JP2002338710A - 表示素子用プラスチック基板 - Google Patents
表示素子用プラスチック基板Info
- Publication number
- JP2002338710A JP2002338710A JP2001338948A JP2001338948A JP2002338710A JP 2002338710 A JP2002338710 A JP 2002338710A JP 2001338948 A JP2001338948 A JP 2001338948A JP 2001338948 A JP2001338948 A JP 2001338948A JP 2002338710 A JP2002338710 A JP 2002338710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin sheet
- dianhydride
- diamino
- same
- formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アクティブマトリックスタイプの表示組織板
に好適な表示素子用プラスチック基板、詳細には高度の
耐熱性、耐薬品性を有し、かつ、平均線膨張係数が低い
表示素子用プラスチック基板を提供する。 【解決手段】 厚みが５０〜１０００μmであり、５０
〜２００℃での平均線膨張係数が−１０〜４０ｐｐｍ
で、かつ、貯蔵弾性率が５ＧＰａ以上であるポリイミド
系樹脂シートを用いることを特徴とする表示素子用プラ
スチック基板であり、式１に示す芳香族酸二無水物と、
式２に示す芳香族ジアミンから合成されるポリイミド系
樹脂シートを用いること、さらに、ピロメリット酸二無
水物と、式２に示す芳香族ジアミンのうちｎ＝１または
２である芳香族ジアミンから合成されるポリイミド系樹
脂シートを用いることが好ましい。 【化７】 【化８】
に好適な表示素子用プラスチック基板、詳細には高度の
耐熱性、耐薬品性を有し、かつ、平均線膨張係数が低い
表示素子用プラスチック基板を提供する。 【解決手段】 厚みが５０〜１０００μmであり、５０
〜２００℃での平均線膨張係数が−１０〜４０ｐｐｍ
で、かつ、貯蔵弾性率が５ＧＰａ以上であるポリイミド
系樹脂シートを用いることを特徴とする表示素子用プラ
スチック基板であり、式１に示す芳香族酸二無水物と、
式２に示す芳香族ジアミンから合成されるポリイミド系
樹脂シートを用いること、さらに、ピロメリット酸二無
水物と、式２に示す芳香族ジアミンのうちｎ＝１または
２である芳香族ジアミンから合成されるポリイミド系樹
脂シートを用いることが好ましい。 【化７】 【化８】
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、耐熱性、耐薬品
性、寸法安定性に優れた、アクティブマトリックスタイ
プの反射型液晶表示素子や有機ＥＬ表示素子等に好適な
表示素子用プラスチック基板に関する。
性、寸法安定性に優れた、アクティブマトリックスタイ
プの反射型液晶表示素子や有機ＥＬ表示素子等に好適な
表示素子用プラスチック基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示素子は薄膜化、軽量化、
大型化、任意の形状化、曲面表示対応などの高度な要求
がある。特に、携帯機器については軽量化、高耐久性が
強く要求され、これらの利用が拡大されるにつれて、従
来のガラス基板に代わりプラスチックを基板とする液晶
表示パネルが検討され、一部で実用化され始めた。しか
し、最近になってさらに液晶のカラー動画化に伴い高速
応答性が要求され、アクティブマトリックスタイプの表
示素子が主流になりつつあり、また例えば有機ＥＬ素子
等のＥＬ素子においても、素子寿命の点からアクティブ
マトリックスタイプが有利とされている。しかしなが
ら、アクティブマトリックスタイプの表示素子用基板に
は依然としてガラス基板が使われているのが現状であ
る。アクティブマトリックスタイプの表示素子基板にお
いても軽量化、高耐久性の強い要求からプラスチック化
が望まれているが、従来のプラスチック表示素子用基板
では、基板をなす樹脂層と電極との熱膨張率の差が大き
いため、特に加工時高い温度変化にさらされるアクティ
ブマトリックスタイプの表示素子基板用途に於いては、
透明電極に亀裂が生じ易く抵抗値の増大が生じたり、時
には断線といった事態に陥ることもあり、その実用化に
はまだ至っていない。また、反射型液晶表示素子は低消
費電力の点から注目されているが、やはりプラスチック
基板の実用化には至っていない。一方、特定の構造のポ
リイミドが低線膨張係数を示すことが知られており、例
えば特公平７−４０６２９号公報においては、多層配線
基板用の低線膨張ポリイミドが開示されている。しかし
ながら、液晶表示基板への適用性については触れられて
いない。また、透過型液晶表示基板用に特定のフッ素化
ポリイミドを用いた例（特開平３−２４６５１５号公
報）もあるが、用いている原料が高価であるため、表示
素子基板に用いるのは実用的でない。
大型化、任意の形状化、曲面表示対応などの高度な要求
がある。特に、携帯機器については軽量化、高耐久性が
強く要求され、これらの利用が拡大されるにつれて、従
来のガラス基板に代わりプラスチックを基板とする液晶
表示パネルが検討され、一部で実用化され始めた。しか
し、最近になってさらに液晶のカラー動画化に伴い高速
応答性が要求され、アクティブマトリックスタイプの表
示素子が主流になりつつあり、また例えば有機ＥＬ素子
等のＥＬ素子においても、素子寿命の点からアクティブ
マトリックスタイプが有利とされている。しかしなが
ら、アクティブマトリックスタイプの表示素子用基板に
は依然としてガラス基板が使われているのが現状であ
る。アクティブマトリックスタイプの表示素子基板にお
いても軽量化、高耐久性の強い要求からプラスチック化
が望まれているが、従来のプラスチック表示素子用基板
では、基板をなす樹脂層と電極との熱膨張率の差が大き
いため、特に加工時高い温度変化にさらされるアクティ
ブマトリックスタイプの表示素子基板用途に於いては、
透明電極に亀裂が生じ易く抵抗値の増大が生じたり、時
には断線といった事態に陥ることもあり、その実用化に
はまだ至っていない。また、反射型液晶表示素子は低消
費電力の点から注目されているが、やはりプラスチック
基板の実用化には至っていない。一方、特定の構造のポ
リイミドが低線膨張係数を示すことが知られており、例
えば特公平７−４０６２９号公報においては、多層配線
基板用の低線膨張ポリイミドが開示されている。しかし
ながら、液晶表示基板への適用性については触れられて
いない。また、透過型液晶表示基板用に特定のフッ素化
ポリイミドを用いた例（特開平３−２４６５１５号公
報）もあるが、用いている原料が高価であるため、表示
素子基板に用いるのは実用的でない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、 反
射型ＴＦＴ用液晶表示基板に適用可能な高度の耐熱性、
耐薬品性を有し、かつ、平均線膨張係数が低い特定のポ
リイミド系樹脂シートを用いることを特徴とする表示素
子用プラスチック基板を提供することである。
射型ＴＦＴ用液晶表示基板に適用可能な高度の耐熱性、
耐薬品性を有し、かつ、平均線膨張係数が低い特定のポ
リイミド系樹脂シートを用いることを特徴とする表示素
子用プラスチック基板を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、厚み
が５０〜１０００μmであり、５０〜２００℃での平均
線膨張係数が−１０〜４０ｐｐｍで、かつ、貯蔵弾性率
が５ＧＰａ以上であるポリイミド系樹脂シートを用いる
ことを特徴とする表示素子用プラスチック基板であり、
式１に示す芳香族酸二無水物と、式２に示す芳香族ジア
ミンから合成されるポリイミド系樹脂シートを用いるこ
とを特徴とする表示素子用プラスチック基板であり、さ
らに、ピロメリット酸二無水物と、式２に示す芳香族ジ
アミンのうちｎ＝１または２である芳香族ジアミンから
合成されるポリイミド系樹脂シートを用いることを特徴
とする表示素子用プラスチック基板である。
が５０〜１０００μmであり、５０〜２００℃での平均
線膨張係数が−１０〜４０ｐｐｍで、かつ、貯蔵弾性率
が５ＧＰａ以上であるポリイミド系樹脂シートを用いる
ことを特徴とする表示素子用プラスチック基板であり、
式１に示す芳香族酸二無水物と、式２に示す芳香族ジア
ミンから合成されるポリイミド系樹脂シートを用いるこ
とを特徴とする表示素子用プラスチック基板であり、さ
らに、ピロメリット酸二無水物と、式２に示す芳香族ジ
アミンのうちｎ＝１または２である芳香族ジアミンから
合成されるポリイミド系樹脂シートを用いることを特徴
とする表示素子用プラスチック基板である。
【０００５】
【化３】 （Ｒ、Ｒ’はアルキル基、炭素数がＣ1 〜Ｃ3のアルコ
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、 ｘ
＝０〜３、ｙ＝０〜３の整数で同じでも異なっても良
い。ｎ＝０〜５の整数）
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、 ｘ
＝０〜３、ｙ＝０〜３の整数で同じでも異なっても良
い。ｎ＝０〜５の整数）
【０００６】
【化４】 （Ｒ、Ｒ’はアルキル基、炭素数がＣ1 〜Ｃ3のアルコ
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、 ｘ
＝０〜４、ｙ＝０〜４の整数で同じでも異なっても良
い。ｎ＝０〜５の整数）
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、 ｘ
＝０〜４、ｙ＝０〜４の整数で同じでも異なっても良
い。ｎ＝０〜５の整数）
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明で用いられるポリイミド系
樹脂シートは透過光を使用しない反射型液晶表示素子基
板やトップエミッションタイプの有機ＥＬ素子基板に用
いるため、透明性は特に要求されない。このシートの厚
みは、５０〜１０００μｍの範囲であり、好ましくは７
０〜７００μｍ、より好ましくは８０〜５００μｍ、さ
らに好ましくは１００〜４００μｍである。５０μｍ未
満では基板の剛性が維持できないおそれがあり、１００
０μｍを超えると重量が大きくなりすぎるため、軽量化
を目的とするプラスチック化のメリットが失われてしま
うおそれがある。また、５０〜２００℃での平均線膨張
係数は−１０〜４０ｐｐｍの範囲であり、好ましくは、
−５〜３０ｐｐｍ、より好ましくは０〜２０ｐｐｍの範
囲である。平均線膨張係数が−１０ｐｐｍ未満または４
０ｐｐｍを超える場合には配線に用いられる金属の平均
線膨張係数との差が大きくなるため、高温にさらされた
とき断線を生じるおそれがある。また、その貯蔵弾性率
は、大略金属アルミニウムの値である５ＧＰａ以上であ
る。貯蔵弾性率が５ＧＰａ未満であると基板の剛性を維
持できなくなるおそれがある。
樹脂シートは透過光を使用しない反射型液晶表示素子基
板やトップエミッションタイプの有機ＥＬ素子基板に用
いるため、透明性は特に要求されない。このシートの厚
みは、５０〜１０００μｍの範囲であり、好ましくは７
０〜７００μｍ、より好ましくは８０〜５００μｍ、さ
らに好ましくは１００〜４００μｍである。５０μｍ未
満では基板の剛性が維持できないおそれがあり、１００
０μｍを超えると重量が大きくなりすぎるため、軽量化
を目的とするプラスチック化のメリットが失われてしま
うおそれがある。また、５０〜２００℃での平均線膨張
係数は−１０〜４０ｐｐｍの範囲であり、好ましくは、
−５〜３０ｐｐｍ、より好ましくは０〜２０ｐｐｍの範
囲である。平均線膨張係数が−１０ｐｐｍ未満または４
０ｐｐｍを超える場合には配線に用いられる金属の平均
線膨張係数との差が大きくなるため、高温にさらされた
とき断線を生じるおそれがある。また、その貯蔵弾性率
は、大略金属アルミニウムの値である５ＧＰａ以上であ
る。貯蔵弾性率が５ＧＰａ未満であると基板の剛性を維
持できなくなるおそれがある。
【０００８】本発明で用いられる芳香族酸二無水物は、
式１のような骨格を有していれば良く、芳香環に置換基
が結合していてもかまわない。
式１のような骨格を有していれば良く、芳香環に置換基
が結合していてもかまわない。
【０００９】
【化５】 （Ｒ、Ｒ’はアルキル基、炭素数がＣ1 〜Ｃ3のアルコ
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、 ｘ
＝０〜３、ｙ＝０〜３の整数で同じでも異なっても良
い。ｎ＝０〜５の整数）
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、 ｘ
＝０〜３、ｙ＝０〜３の整数で同じでも異なっても良
い。ｎ＝０〜５の整数）
【００１０】置換基Ｒ、Ｒ’はアルキル基、炭素数がＣ
1 〜Ｃ3のアルコキシ基、アシル基、ハロゲンを示し、
同じでも異なっても良い。置換基数は特に限定されるも
のではなく、置換基が無くても良い。また、結合位置に
ついても特に限定されるものではない。芳香環数は１〜
６個でパラ結合していれば良く（ｎ＝０〜５の整数）、
好ましくは１〜３個であり（ｎ＝０〜２の整数）、最も
好ましくは１個である（ｎ＝０）。例えば、ピロメリッ
ト酸二無水物、ビフタル酸無水物、ｐ−ターフェニルテ
トラカルボン酸二無水物などが挙げられる。特に好まし
くはピロメリット酸二無水物である。これらの芳香族酸
二無水物は1種類でも数種類を混合して用いてもかまわ
ない。また、他の特性とのバランスをとるために、若干
量の他の酸無水物を併用してもかまわない。併用する他
の酸無水物としては、例えばベンゼン−１、２、３、４
−テトラカルボン酸二無水物、３、３’、４、４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２、２’、
３、３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２、３、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、ナフタレン−２、３、６、７−テトラカルボ
ン酸二無水物、ナフタレン−１、２、５、６−テトラカ
ルボン酸二無水物、ナフタレン−１、２、４、５−テト
ラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１、４、５、８−
テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１、２、６、
７−テトラカルボン酸二無水物、４、８−ジメチル−
１、２、３、５、６、７−ヘキサヒドロナフタレン−
１、２、５、６−テトラカルボン酸二無水物、４、８−
ジメチル−１、２、３、５、６、７−ヘキサヒドロナフ
タレン−２、３、６、７−テトラカルボン酸二無水物、
２、６−ジクロロナフタレン−１、４、５、８−テトラ
カルボン酸二無水物、２、７−ジクロロナフタレン−
１、４、５、８−テトラカルボン酸二無水物、２、３、
６、７−テトラクロロナフタレン−１、４、５、８−テ
トラカルボン酸二無水物、１、４、５、８−テトラクロ
ロナフタレン−２、３、６、７−テトラカルボン酸二無
水物、２、２−ビス（２、３−ジカルボキシフェニル）
−プロパン二無水物、２、２−ビス（３、４−ジカルボ
キシフェニル）−プロパン二無水物、ビス（２、３−ジ
カルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３、４
−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス
（２、３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビ
ス（３、４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、
ビス（２、３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、ビス（３、４−ジカルボキシフェニル）スルホン二
無水物、１、１−ビス（２、３−ジカルボキシフェニ
ル）エタン二無水物、１、１−ビス（３、４−ジカルボ
キシフェニル）エタン二無水物、ベリレン−２、３、
８、９−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−３、
４、９、１０−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−
４、５、１０、１１−テトラカルボン酸二無水物、ペリ
レン−５、６、１１、１２−テトラカルボン酸二無水
物、フェナンスレン−１、２、７、８−テトラカルボン
酸二無水物、フェナンスレン−１、２、６、７−テトラ
カルボン酸二無水物、フェナンスレン−１、２、９、１
０−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１、
２、３、４−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−
２、３、５、６−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジ
ン−２、３、４、５−テトラカルボン酸二無水物、チオ
フェン−２、３、４、５−テトラカルボン酸二無水物な
どがあげられるが、これらに限定されるものではない。
また、使用にあたっては、１種類でも２種類以上の混合
物でもかまわない。
1 〜Ｃ3のアルコキシ基、アシル基、ハロゲンを示し、
同じでも異なっても良い。置換基数は特に限定されるも
のではなく、置換基が無くても良い。また、結合位置に
ついても特に限定されるものではない。芳香環数は１〜
６個でパラ結合していれば良く（ｎ＝０〜５の整数）、
好ましくは１〜３個であり（ｎ＝０〜２の整数）、最も
好ましくは１個である（ｎ＝０）。例えば、ピロメリッ
ト酸二無水物、ビフタル酸無水物、ｐ−ターフェニルテ
トラカルボン酸二無水物などが挙げられる。特に好まし
くはピロメリット酸二無水物である。これらの芳香族酸
二無水物は1種類でも数種類を混合して用いてもかまわ
ない。また、他の特性とのバランスをとるために、若干
量の他の酸無水物を併用してもかまわない。併用する他
の酸無水物としては、例えばベンゼン−１、２、３、４
−テトラカルボン酸二無水物、３、３’、４、４’−ベ
ンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２、２’、
３、３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、
２、３、３’、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物、ナフタレン−２、３、６、７−テトラカルボ
ン酸二無水物、ナフタレン−１、２、５、６−テトラカ
ルボン酸二無水物、ナフタレン−１、２、４、５−テト
ラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１、４、５、８−
テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−１、２、６、
７−テトラカルボン酸二無水物、４、８−ジメチル−
１、２、３、５、６、７−ヘキサヒドロナフタレン−
１、２、５、６−テトラカルボン酸二無水物、４、８−
ジメチル−１、２、３、５、６、７−ヘキサヒドロナフ
タレン−２、３、６、７−テトラカルボン酸二無水物、
２、６−ジクロロナフタレン−１、４、５、８−テトラ
カルボン酸二無水物、２、７−ジクロロナフタレン−
１、４、５、８−テトラカルボン酸二無水物、２、３、
６、７−テトラクロロナフタレン−１、４、５、８−テ
トラカルボン酸二無水物、１、４、５、８−テトラクロ
ロナフタレン−２、３、６、７−テトラカルボン酸二無
水物、２、２−ビス（２、３−ジカルボキシフェニル）
−プロパン二無水物、２、２−ビス（３、４−ジカルボ
キシフェニル）−プロパン二無水物、ビス（２、３−ジ
カルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３、４
−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス
（２、３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビ
ス（３、４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、
ビス（２、３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水
物、ビス（３、４−ジカルボキシフェニル）スルホン二
無水物、１、１−ビス（２、３−ジカルボキシフェニ
ル）エタン二無水物、１、１−ビス（３、４−ジカルボ
キシフェニル）エタン二無水物、ベリレン−２、３、
８、９−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−３、
４、９、１０−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−
４、５、１０、１１−テトラカルボン酸二無水物、ペリ
レン−５、６、１１、１２−テトラカルボン酸二無水
物、フェナンスレン−１、２、７、８−テトラカルボン
酸二無水物、フェナンスレン−１、２、６、７−テトラ
カルボン酸二無水物、フェナンスレン−１、２、９、１
０−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１、
２、３、４−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−
２、３、５、６−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジ
ン−２、３、４、５−テトラカルボン酸二無水物、チオ
フェン−２、３、４、５−テトラカルボン酸二無水物な
どがあげられるが、これらに限定されるものではない。
また、使用にあたっては、１種類でも２種類以上の混合
物でもかまわない。
【００１１】本発明で用いられる芳香族ジアミンは、式
２のような骨格を有していれば良く、芳香環に置換基が
結合していてもかまわない。
２のような骨格を有していれば良く、芳香環に置換基が
結合していてもかまわない。
【００１２】
【化６】 （Ｒ、Ｒ’はアルキル基、炭素数がＣ1 〜Ｃ3のアルコ
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、 ｘ
＝０〜４、ｙ＝０〜４の整数で同じでも異なっても良
い。ｎ＝０〜５の整数）
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、 ｘ
＝０〜４、ｙ＝０〜４の整数で同じでも異なっても良
い。ｎ＝０〜５の整数）
【００１３】置換基Ｒ、Ｒ’はアルキル基、炭素数がＣ
1 〜Ｃ3のアルコキシ基、アシル基、ハロゲンを示し、
同じでも異なっても良い。好ましくはアルキル基であ
り、特に好ましくはメチル基である。置換基数は特に限
定されるものではなく、置換基が無くても良い。また、
結合位置についても特に限定されるものではない。芳香
環数は１〜６個でパラ結合していれば良く（ｎ＝０〜５
の整数）、好ましくは２〜３個である（ｎ＝１〜２の整
数）。例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ベンジジン、
ｏ−トリジン、ｍ−トリジン、ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンジジン、４，４”−ジアミノ−ｐ−ターフェニ
ルなどが挙げられる。好ましくはｏ−トリジン、ｍ−ト
リジン、４，４”−ジアミノ−ｐ−ターフェニルであ
る。これらの芳香族ジアミンは1種類でも数種類を混合
して用いてもかまわない。また、他の特性とのバランス
をとるために、若干量の他のジアミン類を併用してもか
まわない。併用する他のジアミン類としては、１、４−
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン、ｍ−フェニレン−ジアミン、１−イソプロピル−
２、４−フェニレン−ジアミン、４、４’−ジアミノ−
ジフェニルプロパン、３、３’−ジアミノ−ジフェニル
プロパン、４、４’−ジアミノ−ジフェニルエタン、
３、３’−ジアミノ−ジフェニルエタン、４、４’−ジ
アミノ−ジフェニルメタン、３、３’−ジアミノ−ジフ
ェニルメタン、４、４’−ジアミノ−ジフェニルスルフ
ィド、３、３’−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、
４、４’−ジアミノ−ジフェニルスルホン、３、３’−
ジアミノ−ジフェニルスルホン、４、４’−ジアミノ−
ジフェニルエーテル、３、３’−ジアミノ−ジフェニル
エーテル、ベンジジン、３、３’−ジアミノ−ビフェニ
ル、３、３’−ジメチル−４、４’−ジアミノ−ビフェ
ニル、３、３’−ジメトキシ−ベンジジン、４、４’−
ジアミノ−ｐ−テルフェニル、３、３’−ジアミノ−ｐ
−テルフェニル、ビス（ｐ−アミノ−シクロヘキシル）
メタン、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）
エーテル、ビス（ｐ−β−メチル−δ−アミノペンチ
ル）ベンゼン、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノ−ペ
ンチル）ベンゼン、ｐ−ビス（１、１−ジメチル−５−
アミノ−ペンチル）ベンゼン、１、５−ジアミノ−ナフ
タレン、２、６−ジアミノ−ナフタレン、２、４−ビス
（β−アミノ−ｔ−ブチル）トルエン、２、４−ジアミ
ノ−トルエン、２、６−ジアミノ−ピリジン、２、５−
ジアミノ−ピリジン、２、５−ジアミノ−１、３、４−
オキサジアゾール、１、４−ジアミノ−シクロヘキサ
ン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エチレン−ジア
ミン、プロピレン−ジアミン、２、２−ジメチル−プロ
ピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジアミン、ペンタ
メチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジアミン、２、
５−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン、３−メトキ
シ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメチレン−ジア
ミン、２、５−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミン、
３−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、４、４−ジメ
チル−ヘプタメチレン−ジアミン、オクタメチレン−ジ
アミン、ノナメチレン−ジアミン、５−メチル−ノナメ
チレン−ジアミン、２、５−ジメチル−ノナメチレン−
ジアミン、デカメチレン−ジアミン、１、１０−ジアミ
ノ−１、１０−ジメチル−デカン、２、１１−ジアミノ
−ドデカン、１、１２−ジアミノ−オクタデカン、１、
１２−ジアミノ−オクタデカン、２、１７−ジアミノ−
アイコサン、ジアミノシロキサン、２、６−ジアミノ−
４−カルボキシリックベンゼン、３、３’−ジアミノ−
４、４’−ジカルボキシリックベンジジン等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。また使用にあ
たっては、１種類でも２種類以上の混合物でもかまわな
い。
1 〜Ｃ3のアルコキシ基、アシル基、ハロゲンを示し、
同じでも異なっても良い。好ましくはアルキル基であ
り、特に好ましくはメチル基である。置換基数は特に限
定されるものではなく、置換基が無くても良い。また、
結合位置についても特に限定されるものではない。芳香
環数は１〜６個でパラ結合していれば良く（ｎ＝０〜５
の整数）、好ましくは２〜３個である（ｎ＝１〜２の整
数）。例えば、ｐ−フェニレンジアミン、ベンジジン、
ｏ−トリジン、ｍ−トリジン、ビス（トリフルオロメチ
ル）ベンジジン、４，４”−ジアミノ−ｐ−ターフェニ
ルなどが挙げられる。好ましくはｏ−トリジン、ｍ−ト
リジン、４，４”−ジアミノ−ｐ−ターフェニルであ
る。これらの芳香族ジアミンは1種類でも数種類を混合
して用いてもかまわない。また、他の特性とのバランス
をとるために、若干量の他のジアミン類を併用してもか
まわない。併用する他のジアミン類としては、１、４−
ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサ
ン、ｍ−フェニレン−ジアミン、１−イソプロピル−
２、４−フェニレン−ジアミン、４、４’−ジアミノ−
ジフェニルプロパン、３、３’−ジアミノ−ジフェニル
プロパン、４、４’−ジアミノ−ジフェニルエタン、
３、３’−ジアミノ−ジフェニルエタン、４、４’−ジ
アミノ−ジフェニルメタン、３、３’−ジアミノ−ジフ
ェニルメタン、４、４’−ジアミノ−ジフェニルスルフ
ィド、３、３’−ジアミノ−ジフェニルスルフィド、
４、４’−ジアミノ−ジフェニルスルホン、３、３’−
ジアミノ−ジフェニルスルホン、４、４’−ジアミノ−
ジフェニルエーテル、３、３’−ジアミノ−ジフェニル
エーテル、ベンジジン、３、３’−ジアミノ−ビフェニ
ル、３、３’−ジメチル−４、４’−ジアミノ−ビフェ
ニル、３、３’−ジメトキシ−ベンジジン、４、４’−
ジアミノ−ｐ−テルフェニル、３、３’−ジアミノ−ｐ
−テルフェニル、ビス（ｐ−アミノ−シクロヘキシル）
メタン、ビス（ｐ−β−アミノ−ｔ−ブチルフェニル）
エーテル、ビス（ｐ−β−メチル−δ−アミノペンチ
ル）ベンゼン、ｐ−ビス（２−メチル−４−アミノ−ペ
ンチル）ベンゼン、ｐ−ビス（１、１−ジメチル−５−
アミノ−ペンチル）ベンゼン、１、５−ジアミノ−ナフ
タレン、２、６−ジアミノ−ナフタレン、２、４−ビス
（β−アミノ−ｔ−ブチル）トルエン、２、４−ジアミ
ノ−トルエン、２、６−ジアミノ−ピリジン、２、５−
ジアミノ−ピリジン、２、５−ジアミノ−１、３、４−
オキサジアゾール、１、４−ジアミノ−シクロヘキサ
ン、ピペラジン、メチレン−ジアミン、エチレン−ジア
ミン、プロピレン−ジアミン、２、２−ジメチル−プロ
ピレン−ジアミン、テトラメチレン−ジアミン、ペンタ
メチレン−ジアミン、ヘキサメチレン−ジアミン、２、
５−ジメチル−ヘキサメチレン−ジアミン、３−メトキ
シ−ヘキサメチレン−ジアミン、ヘプタメチレン−ジア
ミン、２、５−ジメチル−ヘプタメチレン−ジアミン、
３−メチル−ヘプタメチレン−ジアミン、４、４−ジメ
チル−ヘプタメチレン−ジアミン、オクタメチレン−ジ
アミン、ノナメチレン−ジアミン、５−メチル−ノナメ
チレン−ジアミン、２、５−ジメチル−ノナメチレン−
ジアミン、デカメチレン−ジアミン、１、１０−ジアミ
ノ−１、１０−ジメチル−デカン、２、１１−ジアミノ
−ドデカン、１、１２−ジアミノ−オクタデカン、１、
１２−ジアミノ−オクタデカン、２、１７−ジアミノ−
アイコサン、ジアミノシロキサン、２、６−ジアミノ−
４−カルボキシリックベンゼン、３、３’−ジアミノ−
４、４’−ジカルボキシリックベンジジン等が挙げられ
るが、これらに限定されるものではない。また使用にあ
たっては、１種類でも２種類以上の混合物でもかまわな
い。
【００１４】本発明で用いられるポリイミド系樹脂シー
トには、必要に応じて、本発明の効果を阻害しない範囲
で、滑剤、耐熱剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、顔料
等、通常光学材料に配合される各種の成分を配合するこ
とができる。
トには、必要に応じて、本発明の効果を阻害しない範囲
で、滑剤、耐熱剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、顔料
等、通常光学材料に配合される各種の成分を配合するこ
とができる。
【００１５】本発明で用いられるポリイミド系樹脂シー
トの製膜法は特に制限されるものではなく、可能であれ
ば溶融押出し製膜法、キャスト法等の公知の製膜法を適
宜用いることができる。
トの製膜法は特に制限されるものではなく、可能であれ
ば溶融押出し製膜法、キャスト法等の公知の製膜法を適
宜用いることができる。
【００１６】本発明で用いられるポリイミド系樹脂シー
トは、使用にあたってタルク、クレー、マイカ、長石粉
末、石英粉末、酸化マグネシウム等の充填剤の少量を加
えてもよく、また各種のシランカップリング剤、ボラン
カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミ
ニウム系カップリング剤その他キレート系の接着性・密
着性向上剤を加えてもよい。
トは、使用にあたってタルク、クレー、マイカ、長石粉
末、石英粉末、酸化マグネシウム等の充填剤の少量を加
えてもよく、また各種のシランカップリング剤、ボラン
カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミ
ニウム系カップリング剤その他キレート系の接着性・密
着性向上剤を加えてもよい。
【００１７】本発明で用いられるポリイミド系樹脂シー
トは、耐湿・耐ガス透過性等のバリアー加工、ハードコ
ート加工および透明電極加工等が施されてもかまわな
い。
トは、耐湿・耐ガス透過性等のバリアー加工、ハードコ
ート加工および透明電極加工等が施されてもかまわな
い。
【００１８】
【実施例】次に本発明について、実施例及び比較例を挙
げて詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の実施例に制限されるものではない。 実施例１：ｏ−トリジン４２．４６ｇをＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド８００ｍＬに完全に溶解させた後、ピロ
メリット酸二無水物４３．２０ｇを加え、１５℃で２時
間攪拌した。得られたワニスをガラス板上にキャスト
し、乾燥させた後、さらに減圧下のオーブン中で１５０
℃＊３０分＋２００℃＊３０分＋２５０℃＊３０分＋３
００℃＊３時間減圧加熱してイミド化させ、厚さ０．４
ｍｍのシートを得た。 実施例２： ｍ−トリジン４２．４６ｇをＮ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド８００ｍＬに完全に溶解させた後、ピ
ロメリット酸二無水物４３．２０ｇを加え、１５℃で２
時間攪拌した。得られたワニスをガラス板上にキャスト
し、乾燥させた後、さらに減圧下のオーブン中で１５０
℃＊３０分＋２００℃＊３０分＋２５０℃＊３０分＋３
００℃＊３時間減圧加熱してイミド化させ、厚さ０．４
ｍｍのシートを得た。 実施例３： ４，４”−ジアミノ−ｐ−ターフェニル５
２．０７ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド９００ｍＬ
に完全に溶解させた後、ピロメリット酸二無水物４３．
２０ｇを加え、１５℃で２時間攪拌した。得られたワニ
スをガラス板上にキャストし、乾燥させた後、さらに減
圧下のオーブン中で１５０℃＊３０分＋２００℃＊３０
分＋２５０℃＊３０分＋３００℃＊３時間減圧加熱して
イミド化させ、厚さ０．４ｍｍのシートを得た。 比較例１：４，４’−ジアミノジフェニルエーテル４
０．０５ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８００ｍＬ
に完全に溶解させた後、ピロメリット酸二無水物４３．
２０ｇを加え、１５℃で２時間攪拌した。得られたワニ
スをガラス板上にキャストし、乾燥させた後、さらに減
圧下のオーブン中で１５０℃＊３０分＋２００℃＊３０
分＋２５０℃＊３０分＋３００℃＊３時間減圧加熱して
イミド化させ、厚さ０．４ｍｍのシートを得た。 比較例２： ｏ−トリジン４２．４６ｇをＮ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド１０００ｍＬに完全に溶解させた後、
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物６３．８０ｇを加え、１５℃で２時間攪拌し
た。得られたワニスをガラス板上にキャストし、乾燥さ
せた後、さらに減圧下のオーブン中で１５０℃＊３０分
＋２００℃＊３０分＋２５０℃＊３０分＋３００℃＊３
時間減圧加熱してイミド化させ、厚さ０．４ｍｍのシー
トを得た。
げて詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、以下の実施例に制限されるものではない。 実施例１：ｏ−トリジン４２．４６ｇをＮ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド８００ｍＬに完全に溶解させた後、ピロ
メリット酸二無水物４３．２０ｇを加え、１５℃で２時
間攪拌した。得られたワニスをガラス板上にキャスト
し、乾燥させた後、さらに減圧下のオーブン中で１５０
℃＊３０分＋２００℃＊３０分＋２５０℃＊３０分＋３
００℃＊３時間減圧加熱してイミド化させ、厚さ０．４
ｍｍのシートを得た。 実施例２： ｍ−トリジン４２．４６ｇをＮ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド８００ｍＬに完全に溶解させた後、ピ
ロメリット酸二無水物４３．２０ｇを加え、１５℃で２
時間攪拌した。得られたワニスをガラス板上にキャスト
し、乾燥させた後、さらに減圧下のオーブン中で１５０
℃＊３０分＋２００℃＊３０分＋２５０℃＊３０分＋３
００℃＊３時間減圧加熱してイミド化させ、厚さ０．４
ｍｍのシートを得た。 実施例３： ４，４”−ジアミノ−ｐ−ターフェニル５
２．０７ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド９００ｍＬ
に完全に溶解させた後、ピロメリット酸二無水物４３．
２０ｇを加え、１５℃で２時間攪拌した。得られたワニ
スをガラス板上にキャストし、乾燥させた後、さらに減
圧下のオーブン中で１５０℃＊３０分＋２００℃＊３０
分＋２５０℃＊３０分＋３００℃＊３時間減圧加熱して
イミド化させ、厚さ０．４ｍｍのシートを得た。 比較例１：４，４’−ジアミノジフェニルエーテル４
０．０５ｇをＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８００ｍＬ
に完全に溶解させた後、ピロメリット酸二無水物４３．
２０ｇを加え、１５℃で２時間攪拌した。得られたワニ
スをガラス板上にキャストし、乾燥させた後、さらに減
圧下のオーブン中で１５０℃＊３０分＋２００℃＊３０
分＋２５０℃＊３０分＋３００℃＊３時間減圧加熱して
イミド化させ、厚さ０．４ｍｍのシートを得た。 比較例２： ｏ−トリジン４２．４６ｇをＮ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド１０００ｍＬに完全に溶解させた後、
３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸
二無水物６３．８０ｇを加え、１５℃で２時間攪拌し
た。得られたワニスをガラス板上にキャストし、乾燥さ
せた後、さらに減圧下のオーブン中で１５０℃＊３０分
＋２００℃＊３０分＋２５０℃＊３０分＋３００℃＊３
時間減圧加熱してイミド化させ、厚さ０．４ｍｍのシー
トを得た。
【００１９】＜評価方法＞ 平均線膨張係数：セイコー電子製ＴＭＡ／ＳＳ１２０
Ｃ型熱応力歪測定装置を用いて、窒素の存在下、１分間
に５℃の割合で温度を室温から（熱変形温度−２０℃）
まで上昇させて２０分間保持した後、１分間に５℃の割
合で温度を室温まで冷却し５分間室温で保持させた。そ
の後、再度、１分間に５℃の割合で温度を上昇させて、
５０℃〜２００℃の時の値を測定して求めた。（熱変形
温度から２０℃を引いた温度が３５０℃以上のときは３
５０℃とした。） 貯蔵弾性率：セイコー電子（株）製ＤＭＳ２１０型粘
弾性測定装置を用いて、窒素の存在下、１分間に３℃の
割合で温度を室温から４００℃まで上昇させた。以下の
ような条件の下、３０℃での貯蔵弾性率を求めた。測定
周波数１Ｈｚ、歪振幅１０、最小張力/圧縮力２９４ｍ
Ｎ、１９６０ｍＮ 耐溶剤性：６０℃のジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）溶液に試料を浸漬して６０分間放置。試料を取り出
した後、目視にて外観を観察した。 耐配向剤性： スピンコーター上に試料を設置。その
表面にＣＲＤ−８２０１（住友ベークライト製）を滴下
した後 ２５００ｒｐｍでスピンコートを実施。１８０
℃６０分乾燥処理後、目視にて外観を観察した。 耐液晶性： 基板の表面にメルク社製ＺＩＬ−４７９
２を１滴滴下する。８０℃のオーブン内に投入して６０
分放置する。試料を取り出した後、目視にて外観を観察
した。 抵抗値：基板上に、アルミニウムをスパッタリングに
より３０００Åの厚さで形成させ、フォトリソグラフ法
により、幅３μｍ、長さ３０ｍｍの模擬配線パターンを
形成させ、パターン両端５ｍｍの部分に金２０００Åを
のスパッタリングして５ｍｍ□の抵抗値測定用電極を形
成させた。このときの両端間の抵抗値をＲ0として測定
した。つづいて、１０ｍｍ□の開口部を有するメタルマ
スクを配線パターンの中央部に配設し、ＳｉＮ（２００
０Å）／アモルファスＳｉ（５００Å）／ＳｉＮ（２０
００Å）の各層を連続ＣＶＤにより形成させた。常温に
戻したときの両端間の抵抗値を再度測定し、Ｒ1とし
た。さらに、１８０℃のオーブンに１時間入れた後、常
温に戻したときの両端間の抵抗値をＲ2とした。なお、
耐用剤性および耐液晶性の評価においては、温度条件の
多少の差異によって評価結果に差異のないことを確認し
ている。評価結果を表−１に示す。
Ｃ型熱応力歪測定装置を用いて、窒素の存在下、１分間
に５℃の割合で温度を室温から（熱変形温度−２０℃）
まで上昇させて２０分間保持した後、１分間に５℃の割
合で温度を室温まで冷却し５分間室温で保持させた。そ
の後、再度、１分間に５℃の割合で温度を上昇させて、
５０℃〜２００℃の時の値を測定して求めた。（熱変形
温度から２０℃を引いた温度が３５０℃以上のときは３
５０℃とした。） 貯蔵弾性率：セイコー電子（株）製ＤＭＳ２１０型粘
弾性測定装置を用いて、窒素の存在下、１分間に３℃の
割合で温度を室温から４００℃まで上昇させた。以下の
ような条件の下、３０℃での貯蔵弾性率を求めた。測定
周波数１Ｈｚ、歪振幅１０、最小張力/圧縮力２９４ｍ
Ｎ、１９６０ｍＮ 耐溶剤性：６０℃のジメチルスルホキシド（ＤＭＳ
Ｏ）溶液に試料を浸漬して６０分間放置。試料を取り出
した後、目視にて外観を観察した。 耐配向剤性： スピンコーター上に試料を設置。その
表面にＣＲＤ−８２０１（住友ベークライト製）を滴下
した後 ２５００ｒｐｍでスピンコートを実施。１８０
℃６０分乾燥処理後、目視にて外観を観察した。 耐液晶性： 基板の表面にメルク社製ＺＩＬ−４７９
２を１滴滴下する。８０℃のオーブン内に投入して６０
分放置する。試料を取り出した後、目視にて外観を観察
した。 抵抗値：基板上に、アルミニウムをスパッタリングに
より３０００Åの厚さで形成させ、フォトリソグラフ法
により、幅３μｍ、長さ３０ｍｍの模擬配線パターンを
形成させ、パターン両端５ｍｍの部分に金２０００Åを
のスパッタリングして５ｍｍ□の抵抗値測定用電極を形
成させた。このときの両端間の抵抗値をＲ0として測定
した。つづいて、１０ｍｍ□の開口部を有するメタルマ
スクを配線パターンの中央部に配設し、ＳｉＮ（２００
０Å）／アモルファスＳｉ（５００Å）／ＳｉＮ（２０
００Å）の各層を連続ＣＶＤにより形成させた。常温に
戻したときの両端間の抵抗値を再度測定し、Ｒ1とし
た。さらに、１８０℃のオーブンに１時間入れた後、常
温に戻したときの両端間の抵抗値をＲ2とした。なお、
耐用剤性および耐液晶性の評価においては、温度条件の
多少の差異によって評価結果に差異のないことを確認し
ている。評価結果を表−１に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】本実施例におけるＲ1／Ｒo、Ｒ2／Ｒo値
は、すべて１．０２以下であった。この程度の変化は一
般に残留歪みによるものと考えられる。これに対して、
比較例１、比較例２とも、Ｒ2／Ｒoの値で５０％以上の
抵抗値上昇が観察された。このことから、比較例１、比
較例２ともドライプロセス後の線膨張の差により配線パ
ターンにクラックが生じたものと考えられた。
は、すべて１．０２以下であった。この程度の変化は一
般に残留歪みによるものと考えられる。これに対して、
比較例１、比較例２とも、Ｒ2／Ｒoの値で５０％以上の
抵抗値上昇が観察された。このことから、比較例１、比
較例２ともドライプロセス後の線膨張の差により配線パ
ターンにクラックが生じたものと考えられた。
【００２２】この結果から明らかなように、実施例１〜
３はいずれも比較例１、２に比べて、平均線膨張係数が
低く、また、耐薬品性も問題がなく、アクティブマトリ
ックスタイプの表示素子基板に好適に用いることができ
る。
３はいずれも比較例１、２に比べて、平均線膨張係数が
低く、また、耐薬品性も問題がなく、アクティブマトリ
ックスタイプの表示素子基板に好適に用いることができ
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明の表示素子用プラスチック基板は
以上詳述したように、高度の耐熱性、耐薬品性を有し、
かつ、平均線膨張係数が低いため、特にアクティブマト
リックスタイプの表示素子基板に好適である。
以上詳述したように、高度の耐熱性、耐薬品性を有し、
かつ、平均線膨張係数が低いため、特にアクティブマト
リックスタイプの表示素子基板に好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H090 JB03 JD18 LA01 4F071 AA60 AF14 AF20 AF43 AF54 AF62 AH19 BA02 BB02 BC01 BC12 4J043 PA02 PC016 PC066 PC116 PC136 QB15 QB26 RA35 SA06 SA62 SB01 SB03 TA22 TA71 TB01 TB03 UA032 UA041 UA052 UA121 UA122 UA131 UA132 UA141 UA142 UA151 UA152 UA161 UA252 UA261 UA262 UA331 UA332 UA361 UA382 UA511 UA761 UA771 UB011 UB012 UB021 UB121 UB122 UB152 UB281 UB301 UB302 UB351 UB401 VA021 VA022 VA031 VA032 VA041 VA042 ZA12 ZA32 ZA35 ZA60 ZB51
Claims (3)
- 【請求項１】厚みが５０〜１０００μmであり、５０〜
２００℃での平均線膨張係数が−１０〜４０ｐｐｍで、
かつ、貯蔵弾性率が５ＧＰａ以上であるポリイミド系樹
脂シートを用いることを特徴とする表示素子用プラスチ
ック基板。 - 【請求項２】ポリイミド系樹脂シートが式１に示す芳香
族酸二無水物と、式２に示す芳香族ジアミンから合成さ
れることを特徴とする請求項１記載の表示素子用プラス
チック基板。 【化１】 （Ｒ、Ｒ’はアルキル基、炭素数がＣ1 〜Ｃ3のアルコ
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、ｘ＝
０〜３、ｙ＝０〜３の整数で同じでも異なっても良い。
ｎ＝０〜５の整数） 【化２】 （Ｒ、Ｒ’はアルキル基、炭素数がＣ1 〜Ｃ3のアルコ
キシ基、アシル基、ハロゲンを示し、同じでも異なって
も良い。ｘ、ｙは同一芳香環上の置換基数を示し、ｘ＝
０〜４、ｙ＝０〜４の整数で同じでも異なっても良い。
ｎ＝０〜５の整数） - 【請求項３】ポリイミド系樹脂シートがピロメリット酸
二無水物と、式２に示す芳香族ジアミンのうちｎ＝１ま
たは２である芳香族ジアミンから合成されることを特徴
とする請求項１記載の表示素子用プラスチック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001338948A JP2002338710A (ja) | 2001-03-16 | 2001-11-05 | 表示素子用プラスチック基板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001076867 | 2001-03-16 | ||
| JP2001-76867 | 2001-03-16 | ||
| JP2001338948A JP2002338710A (ja) | 2001-03-16 | 2001-11-05 | 表示素子用プラスチック基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002338710A true JP2002338710A (ja) | 2002-11-27 |
Family
ID=26611469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001338948A Pending JP2002338710A (ja) | 2001-03-16 | 2001-11-05 | 表示素子用プラスチック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002338710A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005084088A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-09 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 配線基板用積層体 |
| JP2007098905A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toyobo Co Ltd | 多層ポリイミドフィルム |
| JP2008120985A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-29 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリイミド樹脂系耐熱性樹脂、この樹脂を用いたシームレス管状体、塗膜、塗膜板及び耐熱性塗料 |
| JP2010202729A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | フレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法、フレキシブルデバイス |
| WO2013080495A1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板およびそれを備えた表示装置 |
| CN104211963A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-17 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 聚酰亚胺树脂的制造方法及利用其所制造的聚酰亚胺薄膜 |
| WO2015129780A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 日産化学工業株式会社 | ディスプレイ基板用樹脂組成物、ディスプレイ基板用樹脂薄膜及びディスプレイ基板用樹脂薄膜の製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6160725A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Hitachi Ltd | 電子装置用多層配線基板の製法 |
| JPS61143434A (ja) * | 1984-12-15 | 1986-07-01 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 耐湿性ポリイミド |
| JPS61264028A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Ube Ind Ltd | 寸法安定なポリイミドフイルム及びその製法 |
| JPH02289621A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-11-29 | Mitsubishi Kasei Corp | 含芳香族複素環ポリイミド |
| JPH0428725A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-31 | Idemitsu Kosan Co Ltd | フィルム、延伸フィルム、熱処理フィルムおよび再熱処理フィルム |
| JP2000122039A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
-
2001
- 2001-11-05 JP JP2001338948A patent/JP2002338710A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6160725A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-28 | Hitachi Ltd | 電子装置用多層配線基板の製法 |
| JPS61143434A (ja) * | 1984-12-15 | 1986-07-01 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 耐湿性ポリイミド |
| JPS61264028A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Ube Ind Ltd | 寸法安定なポリイミドフイルム及びその製法 |
| JPH02289621A (ja) * | 1989-02-22 | 1990-11-29 | Mitsubishi Kasei Corp | 含芳香族複素環ポリイミド |
| JPH0428725A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-31 | Idemitsu Kosan Co Ltd | フィルム、延伸フィルム、熱処理フィルムおよび再熱処理フィルム |
| JP2000122039A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-04-28 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005084088A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-09 | Nippon Steel Chemical Co., Ltd. | 配線基板用積層体 |
| JPWO2005084088A1 (ja) * | 2004-02-26 | 2008-01-17 | 新日鐵化学株式会社 | 配線基板用積層体 |
| JP4768606B2 (ja) * | 2004-02-26 | 2011-09-07 | 新日鐵化学株式会社 | 配線基板用積層体 |
| KR101077405B1 (ko) | 2004-02-26 | 2011-10-26 | 신닛테츠가가쿠 가부시키가이샤 | 배선기판용 적층체 |
| JP2007098905A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Toyobo Co Ltd | 多層ポリイミドフィルム |
| JP2008120985A (ja) * | 2006-10-17 | 2008-05-29 | Hitachi Chem Co Ltd | ポリイミド樹脂系耐熱性樹脂、この樹脂を用いたシームレス管状体、塗膜、塗膜板及び耐熱性塗料 |
| JP2010202729A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | フレキシブルデバイス基板用ポリイミド前駆体樹脂組成物及びそれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法、フレキシブルデバイス |
| WO2013080495A1 (ja) * | 2011-11-29 | 2013-06-06 | シャープ株式会社 | 表示装置用基板およびそれを備えた表示装置 |
| WO2015129780A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | 日産化学工業株式会社 | ディスプレイ基板用樹脂組成物、ディスプレイ基板用樹脂薄膜及びディスプレイ基板用樹脂薄膜の製造方法 |
| JPWO2015129780A1 (ja) * | 2014-02-28 | 2017-03-30 | 日産化学工業株式会社 | ディスプレイ基板用樹脂組成物、ディスプレイ基板用樹脂薄膜及びディスプレイ基板用樹脂薄膜の製造方法 |
| CN104211963A (zh) * | 2014-09-18 | 2014-12-17 | 吉林奥来德光电材料股份有限公司 | 聚酰亚胺树脂的制造方法及利用其所制造的聚酰亚胺薄膜 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6883640B2 (ja) | 樹脂前駆体及びそれを含有する樹脂組成物、樹脂フィルム及びその製造方法、並びに、積層体及びその製造方法 | |
| JP7095024B2 (ja) | ポリイミド前駆体、樹脂組成物および樹脂フィルムの製造方法 | |
| US11059954B2 (en) | Composition for preparing transparent polymer film, transparent polymer film, and electronic device including same | |
| JP6843224B2 (ja) | 無色透明のポリアミド−イミドフィルムおよびその製造方法 | |
| JP5757876B2 (ja) | 光学フィルム、光学フィルムの製造方法、透明基板、画像表示装置及び太陽電池 | |
| US20170183462A1 (en) | Poly(amide-imide) copolymer film, and display device including same | |
| JP5785018B2 (ja) | 製膜性が改善されたポリイミド樹脂及び光学フィルム | |
| JP2002297054A (ja) | 表示素子用基板 | |
| JP2011111596A (ja) | ポリイミドフィルムの製造方法及びポリイミドフィルム | |
| JP2011148955A (ja) | ポリイミドフィルムの製造方法及び該製造方法により得られたポリイミドフィルム | |
| JP2002338710A (ja) | 表示素子用プラスチック基板 | |
| JP2554046B2 (ja) | 可溶性芳香族ポリイミド組成物 | |
| JP2011031429A (ja) | 積層フィルム | |
| JPH05295115A (ja) | 低熱膨張性ポリイミド樹脂およびその製造方法 | |
| TWI709592B (zh) | 聚醯亞胺膜以及聚醯亞胺膜的製造方法 | |
| JPWO2019131896A1 (ja) | ポリイミド、ポリイミド溶液組成物、ポリイミドフィルム、及び基板 | |
| TW202212419A (zh) | 聚醯亞胺前驅物、聚醯亞胺前驅物組合物、聚醯亞胺膜、其製造方法以及其用途 | |
| JP2002287121A (ja) | 反射型液晶表示基板 | |
| JP6078995B2 (ja) | ポリイミド前駆体、ポリイミド前駆体溶液組成物、ポリイミド、ポリイミド溶液組成物、ポリイミドフィルム、基板、及び成形品 | |
| JP2002296573A (ja) | 反射型液晶表示素子用プラスチック基板 | |
| WO2023100806A1 (ja) | フィルムおよびその製造方法、ならびに画像表示装置 | |
| JPS6298327A (ja) | 液晶素子 | |
| WO2023195525A1 (ja) | フィルムおよびその製造方法、ならびに画像表示装置 | |
| WO2023132310A1 (ja) | 樹脂組成物、成形体およびフィルム | |
| JP2005139337A (ja) | 厚膜ポリイミドシート及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040913 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060721 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060725 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060914 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070410 |