JP2002343850A - ステージ装置および露光装置 - Google Patents

ステージ装置および露光装置

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JP2002343850A
JP2002343850A JP2001145325A JP2001145325A JP2002343850A JP 2002343850 A JP2002343850 A JP 2002343850A JP 2001145325 A JP2001145325 A JP 2001145325A JP 2001145325 A JP2001145325 A JP 2001145325A JP 2002343850 A JP2002343850 A JP 2002343850A
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JP
Japan
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reticle
stage
force
substrate
wafer
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JP2001145325A
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Hiromitsu Yoshimoto
宏充 吉元
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Original Assignee
Nikon Corp
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716Stages
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 移動体の移動に際して、この移動体に保持さ
れる基板の位置ずれを防止する。 【解決手段】 保持面に基板Rを保持して移動する移動
体Hを備える。保持面に沿って基板Rに力を付与する付
勢装置16、17と、移動体Hの移動に伴う基板Rの慣
性力に基づいて付勢装置16、17を制御する制御装置
とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクやウエハ、
ガラス基板等の基板を保持する移動体が移動するステー
ジ装置、およびこのステージ装置に保持されたマスクと
感光基板とを用いて露光処理を行う露光装置に関し、特
に半導体集積回路や液晶ディスプレイ等のデバイスを製
造する際に、リソグラフィ工程で用いて好適なステージ
装置および露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、半導体素子又は液晶表示素子
等をフォトリソグラフィ工程で製造する場合に、種々の
露光装置が使用されているが、現在では、フォトマスク
又はレチクル(以下、「レチクル」と総称する)のパタ
ーン像を、投影光学系を介して表面にフォトレジスト等
の感光剤が塗布されたウエハ又はガラスプレート等の基
板上に転写する投影露光装置が一般的に使用されてい
る。近年では、この投影露光装置として、基板を2次元
的に移動自在な基板ステージ上に載置し、この基板ステ
ージにより基板を歩進(ステッピング)させて、レチク
ルのパターン像を基板上の各ショット領域に順次露光す
る動作を繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピー
ト方式の縮小投影露光装置(いわゆるステッパー)が主
流となっている。
【0003】最近になって、このステッパー等の静止型
露光装置に改良を加えた、ステップ・アンド・スキャン
方式の投影露光装置(例えば特開平7−176468号
公報に記載された様な走査型露光装置)も比較的多く用
いられるようになってきた。このステップ・アンド・ス
キャン方式の投影露光装置(スキャニング・ステッパ
ー)は、ステッパーに比べると大フィールドをより小さ
な光学系で露光できるため、投影光学系の製造が容易で
あると供に、大フィールド露光によるショット数の減少
により高スループットが期待出来ることや、投影光学系
に対してレチクル及びウエハを相対走査することで平均
化効果があり、ディストーションや焦点深度の向上が期
待出来る等のメリットがある。さらに、半導体素子の集
積度が16M(メガ)から64MのDRAM、更に将来
的には256M、1G(ギガ)というように時代ととも
に高くなるのに伴い、大フィールドが必須になるため、
ステッパーに代わってスキャン型投影露光装置が主流に
なるであろうと言われている。
【0004】これらの露光装置、例えば半導体デバイス
製造に用いられる半導体露光装置では、レチクルやウエ
ハはステージ装置におけるホルダにそれぞれ保持されて
2次元的に移動する。図10に、従来のステージ装置の
中、レチクルステージの一例を簡略的に示す。
【0005】この図に示すレチクルステージは、マスク
としてのレチクル(基板)Rを保持するレチクルホルダ
Hを備えており、レチクル保持面SにはレチクルRとの
間に吸引路Kが設けられ、この吸引路Kに接続された負
圧吸引装置Vにより負圧吸引(真空吸引)することで、
レチクルRをホルダHの保持面Sに吸着させ、その吸着
力を垂直抗力とした静止摩擦力によってレチクルRを保
持している。そして、レチクルRは、上記のステップ移
動や走査移動の際に駆動されるレチクルホルダHを介し
て、保持面Sにおける吸着力を垂直抗力成分とした静止
摩擦力によって推力を得る構成になっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来のステージ装置および露光装置には、以下
のような問題が存在する。ステップ・アンド・スキャン
方式の露光装置のレチクルステージでは、まず静止状態
においてnmオーダでのレチクル基準の位置合わせ(ア
ライメント)を行い、その後レチクルホルダHに付属す
る移動鏡との間の距離を計測する干渉計の計測結果を用
いてレチクルRの動的な位置決め・制御を行うため、加
速、減速を伴うステージ移動時にも、移動鏡が設置され
たレチクルホルダHとレチクルRとの相対位置関係をn
mオーダに保持する必要がある。また、スループットを
向上させて生産性を高めるために、近年ではステージ移
動時の加速度が大きくなる傾向にある。
【0007】図11に示すように、レチクルホルダHと
レチクルRとを加減速するための推力Fdは、モータ等
の不図示の駆動装置によりレチクルホルダHに付与され
る。レチクルRは、既述したように、保持面Sにおける
吸着力を垂直抗力成分とした静止摩擦力Fmによってレ
チクルホルダHを介して推力を得るが、レチクルRには
加減速に必要な推力方向と反対側に慣性力Fiが作用す
るため、保持面Sにはこの慣性力Fiに相当分のせん断
力Fsが発生する。このせん断力Fsが静止摩擦力Fm
を超えた場合には、レチクルRとレチクルホルダHとの
間に相対位置ずれが生じることになる。
【0008】これに対し、レチクルRが規格品であり重
量を小さくすることができないため、従来ではレチクル
ステージにおいて加速度を上げるために、吸着面積を広
くすることで垂直抗力を上げる方法が採られてきた。と
ころが、レチクルRは、露光光を透過する必要があり、
図12に示すように、パターン領域PAを避けて保持面
Sを配置しなければならないため、パターン領域PAの
占有率が高い現状ではレチクルRに対する吸着面積を広
くする方法では限界がある。従って、吸着力による垂直
抗力にも限界があり、垂直抗力に比例する静止摩擦力の
みに依存するレチクル保持ではさらなる高加速度化を推
し進めることが困難となっている。しかも、保持面Sに
静止摩擦力以下のせん断力を加えてもレチクルRとホル
ダHとの間の相対位置関係が変化しないというレベルで
の静止摩擦係数は、nmオーダを問題とする測定におい
て通常考えられるmm、μmオーダで測定される静止摩
擦係数に対して小さくなることが分かっている。
【0009】そこで、このような高加速度状態における
相対位置ずれ防止としては、一般的には図13に示すよ
うに、レチクルRを挟んだ進行方向両側からクランプ部
材C、Cでクランプする方法が考えられている。しか
し、この場合、図14に示すように、前後からクランプ
してしまうと結局クランプ力が釣り合ってしまい、クラ
ンプ部材Cの剛性を持ったバネBにより両側から釣り合
い位置で支持している状態と等価になる。このようなバ
ネBで表される系においては、相対位置ずれを防止する
力を発生させる条件はF=kx(kはバネ定数、xは変
位)で示されるが、この変位xがnmオーダしか許容さ
れない場合、相対位置ずれ防止のために必要なバネ定数
k(すなわちクランプ部の剛性)は膨大なものとなり現
実には成立しない。これは、進行方向左右両側からクラ
ンプした場合も同様である。
【0010】さらに、レチクルRを保持面Sの上方から
押さえ付けることにより垂直抗力を増加させて静止摩擦
力を大きくする方法もあるが、レチクルRの上方からの
力と、その力を発生させる機構の支点反力とが同軸上で
働かない限り、たとえセラミックスでレチクルホルダH
を形成したとしても、高加速時に必要な静止摩擦力を得
るために必要な力をレチクルRに掛けると数百nmオー
ダでホルダHを撓ませることになり、ホルダHに吸着し
ているレチクルRもそれに倣って撓むことにより、露光
時の収差となって現出してしまう。このような同軸条件
を満たしてレチクルRを押さえ付ける構造を採ること
は、吸着部配管等の存在とスペースの問題から設計的に
非常に困難となる。
【0011】しかも、ホルダH上でレチクルRが押さえ
付けられる箇所周辺は、通常平面度が保証されているわ
けではないので、上方から押さえ付けた場合、どこがレ
チクルRと接触するかが不明であり、上記の同軸条件を
満たすことが困難でレチクルRの歪みとなって現れる危
険性が高い。また、このような同軸条件を満たす設計が
できたとしても、レチクルRとホルダHとの間の静止摩
擦力が小さいため、充分な垂直抗力を得るために大きな
力を加える必要が生じ、これもまたレチクルを歪ませる
原因となる。
【0012】このように、レチクルRとホルダHとの相
対位置ずれが発生すると、レチクルのアライメント精度
が著しく低下する等の問題が生じてしまう。また、レチ
クルRに歪みが発生しても収差等によりパターンの転写
精度が低下し、所定の露光精度を満足できないという問
題が発生する。
【0013】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、移動体の移動に際してこの移動体に保持さ
れる基板の位置ずれを防止することが可能なステージ装
置を提供するとともに、当該ステージ装置を備えること
で移動速度の高速化を図りスループットを向上させるこ
とが可能な露光装置を提供することを目的としている。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、実施の形態を示す図1ないし図8に対応
付けした以下の構成を採用している。本発明のステージ
装置は、保持面(S)に基板(R)を保持して移動する
移動体(H)を備えたステージ装置(4)であって、保
持面(S)に沿って基板(R)に力を付与する付勢装置
(16、17)と、移動体(H)の移動に伴う基板
(R)の慣性力に基づいて付勢装置(16、17)を制
御する制御装置(18)とを有することを特徴とするも
のである。
【0015】従って、本発明のステージ装置では、移動
体(H)の移動に伴って基板(R)に慣性力が加わった
ときに、慣性力の作用する方向と逆方向に力を付与する
ことで、この慣性力を相殺または低減させることができ
る。このとき、付与する力の大きさを制御することで、
保持面(S)に作用するせん断力を静止摩擦力以下に抑
えることが可能になり、吸着力による静止摩擦力のみで
は保持しきれない程度の高加速度が掛かったときにも、
基板(R)と移動体(H)との間の相対位置関係を静止
状態に維持することができる。
【0016】また、本発明の露光装置は、マスクステー
ジ(2)に保持されたマスク(R)のパターンを基板ス
テージ(5)に保持された感光基板(W)に露光する露
光装置(1)において、マスクステージ(2)と基板ス
テージ(5)との少なくとも一方のステージとして、請
求項1から5のいずれかに記載されたステージ装置
(4)が用いられることを特徴とするものである。
【0017】従って、本発明の露光装置では、マスク
(R)やウエハ(W)等の基板が位置ずれを生じること
なく、ステージ上により確実に固定保持されるので、特
にマスクステージ(2)の移動速度を高速化して露光装
置のスループットを向上させることが可能となる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明のステージ装置およ
び露光装置の第1の実施形態を、図1ないし図6を参照
して説明する。ここでは、例えば露光装置として、レチ
クルとウエハとを同期移動しつつ、レチクルに形成され
た半導体デバイスの回路パターンをウエハ上に転写す
る、スキャニング・ステッパを使用する場合の例を用い
て説明する。また、この露光装置においては、本発明の
ステージ装置をレチクルステージに適用するものとす
る。なお、これらの図において、従来例として示した図
10乃至図14と同一の構成要素には同一符号を付し、
その説明を省略する。
【0019】図1に示す露光装置1は、光源(不図示)
からの露光用照明光によりマスクとしてのレチクル(基
板)R上の矩形状(あるいは円弧状)の照明領域を均一
な照度で照明する照明光学系IUと、レチクルRを保持
して移動するレチクルステージ(マスクステージ)2お
よび該レチクルステージ2を支持するレチクル定盤3を
含むステージ装置4と、レチクルRから射出される照明
光をウエハ(感光基板)W上に投影する投影光学系PL
と、ウエハWを保持して移動するウエハステージ(基板
ステージ)5および該ウエハステージ5を保持するウエ
ハ定盤6を含むステージ装置7と、上記ステージ装置4
および投影光学系PLを支持するリアクションフレーム
8とから概略構成されている。なお、ここで投影光学系
PLの光軸方向をZ方向とし、このZ方向と直交する方
向でレチクルRとウエハWの同期移動方向をY方向と
し、非同期移動方向をX方向とする。また、それぞれの
軸周りの回転方向をθZ、θY、θXとする。
【0020】照明光学系IUは、リアクションフレーム
8の上面に固定された支持コラム9によって支持され
る。なお、露光用照明光としては、例えば超高圧水銀ラ
ンプから射出される紫外域の輝線(g線、i線)および
KrFエキシマレーザ光(波長248nm)等の遠紫外
光(DUV光)や、ArFエキシマレーザ光(波長19
3nm)およびF2レーザ光(波長157nm)等の真
空紫外光(VUV)などが用いられる。
【0021】リアクションフレーム8は、床面に水平に
載置されたベースプレート10上に設置されており、そ
の上部側および下部側には、内側に向けて突出する段部
8aおよび8bがそれぞれ形成されている。
【0022】ステージ装置4の中、レチクル定盤3は、
各コーナーにおいてリアクションフレーム8の段部8a
に防振ユニット11を介してほぼ水平に支持されており
(なお、紙面奥側の防振ユニットについては図示せ
ず)、その中央部にはレチクルRに形成されたパターン
像が通過する開口3aが形成されている。なお、レチク
ル定盤3の材料として金属やセラミックスを用いること
ができる。防振ユニット11は、内圧が調整可能なエア
マウント12とボイスコイルモータ13とが段部8a上
に直列に配置された構成になっている。これら防振ユニ
ット11によって、ベースプレート10およびリアクシ
ョンフレーム8を介してレチクル定盤3に伝わる微振動
がマイクロGレベルで絶縁されるようになっている(G
は重力加速度)。
【0023】レチクルステージ2は、レチクル定盤3に
沿って2次元的に移動可能に支持されるレチクルホルダ
(移動体)Hを備えている。レチクルホルダHの底面に
は、複数のエアベアリング(エアパッド)14が固定さ
れており、これらのエアベアリング14によってレチク
ルホルダHがレチクル定盤3上に数ミクロン程度のクリ
アランスを介して浮上支持されている。また、レチクル
ホルダHの中央部には、レチクル定盤3の開口3aと連
通し、レチクルRのパターン像が通過する開口2aが形
成されている。
【0024】レチクルホルダHについて詳述すると、図
2に示すように、レチクルホルダ2は、下面側端縁に設
けられたエアガイド51がレチクル定盤3の上面に固定
されY軸方向に延びる一対のYガイド52、52に沿っ
て移動することによってY軸方向に案内されるようにな
っている。また、各エアガイド51は、これらYガイド
52、52に対して不図示のエアベアリングによって非
接触で支持されている。レチクルホルダHの+X側端縁
には可動子21が突設されており、また、レチクル定盤
3上には支持部材19を介してY軸方向に延びる固定子
20が可動子21に対向して支持されている。そして、
これら可動子21および固定子20によってムービング
コイル型のリニアモータ15が構成されており、可動子
21が固定子20との間の電磁気的相互作用により駆動
されることで、レチクルホルダHはY方向に移動する。
なお、固定子20は、レチクル定盤3上に代えて、リア
クションフレーム8に設けてもよい。固定子20をリア
クションフレーム8に設ける場合には、固定子20をリ
アクションフレーム8に固定して、レチクルホルダHの
移動により固定子20に作用する反力をリアクションフ
レーム8を介して床に逃がしてもよい。
【0025】また、図示しないものの、レチクルホルダ
Hの−Y方向の端部には、コーナキューブからなる一対
のY移動鏡がX方向に間隔をあけて固定され、また、レ
チクルホルダHの+X方向の端部には、Y方向に延びる
平面ミラーからなるX移動鏡が固定されている。そし
て、これら移動鏡に対して測長ビームを照射する3つの
レーザ干渉計(いずれも不図示)が各移動鏡との距離を
計測することにより、レチクルホルダH(ひいてはレチ
クルR)のX、Y、θZ(Z軸回りの回転)方向の位置
が高精度に計測される。なお、レチクルホルダの材質と
しては、金属やコージェライトまたはSiCからなる低
熱膨張のセラミックスを用いることができる。
【0026】コージェライト系セラミックスは、通常、
2MgO−2Al23−5SiO2の組成からなるもの
であり、金属酸化物を所定比率で配合した後(または添
加物なしで)、所定形状に成形後、1300〜1550
℃の酸化性雰囲気中で焼成することにより製作できる。
このコージェライト系セラミックスは、添加物なしの場
合で0.1×10-6/℃の熱膨張係数を有し、コージェ
ライトに対してY(イットリウム)または希土類元素
(例えばEr、Yb、Sm、Lu、Ce)のうちの少な
くとも1種を酸化物換算で3〜15重量%の割合で添加
することにより、1.0×10-6/℃以下の熱膨張係数
で、且つ高いヤング率を示すものになる。
【0027】また、レチクルホルダHの上面には、Y方
向に延設されレチクルRを吸着保持する保持部22がX
方向に所定間隔をあけて突設されている。図3に示すよ
うに、保持部22には、レチクルRを保持する保持面S
に開口させて吸引路Kが形成されている。この吸引路K
には負圧吸引装置Vが接続されており、保持面Sにレチ
クルRが載置された状態で吸引路Kを負圧吸引すること
でレチクルRを保持面Sに吸着保持する構成になってい
る。
【0028】一方、図2及び図3に示すように、レチク
ルホルダH上には、レチクルRを挟んだY方向両側に位
置して、付勢装置としてのアクチュエータ16(+Y
側)及び17(−Y側)がそれぞれX方向に間隔をあけ
て、且つ保持部22の近傍に配置されている。アクチュ
エータ(第1付勢装置)16は、レチクルRの側面に対
して保持面Sに沿って−Y方向の補助力(または後述す
る付勢力)を付与するものであって、VCM(ボイスコ
イルモータ)、EIコア、ロータリモータ等によって構
成されている。同様に、アクチュエータ(第2付勢装
置)17は、レチクルRの側面に対して保持面Sに沿っ
て+Y方向の補助力(または後述する付勢力)を付与す
るものである。レチクルRを挟んだアクチュエータ1
6、17は、上記補助力(または付勢力)をY方向に沿
った同軸上で付与するように配置されている。これらア
クチュエータ16、17の駆動は、制御装置18により
それぞれ独立して制御される(図4参照)。
【0029】図1に戻り、投影光学系PLとして、ここ
では物体面(レチクルR)側と像面(ウエハW)側の両
方がテレセントリックで円形の投影視野を有し、石英や
蛍石を光学硝材とした屈折光学素子(レンズ素子)から
なる1/4(または1/5)縮小倍率の屈折光学系が使
用されている。このため、レチクルRに照明光が照射さ
れると、レチクルR上の回路パターンのうち、照明光で
照明された部分からの結像光束が投影光学系PLに入射
し、その回路パターンの部分倒立像が投影光学系PLの
像面側の円形視野の中央にスリット状に制限されて結像
される。これにより、投影された回路パターンの部分倒
立像は、投影光学系PLの結像面に配置されたウエハW
上の複数のショット領域のうち、1つのショット領域表
面のレジスト層に縮小転写される。
【0030】投影光学系PLの鏡筒部の外周には、該鏡
筒部に一体化されたフランジ23が設けられている。そ
して、投影光学系PLは、リアクションフレーム8の段
部8bに防振ユニット24を介してほぼ水平に支持され
た鋳物等で構成された鏡筒定盤25に、光軸方向をZ方
向として上方から挿入されるとともに、フランジ23が
係合している。なお、鏡筒定盤25として、高剛性・低
熱膨張のセラミックス材を用いてもよい。
【0031】フランジ23の素材としては、低熱膨張の
材質、例えばインバー(Inver;ニッケル36%、
マンガン0.25%、および微量の炭素と他の元素を含
む鉄からなる低膨張の合金)が用いられている。このフ
ランジ23は、投影光学系PLを鏡筒定盤25に対して
点と面とV溝とを介して3点で支持する、いわゆるキネ
マティック支持マウントを構成している。このようなキ
ネマティック支持構造を採用すると、投影光学系PLの
鏡筒定盤25に対する組み付けが容易で、しかも組み付
け後の鏡筒定盤25および投影光学系PLの振動、温度
変化等に起因する応力を最も効果的に軽減できるという
利点がある。
【0032】防振ユニット24は、鏡筒定盤25の各コ
ーナーに配置され(なお、紙面奥側の防振ユニットにつ
いては図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント26
とボイスコイルモータ27とが段部8b上に直列に配置
された構成になっている。これら防振ユニット24によ
って、ベースプレート10およびリアクションフレーム
8を介して鏡筒定盤25(ひいては投影光学系PL)に
伝わる微振動がマイクロGレベルで絶縁されるようにな
っている。
【0033】ステージ装置7は、ウエハステージ5、こ
のウエハステージ5をXY平面に沿った2次元方向に移
動可能に支持するウエハ定盤6、ウエハステージ5と一
体的に設けられウエハWを吸着保持するウエハホルダS
T、これらウエハステージ5およびウエハホルダSTを
相対移動自在に支持するXガイドバーXGを主体に構成
されている。ウエハステージ5の底面には、非接触ベア
リングである複数のエアベアリング(エアパッド)28
が固定されており、これらのエアベアリング28によっ
てウエハステージ5がウエハ定盤6上に、例えば数ミク
ロン程度のクリアランスを介して浮上支持されている。
【0034】ウエハ定盤6は、ベースプレート10の上
方に、防振ユニット29を介してほぼ水平に支持されて
いる。防振ユニット29は、ウエハ定盤6の各コーナー
に配置され(なお、紙面奥側の防振ユニットについては
図示せず)、内圧が調整可能なエアマウント30とボイ
スコイルモータ31とがベースプレート10上に並列に
配置された構成になっている。これら防振ユニット29
によって、ベースプレート10を介してウエハ定盤6に
伝わる微振動がマイクロGレベルで絶縁されるようにな
っている。
【0035】図5に示すように、XガイドバーXGは、
X方向に沿った長尺形状を呈しており、その長さ方向両
端には電機子ユニットからなる可動子36,36がそれ
ぞれ設けられている。これらの可動子36,36に対応
する磁石ユニットを有する固定子37,37は、ベース
プレート10に突設された支持部32、32に設けられ
ている(図1参照、なお図1では可動子36および固定
子37を簡略して図示している)。そして、これら可動
子36および固定子37によってムービングコイル型の
リニアモータ33、33が構成されており、可動子36
が固定子37との間の電磁気的相互作用により駆動され
ることで、XガイドバーXGはY方向に移動するととも
に、リニアモータ33、33の駆動を調整することでθ
Z方向に回転移動する。すなわち、このリニアモータ3
3によってXガイドバーXGとほぼ一体的にウエハステ
ージ5(およびウエハホルダST)がY方向およびθZ
方向に駆動されるようになっている。
【0036】また、XガイドバーXGの−X方向側に
は、Xトリムモータ34の可動子が取り付けられてい
る。Xトリムモータ34は、X方向に推力を発生するこ
とでXガイドバーXGのX方向の位置を調整するもので
あって、その固定子(不図示)はリアクションフレーム
8に設けられている。このため、ウエハステージ5をX
方向に駆動する際の反力は、リアクションフレーム8を
介してベースプレート10に伝達される。
【0037】ウエハホルダSTは、XガイドバーXGと
の間にZ方向に所定量のギャップを維持する磁石および
アクチュエータからなる磁気ガイドを介して、Xガイド
バーXGにX方向に相対移動自在に非接触で支持・保持
されている。また、ウエハホルダSTは、Xガイドバー
XGに埋設されたXリニアモータ35による電磁気的相
互作用によりX方向に駆動される。なお、ウエハホルダ
STは、上記レチクルホルダHと同様の材料で構成され
ている。ウエハホルダST上の側縁には、Y方向に沿っ
て延設された移動鏡43と、X方向に沿って延設された
移動鏡48とが配設されており、これら移動鏡に対して
測長ビームを照射する3つのレーザ干渉計(移動鏡43
に対して一つ、移動鏡48に対して二つ;いずれも不図
示)が各移動鏡との距離を計測することにより、ウエハ
ホルダST(ひいてはウエハW)のX、Y、θZ(Z軸
回りの回転)方向の位置が高精度に計測される。
【0038】さらに、投影光学系PLのフランジ23に
は、異なる3カ所に3つのレーザ干渉計45が固定され
ている(ただし、図1においてはこれらのレーザ干渉計
のうち1つが代表的に示されている)。各レーザ干渉計
45に対向する鏡筒定盤25の部分には、開口25aが
それぞれ形成されており、これらの開口25aを介して
各レーザ干渉計45からZ方向のレーザビーム(測長ビ
ーム)がウエハ定盤6に向けて照射される。ウエハ定盤
6の上面の各測長ビームの対向位置には、反射面がそれ
ぞれ形成されている。このため、上記3つのレーザ干渉
計45によってウエハ定盤6の異なる3点のZ位置がフ
ランジ23を基準としてそれぞれ計測される(ただし、
図1においては、ウエハステージ5上のウエハWの中央
のショット領域が投影光学系PLの光軸の直下にある状
態が示されているため、測長ビームがウエハステージ5
で遮られた状態になっている)。なお、ウエハホルダS
Tの上面に反射面を形成して、この反射面上の異なる3
点のZ方向位置を投影光学系PLまたはフランジ23を
基準として計測する干渉計を設けてもよい。
【0039】図4に露光装置1における制御ブロック図
を示す。この図に示すように、制御装置18には、レチ
クル用レーザ干渉計、ウエハ用レーザ干渉計の計測結果
が入力する。また、制御装置18には、ショット領域の
配列位置や露光順序、同期走査の位置、速度等に関する
露光データ(レシピ)が入力されており、制御装置18
は干渉計の計測結果や露光データに基づいて、リニアモ
ータ15、33、35やXトリムモータ34、アクチュ
エータ16、17等の駆動を制御する。
【0040】次に、上記のように構成されたステージ装
置および露光装置の中、まずステージ装置4の動作につ
いて説明する。ここでは、制御装置18の制御により、
リニアモータ15を介してレチクルRおよびレチクルホ
ルダHを−Y方向に移動させるものとする。
【0041】同期走査前、レチクルRは、レチクルホル
ダHの保持面Sに吸着保持されるが、このとき、図6
(b)に示すように、アクチュエータ16、17は双方
とも保持面Sにおける静止摩擦力を超えず、且つレチク
ルRが歪まない程度の弱い付勢力FfをレチクルRに対
してそれぞれ付与する。これにより、レチクルホルダH
の加減速時にアクチュエータ16、17がレチクルRに
対して離間したり当接したりすることで、レチクルRに
対して衝撃を与えることを防止し、衝撃に起因する相対
位置ずれの発生を防ぐことができる。
【0042】次に、同期走査開始等の加速時、リニアモ
ータ15を介してレチクルホルダHには、図6(a)に
示すように、−Y方向の推力Fdが付与される。このと
き、レチクルRには、推力Fd(及びレチクルR、レチ
クルホルダHの質量)に応じて慣性力Fiが+Y方向に
作用する。そして、制御装置18は、レチクルRに対し
てアクチュエータ17により+Y方向に上記付勢力Ff
を付与させるとともに、アクチュエータ16により慣性
力Fiと付勢力Ffとを足し合わせた力と釣り合う大き
さの補助力Fhを−Y方向に付与させるようにアクチュ
エータ16、17をそれぞれ個別に制御する。これによ
り、レチクルホルダHの加速に伴って保持面Sにおける
静止摩擦力Fmを超えるせん断力がレチクルRに加わる
ことを阻止できる。
【0043】なお、アクチュエータ16によりレチクル
Rに付与される補助力Fhは、必ずしもFh=Fi+F
fを満足する必要はなく、慣性力Fiと付勢力Ffとを
足し合わせた力と、アクチュエータ16による補助力F
hとの差が静止摩擦力Fm以下となる下式を満足すれば
よい。 |Fh−(Fi+Ff)|≦Fm …(1)
【0044】そして、レチクルRおよびレチクルホルダ
Hが走査露光を実施する所定の速度に達し等速移動(定
速移動)に移行すると、レチクルRに加速度が加わらな
くなるため、制御装置18はアクチュエータ16の駆動
推力を上記付勢力Ffに低下させる(図6(b)参
照)。これにより、レチクルホルダHに加わる加速度変
化(推力Fdに対応する加速度→ゼロ)に伴ってアクチ
ュエータ16がレチクルRに衝撃を与えることを防止で
きるとともに、アクチュエータ17が付与する付勢力と
釣り合うことで、アクチュエータ16、17の駆動に起
因するせん断力がレチクルRに加わることを防止でき
る。
【0045】なお、上記静止時および等速時において
は、アクチュエータ16、17がレチクルRに付与する
付勢力は必ずしも同一である必要はなく、これらの付勢
力の差が静止摩擦力Fm以内であればよい。
【0046】一方、走査露光が終了した後の減速時、加
速時とは逆にリニアモータ15を介してレチクルホルダ
Hには、図6(c)に示すように、+Y方向の推力Fd
が付与される。このとき、レチクルRには、推力Fd
(及びレチクルR、レチクルホルダHの質量)に応じた
慣性力Fiが−Y方向に作用する。そして、制御装置1
8は、レチクルRに対してアクチュエータ16により−
Y方向に上記付勢力Ffを付与させるとともに、アクチ
ュエータ17により慣性力Fiと付勢力Ffとを足し合
わせた力と釣り合う大きさの補助力Fhを+Y方向に付
与させるようにアクチュエータ16、17をそれぞれ個
別に制御する。これにより、レチクルホルダHの減速に
伴って保持面Sにおける静止摩擦力Fmを超えるせん断
力がレチクルRに加わることを阻止できる。
【0047】なお、減速時においても加速時と同様に、
アクチュエータ17によりレチクルRに付与される補助
力Fhは、必ずしもFh=Fi+Ffを満足する必要は
なく、上記(1)式を満足すればよい。
【0048】このように、相対位置ずれが生じることな
くレチクルホルダHに保持されて位置制御されたレチク
ルRに対しては、上記露光装置1では、露光時に照明光
学系IUからの露光用照明光により、レチクルR上の所
定の矩形状の照明領域が均一な照度で照明される。この
照明領域に対してレチクルRがY方向に走査されるのに
同期して、リニアモータ33の駆動によりウエハホルダ
STが移動することにより、この照明領域と投影光学系
PLに関して共役な露光領域に対してウエハWを走査す
る。これにより、レチクルRのパターン領域を透過した
照明光が投影光学系PLにより1/4倍に縮小され、レ
ジストが塗布されたウエハW上に照射される。そして、
ウエハW上の露光領域には、レチクルRのパターンが逐
次転写され、1回の走査でレチクルR上のパターン領域
の全面がウエハW上のショット領域に転写される。
【0049】以上のように本実施の形態のステージ装置
および露光装置では、レチクルホルダHの加減速時に、
レチクルRの慣性力Fiに応じた補助力Fhをレチクル
Rに付与するので、保持面Sにおける静止摩擦力Fmを
超えるせん断力がレチクルRに作用することを抑止で
き、結果としてレチクルRに相対位置ずれが発生するこ
とを防止できる。また、本実施の形態では、アクチュエ
ータ16、17をレチクルRを挟んだ走査方向両側に配
置することで、走査方向に生じる慣性力を直接的に且つ
効果的に相殺・低下させることができるとともに、補助
力Fh(または付勢力Ff)をY方向に沿った同軸上で
付与しているので、これらの力Fh、Ffに起因してせ
ん断力やモーメントがレチクルRに作用することを防止
できる。
【0050】従って、従来のように負圧吸着による静止
摩擦力だけでは4G程度に抑えざるを得なかったレチク
ルホルダHの加速度を、本実施の形態では10G程度に
まで高めた条件下でもレチクルRの高精度位置決めが可
能になり、露光装置1におけるスループットの向上を実
現することができることに加えて、レチクルRに対する
位置決めを確保できるので、パターンの転写精度等、所
定の露光精度を維持することができる。
【0051】さらに、本実施の形態では、レチクルホル
ダHの加減速時にアクチュエータ16、17をそれぞれ
独立して制御してレチクルRに付勢力Ffを付与してい
るので、アクチュエータ16、17がレチクルRに対し
て離間したり当接したりすることで、レチクルRに対し
て衝撃を与えることを防止し、衝撃に起因する相対位置
ずれの発生を未然に防ぐことができる。
【0052】なお、上記実施の形態におけるアクチュエ
ータ16、17としては、リニアモータを用いることが
好ましい。この場合、レチクルRに対して力を付与する
際にアクチュエータ16、17がそれぞれ非接触で駆動
されるため、駆動に伴う振動等の外乱によりレチクルR
の位置制御性に悪影響を及ぼすことを防止できる。ま
た、レチクルRを交換する場合には、不図示の退避機構
(例えばリニアモータやエアシリンダなど)によりアク
チュエータ16、17をレチクルRの交換と干渉しない
位置に退避させればよい。さらに、レチクルR近傍の温
度変化(リニアモータ15やアクチュエータ16、17
などに起因する)は、露光精度を劣化させる虞があるの
で、レチクルステージ2の移動範囲には、温度制御され
た気体(例えば空気や窒素など)を流すことが望まし
い。
【0053】図7および図8は、本発明のステージ装置
および露光装置の第2の実施の形態を示す図である。こ
れらの図において、図1乃至図6に示す第1の実施の形
態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、
その説明を省略する。第2の実施の形態と上記の第1の
実施の形態とが異なる点は、付勢装置としてバランスウ
エイト装置を用いたことである。
【0054】図7に示すように、レチクルホルダH上に
は、レチクルRを挟んだY方向両側に位置して、バラン
スウエイト装置38(+Y側)及び39(−Y側)がそ
れぞれX方向に間隔をあけて、且つ保持部22の近傍に
配置されている。バランスウエイト装置38は、レチク
ルRの側面に対して保持面Sに沿って−Y方向の補助力
(または付勢力)を付与するものであり、バランスウエ
イト装置39は、レチクルRの側面に対して保持面Sに
沿って+Y方向の補助力(または付勢力)を付与するも
のであって、これらは上記補助力(または付勢力)をY
方向に沿った同軸上で付与するように配置されている。
【0055】各バランスウエイト装置38、39は、レ
チクルホルダHにZ方向に立設された回転軸38a、3
9aと、回転軸38a、39aに対してZ軸回りに回転
自在に支持された棒状の支持部材38b、39bと、支
持部材38b、39bの一端に取り付けられた錘部38
c、39cと、回転軸38a、39aを挟んだ支持部材
38b、39bの他端に取り付けられレチクルRの側面
を押圧する押圧部38d、39dと、図8に示すよう
に、押圧部38d、39dをレチクルRに向けて付勢す
る圧縮バネ38e、39eとから構成されている。な
お、符号38a〜38eはバランスウエイト装置38を
構成し、39a〜39eはバランスウエイト装置39を
構成することを示している。また、図8においては、便
宜上、回転軸38a、39aをX方向に沿って配置して
あるように図示している。
【0056】以下、これらの関係について詳述する。錘
部38c、39cの質量をMc、押圧部38d、39d
の質量をMdとし、回転軸38a、39aから錘部38
c、39cの重心までの距離をLc、回転軸38a、3
9aから押圧部38d、39dの重心までの距離をLd
とし、圧縮バネ38e、39eの付勢方向、押圧部38
d、39dの重心、およびレチクルRに対して押圧部3
8d、39dに力を付与する方向がY軸に平行な同一直
線上にあると仮定する。そして、レチクルホルダHが推
力Fdに対応する加速度αで−Y方向に移動し、このと
き押圧部38d、39dがレチクルRから力F38、F
39がそれぞれ加わる場合を考える。
【0057】レチクルホルダHが図8(a)に示すよう
に、−Y方向に移動すると、錘部38cの重心には+Y
方向に大きさα×Mcの慣性力が作用し、同時に押圧部
38dの重心には+Y方向に大きさα×Mdの慣性力が
作用する。従って、バランスウエイト装置38の回転軸
38a回りの回転モーメントの釣り合い式は、左回りを
正とすると、 α×Mc×Lc−α×Md×Ld+Ff×Ld−F38×Ld=0 すなわち F38=Ff+α×(Mc×Lc−Md×Ld)/Ld…(2) となる。
【0058】同様に、錘部39cの重心には+Y方向に
大きさα×Mcの慣性力が作用し、押圧部39dの重心
には+Y方向に大きさα×Mdの慣性力が作用する。従
って、バランスウエイト装置39の回転軸39a回りの
回転モーメントの釣り合い式は、左回りを正とすると、 α×Mc×Lc−α×Md×Ld−Ff×Ld+F39×Ld=0 すなわち F39=Ff−α×(Mc×Lc−Md×Ld)/Ld…(3) となる。
【0059】従って、慣性力Fiが作用するレチクルR
のY方向における力の釣り合い式は、右方向を正とし
て、式(2)、(3)から F38−Ff−F39=0 すなわち 2α×(Mc×Lc−Md×Ld)/Ld=Ff…(4) となる。レチクルRの質量をMRとすると、 Ff=α×MR…(5) となるので、式(4)、(5)から MR=2×(Mc×Lc−Md×Ld)/Ld…(6) となる。
【0060】式(6)が成立する状態では、レチクルR
にはY方向の力が作用しないことになる。つまり、規定
の大きさのレチクルRを用いる場合には、式(6)に基
づき、レチクルRの質量MRに応じて錘部38c、39
cの質量Mc、押圧部38d、39dの質量Md、回転
軸38a、39aから錘部38c、39cの重心までの
距離Lc、回転軸38a、39aから押圧部38d、3
9dの重心までの距離Ldの各パラメータを適宜選択す
ることによって、加速度αの大きさに拘わらず、レチク
ルRに作用する慣性力を相殺することが可能になる。
【0061】また、圧縮バネ38e、39eの付勢力F
fの大きさが加速度αの大きさに比較して小さいとき
は、レチクルホルダHの加減速時に、レチクルRの慣性
力が作用しない側の押圧部38d、39dがレチクルR
から離れる虞があるため、例えば図8(a)に示すよう
に、レチクルホルダHが−Y方向に移動した際には、次
の条件が満たされる必要がある。 Ff+F39>0 …(7) ここで、式(3)では、付勢力Ffが作用した状態での
力F39が示されているが、付勢力Ffが作用していな
いときは F39=−α×(Mc×Lc−Md×Ld)/Ld …(8)となる。 式(7)に式(8)を代入すると、 Ff>α×(Mc×Lc−Md×Ld)/Ld …(9) となる。
【0062】従って、式(9)が成立するように各パラ
メータを適宜選択するとともに、圧縮バネ38e、39
eのバネ定数および撓み量を設定すれば、静止時および
等速移動時はもちろんのこと、加減速時にも押圧部38
d、39dがレチクルRから離間しないため、レチクル
Rに対して衝撃を与えることを防止し、衝撃に起因する
相対位置ずれの発生を未然に防ぐことができる(図8
(b)参照)。
【0063】そして、式(6)、(9)が成立する各パ
ラメータに設定されたバランスウエイト装置38、39
は、同期走査開始等の加速時、錘部39cの慣性力によ
り押圧部39dがレチクルRを押圧する力が弱くなり、
錘部38cの慣性力により押圧部38dがレチクルRを
押圧する力が強くなる。そして、式(6)が成立する状
況下では、これらの力の差がレチクルRの慣性力Fiと
釣り合うことで、この慣性力Fi(すなわち、保持面S
におけるせん断力)が相殺され、レチクルRに位置ずれ
が発生することはない(図8(a)参照)。
【0064】逆に、減速時、錘部38cの慣性力により
押圧部38dがレチクルRを押圧する力が弱くなり、錘
部39cの慣性力により押圧部39dがレチクルRを押
圧する力が強くなる。そして、式(6)が成立する状況
下では、これらの力の差がレチクルRの慣性力Fiと釣
り合うことで、この慣性力Fi(すなわち、保持面Sに
おけるせん断力)が相殺され、レチクルRに位置ずれが
発生することはない(図8(c)参照)。
【0065】なお、本実施形態でも、バランスウエイト
装置38、39がレチクルRに付与する力の差は、必ず
しもレチクルRの慣性力Fiに釣り合う必要がなく、レ
チクルRとレチクルホルダHとの間の静止摩擦力Fm以
下であればよい。
【0066】このように、本実施の形態のステージ装置
および露光装置でも、保持面Sにおける静止摩擦力Fm
を超えるせん断力がレチクルRに作用することを抑止で
き、結果としてレチクルRに相対位置ずれが発生するこ
とを防止できるとともに、押圧部38d、39dがレチ
クルRに対して衝撃を与えることを防止し、衝撃に起因
する相対位置ずれの発生を未然に防ぐことができる。ま
た、高加速度条件下でもレチクルRの高精度位置決めが
可能になり、露光装置1におけるスループットの向上を
実現できるとともに、所定の露光精度を維持することが
できる。
【0067】なお、上記実施の形態における、レチクル
ホルダHへレチクルRを吸着保持するための吸着機構
は、アクチュエータ16、17やバランスウエイト装置
38、39の設置により、吸着力を従来より微弱にした
り、もしくは吸着機構自体を排除してもよい。
【0068】また、上記実施の形態では、本発明のステ
ージ装置をレチクルステージとして用いる構成とした
が、ウエハステージに対して用いてもよい。この場合、
ウエハステージの加減速に伴い、ウエハWに相対位置ず
れが生じることを防止できる。さらに、上記実施の形態
では、本発明のステージ装置を露光装置1に適用する構
成としたが、これに限定されるものではなく、露光装置
1以外にも基板を保持して移動する機器、例えば転写マ
スクの描画装置、マスクパターンの位置座標測定装置等
の各種精密測定機器にも適用可能である。さらに、上記
実施の形態では、レチクルR等の基板を負圧吸引して吸
着保持する構成としたが、静電チャック等の方式で保持
する場合にも適用できる。
【0069】なお、本実施の形態の基板としては、半導
体デバイス用の半導体ウエハWのみならず、液晶ディス
プレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用の
セラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマス
クまたはレチクルの原版(合成石英、シリコンウエハ)
等が適用される。
【0070】露光装置1としては、レチクルRとウエハ
Wとを同期移動してレチクルRのパターンを走査露光す
るステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置
(スキャニング・ステッパー;USP5,473,410)の他に、
レチクルRとウエハWとを静止した状態でレチクルRの
パターンを露光し、ウエハWを順次ステップ移動させる
ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステ
ッパー)にも適用することができる。
【0071】露光装置1の種類としては、ウエハWに半
導体デバイスパターンを露光する半導体デバイス製造用
の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用の露光装置
や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子(CCD)あるいはレチ
クルなどを製造するための露光装置などにも広く適用で
きる。
【0072】また、露光用照明光の光源として、超高圧
水銀ランプから発生する輝線(g線(436nm)、h
線(404.7nm)、i線(365nm))、KrF
エキシマレーザ(248nm)、ArFエキシマレーザ
(193nm)、F2レーザ(157nm)のみなら
ず、X線や電子線などの荷電粒子線を用いることができ
る。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱
電子放射型のランタンヘキサボライト(LaB6)、タ
ンタル(Ta)を用いることができる。さらに、電子線
を用いる場合は、レチクルRを用いる構成としてもよい
し、レチクルRを用いずに直接ウエハ上にパターンを形
成する構成としてもよい。また、YAGレーザや半導体
レーザ等の高周波などを用いてもよい。
【0073】投影光学系PLの倍率は、縮小系のみなら
ず等倍系および拡大系のいずれでもよい。また、投影光
学系PLとしては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用
いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過
する材料を用い、F2レーザやX線を用いる場合は反射
屈折系または屈折系の光学系にし(レチクルRも反射型
タイプのものを用いる)、また電子線を用いる場合には
光学系として電子レンズおよび偏向器からなる電子光学
系を用いればよい。なお、電子線が通過する光路は、真
空状態にすることはいうまでもない。また、投影光学系
PLを用いることなく、レチクルRとウエハWとを密接
させてレチクルRのパターンを露光するプロキシミティ
露光装置にも適用可能である。
【0074】ウエハステージ5やレチクルステージ2に
リニアモータ(USP5,623,853またはUSP5,528,118参照)
を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型お
よびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮
上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージ2、5
は、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを
設けないガイドレスタイプであってもよい。
【0075】各ステージ2、5の駆動機構としては、二
次元に磁石を配置した磁石ユニット(永久磁石)と、二
次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電
磁力により各ステージ2、5を駆動する平面モータを用
いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニット
とのいずれか一方をステージ2、5に接続し、磁石ユニ
ットと電機子ユニットとの他方をステージ2、5の移動
面側(ベース)に設ければよい。
【0076】以上のように、本願実施形態の露光装置1
は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む
各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、
光学的精度を保つように、組み立てることで製造され
る。これら各種精度を確保するために、この組み立ての
前後には、各種光学系については光学的精度を達成する
ための調整、各種機械系については機械的精度を達成す
るための調整、各種電気系については電気的精度を達成
するための調整が行われる。各種サブシステムから露光
装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機
械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等
が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組
み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程
があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光
装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行わ
れ、露光装置全体としての各種精度が確保される。な
お、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理さ
れたクリーンルームで行うことが望ましい。
【0077】半導体デバイスは、図9に示すように、デ
バイスの機能・性能設計を行うステップ201、この設
計ステップに基づいたマスク(レチクル)を製作するス
テップ202、シリコン材料からウエハを製造するステ
ップ203、前述した実施形態の露光装置1によりレチ
クルのパターンをウエハに露光するウエハ処理ステップ
204、デバイス組み立てステップ(ダイシング工程、
ボンディング工程、パッケージ工程を含む)205、検
査ステップ206等を経て製造される。
【0078】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係るス
テージ装置は、移動体の移動に伴う基板の慣性力に基づ
いて、保持面に沿って基板に付与する力を制御する構成
となっている。これにより、このステージ装置では、保
持面における静止摩擦力を超えるせん断力が基板に作用
することを抑止でき、結果として基板に相対位置ずれが
発生することを防止できるという効果が得られる。
【0079】請求項2に係るステージ装置は、基板を挟
むように配置された第1、第2付勢装置を有する構成と
なっている。これにより、このステージ装置では、移動
方向に生じる慣性力を直接的に且つ効果的に相殺・低下
させることができるとともに、移動方向に沿った同軸上
で力を付与しているので、これらの力に起因してせん断
力やモーメントが基板に作用することを防止できるとい
う効果を奏する。
【0080】請求項3に係るステージ装置は、移動体の
加速時と減速時とで第1、第2付勢装置をそれぞれ独立
に制御する構成となっている。これにより、このステー
ジ装置では、第1、第2付勢装置が加減速時に基板に対
して衝撃を与えることを防止し、衝撃に起因する相対位
置ずれの発生を未然に防ぐことができるという効果を奏
する。
【0081】請求項4に係るステージ装置は、移動体の
定速移動時に、第1、第2付勢装置が所定の付勢力を基
板に付与するように制御する構成となっている。これに
より、このステージ装置では、第1、第2付勢装置が定
速移動時に基板に対して衝撃を与えることを防止し、衝
撃に起因する相対位置ずれの発生を未然に防ぐことがで
きるという効果を奏する。
【0082】請求項5に係るステージ装置は、付勢装置
がリニアモータである構成となっている。これにより、
このステージ装置では、付勢装置の駆動に伴う振動等の
外乱により基板の位置制御性に悪影響を及ぼすことを防
止できるという効果を奏する。
【0083】請求項6に係る露光装置は、マスクステー
ジと基板ステージとの少なくとも一方のステージとし
て、請求項1から5のいずれかに記載されたステージ装
置が用いられる構成となっている。これにより、この露
光装置では、高加速度条件下でも基板の高精度位置決め
が可能になり、露光装置におけるスループットの向上を
実現できるとともに、所定の露光精度を維持できるとい
う効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態を示す図であって、ス
テージ装置を有する露光装置の概略構成図である。
【図2】 第1の実施形態によるレチクルステージの
外観斜視図である。
【図3】 レチクルを保持するレチクルホルダの断面
図である。
【図4】 露光装置における制御ブロック図である。
【図5】 露光装置を構成するウエハステージの外観
斜視図である。
【図6】 第1の実施形態による(a)は加速時、
(b)は等速時、(c)は減速時に、それぞれレチクル
に作用する力を示す図である。
【図7】 第2の実施形態によるレチクルステージの
外観斜視図である。
【図8】 第2の実施形態による(a)は加速時、
(b)は等速時、(c)は減速時に、それぞれレチクル
に作用する力を示す図である。
【図9】 半導体デバイスの製造工程の一例を示すフ
ローチャート図である。
【図10】 従来のレチクル保持方法を説明するため
の断面図である。
【図11】 図10においてレチクルに作用する力を
示す図である。
【図12】 図10における平面図である。
【図13】 従来のレチクル保持方法を説明するため
の断面図である。
【図14】 図13における保持原理を説明するため
の断面図である。
【符号の説明】
S 保持面 H レチクルホルダ(移動体) R レチクル(マスク、基板) W ウエハ(感光基板) 1 露光装置 2 レチクルステージ(マスクステージ) 4 ステージ装置 5 ウエハステージ(基板ステージ) 16 アクチュエータ(付勢装置、第1付勢装置) 17 アクチュエータ(付勢装置、第2付勢装置) 18 制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2F078 CA02 CA08 CB09 CB12 CC01 CC11 5F031 CA01 CA02 CA05 CA07 HA02 HA13 HA16 HA24 HA27 HA29 HA30 HA53 HA55 JA02 JA06 JA14 JA17 JA32 KA06 KA08 LA03 LA04 LA07 LA08 MA27 5F046 CC03 CC13 CC18

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 保持面に基板を保持して移動する移動
    体を備えたステージ装置であって、 前記保持面に沿って前記基板に力を付与する付勢装置
    と、 前記移動体の移動に伴う前記基板の慣性力に基づいて前
    記付勢装置を制御する制御装置とを有することを特徴と
    するステージ装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のステージ装置におい
    て、 前記付勢装置は、前記基板を挟むように配置された第
    1、第2付勢装置を有していることを特徴とするステー
    ジ装置。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のステージ装置におい
    て、 前記制御装置は、前記移動体の加速時と減速時とで前記
    第1、第2付勢装置をそれぞれ独立に制御することを特
    徴とするステージ装置。
  4. 【請求項4】 請求項2記載のステージ装置におい
    て、 前記制御装置は、前記移動体の定速移動時に、前記第
    1、第2付勢装置が所定の付勢力を前記基板に付与する
    ように制御することを特徴とするステージ装置。
  5. 【請求項5】 請求項1から4のいずれか1項に記載
    のステージ装置において、 前記付勢装置は、リニアモータであることを特徴とする
    ステージ装置。
  6. 【請求項6】 マスクステージに保持されたマスクの
    パターンを基板ステージに保持された感光基板に露光す
    る露光装置において、 前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも
    一方のステージとして、請求項1から5のいずれかに記
    載されたステージ装置が用いられることを特徴とする露
    光装置。
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