JP2002310627A - 半導体素子の検査方法並びに半導体素子の検査プログラムおよびその半導体素子の検査プログラムが記録された記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体素子の良否の判定にかかる時間を短縮
できる半導体素子の検査方法並びに半導体素子の検査プ
ログラムおよびその半導体素子の検査プログラムが記録
された記録媒体を提供する。 【解決手段】 カメラ２に半導体素子を撮像して、カメ
ラ２の撮像により得られた画像から、半導体素子１の輪
郭を抽出する。そして、半導体素子１の輪郭に外接する
矩形領域１０を求める。引き続き、矩形領域１０内の一
部であるＢａｄマーク検出エリア，隅部を走査して、Ｂ
ａｄマーク検出エリア，隅部の画素の２値データに基い
て、半導体素子１の良否を判定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の検査
方法並びに半導体素子の検査プログラムおよびその半導
体素子の検査プログラムが記録された記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体素子の検査方法として
は、特開平０５−１１８９９３号公報に開示されたもの
がある。この従来の半導体素子の検査方法では、半導体
素子をカメラで撮像し、このカメラの撮像により得られ
た画像に基づいて、半導体素子の面積および重心を求め
ている。そして、上記半導体素子の面積と基準面積とを
比較して半導体素子の良否を判定すると共に、半導体素
子の重心位置から決まる基準輪郭と、半導体素子の形状
とを比較して半導体素子の良否を判定する。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体素子の検査方法では、半導体素子よりもずっと大
きな認識エリアを設定し、その認識エリア内の全画素を
走査して、半導体素子の面積および重心を求めている。
このように、上記半導体素子よりも大きな認識エリア内
の全画素を走査するため、走査時間が長くなって、半導
体素子の良否を判定するのに時間がかかるという問題が
ある。上記半導体素子の良否の判定に要する時間は、ボ
ンディング装置のタクトが早くなってくるにつれて製造
時間全体に占める割合が高くなる。そのため、上記半導
体素子の良否の判定に時間がかかるのは大きな問題とな
っている。

【０００４】そこで、本発明の課題は、半導体素子の良
否の判定にかかる時間を短縮できる半導体素子の検査方
法並びに半導体素子の検査プログラムおよびその半導体
素子の検査プログラムが記録された記録媒体を提供する
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体素子の検査方法は、撮像装置に半導
体素子を撮像させる工程と、上記撮像装置の撮像により
得られた画像から、上記半導体素子の輪郭を抽出する工
程と、上記半導体素子の輪郭に外接する矩形領域を求め
る工程と、上記矩形領域内の一部または全部である走査
領域を走査して、上記走査領域の画素の２値データに基
いて、上記半導体素子の良否を判定する工程とを備えた
ことを特徴としている。

【０００６】上記構成の半導体素子の検査方法によれ
ば、上記撮像装置の撮像により得られた画像から半導体
素子の輪郭を抽出して、半導体素子の輪郭に外接する矩
形領域を求める。引き続いて、上記矩形領域内の走査領
域の画素を走査し、その走査領域の画素の２値データを
検出する。そして、上記走査領域の画素の２値データに
基づいて、半導体素子の良否を判定する。このように、
上記矩形領域内の一部または全部である走査領域の画素
を走査するから、従来の半導体素子の検査方法よりも走
査範囲が狭くなる。その結果、上記走査領域を走査する
のに要する時間が短くなり、半導体素子の良否の判定に
かかる時間を短縮できる。

【０００７】一実施形態の半導体素子の検査方法は、上
記矩形領域の面積を求める工程と、上記矩形領域の面積
と基準値とを比較して、上記撮像装置が撮像した上記画
像が上記半導体素子の画像であるか否かを判定する工程
とを備える。

【０００８】上記実施形態の半導体素子の検査方法によ
れば、上記矩形領域の面積を求め、この矩形領域の面積
と基準値とを比較する。このとき、上記矩形領域の面積
が基準値の範囲内であるか否かにより、撮像装置が撮像
した画像が半導体素子の画像であるか否かを判定する。
このように、上記矩形領域の面積に基づいて、撮像装置
が撮像した画像が半導体素子の画像であるか否かを判定
するから、例えばゴミなどが半導体素子として認識され
る恐れがなくなり、検査の信頼性を向上できる。

【０００９】一実施形態では、上記半導体素子の良否を
判定する工程における上記走査領域うちの一つは上記半
導体素子の輪郭内に位置する。

【００１０】上記実施形態の半導体素子の検査方法によ
れば、上記半導体素子の良否を判定する工程における走
査領域のうちの一つは半導体素子の輪郭内に位置するか
ら、その走査領域のうちの一つは面積が小さい。その結
果、上記走査領域のうちの一つを走査するのに要する時
間は短くて、半導体素子の良否の判定にかかる時間を短
縮できる。

【００１１】一実施形態では、上記半導体素子の良否を
判定する工程における上記走査領域のうちの少なくとも
二つは、上記矩形領域において互いに対向する対角位置
にある隅部であって、上記隅部の画素の２値データに基
づいて、上記半導体素子の良否を判定する。

【００１２】上記実施形態の半導体素子の検査方法によ
れば、上記半導体素子にチップ欠けが生じていると、矩
形領域において互いに対向する対角位置の一方の隅部
と、上記互いに対向する対角位置の他方の隅部とでは、
しきい値レベル以下またはしきい値レベル以上の画素の
総数が異なる。したがって、上記半導体素子の良否を判
定する工程における走査領域のうちの少なくとも二つ
を、矩形領域において互いに対向する対角位置にある隅
部として、この隅部の画素の２値データに基づくことに
より、半導体素子のチップ欠けを検出することができ
る。

【００１３】一実施形態では、上記半導体素子の良否を
判定する工程における上記走査領域は、２組の上記互い
に対向する対角位置にある隅部である。

【００１４】上記実施形態の半導体素子の検査方法によ
れば、上記半導体素子の良否を判定する工程における上
記走査領域は、２組の上記互いに対向する対角位置にあ
る隅部であって、この隅部を走査するから、検査の信頼
性が向上し、半導体素子のチップ欠けを確実に検出する
ことができる。

【００１５】また、一実施形態では、上記半導体素子の
検査方法の工程をコンピュータに実行させるための半導
体素子の検査プログラムを提供する。

【００１６】また、一実施形態では、上記半導体素子の
検査プログラムが記録されている記録媒体を提供する。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体素子の検査
方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。

【００１８】図１は、本発明の実施の一形態の半導体素
子の検査方法を行うために使用される検査装置の構成を
示すブロック図である。なお、本実施形態では、上記半
導体素子の検査方法の工程を、電気特性検査の工程の後
に行っている。この電気特性検査の一工程では、電気的
に不良であると判別した半導体素子にＢａｄマークを付
けている。

【００１９】上記検査装置は、図１に示すように、撮像
装置の一例としてのカメラ２と、このカメラ２が撮像し
た画像を取り込んで記憶する画像取込部３と、この画像
取込部３に記憶された画像を出力モニタ７に出力する画
像出力部４と、半導体素子１を検査するための半導体素
子の検査プログラムが記憶されるプログラムメモリ５
と、その半導体素子の検査プログラムにしたがって処理
を行う制御演算部６とを備えている。上記カメラ２は、
半導体ウェハ１００から劈開により分離される半導体素
子１を撮像する。その半導体ウェハ１００は、複数の半
導体素子１からなり、図示しない粘着シートに貼り付け
られている。そして、上記半導体素子１の劈開は、半導
体ウェハ１００にダイシングラインを形成した後、粘着
シートを伸張させることによって行われる。

【００２０】上記検査装置を用いて行われる半導体素子
の検査方法を図８のフローチャートを用いて説明する。

【００２１】まず、図８に示すように、処理をスタート
させ、ステップＳ１で画像取込を行う。具体的には、上
記半導体ウェハ１００から劈開された半導体素子１をカ
メラ２で撮像し、カメラ２の撮像に得られた画像を画像
取込部３に取り込んで記憶する。そして、ステップＳ２
で、第１のチップ有無検出の処理を行う。すなわち、上
記カメラ２が撮像した画像が半導体素子１の画像である
か否かを判定する。そして、ステップＳ３で、チップ有
り、つまりカメラ２で半導体素子１を撮像できていれ
ば、ステップＳ４に進む一方、チップ無し、つまりカメ
ラ２で半導体素子１を撮像できていなければ、ステップ
Ｓ１４に進む。ステップＳ１４に進んだ場合は、ステッ
プＳ１４でチップ無処理を行って、半導体素子１を検査
するための処理を終了する。

【００２２】次に、ステップＳ４で、チップエッジ検出
の処理を行う。すなわち、上記半導体素子１のチップエ
ッジを検出する。そして、ステップＳ５で、チップエッ
ジ有り、つまり半導体素子１にチップエッジがあると判
別すると、ステップＳ６に進む一方、チップエッジ無
し、つまり半導体素子１にチップエッジが無いと判別す
ると、ステップＳ１４に進む。ステップＳ１４に進んだ
場合は、ステップＳ１４でチップ無処理を行って、半導
体素子１を検査するための処理を終了する。

【００２３】次に、ステップＳ６で、チップ輪郭抽出の
処理を行った後、ステップＳ７で、第２のチップ有無検
出の処理を行う。すなわち、上記カメラ２が撮像した画
像が半導体素子１の画像であるか否かを再度判定する。
そして、ステップＳ８で、チップ有り、つまりカメラ２
で半導体素子１を撮像できていれば、ステップＳ９に進
む一方、チップ無し、つまりカメラ２で半導体素子１を
撮像できていなければ、ステップＳ１４に進む。ステッ
プＳ１４に進んだ場合は、ステップＳ１４でチップ無処
理を行って、半導体素子１を検査するための処理を終了
する。

【００２４】次に、ステップＳ９でチップ重心計算の処
理を行う。そして、ステップＳ１０でＢａｄマーク判定
を行う。具体的には、電気的な特性不良を示すＢａｄマ
ークが半導体素子１に付いているか否かを識別する。そ
して、ステップＳ１１で、Ｂａｄマーク無、つまり半導
体素子１にＢａｄマークが付いていなければ、ステップ
Ｓ１２に進む一方、Ｂａｄマーク有り、つまり半導体素
子１にＢａｄマークが付いていれば、ステップＳ１５に
進む。ステップＳ１５に進んだ場合は、ステップＳ１５
でチップＮＧ処理を行った後、半導体素子１を検査する
ための処理を終了する。

【００２５】次に、ステップＳ１２で、チップ欠け判定
を行う。すなわち、上記半導体素子１にチップ欠けが生
じている否かを判別する。そして、ステップＳ１３で、
チップ欠け無、つまり半導体素子１にチップ欠けが生じ
ていなければ、その半導体素子１は良品であると判定
し、半導体素子１を検査するための処理を終了する。一
方、ステップＳ１３で、チップ欠け有り、つまり半導体
素子１にチップ欠けが生じていれば、ステップＳ１５に
進む。ステップＳ１５に進んだ場合は、ステップＳ１５
でチップＮＧ処理を行った後、半導体素子１を検査する
ための処理を終了する。

【００２６】以下、上記ステップＳ２の第１のチップ有
無検出を具体的に説明する。

【００２７】図２に示すように、カメラセンタ（Ｘ_０，
Ｙ_０）を始点とし、そのカメラセンタ（Ｘ_０，Ｙ_０）の
画素の輝度を調べ、カメラセンタ（Ｘ_０，Ｙ_０）の画素
がしきい値としての２値化レベル以上であるか否かを判
定する。このとき、上記カメラセンタ（Ｘ_０，Ｙ_０）の
画素の輝度が２値化レベルに達しなければ、始点からＸ
軸方向にＸ_１，Ｘ_２，Ｘ_３，……と１画素ずつ一定範囲
（サンプリングエリアＸ）内を走査して、２値化レベル
以上の画素を探す。そして、上記カメラセンタ（Ｘ_０，
Ｙ_０）からＸ軸方向に一定範囲走査しても、２値化レベ
ル以上の画素が無い場合、Ｙ軸方向に１画素移動させ、
再度、Ｘ軸方向にＸ_１，Ｘ_２，Ｘ_３，……と１画素ずつ
サンプリングエリアＸ内を走査して、２値化レベル以上
の画素を探す。それでも２値化レベル以上の画素が見つ
からない場合は、更に、Ｙ軸方向にＹ_１，Ｙ_２，Ｙ_３，
……と１画素ずつ一定範囲（サンプリングエリアＹ）内
移動させ、そのＹ_１，Ｙ_２，Ｙ_３，……の夫々に対して
Ｘ軸方向にＸ_１，Ｘ_２，Ｘ _３，……と１画素ずつサンプ
リングエリアＸ内を走査して、２値化レベル以上の画素
を探す。上記サンプリングエリアＸ，Ｙ内で２値化レベ
ル以上の画素が有った場合、カメラ２の撮像領域内には
半導体素子が存在すると判別する。すなわち、上記半導
体素子１がカメラ２で撮像されていると判定する。一
方、上記サンプリングエリアＸ，Ｙ内で２値化レベル以
上の画素が無かった場合、カメラ２の撮像領域内には半
導体素子が存在しないと判別する。すなわち、上記半導
体素子１がカメラ２で撮像されていないと判定する。

【００２８】以下、上記ステップＳ４のチップエッジ検
出、および、ステップＳ６のチップ輪郭抽出を具体的に
説明する。

【００２９】図３に示すように、２値化レベル以上の輝
度の画素から、Ｙ軸方向（図中の矢印Ｕ方向）に沿って
画素を走査していき、輝度レベルが規定画素数以上連続
して２値化レベル以下になる箇所を探し、その連続２値
化レベル以下画素の始まりの点をチップエッジとする。
このチップエッジを追跡開始点として半導体素子１の輪
郭を抽出する（長谷川他「画像処理の基本技法」（株）
技術評論社刊１９８６年、７０〜７２頁を参照）。

【００３０】以下、上記ステップＳ７の第２のチップ有
無検出を具体的に説明する。

【００３１】図４に示すように、上記輪郭抽出法で抽出
した半導体素子１の輪郭を構成する画素のＸ，Ｙ座標に
おいて、Ｘ座標の最大値（Ｘmax）、Ｘ座標の最小値
（Ｘmin）、Ｙ座標の最大値（Ｙmax）およびＹ座標の最
小値（Ｙmin）を夫々求める。このＸmax、Ｘmin、Ｙmax
およびＹminに基づいて、半導体素子１の輪郭に外接す
る矩形領域１０を設定する。この矩形領域１０の頂点
は、（Ｘmax，Ｙmax）、（Ｘmax，Ｙmin）、（Ｘmin，
Ｙmax）および（Ｘmin，Ｙmin）で表わされる。上記カ
メラ２のＸ軸またはＹ軸に対して半導体素子１の輪郭の
一辺が平行であれば、矩形領域１０の大きさと半導体素
子１の大きさは一致するが、カメラ２のＸ軸またはＹ軸
に対して半導体素子１の輪郭の一辺が平行でなければ、
矩形領域１０の大きさは半導体素子１の大きさよりも大
きくなる。そして、上記矩形領域１０のＸ軸方向の辺の
長さ（Ｘmax−Ｘmin）、Ｙ軸方向の辺の長さ（Ｙmax−
Ｙmin）から、矩形領域１０の面積（Ｘmax−Ｘmin）×
（Ｙmax−Ｙmin）を求める。この矩形領域１０の面積と
所定の基準値とを比較して、矩形領域１０の面積が基準
値の範囲内であれば、チップ有りと判定する。すなわ
ち、上記カメラ２で撮像された画像が半導体素子１の画
像であると判定する。なお、上記基準値は、良品である
と判定されるべき半導体素子の面積に基づいて設定され
る。

【００３２】単に、上記カメラ２で撮像した画像内に２
値化レベル以上の画素があるだけでは、ゴミなどにより
光る点があるだけでチップ有りと判定する恐れがある
が、矩形領域１０面積と基準値との比較に基づけば、ゴ
ミなどを半導体素子１として誤認識する可能性は殆ど無
くなり、検査の信頼性が高くなる。

【００３３】以下、上記ステップＳ１０のＢａｄマーク
判定を具体的に説明する。

【００３４】図５に示すように、上記半導体素子１’に
Ｂａｄマークが付けられているか否かを判定するため
に、矩形領域１０の走査領域のうちの一つとしてのＢａ
ｄマーク検出エリア内の画素を走査する。このとき、上
記Ｂａｄマーク検出エリア内の画素の走査はカメラ２の
Ｘ軸に沿って行う。そして、上記Ｂａｄマーク検出エリ
ア内における２値化レベル以上の画素の数をカウントす
る。上記Ｂａｄマーク検出エリア内の全画素数に対して
２値化レベル以上の画素の総数が占める割合が所定値以
下であれば、半導体素子１’にＢａｄマークが付けられ
ていないと判定する。一方、上記Ｂａｄマーク検出エリ
アの全画素数に対して２値化レベル以上の画素の総数が
占める割合が所定値以上であれば、半導体素子１’にＢ
ａｄマークが付けられていないと判定する。

【００３５】上記Ｂａｄマーク検出エリア内の画素の走
査はカメラ２のＸ軸に沿って行うので、Ｂａｄマークを
検出するのためのアルゴリズムを単純にすることができ
る。また、上記Ｂａｄマークを検出するための走査範囲
は半導体素子１’の面積の１０％程度で良いので、Ｂａ
ｄマークを検出するのにかかる時間を短縮できる。な
お、上記Ｂａｄマークは、半導体素子１’のほぼ中央に
付けられている。また、上記Ｂａｄマークの塗料は、２
値化レベル以下とあるような例えば黒色の塗料である。
上記Ｂａｄマーク検出エリアは、Ｂａｄマークが存在す
る確率が高い箇所を含むように設定されている。上記Ｂ
ａｄマークが存在する確率が高い箇所は、ステップＳ９
のチップ重心計算で求めた半導体素子１’の重心に基づ
いて設定してもよい。

【００３６】以下、上記ステップＳ１２のチップ欠け判
定を具体的に説明する。

【００３７】図６に示すように、上記矩形領域１０にお
いて２組の互いに対向する対角位置の走査領域としての
隅部（チップ欠け検出領域）１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，
１０ｄに対して、画素の走査を行う。そして、各隅部１
０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ毎に輝度が２値化レベル
以上の画素の数をカウントする。上記隅部１０ａ，１０
ｂ，１０ｃ，１０ｄのうち２組の互いに対向する対角位
置の隅部１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄにおいて、２
値化レベル以上の画素の総数を比較する。具体的には、
上記隅部１０ａにおける２値化レベル以上の画素の総数
と、隅部１０ｄにおける２値化レベル以上の画素の総数
とを比較すると共に、隅部１０ｂにおける２値化レベル
以上の画素の総数と、隅部１０ｃにおける２値化レベル
以上の画素の総数とを比較する。そして、上記隅部１０
ａと隅部１０ｄとにおける２値化レベル以上の画素の総
数の比を求めると共に、隅部１０ｂと隅部１０ｃとにお
ける２値化レベル以上の画素の総数の比を求める。それ
らの比が所定値の範囲内であれば、半導体素子１にチッ
プ欠けが無いと判断する一方、それらの比が所定値の範
囲を超えれば、半導体素子１にチップ欠けがあると判断
する。上記半導体素子１にチップ欠けが無ければ、隅部
１０ａにおける２値化レベル以上の画素からなる領域の
面積と、隅部１０ｄにおける２値化レベル以上の画素か
らなる領域の面積とがほぼ等しくなると共に、隅部１０
ｂにおける２値化レベル以上の画素からなる領域の面積
と、隅部１０ｃにおける２値化レベル以上の画素からな
る領域の面積とがほぼ等しくなる。

【００３８】また、図７に示すように、チップ欠けが生
じた半導体素子１”の場合、矩形領域１０”において互
いに対向する対角位置の走査領域としての隅部１０”
ａ，１０”ｄ（図７中の領域Ａ）の２値化レベル以上の
画素からなる領域の面積にも差が出る。つまり、上記半
導体素子１”にチップ欠けが生じていることにより、隅
部１０”ａにおける２値化レベル以上の画素かなる領域
の面積と、隅部１０”ｄにおける２値化レベル以上の画
素かなる領域の面積とに差が生じる。したがって、上記
隅部１０”ａにおける２値化レベル以上の画素からなる
領域に対する、隅部１０”ｄにおける２値化レベル以上
の画素からなる領域の面積比が、１から所定の値以上離
れていると、半導体素子１”にチップ欠け有りと判断す
ることができる。また、上記半導体素子１”にチップ欠
けが生じていることにより、隅部１０”ｂ，１０”ｃ
（図７中の領域Ｂ）では、２値化レベル以上の画素から
なる領域の面積に大きな差が生じているので、隅部１
０”ｂにおける２値化レベル以上の画素かなる領域の面
積と、隅部１０”ｃにおける２値化レベル以上の画素か
なる領域の面積とを比較すれば、半導体素子１”にチッ
プ欠けが生じているのを容易かつ確実に判別することが
できる。要するに、上記隅部１０”ａ，１０”ｂ，１
０”ｃ，１０”ｄにおいて少なくとも１組の互いに対向
する対角位置の隅部１０”ａ，１０”ｂ，１０”ｃ，１
０”ｄに対して、２値化レベル以上の画素かなる領域の
面積の比較を行うと、半導体素子１”のチップ欠けを確
実に検出できる。また、上記隅部１０”ａ，１０”ｂ，
１０”ｃ，１０”ｄにおいて２組の互いに対向する対角
位置の隅部１０”ａ，１０”ｂ，１０”ｃ，１０”ｄに
対して、２値化レベル以上の画素かなる領域の面積の比
較を行えば、半導体素子１”のチップ欠けをより確実に
検出できる。

【００３９】このように、上記矩形領域１０，１０”内
の一部であるＢａｄマーク検出エリア，隅部１０ａ，
…，１０ｄ，１０”ａ，…，１０”ｄの画素を走査する
だけだから、従来の半導体素子の検査方法よりも走査範
囲が狭くなる。その結果、上記Ｂａｄマーク検出エリ
ア，隅部１０ａ，…，１０ｄ，１０”ａ，…，１０”ｄ
の画素の走査に要する時間が短く、半導体素子１，
１’，１”の良否の判定にかかる時間を短縮できる。

【００４０】上記ステップＳ８のＢａｄマーク判定の処
理時間は、チップ全体の面積より小さい領域の割合
（％）だけ短縮できる。

【００４１】また、上記半導体素子１，１’，１”に対
してダイボンドを行う前に、半導体素子１，１’ ，
１”の４隅の画像処理（欠け検出）を行うことにより、
チップ欠けが生じている半導体素子１”がダイボンドさ
れるの阻止することができる。

【００４２】また、上記半導体素子１，１’，１”が画
像認識時にが傾いていても精度よくチップ欠け判定を行
うことができる。

【００４３】本発明の半導体素子の検査方法では、上記
半導体素子１，１’，１”を検査装置をセットするとき
に、半導体素子１，１’，１”の輪郭がカメラ２のＸ，
Ｙ軸に平行になるように半導体素子１，１’，１”の位
置調整が行われているため、カメラ２のＸ軸に対して半
導体素子１の輪郭の一辺がなす角は最大でも約１０°程
度である。

【００４４】上記実施の形態では、上記電気的特性検査
が行われた後、本発明の半導体素子の検査方法の工程が
行われていたが、半導体素子の検査方法の工程が行われ
るのは電気的特性検査後に限定されるわけではない。

【００４５】また、上記実施の形態では、矩形領域１
０，１０”の一部であるＢａｄマーク検出エリア，隅部
１０ａ，…，１０ｄ，１０”ａ，…，１０”ｄの画素を
走査していたが、矩形領域１０内の全部の画素を走査す
るようにしてもよい。

【００４６】また、上記Ｂａｄマーク検出エリアにおけ
る２値化レベル以上の画素の数をカウントしていたが、
Ｂａｄマーク検出エリアにおける２値化レベル以下の画
素の数をカウントしてもよい。

【００４７】また、上記隅部１０ａ，１０”ａにおける
２値化レベル以上の画素の総数と、隅部１０ｄ，１０”
ｄにおける２値化レベル以上の画素の総数とを比較する
と共に、隅部１０ｂ，１０”ｂにおける２値化レベル以
上の画素の総数と、隅部１０ｃ，１０”ｃにおける２値
化レベル以上の画素の総数とを比較していたが、隅部１
０ａ，１０”ａにおける２値化レベル以下の画素の総数
と、隅部１０ｄ，１０”ｄにおける２値化レベル以下の
画素の総数とを比較すると共に、隅部１０ｂ，１０”ｂ
における２値化レベル以下の画素の総数と、隅部１０ｃ
における２値化レベル以下の画素の総数とを比較しても
よい。

【００４８】また、本発明の半導体素子の検査方法の工
程をコンピュータに実行させる半導体素子の検査プログ
ラムは、例えば、ＦＤ（フロッピーディスク）、ＣＤ
（コンパクトディスク）、ＭＯ（光磁気）ディスク、Ｄ
ＶＤ（デジタル万能ディスク）などの記録媒体に記録さ
れていてもよい。

【００４９】

【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の半導
体素子の検査方法は、撮像装置により撮像された半導体
素子の画像の輪郭に外接する矩形領域を求め、この矩形
領域内の一部または全部である走査領域の画素を走査す
るから、従来の半導体素子の検査方法よりも走査範囲が
狭く、走査時間が短くなり、半導体素子の良否の判定に
要する時間を短縮できる。

【００５０】一実施形態の半導体素子の検査方法は、上
記撮像装置が撮像した画像が半導体素子の画像であるか
否かの判定を矩形領域の面積に基づいて行うから、例え
ばゴミなどが半導体素子として認識される恐れがなくな
り、検査の信頼性を向上できる。

【００５１】一実施形態の半導体素子の検査方法は、上
記走査領域のうちの一つは半導体素子の輪郭内に位置す
るから、走査領域のうちの一つを走査する時間は短く、
半導体素子の良否の判定にかかる時間を短縮できる。

【００５２】一実施形態の半導体素子の検査方法は、上
記矩形領域において互いに対向する対角位置にある隅部
の画素を走査するから、半導体素子のチップ欠けを確実
に検出することができる。

【００５３】一実施形態の半導体素子の検査方法は、上
記矩形領域において２組の互いに対向する対角位置にあ
る隅部の画素を走査するから、検査の信頼性が向上し、
半導体素子のチップ欠けを確実に検出することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の実施の一形態の半導体素子の
検査方法を行うために用いられる検査装置の構成を示す
ブロック図である。

【図２】 図２は上記半導体素子の検査方法におけるチ
ップ有無検出の工程を説明するための図である。

【図３】 図３は上記半導体素子の検査方法におけるチ
ップエッジ検出の工程を説明するための図である。

【図４】 図４は上記半導体素子の輪郭に外接する矩形
領域を求める工程を説明するための図である。

【図５】 図５は上記半導体素子の検査方法におけるＢ
ａｄマーク検出の工程を説明するための図である。

【図６】 図６は上記半導体素子の検査方法におけるチ
ップ欠け判定の工程を説明するための図である。

【図７】 図７は上記半導体素子の検査方法におけるチ
ップ欠け判定の工程を説明するための図である。

【図８】 図８は上記半導体素子の検査方法のフローチ
ャートを示す図である。

【符号の説明】

１，１’，１” 半導体素子 ２ カメラ １０，１０” 矩形領域

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA03 AA12 AA14 AA54 BB02 CC20 DD06 DD07 FF04 JJ03 JJ19 QQ04 QQ24 QQ31 QQ38 RR02 RR07 SS04 2G051 AA61 AB03 CA04 DA15 EA11 EA14 ED22 ED23 5F047 FA74

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 撮像装置に半導体素子を撮像させる工程
   と、 上記撮像装置の撮像により得られた画像から、上記半導
   体素子の輪郭を抽出する工程と、 上記半導体素子の輪郭に外接する矩形領域を求める工程
   と、 上記矩形領域内の一部または全部である走査領域を走査
   して、上記走査領域の画素の２値データに基いて、上記
   半導体素子の良否を判定する工程とを備えたことを特徴
   とする半導体素子の検査方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体素子の検査方法
   において、 上記矩形領域の面積を求める工程と、 上記矩形領域の面積と基準値とを比較して、上記撮像装
   置が撮像した上記画像が上記半導体素子の画像であるか
   否かを判定する工程とを備えたことを特徴とする半導体
   素子の検査方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の半導体素子の
   検査方法において、 上記半導体素子の良否を判定する工程における上記走査
   領域のうちの一つは上記半導体素子の輪郭内に位置する
   ことを特徴とする半導体素子の検査方法。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
   半導体素子の検査方法において、 上記半導体素子の良否を判定する工程における上記走査
   領域のうちの少なくとも二つは、上記矩形領域において
   互いに対向する対角位置にある隅部であって、 上記隅部の画素の２値データに基づいて、上記半導体素
   子の良否を判定することを特徴とする半導体素子の検査
   方法。
5. 【請求項５】 請求項５に記載の半導体素子の検査方法
   において、 上記半導体素子の良否を判定する工程における上記走査
   領域は、２組の上記互いに対向する対角位置にある隅部
   であることを特徴とする半導体素子の検査方法。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１つに記載の
   半導体素子の検査方法の工程をコンピュータに実行させ
   るための半導体素子の検査プログラム。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の半導体素子の検査プロ
   グラムが記録された記録媒体。