JP3336272B2 - 板状体の加熱装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマＣＶＤ、
減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＰＶＤ、スパッタリングなどの
成膜工程、あるいはプラズマエッチング、光エッチング
などのエッチング工程において、半導体ウエハや液晶基
板、さらには金属板やセラミック板等の如き板状体を支
持しかつ所定の処理温度に加熱するための板状体の加熱
装置に関するものであり、特に、半導体製造用加熱装置
として好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば半導体製造工程において、
プラズマＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、光ＣＶＤ、ＰＶＤ、スパ
ッタリングなどの成膜処理や、プラズマエッチング、光
エッチングなどのエッチング処理を施すには、半導体ウ
エハの如き板状体を真空雰囲気下で各種処理温度に加熱
する必要があり、真空処理室内に半導体ウエハを支持し
かつ加熱するためのヒータを設置してなる加熱装置が使
用されている。

【０００３】図９はプラズマ発生機能を備えた成膜装置
やエッチング装置を構成する従来の板状体の加熱装置の
一例を示す模式図で、３１はガス供給孔３１ａと排気孔
３１ｂとを備えた真空処理室であり、この真空処理室３
１内にはセラミックヒータ２１が円筒状支持体２６によ
って気密に設置されている。セラミックヒータ２１は半
導体ウエハＷと略同等の大きさを有する円盤状の板状セ
ラミック体２２からなり、その上面を半導体ウエハＷの
載置面２３とするとともに、板状セラミック体２２中に
プラズマ発生用の電極２７と抵抗発熱体２４を埋設した
もので、上記抵抗発熱体２４に通電してセラミックヒー
タ２１を発熱させることにより載置面２３上の半導体ウ
エハＷを加熱するようになっている。なお、セラミック
ヒータ２１への電力投入は、抵抗発熱体２４と電気的に
接続され、円筒状支持体２６内を通して真空処理室３１
外のヒータ電源３２に接続されたリード線２５を介して
行われるようになっている。

【０００４】また、この加熱装置には、セラミックヒー
タ２１と対向する位置に高周波電極２９が設置してあ
り、この高周波電極２９に高周波電源３３より高周波電
力を投入することで、高周波電極２９とセラミックヒー
タ２１内に内蔵するプラズマ発生用の電極２７との間に
ある半導体ウエハＷに対してプラズマを発生させるよう
になっている。

【０００５】ところで、成膜処理やエッチング処理にお
いては、デポジション用ガス、エッチング用ガス、クリ
ーニング用ガスとして腐食性の高い塩素系やフッ素系の
ハロゲンガスが使用される一方、スーパークリーンであ
ることが求められるため、ハロゲンガスによる腐食やプ
ラズマエネルギーによる摩耗が少なく、できるだけパー
ティクルを発生させないことが重要となる。

【０００６】その為、このような加熱装置に設置される
セラミックヒータ２１としては、板状セラミック体２２
をハロゲンガスに対する耐食性や耐プラズマ性に優れた
アルミナや窒化アルミニウム、あるいは窒化珪素を主成
分とするセラミックスにより形成するとともに、板状セ
ラミック体２２中に埋設する抵抗発熱体２４として、タ
ングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金
属、あるいはＴｉＮなどの導電性セラミックスを用いた
ものがあった。

【０００７】これらのセラミックヒータ２１は、耐蝕
性、耐プラズマ性、耐摩耗性に優れるとともに、高い電
気絶縁性、耐熱性を有することから、高温のプラズマ発
生下でハロゲンガスに曝されても長期間にわたって使用
することが可能であった。

【０００８】また、これまで半導体ウエハのサイズが６
インチや８インチであったものが１２インチへと大口径
化するに伴って加熱装置に設置されるセラミックヒータ
２１も大型化する傾向にあった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の加熱
装置にて半導体ウエハＷを各種処理温度に加熱するため
にセラミックヒータ２１を発熱させるには、セラミック
ヒータ２１の特性のみを考えた電力よりも遙かに大きな
電力を加えなければならないといった課題があった。

【００１０】即ち、セラミックヒータ２１を発熱させる
と、その一方で板状セラミック体２２の表面から発熱温
度の凡そ４乗に比例するエネルギーが熱輻射として流出
し、真空処理室３１の壁にて吸収されたあと、さらに真
空処理室３１外へ放出されることになる。そして、高温
になるほど熱輻射によるエネルギーの流出が大きくなる
ため、例えば成膜処理のように５００℃以上、さらには
７５０℃以上の処理温度が要求される場合、熱輻射によ
るエネルギーの流出は極めて大きいものであった。しか
も、熱輻射はセラミックヒータ２１の表面から起こるた
め、表面積が大きいほどその影響も大きく、半導体ウエ
ハＷの大口径化に伴って大型化するセラミックヒータ２
１においては、多大なエネルギーロスを生じることにな
る。そして、この熱輻射によるエネルギー流出が多くな
り過ぎると、セラミックヒータ２１を立ち上げてから所
定の処理温度に加熱するまでの昇温速度が遅くなった
り、さらには所定の処理温度に発熱させることができな
くなるため、セラミックヒータ２１の昇温速度を高めた
り、目標の処理温度に加熱するには流出するエネルギー
を補う必要があるのであるが、この熱輻射にて流出する
エネルギーは元々電力としてセラミックヒータ２１に供
給されたものであることから、エネルギー流出量が多く
なるほど多大な電力ロスとなっていた。

【００１１】また、同じサイズのセラミックヒータ２１
を用いても真空処理室３１の形状や大きさが異なると、
セラミックヒータ２１をある一定温度に発熱させるのに
要する電力が加熱装置毎に異なるため、予め測定された
セラミックヒータ２１の発熱温度と電力との関係を示す
データが使えず、加熱装置毎にセラミックヒータ２１に
加える電力と発熱温度との関係を測定、調整しなければ
ならないといった課題もあった。

【００１２】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、半導体ウエハの如き板状体を載せる載置面を
有する板状セラミック体中に抵抗発熱体を埋設してなる
セラミックヒータを真空処理室内に設置してなる板状体
の加熱装置において、１〜５０μｍの波長を有する赤外
線を反射するタングステン、モリブデン、ニッケル、ア
ルミニウム等の金属やその合金、鉄−コバルト−ニッケ
ル合金等の金属材料やアルミナ、窒化珪素、窒化アルミ
ニウム、炭化珪素等を主成分とするセラミック材料から
なる熱反射体を、上記セラミックヒータの載置面以外の
表面近傍に距離をあけて設置したことを特徴とする。

【００１３】また、本発明は、セラミックヒータと対向
する熱反射体の反射面を中心線平均粗さ（Ｒａ）で１．
７μｍ以下として１〜５０μｍの波長を有する赤外線に
対する平均反射率を５０％以上とするとともに、上記熱
反射体が前記セラミックヒータの載置面以外の表面を覆
う割合を５０％以上としたことを特徴とする。

【００１４】さらに、本発明は、上記セラミックヒータ
から最も離れた熱反射体までの距離Ｌを０ｍｍ＜Ｌ≦５
０ｍｍとしたことを特徴とするものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。

【００１６】図１はプラズマ発生機能を有する成膜装置
やエッチング装置を構成する本発明に係る板状体の加熱
装置の一例を示す模式図である。

【００１７】１１はガス供給孔１１ａと排気孔１１ｂを
備えた真空処理室で、この真空処理室１１内にはセラミ
ックヒータ１が円筒状支持体６によって気密に設置され
ている。セラミックヒータ１は図２に示すように、半導
体ウエハＷの如き板状体と略同等の大きさを有する円盤
状の板状セラミック体２からなり、その上面を半導体ウ
エハＷの載置面３とするとともに、板状セラミック体２
中にプラズマ発生用の電極８と抵抗発熱体４を埋設した
もので、上記抵抗発熱体４に通電してセラミックヒータ
１を発熱させることにより載置面３上の半導体ウエハＷ
を加熱するようになっている。なお、セラミックヒータ
１への電力投入は、抵抗発熱体４と電気的に接続され、
円筒状支持体６内を通して真空処理室１１外のヒータ電
源１２と接続されたリード線５を介して行われるように
なっている。

【００１８】また、図１に示すように、セラミックヒー
タ１と対向する位置には高周波電極９が設置してあり、
この高周波電極９に高周波電源１３より高周波電力を投
入することで、高周波電極９とセラミックヒータ１内に
内蔵するプラズマ発生用の電極８との間にあるセラミッ
クヒータ１上の半導体ウエハＷに対してプラズマを発生
させるようになっている。

【００１９】なお、図１，２には図示していないが、セ
ラミックヒータ１を構成する板状セラミック体２中に抵
抗発熱体４とは別に静電吸着用の電極を内蔵して静電チ
ャックとしての機能を持たせたり、板状セラミック体２
に載置面３まで連通する多数の貫通吸引孔を設けて真空
チャックとしての機能を持たせることにより、半導体ウ
エハＷを載置面３上に強制的に吸着させて半導体ウエハ
Ｗの均熱化を図ることもできる。

【００２０】さらに、本発明の加熱装置には、セラミッ
クヒータ１の下面近傍に、下面を覆うように円筒状支持
体６の外周面より延びる平板状の熱反射体７を設置して
ある。ここで、熱反射体とは、セラミックヒータ１の発
熱に伴い熱輻射として放出される赤外線を効率良く反射
する部材のことであり、このような熱反射体７をセラミ
ックヒータ１の載置面３を除く他の表面を覆うように設
置することで、一旦セラミックヒータ１外へ熱輻射によ
って放出されたエネルギーの一部を熱反射体７で反射さ
せてセラミックヒータ１に戻すことができるため、セラ
ミックヒータ１内からのエネルギー流出量を大幅に低減
することができ、以てセラミックヒータ１の電力ロスを
大幅に低減することができるとともに、昇温速度を向上
させ、かつ所定の処理温度にセラミックヒータ１を発熱
させることが可能となる。 また、セラミックヒータ１
から熱反射体７までの距離Ｌを一定にしておくことで、
形状や大きさの異なる真空処理室１１内に設置したとし
てもその形状や大きさに関係なく、ある一定の電力をセ
ラミックヒータ１に印加すれば、その電力に見合った温
度に安定して発熱させることができる。

【００２１】ところで、このような効果を奏するために
は、熱反射体７が１〜５０μｍの波長を有する赤外線を
反射するものであることが重要である。即ち、セラミッ
クヒータ１を発熱させると熱輻射によって赤外線が放出
されることになるが、セラミックスの場合は主に１〜５
０μｍの赤外線によるエネルギー流出が大部分を占める
ため、この波長領域における赤外線を反射することによ
って熱輻射によって流出したエネルギーをセラミックヒ
ータ１に戻し、セラミックヒータ１内からのエネルギー
流出を抑えることができるからである。

【００２２】そして、このような熱反射体７としては、
１〜５０μｍの波長を有する赤外線に対する平均反射率
が５０％以上を有するとともに、この熱反射体７がセラ
ミックヒータ１の載置面３を除く表面を覆う割合が５０
％以上を有することが好ましい。

【００２３】なお、ここで、熱反射体７の反射率とは、
熱反射体７の反射面にある一定の波長の赤外線を入射さ
せ、表面で反射、散乱された光を楕円鏡面などで集光
し、その焦点位置に設置した検知器にて集光した光のエ
ネルギーを検知することにより、入射させた光のエネル
ギーに対して反射、散乱された光のエネルギーの比を反
射率として算出したもので、その平均反射率とは、入射
させる光を１μｍの波長から５０μｍの波長まで波長１
μｍ間隔で異ならせて測定した各反射率の平均値のこと
である。

【００２４】このような熱反射体７を形成する材質とし
ては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッ
ケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属又は各々
の金属の合金、あるいは鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）
−ニッケル（Ｎｉ）合金等の金属材料を用いることがで
き、これらの中でも耐酸化性が要求されるような場合に
はニッケル（Ｎｉ）及びその合金、アルミニウム（Ａ
ｌ）及びその合金あるいは鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃ
ｏ）−ニッケル（Ｎｉ）合金が好適である。また、アル
ミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素等を主成
分とするセラミック材料を用いることもできる。なお、
熱反射体７を形成する材質としては前述したものだけに
限定されるものではなく、１〜５０μｍの波長を有する
赤外線を反射することができる材質であれば良い。

【００２５】また、熱反射体７の反射効率を高めるため
にはセラミックヒータ１と対向する反射面をできるだけ
滑らかにする必要があり、中心線平均粗さ（Ｒａ）で
１．７μｍ以下、好ましくは１．０μｍ以下とすること
が良い。

【００２６】さらに、セラミックヒータ１から熱反射体
７までの距離Ｌをできるだけ短くすることで、熱輻射に
よって流出したエネルギーの大部分をセラミックヒータ
１へ戻すことができるため、セラミックヒータ１内から
のエネルギーロスをさらに抑えることができ、好ましく
はセラミックヒータ１から最も離れた熱反射体７までの
距離Ｌを０ｍｍ＜Ｌ≦５０ｍｍとすることが良い。

【００２７】なお、本発明では、熱反射体７の外形状に
ついて特に限定するものではなく、図１ではセラミック
ヒータ１と相似な円形をしたものを示したが、これ以外
に例えば、正方形や長方形の如き方形状をしたものや三
角形や五角形など多角形状をしたもの、さらには楕円形
状をしたものでも構わない。

【００２８】また、図１では熱反射体７の設置状態をセ
ラミックヒータ１に対して平行に設けた例を示したが、
図３に示すようにセラミックヒータ１に対してある一定
の角度に傾斜させて設置しても構わない。ただし、この
時、セラミックヒータ１から最も離れる熱反射体７まで
の距離Ｌは５０ｍｍ以下であることが好ましい。

【００２９】さらに、図１ではセラミックヒータ１の下
面側のみを熱反射体７にて覆った例を示したが、図４に
示すように熱反射体７の周縁をＬ字状に折り曲げてセラ
ミックヒータ１の側面まで覆うようにすることで、より
一層セラミックヒータ１内のエネルギーロスを抑えるこ
とができる。

【００３０】また、図１に示す板状体の加熱装置では、
セラミックヒータ１の下面中央部に接合した円筒状支持
体６を介してセラミックヒータ１を真空処理室１１内に
設置するとともに、上記円筒状支持体６の外周面より熱
反射体７を延設した例を示したが、図５に示すようにセ
ラミックヒータ１の側面に円筒状支持体１５を接合して
真空処理室１１内に設置するとともに、上記円筒状支持
体１５の内部に熱反射体１６を設置したものでも構わな
い。ただし、この構造においても熱反射体１６がセラミ
ックヒータ１の載置面３以外の表面を覆う割合が５０％
以上となるようにすることが必要である。

【００３１】さらに、本発明の他の実施形態を図６乃至
図８を用いて説明する。

【００３２】図６は、セラミックヒータ１の下面に、タ
ングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎ
ｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属又はその合金、鉄
（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）−ニッケル（Ｎｉ）合金等
の金属材料や、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウ
ム、炭化珪素等を主成分とするセラミック材料からな
り、円筒部１８と、この円筒部１８より大きな外径を有
するカップ部１９とを一体的に形成してなる断面形状が
略Ｔ字状をした支持体１７を接合したものであり、この
支持体１７のカップ部１９底面を熱反射部２０としたも
ので、このような構造とすれば、熱反射体を専用に設置
する必要がない。また、図７及び図８は図６の変形例で
あり、図７は支持体１７の一部をなす熱反射部２０がセ
ラミックヒータ１の下面に対してある角度をもって傾斜
させたものであり、図８は支持体１７の一部をなす熱反
射部２０を湾曲させたものである。

【００３３】なお、図６乃至図８のいずれの構造におい
ても、熱反射部２０がセラミックヒータ１の載置面３以
外の表面を覆う割合が５０％以上となるようにすること
が必要である。

【００３４】ところで、セラミックヒータ１を構成する
板状セラミック体２としては、アルミナ、窒化珪素、窒
化アルミニウムを主成分とするセラミックスを用いるこ
とができ、これらの中でも窒化アルミニウムを主成分と
するセラミックスは、ハロゲンガスに対する耐蝕性や耐
プラズマ性に優れることから、セラミックヒータ１を構
成する板状セラミック体２として好適である。特に、純
度が９９．８％以上である高純度の窒化アルミニウム質
セラミックスは、焼結体中に粒界がほとんどなく、優れ
た耐プラズマ性を有することから、超スーパークリーン
状態が要求される場合に好適であり、また、Ｙ₂ Ｏ₃ や
Ｅｒなどの希土類酸化物を１〜９重量％の範囲で含有す
る窒化アルミニウム質セラミックスは、熱伝導率が１０
０Ｗ／ｍｋ以上、高いものでは１５０Ｗ／ｍＫ以上、さ
らに高いものでは２００Ｗ／ｍｋ以上を有することから
載置面３に載せる半導体ウエハＷの均熱化を高めること
ができる。

【００３５】また、板状セラミック体２中に埋設する抵
抗発熱体４の材質としては、タングステン（Ｗ）やモリ
ブデン（Ｍｏ）など周期律表第６ａ族元素やＴｉなどの
周期律表第４ａ族元素等の高融点金属あるいはこれらの
合金、さらにはＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＮなどの導電性セラ
ミックスを用いることができる。これらの金属や合金あ
るいは導電性セラミックスは、板状セラミック体２を構
成するセラミックスと同程度の熱膨張係数を有すること
から、セラミックヒータ１の製作時や発熱時における反
りや破損を防ぐことができるとともに、高温に発熱させ
ても断線することがなく、寿命の長いセラミックヒータ
１とすることができる。

【００３６】

【実施例】（実施例１）ここで、図６に示す熱反射部２
０を備えた板状体の加熱装置と、図９に示す熱反射体を
持たない従来の板状体の加熱装置を用意するとともに、
熱反射部２０を有するものにあっては、１〜５０μｍの
波長を有する赤外線に対する平均反射率及びセラミック
ヒータ１の載置面３を除く全表面積に対して熱反射部２
０が占める割合を異ならせ、各セラミックヒータ１，２
１を５００℃の温度に発熱させるのに要する電力値を比
較する実験を行った。

【００３７】本実験ではセラミックヒータ１，２１とし
て、直径２００ｍｍ、厚み１０ｍｍの円盤 状をしたも
のを用い、セラミックヒータ１，２１を構成する板状セ
ラミック体２，２２を純度９９．９％の窒化アルミニウ
ム質セラミックス、抵抗発熱体４をタングステンにより
それぞれ形成した。また、セラミックヒータ１，２１を
真空処理室１１，３１内に設置する支持体１７，２６は
鉄（Ｆｅ）−コバルト（Ｃｏ）−ニッケル（Ｎｉ）合金
により形成し、熱反射部２０も支持体１７と同材質とし
た。

【００３８】なお、熱反射部２０の平均反射率は、熱反
射部２０の面粗さを変えたり、反射面を酸化等にて改質
することによって異ならせた。また、熱反射部２０を有
するものにあっては、セラミックヒータ１と平行に設置
し、その距離Ｌを６０ｍｍとした。

【００３９】そして、各セラミックヒータ１，２１が５
００℃となるように発熱させるのに要する電力を測定す
るとともに、従来の加熱装置との電力比を電力削減率と
して算出した。そして、電力削減率が２０％未満のもの
を▲、電力削減率が２０％以上のものを△、電力削減率
が２５％以上のものを○として評価した。

【００４０】それぞれの結果は表１に示す通りである。

【００４１】

【表１】

【００４２】この結果、熱反射部２０を有する本発明の
加熱装置は、従来の加熱装置と比較して電力を大幅に低
減できることが判る。

【００４３】また、熱反射部２０を有する加熱装置の中
でも、熱反射部２０の１μｍ〜５０μｍの波長を有する
赤外線に対する平均反射率が５０％以上であるととも
に、熱反射部２０がセラミックヒータ１の載置面３以外
の表面を覆う割合が５０％以上であったものは、熱反射
部を持たない従来の加熱装置に対して２０％以上の電力
を削減することができ、優れていた。

【００４４】（実施例２）次に、セラミックヒータ１か
ら熱反射部２０までの距離Ｌを異ならせて実施例１と同
様の条件にて電力削減効果について調べる実験を行っ
た。

【００４５】なお、本実験では、熱反射部２０の平均反
射率を５１％、熱反射部２０が載置面３以外の表面を覆
う割合を５０％とし、他の条件は全て実施例１と同じと
した。

【００４６】それぞれの結果は表２に示す通りである。

【００４７】

【表２】

【００４８】この結果、セラミックヒータ１から熱反射
部２０までの距離Ｌが小さくなるにつれて消費電力を抑
えることができ、特に距離Ｌが６０ｍｍと距離Ｌが５０
ｍｍとの間で約４％ほど電力削減率を向上させることが
でき、優れていることが判った。

【００４９】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、半導体
ウエハの如き板状体の載置面を有する板状セラミック体
中に抵抗発熱体を埋設してなるセラミックヒータを真空
処理室内に設置してなる板状体の加熱装置において、１
〜５０μｍの波長を有する赤外線を反射するタングステ
ン、モリブデン、ニッケル、アルミニウム等の金属やそ
の合金、鉄−コバルト−ニッケル合金等の金属材料やア
ルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素等を主
成分とするセラミック材料からなる熱反射体を、上記セ
ラミックヒータの載置面以外の表面近傍に距離をあけて
設置したことによって、セラミックヒータの熱輻射に伴
う電力ロスを大幅に低減することができるとともに、昇
温速度を向上させ、かつ所定の処理温度にセラミックヒ
ータを発熱させることが可能となる。

【００５０】しかも、セラミックヒータから熱反射体ま
での距離Ｌを一定にしておくことで、形状や大きさの異
なる真空処理室に設置したとしてもその形状や大きさに
関係なく、ある一定の電力をセラミックヒータに印加す
れば、その電力に見合った温度に安定して発熱させるこ
とができる。

【００５１】また、本発明によれば、セラミックヒータ
と対向する熱反射体の反射面を中心線平均粗さ（Ｒａ）
で１．７μｍ以下として１〜５０μｍの波長を有する赤
外線に対する平均反射率を５０％以上とするとともに、
上記熱反射体が前記セラミックヒータの載置面以外の表
面を覆う割合を５０％以上とし、さらには上記セラミッ
クヒータから最も離れた熱反射体までの距離Ｌを０ｍｍ
＜Ｌ≦５０ｍｍとすることで、セラミックヒータの熱輻
射に伴う電力ロスをより一層低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】プラズマ発生機能を有する成膜装置やエッチン
グ装置を構成する本発明に係る板状体の加熱装置の一例
を示す模式図である。

【図２】本発明に係る板状体の加熱装置に備えるセラミ
ックヒータを示す一部を破断した斜視図である。

【図３】本発明に係る板状体の加熱装置の応用例を示す
断面図である。

【図４】本発明に係る板状体の加熱装置の応用例を示す
断面図である。

【図５】本発明に係る板状体の加熱装置の応用例を示す
断面図である。

【図６】本発明に係る板状体の加熱装置の応用例を示す
断面図である。

【図７】本発明に係る板状体の加熱装置の応用例を示す
断面図である。

【図８】本発明に係る板状体の加熱装置の応用例を示す
断面図である。

【図９】プラズマ発生機能を有する成膜装置やエッチン
グ装置を構成する従来における板状体の加熱装置の一例
を示す模式図である。

【符号の説明】

１・・・セラミックヒータ、２・・・板状セラミック
体、３・・・載置面、４・・・抵抗発熱体、５・・・リ
ード線、６・・・円筒状支持体、７・・・熱反射体、８
・・・プラズマ発生用の電極、９・・・高周波電極、１
１・・・真空処理室、１２・・・ヒータ電源、１３・・
・高周波電源、Ｗ・・・半導体ウエハ

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】板状体を載せる載置面を有する板状セラミ
   ック体中に抵抗発熱体を埋設してなるセラミックヒータ
   を、円筒状支持体によって真空処理室内に気密に設置し
   てなる加熱装置であって、タングステン、モリブデン、
   ニッケル、アルミニウム等の金属やその合金、鉄−コバ
   ルト−ニッケル合金等の金属材料やアルミナ、窒化珪
   素、窒化アルミニウム、炭化珪素等を主成分とするセラ
   ミック材料からなる熱反射体を、上記セラミックヒータ
   の載置面以外の表面近傍に距離をあけて上記円筒状支持
   体に設置するかまたは一体的に形成するとともに、上記
   熱反射体が上記セラミックヒータの載置面以外の表面を
   覆う割合を５０％以上とし、かつ上記セラミックヒータ
   と対向する熱反射体の反射面を中心線平均粗さ（Ｒａ）
   で１．７μｍ以下として１〜５０μｍの波長を有する赤
   外線に対する平均反射率を５０％以上としたことを特徴
   とする板状体の加熱装置。
2. 【請求項２】上記セラミックヒータから最も離れた熱反
   射体までの距離Ｌが０ｍｍ＜Ｌ≦５０ｍｍの範囲にある
   ことを特徴とする請求項１に記載の板状体の加熱装置。