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】単層カーボンナノチューブの合成にはア
ーク放電法、レーザー照射法が主に用いられている。ア
ーク放電やレーザー照射法によるカーボンナノチューブ
の合成においては空排気装置や高電圧・大電流電源など
の高価かつ危険な装置を必要とし、また生成量も少な
く、多層カーボンナノチューブや黒鉛、アモルファスカ
ーボンが混在し、単層カーボンナノチューブの径や長さ
のばらつきが大きい等の問題がある。また、触媒金属を
含有させた活性基体上で、炭素源となる炭化水素を熱分
解させて、該基体上に直接カーボンナノチューブを生成
させるＣＶＤ法が知られている。このＣＶＤ法では通常
８５０〜１０００℃程度の反応温度が必要とされてお
り、多量の熱エネルギーの使用を要するという問題があ
る。
ーク放電法、レーザー照射法が主に用いられている。ア
ーク放電やレーザー照射法によるカーボンナノチューブ
の合成においては空排気装置や高電圧・大電流電源など
の高価かつ危険な装置を必要とし、また生成量も少な
く、多層カーボンナノチューブや黒鉛、アモルファスカ
ーボンが混在し、単層カーボンナノチューブの径や長さ
のばらつきが大きい等の問題がある。また、触媒金属を
含有させた活性基体上で、炭素源となる炭化水素を熱分
解させて、該基体上に直接カーボンナノチューブを生成
させるＣＶＤ法が知られている。このＣＶＤ法では通常
８５０〜１０００℃程度の反応温度が必要とされてお
り、多量の熱エネルギーの使用を要するという問題があ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は径や長さが比
較的揃った単層カーボンナノチューブを低温で合成する
ためのカーボンナノチューブの製造方法を提供すること
をその課題とする。
較的揃った単層カーボンナノチューブを低温で合成する
ためのカーボンナノチューブの製造方法を提供すること
をその課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を行った結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、以下の発明が提供さ
れる。 （１）アルカリ金属、硫黄及びシリカからなる不純物の
含有量が０．０５％以下の高純度アルミナにカーボンナ
ノチューブ生成反応に活性を有する触媒金属とその触媒
助剤金属としてモリブデンを含有させたものからなる活
性基体上に、７００〜８００℃の温度において、有機炭
素原料の気体を流通させることを特徴とする単層カーボ
ンナノチューブの製造方法。 （２）該触媒金属が、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの中から選ば
れる少なくとも１種の金属を含有する前記（１）に記載
の方法。 （３）該炭素原料としてメタンを用いる前記（１）〜
（２）のいずれかに記載の方法。
を解決すべく鋭意研究を行った結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明によれば、以下の発明が提供さ
れる。 （１）アルカリ金属、硫黄及びシリカからなる不純物の
含有量が０．０５％以下の高純度アルミナにカーボンナ
ノチューブ生成反応に活性を有する触媒金属とその触媒
助剤金属としてモリブデンを含有させたものからなる活
性基体上に、７００〜８００℃の温度において、有機炭
素原料の気体を流通させることを特徴とする単層カーボ
ンナノチューブの製造方法。 （２）該触媒金属が、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの中から選ば
れる少なくとも１種の金属を含有する前記（１）に記載
の方法。 （３）該炭素原料としてメタンを用いる前記（１）〜
（２）のいずれかに記載の方法。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のカーボンナノチューブの
製造方法においては、カーボンナノチューブを成長させ
る活性基体として、アルカリ金属（Ｎａ、Ｋ等）、硫黄
及びシリカからなる不純物の含有量が０．０５％以下、
好ましくは０．０１％以下の高純度アルミナに触媒金属
とその触媒助剤金属を含有させたものを用いる。この場
合の高純度アルミナは、例えば、高純度のアルミニウム
トリアルコキシドを原料とし、これを加水分解し、焼成
することにより製造することが出来る。アルミナの形態
は、粉末状、ペレット状、板体状などの各種の形状であ
ることが出来る。
製造方法においては、カーボンナノチューブを成長させ
る活性基体として、アルカリ金属（Ｎａ、Ｋ等）、硫黄
及びシリカからなる不純物の含有量が０．０５％以下、
好ましくは０．０１％以下の高純度アルミナに触媒金属
とその触媒助剤金属を含有させたものを用いる。この場
合の高純度アルミナは、例えば、高純度のアルミニウム
トリアルコキシドを原料とし、これを加水分解し、焼成
することにより製造することが出来る。アルミナの形態
は、粉末状、ペレット状、板体状などの各種の形状であ
ることが出来る。
【０００６】本発明で用いる活性基体を製造するには、
前記高純度アルミナを触媒金属とその触媒助剤金属を溶
解状で含む溶液と接触させ、アルミナにその触媒金属と
触媒助剤金属を含有させる。この場合の触媒金属として
は、カーボンナノチューブの成長に活性を有する従来公
知の触媒金属、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の各種の遷移
金属を１種もしくは２種組み合わせて用いることが出来
る。触媒助剤金属としては、Ｍｏが用いられる。これら
の触媒金属及びその触媒助剤金属は可溶性塩、例えば、
硝酸塩という形態で用いられる。触媒金属及びその触媒
助剤金属を溶解状で含む溶液（金属溶液）は、触媒金属
及びその触媒助剤金属を可溶性塩の形態で、それを溶解
する溶媒、例えば、水、低級アルコール等の有機溶媒又
は水と水溶性有機溶媒との混合液、好ましくは水に溶解
させることによって調製することが出来る。この触媒金
属及びその触媒助剤金属を含む溶液において、その金属
濃度はその飽和溶解濃度以下であるが、通常は０．０１
〜０．０５％、好ましくは０．００５〜０．０１％であ
る。アルミナと金属溶液との接触法としては、浸漬法や
スプレー法等があるが、通常は浸漬法が用いられる。そ
の接触温度は室温〜８０℃、好ましくは５０〜６０℃で
ある。前記アルミナと金属溶液との接触により、触媒溶
液はアルミナに含浸される。
前記高純度アルミナを触媒金属とその触媒助剤金属を溶
解状で含む溶液と接触させ、アルミナにその触媒金属と
触媒助剤金属を含有させる。この場合の触媒金属として
は、カーボンナノチューブの成長に活性を有する従来公
知の触媒金属、例えばＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の各種の遷移
金属を１種もしくは２種組み合わせて用いることが出来
る。触媒助剤金属としては、Ｍｏが用いられる。これら
の触媒金属及びその触媒助剤金属は可溶性塩、例えば、
硝酸塩という形態で用いられる。触媒金属及びその触媒
助剤金属を溶解状で含む溶液（金属溶液）は、触媒金属
及びその触媒助剤金属を可溶性塩の形態で、それを溶解
する溶媒、例えば、水、低級アルコール等の有機溶媒又
は水と水溶性有機溶媒との混合液、好ましくは水に溶解
させることによって調製することが出来る。この触媒金
属及びその触媒助剤金属を含む溶液において、その金属
濃度はその飽和溶解濃度以下であるが、通常は０．０１
〜０．０５％、好ましくは０．００５〜０．０１％であ
る。アルミナと金属溶液との接触法としては、浸漬法や
スプレー法等があるが、通常は浸漬法が用いられる。そ
の接触温度は室温〜８０℃、好ましくは５０〜６０℃で
ある。前記アルミナと金属溶液との接触により、触媒溶
液はアルミナに含浸される。
【０００７】この触媒金属及び触媒助剤金属を含有する
アルミナにおいて、その触媒金属の含有量は、触媒金属
として、１〜２０％、好ましくは５〜１０％である。そ
の触媒助剤金属としてのＭｏの含有量は、金属Ｍｏとし
て、０．１〜１．５％、好ましくは０．３〜０．８％で
ある。アルミナに含有されたそれら金属の形態は、カー
ボンナノチューブの生成を促進させる形態であればよ
く、金属形態の他、金属酸化物、金属水酸化物の形態で
あることができる。金属形態の場合、前記で得られた金
属含有アルミナは、これを水素還元すればよい。また、
金属酸化物形態の場合、前記で得られた金属含有アルミ
ナは、これを焼成すればよい。
アルミナにおいて、その触媒金属の含有量は、触媒金属
として、１〜２０％、好ましくは５〜１０％である。そ
の触媒助剤金属としてのＭｏの含有量は、金属Ｍｏとし
て、０．１〜１．５％、好ましくは０．３〜０．８％で
ある。アルミナに含有されたそれら金属の形態は、カー
ボンナノチューブの生成を促進させる形態であればよ
く、金属形態の他、金属酸化物、金属水酸化物の形態で
あることができる。金属形態の場合、前記で得られた金
属含有アルミナは、これを水素還元すればよい。また、
金属酸化物形態の場合、前記で得られた金属含有アルミ
ナは、これを焼成すればよい。
【０００８】本発明により触媒金属及び触媒助剤金属を
含有する活性基体を好ましく製造するには、先ずそれら
金属を含有する粉体状アルミナを作り、次に、このアル
ミナを所要形状に成形する方法と、Ｓｉや石英ガラス等
の基板に塗布する方法がある。この場合、粉体状アルミ
ナにおいては比表面積は１００〜２５０ｃｍ2／ｇ、好
ましくは２００〜２５０ｃｍ2／ｇである。
含有する活性基体を好ましく製造するには、先ずそれら
金属を含有する粉体状アルミナを作り、次に、このアル
ミナを所要形状に成形する方法と、Ｓｉや石英ガラス等
の基板に塗布する方法がある。この場合、粉体状アルミ
ナにおいては比表面積は１００〜２５０ｃｍ2／ｇ、好
ましくは２００〜２５０ｃｍ2／ｇである。
【０００９】本発明によりカーボンナノチューブを製造
するには、前記触媒金属と触媒助剤金属を含有するアル
ミナからなる基体の存在下において、有機炭素原料を流
通させながら熱分解させる。この場合の反応温度（熱分
解温度）は７００〜１０００℃であればよく、特に制約
されないが、本発明の場合、特に７００〜８００℃とい
う低い温度においてカーボンナノチューブの製造が可能
であるという大きな利点がある。有機炭素原料の流通速
度は、ガス空間速度（ＧＨＳＶ）で２０００〜２０００
００ｈｒ-1、好ましくは、５０００〜１００００ｈｒ-1
である。
するには、前記触媒金属と触媒助剤金属を含有するアル
ミナからなる基体の存在下において、有機炭素原料を流
通させながら熱分解させる。この場合の反応温度（熱分
解温度）は７００〜１０００℃であればよく、特に制約
されないが、本発明の場合、特に７００〜８００℃とい
う低い温度においてカーボンナノチューブの製造が可能
であるという大きな利点がある。有機炭素原料の流通速
度は、ガス空間速度（ＧＨＳＶ）で２０００〜２０００
００ｈｒ-1、好ましくは、５０００〜１００００ｈｒ-1
である。
【００１０】前記有機炭素原料としては、特に制約され
ず、高温で炭素化されるものであればよい。このような
ものとしては、メタン、エタン、プロパン、ブタン等の
飽和炭化水素；エチレン、プロピレン、ブテン、イソブ
テン等の不飽和炭化水素；アセチレン等のアセチレン系
化合物；ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタレン等
の芳香族炭化水素、これらの混合物（例えばナフサや軽
油等）等が包含される。前記有機炭素原料を熱分解する
場合、その気体中にはアルゴンガスや水素ガスをキャリ
アーとして混入することができる。また、有機炭素原料
には、硫化水素やメルカプタン等のイオウ化合物を適量
加えることができる。これにより、基体状に真っ直ぐな
カーボンナノチューブを得ることが出来る。本発明によ
り得られるカーボンナノチューブは、細径のもので、そ
の太さ（直径）は、通常０．５〜２ｎｍ程度の単層のも
のである。
ず、高温で炭素化されるものであればよい。このような
ものとしては、メタン、エタン、プロパン、ブタン等の
飽和炭化水素；エチレン、プロピレン、ブテン、イソブ
テン等の不飽和炭化水素；アセチレン等のアセチレン系
化合物；ベンゼン、トルエン、キシレン、ナフタレン等
の芳香族炭化水素、これらの混合物（例えばナフサや軽
油等）等が包含される。前記有機炭素原料を熱分解する
場合、その気体中にはアルゴンガスや水素ガスをキャリ
アーとして混入することができる。また、有機炭素原料
には、硫化水素やメルカプタン等のイオウ化合物を適量
加えることができる。これにより、基体状に真っ直ぐな
カーボンナノチューブを得ることが出来る。本発明によ
り得られるカーボンナノチューブは、細径のもので、そ
の太さ（直径）は、通常０．５〜２ｎｍ程度の単層のも
のである。
【００１１】
【実施例】次に本発明を実施例により詳細に説明する。
【００１２】実施例１ ナトリウム含有量が０．０１％以下の純度が９９．９５
％以上である高純度γ−アルミナ粉末１．０ｇを、硝酸
鉄（Ｆｅ（ＮＯ3)2・９Ｈ2Ｏ）０．２ｇと酸化モリブデ
ンアセチルアセトナート（（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3)2
ＭｏＯ2）０．０１ｇをメタノール３５ｍｌに溶解させ
て得た溶液中に３０分間浸し、３時間超音波処理により
分散させた。これをＳｉ基板に塗布し、空気中で１２０
℃で１時間乾燥させた。次に、この基板をアルミナボー
トにのせ、電気炉に挿入し、アルゴン雰囲気下で７００
℃まで昇温させた後、メタンを６０ｃｃ／分、アルゴン
を２４０ｃｃ／分を５分間流通させた。その結果、基板
表面にはバンドルになったカーボンナノチューブが堆積
した。カーボンナノチューブの太さ（直径）は１ｎｍ程
度であった。
％以上である高純度γ−アルミナ粉末１．０ｇを、硝酸
鉄（Ｆｅ（ＮＯ3)2・９Ｈ2Ｏ）０．２ｇと酸化モリブデ
ンアセチルアセトナート（（ＣＨ3ＣＯＣＨＣＯＣＨ3)2
ＭｏＯ2）０．０１ｇをメタノール３５ｍｌに溶解させ
て得た溶液中に３０分間浸し、３時間超音波処理により
分散させた。これをＳｉ基板に塗布し、空気中で１２０
℃で１時間乾燥させた。次に、この基板をアルミナボー
トにのせ、電気炉に挿入し、アルゴン雰囲気下で７００
℃まで昇温させた後、メタンを６０ｃｃ／分、アルゴン
を２４０ｃｃ／分を５分間流通させた。その結果、基板
表面にはバンドルになったカーボンナノチューブが堆積
した。カーボンナノチューブの太さ（直径）は１ｎｍ程
度であった。
【００１３】比較例１ ナトリウム含有量が０．０１％以下の純度が９９．９５
％以上である高純度γ−アルミナ粉末１．０ｇを硝酸鉄
九水和物（Ｆｅ（ＮＯ3)2・９Ｈ2Ｏ）０．２ｇをメタノ
ール３５ｍｌに溶解させて得た溶液中に３０分間浸し、
３時間超音波処理により分散させた。これをＳｉ基板に
塗布し、空気中で１２０℃で１時間乾燥させた。次に、
この基板をアルミナボートにのせ、電気炉に挿入し、ア
ルゴン雰囲気下で７００℃まで昇温させた後、メタンを
６０ｃｃ／分、アルゴンを２４０ｃｃ／分を５分間流通
させた。その結果、基板表面にはバンドルになったカー
ボンナノチューブが極くわずか生成した。カーボンナノ
チューブの太さ（直径）は１ｎｍ程度であった。
％以上である高純度γ−アルミナ粉末１．０ｇを硝酸鉄
九水和物（Ｆｅ（ＮＯ3)2・９Ｈ2Ｏ）０．２ｇをメタノ
ール３５ｍｌに溶解させて得た溶液中に３０分間浸し、
３時間超音波処理により分散させた。これをＳｉ基板に
塗布し、空気中で１２０℃で１時間乾燥させた。次に、
この基板をアルミナボートにのせ、電気炉に挿入し、ア
ルゴン雰囲気下で７００℃まで昇温させた後、メタンを
６０ｃｃ／分、アルゴンを２４０ｃｃ／分を５分間流通
させた。その結果、基板表面にはバンドルになったカー
ボンナノチューブが極くわずか生成した。カーボンナノ
チューブの太さ（直径）は１ｎｍ程度であった。
【００１４】比較例２ ナトリウム含有量が０．０２％、鉄０．６％程度の不純
物を含むγ−アルミナ粉末１．０ｇを硝酸鉄九水和物
０．２ｇと酸化モリブデンアセチルアセトナート０．０
１ｇをメタノール３５ｍｌに溶解させて得た溶液中に３
０分間浸し、３時間超音波処理により分散させた。これ
をＳｉ基板に塗布し、７００℃で実施例１と同様に反応
させた。その結果、基板表面にはアモルファスカーボン
が堆積し、カーボンナノチューブは生成していなかっ
た。
物を含むγ−アルミナ粉末１．０ｇを硝酸鉄九水和物
０．２ｇと酸化モリブデンアセチルアセトナート０．０
１ｇをメタノール３５ｍｌに溶解させて得た溶液中に３
０分間浸し、３時間超音波処理により分散させた。これ
をＳｉ基板に塗布し、７００℃で実施例１と同様に反応
させた。その結果、基板表面にはアモルファスカーボン
が堆積し、カーボンナノチューブは生成していなかっ
た。
【００１５】実施例２ ナトリウム含有量が０．０１％以下の純度が９９．９５
％以上である高純度γ−アルミナ粉末１．０ｇを硝酸コ
バルト（Ｃｏ（ＮＯ3)2）０．１ｇと酸化モリブデンア
セチルアセトナート０．０１ｇをメタノールに溶解させ
て得た溶液中に３０分間浸し、３時間超音波処理により
分散させた。これをＳｉ基板に塗布し、８００℃で実施
例１と同様に反応させた。基板表面に、バンドルになっ
たカーボンナノチューブが堆積した。その太さ（直径）
は１．２ｎｍ程度であった。
％以上である高純度γ−アルミナ粉末１．０ｇを硝酸コ
バルト（Ｃｏ（ＮＯ3)2）０．１ｇと酸化モリブデンア
セチルアセトナート０．０１ｇをメタノールに溶解させ
て得た溶液中に３０分間浸し、３時間超音波処理により
分散させた。これをＳｉ基板に塗布し、８００℃で実施
例１と同様に反応させた。基板表面に、バンドルになっ
たカーボンナノチューブが堆積した。その太さ（直径）
は１．２ｎｍ程度であった。
【００１６】実施例３ ９９．９９９％のＡｌ（ＯＣＨ（ＣＨ3)2)3４．０ｇを
イソプロパノール１４０ｍｌに加え、還流により溶解さ
せた溶液中に、硝酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＯ3)2)０．１ｇ
と酸化モリブデンアセチルアセトナート０．０１ｇをイ
ソプロパノール１０ｍｌに溶解させて得た溶液を混合し
た。これをＳｉ基板に塗布し、８００℃で実施例１と同
様に反応させた。基板表面に、バンドルになったカーボ
ンナノチューブが堆積した。カーボンナノチューブの太
さ（直径）は０．８ｎｍ程度であった。
イソプロパノール１４０ｍｌに加え、還流により溶解さ
せた溶液中に、硝酸ニッケル（Ｎｉ（ＮＯ3)2)０．１ｇ
と酸化モリブデンアセチルアセトナート０．０１ｇをイ
ソプロパノール１０ｍｌに溶解させて得た溶液を混合し
た。これをＳｉ基板に塗布し、８００℃で実施例１と同
様に反応させた。基板表面に、バンドルになったカーボ
ンナノチューブが堆積した。カーボンナノチューブの太
さ（直径）は０．８ｎｍ程度であった。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、７００〜８００℃とい
う比較的低い反応温度で、単層カーボンナノチューブを
製造することができる。従って、本発明は、省エネルギ
ーの点及び装置コストの点で非常に有利な方法である。
う比較的低い反応温度で、単層カーボンナノチューブを
製造することができる。従って、本発明は、省エネルギ
ーの点及び装置コストの点で非常に有利な方法である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石倉 威文 東京都港区海岸１−５−20 東京瓦斯株式 会社内 (72)発明者 湯村 守雄 茨城県つくば市東１−１−１ 独立行政法 人 産業技術総合研究所 つくばセンター 内 (72)発明者 大嶋 哲 茨城県つくば市東１−１−１ 独立行政法 人 産業技術総合研究所 つくばセンター 内 (72)発明者 藤原 修三 茨城県つくば市東１−１−１ 独立行政法 人 産業技術総合研究所 つくばセンター 内 (72)発明者 古賀 義紀 茨城県つくば市東１−１−１ 独立行政法 人 産業技術総合研究所 つくばセンター 内 Ｆターム(参考） 4G046 CA02 CB03 CC02 CC03 CC06 CC08 4K030 AA09 AA10 AA16 BA27 BB11 CA05 FA10 JA10
Claims (3)
- 【請求項１】 アルカリ金属、硫黄及びシリカからなる
不純物の含有量が０．０５％以下の高純度アルミナにカ
ーボンナノチューブ生成反応に活性を有する触媒金属と
その触媒助剤金属としてモリブデンを含有させたものか
らなる活性基体上に、７００〜８００℃の温度におい
て、有機炭素原料の気体を流通させることを特徴とする
単層カーボンナノチューブの製造方法。 - 【請求項２】 該触媒金属が、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉの中
から選ばれる少なくとも１種の金属を含有する請求項１
に記載の方法。 - 【請求項３】 該炭素原料としてメタンを用いる請求項
１〜２のいずれかに記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001163190A JP3451339B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 単層カーボンナノチューブの製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001163190A JP3451339B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 単層カーボンナノチューブの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002356776A true JP2002356776A (ja) | 2002-12-13 |
| JP3451339B2 JP3451339B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=19006207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001163190A Expired - Lifetime JP3451339B2 (ja) | 2001-05-30 | 2001-05-30 | 単層カーボンナノチューブの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3451339B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006213590A (ja) * | 2005-01-04 | 2006-08-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 極細単層カーボンナノチューブからなる炭素繊維集合体及びその製造方法 |
| WO2007105707A1 (ja) | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Nikon Corporation | カーボンナノチューブ集合体の製造方法、カーボンナノチューブ集合体、触媒粒子分散膜、電子放出素子、及び、電界放出型ディスプレイ |
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