JP2002322591A - 微粒子のめっき方法及び導電性微粒子及び接続構造体 - Google Patents
微粒子のめっき方法及び導電性微粒子及び接続構造体Info
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- JP2002322591A JP2002322591A JP2001128125A JP2001128125A JP2002322591A JP 2002322591 A JP2002322591 A JP 2002322591A JP 2001128125 A JP2001128125 A JP 2001128125A JP 2001128125 A JP2001128125 A JP 2001128125A JP 2002322591 A JP2002322591 A JP 2002322591A
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Abstract
つ、表面のめっき層にキズや剥がれがない微粒子を得る
ための微粒子のめっき方法を提供する。 【解決手段】 微粒子のめっき方法であって、外周部に
陰極12を有し、めっき液を通過させて排出するフィル
ター部13を有する回転可能なドーム1と、該ドームの
中に該陰極と接触しないように設置された陽極2aとを
有し、ドームの回転による遠心力によって微粒子を陰極
に接触させながら通電と撹拌とを繰り返す回転型めっき
装置を用いる方法であり、めっきする基材粒子と同等の
硬さを有しており、かつその粒子径がめっきする基材粒
子の1.5〜30倍であるダミー粒子を同時に加えてめ
っきを行う微粒子のめっき方法。
Description
に使用され、回路中にかかる力を緩和することにより、
接続信頼性が向上した導電性微粒子及び導電接続構造体
に関する。
SIを接続するためには、それぞれのピンをプリント基
板上にハンダ付けする方法が用いられてきたが、この方
法は生産効率が悪く、また高密度化には適さないもので
あった。
を球状にした、いわゆるハンダボールで基板と接続する
BGA(ボールグリッドアレイ)等の技術が開発され
た。この技術によれば、基板とチップ及び基板上に実装
されたハンダボールを高温で溶融しながら接続すること
で、高生産性、高接続信頼性を両立した電子回路を構成
できる。
み、基板自体の外環境変化による歪みや伸縮が発生し、
結果としてその力が基板間の接続部にかかることによる
断線が発生することが問題となっていた。また多層化に
よって、基板間の距離がほとんどとれなくなり、これを
維持するために別途スペーサー等を置かなければならず
手間や費用がかかることが問題となっていた。
路に掛かる力の緩和については、基板接続部に樹脂等を
塗布することにより補強することが行われており、接続
信頼性の向上には一定の効果を示したが、手間がかか
り、また塗布工程が増えることによる費用の増大が問題
である。
離の維持や基板等の回路にかかる力を緩和する能力を与
えるために、銅をコアとしてハンダをコーティングした
粒子(特開平11−74311号公報)や、樹脂をコア
としてハンダをめっきした粒子(特開平05−0363
06号公報)が提案されている。
方法として、外周部に陰極を有し、めっき液を通過させ
て排出するフィルター部を有する回転可能なドームと、
該ドームの中に該陰極と接触しないように設置された陽
極とを有しており、ドームの回転による遠心力の効果で
微粒子を陰極に接触させて通電、撹拌を繰り返す回転型
めっき装置を用いた微粒子のめっき方法が提案されてい
る(特開平9−137289号公報)。この方法では、
通常のバレルめっきに比べるとめっき粒子の凝集が少な
く、均一にめっきできることが知られている。
も、めっき基材の粒子径が小さくなり、かつめっき被膜
の厚みが大きくなると凝集が発生してくる。これに対し
て、ステンレスやジルコニア等の硬くて、粒子径の大き
なダミー粒子を加えて、解砕効果を与えながらめっきを
行うと凝集が抑制されることが知られている。しかしダ
ミー粒子を用いると、解砕の際に基材粒子と激しく衝突
するため、めっき剥がれや割れなどが発生し、表面状態
が大きく劣化するという問題があった。
み、めっき粒子の凝集を抑制することができ、かつ、表
面のめっき層にキズや剥がれがない微粒子を得るための
微粒子のめっき方法を提供することを目的とする。
を解決するためになされたもので、上記回転型めっき装
置を用いて微粒子をめっきする際に、この基材粒子と同
等の硬さを有しており、かつ粒子径がめっきする基材粒
子の1.5〜30倍であるダミー粒子を同時に加えてめ
っきを行うことを特徴とする微粒子のめっき方法であ
る。以下に本発明を詳述する。
ルからなる基材粒子の表面が1層以上の金属層に覆われ
てなるものである。これら基材粒子の組成は特に限定さ
れないが、実装時の応力緩和機能を持たせる機能を考え
ると樹脂であることが好ましい。該樹脂としては、例え
ばポリスチレン、ポリスチレン共重合体、ポリアクリル
酸エステル、ポリアクリル酸エステル重合体、フェノー
ル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル等が挙げら
れる。これらは単独で用いられても良く、2種以上が併
用されても良い。上記基材粒子の形状は球状であれば特
に限定されず、例えば中空状のものであっても良い。ま
た金属ボールとしては、銀、銅、ニッケル、珪素、金、
チタン等の高融点の金属が挙げられる。
れないが、BGAやCSPといった実装材料の使用用途
を考えると、1〜1000μmのものが有用であり、さ
らに回転型めっき装置での凝集のしやすさから、1〜5
00μmの粒子に対して有効である。
1層以上の金属で被覆したものである。被覆する金属と
しては金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニ
ウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタ
ン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウ
ム、珪素等が挙げられる。これら金属は1種でも良く、
2種以上からなる合金組成としてめっき層を形成しても
良い。例えば、ポリスチレン樹脂の基材粒子に、ニッケ
ル層をめっきし、更にその上に銅や錫をめっきするとい
った構成が挙げられる。
導電接合や基盤接合という用途を考えた場合には、0.
01〜500μmであることが好ましい。0.01μm
未満では好ましい導電性が得られにくく、500μmを
越えると粒子同士の合着が起こったり、基板間の距離維
持や基板等の回路にかかる力を緩和する機能が低下する
ことがある。
めっき液を通過させて排出するフィルター部を有する回
転可能なドームと、該ドームの中に該陰極と接触しない
ように設置された陽極とを有しており、ドームの回転に
よる遠心力の効果で微粒子を陰極に接触させて通電、撹
拌を繰り返す回転型めっき装置を用いる。
1に示す。該めっき装置Aは垂直な駆動軸3の上端部に
固定された円盤状のプラスチックの底板11と、この底
板11の外周上面に、処理液のみを通すフィルター部と
して多孔質リング13を配し、この多孔質リング13上
面に陰極として通電用の接触リング12を配し、上部中
央に開口8を有する円錐台形状のプラスチックの中空カ
バー1の外周部で多孔質リング13と接触リング12と
を底板11との間で狭持してなる処理室4を形成し、開
口8より処理液等を処理室4に供給する供給管6と、多
孔体窓から飛散した処理液を受けるプラスチックの容器
5と、容器5にたまった処理液を排出する排出管7と、
開口8から挿入されてめっき液に接触する陽極2aとを
有する。
導電性下地層が形成された微粒子をめっき液に浸した状
態で存在させ、接触リング12(陰極)と陽極2aの両
電極間に通電する。微粒子は遠心力の作用で接触リング
12に押しつけられ、陽極2aに面した微粒子にめっき
層ができる。駆動軸3が停止すると、微粒子は重力の作
用とめっき液の慣性による流れに引きずられて、底板中
央部の平坦面に流れ落ち、混ざり合いながら、別の姿勢
で遠心力の作用により、接触リング12に押しつけられ
るので、陽極2aに面した別の微粒子にめっき層ができ
る。このように駆動軸3の回転と停止とを繰り返すこと
により、処理室4に存在する全ての微粒子に対して均一
にめっきが行われる。
材粒子と同等の硬さをもち、かつその粒子径がめっきす
る基材粒子の1.5〜30倍であるダミー粒子を同時に
加えてめっきを行う。
の硬さは、圧縮弾性率で100〜600kgf/mm2
であるので、これと同等の硬さを有するものが望まし
い。圧縮弾性率が100kgf/mm2未満であると、
めっき基材との重さが異なりすぎるため、ダミーの解砕
効果が不十分である。また600kgf/mm2を超え
ると、基材粒子の表面に剥がれやキズをつけるため好ま
しくない。
コニアやアルミナ等の無機物を使わず、樹脂組成のダミ
ー粒子を使うのが好ましい。樹脂組成としては特に限定
されないが、例えばポリスチレン、ポリスチレン共重合
体、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル
共重合体、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩
化ビニル、ナイロン等が挙げられる。これらは単独で用
いられても良く、2種以上が併用されても良い。
の1.5〜30倍程度が好ましい。ダミー粒子の粒子径
が1.5倍より小さいと、めっきした粒子とダミー粒子
とを分離するのが困難になるため好ましくない。また3
0倍より大きいと、ダミー粒子間のすきまにめっきする
基材粒子が入り込み、実質的な解砕効果が出にくいため
好ましくない。
きされた微粒子は、電極間を接続するために用いられる
導電性微粒子として用いることができる。上記導電性微
粒子は、回路中にかかる力を緩和することにより、接続
の信頼性を向上させることができる。上記導電性微粒子
を用いた導電接続構造体もまた、本発明の一つである。
説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるも
のではない。
に重合開始剤として過酸化ベンゾイル1.3重量部を均
一に混合し、これにポリビニルアルコールの3%水溶液
20重量部、ドデシル硫酸ナトリウム0.5重量部を投
入しよく攪拌した後、イオン交換水140重量部を添加
した。この溶液を攪拌しながら窒素気流下80℃で15
時間反応を行った。得られた微粒子を熱水及びアセトン
にて洗浄後、篩いにて粒子選別を行い、中心粒子径30
0μmの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケル
めっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方に
て、中心粒子径800μmのニッケルめっきしたダミー
粒子を合成した。
処理した300μmの粒子40gと800μmのダミー
粒子20mLとを投入し、銅めっきを行った。めっき時
の条件は、浴温度30℃、電流密度0.5A/dm2、
周速18Hzとして、40秒毎に回転方向を逆転させ
た。
いにてふるい、800μmのダミー粒子とめっき粒子と
を分離した。このようにして得られためっき粒子を断面
観察したところ、銅層の膜厚は3μmであった。また得
られた粒子を、さらに350μmの目開きの篩いにてふ
るったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の1%以
下であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒
子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観は
光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全
体の2%程度であった。
マーを使って実施例1と同様に重合し、中心粒子径30
0μmの粒子を得た。これに導電下地層としてニッケル
めっきを無電解めっきにより形成させた。同様な処方に
て、ジビニルベンゼンと4官能のアクリルモノマーで合
成された中心粒子径800μmのニッケルめっきしたダ
ミー粒子を得た。
処理した300μmの粒子40gと800μmのダミー
粒子20mLとを投入し、銅めっきを行った。めっき時
の条件は、浴温度30℃、電流密度0.5A/dm2、
周速18Hzとして、40秒毎に回転方向を逆転させ
た。
いにてふるい、800μmのダミー粒子とめっき粒子と
を分離した。このようにして得られためっき粒子を断面
観察したところ、銅層の膜厚は3μmであった。また得
られた粒子を、さらに350μmの目開きの篩いにてふ
るったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の1%以
下であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒
子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観は
光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全
体の2%程度であった。
た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解め
っきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径2
000μmのニッケルめっきしたダミー粒子を合成し
た。ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した
300μmの粒子40gと2000μmのダミー粒子3
0mLとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件
は、浴温度30℃、電流密度0.5A/dm2、周速1
8Hzとして、40秒毎に回転方向を逆転させた。
篩いにてふるい、2000μmのダミー粒子とめっき粒
子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を
断面観察したところ、銅層の膜厚は3μmであった。ま
た得られた粒子を、さらに350μmの目開きの篩いに
てふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の約
1%であり、大きな凝集は認められなかった。これらの
粒子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観
は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、
全体の2%程度であった。
た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解め
っきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径5
00μmのニッケルめっきしたダミー粒子を合成した。
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した30
0μmの粒子40gと500μmのダミー粒子20mL
とを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴
温度30℃、電流密度0.5A/dm2、周速18Hz
として、40秒毎に回転方向を逆転させた。
いにてふるい、500μmのダミー粒子とめっき粒子と
を分離した。このようにして得られためっき粒子を断面
観察したところ、銅層の膜厚は3μmであった。また得
られた粒子を、さらに350μmの目開きの篩いにてふ
るったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の1%以
下であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒
子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観は
光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全
体の2%程度であった。
得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解
めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径
800μmのニッケルめっきしたダミー粒子を合成し
た。ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した
500μmの粒子40gと800μmのダミー粒子20
mLとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件
は、浴温度30℃、電流密度0.5A/dm2、周速1
8Hzとして、40秒毎に回転方向を逆転させた。
いにてふるい、800μmのダミー粒子とめっき粒子と
を分離した。このようにして得られためっき粒子を断面
観察したところ、銅層の膜厚は2μmであった。また得
られた粒子を、さらに450μmの目開きの篩いにてふ
るったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の1%程
度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒
子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観は
光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全
体の2%程度であった。
得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解
めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径
500μmのニッケルめっきしたダミー粒子を合成し
た。ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した
100μmの粒子40gと500μmのダミー粒子20
mLとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件
は、浴温度30℃、電流密度0.5A/dm2、周速1
8Hzとして、40秒毎に回転方向を逆転させた。
いにてふるい、500μmのダミー粒子とめっき粒子と
を分離した。このようにして得られためっき粒子を断面
観察したところ、銅層の膜厚は2μmであった。また得
られた粒子を、さらに150μmの目開きの篩いにてふ
るったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の1%程
度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒
子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観は
光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全
体の1%程度であった。
得た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解
めっきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径
2000μmのニッケルめっきしたダミー粒子を合成し
た。ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した
100μmの粒子40gと2000μmのダミー粒子3
0mLとを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件
は、浴温度30℃、電流密度0.5A/dm2、周速1
8Hzとして、40秒毎に回転方向を逆転させた。
篩いにてふるい、2000μmのダミー粒子とめっき粒
子とを分離した。このようにして得られためっき粒子を
断面観察したところ、銅層の膜厚は2μmであった。ま
た得られた粒子を、さらに150μmの目開きの篩いに
てふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の2
%程度であり、大きな凝集は認められなかった。これら
の粒子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外
観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子
は、全体の1%程度であった。
た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解め
っきにより形成させた。同様な処方にて、中心粒子径5
00μmのニッケルめっきしたダミー粒子を合成した。
ついで回転式めっき装置にニッケルめっき処理した50
μmの粒子40gと500μmのダミー粒子30mLと
を投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温
度30℃、電流密度0.5A/dm2、周速18Hzと
して、40秒毎に回転方向を逆転させた。
いにてふるい、500μmのダミー粒子とめっき粒子と
を分離した。このようにして得られためっき粒子を断面
観察したところ、銅層の膜厚は2μmであった。また得
られた粒子を、さらに100μmの目開きの篩いにてふ
るったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の4%程
度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの粒
子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観は
光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全
体の1%程度であった。
た粒子40gと、同じく実施例1で得られた中心粒子径
800μmのニッケルめっきしたダミー粒子20mLと
を投入し、共晶ハンダめっきを行った。めっき時の条件
は、浴温度30℃、電流密度0.5A/dm2、周速1
8Hzとして、20秒毎に回転方向を逆転させた。得ら
れた粒子を、700μmの目開きの篩いにてふるい、8
00μmのダミー粒子とめっき粒子とを分離した。この
ようにして得られためっき粒子を断面観察したところ、
共晶ハンダ層の膜厚は6μmであった。また得られた粒
子を、さらに350μmの目開きの篩いにてふるったと
ころ、篩いの上に残ったのは全体重量の2%程度であ
り、大きな凝集は認められなかった。これらの粒子のう
ち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観は光沢の
ある銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全体の2
%程度であった。
た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解め
っきにより形成させた。ついで回転式めっき装置にニッ
ケルめっき処理した300μmの粒子40gだけを投入
し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度30
℃、電流密度0.5A/dm2、周速18Hzとして、
40秒毎に回転方向を逆転させた。
観察したところ、銅層の膜厚は3μmであった。また得
られた粒子を、さらに350μmの目開きの篩いにてふ
るったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の約10
%であり、2mm角程度の大きな凝集が認められた。こ
れらの粒子のうち2000個を顕微鏡で観察したとこ
ろ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある
粒子は、全体の1%程度であった。
た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解め
っきにより形成させた。ついで回転式めっき装置にニッ
ケルめっき処理した100μmの粒子40gだけを投入
し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴温度30
℃、電流密度0.5A/dm2、周速18Hzとして、
40秒毎に回転方向を逆転させた。
観察したところ、銅層の膜厚は2μmであった。また得
られた粒子を、さらに350μmの目開きの篩いにてふ
るったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の約20
%であり、5mm角程度の大きな凝集が認められた。こ
れらの粒子のうち2000個を顕微鏡で観察したとこ
ろ、外観は光沢のある銅色を示し、割れや剥がれのある
粒子は、全体の1%程度であった。
た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解め
っきにより形成させた。ついで回転式めっき装置にニッ
ケルめっき処理した中心粒子径100μmの粒子40g
と中心粒子径1000μmのジルコニアボール20mL
とを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴
温度30℃、電流密度0.5A/dm2、周速18Hz
として、40秒毎に回転方向を逆転させた。
いにてふるい、1000μmのダミー粒子とめっき粒子
とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断
面観察したところ、銅層の膜厚は3μmであった。また
得られた粒子を、さらに350μmの目開きの篩いにて
ふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の1%
程度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの
粒子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観
は艶消しの銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全
体の40%程度であった。
た。これに導電下地層としてニッケルめっきを無電解め
っきにより形成させた。ついで回転式めっき装置にニッ
ケルめっき処理した中心粒子径300μmの粒子40g
と中心粒子径1000μmのステンレスボール20mL
とを投入し、銅めっきを行った。めっき時の条件は、浴
温度30℃、電流密度0.5A/dm2、周速18Hz
として、40秒毎に回転方向を逆転させた。
いにてふるい、1000μmのダミー粒子とめっき粒子
とを分離した。このようにして得られためっき粒子を断
面観察したところ、銅層の膜厚は3μmであった。また
得られた粒子を、さらに350μmの目開きの篩いにて
ふるったところ、篩いの上に残ったのは全体重量の1%
程度であり、大きな凝集は認められなかった。これらの
粒子のうち2000個を顕微鏡で観察したところ、外観
は艶消しの銅色を示し、割れや剥がれのある粒子は、全
体の40%程度であった。
〜1000μmの導電性微粒子を、凝集が無く、めっき
の表面状態が良好なまま合成でき、これを用いて導電性
に優れた導電接続構造体を提供することができる。
略図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 微粒子のめっき方法であって、外周部に
陰極を有し、めっき液を通過させて排出するフィルター
部を有する回転可能なドームと、該ドームの中に該陰極
と接触しないように設置された陽極とを有し、ドームの
回転による遠心力によって微粒子を陰極に接触させなが
ら通電と撹拌とを繰り返す回転型めっき装置を用いる方
法であり、めっきする基材粒子と同等の硬さを有してお
り、かつその粒子径がめっきする基材粒子の1.5〜3
0倍であるダミー粒子を同時に加えてめっきを行うこと
を特徴とする微粒子のめっき方法。 - 【請求項2】 めっきする基材粒子が樹脂であり、その
粒子径が1〜1000μmであることを特徴とする請求
項1記載の微粒子のめっき方法。 - 【請求項3】 ダミー粒子が樹脂からなることを特徴と
する請求項1記載の微粒子のめっき方法。 - 【請求項4】 請求項1、2又は3記載の微粒子のめっ
き方法によりめっきしたことを特徴とする導電性微粒
子。 - 【請求項5】 請求項4記載の導電性微粒子により接続
されてなることを特徴とする導電接続構造体。
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---|---|---|---|
JP2001128125A JP3694249B2 (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 微粒子のめっき方法及び導電性微粒子及び接続構造体 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001128125A JP3694249B2 (ja) | 2001-04-25 | 2001-04-25 | 微粒子のめっき方法及び導電性微粒子及び接続構造体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002322591A true JP2002322591A (ja) | 2002-11-08 |
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ID=18976876
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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---|---|
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005116483A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2006045619A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Murata Mfg Co Ltd | めっき方法 |
KR100784902B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-12-11 | 주식회사 동부하이텍 | 플라스틱 전도성 미립자의 제조방법 |
WO2011027528A1 (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 日立金属株式会社 | メッキ装置 |
JP2011179064A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Hitachi Metals Ltd | めっき装置 |
JP2011195849A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Hitachi Metals Ltd | メッキ装置 |
WO2018121526A1 (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 汉玛科技股份有限公司 | 小型零件的电镀装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106884198B (zh) * | 2017-04-18 | 2019-02-05 | 湖南省鎏源新能源有限责任公司 | 一种电镀装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59159995A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の部分電気メツキ方法 |
JPH032392A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-01-08 | Nisshin Steel Co Ltd | 粉末のコーティング方法および装置 |
JPH0536306A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Sekisui Fine Chem Kk | 導電性微粒子、電極接続構造体及びその製造方法 |
JPH05222595A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | バレル鍍金の鍍金厚制御方法 |
JPH09137289A (ja) * | 1995-04-03 | 1997-05-27 | Sekisui Finechem Co Ltd | 導電性微粒子の製造方法 |
JPH11317416A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-11-16 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 複合マイクロボールとその製造方法と製造装置 |
JPH11329059A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Sekisui Finechem Co Ltd | プローブ用導電性微粒子、その製造方法及び導電検査用プローブ |
JP2000309895A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子の製造装置 |
-
2001
- 2001-04-25 JP JP2001128125A patent/JP3694249B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59159995A (ja) * | 1983-03-01 | 1984-09-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の部分電気メツキ方法 |
JPH032392A (ja) * | 1989-05-26 | 1991-01-08 | Nisshin Steel Co Ltd | 粉末のコーティング方法および装置 |
JPH0536306A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Sekisui Fine Chem Kk | 導電性微粒子、電極接続構造体及びその製造方法 |
JPH05222595A (ja) * | 1992-02-07 | 1993-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | バレル鍍金の鍍金厚制御方法 |
JPH09137289A (ja) * | 1995-04-03 | 1997-05-27 | Sekisui Finechem Co Ltd | 導電性微粒子の製造方法 |
JPH11317416A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-11-16 | Tokyo Tungsten Co Ltd | 複合マイクロボールとその製造方法と製造装置 |
JPH11329059A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-30 | Sekisui Finechem Co Ltd | プローブ用導電性微粒子、その製造方法及び導電検査用プローブ |
JP2000309895A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-07 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子の製造装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005116483A (ja) * | 2003-10-10 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2006045619A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Murata Mfg Co Ltd | めっき方法 |
KR100784902B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2007-12-11 | 주식회사 동부하이텍 | 플라스틱 전도성 미립자의 제조방법 |
WO2011027528A1 (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | 日立金属株式会社 | メッキ装置 |
CN102666942A (zh) * | 2009-09-04 | 2012-09-12 | 日立金属株式会社 | 电镀装置 |
JP2011179064A (ja) * | 2010-03-01 | 2011-09-15 | Hitachi Metals Ltd | めっき装置 |
JP2011195849A (ja) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | Hitachi Metals Ltd | メッキ装置 |
WO2018121526A1 (zh) * | 2016-12-28 | 2018-07-05 | 汉玛科技股份有限公司 | 小型零件的电镀装置 |
CN110139949A (zh) * | 2016-12-28 | 2019-08-16 | 汉玛科技股份有限公司 | 小型零件的电镀装置 |
CN110139949B (zh) * | 2016-12-28 | 2021-12-21 | 汉玛科技股份有限公司 | 小型零件的电镀装置 |
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