JP2002118367A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ループインダクタンスを低減したプリント配
線板及びプリント配線板の製造方法を提案する。 【解決手段】 第１、第２、第３樹脂基板３０ａ、３０
ｂ、３０ｃを積層することによりコア基板３０を形成
し、該コア基板３０内に、チップコンデンサ２０を配設
する。これにより、ループインダクタンスを低減するこ
とが可能となる。コア基板３０の銅箔３２の開口３２ａ
をコンフォーマルマスクとして、レーザで開口３８を穿
設するため、バイアホール５０をチップコンデンサ２０
と適切に接続することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣチップなど
の電子部品を載置するプリント基板及びその製造方法に
関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目
的のため、チップコンデンサを表面実装することがあ
る。

【０００３】チップコンデンサからＩＣチップまでの配
線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチッ
プの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面
実装させても十分な効果を得ることができなかった。こ
のため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号に
て、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサ
を収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板
に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、
特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９
号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９
７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。

【０００４】特開平６−３２６４７２号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−
２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９
号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くで
きず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現
在必要とされるようにインダクタンスを低減することが
できなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板
においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂か
らなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いか
ら、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チッ
プコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂
絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達
成することができなかった。

【０００６】一方、特願平１１−２４８３１１号の発明
では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデ
ンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサ
からＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあっ
た。

【０００７】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵
し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配
線板の製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項１のプリント配線板は、コンデンサを収容
するコア基板に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に
積層してなるプリント配線板であって、前記コンデンサ
を収容するコア基板が、第１の樹脂基板と、コンデンサ
を収容する開口を有する第２の樹脂基板と、第３の樹脂
基板とを、接着板を介在させて積層してなり、前記コア
基板の両面に、前記コンデンサの端子と接続するバイア
ホールを配設したことを技術的特徴とする。

【０００９】請求項１のプリント配線板では、コア基板
内にコンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチッ
プとコンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線
板のループインダクタンスを低減できる。また、樹脂基
板を積層してなるためコア基板に十分な強度を得ること
ができる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３
樹脂基板を配設することでコア基板を平滑に構成するた
め、コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適
切に形成することができ、プリント配線板の不良品発生
率を低下させることができる。更に、コア基板の両面に
バイアホールを設けてあるため、ＩＣチップとコンデン
サとを、また、外部接続基板とコンデンサとを最短の距
離で接続することができ、外部接続基板からＩＣチップ
への瞬時的な大電力供給が可能になる。

【００１０】コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該
層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを
施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ
法によって形成する回路を意味している。それらには、
セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを
用いることができる。

【００１１】また、接続用配線を配設することにより、
コンデンサの下部にも、配線を施すことが可能となる。
そのために配線の自由度が増して、高密度化、小型化を
することができる。

【００１２】コンデンサと基板との間には樹脂が充填さ
れることが望ましい。コンデンサと基板間の空隙をなく
すことによって、内蔵されたコンデンサが挙動すること
が小さくなるし、コンデンサを起点とする応力が発生し
ても、該充填された樹脂により緩和することができる。
また、該樹脂にはコンデンサとコア基板とを接着させ、
マイグレーションを低下させるという効果も有する。

【００１３】請求項２では、接着板が心材に熱硬化性樹
脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせ
ることができる。

【００１４】請求項３では、第１、第２、第３樹脂基板
は、心材に樹脂を含浸させてなるため、コア基板に高い
強度を持たせることができる。具体例としてガラスエポ
キシ、ガラスフェノルなどの補強材が含浸されているも
のを用いることができる。

【００１５】請求項４では、コア基板内に複数個のコン
デンサを収容するため、コンデンサの高集積化が可能と
なる。そのために、より多くの静電容量を確保すること
ができる。

【００１６】請求項５では、第２の樹脂基板に導体回路
が形成されているため、基板の配線密度を高め、層間樹
脂絶縁層の層数を減らすことができる。

【００１７】請求項６では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。

【００１８】請求項７では、表面のコンデンサの静電容
量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高
周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチ
ップの動作が確保される。

【００１９】請求項８では、表面のコンデンサのインダ
クタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上で
あるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、
所望のＩＣチップの動作が確保される。

【００２０】請求項９、１０では、金属膜を形成したチ
ップコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホール
で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサ
の電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金
属膜により表面が平滑になり、バイアホールを形成する
ため、電極上に被覆された樹脂に通孔を形成した際に、
樹脂残さが残らず、バイアホールと電極との接続信頼性
を高めることができる。更に、めっきの形成された電極
に、めっきによりバイアホールを形成するため、電極と
バイアホールとの接続性が高く、ヒートサイクル試験を
実施しても、電極とバイアホール間の断線が生じること
がない。

【００２１】コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッ
ケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが
望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層
は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーション
を誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの
発生を防止することも出来る。

【００２２】また、チップコンデンサの表面に粗化処理
を施してもよい。これにより、セラミックから成るチッ
プコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁層と
の密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面
での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがな
い。

【００２３】請求項１１では、絶縁性接着剤の熱膨張率
を、収容層よりも小さく、即ち、セラミックからなるコ
ンデンサに近いように設定してある。このため、ヒート
サイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に
熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラッ
ク、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。

【００２４】請求項１２では、チップコンデンサの電極
の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線
板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取
ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成
分がＣｕであることが望ましい。接続抵抗を低減するこ
とができるからである。

【００２５】請求項１３では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

【００２６】請求項１４では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。

【００２７】請求項１５では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩ
Ｃチップを動作させることができる。

【００２８】請求項１６のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備えること
を技術的特徴とする： （ａ）第１の樹脂基板に接着材料を介してコンデンサを
取り付ける工程； （ｂ）第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板と
を、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の
樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂
基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように積層
してコア基板とする工程； （ｃ）レーザを照射して、前記コア基板に前記コンデン
サへ至るバイアホール用開口を形成する工程； （ｄ）前記バイアホール用開口にバイアホールを形成す
る工程。

【００２９】請求項１６では、コア基板内にコンデンサ
を収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサ
との距離が短くなるため、プリント配線板のループイン
ダクタンスを低減できる。

【００３０】請求項１７のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えること
を技術的特徴とする： （ａ）第１の樹脂基板の片面の金属膜にバイアホール形
成用開口を形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
料を介してコンデンサを取り付ける工程； （ｃ）第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板と
を、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の
樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂
基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、接
着板を介在させて積層する工程； （ｄ）前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及
び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
工程； （ｅ）前記第１の樹脂基板の前記金属膜に形成された前
記バイアホール形成用開口にレーザを照射して、前記コ
ンデンサへ至るバイアホール用開口を形成する工程； （ｆ）前記バイアホール用開口に、バイアホールを形成
する工程。

【００３１】請求項１７では、コア基板内にコンデンサ
を収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサ
との距離が短くなるため、プリント配線板のループイン
ダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成さ
れた第１の樹脂基板の金属膜に、エッチングなどにより
開口を設け、開口の位置にレーザを照射することによ
り、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイアホ
ール用の開口を設けている。これにより、バイアホール
の開口径は、金属膜の開口径に依存することになるた
め、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能
となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、
金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの
照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形
成することが可能となる。

【００３２】請求項１８のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えること
を技術的特徴とする： （ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および
第３の樹脂基板の、金属膜にバイアホール形成用開口を
形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
料を介してコンデンサを取り付ける工程； （ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容す
る開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板
とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２
の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹
脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、
前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工
程； （ｄ）前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及
び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
工程； （ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に
形成された前記バイアホール形成用開口にレーザを照射
して、前記コンデンサへ至るバイアホール用開口を形成
する工程； （ｆ）前記バイアホール用開口に、バイアホールを形成
する工程。

【００３３】請求項１８では、コア基板内にコンデンサ
を収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサ
との距離が短くなるため、プリント配線板のループイン
ダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成さ
れた第１、第３の樹脂基板の金属膜に、エッチングなど
により開口を設け、開口の位置にレーザを照射すること
により、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイ
アホール用の開口を設けている。これにより、バイアホ
ールの開口径は、金属膜の開口径に依存することになる
ため、バイアホールを適切な開口径で形成することが可
能となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度
も、金属膜の開口位置に依存することになるため、レー
ザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置
に形成することが可能となる。

【００３４】その上、樹脂基板を積層してなるためコア
基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板
の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することで
コア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹
脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、
プリント配線板の不良品発生率を低下させることができ
る。更に、コア基板の両面にバイアホールを設けてある
ため、ＩＣチップとコンデンサとを、また、外部接続基
板とコンデンサとを最短の距離で接続することができ、
外部接続基板からＩＣチップへの瞬時的な大電力供給が
可能になる。

【００３５】請求項１９のプリント配線板の製造方法で
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｇ）の工程を備えること
を技術的特徴とする： （ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および
第３の樹脂基板の、金属膜に通孔を形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
料を介してコンデンサを取り付ける工程； （ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容す
る開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板
とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２
の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹
脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、
前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工
程； （ｄ）前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及
び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
工程； （ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に
形成された前記通孔にレーザを照射して、前記コア基板
の両面にコンデンサへ至るバイアホール用開口を形成す
る工程； （ｆ）前記金属膜を除去、又は、薄くする工程； （ｇ）前記コア基板に、導体回路およびバイアホールを
形成する工程。

【００３６】請求項１９では、コア基板内にコンデンサ
を収容することが可能となり、ＩＣチップとコンデンサ
との距離が短くなるため、プリント配線板のループイン
ダクタンスを低減できる。また、片面に金属膜が形成さ
れた第１、第３の樹脂基板の金属膜に、エッチングなど
により開口を設け、開口の位置にレーザを照射すること
により、開口から露出した樹脂絶縁層を除去して、バイ
アホール用の開口を設けている。その後、金属膜をエッ
チングなどにより除去する。これにより、バイアホール
の開口径は、金属膜の開口径に依存することになるた
め、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能
となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、
金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの
照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形
成することが可能となる。また、金属膜をエッチングな
どにより除去することにより、配線の厚さを薄く形成す
ることができるので、ファインピッチな配線を形成する
ことが可能となる。

【００３７】その上、樹脂基板を積層してなるためコア
基板に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板
の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基板を配設することで
コア基板を平滑に構成するため、コア基板の上に層間樹
脂絶縁層および導体回路を適切に形成することができ、
プリント配線板の不良品発生率を低下させることができ
る。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図７及び図８を参
照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を
示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチ
ップ９０を搭載し、ドータボード９５側へ取り付けた状
態を示している。

【００３９】図７に示すように、プリント配線板１０
は、複数個のチップコンデンサ２０を収容するコア基板
３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからな
る。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、層間樹脂絶
縁層６０、１６０からなる。ビルドアップ配線層８０
Ａ、８０Ｂの層間樹脂絶縁層６０には、導体回路１４８
及びバイアホール１５０が形成され、層間樹脂絶縁層１
６０には、導体回路２４８及びバイアホール２５０が形
成されている。層間樹脂絶縁層１６０の上には、ソルダ
ーレジスト層７０が形成されている。コア基板３０に
は、チップコンデンサ２０と接続するバイアホール５０
及び導体回路４８が配設されている。ビルドアップ配線
層８０Ａとビルドアップ配線層８０Ｂとは、コア基板３
０に形成されたスルーホール５２を介して接続されてい
る。

【００４０】チップコンデンサ２０は、図７に示すよう
に第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電極に挟
まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、第１電
極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２
側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置され
ている。

【００４１】図８に示すように、上側のビルドアップ配
線層８０Ａには、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｅ，９２
Ｐ、９２Ｓへ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設さ
れている。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂに
は、ドータボード９５のパッド９４Ｅ１，９４Ｅ２，９
４Ｐ１、９４Ｐ２、９４Ｓへ接続するための半田バンプ
７６Ｄが配設されている。

【００４２】ＩＣチップ９０の信号用パッド９２Ｓは、
バンプ７６Ｕ−導体回路２４８−バイアホール２５０−
導体回路１４８−バイアホール１５０−スルーホール５
２−バイアホール１５０−導体回路１４８−バイアホー
ル２５０−導体回路２４８−バンプ７６Ｄを介して、ド
ータボード９５の信号用パッド９４Ｓへ接続されてい
る。

【００４３】ＩＣチップ９０の接地用パッド９２Ｅは、
バンプ７６Ｕ−バイアホール２５０−導体回路１４８−
バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０
を介してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続さ
れている。一方、ドータボード９５の接地用パッド９４
Ｅ１は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路
１４８−バイアホール１５０−スルーホール５２−導体
回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ
２０の第１電極２１へ接続されている。また、接地用パ
ッド９４Ｅ２は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−
導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−
バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１
電極２１へ接続されている。

【００４４】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐは、
バンプ７６Ｕ−バイアホール２５０−導体回路１４８−
バイアホール１５０−導体回路４８−バイアホール５０
を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接続さ
れている。一方、ドータボード９５の電源用パッド９４
Ｐ１は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−導体回路
１４８−バイアホール１５０−スルーホール５２−導体
回路４８−バイアホール５０を介してチップコンデンサ
２０の第２電極２２へ接続されている。また、電源用パ
ッド９４Ｐ２は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２５０−
導体回路１４８−バイアホール１５０−導体回路４８−
バイアホール５０を介してチップコンデンサ２０の第１
電極２２へ接続されている。この実施形態では、スルー
ホール５２を介してチップコンデンサ２０の第１、第２
電極２１、２２へドータボード９５側から接続したが、
スルーホールを介しての接続を省略することも可能であ
る。

【００４５】図７に示すように、本実施形態のコア基板
３０は、チップコンデンサ２０が接着材料を介して接続
された第１樹脂基板３０ａと、第１樹脂基板３０ａに接
着用樹脂層（接着板）３６ａを介して接続された第２樹
脂基板３０ｂと、第２樹脂基板３０ｂに接着用樹脂層
（接着板）３６ｂを介して接続された第３樹脂基板３０
ｃとからなる。第２樹脂基板３０ｂには、チップコンデ
ンサ２０を収容可能な開口３０Ｂが形成されている。

【００４６】これにより、コア基板３０内にチップコン
デンサ２０を収容することができるため、ＩＣチップ９
０とチップコンデンサ２０との距離が短くなり、プリン
ト配線板１０のループインダクタンスを低減できる。ま
た、第１樹脂基板３０ａ、第２樹脂基板３０ｂ、第３樹
脂基板３０ｃを積層してなるので、コア基板３０に十分
な強度を得ることができる。更に、コア基板３０の両面
に第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板３０ｃを配設する
ことでコア基板３０を平滑に構成するため、コア基板３
０の上に層間樹脂絶縁層６０、１６０および導体回路１
４８、２４８、バイアホール１５０、２５０を適切に形
成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低
下させることができる。

【００４７】また、この実施形態では、コア基板３０の
両面にバイアホール５０を設けてあるため、ＩＣチップ
９０とチップコンデンサ２０とを、また、ドータボード
９５とチップコンデンサ２０とを最短の距離で接続する
ことができ、ドータボードからＩＣチップへの瞬時的な
大電力供給が可能になる。

【００４８】更に、本実施形態では、図１（Ｄ）に示す
ように第１樹脂基板３０ａとチップコンデンサ２０との
間に絶縁性接着剤３４を介在させてある。ここで、接着
剤３４の熱膨張率を、コア基板３０よりも小さく、即
ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いよ
うに設定してある。このため、ヒートサイクル試験にお
いて、コア基板及び接着層４０とチップコンデンサ２０
との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板
にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成でき
る。また、マイグレーションの発生を防止することも出
来る。

【００４９】引き続き、図７を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説
明する。

【００５０】（１）厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の
心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸さ
せて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔３２がラミネート
されている片面銅張積層板３０Ｍ（第１樹脂基板３０ａ
および第３樹脂基板３０ｃ）を出発材料とする（図１
（Ａ）参照）。次に、この銅貼積層板３０Ｍの銅箔３２
をパターン状にエッチングすることにより、銅箔３２に
バイアホール形成用開口３２ａを形成する（図１（Ｂ）
参照）。

【００５１】（２）その後、第１樹脂基板３０ａの銅箔
３２がラミネートされていない面に、印刷機を用いて熱
硬化系またはＵＶ硬化系の接着材料３４を塗布する（図
１（Ｃ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティン
グなどをしてもよい。次に、接着材料３４上に複数個の
セラミックから成るチップコンデンサ２０を載置し、接
着材料３４を介して、第１樹脂基板３０ａにチップコン
デンサ２０を接着する（図１（Ｄ）参照）。チップコン
デンサ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチ
ップコンデンサ２０を用いることにより、コンデンサの
高集積化が可能となる。

【００５２】（３）次に、ガラスクロス等の心材にエポ
キシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着用樹脂層）３６
ａ、３６ｂ及びガラスクロス等の心材にＢＴ樹脂を含浸
させて硬化させた第２樹脂基板３０ｂ（厚さ０．４ｍ
ｍ）を用意する。プリプレグ３６ａ及び第２樹脂基板３
０ｂには、チップコンデンサ２０を収容可能な開口３６
Ａ、３０Ｂを形成しておく。まず、銅箔３２がラミネー
トされた面を下にした第３樹脂基板３０ｃの上に、プリ
プレグ３６ｂを介して第２樹脂基板３０ｂを載置する。
次に、第２樹脂基板３０ｂの上にプリプレグ３６ａを介
して、第１樹脂基板３０ａを反転して載置する。即ち、
第１樹脂基板３０ａに接続されたチップコンデンサ２０
がプリプレグ３６ａ側を向き、第２樹脂基板３０ｂに形
成された開口３０Ｂにチップコンデンサ２０を収容でき
るように重ね合わせる（図２（Ａ）参照）。これによ
り、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容する
ことが可能となり、ループインダクタンスを低減させた
プリント配線板を提供することができる。

【００５３】なお、コア基板をセラミックやＡＩＮなど
の基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工
性が悪く、コンデンサを収容することができないことが
あり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためであ
る。

【００５４】（４）そして、重ね合わせた基板を熱プレ
スを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第
３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化
し、複数個のチップコンデンサ２０を有するコア基板３
０を形成する（図２（Ｂ）参照）。ここでは、先ず、加
圧されることでプリプレグ３６ａ、３６ｂからエポキシ
樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、開口３０Ｂとチ
ップコンデンサ２０との間の隙間を充填させる。更に、
加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化
し、プリプレグ３６ａ、３６ｂを接着用樹脂（接着板）
として介在させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹
脂基板３０ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させ
る。なお、本実施形態では、プリプレグから出るエポキ
シ樹脂により、開口３０Ｂ内の隙間を充填したが、この
代わりに、開口３０Ｂ内に充填材を配置しておくことも
可能である。ここで、コア基板３０の両面に平滑な第１
樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板３０ｃが配置されるの
で、コア基板３０の平滑性が損なわれず、後述する工程
で、コア基板３０の上に層間樹脂絶縁層６０、１６０お
よび導体回路１４８、２４８、バイアホール１５０、２
５０を適切に形成することができ、プリント配線板の不
良品発生率を低下させることができる。また、コア基板
３０に十分な強度を得ることができる。

【００５５】（５）次いで、レーザを照射して銅箔３２
のバイアホール形成用開口３２ａから露出する部位を除
去し、チップコンデンサ２０の第１電極２１及び第２電
極２２へ至るバイアホール用開口３８を形成する。即
ち、銅箔３２をコンフォマルマスクとして用い、レーザ
によりコア基板３０にバイアホール用開口３８を形成す
る。その後、同様の工程を基板の他方の面にも行う（図
２（Ｃ）参照）。これにより、バイアホールの開口径
は、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａの開口径
に依存することになるため、バイアホールを適切な開口
径で形成することが可能となる。また同様に、バイアホ
ールの開口位置精度も、銅箔３２のバイアホール形成用
開口３２ａの開口位置に依存することになるため、レー
ザの照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置
に形成することが可能となる。

【００５６】（６）そして、コア基板３０にドリル又は
レーザにより、スルーホール用貫通孔４０を形成する
（図２（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデ
スミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液
によるデスミヤ処理を行ってもよい。

【００５７】（７）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３
０の全表面に粗化面を形成する。この際、不活性ガスと
してはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス圧
０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処理
を実施する。その後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにした
スパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４２をコア基
板３０の表面に形成する（図３（Ａ）参照）。ここで
は、スパッタを用いているが、無電解めっきにより、
銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、場合
によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき膜を
形成させてもよい。酸あるいは酸化剤によって粗化処理
を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍが望
ましい。

【００５８】（８）次に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４２の表面
に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置し
て、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト４４を
形成する。そして、電解めっき液にコア基板３０を浸漬
し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４２を介して電流を流し、レジス
ト４４非形成部に以下の条件で電解めっきを施し、電解
めっき膜４６を形成する（図３（Ｂ）参照）。

【００５９】 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ） １９．５ ｍｌ／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／ｄｍ² 時間 １２０分 温度 ２２±２℃

【００６０】（９）レジスト４４を５％ＮａＯＨで剥離
除去した後、そのレジスト４４下のＮｉ／Ｃｕ合金層４
２及び銅箔３２を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液
を用いるエッチングにて溶解除去し、銅箔３２及びＮｉ
／Ｃｕ合金層４２、電解めっき膜４６からなる導体回路
４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２
を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エ
ッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、導体
回路４８（バイアホール５０を含む）及びスルーホール
５２の表面をエッチングすることにより、導体回路４８
（バイアホール５０を含む）及びスルーホール５２の全
表面に粗化面５４を形成する（図３（Ｃ）参照）。エッ
チング液として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量
部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およ
びイオン交換水７８重量部を混合したものを使用する。

【００６１】（１０）エポキシ系樹脂を主成分とする樹
脂充填剤５６を、基板３０の両面に印刷機を用いて塗布
することにより、導体回路４８間またはスルーホール５
２内に充填し、加熱乾燥を行う。即ち、この工程によ
り、樹脂充填剤５６が導体回路４８の間、バイアホール
５０、スルーホール５２内に充填される（図３（Ｄ）参
照）。

【００６２】（１１）上記（１０）の処理を終えた基板
３０の片面を、ベルト研磨紙（三共理化学社製）を用い
たベルトサンダー研磨により、導体回路４８の表面やス
ルーホール５２のランド表面５２ａに樹脂充填剤５６が
残らないように研磨し、ついで、上記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このよう
な一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行
う。そして、充填した樹脂充填剤５６を加熱硬化させ
る。このようにして、スルーホール５２等に充填された
樹脂充填剤５６の表層部および導体回路４８上面の粗化
面５４を除去して基板３０両面を平滑化し、樹脂充填剤
５６と導体回路４８とが粗化面５４を介して強固に密着
し、またスルーホール５２の内壁面と樹脂充填剤５６と
が粗化面５４を介して強固に密着した配線基板を得る。
次に、基板３０の両面に、上記（９）で用いたエッチン
グ液と同じエッチング液をスプレイで吹きつけ、一旦平
坦化された導体回路４８の表面とスルーホール５２のラ
ンド表面５２ａとをエッチングすることにより、導体回
路４８の全表面に粗化面５８を形成する（図４（Ａ）参
照）。

【００６３】（１２）上記工程を経た基板３０に、後述
する熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度５０〜１５０
℃まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミ
ネートし、層間樹脂絶縁層６０を設ける（図４（Ｂ）参
照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。

【００６４】（１３）次いで、層間樹脂絶縁層６０にレ
ーザによりバイアホール用開口１３８を形成する（図４
（Ｃ）参照）。

【００６５】（１４）次に、（７）の工程で用いた、日
本真空技術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズ
マ処理を行い、層間樹脂絶縁層６０の表面に粗化面６０
αを形成する（図４（Ｄ）参照）。酸あるいは酸化剤に
よって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、０．
１〜５μｍが望ましい。

【００６６】（１５）その後、（７）の工程と同様に、
Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたスパッタリングを行
い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層１４２を層間樹脂絶縁層６０の表
面に形成する（図５（Ａ）参照）。ここでは、スパッタ
を用いているが、無電解めっきにより、銅、ニッケル等
の金属層を形成してもよい。また、場合によってはスパ
ッタで形成した後に、無電解めっき膜を形成させてもよ
い。

【００６７】（１６）次に、（８）の工程と同様に、Ｎ
ｉ／Ｃｕ金属層１４２の表面に感光性ドライフィルムを
貼り付け、マスクを載置して、露光・現像処理し、所定
パターンのレジスト１４４を形成する。そして、電解め
っき液に基板を浸漬し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層１４２を介し
て電流を流し、レジスト１４４非形成部に電解めっきを
施し、電解めっき膜１４６を形成する（図５（Ｂ）参
照）。

【００６８】（１７）その後（９）の工程と同様の処理
をして、Ｎｉ／Ｃｕ合金層１４２及び電解めっき膜１４
６からなる導体回路１４８（バイアホール１５０を含
む）を形成する。そして、基板を水洗いし、乾燥した
後、エッチング液を基板の両面にスプレイで吹きつけて
エッチングすることにより、導体回路１４８（バイアホ
ール１５０を含む）の全表面に粗化面１５４を形成する
（図５（Ｃ）参照）。

【００６９】（１８）さらに（１２）〜（１７）の工程
を繰り返すことにより、上層に層間樹脂絶縁層２６０及
び導体回路２４８（バイアホール２５０を含む）、粗化
面２５４を形成する（図５（Ｄ）参照）。

【００７０】（１９）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ.３によった。

【００７１】（２０）次に、基板３０の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０
に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線で露光し、
ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１Ｕ、７１Ｄを形成
する（図６（Ａ）参照）。

【００７２】（２１）次に、ソルダーレジスト層（有機
樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム
（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１
Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成
する。さらに、その基板を、シアン化金カリウム（７．
６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×
１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１
０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１
０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件
で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ
０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ）
参照）。

【００７３】（２２）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることにより、はんだバンプ（半田体）７
６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半田バンプ７６
Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を得ることがで
きる（図７参照）。

【００７４】次に、上述した工程で完成したプリント配
線板１０へのＩＣチップ９０の載置および、ドータボー
ド９５への取り付けについて、図８を参照して説明す
る。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６Ｕに
ＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｅ，９２Ｐ、９２Ｓが
対応するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを
行うことでＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、
プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｄにドータボード
９５のパッド９４Ｅ１，９４Ｅ２，９４Ｐ１、９４Ｐ
２、９４Ｓが対応するように、リフローすることで、ド
ータボード９５へプリント配線板１０を取り付ける。

【００７５】上述した樹脂フィルムには、難溶性樹脂、
可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。
それぞれについて以下に説明する。

【００７６】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶
性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以
下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。

【００７７】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００７８】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００７９】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【００８０】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００８１】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。

【００８２】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００８３】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００８４】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００８５】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００８６】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用
開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化
性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、め
っき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状
を保持することができるからである。

【００８７】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらに
は、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒー
トサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発
生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

【００８８】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００８９】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスル
ーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金
属層の密着性を確保することができるからである。ま
た、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有す
る樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フ
ィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされること
がないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性が確実に保たれる。

【００９０】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００９１】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００９２】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００９３】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【００９４】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００９５】引き続き、本発明の第１実施形態の改変例
に係るプリント配線板について、図９を参照して説明す
る。改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態
とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配線板
では、導電性ピン９６が配設され、該導電性ピン９６を
介してドータボードとの接続を取るように形成されてい
る。

【００９６】また、上述した第１実施形態では、コア基
板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えて
いたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコ
ンデンサ８６が実装されている。

【００９７】ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力
を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源
用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を
備えてある。このチップコンデンサによる効果につい
て、図１４を参照して説明する。

【００９８】図１４は、縦軸にＩＣチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃ
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Ｂは、図８を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Ｅは、図９を参照して上述したコア基板内のチップ
コンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデン
サ８６を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を
示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０
を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタン
ス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動
を最小に押さえている。

【００９９】引き続き、本発明の第２実施形態に係るプ
リント配線板２１０について、図１３を参照して説明す
る。この第２実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第１実施形態とほぼ同様である。図７を参照して上
述した第１実施形態では、導体回路４８が銅箔３２及び
Ｎｉ／Ｃｕ合金層４２、電解めっき膜４６の３層で構成
されていた。これに対して、第２実施形態のプリント配
線板１１０では、導体回路４８が無電解めっき膜４３と
電解めっき膜４６との２層で構成されている。即ち、銅
箔３２を除去し、厚さを薄くすることで、導体回路４８
をファインピッチに形成してある。

【０１００】また、第２実施形態のプリント配線板２１
０では、チップコンデンサ２０を収容する開口３０Ｂを
設けた第２樹脂基板３０ｂの両面に、導体回路３３が形
成されている。この第２実施形態では、第２樹脂基板３
０ｂの両面に導体回路３３が形成されているため、コア
基板３０内の配線密度を高めることができ、ビルドアッ
プする層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能とな
る。

【０１０１】また、第２実施形態のプリント配線板で
は、チップコンデンサ２０が、図１５（Ａ）に示すよう
に第１、第２電極２１，２２の被覆層（図示せず）を完
全に剥離した後、銅めっき膜２９により被覆してある。
そして、銅めっき膜２９で被覆した第１、第２電極２
１，２２に銅めっきよりなるバイアホール５０で電気的
接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極２
１，２２は、メタライズからなり表面に凹凸がある。こ
のため、金属層を剥き出した状態で用いると、接続層４
０に非貫通孔４３を穿設する工程において、該凹凸に樹
脂が残ることがある。この際には、当該樹脂残さにより
第１、第２電極２１，２２とバイアホール５０との接続
不良が発生することがある。これに対して、第２実施形
態では、銅めっき膜２９によって第１、第２電極２１，
２２の表面が平滑になり、電極上に被覆された第１樹脂
基板３０ａに開口３８を穿設した際に、樹脂残さが残ら
ず、バイアホール５０を形成した際の電極２１，２２と
の接続信頼性を高めることができる。

【０１０２】更に、銅めっき膜２９の形成された電極２
１、２２に、めっきによりバイアホール５０を形成する
ため、電極２１、２２とバイアホール５０との接続性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電極２１、２
２とバイアホール５０との間で断線が生じることがな
い。マイグレーションの発生もなく、コンデンサのバイ
アホールの接続部での不都合を引き起こさなかった。

【０１０３】なお、上記銅めっき膜２９は、チップコン
デンサの製造段階で金属層２６の表面に被覆されたニッ
ケル／スズ層（被覆層）を、プリント配線板への搭載の
段階で剥離してから設ける。この代わりに、チップコン
デンサ２０の製造段階で、金属層２６の上に直接銅めっ
き膜２９を被覆することも可能である。即ち、第２実施
形態では、第１実施形態と同様に、レーザにて電極の銅
めっき膜２９へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を
行い、バイアホールを銅めっきにより形成する。従っ
て、銅めっき膜２９の表面に酸化膜が形成されていて
も、上記レーザ及びデスミヤ処理で酸化膜を除去できる
ため、適正に接続を取ることができる。

【０１０４】また、図１５（Ｂ）に示すようにチップコ
ンデンサ２０の第１電極２１、第２電極２２の被覆層２
８から、上部を露出させてプリント配線板に収容し、被
覆層２８から露出した第１電極２１、第２電極２２に電
気的接続を取ることもできる。このとき、被覆層２８か
ら露出した金属は、主成分がＣｕであることが望まし
い。接続抵抗を低減することができるからである。

【０１０５】更に、チップコンデンサ２０のセラミック
から成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ２０と樹脂からなる接着層４０との密着性が高く、ヒ
ートサイクル試験を実施しても界面での第１樹脂基板３
０ａの剥離が発生することがない。この粗化層２３ａ
は、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研磨する
ことにより、また、焼成前に、粗化処理を施すことによ
り形成できる。なお、第２実施形態では、コンデンサの
表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、こ
の代わりに、コンデンサの表面にシランカップリング処
理を施すことも可能である。

【０１０６】本発明の第２実施形態に係るプリント配線
板の製造工程について、図１０〜図１２を参照して説明
する。

【０１０７】（１）厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の
心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸さ
せて硬化させた樹脂基板の片面に銅箔３２がラミネート
されている片面銅張積層板３０Ｍ（第１樹脂基板３０ａ
および第３樹脂基板３０ｃ）を用意する。また、厚さ
０．４ｍｍのガラスクロス等の心材にＢＴ（ビスマレイ
ミドトリアジン）樹脂を含浸させて硬化させた樹脂基板
の両面に銅箔３２がラミネートされている両面銅張積層
板３０Ｎ（第２樹脂基板３０ｂ）を用意する（図１０
（Ａ）参照）。

【０１０８】（２）次に、この銅貼積層板３０Ｍの銅箔
３２をパターン状にエッチングすることにより、銅箔３
２にバイアホール形成用開口３２ａを形成する。同様
に、両面銅張積層板３０Ｎの銅箔３２をパターン状にエ
ッチングし、導体回路３３を形成する（図１０（Ｂ）参
照）。第２実施形態では、第２樹脂基板３０ｂの両面に
導体回路３３が形成されているため、コア基板の配線密
度を高めることができ、ビルドアップする層間樹脂絶縁
層の層数を減らすことができる利点がある。

【０１０９】（３）その後、第１樹脂基板３０ａの銅箔
３２がラミネートされていない面に、印刷機を用いて熱
硬化系またはＵＶ硬化系の接着材料３４を塗布する（図
１０（Ｃ）参照）。このとき、塗布以外にも、ポッティ
ングなどをしてもよい。次に、接着材料３４上に複数個
のセラミックから成るチップコンデンサ２０を載置し、
接着材料３４を介して、第１樹脂基板３０ａにチップコ
ンデンサ２０を接着する（図１０（Ｄ）参照）。チップ
コンデンサ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個
のチップコンデンサ２０を用いることにより、コンデン
サの高集積化が可能となる。

【０１１０】（４）次に、ガラスクロス等の心材にエポ
キシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着用樹脂層）３６
ａ、３６ｂおよび第２樹脂基板３０ｂを用意する。プリ
プレグ３６ａ及び第２樹脂基板３０ｂには、チップコン
デンサ２０を収容可能な開口３６Ａ、３０Ｂを形成して
おく。まず、銅箔３２がラミネートされた面を下にした
第３樹脂基板３０ｃの上に、プリプレグ３６ｂを介して
第２樹脂基板３０ｂを載置する。次に、第２樹脂基板３
０ｂの上にプリプレグ３６ａを介して、第１樹脂基板３
０ａを反転して載置する。即ち、第２樹脂基板３０ｂに
形成された開口３０Ｂにチップコンデンサ２０が収容で
きるように重ね合わせる（図１１（Ａ）参照）。これに
より、コア基板３０内にチップコンデンサ２０を収容す
ることが可能となり、ループインダクタンスを低減させ
たプリント配線板を提供することができる。

【０１１１】（５）そして、重ね合わせた基板を熱プレ
スを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第
３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化
し、複数個のチップコンデンサ２０を有するコア基板３
０を形成する（図１１（Ｂ）参照）。なお、本実施形態
では、プリプレグから出るエポキシ樹脂により、開口３
０Ｂ内の隙間を充填したが、この代わりに、開口３０Ｂ
内に充填材を配置しておくことも可能である。ここで、
コア基板３０の両面が平滑な第１樹脂基板３０ａ、第３
樹脂基板３０ｃなので、コア基板３０の平滑性が損なわ
れず、後述する工程で、コア基板３０の上に層間樹脂絶
縁層６０、１６０および導体回路１４８、２４８、バイ
アホール１５０、２５０を適切に形成することができ、
プリント配線板の不良品発生率を低下させることができ
る。また、コア基板３０に十分な強度を得ることができ
る。

【０１１２】（６）次いで、基板上からレーザを照射し
て銅箔３２のバイアホール形成用開口３２ａから露出す
る部位を除去し、チップコンデンサ２０の第１電極２１
及び第２電極２２へ至るバイアホール用開口３８を形成
する。即ち、銅箔３２をコンフォマルマスクとして用
い、レーザによりコア基板３０にバイアホール用開口３
８を形成する。その後、同様の工程を基板の他方の面に
も行う（図１１（Ｃ）参照）。これにより、バイアホー
ルの開口径は、銅箔３２のバイアホール形成用開口３２
ａの開口径に依存することになるため、バイアホールを
適切な開口径で形成することが可能となる。また同様
に、バイアホールの開口位置精度も、銅箔３２のバイア
ホール形成用開口３２ａの開口位置に依存することにな
るため、レーザの照射位置精度は低くてもバイアホール
を適切な位置に形成することが可能となる。

【０１１３】（７）その後、コア基板３０の両面の銅箔
３２を、エッチング液を用いてエッチングすることによ
り除去する。これにより、後述する工程で導体回路４８
の厚さを薄く形成することができ、ファインピッチに形
成することが可能となる。次に、コア基板３０にドリル
又はレーザにより、スルーホール用貫通孔４０を形成す
る（図１１（Ｄ）参照）。この後、酸素プラズマを用い
てデスミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの
薬液によるデスミヤ処理を行ってもよい。

【０１１４】（８）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３
０の全表面に粗化面４１を形成する（図１２（Ａ）参
照）。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガスを使用
し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条
件で、２分間プラズマ処理を実施する。酸あるいは酸化
剤によって粗化処理を施してもよい。また、粗化層は、
０．１〜５μｍが望ましい。

【０１１５】（９）次に、以下の組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面４１全体に厚さ
０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜４３を形成する
（図１２（Ｂ）参照）。 〔無電解めっき水溶液〕 ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ 酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ３５℃の液温度で４０分 ここでは、無電解めっきを用いているが、スパッタによ
り、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、
場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき
膜を形成させてもよい。

【０１１６】（１０）市販の感光性ドライフィルムを無
電解銅めっき膜４３に貼り付け、マスクを載置して、１
００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、厚さ３０μｍのめっき
レジスト４４を設ける。次に、基板３０を５０℃の水で
洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗
浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２
０μｍの電解銅めっき膜４６を形成する（図１２（Ｃ）
参照）。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ 硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ 添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ （アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ） 〔電解めっき条件〕 電流密度 １ Ａ／ｄｍ² 時間 ６５ 分 温度 ２２±２ ℃

【０１１７】（１１）めっきレジスト４４を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト４４下の無電
解めっき膜４３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜４３と電解銅
めっき膜４６からなる厚さ１８μｍの導体回路４８（バ
イアホール５０を含む）及びスルーホール５２を形成す
る（図１２（Ｄ）参照）。第２実施形態では、上述した
ように予め銅箔３２を除去することで、導体回路４８の
厚さを薄くすることができ、ファインピッチに形成する
ことが可能となる。なお、ここでは、銅箔３２を完全に
除去を剥離したが、ライトエッチングにより銅箔３２を
薄くすることでも、導体回路４８の厚さを薄くでき、フ
ァインピッチに形成することが可能となる。

【０１１８】以降の工程は、上述した第１実施形態の
（１０）〜（１９）と同様であるため説明を省略する。

【０１１９】上述した実施形態では、コア基板の両面に
バイアホールを設けたが、片面のみにバイアホールを形
成することも可能である。また、コア基板３０の表面の
銅箔３２の開口３２ａをコンフォマルマスクとして用い
たが、コア基板３０のコンフォマルマスクを用いること
なくレーザを照射してコンデンサへ至る開口を設けるこ
ともできる。

【０１２０】引き続き、本発明の第３実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図１６を参照して説明す
る。この第３実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３
０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１
６は、チップコンデンサの平面図を示している。図１６
（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第１実施形態のプリント配線板では、図１６（Ｂ）に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極
２１及び第２電極２２を配設してある。図１６（Ｃ）
は、第３実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第３実施形態のプリント配線板では、図１６（Ｄ）
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。

【０１２１】この第３実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。引き続き、第３実施形態の第１改変例に係
るプリント配線板図１７を参照して説明する。図１７
は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容
されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上
述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコン
デンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容
量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容して
ある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１
と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続
された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された
第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５
へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用
の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチッ
プ側とドータボード側とが接続されている。

【０１２２】この第１改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。

【０１２３】図１８を参照して第２改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図１８（Ａ）は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図１８（Ｂ）は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図１８（Ｂ）に示すよ
うに、この第２改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で
用いている。

【０１２４】この第２改変例では、大判のチップコンデ
ンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。

【０１２５】上述した第３実施形態では、チップコンデ
ンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデン
サの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板
状のコンデンサを用いることも可能である。

【０１２６】

【発明の効果】本発明の構造により、コア基板内にコン
デンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコン
デンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のルー
プインダクタンスを低減できる。また、樹脂基板を積層
してなるためコア基板に十分な強度を得ることができ
る。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基
板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コ
ア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形
成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低
下させることができる。

【０１２７】また本発明の製造方法により、バイアホー
ルの開口径は、金属膜の開口径に依存することになるた
め、バイアホールを適切な開口径で形成することが可能
となる。また同様に、バイアホールの開口位置精度も、
金属膜の開口位置に依存することになるため、レーザの
照射位置精度は低くてもバイアホールを適切な位置に形
成することが可能となる。

【０１２８】コンデンサの下部からも接続することが可
能となるので、ループインダクタンスの距離を短くし、
配設する自由度を増す構造であるといえる。また、コア
基板とコンデンサの間に樹脂が充填されているので、コ
ンデンサなどが起因する応力が発生しても緩和される
し、マイグレーションの発生がない。そのために、コン
デンサの電極とバイアホールの接続部への剥離や溶解な
どの影響がない。そのために、信頼性試験を実施しても
所望の性能を保つことができるのである。また、コンデ
ンサを銅によって被覆されている場合にも、マイグレー
ションの発生を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係
るプリント配線板の製造工程図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。

【図８】図７中のプリント配線板にＩＣチップを搭載
し、ドータボードへ取り付けた状態を示す断面図であ
る。

【図９】本発明の第１実施形態の改変例に係るプリント
配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図であ
る。

【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明
の第２実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１３】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板
の断面図である。

【図１４】ＩＣチップへの供給電圧と時間との変化を示
すグラフである。

【図１５】第２実施形態のチップコンデンサの断面図で
ある。

【図１６】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。

【図１７】第３実施形態に係るプリント配線板のチップ
コンデンサの平面図である。

【図１８】第３実施形態の改変例に係るプリント配線板
のチップコンデンサの平面図である。

【符号の説明】

２０ チップコンデンサ ３０ コア基板 ３０ａ 第１樹脂基板 ３０ｂ 第２樹脂基板 ３０ｃ 第３樹脂基板 ３０Ｂ 開口 ３２ 銅箔 ３２ａ バイアホール形成用開口 ３３ 導体回路 ３４ 接着材料 ３６ａ、３６ｂ 接着用樹脂層（接着板） ４２ Ｎｉ／Ｃｕ合金層 ４３ 無電解めっき膜 ４６ 電解めっき膜 ４８ 導体回路 ５０ バイアホール ５２ スルーホール ６０ 層間樹脂絶縁層 ７０ ソルダーレジスト層 ７１ 開口部 ７２ ニッケルめっき層 ７４ 金めっき層 ７６Ｕ、７６Ｄ 半田バンプ ８０Ａ、８０Ｂ ビルドアップ配線層 ９０ ＩＣチップ ９５ ドータボード ９６ 導電性接続ピン １４８ 導体回路 １５０ バイアホール １６０ 層間樹脂絶縁層 ２４８ 導体回路 ２５０ バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者 王 東冬 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 矢橋 英郎 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 (72)発明者 白井 誠二 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１ イビデ ン株式会社大垣北工場内 Ｆターム(参考） 5E317 AA21 AA24 CC25 CC31 CD27 GG11 GG17 5E346 AA38 AA60 CC04 CC08 CC09 CC32 CC37 CC41 DD22 DD47 EE06 EE08 FF03 FF15 FF17 FF45 GG15 HH06 HH33

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 コンデンサを収容するコア基板に、層間
   樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなるプリント
   配線板であって、 前記コンデンサを収容するコア基板が、第１の樹脂基板
   と、コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板
   と、第３の樹脂基板とを、接着板を介在させて積層して
   なり、 前記コア基板の両面に、前記コンデンサの端子と接続す
   るバイアホールを配設したことを特徴とするプリント配
   線板。
2. 【請求項２】 前記接着板は、心材に熱硬化性樹脂を含
   浸させてなることを特徴とする請求項１のプリント配線
   板。
3. 【請求項３】 前記第１、第２、第３樹脂基板は、心材
   に樹脂を含浸させてなることを特徴とする請求項１又は
   請求項２のプリント配線板。
4. 【請求項４】 前記コンデンサは、複数個であることを
   特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１に記載のプ
   リント配線板。
5. 【請求項５】 前記第２の樹脂基板に導体回路が形成さ
   れていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に
   記載のプリント配線板の製造方法。
6. 【請求項６】 前記プリント配線板の表面にコンデンサ
   を実装したことを特徴とする請求項１〜５の内１に記載
   のプリント配線板。
7. 【請求項７】 前記表面のチップコンデンサの静電容量
   は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であること
   を特徴とする請求項６に記載のプリント配線板。
8. 【請求項８】 前記表面のチップコンデンサのインダク
   タンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以
   上であることを特徴とする請求項６に記載のプリント配
   線板。
9. 【請求項９】 前記コンデンサの電極に金属膜を形成
   し、前記金属膜を形成させた電極へめっきにより電気的
   接続を取ったことを特徴とする請求項１〜８のいずれか
   １のプリント配線板。
10. 【請求項１０】 前記コンデンサの電極に形成した金属
    膜は、銅を主とするめっき膜であることを特徴とする請
    求項９に記載のプリント配線板。
11. 【請求項１１】 前記第１の樹脂基板と、前記コンデン
    サとは、絶縁性接着剤で接合され、絶縁性接着剤は、前
    記第１の樹脂基板よりも熱膨張率が小さいことを特徴と
    する請求項１に記載のプリント配線板。
12. 【請求項１２】 前記コンデンサの電極の被覆層を少な
    くとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極
    にめっきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請
    求項１〜請求項８の内１に記載のプリント配線板。
13. 【請求項１３】 前記コンデンサとして、外縁の内側に
    電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
    とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント配
    線板。
14. 【請求項１４】 前記コンデンサとして、マトリクス状
    に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
    徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント
    配線板
15. 【請求項１５】 前記コンデンサとして、多数個取り用
    のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
    徴とする請求項１〜請求項１４の内１に記載のプリント
    配線板。
16. 【請求項１６】 少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）第１の樹脂基板に接着材料を介してコンデンサを
    取り付ける工程； （ｂ）第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
    口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板と
    を、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の
    樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂
    基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように積層
    してコア基板とする工程； （ｃ）レーザを照射して、前記コア基板に前記コンデン
    サへ至るバイアホール用開口を形成する工程； （ｄ）前記バイアホール用開口にバイアホールを形成す
    る工程。
17. 【請求項１７】 少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）第１の樹脂基板の片面の金属膜にバイアホール形
    成用開口を形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
    料を介してコンデンサを取り付ける工程； （ｃ）第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
    口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板と
    を、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の
    樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹脂
    基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、接
    着板を介在させて積層する工程； （ｄ）前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及
    び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
    工程； （ｅ）前記第１の樹脂基板の前記金属膜に形成された前
    記バイアホール形成用開口にレーザを照射して、前記コ
    ンデンサへ至るバイアホール用開口を形成する工程； （ｆ）前記バイアホール用開口に、バイアホールを形成
    する工程。
18. 【請求項１８】 少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および
    第３の樹脂基板の、金属膜にバイアホール形成用開口を
    形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
    料を介してコンデンサを取り付ける工程； （ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容す
    る開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板
    とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２
    の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹
    脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、
    前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工
    程； （ｄ）前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及
    び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
    工程； （ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に
    形成された前記バイアホール形成用開口にレーザを照射
    して、前記コンデンサへ至るバイアホール用開口を形成
    する工程； （ｆ）前記バイアホール用開口に、バイアホールを形成
    する工程。
19. 【請求項１９】 少なくとも以下（ａ）〜（ｇ）の工程
    を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法： （ａ）片面に金属膜を貼り付けた第１の樹脂基板および
    第３の樹脂基板の、金属膜に通孔を形成する工程； （ｂ）前記第１の樹脂基板の金属膜非形成面に、接着材
    料を介してコンデンサを取り付ける工程； （ｃ）前記第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容す
    る開口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板
    とを、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２
    の樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、前記第３の樹
    脂基板を前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、
    前記金属膜非形成面に接着板を介在させて積層する工
    程； （ｄ）前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及
    び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
    工程； （ｅ）前記第１の樹脂基板および前記第３の樹脂基板に
    形成された前記通孔にレーザを照射して、前記コア基板
    の両面にコンデンサへ至るバイアホール用開口を形成す
    る工程； （ｆ）前記金属膜を除去、又は、薄くする工程； （ｇ）前記コア基板に、導体回路およびバイアホールを
    形成する工程。