JP2002323673A - ビーム整形素子、並びにそれを用いた半導体レーザ光源装置及び光学ヘッド - Google Patents
ビーム整形素子、並びにそれを用いた半導体レーザ光源装置及び光学ヘッドInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 収差変化が小さく、しかも、位置許容差の大
きいビーム整形素子を実現する。 【解決手段】 ビーム整形素子２を、両面がトーリック
面からなる単レンズにより構成する。半導体レーザ光源
１からの遠視野でのビーム拡がり角が大きい方向を垂直
方向とし、小さい方向を水平方向としたとき、垂直方向
の断面におけるトーリック面の形状を両面ともに非球面
とし、水平方向の断面におけるトーリック面の形状を両
面ともに球面にする。そして、前記球面の曲率中心を両
面ともにほぼ半導体レーザ光源１の近傍に位置させる。
きいビーム整形素子を実現する。 【解決手段】 ビーム整形素子２を、両面がトーリック
面からなる単レンズにより構成する。半導体レーザ光源
１からの遠視野でのビーム拡がり角が大きい方向を垂直
方向とし、小さい方向を水平方向としたとき、垂直方向
の断面におけるトーリック面の形状を両面ともに非球面
とし、水平方向の断面におけるトーリック面の形状を両
面ともに球面にする。そして、前記球面の曲率中心を両
面ともにほぼ半導体レーザ光源１の近傍に位置させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビーム整形素子、
並びにそれを用いた半導体レーザ光源装置及び光学ヘッ
ドに関する。特に、本発明は、水平方向と垂直方向でビ
ーム拡がり角の異なる半導体レーザ光源から出射する光
束を、より等しい拡がり角の光束に変換することのでき
るビーム整形素子、並びにそれを用いた半導体レーザ光
源装置及び光学ヘッドに関する。
並びにそれを用いた半導体レーザ光源装置及び光学ヘッ
ドに関する。特に、本発明は、水平方向と垂直方向でビ
ーム拡がり角の異なる半導体レーザ光源から出射する光
束を、より等しい拡がり角の光束に変換することのでき
るビーム整形素子、並びにそれを用いた半導体レーザ光
源装置及び光学ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザから出射する光の光量分布
は、楕円状である。これは、垂直方向では光線の拡がり
角が大きく、水平方向では小さいからである。半導体レ
ーザを光源とする装置、例えば、光ディスク装置におい
ては、対物レンズによって形成される集光スポットを、
なるべく小さく絞り込む必要がある。そして、そのため
には、光量分布がなるべく均一であることが望ましい。
半導体レーザの中心付近の光のみを使用することによ
り、光量分布を均一にすることができる。しかし、その
ためには、半導体レーザから出射する光の多くを捨てる
こととなるので、光利用効率が低下してしまう。このこ
とは、書換型の光ディスク装置において大きな問題とな
る。
は、楕円状である。これは、垂直方向では光線の拡がり
角が大きく、水平方向では小さいからである。半導体レ
ーザを光源とする装置、例えば、光ディスク装置におい
ては、対物レンズによって形成される集光スポットを、
なるべく小さく絞り込む必要がある。そして、そのため
には、光量分布がなるべく均一であることが望ましい。
半導体レーザの中心付近の光のみを使用することによ
り、光量分布を均一にすることができる。しかし、その
ためには、半導体レーザから出射する光の多くを捨てる
こととなるので、光利用効率が低下してしまう。このこ
とは、書換型の光ディスク装置において大きな問題とな
る。
【０００３】そこで、何らかの方法によって半導体レー
ザの光量分布を楕円状から円状に近づけることが行われ
てきた。例えば、半導体レーザから出射した光をコリメ
ートレンズによって一旦平行光にした後、組み合わせた
２枚のプリズムによって楕円状の光量分布を円状に変換
することが知られている。しかし、この構成では、コリ
メートレンズの後にさらにプリズムを配置する空間が必
要となるため、光学系が大きくなってしまうという問題
があった。そのため、例えば、特開昭６１−２５４９１
５号、特開平１−１０９３１７号、特開平９−２５８０
９９号の各公報においては、ビーム整形素子とコリメー
トレンズの機能を一体化した光学素子が提案されてい
る。しかし、これらの素子は、収差補正が不十分である
と共に、レンズの位置許容誤差が著しく狭く、しかも、
面形状が複雑で加工が困難である等の問題を有してい
た。さらに、特開平６−２９４９４０号公報において
は、コリメート機能は別にして、ビーム整形機能だけを
持たせた光学素子が提案されている。すなわち、この光
学素子は、半導体レーザ側の面がシリンドリカル面、反
対側の面がトロイダル面によって構成されている。
ザの光量分布を楕円状から円状に近づけることが行われ
てきた。例えば、半導体レーザから出射した光をコリメ
ートレンズによって一旦平行光にした後、組み合わせた
２枚のプリズムによって楕円状の光量分布を円状に変換
することが知られている。しかし、この構成では、コリ
メートレンズの後にさらにプリズムを配置する空間が必
要となるため、光学系が大きくなってしまうという問題
があった。そのため、例えば、特開昭６１−２５４９１
５号、特開平１−１０９３１７号、特開平９−２５８０
９９号の各公報においては、ビーム整形素子とコリメー
トレンズの機能を一体化した光学素子が提案されてい
る。しかし、これらの素子は、収差補正が不十分である
と共に、レンズの位置許容誤差が著しく狭く、しかも、
面形状が複雑で加工が困難である等の問題を有してい
た。さらに、特開平６−２９４９４０号公報において
は、コリメート機能は別にして、ビーム整形機能だけを
持たせた光学素子が提案されている。すなわち、この光
学素子は、半導体レーザ側の面がシリンドリカル面、反
対側の面がトロイダル面によって構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
構成では、光源と光学素子の相対的な位置ずれに対して
収差変化が激しく、厳しい位置精度が求められる等の問
題点があった。
構成では、光源と光学素子の相対的な位置ずれに対して
収差変化が激しく、厳しい位置精度が求められる等の問
題点があった。
【０００５】本発明は、従来技術における前記課題を解
決するためになされたものであり、収差変化が小さく、
かつ、位置許容差の大きいビーム整形素子を提供し、ま
た、光利用効率の向上を図ることのできる半導体レーザ
光源装置及び光学ヘッドを提供することを目的とする。
決するためになされたものであり、収差変化が小さく、
かつ、位置許容差の大きいビーム整形素子を提供し、ま
た、光利用効率の向上を図ることのできる半導体レーザ
光源装置及び光学ヘッドを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るビーム整形素子の構成は、水平方向と
垂直方向でビーム拡がり角の異なる半導体レーザ光源か
ら出射する光束を、より等しい拡がり角の光束に変換す
る単レンズからなるビーム整形素子であって、両面がト
ーリック面からなり、前記半導体レーザ光源からの遠視
野でのビーム拡がり角が大きい方向を垂直方向、小さい
方向を水平方向としたとき、前記垂直方向の断面におけ
るトーリック面の形状が両面とも非球面、前記水平方向
の断面におけるトーリック面の形状が両面とも球面であ
り、かつ、前記球面の曲率中心が両面ともほぼ前記半導
体レーザ光源の位置にあることを特徴とする。このビー
ム整形素子の構成によれば、水平方向の断面、垂直方向
の断面の両方向の断面で位置許容差が大きく、かつ、ト
ータルの波面収差が小さいビーム整形素子を実現するこ
とができる。また、両面ともに一断面が球面であるため
に、両断面が非球面である場合に比べてはるかに加工が
容易となる。
め、本発明に係るビーム整形素子の構成は、水平方向と
垂直方向でビーム拡がり角の異なる半導体レーザ光源か
ら出射する光束を、より等しい拡がり角の光束に変換す
る単レンズからなるビーム整形素子であって、両面がト
ーリック面からなり、前記半導体レーザ光源からの遠視
野でのビーム拡がり角が大きい方向を垂直方向、小さい
方向を水平方向としたとき、前記垂直方向の断面におけ
るトーリック面の形状が両面とも非球面、前記水平方向
の断面におけるトーリック面の形状が両面とも球面であ
り、かつ、前記球面の曲率中心が両面ともほぼ前記半導
体レーザ光源の位置にあることを特徴とする。このビー
ム整形素子の構成によれば、水平方向の断面、垂直方向
の断面の両方向の断面で位置許容差が大きく、かつ、ト
ータルの波面収差が小さいビーム整形素子を実現するこ
とができる。また、両面ともに一断面が球面であるため
に、両断面が非球面である場合に比べてはるかに加工が
容易となる。
【０００７】また、前記本発明のビーム整形素子の構成
においては、前記垂直方向の断面におけるトーリック面
の形状は、前記半導体レーザ光源側の面が凸面、前記半
導体レーザ光源と反対側の面が凹面であるのが好まし
い。この好ましい例によれば、位置許容差が大きく、か
つ、トータルの波面収差が小さいビーム整形素子を実現
することができる。
においては、前記垂直方向の断面におけるトーリック面
の形状は、前記半導体レーザ光源側の面が凸面、前記半
導体レーザ光源と反対側の面が凹面であるのが好まし
い。この好ましい例によれば、位置許容差が大きく、か
つ、トータルの波面収差が小さいビーム整形素子を実現
することができる。
【０００８】また、前記本発明のビーム整形素子の構成
においては、前記半導体レーザ光源から取り込むことの
できる前記水平方向の断面における開口数ＮＡをＮＡ
ｘ、前記垂直方向の断面における開口数ＮＡをＮＡｙと
したとき、下記（数３）の条件を満足するのが好まし
い。 ［数３］ １．２＜ＮＡｙ／ＮＡｘ＜３．０ 上記（数３）の下限を下回ると、すなわち、ＮＡｙ／Ｎ
Ａｘが１．２以下になると、補正の度合いが少なくな
り、レーザの取り込み効率が低下してしまう。一方、上
記（数３）の上限を超えると、すなわち、ＮＡｙ／ＮＡ
ｘが３．０以上になると、垂直方向の断面におけるビー
ム整形素子のパワーが大きくなりすぎて、位置決め公差
等が厳しくなり、実使用上問題となる。
においては、前記半導体レーザ光源から取り込むことの
できる前記水平方向の断面における開口数ＮＡをＮＡ
ｘ、前記垂直方向の断面における開口数ＮＡをＮＡｙと
したとき、下記（数３）の条件を満足するのが好まし
い。 ［数３］ １．２＜ＮＡｙ／ＮＡｘ＜３．０ 上記（数３）の下限を下回ると、すなわち、ＮＡｙ／Ｎ
Ａｘが１．２以下になると、補正の度合いが少なくな
り、レーザの取り込み効率が低下してしまう。一方、上
記（数３）の上限を超えると、すなわち、ＮＡｙ／ＮＡ
ｘが３．０以上になると、垂直方向の断面におけるビー
ム整形素子のパワーが大きくなりすぎて、位置決め公差
等が厳しくなり、実使用上問題となる。
【０００９】本発明に係る半導体レーザ光源装置の構成
は、半導体レーザ光源とビーム整形素子とを備えた半導
体レーザ光源装置であって、前記ビーム整形素子は両面
がトーリック面からなる単レンズであり、前記半導体レ
ーザ光源からの遠視野でのビーム拡がり角が大きい方向
を垂直方向、小さい方向を水平方向としたとき、前記垂
直方向の断面におけるトーリック面の形状が両面とも非
球面、前記水平方向の断面におけるトーリック面の形状
が両面とも球面であり、かつ、前記球面の曲率中心が両
面ともほぼ前記半導体レーザ光源の位置にあることを特
徴とする。この半導体レーザ光源装置の構成によれば、
光利用効率の高い半導体レーザ光源装置を実現すること
ができる。
は、半導体レーザ光源とビーム整形素子とを備えた半導
体レーザ光源装置であって、前記ビーム整形素子は両面
がトーリック面からなる単レンズであり、前記半導体レ
ーザ光源からの遠視野でのビーム拡がり角が大きい方向
を垂直方向、小さい方向を水平方向としたとき、前記垂
直方向の断面におけるトーリック面の形状が両面とも非
球面、前記水平方向の断面におけるトーリック面の形状
が両面とも球面であり、かつ、前記球面の曲率中心が両
面ともほぼ前記半導体レーザ光源の位置にあることを特
徴とする。この半導体レーザ光源装置の構成によれば、
光利用効率の高い半導体レーザ光源装置を実現すること
ができる。
【００１０】前記本発明の半導体レーザ光源装置の構成
においては、前記ビーム整形素子から出射した光束を平
行光に変換するコリメートレンズをさらに備えているの
が好ましい。この好ましい例によれば、平行光の品質の
高い半導体レーザ光源装置を実現することができる。ま
た、この場合には、前記コリメートレンズは、前記半導
体レーザ光源との間に前記ビーム整形素子を挿入した状
態で収差が補正されているのが好ましい。この好ましい
例によれば、ビーム整形素子の影響をほとんど受けるこ
となく、半導体レーザ光源から出射した光線を平行光に
変換することができる。
においては、前記ビーム整形素子から出射した光束を平
行光に変換するコリメートレンズをさらに備えているの
が好ましい。この好ましい例によれば、平行光の品質の
高い半導体レーザ光源装置を実現することができる。ま
た、この場合には、前記コリメートレンズは、前記半導
体レーザ光源との間に前記ビーム整形素子を挿入した状
態で収差が補正されているのが好ましい。この好ましい
例によれば、ビーム整形素子の影響をほとんど受けるこ
となく、半導体レーザ光源から出射した光線を平行光に
変換することができる。
【００１１】また、前記本発明の半導体レーザ光源装置
の構成においては、前記垂直方向の断面におけるトーリ
ック面の形状が、前記半導体レーザ光源側の面が凸面、
前記半導体レーザ光源と反対側の面が凹面であるのが好
ましい。
の構成においては、前記垂直方向の断面におけるトーリ
ック面の形状が、前記半導体レーザ光源側の面が凸面、
前記半導体レーザ光源と反対側の面が凹面であるのが好
ましい。
【００１２】また、前記本発明の半導体レーザ光源装置
の構成においては、前記半導体レーザ光源から取り込む
ことのできる前記水平方向の断面における前記ビーム整
形素子の開口数ＮＡをＮＡｘ、前記垂直方向の断面にお
ける前記ビーム整形素子の開口数ＮＡをＮＡｙとしたと
き、下記（数４）の条件を満足するのが好ましい。 ［数４］ １．２＜ＮＡｙ／ＮＡｘ＜３．０ また、前記本発明の半導体レーザ光源装置の構成におい
ては、前記ビーム整形素子が樹脂製の単レンズからな
り、前記半導体レーザ光源と前記ビーム整形素子との間
が樹脂製の鏡胴によって固定されているのが好ましい。
ビーム整形素子を樹脂成形によって作製した場合、温度
変化によって非点収差が発生するが、半導体レーザ光源
と前記ビーム整形素子との間を適当な長さを持った樹脂
製の鏡胴によって固定することにより、非点収差の発生
を抑制することができる。
の構成においては、前記半導体レーザ光源から取り込む
ことのできる前記水平方向の断面における前記ビーム整
形素子の開口数ＮＡをＮＡｘ、前記垂直方向の断面にお
ける前記ビーム整形素子の開口数ＮＡをＮＡｙとしたと
き、下記（数４）の条件を満足するのが好ましい。 ［数４］ １．２＜ＮＡｙ／ＮＡｘ＜３．０ また、前記本発明の半導体レーザ光源装置の構成におい
ては、前記ビーム整形素子が樹脂製の単レンズからな
り、前記半導体レーザ光源と前記ビーム整形素子との間
が樹脂製の鏡胴によって固定されているのが好ましい。
ビーム整形素子を樹脂成形によって作製した場合、温度
変化によって非点収差が発生するが、半導体レーザ光源
と前記ビーム整形素子との間を適当な長さを持った樹脂
製の鏡胴によって固定することにより、非点収差の発生
を抑制することができる。
【００１３】本発明に係る光学ヘッドの構成は、半導体
レーザ光源装置と、前記半導体レーザ光源装置から出射
した光を情報媒体上に集光する集光手段と、前記情報媒
体で変調された光を分離する光分離手段と、前記情報媒
体で変調された光を受光する受光手段とを備えた光学ヘ
ッドであって、前記半導体レーザ光源装置として前記本
発明半導体レーザ光源装置を用いることを特徴とする。
この光学ヘッドの構成によれば、部品点数を削減し、安
価で組立の容易な光学ヘッドを実現することができる。
また、半導体レーザの光利用効率を高めることができる
ので、特に書換型の光ディスクにおいて、記録速度を上
げたり、半導体レーザ光源のパワーを下げたりすること
が可能となる。
レーザ光源装置と、前記半導体レーザ光源装置から出射
した光を情報媒体上に集光する集光手段と、前記情報媒
体で変調された光を分離する光分離手段と、前記情報媒
体で変調された光を受光する受光手段とを備えた光学ヘ
ッドであって、前記半導体レーザ光源装置として前記本
発明半導体レーザ光源装置を用いることを特徴とする。
この光学ヘッドの構成によれば、部品点数を削減し、安
価で組立の容易な光学ヘッドを実現することができる。
また、半導体レーザの光利用効率を高めることができる
ので、特に書換型の光ディスクにおいて、記録速度を上
げたり、半導体レーザ光源のパワーを下げたりすること
が可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態を用いて本発明
をさらに具体的に説明する。
をさらに具体的に説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施の形態におけるビー
ム成形素子を用いた半導体レーザ光源装置の構成を示す
概略図である。本実施の形態においては、半導体レーザ
光源からの遠視野でのビーム拡がり角の大きい方、すな
わち、垂直方向の断面を『Ｙ断面』、ビーム拡がり角の
小さい方、すなわち、水平方向の断面を『Ｘ断面』と呼
ぶ。
ム成形素子を用いた半導体レーザ光源装置の構成を示す
概略図である。本実施の形態においては、半導体レーザ
光源からの遠視野でのビーム拡がり角の大きい方、すな
わち、垂直方向の断面を『Ｙ断面』、ビーム拡がり角の
小さい方、すなわち、水平方向の断面を『Ｘ断面』と呼
ぶ。
【００１６】図１に示すように、半導体レーザ光源１か
ら出射した光線は、ビーム整形素子２を通り、コリにメ
ートレンズ３によって平行光に変換される。ここで、Ｙ
断面においては、光源である半導体レーザ光源１から出
射する光線のビーム拡がり角が大きいため、開口数（Ｎ
Ａ）のより高い光線を取り込む必要がある。一方、Ｘ断
面においては、元々のコリメートレンズ３のＮＡの光線
を取り込めばよい。
ら出射した光線は、ビーム整形素子２を通り、コリにメ
ートレンズ３によって平行光に変換される。ここで、Ｙ
断面においては、光源である半導体レーザ光源１から出
射する光線のビーム拡がり角が大きいため、開口数（Ｎ
Ａ）のより高い光線を取り込む必要がある。一方、Ｘ断
面においては、元々のコリメートレンズ３のＮＡの光線
を取り込めばよい。
【００１７】ビーム整形素子２は単レンズからなり、そ
のＹ断面における形状は、半導体レーザ光源１側の面が
凸面、その反対側の面が凹面となっている。また、ビー
ム整形素子２の半導体レーザ光源１側の面は、Ｙ断面形
状４が非球面、Ｘ断面形状５が球面のトーリック面とな
っている。また、ビーム整形素子２の半導体レーザ光源
１側と反対側の面、すなわち、コリにメートレンズ３側
の面も同様に、Ｙ断面形状６が非球面、Ｘ断面形状７が
球面のトーリック面となっている。
のＹ断面における形状は、半導体レーザ光源１側の面が
凸面、その反対側の面が凹面となっている。また、ビー
ム整形素子２の半導体レーザ光源１側の面は、Ｙ断面形
状４が非球面、Ｘ断面形状５が球面のトーリック面とな
っている。また、ビーム整形素子２の半導体レーザ光源
１側と反対側の面、すなわち、コリにメートレンズ３側
の面も同様に、Ｙ断面形状６が非球面、Ｘ断面形状７が
球面のトーリック面となっている。
【００１８】Ｘ断面においては、ビーム整形素子２の断
面形状７（球面）と断面形状５（球面）の曲率中心がい
ずれも半導体レーザ光源１の近傍に位置している。従っ
て、半導体レーザ光源１から出射した光線は、ビーム整
形素子２の断面形状７（球面）、断面形状５（球面）の
いずれにおいてもほとんど屈折することなくコリメート
レンズ３に入射する。このため、コリメートレンズ３の
収差補正が十分になされていれば、ビーム整形素子２の
影響をほとんど受けることなく、半導体レーザ光源１か
ら出射した光線を平行光に変換することができる。
面形状７（球面）と断面形状５（球面）の曲率中心がい
ずれも半導体レーザ光源１の近傍に位置している。従っ
て、半導体レーザ光源１から出射した光線は、ビーム整
形素子２の断面形状７（球面）、断面形状５（球面）の
いずれにおいてもほとんど屈折することなくコリメート
レンズ３に入射する。このため、コリメートレンズ３の
収差補正が十分になされていれば、ビーム整形素子２の
影響をほとんど受けることなく、半導体レーザ光源１か
ら出射した光線を平行光に変換することができる。
【００１９】ビーム整形素子２のＹ断面においては、よ
り多くの光量を取り込むために、半導体レーザ光源１か
ら出射された光線を屈折させる必要がある。Ｙ断面にお
けるビーム整形素子２の一面のみを非球面化すれば、軸
上球面収差を補正することができるが、二面ともに非球
面化し、二面の非球面の自由度を用いることにより、ビ
ーム整形素子２の光軸方向への移動時における収差を低
減することが可能となる。また、このように半導体レー
ザ光源１からの遠視野でのビーム拡がり角の大きい方の
断面を両面ともに非球面とすることにより、位置決め公
差の緩い設計とすることもできる。さらに、上記のよう
に半導体レーザ光源１からの遠視野でのビーム拡がり角
の小さい断面を両面ともに球面とすることにより、加工
を容易にすることができる。
り多くの光量を取り込むために、半導体レーザ光源１か
ら出射された光線を屈折させる必要がある。Ｙ断面にお
けるビーム整形素子２の一面のみを非球面化すれば、軸
上球面収差を補正することができるが、二面ともに非球
面化し、二面の非球面の自由度を用いることにより、ビ
ーム整形素子２の光軸方向への移動時における収差を低
減することが可能となる。また、このように半導体レー
ザ光源１からの遠視野でのビーム拡がり角の大きい方の
断面を両面ともに非球面とすることにより、位置決め公
差の緩い設計とすることもできる。さらに、上記のよう
に半導体レーザ光源１からの遠視野でのビーム拡がり角
の小さい断面を両面ともに球面とすることにより、加工
を容易にすることができる。
【００２０】上記した手法により、Ｘ断面、Ｙ断面の球
面収差を補正することができるが、実際には、各断面個
々についてだけではなく、レンズ全体として収差が補正
されている必要がある。この場合、上記したように、ビ
ーム整形素子２のＸ断面における断面形状７（球面）及
び断面形状５（球面）の曲率中心を半導体レーザ光源１
の近傍に位置させることにより、レンズ全体としての収
差を抑えることが可能となる。
面収差を補正することができるが、実際には、各断面個
々についてだけではなく、レンズ全体として収差が補正
されている必要がある。この場合、上記したように、ビ
ーム整形素子２のＸ断面における断面形状７（球面）及
び断面形状５（球面）の曲率中心を半導体レーザ光源１
の近傍に位置させることにより、レンズ全体としての収
差を抑えることが可能となる。
【００２１】また、半導体レーザ光源１から取り込むこ
とのできるＸ断面におけるビーム整形素子２のＮＡをＮ
Ａｘ、Ｙ断面におけるビーム整形素子２のＮＡをＮＡｙ
としたとき、下記（数５）の条件を満足するのが望まし
い。 ［数５］ １．２＜ＮＡｙ／ＮＡｘ＜３．０ 上記（数５）中のＮＡｙ／ＮＡｘは、いわゆる楕円ビー
ムの補正倍率であり、その値が１の場合は補正がないこ
とを意味する。ここで、上記（数５）の下限を下回る
と、すなわち、ＮＡｙ／ＮＡｘが１．２以下になると、
補正の度合いが少なくなり、レーザの取り込み効率が低
下してしまう。一方、上記（数５）の上限を超えると、
すなわち、ＮＡｙ／ＮＡｘが３．０以上になると、Ｙ断
面におけるビーム整形素子２のパワーが大きくなりすぎ
て、位置決め公差等が厳しくなり、実使用上問題とな
る。
とのできるＸ断面におけるビーム整形素子２のＮＡをＮ
Ａｘ、Ｙ断面におけるビーム整形素子２のＮＡをＮＡｙ
としたとき、下記（数５）の条件を満足するのが望まし
い。 ［数５］ １．２＜ＮＡｙ／ＮＡｘ＜３．０ 上記（数５）中のＮＡｙ／ＮＡｘは、いわゆる楕円ビー
ムの補正倍率であり、その値が１の場合は補正がないこ
とを意味する。ここで、上記（数５）の下限を下回る
と、すなわち、ＮＡｙ／ＮＡｘが１．２以下になると、
補正の度合いが少なくなり、レーザの取り込み効率が低
下してしまう。一方、上記（数５）の上限を超えると、
すなわち、ＮＡｙ／ＮＡｘが３．０以上になると、Ｙ断
面におけるビーム整形素子２のパワーが大きくなりすぎ
て、位置決め公差等が厳しくなり、実使用上問題とな
る。
【００２２】以下に、上記（数５）の条件を満足する実
施例を示す。各実施例においては、都合上、平行光側か
ら面の順番を数えることとする。また、各実施例におい
て、φＥＦＦ、ｆｘ、ｆｙ、ｍ、ｄｃ、ｎｃ、ｄｋ、ｄ
ｓ、ｎｓ、ＷＤは、それぞれ以下のことを意味してい
る。
施例を示す。各実施例においては、都合上、平行光側か
ら面の順番を数えることとする。また、各実施例におい
て、φＥＦＦ、ｆｘ、ｆｙ、ｍ、ｄｃ、ｎｃ、ｄｋ、ｄ
ｓ、ｎｓ、ＷＤは、それぞれ以下のことを意味してい
る。
【００２３】φＥＦＦ：コリメートレンズ３から出射す
る平行光の有効直径 ｆｘ ：コリメートレンズ３を含めた光学系全体のＸ
断面における焦点距離 ｆｙ ：コリメートレンズ３を含めた光学系全体のＹ
断面における焦点距離 ｍ ：補正倍率（＝ｆｘ／ｆｙ） ｄｃ ：コリメートレンズ３の中心厚み ｎｃ ：コリメートレンズ３の屈折率 ｄｋ ：コリメートレンズ３とビーム整形素子２との
間の空気間隔 ｄｓ ：ビーム整形素子２の中心厚み ｎｓ ：ビーム整形素子２の屈折率 ＷＤ ：ビーム整形素子２から半導体レーザ光源１と
の間の空気間隔 また、コリメートレンズ３の回転対称非球面形状は、下
記（数＊）によって表記される。
る平行光の有効直径 ｆｘ ：コリメートレンズ３を含めた光学系全体のＸ
断面における焦点距離 ｆｙ ：コリメートレンズ３を含めた光学系全体のＹ
断面における焦点距離 ｍ ：補正倍率（＝ｆｘ／ｆｙ） ｄｃ ：コリメートレンズ３の中心厚み ｎｃ ：コリメートレンズ３の屈折率 ｄｋ ：コリメートレンズ３とビーム整形素子２との
間の空気間隔 ｄｓ ：ビーム整形素子２の中心厚み ｎｓ ：ビーム整形素子２の屈折率 ＷＤ ：ビーム整形素子２から半導体レーザ光源１と
の間の空気間隔 また、コリメートレンズ３の回転対称非球面形状は、下
記（数＊）によって表記される。
【００２４】
【数６】
【００２５】ここで、回転対称非球面上のＸＹ座標を
（ｘ，ｙ）としたとき、光軸からの高さｐはｐ2 ＝ｘ2
＋ｙ2 で表記され、また、上記（数６）中の各記号は以
下のことを意味している。
（ｘ，ｙ）としたとき、光軸からの高さｐはｐ2 ＝ｘ2
＋ｙ2 で表記され、また、上記（数６）中の各記号は以
下のことを意味している。
【００２６】ｚ：光軸から高さがｐである非球面上の点
の非球面頂点の接平面からの距離 Ｒci：コリメートレンズ３の第ｉ面の曲率半径 ｋci：コリメートレンズ３の第ｉ面の円錐定数 ＡＤci、ＡＥci：それぞれコリメートレンズ３の第ｉ面
の４次、６次の非球面係数 また、ビーム整形素子２のＸ断面における非球面形状
は、下記（数７）によって表記される。
の非球面頂点の接平面からの距離 Ｒci：コリメートレンズ３の第ｉ面の曲率半径 ｋci：コリメートレンズ３の第ｉ面の円錐定数 ＡＤci、ＡＥci：それぞれコリメートレンズ３の第ｉ面
の４次、６次の非球面係数 また、ビーム整形素子２のＸ断面における非球面形状
は、下記（数７）によって表記される。
【００２７】
【数７】
【００２８】上記（数７）中の各記号は以下のことを意
味している。
味している。
【００２９】ｚ：光軸から高さがｙである非球面上の点
の非球面頂点の接平面からの距離 Ｒsiy ：ビーム整形素子２の第ｉ面の曲率半径 ｋsiy ：ビーム整形素子２の第ｉ面の円錐定数 ＡＤsiy、ＡＥsiy：それぞれビーム整形素子２の第ｉ面
の４次、６次の非球面係数 尚、設計波長は４０５ｎｍであり、非球面のデータにお
いて数値が示されていない場合は０とみなす。
の非球面頂点の接平面からの距離 Ｒsiy ：ビーム整形素子２の第ｉ面の曲率半径 ｋsiy ：ビーム整形素子２の第ｉ面の円錐定数 ＡＤsiy、ＡＥsiy：それぞれビーム整形素子２の第ｉ面
の４次、６次の非球面係数 尚、設計波長は４０５ｎｍであり、非球面のデータにお
いて数値が示されていない場合は０とみなす。
【００３０】［実施例１］ φＥＦＦ＝３．８４ ｆｘ＝１４ ｆｙ＝７ ｍ＝２ Ｒｃ１＝９．９８２７２ ｋｃ1＝−０．６９７８９７６ ＡＤｃ1＝０．１２６０２９９×１０-4 ＡＥｃ1＝−０．１２８３０５３×１０-７ ｄｃ＝２．５ ｎｃ＝１．６２３９２ Ｒｃ２：平面 ｄｋ＝１０．９６ Ｒｓ1ｘ＝３．５ Ｒｓ1ｙ＝−３．２０４８４ ｋｓ1ｙ＝３．１３３７８８ ＡＤｓ1ｙ＝−０．３３２３１２８×１０-1 ＡＥｓ1ｙ＝０．５３４６５０６×１０-1 ｄｓ＝２．０ ｎｓ＝１．５５８８３ Ｒｓ2ｘ＝１．５ Ｒｓ2ｙ＝−１．０４１１ ｋｓ2ｙ＝−１．５８１８７７ ＡＤｓ2ｙ＝０．７０１９６９７×１０-1 ＡＥｓ2ｙ＝０．３５５５９２×１０-2 ＷＤ＝１．５ 本実施例において、ビーム整形素子２のＸ断面における
断面形状７（球面）及び断面形状５（球面）の曲率中心
は半導体レーザ光源１の位置に一致している。
断面形状７（球面）及び断面形状５（球面）の曲率中心
は半導体レーザ光源１の位置に一致している。
【００３１】図２に、本実施例におけるビーム整形素子
の横収差曲線を示す。図２より、横収差はＸ断面、Ｙ断
面のいずれにおいても０．０００１以下であり、十分な
収差補正がなされていることが分かる。また、トータル
の波面収差のＲＭＳ値は、０．００５λ以下である。
の横収差曲線を示す。図２より、横収差はＸ断面、Ｙ断
面のいずれにおいても０．０００１以下であり、十分な
収差補正がなされていることが分かる。また、トータル
の波面収差のＲＭＳ値は、０．００５λ以下である。
【００３２】ビーム整形素子２は、ガラス成形あるいは
樹脂成形によって作製されるのが望ましく、これにより
ビーム整形素子２を高精度で安価に大量生産することが
できる。
樹脂成形によって作製されるのが望ましく、これにより
ビーム整形素子２を高精度で安価に大量生産することが
できる。
【００３３】ビーム整形素子２の材質として非晶質ポリ
オレフィン樹脂を用いた場合、その材料の温度特性は、
線膨張係数が７．０×１０-5、屈折率の温度変化が−
１．４３×１０-4である。従って、温度が変化すると、
焦点距離が変化する。本光学素子においては、トーリッ
ク面が用いられているため、焦点位置がずれると非点収
差が発生する。この非点収差を補正するためには、半導
体レーザ光源１とビーム整形素子２との間隔を調整する
必要があり、その調整量は、±３５℃で約±８．８μｍ
である。そこで、図６に示すように、半導体レーザ光源
１とビーム整形素子２との間を樹脂鏡胴８によって固定
した。樹脂鏡胴８の線膨張係数が７．０×１０-5である
とすると、半導体レーザ光源１とビーム整形素子２との
固定間隔を３．６ｍｍとした場合、±３５℃で丁度±
８．８μｍの調整量を得ることができ、常に非点収差の
無い波面を維持することのできる半導体レーザ光源装置
を提供することができる。また、図７に示すように、コ
リメートレンズ３を付加することにより、平行光の品質
が常に保たれた半導体レーザ光源装置を提供することが
できる。
オレフィン樹脂を用いた場合、その材料の温度特性は、
線膨張係数が７．０×１０-5、屈折率の温度変化が−
１．４３×１０-4である。従って、温度が変化すると、
焦点距離が変化する。本光学素子においては、トーリッ
ク面が用いられているため、焦点位置がずれると非点収
差が発生する。この非点収差を補正するためには、半導
体レーザ光源１とビーム整形素子２との間隔を調整する
必要があり、その調整量は、±３５℃で約±８．８μｍ
である。そこで、図６に示すように、半導体レーザ光源
１とビーム整形素子２との間を樹脂鏡胴８によって固定
した。樹脂鏡胴８の線膨張係数が７．０×１０-5である
とすると、半導体レーザ光源１とビーム整形素子２との
固定間隔を３．６ｍｍとした場合、±３５℃で丁度±
８．８μｍの調整量を得ることができ、常に非点収差の
無い波面を維持することのできる半導体レーザ光源装置
を提供することができる。また、図７に示すように、コ
リメートレンズ３を付加することにより、平行光の品質
が常に保たれた半導体レーザ光源装置を提供することが
できる。
【００３４】［実施例２］ φＥＦＦ＝３．８４ ｆｘ＝１６ ｆｙ＝７．２７２７ ｍ＝２．２ Ｒｃ１＝９．９８２７２ ｋｃ1＝−０．６９７８９７６ ＡＤｃ1＝０．１２６０２９９×１０-4 ＡＥｃ1＝−０．１２８３０５３×１０-7 ｄｃ＝２．５ ｎｃ＝１．６２３９２ Ｒｃ２：平面 ｄｋ＝８．１９２５５ Ｒｓ1ｘ＝７．２ Ｒｓ1ｙ＝−４６．８９６２７ ｋｓ1ｙ＝０．１１００８１１×１０+4 ＡＤｓ1ｙ＝−０．４０８７６７５×１０-2 ＡＥｓ1ｙ＝−０．３０９９９９５×１０-4 ｄｓ＝５．０ ｎｓ＝１．５５８８３ Ｒｓ2ｘ＝１．７２３０５ Ｒｓ2ｙ＝−１．４４６７３ ｋｓ2ｙ＝−４．３５１５３２ ＡＤｓ2ｙ＝−０．３１５６０７４×１０-1 ＡＥｓ2ｙ＝０．１９１０８２４×１０-1 ＷＤ＝１．５ 本実施例において、ビーム整形素子２のＸ断面における
断面形状７（球面）及び断面形状５（球面）の曲率中心
はほぼ半導体レーザ光源１の位置に一致している。
断面形状７（球面）及び断面形状５（球面）の曲率中心
はほぼ半導体レーザ光源１の位置に一致している。
【００３５】図３に、本実施例におけるビーム整形素子
の横収差曲線を示す。図３より、横収差はＸ断面、Ｙ断
面のいずれにおいても０．０００１以下であり、十分な
収差補正がなされていることが分かる。また、トータル
の波面収差のＲＭＳ値は、０．００５λ以下である。
の横収差曲線を示す。図３より、横収差はＸ断面、Ｙ断
面のいずれにおいても０．０００１以下であり、十分な
収差補正がなされていることが分かる。また、トータル
の波面収差のＲＭＳ値は、０．００５λ以下である。
【００３６】［実施例３］ φＥＦＦ＝４．４０ ｆｘ＝１５．８９６ ｆｙ＝５．７０１７ ｍ＝２．７８８ Ｒｃ１＝１１．６６８０ ｋｃ1＝−０．７５９５５４１ ＡＤｃ1＝０．８７８６２７４×１０-5 ＡＥｃ1＝−０．６５５８３１１×１０-7 ｄｃ＝３．０ ｎｃ＝１．７２９２５ Ｒｃ２：平面 ｄｋ＝７．９１９３ Ｒｓ1ｘ＝６．０ Ｒｓ1ｙ＝６．９３２５９ ｋｓ1ｙ＝−１．７１４５９４ ＡＤｓ1ｙ＝−０．６６４３１７６×１０-3 ＡＥｓ1ｙ＝０．１０１３３４７×１０-3 ｄｓ＝６．０ ｎｓ＝１．７２９２５ Ｒｓ2ｘ＝０．１９１９４７ Ｒｓ2ｙ＝−０．３５９４１７ ｋｓ2ｙ＝−４．１８４８３６ ＡＤｓ2ｙ＝９．４４４１１５ ＡＥｓ2ｙ＝０．０ ＷＤ＝０．２ 本実施例において、ビーム整形素子２のＸ断面における
断面形状７（球面）及び断面形状５（球面）の曲率中心
はほぼ半導体レーザ光源１の位置に一致している。
断面形状７（球面）及び断面形状５（球面）の曲率中心
はほぼ半導体レーザ光源１の位置に一致している。
【００３７】図４に、本実施例におけるビーム整形素子
の横収差曲線を示す。図４より、横収差はＸ断面、Ｙ断
面のいずれにおいても０．０００１以下であり、十分な
収差補正がなされていることが分かる。また、トータル
の波面収差のＲＭＳ値は、０．００５λ以下である。
の横収差曲線を示す。図４より、横収差はＸ断面、Ｙ断
面のいずれにおいても０．０００１以下であり、十分な
収差補正がなされていることが分かる。また、トータル
の波面収差のＲＭＳ値は、０．００５λ以下である。
【００３８】［実施例４］ φＥＦＦ＝４．４０ ｆｘ＝１６．０ ｆｙ＝１０．６６６７ ｍ＝１．５ Ｒｃ１＝１０．７６ ｋｃ1＝−０．７８６６４４９ ＡＤｃ1＝０．６８４５７０４×１０-5 ＡＥｃ1＝０．１０９０４７６×１０-6 ｄｃ＝２．０ ｎｃ＝１．６１７３５ Ｒｃ２＝−１１１．９１ ｋｃ２＝１０．８９５３１ ＡＤｃ２＝０．６７７４７１１×１０-5 ＡＥｃ1＝０．２１３２８１５×１０-6 ｄｋ＝１０．０６ Ｒｓ1ｘ＝３．８ Ｒｓ1ｙ＝７．８２８７２ Ｋｓ1ｙ＝−６．３０２１９７ ＡＤｓ1ｙ＝−０．１６７０７３５×１０-2 ＡＥｓ1ｙ＝０．２５７７２９０×１０-3 ｄｓ＝３．０ ｎｓ＝１．６２３９２ Ｒｓ2ｘ＝１．１８６３２４ Ｒｓ2ｙ＝−１１．９９０９１ ｋｓ2ｙ＝１５０．２９２１ ＡＤｓ2ｙ＝−０．１１２３０７７×１０-1 ＡＥｓ2ｙ＝０．１６８４７０２×１０-1 ＷＤ＝１．５ 本実施例において、ビーム整形素子２のＸ断面における
断面形状７（球面）及び断面形状５（球面）の曲率中心
はほぼ半導体レーザ光源１の位置に一致している。
断面形状７（球面）及び断面形状５（球面）の曲率中心
はほぼ半導体レーザ光源１の位置に一致している。
【００３９】図５に、本実施例におけるビーム整形素子
の横収差曲線を示す。図５より、横収差はＸ断面、Ｙ断
面のいずれにおいても０．０００１以下であり、十分な
収差補正がなされていることが分かる。また、トータル
の波面収差のＲＭＳ値は、０．００５λ以下である。
の横収差曲線を示す。図５より、横収差はＸ断面、Ｙ断
面のいずれにおいても０．０００１以下であり、十分な
収差補正がなされていることが分かる。また、トータル
の波面収差のＲＭＳ値は、０．００５λ以下である。
【００４０】図８は本発明の一実施の形態における半導
体レーザ光源装置を用いた光学ヘッドの構成を示す概略
図である。
体レーザ光源装置を用いた光学ヘッドの構成を示す概略
図である。
【００４１】図８に示すように、半導体レーザ光源１か
ら出射した光線は、ビーム整形素子２を透過した後、コ
リメートレンズ３によって平行光に変換され、対物レン
ズ９によって光ディスク基板１０の情報媒体面１１上に
集光される。情報媒体面１１で変調された光は、反射し
た後、再び対物レンズ９によって平行光となり、ビーム
スプリッター１２によって光源側と光路を分離される。
ビームスプリッター１２によって光路を分離された光
は、検出レンズ１３を透過した後、フォトディテクター
１４上にスポットを形成する。ここで、検出レンズ１３
には、その一面にトーリック面が形成されており、この
検出レンズ１３によって非点収差を発生させることがで
きる。その結果、フォトディテクター１４の４分割され
た受光面により、いわゆる非点収差法を用いて焦点誤差
を検出することが可能となる。そして、この誤差量を対
物レンズ９にフィードバックすることにより、常に光デ
ィスク基板１０の情報媒体面１１に焦点を合わせること
が可能となる。
ら出射した光線は、ビーム整形素子２を透過した後、コ
リメートレンズ３によって平行光に変換され、対物レン
ズ９によって光ディスク基板１０の情報媒体面１１上に
集光される。情報媒体面１１で変調された光は、反射し
た後、再び対物レンズ９によって平行光となり、ビーム
スプリッター１２によって光源側と光路を分離される。
ビームスプリッター１２によって光路を分離された光
は、検出レンズ１３を透過した後、フォトディテクター
１４上にスポットを形成する。ここで、検出レンズ１３
には、その一面にトーリック面が形成されており、この
検出レンズ１３によって非点収差を発生させることがで
きる。その結果、フォトディテクター１４の４分割され
た受光面により、いわゆる非点収差法を用いて焦点誤差
を検出することが可能となる。そして、この誤差量を対
物レンズ９にフィードバックすることにより、常に光デ
ィスク基板１０の情報媒体面１１に焦点を合わせること
が可能となる。
【００４２】ビーム整形素子２は、半導体レーザ光源１
から出射されるビーム拡がり角の大きい光束を小さくす
る働きを有し、円形開口を有する対物レンズ９に対して
光の利用効率を高めることができる。
から出射されるビーム拡がり角の大きい光束を小さくす
る働きを有し、円形開口を有する対物レンズ９に対して
光の利用効率を高めることができる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
収差変化が小さく、かつ、位置許容差の大きいビーム整
形素子を実現することができる。また、光利用効率の向
上を図ることのできる半導体レーザ光源装置及び光学ヘ
ッドを実現することができる。
収差変化が小さく、かつ、位置許容差の大きいビーム整
形素子を実現することができる。また、光利用効率の向
上を図ることのできる半導体レーザ光源装置及び光学ヘ
ッドを実現することができる。
【図１】本発明の一実施の形態におけるビーム成形素子
を用いた半導体レーザ光源装置の構成を示す概略図
を用いた半導体レーザ光源装置の構成を示す概略図
【図２】本発明の実施例１におけるビーム整形素子の横
収差曲線を示す図
収差曲線を示す図
【図３】本発明の実施例２におけるビーム整形素子の横
収差曲線を示す
収差曲線を示す
【図４】本発明の実施例３におけるビーム整形素子の横
収差曲線を示す図
収差曲線を示す図
【図５】本発明の実施例４におけるビーム整形素子の横
収差曲線を示す図
収差曲線を示す図
【図６】本発明の実施例１におけるビーム整形素子を用
いた半導体レーザ光源装置の構成を示す概略図
いた半導体レーザ光源装置の構成を示す概略図
【図７】本発明の実施例１におけるビーム整形素子を用
いた半導体レーザ光源装置の他の構成を示す概略図
いた半導体レーザ光源装置の他の構成を示す概略図
【図８】本発明の一実施の形態におけるビーム整形素子
を用いた光学ヘッドの構成を示す概略図
を用いた光学ヘッドの構成を示す概略図
１ 半導体レーザ光源 ２ ビーム整形素子 ３ コリメートレンズ ４ 光源側の面のＹ断面形状 ５ 光源側の面のＸ断面形状 ６ 反対側の面のＹ断面形状 ７ 反対側の面のＸ断面形状 ８ 樹脂鏡胴 ９ 対物レンズ １０ 光ディスク基板 １１ 情報媒体面 １２ ビームスプリッター １３ 検出レンズ １４ フォトディテクター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹埜 智彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D119 AA43 BA01 BB03 DA05 EC01 FA05 FA30 JA08 LB07 5F073 AB25 AB27 BA04 EA20 FA08 FA22 FA23
Claims (10)
- 【請求項１】 水平方向と垂直方向でビーム拡がり角の
異なる半導体レーザ光源から出射する光束を、より等し
い拡がり角の光束に変換する単レンズからなるビーム整
形素子であって、両面がトーリック面からなり、前記半
導体レーザ光源からの遠視野でのビーム拡がり角が大き
い方向を垂直方向、小さい方向を水平方向としたとき、
前記垂直方向の断面におけるトーリック面の形状が両面
とも非球面、前記水平方向の断面におけるトーリック面
の形状が両面とも球面であり、かつ、前記球面の曲率中
心が両面ともほぼ前記半導体レーザ光源の位置にあるこ
とを特徴とするビーム整形素子。 - 【請求項２】 前記垂直方向の断面におけるトーリック
面の形状は、前記半導体レーザ光源側の面が凸面、前記
半導体レーザ光源と反対側の面が凹面である請求項１に
記載のビーム整形素子。 - 【請求項３】 前記半導体レーザ光源から取り込むこと
のできる前記水平方向の断面における開口数ＮＡをＮＡ
ｘ、前記垂直方向の断面における開口数ＮＡをＮＡｙと
したとき、下記（数１）の条件を満足する請求項１又は
２に記載のビーム整形素子。 ［数１］ １．２＜ＮＡｙ／ＮＡｘ＜３．０ - 【請求項４】 半導体レーザ光源とビーム整形素子とを
備えた半導体レーザ光源装置であって、前記ビーム整形
素子は両面がトーリック面からなる単レンズであり、前
記半導体レーザ光源からの遠視野でのビーム拡がり角が
大きい方向を垂直方向、小さい方向を水平方向としたと
き、前記垂直方向の断面におけるトーリック面の形状が
両面とも非球面、前記水平方向の断面におけるトーリッ
ク面の形状が両面とも球面であり、かつ、前記球面の曲
率中心が両面ともほぼ前記半導体レーザ光源の位置にあ
ることを特徴とする半導体レーザ光源装置。 - 【請求項５】 前記ビーム整形素子から出射した光束を
平行光に変換するコリメートレンズをさらに備えた請求
項４に記載の半導体レーザ光源装置。 - 【請求項６】 前記コリメートレンズは、前記半導体レ
ーザ光源との間に前記ビーム整形素子を挿入した状態で
収差が補正されている請求項５に記載の半導体レーザ光
源装置。 - 【請求項７】 前記垂直方向の断面におけるトーリック
面の形状は、前記半導体レーザ光源側の面が凸面、前記
半導体レーザ光源と反対側の面が凹面である請求項４に
記載の半導体レーザ光源装置。 - 【請求項８】 前記半導体レーザ光源から取り込むこと
のできる前記水平方向の断面における前記ビーム整形素
子の開口数ＮＡをＮＡｘ、前記垂直方向の断面における
前記ビーム整形素子の開口数ＮＡをＮＡｙとしたとき、
下記（数２）の条件を満足する請求項４〜７のいずれか
に記載のビーム整形素子。 ［数２］ １．２＜ＮＡｙ／ＮＡｘ＜３．０ - 【請求項９】 前記ビーム整形素子が樹脂製の単レンズ
からなり、前記半導体レーザ光源と前記ビーム整形素子
との間が樹脂製の鏡胴によって固定されている請求項４
に記載の半導体レーザ光源装置。 - 【請求項１０】 半導体レーザ光源装置と、前記半導体
レーザ光源装置から出射した光を情報媒体上に集光する
集光手段と、前記情報媒体で変調された光を分離する光
分離手段と、前記情報媒体で変調された光を受光する受
光手段とを備えた光学ヘッドであって、前記半導体レー
ザ光源装置として請求項４〜９のいずれかに記載の半導
体レーザ光源装置を用いることを特徴とする光学ヘッ
ド。
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