JP2002299769A - 半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置およびその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温高出力動作時においても高い信頼性を有
するＧａＮ系半導体レーザ装置およびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 窒化物半導体からなる基板の裏面を異方
性エッチングして凹凸面とし、表面積を約３倍以上に増
加させる。
するＧａＮ系半導体レーザ装置およびその製造方法を提
供する。 【解決手段】 窒化物半導体からなる基板の裏面を異方
性エッチングして凹凸面とし、表面積を約３倍以上に増
加させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光情報処理分野など
への応用が期待されている窒化ガリウム（ＧａＮ）系短
波長半導体レーザおよびその製造方法に関するものであ
る。
への応用が期待されている窒化ガリウム（ＧａＮ）系短
波長半導体レーザおよびその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】V族元素として窒素（Ｎ）を有する窒化
物半導体は、そのバンドギャップの大きさから、短波長
発光素子の材料として有望視されている。中でも、DVD
等の光ディスク装置の大容量化を目指して、４００ｎｍ
帯を発振波長とする半導体レーザが熱望されている。特
にＧａＮ系窒化物半導体（ＡｌxＧａyＩｎzＮ（０≦ｘ,
ｙ, ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１））から構成されるレーザ
は研究が盛んに行われ、現在では実用レベルに達しつつ
ある。
物半導体は、そのバンドギャップの大きさから、短波長
発光素子の材料として有望視されている。中でも、DVD
等の光ディスク装置の大容量化を目指して、４００ｎｍ
帯を発振波長とする半導体レーザが熱望されている。特
にＧａＮ系窒化物半導体（ＡｌxＧａyＩｎzＮ（０≦ｘ,
ｙ, ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１））から構成されるレーザ
は研究が盛んに行われ、現在では実用レベルに達しつつ
ある。
【０００３】図１はＧａＮ系半導体レーザ素子の共振器
に直交する断面の構造図である。ＧａＮ基板１０１上に
有機金属気相成長法により、ｎ−ＡｌＧａＮコンタクト
層１０２、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０３、ｎ−Ｇａ
Ｎ光ガイド層１０４、Ｇａ1- xＩｎxＮ/Ｇａ1-yＩｎyＮ
（０＜ｙ＜ｘ＜１）からなる多重量子井戸（ＭＱＷ）活
性層１０５、ｐ−ＧａＮ光ガイド層１０６、ｐ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層１０７、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０８
が成長される。そしてｐ−ＧａＮコンタクト層１０８上
に幅約２μｍのリッジストライプが形成され、その両側
は絶縁膜１１０によって埋め込まれる。その後リッジス
トライプおよび絶縁膜１１０上に、例えばＮｉ／Ａｕか
らなるｐ電極１０９、また一部をｎ−ＡｌＧａＮコンタ
クト層１０２が露出するまでエッチングした表面に例え
ばＴｉ／Ａｌからなるｎ電極１１１が形成される。
に直交する断面の構造図である。ＧａＮ基板１０１上に
有機金属気相成長法により、ｎ−ＡｌＧａＮコンタクト
層１０２、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０３、ｎ−Ｇａ
Ｎ光ガイド層１０４、Ｇａ1- xＩｎxＮ/Ｇａ1-yＩｎyＮ
（０＜ｙ＜ｘ＜１）からなる多重量子井戸（ＭＱＷ）活
性層１０５、ｐ−ＧａＮ光ガイド層１０６、ｐ−ＡｌＧ
ａＮクラッド層１０７、ｐ−ＧａＮコンタクト層１０８
が成長される。そしてｐ−ＧａＮコンタクト層１０８上
に幅約２μｍのリッジストライプが形成され、その両側
は絶縁膜１１０によって埋め込まれる。その後リッジス
トライプおよび絶縁膜１１０上に、例えばＮｉ／Ａｕか
らなるｐ電極１０９、また一部をｎ−ＡｌＧａＮコンタ
クト層１０２が露出するまでエッチングした表面に例え
ばＴｉ／Ａｌからなるｎ電極１１１が形成される。
【０００４】ｎ電極１１１を接地し、ｐ電極１０９に電
圧を印加して電流を注入すると、ＭＱＷ活性層１０５内
で電子とホールが再結合して発光し、光学利得を生じ、
波長４００ｎｍ付近でレーザ発振を起こす。ＭＱＷ活性
層１０５を構成するＧａ1-xＩｎxＮ/Ｇａ1-yＩｎyＮ薄
膜の組成や膜厚によって発振波長は制御される。
圧を印加して電流を注入すると、ＭＱＷ活性層１０５内
で電子とホールが再結合して発光し、光学利得を生じ、
波長４００ｎｍ付近でレーザ発振を起こす。ＭＱＷ活性
層１０５を構成するＧａ1-xＩｎxＮ/Ｇａ1-yＩｎyＮ薄
膜の組成や膜厚によって発振波長は制御される。
【０００５】例えば「Jpn. J. Appl. Phys.第３９巻第L
６４７ページ」には、上記のようなＧａＮ系半導体レー
ザの推定寿命は、６０℃３０ｍW出力CW動作時において
１５０００時間であると開示されている。この例では、
レーザ構造の結晶成長に先立ち、ＧａＮ基板１０１上に
選択横方向成長を行い、電流が注入されるストライプ状
の活性層領域に存在する転位密度を７×１０5ｃｍ-2に
低減させることにより、素子の信頼性を向上させてい
る。
６４７ページ」には、上記のようなＧａＮ系半導体レー
ザの推定寿命は、６０℃３０ｍW出力CW動作時において
１５０００時間であると開示されている。この例では、
レーザ構造の結晶成長に先立ち、ＧａＮ基板１０１上に
選択横方向成長を行い、電流が注入されるストライプ状
の活性層領域に存在する転位密度を７×１０5ｃｍ-2に
低減させることにより、素子の信頼性を向上させてい
る。
【０００６】一般に、半導体レーザ素子のサイズは数百
μｍ角であり、レーザ共振器面は半導体結晶の劈開によ
り作製される。結晶成長工程、素子化工程では基板のハ
ンドリングが容易である等の理由により基板厚さは数百
μｍ程度が選ばれているが、数百μｍの共振器長を高い
歩留りで劈開するためには、劈開工程に先立って、基板
の厚さが５０〜１５０μｍ程度になるまで基板の裏面側
を研磨あるいはエッチングして薄くする必要がある。こ
のようにして得られる面は、通常平坦である。基板裏面
側の電極はこの平坦面上に形成される。
μｍ角であり、レーザ共振器面は半導体結晶の劈開によ
り作製される。結晶成長工程、素子化工程では基板のハ
ンドリングが容易である等の理由により基板厚さは数百
μｍ程度が選ばれているが、数百μｍの共振器長を高い
歩留りで劈開するためには、劈開工程に先立って、基板
の厚さが５０〜１５０μｍ程度になるまで基板の裏面側
を研磨あるいはエッチングして薄くする必要がある。こ
のようにして得られる面は、通常平坦である。基板裏面
側の電極はこの平坦面上に形成される。
【０００７】半導体レーザ素子に通電すると、ｐｎ接合
部の温度が上昇する。温度上昇は、光出力や発振波長等
の発振特性を変化させるだけでなく、素子寿命に多大な
影響を及ぼす。したがって、高出力レーザ等の高い動作
電流を必要とするレーザ素子をパッケージに実装する際
は、放熱特性を向上させるために、素子のｐｎ接合面側
をヒートシンクにボンディングする、つまり素子の基板
裏面側を露出させる、いわゆるジャンクションダウン配
置で実装するのが一般的である。一例を図２に示す。こ
れは、サブマウント１１３を介してヒートシンク１１４
に実装されている例である。
部の温度が上昇する。温度上昇は、光出力や発振波長等
の発振特性を変化させるだけでなく、素子寿命に多大な
影響を及ぼす。したがって、高出力レーザ等の高い動作
電流を必要とするレーザ素子をパッケージに実装する際
は、放熱特性を向上させるために、素子のｐｎ接合面側
をヒートシンクにボンディングする、つまり素子の基板
裏面側を露出させる、いわゆるジャンクションダウン配
置で実装するのが一般的である。一例を図２に示す。こ
れは、サブマウント１１３を介してヒートシンク１１４
に実装されている例である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＧａＡｓやＩｎＰ等を
基板に用いた従来の半導体レーザ素子に比べて、ＧａＮ
等の窒化物半導体を基板に用いた半導体レーザ素子で
は、基板の熱伝導率は約１．５Ｗ／ｃｍＫと約２倍以上
高く、良好な放熱特性を有するので、半導体レーザ装置
のサーマルマネジメントは比較的容易である。
基板に用いた従来の半導体レーザ素子に比べて、ＧａＮ
等の窒化物半導体を基板に用いた半導体レーザ素子で
は、基板の熱伝導率は約１．５Ｗ／ｃｍＫと約２倍以上
高く、良好な放熱特性を有するので、半導体レーザ装置
のサーマルマネジメントは比較的容易である。
【０００９】しかしながら、今後は窒化物半導体レーザ
においてもより高温動作かつ高出力動作を求められるこ
とが予測される。そこで、本願発明者が検討した結果、
上述した従来技術で構成されたＧａＮ系半導体レーザ装
置では、例えば６０℃３０ｍＷ出力動作時に比べて８０
℃６０ｍＷ出力動作時に素子寿命が極端に短くなること
がわかった。高温領域での電流−光出力特性において、
発振閾電流値の増加は顕著ではない（つまり、特性温度
の低下は顕著ではない）が、５０〜１００ｍＷ程度の高
出力時にスロープ効率が低下することが認められたの
で、熱飽和が生じ始めていると考えられた。この現象は
不十分な放熱特性に起因するものと考えられる。
においてもより高温動作かつ高出力動作を求められるこ
とが予測される。そこで、本願発明者が検討した結果、
上述した従来技術で構成されたＧａＮ系半導体レーザ装
置では、例えば６０℃３０ｍＷ出力動作時に比べて８０
℃６０ｍＷ出力動作時に素子寿命が極端に短くなること
がわかった。高温領域での電流−光出力特性において、
発振閾電流値の増加は顕著ではない（つまり、特性温度
の低下は顕著ではない）が、５０〜１００ｍＷ程度の高
出力時にスロープ効率が低下することが認められたの
で、熱飽和が生じ始めていると考えられた。この現象は
不十分な放熱特性に起因するものと考えられる。
【００１０】本発明は上記の事情を鑑みてなされたもの
であり、高温高出力動作時においても信頼性の高い窒化
物半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置およびそ
の製造方法を提供するものである。特に光ディスク用レ
ーザ装置への応用において効果的である。
であり、高温高出力動作時においても信頼性の高い窒化
物半導体レーザ素子を用いた半導体レーザ装置およびそ
の製造方法を提供するものである。特に光ディスク用レ
ーザ装置への応用において効果的である。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体レーザ装置は、窒化物半導体レーザ
素子がジャンクションダウン配置で実装された半導体レ
ーザ装置であって、窒化物半導体レーザ素子の基板裏面
が凹凸面である。前記構成においては、凹凸面が六角錘
状ファセット、六角錘台状ファセットあるいは柱状孔か
らなる。
め、本発明の半導体レーザ装置は、窒化物半導体レーザ
素子がジャンクションダウン配置で実装された半導体レ
ーザ装置であって、窒化物半導体レーザ素子の基板裏面
が凹凸面である。前記構成においては、凹凸面が六角錘
状ファセット、六角錘台状ファセットあるいは柱状孔か
らなる。
【００１２】また、窒化物半導体レーザ素子の基板が窒
化物半導体からなることが好ましい。前記構成において
は、窒化物半導体からなる基板の裏面にｐ型あるいはｎ
型の電極が形成されていることが好ましい。さらに、窒
化物半導体からなる基板の裏面が−c極性面であること
が好ましい。
化物半導体からなることが好ましい。前記構成において
は、窒化物半導体からなる基板の裏面にｐ型あるいはｎ
型の電極が形成されていることが好ましい。さらに、窒
化物半導体からなる基板の裏面が−c極性面であること
が好ましい。
【００１３】別の本発明の半導体レーザ装置は、窒化物
半導体レーザ素子がジャンクションダウン配置あるいは
ジャンクションアップ配置で実装された半導体レーザ装
置であって、素子の表面、裏面のいずれもがサブマウン
トあるいはヒートシンクに固着されている。
半導体レーザ素子がジャンクションダウン配置あるいは
ジャンクションアップ配置で実装された半導体レーザ装
置であって、素子の表面、裏面のいずれもがサブマウン
トあるいはヒートシンクに固着されている。
【００１４】また、本発明の半導体レーザ装置の製造方
法は、窒化物半導体からなる基板上に半導体レーザ装置
を製造する方法であって、基板裏面を異方性エッチング
することにより凹凸面を得る工程を含む。
法は、窒化物半導体からなる基板上に半導体レーザ装置
を製造する方法であって、基板裏面を異方性エッチング
することにより凹凸面を得る工程を含む。
【００１５】また、少なくともリン酸を含有する薬液を
用いて基板裏面を処理する工程を含む。前記構成におい
ては、リン酸がトリリン酸、メタリン酸、トリメタリン
酸、テトラメタリン酸、ピロリン酸、オルトリン酸の内
から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。
用いて基板裏面を処理する工程を含む。前記構成におい
ては、リン酸がトリリン酸、メタリン酸、トリメタリン
酸、テトラメタリン酸、ピロリン酸、オルトリン酸の内
から選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。
【００１６】また、オルトリン酸、硝酸および水を含有
する薬液を用いて基板裏面をエッチングすることにより
凹凸面を得る工程を含む。前記構成においては、薬液の
温度が１００℃以上２５０℃以下であることが好まし
い。
する薬液を用いて基板裏面をエッチングすることにより
凹凸面を得る工程を含む。前記構成においては、薬液の
温度が１００℃以上２５０℃以下であることが好まし
い。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて詳細に説明する。
て図面を用いて詳細に説明する。
【００１８】（実施例１）図３は本発明の一実施の形態
による半導体レーザ装置を模式的に示す図である。Ｇａ
Ｎ系半導体レーザ素子がサブマウント１１３を介してジ
ャンクションダウン配置でヒートシンク１１４に実装さ
れている状態を共振器に直交する断面で模式的に示した
ものである。半導体レーザ素子はｎ−ＡｌＧａＮ基板１
１５上にｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０３、ｎ−ＧａＮ
光ガイド層１０４、ＧａＩｎＮ／ＧａＮからなるＭＱＷ
活性層１０５、ｐ−ＧａＮ光ガイド層１０６、リッジ状
のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７およびｐ−ＧａＮコ
ンタクト層１０８が順次積層されており、リッジの両側
は絶縁膜１１０によって埋め込まれ、ｐ電極１０９がｐ
−ＧａＮコンタクト層１０８上に、ｎ電極１１１がｎ−
ＡｌＧａＮ基板１１５裏面（すなわち、活性層が形成さ
れている側の面と異なる面）にそれぞれ形成されてな
る。
による半導体レーザ装置を模式的に示す図である。Ｇａ
Ｎ系半導体レーザ素子がサブマウント１１３を介してジ
ャンクションダウン配置でヒートシンク１１４に実装さ
れている状態を共振器に直交する断面で模式的に示した
ものである。半導体レーザ素子はｎ−ＡｌＧａＮ基板１
１５上にｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０３、ｎ−ＧａＮ
光ガイド層１０４、ＧａＩｎＮ／ＧａＮからなるＭＱＷ
活性層１０５、ｐ−ＧａＮ光ガイド層１０６、リッジ状
のｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７およびｐ−ＧａＮコ
ンタクト層１０８が順次積層されており、リッジの両側
は絶縁膜１１０によって埋め込まれ、ｐ電極１０９がｐ
−ＧａＮコンタクト層１０８上に、ｎ電極１１１がｎ−
ＡｌＧａＮ基板１１５裏面（すなわち、活性層が形成さ
れている側の面と異なる面）にそれぞれ形成されてな
る。
【００１９】ｎ−ＡｌＧａＮ基板１１５の裏面が凹凸面
であることに本実施例のポイントがある。凹凸面は六角
錘状ファセット１１６、六角錘台状ファセット１１７あ
るいは柱状孔１１８からなる。このレーザ装置の製造工
程は順次、結晶成長、ドライエッチング、ｐ電極蒸着、
基板裏面研磨、基板裏面処理、ｎ電極蒸着、劈開、端面
コーティング、素子分離、実装等の各工程からなるが、
本発明のポイントは基板裏面処理工程にある。
であることに本実施例のポイントがある。凹凸面は六角
錘状ファセット１１６、六角錘台状ファセット１１７あ
るいは柱状孔１１８からなる。このレーザ装置の製造工
程は順次、結晶成長、ドライエッチング、ｐ電極蒸着、
基板裏面研磨、基板裏面処理、ｎ電極蒸着、劈開、端面
コーティング、素子分離、実装等の各工程からなるが、
本発明のポイントは基板裏面処理工程にある。
【００２０】レーザ素子作製に用いるｎ−ＡｌＧａＮ基
板１１５は、例えば直径２インチ、厚さ約３００μｍ、
Ａｌ混晶比３％、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3（ドー
パントはＳｉ）、面方位（０００１）である。基板裏面
研磨工程まで終了したｎ−ＡｌＧａＮ基板１１５の表面
側にはレーザ素子構造が形成されており、裏面研磨によ
り基板厚さが約１００μｍとなっている。基板裏面処理
は、例えば１６０℃のオルトリン酸に２分間浸漬して行
う。表面全面を覆っているｐ電極１０９およびＧａＮ系
半導体の（０００１）面は、この条件ではオルトリン酸
にほとんど侵されないが、この実施の形態と異なる素子
構造を採用する場合やこれよりも過酷な処理条件を採用
する場合には、必要に応じて、オルトリン酸に侵されな
いよう表面全面をＳｉＯ2膜等で保護しておくことがで
きる。
板１１５は、例えば直径２インチ、厚さ約３００μｍ、
Ａｌ混晶比３％、キャリア濃度１×１０18ｃｍ-3（ドー
パントはＳｉ）、面方位（０００１）である。基板裏面
研磨工程まで終了したｎ−ＡｌＧａＮ基板１１５の表面
側にはレーザ素子構造が形成されており、裏面研磨によ
り基板厚さが約１００μｍとなっている。基板裏面処理
は、例えば１６０℃のオルトリン酸に２分間浸漬して行
う。表面全面を覆っているｐ電極１０９およびＧａＮ系
半導体の（０００１）面は、この条件ではオルトリン酸
にほとんど侵されないが、この実施の形態と異なる素子
構造を採用する場合やこれよりも過酷な処理条件を採用
する場合には、必要に応じて、オルトリン酸に侵されな
いよう表面全面をＳｉＯ2膜等で保護しておくことがで
きる。
【００２１】処理後のｎ−ＡｌＧａＮ基板１１５裏面の
光学顕微鏡像を図４および図５に示す。図４には、図３
で断面を模式的に示した六角錘状ファセット１１６、六
角錘台状ファセット１１７あるいは柱状孔１１８が示さ
れている。基板裏面の全面が径約数十〜数百μｍ程度、
深さ約数〜１０μｍ程度の六角錘および六角錘台で覆わ
れていることがわかる。また、図５には柱状孔１１８が
示されている。柱状孔１１８の形状は直径５μｍ前後の
六角形ないし円形で、深さは約１０〜２０μｍ程度であ
る。密度は約２×１０6ｃｍ-2である。密集している部
分では独立な柱状孔が重なり合って大きな孔となってい
る。
光学顕微鏡像を図４および図５に示す。図４には、図３
で断面を模式的に示した六角錘状ファセット１１６、六
角錘台状ファセット１１７あるいは柱状孔１１８が示さ
れている。基板裏面の全面が径約数十〜数百μｍ程度、
深さ約数〜１０μｍ程度の六角錘および六角錘台で覆わ
れていることがわかる。また、図５には柱状孔１１８が
示されている。柱状孔１１８の形状は直径５μｍ前後の
六角形ないし円形で、深さは約１０〜２０μｍ程度であ
る。密度は約２×１０6ｃｍ-2である。密集している部
分では独立な柱状孔が重なり合って大きな孔となってい
る。
【００２２】基板裏面の面方位は（０００−１）面、つ
まり−ｃ極性面である。−ｃ極性面とは、図６に示す六
方晶ＧａＮ結晶構造において４本のＧａ−Ｎ結合の内３
本が下を向いている方の面である。ＧａＮ系半導体の表
面原子再配列構造は不明であるが、−ｃ極性面が＋ｃ極
性面よりもオルトリン酸に侵されやすいのは、ダングリ
ングボンドの構成の違いに起因して、−ｃ極性面の方が
オルトリン酸と反応しやすく、Ｇａ3ＰＯ4等のリン酸ガ
リウム塩を生成しやすいためである。柱状孔１１８が形
成される理由は不明であるが、その密度を考慮すると、
転位が速やかにエッチングされたものと考えることがで
きる。
まり−ｃ極性面である。−ｃ極性面とは、図６に示す六
方晶ＧａＮ結晶構造において４本のＧａ−Ｎ結合の内３
本が下を向いている方の面である。ＧａＮ系半導体の表
面原子再配列構造は不明であるが、−ｃ極性面が＋ｃ極
性面よりもオルトリン酸に侵されやすいのは、ダングリ
ングボンドの構成の違いに起因して、−ｃ極性面の方が
オルトリン酸と反応しやすく、Ｇａ3ＰＯ4等のリン酸ガ
リウム塩を生成しやすいためである。柱状孔１１８が形
成される理由は不明であるが、その密度を考慮すると、
転位が速やかにエッチングされたものと考えることがで
きる。
【００２３】ｎ−ＡｌＧａＮ基板１１５裏面の表面積を
測定したところ、処理前は２０．1ｃｍ2であったのに対
して、処理後は７５．６ｃｍ2と３倍以上増加している
ことがわかった。柱状孔１１８の形成による表面積増加
の寄与が大きいものと推察される。
測定したところ、処理前は２０．1ｃｍ2であったのに対
して、処理後は７５．６ｃｍ2と３倍以上増加している
ことがわかった。柱状孔１１８の形成による表面積増加
の寄与が大きいものと推察される。
【００２４】基板裏面処理工程の後、ｎ−ＡｌＧａＮ基
板１１５裏面にｎ電極１１１を蒸着し、７５０μｍ間隔
でバー状に劈開を行った。劈開歩留まりには基板裏面が
凹凸であることは影響しなかった。さらに後端面の高反
射率コーティング、素子分離を行い、サブマウント１１
３を介してヒートシンク１１４にジャンクションダウン
配置で実装した。
板１１５裏面にｎ電極１１１を蒸着し、７５０μｍ間隔
でバー状に劈開を行った。劈開歩留まりには基板裏面が
凹凸であることは影響しなかった。さらに後端面の高反
射率コーティング、素子分離を行い、サブマウント１１
３を介してヒートシンク１１４にジャンクションダウン
配置で実装した。
【００２５】半導体レーザ装置の放熱特性を評価するた
めに熱抵抗を測定したところ、比較のため基板裏面処理
を行わずに作製した半導体レーザ装置では、約２５〜３
５℃／Ｗであったのに対して、本発明に基づく基板裏面
処理を行ったものでは約１５〜２５℃／Ｗと向上してい
た。そのため、例えば１００℃ＣＷ動作時の電流−光出
力特性には改善が見られ、従来の課題であった５０〜１
００ｍＷ出力動作時におけるスロープ効率の低下は認め
られなくなった。さらに、８０℃６０ｍＷ出力動作時の
素子寿命は伸張した。
めに熱抵抗を測定したところ、比較のため基板裏面処理
を行わずに作製した半導体レーザ装置では、約２５〜３
５℃／Ｗであったのに対して、本発明に基づく基板裏面
処理を行ったものでは約１５〜２５℃／Ｗと向上してい
た。そのため、例えば１００℃ＣＷ動作時の電流−光出
力特性には改善が見られ、従来の課題であった５０〜１
００ｍＷ出力動作時におけるスロープ効率の低下は認め
られなくなった。さらに、８０℃６０ｍＷ出力動作時の
素子寿命は伸張した。
【００２６】以上、本実施例に基づき、基板裏面の表面
積を拡大させたことにより放熱特性が改善され、高温高
出力動作時の信頼性を向上させることができた。
積を拡大させたことにより放熱特性が改善され、高温高
出力動作時の信頼性を向上させることができた。
【００２７】なお、本実施例では、基板としてｎ−Ａｌ
ＧａＮを用いた場合について説明したが、ＧａＮやある
いはその他の窒化物半導体、例えばＧａＩｎＮ等を用い
ても同様の効果を得ることができる。さらには、窒化物
半導体以外の基板、例えばＳｉＣ、Ｓｉ、Ａｌ2Ｏ3等を
用いてもよい。この場合、それぞれの基板に凹凸面を形
成するための適当な裏面処理方法が用いられる。
ＧａＮを用いた場合について説明したが、ＧａＮやある
いはその他の窒化物半導体、例えばＧａＩｎＮ等を用い
ても同様の効果を得ることができる。さらには、窒化物
半導体以外の基板、例えばＳｉＣ、Ｓｉ、Ａｌ2Ｏ3等を
用いてもよい。この場合、それぞれの基板に凹凸面を形
成するための適当な裏面処理方法が用いられる。
【００２８】基板の導電型については、ｎ型だけでな
く、ｐ型あるいは半絶縁性であってもよい。また、基板
の極性については、窒化物半導体基板の裏面が−ｃ極性
面の場合だけでなく、＋ｃ極性面の場合であってもよ
い。ただし、この場合は前述のように、より過酷な裏面
処理条件が必要となる。
く、ｐ型あるいは半絶縁性であってもよい。また、基板
の極性については、窒化物半導体基板の裏面が−ｃ極性
面の場合だけでなく、＋ｃ極性面の場合であってもよ
い。ただし、この場合は前述のように、より過酷な裏面
処理条件が必要となる。
【００２９】また、本実施例では、基板裏面に電極が形
成されている素子について説明したが、図１および図２
に示したような基板表面側にｐ型、ｎ型両電極が形成さ
れている素子の場合でも、同様の効果を得ることができ
る。
成されている素子について説明したが、図１および図２
に示したような基板表面側にｐ型、ｎ型両電極が形成さ
れている素子の場合でも、同様の効果を得ることができ
る。
【００３０】本実施例では、窒化物半導体基板の裏面処
理にオルトリン酸を用いたが、オルトリン酸（Ｈ3Ｐ
Ｏ4）は加熱によって脱水縮合してピロリン酸（Ｈ4Ｐ2
Ｏ7）、トリリン酸（Ｈ5Ｐ3Ｏ10）、メタリン酸（ＨＰ
Ｏ3）となり、メタリン酸は多量体化して通常トリメタ
リン酸（Ｈ3Ｐ3Ｏ9）、テトラメタリン酸（Ｈ4Ｐ
4Ｏ12）として存在するので、これらのリン酸類を少な
くとも含む薬液を用いた場合でも、同様の効果を得るこ
とができる。窒化物半導体はこれらのリン酸類と反応し
て、リン酸ガリウムのキレート化合物を生成しやすいた
めである。
理にオルトリン酸を用いたが、オルトリン酸（Ｈ3Ｐ
Ｏ4）は加熱によって脱水縮合してピロリン酸（Ｈ4Ｐ2
Ｏ7）、トリリン酸（Ｈ5Ｐ3Ｏ10）、メタリン酸（ＨＰ
Ｏ3）となり、メタリン酸は多量体化して通常トリメタ
リン酸（Ｈ3Ｐ3Ｏ9）、テトラメタリン酸（Ｈ4Ｐ
4Ｏ12）として存在するので、これらのリン酸類を少な
くとも含む薬液を用いた場合でも、同様の効果を得るこ
とができる。窒化物半導体はこれらのリン酸類と反応し
て、リン酸ガリウムのキレート化合物を生成しやすいた
めである。
【００３１】なお、オルトリン酸が脱水縮合するのを抑
制するためには、これに硝酸および水を加えておくこと
が好ましい。これにより、窒化物半導体からなる基板裏
面を安定かつ再現性よくエッチングして凹凸面を得るこ
とができる。この薬液の温度は１００℃未満では反応性
に乏しく、２５０℃を超えると脱水縮合が進むので１０
０℃以上２５０℃以下で用いるのが好ましい。
制するためには、これに硝酸および水を加えておくこと
が好ましい。これにより、窒化物半導体からなる基板裏
面を安定かつ再現性よくエッチングして凹凸面を得るこ
とができる。この薬液の温度は１００℃未満では反応性
に乏しく、２５０℃を超えると脱水縮合が進むので１０
０℃以上２５０℃以下で用いるのが好ましい。
【００３２】さらに、基板裏面に凹凸面を設ける方法と
して、リン酸処理以外に、溶融アルカリ処理等窒化物半
導体と反応しやすいウェットエッチングの方法を選ぶこ
とができる。また、異方性エッチングとなるような反応
性を有するドライエッチングを用いてもよい。
して、リン酸処理以外に、溶融アルカリ処理等窒化物半
導体と反応しやすいウェットエッチングの方法を選ぶこ
とができる。また、異方性エッチングとなるような反応
性を有するドライエッチングを用いてもよい。
【００３３】（実施例２）図７は本発明の他の実施の形
態による半導体レーザ装置を模式的に示す図である。Ｇ
ａＮ系半導体レーザ素子がサブマウント１１３を介して
ジャンクションダウン配置でヒートシンク１１４に実装
されている状態を共振器に直交する断面で模式的に示し
たものである。半導体レーザ素子はＧａＮ基板１０１上
にｎ−ＡｌＧａＮコンタクト層１０２、ｎ−ＡｌＧａＮ
クラッド層１０３、ｎ−ＧａＮ光ガイド層１０４、Ｇａ
ＩｎＮ／ＧａＮからなるＭＱＷ活性層１０５、ｐ−Ｇａ
Ｎ光ガイド層１０６、リッジ状のｐ−ＡｌＧａＮクラッ
ド層１０７およびｐ−ＧａＮコンタクト層１０８が順次
積層されており、リッジの両側は絶縁膜１１０によって
埋め込まれ、ｐ電極１０９がｐ−ＧａＮコンタクト層１
０８上に、ｎ電極１１１がｎ−ＡｌＧａＮコンタクト層
１０２までエッチングされた表面上にそれぞれ形成され
てなる。
態による半導体レーザ装置を模式的に示す図である。Ｇ
ａＮ系半導体レーザ素子がサブマウント１１３を介して
ジャンクションダウン配置でヒートシンク１１４に実装
されている状態を共振器に直交する断面で模式的に示し
たものである。半導体レーザ素子はＧａＮ基板１０１上
にｎ−ＡｌＧａＮコンタクト層１０２、ｎ−ＡｌＧａＮ
クラッド層１０３、ｎ−ＧａＮ光ガイド層１０４、Ｇａ
ＩｎＮ／ＧａＮからなるＭＱＷ活性層１０５、ｐ−Ｇａ
Ｎ光ガイド層１０６、リッジ状のｐ−ＡｌＧａＮクラッ
ド層１０７およびｐ−ＧａＮコンタクト層１０８が順次
積層されており、リッジの両側は絶縁膜１１０によって
埋め込まれ、ｐ電極１０９がｐ−ＧａＮコンタクト層１
０８上に、ｎ電極１１１がｎ−ＡｌＧａＮコンタクト層
１０２までエッチングされた表面上にそれぞれ形成され
てなる。
【００３４】本実施例のポイントは、ＧａＮ基板１０１
の裏面にもヒートシンク１１４が設けられている点であ
る。これにより、裏面からの放熱特性が向上する。サブ
マウント１１３およびヒートシンク１１４は、熱伝導率
の高い物質群の中から、実装に伴う熱歪み発生を抑える
よう半導体レーザ素子との熱膨張係数差を考慮されて選
ばれる。通常サブマウント１１３にはダイヤモンド、Ｓ
ｉＣ、Ｓｉ、ＡｌＮ等が用いられる。ヒートシンク１１
４は、半導体レーザ装置のパッケージ中でポストに相当
する部分であるが、Ｃｕ、コバール等の金属が用いられ
る。さらに、基板裏面に設けるヒートシンク１１４は放
射率が高いことが望ましく、通常、金属でよい。
の裏面にもヒートシンク１１４が設けられている点であ
る。これにより、裏面からの放熱特性が向上する。サブ
マウント１１３およびヒートシンク１１４は、熱伝導率
の高い物質群の中から、実装に伴う熱歪み発生を抑える
よう半導体レーザ素子との熱膨張係数差を考慮されて選
ばれる。通常サブマウント１１３にはダイヤモンド、Ｓ
ｉＣ、Ｓｉ、ＡｌＮ等が用いられる。ヒートシンク１１
４は、半導体レーザ装置のパッケージ中でポストに相当
する部分であるが、Ｃｕ、コバール等の金属が用いられ
る。さらに、基板裏面に設けるヒートシンク１１４は放
射率が高いことが望ましく、通常、金属でよい。
【００３５】基板裏面に設けるヒートシンクの形状は、
図７に示したような平板状でもよいが、図８に示すよう
に、ヒートシンクの表面積を増加させるためにくし型状
としてもよい。また、図９に示すように、熱伝導性を高
めるために基板裏面を覆う金属パッド１１９を介してポ
ストのヒートシンク１１４に接続してもよい。
図７に示したような平板状でもよいが、図８に示すよう
に、ヒートシンクの表面積を増加させるためにくし型状
としてもよい。また、図９に示すように、熱伝導性を高
めるために基板裏面を覆う金属パッド１１９を介してポ
ストのヒートシンク１１４に接続してもよい。
【００３６】半導体レーザ装置の放熱特性を評価するた
めに熱抵抗を測定したところ、比較のため基板裏面にヒ
ートシンクを設けずに作製した半導体レーザ装置では、
約２５〜３５℃／Ｗであったのに対して、本実施例に基
づきヒートシンクを固着させたものでは約１５〜２５℃
／Ｗと向上していた。そのため、例えば１００℃ＣＷ動
作時の電流−光出力特性には改善が見られ、従来の課題
であった５０〜１００ｍＷ出力動作時におけるスロープ
効率の低下は認められなくなった。さらに、８０℃６０
ｍＷ出力動作時の素子寿命は伸張した。
めに熱抵抗を測定したところ、比較のため基板裏面にヒ
ートシンクを設けずに作製した半導体レーザ装置では、
約２５〜３５℃／Ｗであったのに対して、本実施例に基
づきヒートシンクを固着させたものでは約１５〜２５℃
／Ｗと向上していた。そのため、例えば１００℃ＣＷ動
作時の電流−光出力特性には改善が見られ、従来の課題
であった５０〜１００ｍＷ出力動作時におけるスロープ
効率の低下は認められなくなった。さらに、８０℃６０
ｍＷ出力動作時の素子寿命は伸張した。
【００３７】以上、本発明に基づき、基板裏面にヒート
シンクを固着させたことにより放熱特性が改善され、高
温高出力動作時の信頼性を向上させることができた。
シンクを固着させたことにより放熱特性が改善され、高
温高出力動作時の信頼性を向上させることができた。
【００３８】なお、本実施例では、基板としてＧａＮを
用いた場合について説明したが、その他の窒化物半導
体、例えばＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ等、あるいは、窒化
物半導体以外の基板、例えばＳｉＣ、Ｓｉ、Ａｌ2Ｏ3等
を用いてもよい。
用いた場合について説明したが、その他の窒化物半導
体、例えばＡｌＧａＮ、ＧａＩｎＮ等、あるいは、窒化
物半導体以外の基板、例えばＳｉＣ、Ｓｉ、Ａｌ2Ｏ3等
を用いてもよい。
【００３９】また、本実施例では、基板表面側にｐ型、
ｎ型両電極が形成されている素子について説明したが、
基板裏面に電極が形成されている素子の場合でも、同様
の効果を得ることができる。
ｎ型両電極が形成されている素子について説明したが、
基板裏面に電極が形成されている素子の場合でも、同様
の効果を得ることができる。
【００４０】また、本実施例では、半導体レーザ素子が
ジャンクションダウン配置で実装されている場合につい
て説明したが、ジャンクションアップ配置で実装されて
いる場合でも、基板表面にヒートシンクを固着させるこ
とにより、大きな効果を得ることができる。
ジャンクションダウン配置で実装されている場合につい
て説明したが、ジャンクションアップ配置で実装されて
いる場合でも、基板表面にヒートシンクを固着させるこ
とにより、大きな効果を得ることができる。
【００４１】本発明は、レーザ素子に関するものである
が、高温高出力動作を必要とするような電子素子など他
の半導体素子およびその製造方法にも適用でき、高い信
頼性を与えるものである。
が、高温高出力動作を必要とするような電子素子など他
の半導体素子およびその製造方法にも適用でき、高い信
頼性を与えるものである。
【００４２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ装置およびその製造方法によると、高温高出力動作
時にも放熱特性の良好な信頼性の高いＧａＮ系半導体レ
ーザ装置を提供することができる。
ーザ装置およびその製造方法によると、高温高出力動作
時にも放熱特性の良好な信頼性の高いＧａＮ系半導体レ
ーザ装置を提供することができる。
【図１】ＧａＮ系半導体レーザ素子の共振器に直交する
断面の構造図
断面の構造図
【図２】従来のＧａＮ系半導体レーザ素子がサブマウン
トを介して実装されている状態を示す共振器に直交する
断面の模式図
トを介して実装されている状態を示す共振器に直交する
断面の模式図
【図３】本発明の一実施の形態によるＧａＮ系半導体レ
ーザ素子がサブマウントを介して実装されている状態を
示す共振器に直交する断面の模式図
ーザ素子がサブマウントを介して実装されている状態を
示す共振器に直交する断面の模式図
【図４】本発明の一実施の形態によるＧａＮ系半導体レ
ーザ素子の基板裏面の光学顕微鏡像を示す図
ーザ素子の基板裏面の光学顕微鏡像を示す図
【図５】本発明の一実施の形態によるＧａＮ系半導体レ
ーザ素子の基板裏面の光学顕微鏡像を示す図
ーザ素子の基板裏面の光学顕微鏡像を示す図
【図６】六方晶ＧａＮ結晶（０００１）面および（００
０−１）面の極性を示す模式図
０−１）面の極性を示す模式図
【図７】本発明の一実施の形態によるＧａＮ系半導体レ
ーザ素子がサブマウントを介して実装されている状態を
示す共振器に直交する断面の模式図
ーザ素子がサブマウントを介して実装されている状態を
示す共振器に直交する断面の模式図
【図８】本発明の一実施の形態によるＧａＮ系半導体レ
ーザ素子がサブマウントを介して実装されている状態を
示す共振器に直交する断面の模式図
ーザ素子がサブマウントを介して実装されている状態を
示す共振器に直交する断面の模式図
【図９】本発明の一実施の形態によるＧａＮ系半導体レ
ーザ素子がサブマウントを介して実装されている状態を
示す共振器に直交する断面の模式図
ーザ素子がサブマウントを介して実装されている状態を
示す共振器に直交する断面の模式図
１０１ ＧａＮ基板 １０２ ｎ-ＡｌＧａＮコンタクト層 １０３ ｎ-ＡｌＧａＮクラッド層 １０４ ｎ-ＧａＮ光ガイド層 １０５ 活性層 １０６ ｐ-ＧａＮ光ガイド層 １０７ ｐ-ＡｌＧａＮクラッド層 １０８ ｐ-ＧａＮコンタクト層 １０９ ｐ電極 １１０ 絶縁膜 １１１ ｎ電極 １１２ 半田 １１３ サブマウント １１４ ヒートシンク １１５ ｎ-ＡｌＧａＮ基板 １１６ 六角錘状ファセット １１７ 六角錘台状ファセット １１８ 柱状孔 １１９ 金属パッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F043 AA05 BB06 DD07 FF10 GG04 5F073 AA11 AA45 AA74 BA06 CA03 CB02 DA22 DA23 DA24 DA32 EA24 EA27 EA28 FA14
Claims (11)
- 【請求項１】 窒化物半導体レーザ素子がジャンクショ
ンダウン配置で実装された半導体レーザ装置であって、
窒化物半導体レーザ素子の基板裏面が凹凸面であること
を特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 窒化物半導体レーザ素子の基板裏面の凹
凸面が六角錘状ファセット、六角錘台状ファセットある
いは柱状孔からなることを特徴とする請求項１に記載の
半導体レーザ装置。 - 【請求項３】 窒化物半導体レーザ素子の基板が窒化物
半導体からなることを特徴とする請求項１に記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項４】 窒化物半導体からなる基板の裏面にｐ型
あるいはｎ型の電極が形成されていることを特徴とする
請求項３に記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】 窒化物半導体からなる基板の裏面が−ｃ
極性面であることを特徴とする請求項３に記載の半導体
レーザ装置。 - 【請求項６】 窒化物半導体レーザ素子がジャンクショ
ンダウン配置あるいはジャンクションアップ配置で実装
された半導体レーザ装置であって、素子の表面、裏面の
いずれもがサブマウントあるいはヒートシンクに固着さ
れていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項７】 窒化物半導体からなる基板上に半導体レ
ーザ装置を製造する方法であって、基板裏面を異方性エ
ッチングすることにより凹凸面を得る工程を含むことを
特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項８】 窒化物半導体からなる基板上に半導体レ
ーザ装置を製造する方法であって、少なくともリン酸を
含有する薬液を用いて基板裏面を処理する工程を含むこ
とを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項９】 リン酸がトリリン酸、メタリン酸、トリ
メタリン酸、テトラメタリン酸、ピロリン酸、オルトリ
ン酸の内から選ばれる少なくとも一つであることを特徴
とする請求項８に記載の半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１０】 窒化物半導体からなる基板上に半導体
レーザ装置を製造する方法であって、オルトリン酸、硝
酸および水を含有する薬液を用いて基板裏面をエッチン
グすることにより凹凸面を得る工程を含むことを特徴と
する半導体レーザ装置の製造方法。 - 【請求項１１】 薬液の温度が１００℃以上２５０℃以
下であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レ
ーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001098654A JP3812356B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
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| JP2001098654A JP3812356B2 (ja) | 2001-03-30 | 2001-03-30 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
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| JP2005228156A Division JP2005328092A (ja) | 2005-08-05 | 2005-08-05 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002299769A true JP2002299769A (ja) | 2002-10-11 |
| JP2002299769A5 JP2002299769A5 (ja) | 2005-08-11 |
| JP3812356B2 JP3812356B2 (ja) | 2006-08-23 |
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Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004172568A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-06-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| WO2004079830A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化物系ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| KR100610950B1 (ko) | 2005-02-25 | 2006-08-09 | 엘에스전선 주식회사 | 열방출 구조가 개선된 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2006315949A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Samsung Corning Co Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板 |
| US7355210B2 (en) | 2004-03-24 | 2008-04-08 | Epistar Corporation | High-efficiency light-emitting element |
| US7385226B2 (en) | 2004-03-24 | 2008-06-10 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| JP2009238820A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sony Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US7629623B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-12-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same |
| US9379284B2 (en) | 2012-02-23 | 2016-06-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting chip, and nitride semiconductor light emitting device |
| US9461202B2 (en) | 2005-06-21 | 2016-10-04 | Epistar Corporation | High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2019518336A (ja) * | 2016-06-13 | 2019-06-27 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザダイオード |
| US10529895B2 (en) | 2005-02-21 | 2020-01-07 | Epistar Corporation | Optoelectronic semiconductor device |
-
2001
- 2001-03-30 JP JP2001098654A patent/JP3812356B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7655484B2 (en) | 2002-03-26 | 2010-02-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same |
| US7629623B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-12-08 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP2004172568A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-06-17 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
| WO2004079830A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 窒化物系ｉｉｉ－ｖ族化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| US7355210B2 (en) | 2004-03-24 | 2008-04-08 | Epistar Corporation | High-efficiency light-emitting element |
| US7385226B2 (en) | 2004-03-24 | 2008-06-10 | Epistar Corporation | Light-emitting device |
| US10529895B2 (en) | 2005-02-21 | 2020-01-07 | Epistar Corporation | Optoelectronic semiconductor device |
| KR100610950B1 (ko) | 2005-02-25 | 2006-08-09 | 엘에스전선 주식회사 | 열방출 구조가 개선된 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| WO2006090990A1 (en) * | 2005-02-25 | 2006-08-31 | Ls Cable Ltd. | Laser diode improved in heat-dissipating structure and fabricating method therefor |
| JP2006315949A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Samsung Corning Co Ltd | 窒化ガリウム単結晶基板 |
| JP4717712B2 (ja) * | 2005-05-12 | 2011-07-06 | サムスンコーニング精密素材株式会社 | 窒化ガリウム単結晶基板及び半導体素子 |
| US9461202B2 (en) | 2005-06-21 | 2016-10-04 | Epistar Corporation | High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2009238820A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sony Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| US9379284B2 (en) | 2012-02-23 | 2016-06-28 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nitride semiconductor light emitting chip, and nitride semiconductor light emitting device |
| JP2019518336A (ja) * | 2016-06-13 | 2019-06-27 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザダイオード |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040705 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050127 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20050127 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050428 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20050701 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050804 |
|
| A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20050214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051130 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060302 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060411 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060509 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060522 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100609 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110609 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120609 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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