JP2002271025A

JP2002271025A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2002271025A
Application number: JP2001070229A
Authority: JP
Inventors: Seiji Shirai; 誠二白井; Katsutoshi Ito; 克敏伊藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2001-03-13
Filing date: 2001-03-13
Publication date: 2002-09-20
Anticipated expiration: 2021-03-13
Also published as: JP4697828B2

Abstract

(57)【要約】【課題】コンデンサを内蔵し、接続信頼性を高めたプ
リント配線板及びプリント配線板の製造方法を提供する
ことにある。【解決手段】コア基板３０に内蔵されたチップコンデ
ンサ２０上に、相対的に大きなビア５２を形成し、コア
基板３０上の層間絶縁層６０に、ビア５２へ接続された
複数個のビア６９を配設する。これにより、チップコン
デンサ２０の端子２１，２２とビア５２とを確実に接続
できる。また、メタライズからなる端子２１、２２の表
面に導電性ペースト２６が塗布されているため、端子２
１、２２の表面をフラットにでき、ビア５２との接続性
を高めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】ＩＣチップなどの電子部品を
載置するプリント基板に関し、特にコンデンサを内蔵す
るプリント配線板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目
的のため、チップコンデンサを表面実装することがあ
る。

【０００３】チップコンデンサからＩＣチップまでの配
線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチッ
プの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面
実装させても十分な効果を得ることができなかった。こ
のため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号に
て、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサ
を収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板
に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、
特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９
号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９
７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。

【０００４】特開平６−３２６４７２号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−
２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９
号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くで
きず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現
在必要とされるようにインダクタンスを低減することが
できなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板
においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂か
らなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いか
ら、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チッ
プコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂
絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達
成することができなかった。

【０００６】一方、特願平１１−２４８３１１号の発明
では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデ
ンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサ
からＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあっ
た。

【０００７】本発明は上述した課題を解決するためにな
されたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵し、
接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配線板
の製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明では、コア基板に樹脂絶縁層と導体
回路とを積層してなるプリント配線板であって、前記コ
ア基板にコンデンサを内蔵させ、前記コンデンサの端子
と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、前記コア
基板の上面の層間樹脂絶縁層に、１の前記下層ビアと接
続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設し、前
記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、導
電性ペーストが塗布されていることを技術的特徴とす
る。

【０００９】請求項１では、コア基板にコンデンサを内
蔵させ、コンデンサ上にコンデンサの端子と接続する相
対的に大きな下層ビアを形成し、コア基板の上面の層間
樹脂絶縁層に、１の下層ビアと接続された複数個の相対
的に小さな上層ビアを配設している。これにより、コン
デンサの配設位置ずれに対応して、コンデンサの端子と
下層ビアとを接続することが可能となり、コンデンサか
らＩＣチップへの電力供給を確実に行うことができる。
また、相対的に小さな上層ビアを複数個配設したことに
より、インダクタンス分を並列接続したと同様な効果を
得れるため、電源線及び接地線の高周波数特性が高ま
り、電力供給不足或いはアースレベルの変動によるＩＣ
チップの誤動作を防止することが可能となる。さらに、
配線長を短縮することができるので、ループインダクタ
ンスを低減することが可能となる。

【００１０】凹部内には、樹脂を充填させることが望ま
しい。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによ
って、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さく
なるし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。

【００１１】また、コンデンサのメタライズからなる電
極の表面に導電性ペーストが塗布されているため、表面
が完全にフラットになる。このため、樹脂層にレーザで
開口を穿設した際に、電極の表面に樹脂が残ることが無
くなり、該電極とめっきによるビアとの接続信頼性を高
めることができる。

【００１２】請求項２では、コンデンサの電極の導電性
ペースト上に金属層を設けてあるため、電極でのマイグ
レーションの発生を防止することができ、また、接続抵
抗を更に低減することができる。

【００１３】請求項３では、コンデンサの表面に、粗化
処理を施す。これにより、セラミックからなるチップコ
ンデンサと樹脂からなる接続層、層間樹脂絶縁層との密
着性が高くなり、ヒートサイクル試験を実施しても界面
での接続層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがな
い。

【００１４】請求項４では、コンデンサの表面に、シラ
ンカップリング、樹脂被膜の塗布等の濡れ性改善処理を
施す。これにより、セラミックからなるチップコンデン
サと接続層、層間樹脂絶縁層との密着性が高くなり、ヒ
ートサイクル試験を実施しても界面での接続層、層間樹
脂絶縁層の剥離が発生することがない。

【００１５】請求項５、６では、下層ビアとして表面が
平坦なフィルドビアが用いられている。これにより、１
の下層ビアに複数個の上層ビアを直接接続することが可
能となる。よって、下層ビアと上層ビアとの接続性を高
めることができ、コンデンサからＩＣチップへの電力供
給を確実に行うことが可能となる。

【００１６】請求項７では、コア基板に形成された凹部
の中に１個のコンデンサを収容している。これにより、
コア基板内にコンデンサを配置するため、ＩＣチップと
コンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタンス
を低減することが可能となる。

【００１７】請求項８では、凹部に多数個のコンデンサ
を収容させれるため、コンデンサの高集積化が可能とな
る。

【００１８】請求項９では、コア基板とコンデンサとの
間に、樹脂を充填し、樹脂の熱膨張率を、コア基板より
も小さく、即ち、セラミックからなるコンデンサに近い
ように設定してある。このため、ヒートサイクル試験に
おいて、コア基板とコンデンサとの間に熱膨張率差から
内応力が発生しても、コア基板にクラック、剥離等が生
じ難く、高い信頼性を達成できる。

【００１９】請求項１０では、基板内に収容したコンデ
ンサに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリン
ト配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチ
ップとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダク
タンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。

【００２０】請求項１１では、表面のコンデンサの静電
容量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、
高周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣ
チップの動作が確保される。

【００２１】請求項１２では、表面のコンデンサのイン
ダクタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上
であるため、高周波領域における電源供給の不足がな
く、所望のＩＣチップの動作が確保される。

【００２２】請求項１３では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、ビアを経て導通
を取っても外部電極が大きく取れ、アライメントの許容
範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

【００２３】請求項１４では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。

【００２４】請求項１５では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩ
Ｃチップを動作させることができる。

【００２５】請求項１６のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｅ）の工程を備えること
を技術的特徴とする：（ａ）コア基板に、メタライズ電極の上に導電性ペース
トを塗布したコンデンサを内臓する工程；（ｂ）前記コンデンサの上面に樹脂絶縁層を形成する工
程；（ｃ）前記樹脂絶縁層に、前記コンデンサの端子と接続
する相対的に大きな下層ビアを形成する工程；（ｄ）前記コア基板の上面に、層間樹脂絶縁層を形成す
る工程；（ｅ）前記層間樹脂絶縁層に、１の前記下層ビアと接続
された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設する工
程。

【００２６】請求項１６では、コア基板にコンデンサを
内蔵させ、コンデンサ上にコンデンサの端子と接続する
相対的に大きな下層ビアを形成し、コア基板の上面の層
間樹脂絶縁層に、１の下層ビアと接続された複数個の相
対的に小さな上層ビアを配設している。これにより、コ
ンデンサの配設位置ずれに対応して、コンデンサの端子
と下層ビアとを接続することが可能となり、コンデンサ
からＩＣチップへの電力供給を確実に行うことができ
る。また、相対的に小さな上層ビアを複数個配設したこ
とにより、インダクタンス分を並列接続したと同様な効
果を得れるため、電源線及び接地線の高周波数特性が高
まり、電力供給不足或いはアースレベルの変動によるＩ
Ｃチップの誤動作を防止することが可能となる。さら
に、配線長を短縮することができるので、ループインダ
クタンスを低減することが可能となる。

【００２７】また、コンデンサの電極の表面に導電性ペ
ーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットにな
る。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、
電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっ
きによるビアとの接続信頼性を高めることができる。

【００２８】請求項１７では、コア基板に形成された凹
部の中に１個のコンデンサを収容している。これによ
り、コア基板内にコンデンサを配置するため、ＩＣチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減することが可能となる。

【００２９】請求項１８では、凹部に多数個のコンデン
サを収容させれるため、コンデンサの高集積化が可能と
なる。

【００３０】請求項１９では、心材となる樹脂を含有さ
せてなる樹脂材料に通孔を形成し、通孔を形成した樹脂
材料に、樹脂材料を貼り付けて、凹部を有するコア基板
を形成している。これにより、底部が平坦な凹部を有す
るコア基板を形成することができる。

【００３１】請求項２０、請求項２１では、下層ビアと
して表面が平坦なフィルドビアが用いられている。これ
により、１の下層ビアに複数個の上層ビアを直接接続す
ることが可能となる。よって、下層ビアと上層ビアとの
接続性を高めることができ、コンデンサからＩＣチップ
への電力供給を確実に行うことが可能となる。

【００３２】請求項２２の発明では、凹部内の複数個の
コンデンサの上面に圧力を加え、もしくは叩くことによ
りコンデンサの上面の高さを揃えている。それにより、
凹部内にコンデンサを配設した際に、複数個のコンデン
サの大きさに、ばらつきがあっても高さを揃えることが
でき、コア基板を平滑にすることができる。よって、コ
ア基板の平滑性が損なわれず、上層の層間樹脂絶縁層お
よび導体回路を適切に形成することができるので、プリ
ント配線板の不良品発生率を低下させることができる。

【００３３】本発明の層間樹脂絶縁層、接続層において
使用する熱硬化型樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可
溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化
剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散
したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」
「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる
溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早
いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の
遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【００３４】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００３５】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００３６】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【００３７】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００３８】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。

【００３９】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００４０】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００４１】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００４２】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００４３】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用
開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化
性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、め
っき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状
を保持することができるからである。

【００４４】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、
ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂
等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよい
し、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中
に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより
望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかり
でなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条
件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属
層の剥離などが起きにくいからである。

【００４５】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００４６】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスル
ーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金
属層の密着性を確保することができるからである。ま
た、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有す
る樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フ
ィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされること
がないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性が確実に保たれる。

【００４７】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００４８】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００４９】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００５０】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【００５１】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００５２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図７〜図９を参照
して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示
し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチッ
プ９０を搭載し、ドータボード９４側へ取り付けた状態
を示している。図９（Ａ）は、図７中のビア５２の拡大
図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）中のビア５２に複
数個のビア６９を配設した状態を矢印Ｂ側からた見た状
態を示す模式図である。

【００５３】図７に示すようにプリント配線板１０は、
複数個のチップコンデンサ２０を収容するコア基板３０
と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからなる。コ
ア基板３０に収容された複数個のチップコンデンサ２０
の端子２１、２２には、相対的に大きなビア５２が接続
されている。また、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂ
は、層間樹脂絶縁層６０、１６０からなる。層間樹脂絶
縁層６０には、導体回路６８および相対的に小さなビア
６９が形成され、層間樹脂絶縁層１６０には、導体回路
１６８および相対的に小さなビア１６９が形成されてい
る。層間樹脂絶縁層１６０の上には、ソルダーレジスト
層７０が配設されている。

【００５４】チップコンデンサ２０は、図１０（Ａ）に
示すように第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２
電極に挟まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３に
は、第１電極２１側に接続された第１導電膜２４と、第
２電極２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対
向配置されている。第１電極２１と第２電極２２の表面
には、導電性ペースト２６を被覆させてある。

【００５５】ここで、第１電極２１及び第２電極２２
は、Ｎｉ、Ｐｂ、又はＡｇ金属のメタライズからなる。
導電性ペースト２６は、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｇ等の金属粒
子を含むペーストからなる。ここで、金属粒子の粒径
は、０．１〜１０μｍが望ましく、特に、１〜５μｍが
最適である。導電性ペーストとしては、金属粒子に、エ
ポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフェニレンスルフ
ィド（ＰＰＳ）樹脂を加えた有機系導電性ペーストが望
ましい。この導電性ペースト２６の厚みは、１〜３０μ
ｍが望ましい。１μｍ未満では、電極表面の凹凸を無く
すことができず、一方、３０μｍを越えても、特に効果
が向上しないからである。ここで、５〜２０μｍの厚み
が最も望ましい。なお、２種類以上の径の異なる粒子を
配合したペーストを用いることもでき、更に、２種類以
上の径の異なる金属ペーストを被覆することも可能であ
る。

【００５６】チップコンデンサの電極２１，２２は、メ
タライズからなり表面に凹凸がある。このため、金属層
を剥き出した状態で用いると、樹脂絶縁層４０にレーザ
で開口４２を穿設する工程において、該凹凸に樹脂が残
ることがある。この際には、当該樹脂残さにより第１、
第２電極２１，２２とビア５２との接続不良が発生す
る。本実施形態においては、導電性ペースト２６によっ
て第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、電極
上に被覆された開口４２を穿設した際に、樹脂残さが残
らず、ビア５２を形成した際の電極２１，２２との接続
信頼性を高めることができる。

【００５７】更に、チップコンデンサ２０のセラミック
から成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ２０と樹脂からなる接着材料３４及び樹脂絶縁層４０
との密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界
面での樹脂からなる接着材料３４及び樹脂絶縁層４０の
剥離が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成
後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することによ
り、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成で
きる。

【００５８】図８に示すように上側のビルドアップ配線
層８０Ａのビア１６９には、ＩＣチップ９０のパッド９
２へ接続するための半田バンプ７６Ｕが形成されてい
る。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂのビア１６
９には、ドータボード９４のパッド９５へ接続するため
の半田バンプ７６Ｄが形成されている。

【００５９】コア基板としては、樹脂からなるものを用
いた。例えば、ガラスエポキシ樹脂含浸基材、フェノー
ル樹脂含浸基材などの一般的なプリント配線板で用いら
れる樹脂材料を用いることができる。しかし、コア基板
をセラミックやＡＩＮなどの基板を用いることはできな
かった。該基板は外形加工性が悪く、コンデンサを収容
することができないことがあり、樹脂で充填させても空
隙が生じてしまうからである。

【００６０】また、チップコンデンサ２０を、コア基板
３０に形成された凹部３２に複数個収容するため、チッ
プコンデンサ２０を高密度に配置することができる。さ
らに、凹部３２に複数個のチップコンデンサ２０を収容
するため、チップコンデンサ２０の高さを揃えることが
できる。このため、チップコンデンサ２０上の樹脂層４
０を均一の厚さにできるため、ビア５２を適切に形成す
ることが可能となる。その上、ＩＣチップ９０とチップ
コンデンサ２０との距離が短くなるため、ループインダ
クタンスを低減することができる。

【００６１】また、図７及び、図７のビア５２の拡大図
である図９（Ａ）に示すように上側のビルドアップ配線
層８０Ａのビア６９は、１のビア５２に複数個接続して
いる。図９（Ｂ）に示すよう大きなビア５２は、内径１
２５μｍ、ランド径１６５μｍに、小さなビア６９は、
内径２５μｍ、ランド径６５μｍに形成してある。一
方、チップコンデンサ２０は、矩形に形成されており、
第１端子２１及び第２端子２１も一辺２５０μｍの矩形
に形成されている。このため、チップコンデンサ２０の
配設位置が数十μｍずれていても、チップコンデンサ２
０の第１端子２１及び第２端子２２とビア５２との接続
を取ることが可能となり、チップコンデンサ２０からＩ
Ｃチップ９０への電力供給を確実に行うことができる。
また、ビア６９を複数個配設したことにより、インダク
タンス分を並列接続したと同様な効果を得れるため、電
源線及び接地線の高周波数特性が高まり、電力供給不足
或いはアースレベルの変動によるＩＣチップの誤動作を
防止することが可能となる。さらに、ＩＣチップからチ
ップコンデンサ２０までの配線長を短縮することができ
るので、ループインダクタンスを低減することが可能と
なる。

【００６２】図７に示すように、ビア５２には、めっき
を充填して表面が平坦なフィルドビアとして形成されて
いる。これにより、ビア５２上に複数個のビア６９を直
接接続することが可能となる。よって、ビア５２とビア
６９との接続性を高めることができ、チップコンデンサ
２０からＩＣチップ９０への電力供給を確実に行うこと
が可能となる。なお、本実施形態では、めっき充填でフ
ィルドビアを形成したが、この代わりに、ビア５２とし
ては、内部に樹脂を充填した後、表面に金属膜が配設さ
れたフィルドビアを用いてもよい。

【００６３】なお、樹脂充填剤３６及びチップコンデン
サ２０下部の接着材料３４の熱膨張率を、コア基板３０
及び樹脂絶縁層４０よりも小さく、即ち、セラミックか
らなるチップコンデンサ２０に近いように設定してあ
る。このため、ヒートサイクル試験において、コア基板
３０及び樹脂絶縁層４０とチップコンデンサ２０との間
に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板３０及
び樹脂絶縁層４０にクラック、剥離等が生じ難く、高い
信頼性を達成できる。

【００６４】また、チップコンデンサ２０間の樹脂層３
６に、スルーホール５４を形成してあるため、セラミッ
クから成るチップコンデンサ２０を信号線が通過しない
ので、高誘電体によるインピーダンス不連続による反射
及び高誘電体通過による伝搬遅延が発生しない。

【００６５】引き続き、図７を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説
明する。

【００６６】（１）先ず、絶縁樹脂基板からなるコア基
板３０を出発材料とする（図１（Ａ）参照）。次に、コ
ア基板３０の片面に、ザグリ加工、もしくは絶縁樹脂に
通孔を設けてプレス、貼り合わせによって、コンデンサ
配設用の凹部３２を形成する（図１（Ｂ）参照）。この
とき、凹部３２は複数個のコンデンサを配設できるエリ
アよりも、広く大きく形成する。これにより、複数個の
コンデンサをコア基板３０へ確実に配設することができ
る。

【００６７】（２）その後、凹部３２に、印刷機を用い
て接着材料３４を塗布する（図１（Ｃ）参照）。あるい
は、ポッティング、ダイボンディング、接着シートを貼
り付けるなどの方法によって凹部に接着材料を塗ること
ができる。接着材料３４は、熱膨張率がコア基板よりも
小さなものを用いる。次に、凹部３２にセラミックから
成る複数個のチップコンデンサ２０を接着材料３４を介
して接着する（図１（Ｄ）参照）。ここで、底部が平滑
な凹部３２に複数個のチップコンデンサ２０を配設する
ことにより、複数個のチップコンデンサ２０の高さが揃
う。よって、後述する工程で、コア基板３０の上に樹脂
絶縁層４０を均一の厚みに形成でき、ビア５２を適切に
形成することが可能となる。

【００６８】そして、複数個のチップコンデンサ２０の
上面が同じ高さになるように、チップコンデンサ２０の
上面を押す、もしくは叩いて高さを揃える（図１（Ｅ）
参照）。この工程により、凹部３２内に複数個のチップ
コンデンサ２０を配設した際に、複数個のチップコンデ
ンサ２０の大きさにばらつきがあっても、高さを完全に
揃えることができ、コア基板３０を平滑にすることがで
きる。

【００６９】（３）その後、凹部３２内のチップコンデ
ンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹
脂層３６を形成する（図２（Ａ）参照）。このとき、熱
硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイミ
ド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３２内の
チップコンデンサ２０を固定することができる。樹脂層
３６は、熱膨張率がコア基板よりも小さなものを用い
る。

【００７０】それ以外にも熱可塑性樹脂などの樹脂を用
いてもよい。また、樹脂中に熱膨脹率を整合させるため
に、フィラーを含浸させてもよい。そのフィラーの例と
しては、無機フィラー、セラミックフィラー、金属フィ
ラーなどがある。

【００７１】（４）さらに、その上から前述したエポキ
シ系樹脂もしくはポリオレフィン系樹脂を印刷機を用い
て塗布し樹脂絶縁層４０を形成する（図２（Ｂ）参
照）。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルムを
貼り付けてもよい。

【００７２】それ以外には、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹
脂、感光性樹脂熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体、
感光性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体などの樹脂を１種以
上用いることができる。それらを２層構成にしてもよ
い。

【００７３】（５）次に、レーザにより樹脂絶縁層４０
に相対的に大きなビア用開口４２を形成する（図２
（Ｃ）参照）。この際に、導電性ペースト２６によりチ
ップコンデンサ２０の電極２１，２２の表面が平滑であ
るため、樹脂が電極上に残ることがない。その後、デス
ミヤ処理を行う。レーザの代わりに露光・現像処理を用
いることもできる。そして、樹脂層３６にドリルまたは
レーザにより、スルーホール用の通孔４４を形成し、加
熱硬化する（図２（Ｄ）参照）。場合によっては、酸あ
るいは酸化剤もしくは薬液による粗化処理、プラズマ処
理による粗化処理を施してもよい。それによって、粗化
層の密着性が確保される。

【００７４】（６）その後、無電解銅めっきにより銅め
っき膜４６を樹脂絶縁層４０の表面に形成する（図３
（Ａ）参照）。無電解めっきの代わりに、Ｎｉ及びＣｕ
をターゲットにしたスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ
金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパッ
タで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよ
い。この際に、チップコンデンサ２０の電極２１，２２
の表面に樹脂が残っていないため、電極２１，２２に適
正に銅めっき膜４６を形成することができる。

【００７５】（７）次に、銅めっき膜４６の表面に感光
性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置して、露光
・現像処理し、所定パターンのめっきレジスト４８を形
成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬
し、銅めっき膜４６を介して電流を流し、めっきレジス
ト４８非形成部に電解めっき５０を充填する（図３
（Ｂ）参照）。

【００７６】（８）ついで、めっきレジスト４８を５％
ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト４８下
の銅めっき膜４６を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチ
ング処理して溶解除去し、銅めっき膜４６と電解銅めっ
き５０からなるフィルドビア構造である相対的に大きな
ビア５２及びスルーホール５４を形成する。その大きな
ビア径は、１００〜６００μｍの範囲であることが望ま
しい。特に、１２５〜３５０μｍであることが望まし
い。この場合は、１６５μｍで形成させた。スルーホー
ルは、２５０μｍで形成させた。そして、基板３０の両
面にエッチング液をスプレイで吹きつけ、ビア５２の表
面及びスルーホール５４のランド表面とをエッチングす
ることにより、ビア５２及びスルーホール５４の全表面
に粗化面５２αを形成する（図３（Ｃ）参照）。

【００７７】（９）その後、スルーホール５４内にエポ
キシ系樹脂を主成分とする樹脂充填剤５６を充填して、
乾燥する（図３（Ｄ）参照）。

【００７８】（１０）上記工程を経た基板３０の両面
に、厚さ５０μｍの熱硬化型樹脂フィルムを温度５０〜
１５０℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ²で真空圧
着ラミネートし層間樹脂絶縁層６０を設ける（図４
（Ａ）参照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇで
ある。樹脂フィルムとして、エポキシ系樹脂、オレフィ
ン系樹脂を用いることができる。

【００７９】（１１）次に、ＣＯ₂ガスレーザにて、層
間樹脂絶縁層６０に６５μｍの相対的に小さなビア用開
口６１を設ける（図４（Ｂ）参照）。相対的に小さなビ
ア径は、２５〜１００μｍの範囲であることが望まし
い。この後、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行
う。

【００８０】（１２）次に、日本真空技術株式会社製の
ＳＶ―４５４０を用いてプラズマ処理を行い、層間樹脂
絶縁層６０の表面を粗化し、粗化面６０αを形成する
（図４（Ｃ）参照）。この際、不活性ガスとしてはアル
ゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、
温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。
酸あるいは酸化剤によって粗化処理を施してもよい。ま
た、粗化層は、０．１〜５μｍが望ましい。

【００８１】（１３）次に、同じ装置を用い、内部のア
ルゴンガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットに
したスパッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、
電力２００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金
属層６２を層間樹脂絶縁層６０の表面に形成する。この
とき、形成されたＮｉ／Ｃｕ金属層６２の厚さは０．２
μｍである（図４（Ｄ）参照）。無電解めっきなどのめ
っき膜、あるいはスパッタの上にめっき膜を施してもよ
い。

【００８２】（１４）上記処理を終えた基板３０の両面
に、市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマ
スクフィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光し
た後、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５
μｍのめっきレジスト６４を設ける。次に、以下の条件
で電解めっきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜６
６を形成する（図５（Ａ）参照）。なお、電解めっき水
溶液中の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシ
ドＨＬである。

【００８３】〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm² 時間６５分温度２２±２℃

【００８４】（１５）めっきレジスト６４を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト下のＮｉ／Ｃ
ｕ金属層６２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を
用いるエッチングにて溶解除去し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層６
２と電解めっき膜６６からなる導体回路６８およびビア
５２上に接続した複数個の相対的に小さなビア６９を形
成する（図５（Ｂ）参照）。本実施形態では、ビア５２
をフィルドビア構造にすることにより、ビア５２に複数
個のビア６９を直接接続することが可能となる。

【００８５】（１６）次に、基板を水洗いし、乾燥した
後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけ
て、導体回路６８の表面をエッチングすることにより、
導体回路６８の全表面に粗化面６８αを形成する（図５
（Ｃ）参照）。エッチング液として、イミダゾール銅
（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化
カリウム５重量部およびイオン交換水７８重量部を混合
したものを使用する。

【００８６】（１７）次いで、上記（１０）〜（１６）
の工程を、繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂
絶縁層１６０及び導体回路１６８（ビア１６９を含む）
を形成する（図５（Ｄ）参照）。

【００８７】（１８）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ.３によった。

【００８８】（１９）次に、基板３０の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０
に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線で露光し、
ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成
する（図６（Ａ）参照）。また、ＬＰＳＲなどの市販の
ソルダーレジストを用いてもよい。

【００８９】（２０）次に、ソルダーレジスト層（有機
樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム
（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１
Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成
する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．
６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×
１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１
０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１
０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件
で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ
０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ）
参照）。

【００９０】（２１）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１Ｕ、７１Ｄに、はんだペーストを印刷し
て、２００℃でリフローすることにより、はんだバンプ
（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半
田バンプ７６Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を
得ることができる（図７参照）。

【００９１】次に、上述した工程で完成したプリント配
線板１０へのＩＣチップの載置および、ドータボードへ
の取り付けについて、図８を参照して説明する。完成し
たプリント配線板１０の半田バンプ７６ＵにＩＣチップ
９０の半田パッド９２が対応するように、ＩＣチップ９
０を載置し、リフローを行うことでＩＣチップ９０の取
り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の半田バン
プ７６Ｄにドータボード９４のパッド９５が対応するよ
うに、リフローすることで、ドータボード９４へプリン
ト配線板１０を取り付ける。

【００９２】引き続き、本発明の第１実施形態の改変例
に係るプリント配線板について、図１１を参照して説明
する。上述した第１実施形態では、コア基板３０に収容
されるチップコンデンサ２０のみを備えていたが、改変
例では、表面及び裏面に大容量のチップコンデンサ９８
が実装されている。

【００９３】図１０（Ｂ）に第１実施形態の第１改変例
に係るチップコンデンサ２０の断面を示す。第１実施形
態では、コンデンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との
密着性を高めたが、第１改変例では、この代わりに、ポ
リイミド膜２３ｂを形成しておくことで、表面濡れ性を
改善してある。ポリイミド膜の代わりに、コンデンサの
表面にシランカップリング処理を施すことも可能であ
る。

【００９４】また、第１改変例では、導電性ペースト２
６の上に、無電解銅めっき膜２８ａ及び電解銅めっき膜
２８ｂからなる複合金属膜２８を形成されている。複合
金属膜２８の厚みは、０．１〜１０μｍが望ましく、１
〜５μｍが最適である。複合金属膜の代わりに、１層の
金属膜を形成することも可能である。

【００９５】第１改変例では、コンデンサ２０の電極２
１，２２の導電性ペースト２６上に金属層２８を設けて
あるため、電極２１、２２でのマイグレーションの発生
を防止することができ、また、接続抵抗を更に低減する
ことができる。メタライズからなる電極２１、２２は、
表面に凹凸があるが、導電性ペースト２６を塗布し、更
に、金属層２８を設けることで凹凸を完全に無くすこと
ができ、ビア５２との密着性を高め、接続抵抗を下げる
ことができる。

【００９６】ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力
を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源
用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ９８を
備えてある。このチップコンデンサによる効果につい
て、図１２を参照して説明する。

【００９７】図１２は、縦軸にＩＣチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃ
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Ｂは、図７を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Ｅは、図１１を参照して上述したコア基板内のチッ
プコンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデ
ンサ９８を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動
を示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２
０を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタン
ス）のチップコンデンサ２０を、また、大容量（及び相
対的に大きなインダクタンス）のチップコンデンサ９８
を備えることで、電圧変動を最小に押さえている。

【００９８】引き続き、本発明の第２実施形態に係るプ
リント配線板１１０について、図２０を参照して説明す
る。上述した第１実施形態では、ＢＧＡを配設した場合
で説明した。第２実施形態では、第１実施形態とほぼ同
様であるが、図２０に示すように導電性ピン９６を介し
て接続を取るＰＧＡ方式に構成されている。なお、電極
には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、あるい
は、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペースト
及び複合金属層が形成されている。

【００９９】続いて、図２０を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１３〜図２０を参照し
て説明する。

【０１００】（１）先ず、エポキシ樹脂を含浸させたプ
リプレク３１を４枚積層してなる積層板３０αに、チッ
プコンデンサ収容用の通孔３３ａを形成する。また、そ
の一方で、プリプレク３１を２枚積層してなる積層板３
０βを用意する（図１３（Ａ）参照）。ここで、プリプ
レク３１としては、エポキシ以外にも、ＢＴ、フェノー
ル樹脂、あるいはガラスクロスなどの強化材を含有した
ものを用い得る。

【０１０１】（２）次に、積層板３０αと積層板３０β
とを圧着し、加熱して硬化させることで、複数個のチッ
プコンデンサ２０を収容可能な凹部３３を備えた、コア
基板３０を形成する（図１３（Ｂ）参照）。

【０１０２】（３）そして、凹部３３のコンデンサ配設
位置にポッテング（ディスペンサー）を用いて接着材料
３４を塗布する（図１３（Ｃ）参照）。あるいは、印
刷、ダイボンディグ、接着シートを貼り付けるなどの方
法によって凹部に接着材料を塗ることができる。その
後、凹部３３内にセラミックから成る複数個のチップコ
ンデンサ２０を接着材料３４を介して収容する（図１３
（Ｄ）参照）。

【０１０３】（４）その後、凹部３３内のチップコンデ
ンサ２０間に、熱硬化性樹脂を充填し、加熱硬化して樹
脂層３６を形成する（図１４（Ａ）参照）。このとき、
熱硬化性樹脂としては、エポキシ、フェノール、ポリイ
ミド、トリアジンが好ましい。これにより、凹部３３内
のチップコンデンサ２０を固定することができる。

【０１０４】（５）さらに、その上から前述したエポキ
シ系もしくはポリオレフィン系からなる樹脂を印刷機を
用いて塗布し樹脂絶縁層４０を形成する（図１４（Ｂ）
参照）。なお、樹脂を塗布する代わりに、樹脂フィルム
を貼り付けてもよい。

【０１０５】（６）次に、露光・現像処理又はレーザに
より樹脂絶縁層４０に相対的に大きなビア用開口４２を
形成する（図１４（Ｃ）参照）。その大きなビア径は、
１００〜６００μｍの範囲であることが望ましい。特
に、１２５〜３５０μｍであることが望ましい。この場
合は、１６５μｍで形成させた。そして、樹脂層３６に
ドリルまたはレーザにより、２５０μｍ径のスルーホー
ル用の通孔４４を形成し、加熱硬化する（図１４（Ｄ）
参照）。

【０１０６】（７）そして、基板３０にパラジウム触媒
を付与してから、無電解めっき液にコア基板を浸漬し、
均一に無電解めっき膜４５を析出させる（図１５（Ａ）
参照）。その後、無電解めっき膜４５を形成した開口４
２の内部に樹脂充填剤を充填し、乾燥する。これによ
り、開口４２の内部に樹脂層４７を形成する（図１５
（Ｂ）参照）。

【０１０７】（８）その後、無電解めっき膜４５の表面
に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置し
て、露光・現像処理し、所定パターンのめっきレジスト
４８を形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０
を浸漬し、無電解めっき膜から成る蓋めっき５１を形成
する（図１５（Ｃ）参照）。

【０１０８】（９）上記工程の後、めっきレジスト４８
を５％のＮａＯＨで剥離した後、めっきレジスト４８下
の無電解めっき膜４５を硫酸と過酸化水素混合液でエッ
チングをして除去し、フィルドビア構造である相対的に
大きなビア５３及びスルーホール５４を形成する（図１
５（Ｄ）参照）。ビア５３をフィルドビア構造にするこ
とにより、後述する工程で１のビア５３に複数個のビア
６９を直接接続することが可能となる。

【０１０９】（１０）そして、基板３０を水洗、酸性脱
脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液
を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、ビア５３の
表面とスルーホール５４のランド表面と内壁とをエッチ
ングして、ビア５３及びスルーホール５４の全表面に粗
化面５３αを形成する（図１６（Ａ）参照）。エッチン
グ液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量
部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部から
なるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）
を使用する。

【０１１０】（１１）次に、ビスフェノールＦ型エポキ
シモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９
８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤が
コーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子
の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ ₂ 球状粒子（アドテック
社製、ＣＲＳ１１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレ
ベリング剤（サンノプコ社製ペレノールＳ４）１．５
重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘
度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤５６
を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤
（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用
いた。その後、スルーホール５４内に樹脂充填剤５６を
充填して、乾燥する（図１６（Ｂ）参照）。

【０１１１】（１２）次に、ビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂（エポキシ当量４６９，油化シェルエポキシ社製
エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５，大日本インキ
化学工業社製エピクロンＮ−６７３）４０重量部、ト
リアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノー
ル性水酸基当量１２０，大日本インキ化学工業社製フ
ェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリ
コールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重
量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ
化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製デナレッ
クスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、
５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．
５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤
０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製する。
得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフ
ィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロール
コーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分
間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィル
ムを作製する。

【０１１２】（１３）基板の両面に、（１２）で作製し
た基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温
度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した
後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を
用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層６０を形成
する（図１６（Ｃ）参照）。すなわち、層間樹脂絶縁層
用樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒ
ｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間６０
秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬
化させる。

【０１１３】（１４）次に、層間樹脂絶縁層６０上に、
厚さ１．２ｍｍの貫通孔５７ａが形成されたマスク５７
を介して、ＣＯ₂ ガスレーザで層間樹脂絶縁層６０に、
６５μｍの相対的に小さなビア用開口６１を形成する
（図１６（Ｄ）参照）。相対的に小さなビア径は、２５
〜１００μｍの範囲であることが望ましい。

【０１１４】（１５）ビア用開口６１を形成した基板３
０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に
１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層６０の表面に存在する
エポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、ビア用開
口６１の内壁を含む層間樹脂絶縁層６０の表面を粗化面
６０αとする（図１７（Ａ）参照）。酸あるいは酸化剤
によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、
０．１〜５μｍが望ましい。

【０１１５】（１６）次に、上記処理を終えた基板３０
を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いす
る。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板
３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、
層間樹脂絶縁層６０の表面およびビア用開口６１の内壁
面に触媒核を付着させる。

【０１１６】（１７）次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面６０α全体に
厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜６３を形成
する（図１７（Ｂ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル４０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕３５℃の液温度で４０分

【０１１７】（１８）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜６３に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっき
レジスト６４を設ける。次いで、基板３０を５０℃の水
で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で
洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ
２０μｍの電解銅めっき膜６６を形成する（図１７
（Ｃ）参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤１９．５ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間６５分温度２２±２ ℃

【０１１８】（１９）めっきレジスト６４を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト６４下の無電
解めっき膜６３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜６３と電解銅
めっき膜６６からなる厚さ１８μｍの導体回路６８およ
び相対的に小さなビア６９を形成する（図１７（Ｄ）参
照）。その後、（１０）と同様の処理を行い、第二銅錯
体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面
６８αを形成する（図１８（Ａ）参照）。

【０１１９】（２０）続いて、上記（１３）〜（１９）
の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶
縁層１６０及び導体回路１６８およびビア１６９を形成
する（図１８（Ｂ）参照）。

【０１２０】（２１）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量
部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品
名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノ
プコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器に
とり、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組
成物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東
化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２
５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成
物（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ
型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍ
の場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローター
Ｎｏ.３によった。

【０１２１】（２２）次に、多層配線基板の両面に、
（２１）で調製したソルダーレジスト組成物を２０μｍ
の厚さで塗布する。その後、７０℃で２０分間、７０℃
で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジ
スト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォト
マスクをソルダーレジスト組成物に密着させて１０００
ｍＪ／ｃｍ²の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処
理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成する。そして、さら
に、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１
時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行
ってソルダーレジスト組成物を硬化させ、開口７１Ｕ、
７１Ｄを有する、厚さ２０μｍのソルダーレジスト層７
０を形成する（図１９（Ａ）参照）。上記ソルダーレジ
スト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を
使用することもできる。

【０１２２】（２３）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／
ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２
０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍの
ニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板を
シアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩
化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン
酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン
酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電
解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニ
ッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μｍの金めっき層
７４を形成する（図１９（Ｂ）参照）。

【０１２３】（２４）この後、基板のＩＣチップを載置
する面のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕにスズ−
鉛を含有する半田ペーストを印刷する。さらに、他方の
面の開口部７１Ｄ内に導電性接着剤９７として半田ペー
ストを印刷する。次に、導電性接続ピン９６を適当なピ
ン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン９６の
固定部９８を開口部７１Ｄ内の導電性接着剤９７に当接
させる。そしてリフローを行い、導電性接続ピン９６を
導電性接着剤９７に固定する。また、導電性接続ピン９
６の取り付け方法としては、導電性接着剤９７をボール
状等に形成したものを開口部７１Ｄ内に入れる、あるい
は、固定部９８に導電性接着剤９７を接合させて導電性
接続ピン９６を取り付け、その後にリフローさせてもよ
い。

【０１２４】その後、プリント配線板１１０の開口７１
Ｕ側の半田バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９
２が対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフロ
ーを行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う（図２
０参照）。

【０１２５】引き続き、本発明の第３実施形態に係るプ
リント配線板について、図２１を参照して説明する。第
３実施形態のプリント配線板２１０は、上述した第１実
施形態とほぼ同様である。但し、この第３実施形態のプ
リント配線板２１０では、コア基板３０に形成された凹
部３５に一個のチップコンデンサ２０が収容されてい
る。コア基板３０内にチップコンデンサ２０を配置する
ため、ＩＣチップ９０とチップコンデンサ２０との距離
が短くなり、ループインダクタンスを低減することが可
能となる。なお、電極には、第１実施形態と同様に導電
性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と同
様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されている。

【０１２６】引き続き、本発明の第４実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図２２を参照して説明す
る。この第４実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３
０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図２
２は、チップコンデンサの平面図を示している。図２２
（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第１実施形態のプリント配線板では、図２２（Ｂ）に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極
２１及び第２電極２２を配設してある。図２２（Ｃ）
は、第４実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第４実施形態のプリント配線板では、図２２（Ｄ）
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。なお、
電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、ある
いは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペース
ト及び複合金属層が形成されている。

【０１２７】この第４実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。

【０１２８】引き続き、第４実施形態の第１改変例に係
るプリント配線板について図２３を参照して説明する。
図２３は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板
に収容されるチップコンデンサ２０の平面図を示してい
る。上述した第１実施形態では、複数個の小容量のチッ
プコンデンサをコア基板に収容したが、第１改変例で
は、大容量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に
収容してある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１
電極２１と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２
１へ接続された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接
続された第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導
電膜２５へ接続されていないチップコンデンサの上下面
の接続用の電極２７とから成る。この電極２７を介して
ＩＣチップ側とドータボード側とが接続されている。な
お、電極には、第１実施形態と同様に導電性ペースト、
あるいは、第１実施形態の第１改変例と同様に導電性ペ
ースト及び複合金属層が形成されている。

【０１２９】この第１改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。

【０１３０】図２４を参照して第２改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図２４（Ａ）は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図２４（Ｂ）は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図２４（Ｂ）に示すよ
うに、この第２改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で
用いている。なお、電極には、第１実施形態と同様に導
電性ペースト、あるいは、第１実施形態の第１改変例と
同様に導電性ペースト及び複合金属層が形成されてい
る。

【０１３１】この第２改変例では、大判のチップコンデ
ンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。

【０１３２】上述した第４実施形態では、チップコンデ
ンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデン
サの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板
状のコンデンサを用いることも可能である。

【０１３３】ここで、第１実施形態のプリント配線板に
ついて、コア基板内に埋め込んだチップコンデンサ２０
のインダクタンスと、プリント配線板の裏面（ドータボ
ード側の面）に実装したチップコンデンサのインダクタ
ンスとを測定した値を以下に示す。コンデンサ単体の場合埋め込み形１３７pH 裏面実装形２８７pH コンデンサを８個並列に接続した場合埋め込み形６０pH 裏面実装形７２pH 以上のように、コンデンサを単体で用いても、容量を増
大させるため並列に接続した場合にも、チップコンデン
サを内蔵することでインダクタンスを低減できる。

【０１３４】次に、信頼性試験を行った結果について説
明する。ここでは、第１実施形態のプリント配線板にお
いて、１個のチップコンデンサの静電容量の変化率を測
定した。静電容量変化率（測定周波数100Hz）（測定周波数1kHz） Steam 168時間: 0.3% 0.4% HAST 100時間: −0.9% −0.9% TS 1000cycles: 1.1% 1.3%

【０１３５】Steam試験は、蒸気に当て湿度１００％に
保った。また、ＨＡＳＴ試験では、相対湿度１００％、
印加電圧１．３Ｖ、温度１２１℃で１００時間放置し
た。ＴＳ試験では、−１２５℃で３０分、５５℃で３０
分放置する試験を１０００回線り返した。

【０１３６】上記信頼性試験において、チップコンデン
サを内蔵するプリント配線板においても、既存のコンデ
ンサ表面実装形と同等の信頼性が達成できていることが
分かった。また、上述したように、ＴＳ試験において、
セラミックから成るコンデンサと、樹脂からなるコア基
板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いから、内部応力
が発生しても、チップコンデンサの端子とビアとの間に
断線、チップコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥
離、層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、長期に渡り
高い信頼性を達成できることが判明した。

【０１３７】

【発明の効果】本発明の構成では、導体回路とコンデン
サの間に、本願発明のビアが形成されているので、電源
供給不足による動作の遅延をすることがなく、所望の性
能を保つことができ、信頼性試験を行っても問題を引き
起こさなかった。また、該ビアにより、層間絶縁層のビ
アを形成しても、位置ずれを引き起こしても、その許容
範囲が広くなるために、電気接続性が確保される。

【０１３８】また、コンデンサの電極の表面に導電性ペ
ーストを塗布してあるため、表面が完全にフラットにな
る。このため、樹脂層にレーザで開口を穿設した際に、
電極の表面に樹脂が残ることが無くなり、該電極とめっ
きによるビアとの接続性を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係
るプリント配線板の製造工程図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。

【図８】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板に
ＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。

【図９】（Ａ）は、図７中のビア５２の拡大図であり、
（Ｂ）は、（Ａ）のＢ矢印図である。

【図１０】（Ａ）は、第１実施形態のチップコンデンサ
の断面図であり、（Ｂ）は、第１実施形態の第１改変例
のチップコンデンサの断面図である。

【図１１】本発明の第１実施形態の改変例に係るプリン
ト配線板の断面図である。

【図１２】ＩＣチップへの供給電力と時間との変化を示
すグラフである。

【図１３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１７】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１８】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に
係るプリント配線板の製造工程図である。

【図１９】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第２実施形態に
係るプリント配線板の製造工程図である。

【図２０】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板
にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。

【図２１】本発明の第３実施形態に係るプリント配線板
にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。

【図２２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第４実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。

【図２３】第４実施形態に係るプリント配線板のチップ
コンデンサの平面図である。

【図２４】（Ａ）、（Ｂ）は、第４実施形態の改変例に
係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図であ
る。

【符号の説明】

２０チップコンデンサ２１第１電極２２第２電極２３誘電体２３ａ粗化面２３ｂポイリミド膜２６導電性ペースト２８ａ無電解銅めっき膜２８ｂ電解銅めっき膜２８複合金属膜３０コア基板３２凹部３３凹部３５凹部３６樹脂層４０樹脂絶縁層５２ビア５３ビア６０層間樹脂絶縁層６８導体回路６９ビア７０ソルダーレジスト層７１Ｕ、７１Ｄ開口部７２ニッケルめっき層７４金めっき層７６半田バンプ９０ＩＣチップ９２半田パッド（ＩＣチップ側）９４ドータボード９５半田パッド（ドータボード側）９６導電性接続ピン９７導電性接着剤９８固定部１６０層間樹脂絶縁層１６８導体回路１６９ビア

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｈ０１Ｇ 4/38 ＡＨ０５Ｋ 1/18 Ｈ０１Ｌ 23/12 ＢＮＦターム(参考） 5E082 AA01 CC01 DD15 EE23 5E336 AA04 AA14 BB03 BB15 BC02 BC26 CC32 CC36 CC43 CC53 CC55 EE07 EE08 EE17 GG11 GG16 5E346 AA06 AA12 AA15 AA32 AA43 AA51 BB16 BB20 CC32 DD02 DD22 DD25 DD33 DD34 EE06 EE18 EE31 EE34 EE35 EE38 FF04 FF07 FF15 FF18 FF45 GG15 GG17 GG18 GG19 GG25 GG27 GG28 HH02 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コア基板に樹脂絶縁層と導体回路とを積
層してなるプリント配線板であって、前記コア基板にコンデンサを内蔵させ、前記コンデンサ
の端子と接続する相対的に大きな下層ビアを形成し、前記コア基板の上面の層間樹脂絶縁層に、１の前記下層
ビアと接続された複数個の相対的に小さな上層ビアを配
設し、前記コンデンサのメタライズからなる電極の表面には、
導電性ペーストが塗布されていることを特徴とするプリ
ント配線板。
【請求項２】前記コンデンサの電極の導電性ペースト
上に金属層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の
プリント配線板。
【請求項３】前記コンデンサの表面に、粗化処理を施
したことを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれか
１に記載のプリント配線板。
【請求項４】前記コンデンサの表面に、表面の濡れ性
改善処理を施したことを特徴とする請求項１又は請求項
２のいずれか１に記載のプリント配線板。
【請求項５】前記下層ビアは、めっきが充填されてな
る表面が平坦なフィルドビアであることを特徴とする請
求項１に記載のプリント配線板。
【請求項６】前記下層ビアは、内部に樹脂が充填され
て表面に金属膜が形成されて成るフィルドビアであるこ
とを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項７】前記コンデンサは、前記コア基板に形成
された凹部の中に１個収容されていることを特徴とする
請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプリント配線
板。
【請求項８】前記コンデンサは、前記コア基板に形成
された凹部の中に複数個収容されていることを特徴とす
る請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプリント配
線板。
【請求項９】前記コア基板と前記コンデンサの間に、
前記コア基板よりも熱膨張率の小さい樹脂を充填したこ
とを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１に記載
のプリント配線板。
【請求項１０】前記プリント配線板の表面にコンデン
サを実装したことを特徴とする請求項１〜請求項９の内
１に記載のプリント配線板。
【請求項１１】前記表面のチップコンデンサの静電容
量は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であるこ
とを特徴とする請求項１０に記載のプリント配線板。
【請求項１２】前記表面のチップコンデンサのインダ
クタンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス
以上であることを特徴とする請求項１０に記載のプリン
ト配線板。
【請求項１３】前記コンデンサとして、外縁の内側に
電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント配
線板。
【請求項１４】前記コンデンサとして、マトリクス状
に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント
配線板。
【請求項１５】前記コンデンサとして、多数個取り用
のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
徴とする請求項１〜請求項１４の内１に記載のプリント
配線板。
【請求項１６】少なくとも以下（ａ）〜（ｅ）の工程
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：（ａ）コア基板に、メタライズ電極の上に導電性ペース
トを塗布したコンデンサを内臓する工程；（ｂ）前記コンデンサの上面に樹脂絶縁層を形成する工
程；（ｃ）前記樹脂絶縁層に、前記コンデンサの端子と接続
する相対的に大きな下層ビアを形成する工程；（ｄ）前記コア基板の上面に、層間樹脂絶縁層を形成す
る工程；（ｅ）前記層間樹脂絶縁層に、１の前記下層ビアと接続
された複数個の相対的に小さな上層ビアを配設する工
程。
【請求項１７】前記（ａ）工程の前に、前記コア基板
に凹部を形成し、前記凹部の中に前記コンデンサを１個
収容する工程を備えることを特徴とする請求項１６に記
載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１８】前記（ａ）工程の前に、前記コア基板
に凹部を形成し、前記凹部の中に前記コンデンサを複数
個収容する工程を備えることを特徴とする請求項１６に
記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項１９】前記（ａ）工程の前に、樹脂板に通孔
を形成し、前記通孔を形成した樹脂板に、樹脂板を貼り
付けて、凹部を有するコア基板を形成する工程を備える
ことを特徴とする請求項１６に記載のプリント配線板の
製造方法。
【請求項２０】前記下層ビアを形成する際に、めっき
を充填して表面の平坦なフィルドビアを形成することを
特徴とする請求項１６に記載のプリント配線板の製造方
法。
【請求項２１】前記下層ビアを形成する際に、内部に
樹脂を充填した後、表面に金属膜が配設してなるフィル
ドビアを形成することを特徴とする請求項１６に記載の
プリント配線板の製造方法。
【請求項２２】前記（ａ）工程の後に、前記凹部内の
前記複数個のコンデンサの上面に、上から圧力を加え、
前記コンデンサの上面の高さを揃える工程を備えること
を特徴とする請求項１８に記載のプリント配線板の製造
方法。