JP2002343693A - 基板加熱装置および半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ステージに与える熱エネルギーを低減するこ
とができる基板加熱装置および半導体製造装置を提供す
る。 【解決手段】 スパッタリング装置１の処理チャンバ２
内には、基板加熱装置５が配置されている。基板加熱装
置５はステージ６を有し、このステージ６の上部には、
２枚の絶縁プレート７ａ，７ｂを介して加熱プレート８
が設けられ、この加熱プレート８上にウェハＷが保持さ
れる。ステージ６には、冷却水が通るための冷却通路１
０が形成されている。ステージ６と加熱プレート８との
間には、絶縁プレート７ａ，７ｂが積層状態で配置され
ているため、加熱プレート８からの放射熱が絶縁プレー
ト７ｂ，７ａにおいて段階的に低減される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハ等の
基板を加熱する基板加熱装置および半導体製造装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置の一つであるスパッタリ
ング装置は、例えば真空減圧される処理チャンバを有し
ており、この処理チャンバ内には、ウェハを加熱するた
めの基板加熱装置が配置されている。このような基板加
熱装置の一例を図８に示す。

【０００３】図８において、基板加熱装置１００はステ
ージ１０１を有し、このステージ１０１の上部には、絶
縁プレート１０２を介して加熱プレート１０３が設けら
れ、この加熱プレート１０３上にウェハＷが保持され
る。ステージ１０１には、冷却水が通るための冷却通路
（図示せず）が形成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術におい
て、絶縁プレート１０２は、加熱プレート１０３から放
射される熱により高温になるため、ステージ１０１に対
して多くの熱量を与えることになる。このようなステー
ジ１０１は、熱に弱い部品等を付加していることが多い
が、これらの部品等を保護するためには、大量の冷却水
をステージ１０１内に供給する必要がある。この場合に
は、ステージ１０１の冷却設備が大規模化してしまう。

【０００５】本発明の目的は、ステージに与える熱エネ
ルギーを低減することができる基板加熱装置および半導
体製造装置を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、ステージと、
ステージの上部に絶縁プレートを介して設けられ、基板
を保持した状態で加熱する加熱プレートとを備えた基板
加熱装置であって、絶縁プレートは複数有し、複数の絶
縁プレートがステージと加熱プレートとの間に積層状態
で配置されていることを特徴とするものである。

【０００７】絶縁プレートの表面は、実際には完全な平
坦にはなっておらず、微小の凹凸を有している。本発明
は、そのような知見に基づいてなされたものである。即
ち、上述したように複数の絶縁プレートをステージと加
熱プレートとの間に積層状態で配置することにより、絶
縁プレート間に形成される僅かな隙間によって、絶縁プ
レート同士の接触による伝熱が抑えられる。このため、
加熱プレートからの放射熱が複数の絶縁プレートにおい
て段階的に低減されることになり、上側（加熱プレート
側）の絶縁プレートの温度に対して下側（ステージ側）
の絶縁プレートの温度が下がるようになる。これによ
り、ステージに与えられる熱エネルギーが低減されるた
め、ステージの温度上昇が抑制される。

【０００８】好ましくは、絶縁プレートの表面には凹部
が形成されている。これにより、絶縁プレート間に存在
する隙間が更に増大するため、絶縁プレート同士の接触
による伝熱がより抑えられる。

【０００９】また、好ましくは、複数の絶縁プレート間
には、加熱プレートからの放射熱を反射させる反射部材
が介在されている。これにより、絶縁プレートを透過し
た加熱プレートからの放射熱（赤外線）が反射部材で反
射されるため、反射部材よりも下側（ステージ側）の絶
縁プレートの温度上昇が抑えられる。このため、ステー
ジに与えられる熱エネルギーがより低減されるので、ス
テージの温度上昇が更に抑制される。また、反射部材で
反射した放射熱が加熱プレートに向かい、加熱プレート
がその反射熱を吸収することになる。このため、加熱プ
レートの熱エネルギー消費が抑制されるため、消費電力
を低減できる。

【００１０】この場合、反射部材はリング状を有してい
ることが好ましい。加熱プレート上に置かれた基板の面
内温度分布としては、基板のエッジ部に比べて基板の中
央部の温度が高くなることが多い。そこで、反射部材の
形状をリング状とすることにより、加熱プレートの中央
部からの放射熱は、反射部材で反射せずに絶縁プレー部
を透過し、加熱プレートのエッジ部からの放射熱は、反
射部材で反射して加熱プレートに戻ることになる。この
ため、加熱プレートのエッジ部の温度が上昇し、これに
伴って基板のエッジ部の温度が高くなる。これにより、
基板の面内温度分布がほぼ均一になる。

【００１１】また、反射部材は、厚みが０．００１〜３
ｍｍの金属箔であることが好ましい。これにより、基板
の面内温度均一性を向上させるための形状を有する反射
部材を、容易かつ安価に製作することができる。

【００１２】また、本発明は、ステージと、ステージの
上部に絶縁プレートを介して設けられ、基板を保持した
状態で加熱する加熱プレートとを備えた基板加熱装置で
あって、加熱プレートと絶縁プレートとの間には、加熱
プレートからの放射熱を反射させる反射部材が介在され
ていることを特徴とするものである。

【００１３】以上のように構成した本発明においては、
加熱プレートからの放射熱（赤外線）が反射部材で反射
されるため、絶縁プレートの温度上昇が抑えられる。こ
のため、ステージに与えられる熱エネルギーが低減され
るので、ステージの温度上昇が抑制される。また、反射
部材で反射した放射熱が加熱プレートに向かい、加熱プ
レートがその反射熱を吸収することになる。このため、
加熱プレートの熱エネルギー消費が抑制されるため、消
費電力を低減できる。

【００１４】好ましくは、ステージには、冷却用冷媒が
通るための冷却通路が設けられている。この場合、上述
したように絶縁プレートを積層構造にしたり反射部材を
設けることで、ステージの温度上昇が抑制されるため、
大量の冷却用冷媒をステージ内に供給しなくても、ステ
ージに付加された部品等を保護することができる。これ
により、冷却用冷媒の消費を抑制できるため、ステージ
の冷却設備の小規模化及び低コスト化を図ることが可能
となる。

【００１５】さらに、本発明の半導体製造装置は、処理
チャンバと、処理チャンバ内に配置された上記の基板加
熱装置とを備えることを特徴とするものである。このよ
うな半導体製造装置においては、基板加熱装置のステー
ジに与えられる熱エネルギーを低減することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る基板加熱装置
および半導体製造装置の好適な実施形態について図面を
参照して説明する。

【００１７】まず、本発明の第１の実施形態を図１〜図
３により説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に
よる基板加熱装置を備えたスパッタリング装置を示す概
略構成図である。

【００１８】同図において、スパッタリング装置１は処
理チャンバ２を有し、この処理チャンバ２の内部は真空
ポンプ３により減圧排気される。処理チャンバ２の上部
には、陰極を形成する円形状のターゲット４が設けられ
ている。また、処理チャンバ２内には基板加熱装置５が
設置されている。

【００１９】基板加熱装置５は、陽極を形成するステー
ジ６を有し、このステージ６の上部には、複数枚（ここ
では２枚）の円形状の絶縁プレート７ａ，７ｂを介して
円形状の加熱プレート８が設けられている。この加熱プ
レート８上には、半導体ウェハ（基板）Ｗが保持され
る。なお、加熱プレート８は、ターゲット４に対して平
行に対向配置されている。これらステージ６、絶縁プレ
ート７ａ，７ｂ、加熱プレート８は、例えば複数のボル
ト９で固定されている。

【００２０】ステージ６は、例えばステンレススチール
やアルミニウム等で形成され、その内部には、冷却用冷
媒（例えば冷却水）が通るための冷却通路１０が形成さ
れている。また、ステージ６には、電気リード線１１を
介して直流電源１２が接続されており、この直流電源１
２によりステージ６を通電すると、ステージ６（陽極）
とターゲット４（陰極）との間にプラズマが発生する。

【００２１】加熱プレート８は、例えばセラミックヒー
タを含む静電チャックであり、ウェハＷを吸着して保持
する。加熱プレート８には、電気リード線１３を介して
直流電源１４が接続されており、この直流電源１４によ
り加熱プレート８を通電すると、加熱プレート８とウェ
ハＷとの間にクーロン力が発生し、ウェハＷが加熱プレ
ート８に吸着される。

【００２２】このようなステージ６と加熱プレート８と
の間には、絶縁プレート７ａ，７ｂが積層状態で配置さ
れている。これら絶縁プレート７ａ，７ｂは、熱および
電気を絶縁するものであり、石英やセラミック等で形成
されている。

【００２３】ここで、絶縁プレート７ａ，７ｂの表面
は、実際には完全な平坦にはなっておらず、微小（例え
ば数μｍ〜数十μｍ程度）の凹凸を有している。このた
め、２枚の絶縁プレート７ａ，７ｂを積層構造にする
と、絶縁プレート７ａ，７ｂ間に多少の隙間が存在する
ため、絶縁プレート７ａ，７ｂ間の伝熱効率が低下する
ことになる。このとき、各絶縁プレート７ａ，７ｂの表
面に、図２に示すような十字型の溝部１５を形成する
と、絶縁プレート７ａ，７ｂ間に生じる隙間が増大する
ため、絶縁プレート７ａ，７ｂ間の伝熱効率が更に低下
する。

【００２４】なお、各絶縁プレート７ａ，７ｂに形成す
る溝部は、特に十字型に限らず、絶縁プレート７ａ，７
ｂの強度をある程度確保できるような形状であればよ
く、あるいは複数の穴部を絶縁プレート７ａ，７ｂの表
面に形成してもよい。また、絶縁プレート７ａ，７ｂの
表面を粗くすることで、絶縁プレート７ａ，７ｂ間の伝
熱効率が下がるようにしてもよい。

【００２５】以上のように構成したスパッタリング装置
１において、成膜プロセスを行う場合は、まずウェハＷ
を処理チャンバ２内に導入して加熱プレート８上に置
く。そして、直流電源１４を投入して加熱プレート８
（静電チャック）を通電し、ウェハＷを加熱プレート８
上に固定する。すると、ウェハＷは、加熱プレート８に
内蔵されたセラミックヒータによって加熱される。

【００２６】次いで、真空ポンプ３を作動させて処理チ
ャンバ２内を所定の真空度になるまで減圧排気する。そ
して、処理チャンバ２内にアルゴンガスを導入すると共
に、直流電源１２を投入して、ステージ６（陽極）とタ
ーゲット４（陰極）との間に電力を印加する。すると、
これら電極間にプラズマ放電が起こり、アルゴンイオン
がターゲット４に衝突し、そこからスパッタされる粒子
がウェハＷ上に堆積して薄膜が形成される。

【００２７】このような成膜処理において、加熱プレー
ト８上のウェハＷは、例えば６００〜７００℃程度まで
加熱される。このとき、絶縁プレート７ｂは、加熱プレ
ート８から放射される熱により高温になる。しかし、ス
テージ６と加熱プレート８との間には、２枚の絶縁プレ
ート７ａ，７ｂが積層状態で配置されており、上述した
ように絶縁プレート７ａ，７ｂ間に生じる多少の隙間に
よって絶縁プレート７ｂ，７ａ間の伝熱効率を低下させ
ている。このため、絶縁プレート７ａ，７ｂ同士の接触
による熱伝達が抑えられるので、加熱プレート８からの
放射熱が絶縁プレート７ｂ，７ａにおいて段階的に低減
される。つまり、上側（加熱プレート８側）の絶縁プレ
ート７ｂに対して下側（ステージ６側）の絶縁プレート
７ａの温度が下がる。このため、絶縁プレート７ａから
ステージ６に与えられる放射熱エネルギーが低減され、
ステージ６の温度上昇が抑えられる。

【００２８】図３は、ステージと加熱プレートとの間に
配置される絶縁プレートを１枚とした場合と２枚とした
場合の比較を示したものである。図３（ａ）は、厚みが
３ｍｍの絶縁プレートを１枚使用した時の特性であり、
図３（ｂ）は、２枚の絶縁プレートを積層状態にした時
の特性であり、２枚の絶縁プレートのうち、下側の絶縁
プレートの厚みは２ｍｍであり、上側の絶縁プレートの
厚みは１ｍｍである。なお、絶縁プレートの材質は、い
ずれも石英である。

【００２９】図３において、横軸は時間を示し、縦軸は
温度を示している。また、実線Ｌは加熱プレートにおけ
る温度特性を示し、点線Ｍはステージ上の第１ポイント
における温度特性を示し、１点鎖線Ｎはステージ上の第
２ポイントにおける温度特性を示している。

【００３０】絶縁プレートを１枚とした場合において
は、図３（ａ）から分かるように、加熱プレートの温度
が７００℃の時には、ステージ上の第１ポイントにおけ
る温度は４４２℃程度であり、ステージ上の第２ポイン
トにおける温度は３４３℃程度である。また、加熱プレ
ートの温度が６００℃の時には、ステージ上の第１ポイ
ントにおける温度は３８２℃程度であり、ステージ上の
第２ポイントにおける温度は２８７℃程度である。

【００３１】一方、絶縁プレートを２枚とした場合にお
いては、図３（ｂ）から分かるように、加熱プレートの
温度が７００℃の時には、ステージ上の第１ポイントに
おける温度は４１９℃程度であり、ステージ上の第２ポ
イントにおける温度は３１４℃程度である。また、加熱
プレートの温度が６００℃の時には、ステージ上の第１
ポイントにおける温度は３５４℃程度であり、ステージ
上の第２ポイントにおける温度は２６２℃程度である。

【００３２】これら図３（ａ），（ｂ）から、絶縁プレ
ートを２枚とした場合には、絶縁プレートを１枚とした
場合に比べて、ステージ上における温度が２０〜３０℃
下がっているのが分かる。

【００３３】以上のように本実施形態によれば、絶縁プ
レート７ａ，７ｂを積層構造とすることで、ステージ６
の温度上昇が抑制されるので、大量の冷却水をステージ
６内に供給しなくても、ステージ６に付加された部品を
保護することができる。これにより、冷却水の消費を抑
制できるため、ステージ６の冷却設備の小規模化が図ら
れ、コスト的にも有利となる。

【００３４】本発明の第２の実施形態を図４〜図６によ
り説明する。図中、第１の実施形態と同一または同等の
部材には同じ符号を付し、その説明を省略する。

【００３５】図４において、本実施形態の基板加熱装置
２０は、第１の実施形態と同様のステージ６、絶縁プレ
ート７ａ，７ｂ、加熱プレート８を有し、各絶縁プレー
ト７ａ，７ｂ間には、加熱プレート８からの放射熱（赤
外線）を反射させる反射部材２１が介在されている。こ
の反射部材２１は、図５に示すようなリング状の金属箔
である。反射部材２１の材質は、例えばニッケル（Ｎ
ｉ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔ
ａ）、モリブデン（Ｍｏ）等である。また、反射部材２
１の厚さは、通常のハサミ等で容易に切断できる程度、
具体的には０．００１〜３ｍｍ程度であることが好まし
い。

【００３６】このような基板加熱装置２０においては、
加熱プレート８のエッジ部からの放射熱は、上側の絶縁
プレート７ｂを透過して反射部材２１で反射されるた
め、下側の絶縁プレート７ａを透過する熱はほとんど無
くなる。また、加熱プレート８の中央部からの放射熱
は、絶縁プレート７ｂ，７ａを透過してステージ６に達
する。このとき、各絶縁プレート７ａ，７ｂ間には、反
射部材２１の厚み分の隙間Ｓが形成されているため、そ
の分だけ絶縁プレート７ｂ，７ａ間の伝熱効率が低下す
る。従って、第１の実施形態のように各絶縁プレート７
ａ，７ｂ間に反射部材２１を介在させない場合よりも、
下側の絶縁プレート７ａの温度が下がるようになる。こ
れにより、絶縁プレート７ａからステージ６に与えられ
る放射熱エネルギーがより低減され、ステージ６の温度
上昇が更に抑えられる。

【００３７】一方、反射部材２１で反射した加熱プレー
ト８からの放射熱（赤外線）は、加熱プレート８のエッ
ジ部に戻り、そのエッジ部が反射熱を吸収することにな
る。このため、加熱プレート８の熱エネルギー消費が抑
制されるため、消費電力を低減できる。

【００３８】ところで、通常の成膜処理においては、加
熱プレート８上に置かれたウェハＷの面内温度分布は、
ウェハＷのエッジ部に比べてウェハＷの中央部の温度が
高くなることが多い。これに対し本実施形態では、反射
部材１２の形状をリング状としたので、上述したよう
に、加熱プレート８のエッジ部からの放射熱は、反射部
材２１で反射されて再び加熱プレート８のエッジ部に向
かう。これにより、加熱プレート８のエッジ部の温度が
上昇し、これに伴ってウェハＷのエッジ部の温度が上昇
する。他方、加熱プレート８の中央部からの放射熱は、
反射部材２１で反射されることは無いため、加熱プレー
ト８の中央部では温度上昇はない。その結果、ウェハＷ
のエッジ部と中央部とで温度分布がほぼ均一になる。

【００３９】ここでは、ウェハＷの中央部の温度がウェ
ハＷのエッジ部の温度に比べて高くなり易いという観点
から、反射部材１２の形状をリング状としたが、ウェハ
Ｗの面内温度分布は、成膜条件等の違いにより必ずしも
そのような特性になるとは限らないため、反射部材の形
状は特にリング状には限定されない。

【００４０】そこで、まずシミュレーションを行って、
その時のウェハＷの面内温度分布を取得する。そして、
その温度分布特性から、最適な赤外線の反射領域と透過
領域を持つように反射部材の形状を決定し、加熱プレー
トからステージ側に伝達される熱エネルギーの分布状態
や強弱を任意に設定することで、ウェハＷの温度均一性
を改善する。このとき、反射部材の厚さは、上述したよ
うに通常のハサミ等で容易に切断できる程度に薄く形成
されているので、優れた面内温度均一性を確保するため
の反射部材を簡単かつ安価に製作することができる。従
って、ウェハＷの温度均一性を改善するために、高価な
加熱プレートを複数種類作って試験したり、高価で複雑
なシミュレーションを行う必要がなくなる。これによ
り、開発コストを大幅に削減することができる。

【００４１】図６は、２枚の絶縁プレート間に反射部材
を介在させない場合と反射部材を介在させた場合の比較
を示したものである。図６（ａ）は、２枚の絶縁プレー
ト間に反射部材を介在させない時の特性であり、図６
（ｂ）は、２枚の絶縁プレート間に、反射部材として厚
さ０．１ｍｍのＮｉフィルムを介在させた時の特性であ
る。なお、２枚の絶縁プレートの材質は、いずれも石英
である。また、２枚の絶縁プレートのうち、下側の絶縁
プレートの厚みは２ｍｍであり、上側の絶縁プレートの
厚みは１ｍｍである。

【００４２】図６において、横軸は時間を示し、縦軸は
温度（左側）及び消費電圧（右側）を示している。ま
た、実線Ｐは加熱プレートにおける温度特性を示し、点
線Ｑはステージ上の第１ポイントにおける温度特性を示
し、１点鎖線Ｒはステージ上の第２ポイントにおける温
度特性を示し、実線Ｓは加熱プレートの消費電圧を示し
ている。なお、実線Ｔは、参考として加熱プレートの消
費電流を示したものであり、図６（ａ）と図６（ｂ）と
でほぼ同じ電流値である。

【００４３】２枚の絶縁プレート間に反射部材を介在さ
せない場合においては、図６（ａ）から分かるように、
加熱プレートの温度が６００℃の時に、ステージ上の第
１ポイントにおける最大温度は３６０℃程度であり、ス
テージ上の第２ポイントにおける最大温度は２８０℃程
度である。また、加熱プレートの消費電圧は、平均９５
Ｖ程度である。

【００４４】一方、２枚の絶縁プレート間に反射部材を
介在させた場合においては、図６（ｂ）から分かるよう
に、加熱プレートの温度が６００℃の時に、ステージ上
の第１ポイントにおける最大温度は２００℃以下であ
り、ステージ上の第２ポイントにおける最大温度は１０
０℃程度である。また、加熱プレートの消費電圧は、平
均９０Ｖ程度である。

【００４５】これら図６（ａ），（ｂ）から、絶縁プレ
ート間に反射部材を介在させた場合には、絶縁プレート
間に反射部材を介在させない場合に比べて、ステージ上
における温度が大幅に下がっているのが分かる。また、
絶縁プレート間に反射部材を介在させた場合には、絶縁
プレート間に反射部材を介在させない場合に比べて、加
熱プレートの消費電圧が５Ｖ程度低減される。

【００４６】以上のように本実施形態によれば、絶縁プ
レート７ａ，７ｂ間に反射部材２１を介在させたので、
ステージ６の温度上昇がより低減されるようになる。こ
れにより、冷却水の消費を更に抑制できるため、冷却設
備の小規模化及び低コスト化を一層図ることが可能とな
る。

【００４７】また、反射部材２１で反射された熱が再び
加熱プレート８に達するので、加熱プレート８のエネル
ギー消費が抑制され、これにより消費電力を低減でき
る。また、ウェハＷの面内温度分布に応じて反射部材２
１の形状を適宜変えることで、ウェハＷの面内温度均一
性を向上させることができる。

【００４８】本発明の第３の実施形態を図７により説明
する。図中、第１の実施形態および第２の実施形態と同
一または同等の部材には同じ符号を付し、その説明を省
略する。

【００４９】図７において、本実施形態の基板加熱装置
３０は、第１の実施形態と同様のステージ６及び加熱プ
レート８を有し、ステージ６と加熱プレート８との間に
は、円形状の絶縁プレート３１が配置されている。この
絶縁プレート３１の材質は、石英やセラミック等であ
る。絶縁プレート３１と加熱プレート８との間には、第
２の実施形態と同じ反射部材２１が介在されている。

【００５０】このような基板加熱装置３０において、加
熱プレート８のエッジ部からの放射熱は、反射部材２１
で反射されるため、絶縁プレート３１を透過する熱はほ
とんど無くなる。また、加熱プレート８の中央部からの
放射熱は、絶縁プレート３１を透過してステージ６に達
するが、絶縁プレート３１と加熱プレート８との間に
は、反射部材２１の厚み分の隙間Ｓが形成されているた
め、その分だけ伝熱効率が低下する。従って、絶縁プレ
ート３１からステージ６に与えられる放射熱エネルギー
が低減され、ステージ６の温度上昇が抑えられる。

【００５１】一方、反射部材２１で反射された放射熱
は、加熱プレート８のエッジ部に吸収されるため、加熱
プレート８の熱エネルギー消費が抑制され、消費電力が
低減される。

【００５２】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではない。例えば、本実施形態では、スパッタリ
ング装置の処理チャンバ内に基板加熱装置が設けられて
いるが、本発明の基板加熱装置は、他の半導体製造装置
にも適用できることは言うまでもない。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、ステージと加熱プレー
トとの間に、複数の絶縁プレートを積層状態で配置した
ので、ステージに与えられる熱エネルギーを低減するこ
とができる。

【００５４】また、本発明によれば、加熱プレートと絶
縁プレートとの間に、加熱プレートからの放射熱を反射
させる反射部材を介在させたので、ステージに与えられ
る熱エネルギーを低減することができる。また、加熱プ
レートの消費電力を低減することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態による基板加熱装置を
備えたスパッタリング装置を示す概略構成図である。

【図２】図１に示す絶縁プレートの一例を示す断面図で
ある。

【図３】図１に示すステージと加熱プレートとの間に配
置される絶縁プレートを１枚とした場合と２枚とした場
合の比較を示した図である。

【図４】本発明の第２の実施形態による基板加熱装置を
備えたスパッタリング装置を示す概略構成図である。

【図５】図４に示す反射部材の外観を示す斜視図であ
る。

【図６】図４に示す２枚の絶縁プレート間に反射部材を
介在させない場合と反射部材を介在させた場合の比較を
示した図である。

【図７】本発明の第３の実施形態による基板加熱装置を
備えたスパッタリング装置を示す概略構成図である。

【図８】従来の基板加熱装置の一例を示す概略構成図で
ある。

【符号の説明】

１…スパッタリング装置（半導体製造装置）、２…処理
チャンバ、５…基板加熱装置、６…ステージ、７ａ，７
ｂ…絶縁プレート、８…加熱プレート、１０…冷却通
路、１５…溝部（凹部）、２０…基板加熱装置、２１…
反射部材、３０…基板加熱装置、３１…絶縁プレート、
Ｗ…ウェハ（基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/20 ３０１ Ｈ０５Ｂ 3/20 ３０１ ５Ｆ１０３ // Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｓ (72)発明者 小野 真徳 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン 株式会社内 Ｆターム(参考） 3K034 AA02 AA04 BB06 HA04 3K058 AA12 AA81 BA00 EA01 3K092 PP20 QA05 RF03 RF11 SS02 SS05 VV40 4K029 BD01 CA05 DA08 JA01 5F031 CA02 HA37 HA38 MA29 NA05 5F103 AA08 BB42 BB52

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ステージと、前記ステージの上部に絶縁
   プレートを介して設けられ、基板を保持した状態で加熱
   する加熱プレートとを備えた基板加熱装置であって、 前記絶縁プレートは複数有し、前記複数の絶縁プレート
   が前記ステージと前記加熱プレートとの間に積層状態で
   配置されている基板加熱装置。
2. 【請求項２】 前記絶縁プレートの表面には凹部が形成
   されている請求項１記載の基板加熱装置。
3. 【請求項３】 前記複数の絶縁プレート間には、前記加
   熱プレートからの放射熱を反射させる反射部材が介在さ
   れている請求項１または２記載の基板加熱装置。
4. 【請求項４】 前記反射部材はリング状を有している請
   求項３記載の基板加熱装置。
5. 【請求項５】 前記反射部材は、厚みが０．００１〜３
   ｍｍの金属箔である請求項３または４記載の基板加熱装
   置。
6. 【請求項６】 ステージと、前記ステージの上部に絶縁
   プレートを介して設けられ、基板を保持した状態で加熱
   する加熱プレートとを備えた基板加熱装置であって、 前記加熱プレートと前記絶縁プレートとの間には、前記
   加熱プレートからの放射熱を反射させる反射部材が介在
   されている基板加熱装置。
7. 【請求項７】 前記ステージには、冷却用冷媒が通るた
   めの冷却通路が設けられている請求項１〜６のいずれか
   一項記載の基板加熱装置。
8. 【請求項８】 処理チャンバと、前記処理チャンバ内に
   配置された請求項１〜７のいずれか一項記載の基板加熱
   装置とを備える半導体製造装置。