JP2002118365A

JP2002118365A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2002118365A
Application number: JP2000266279A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Inagaki; 靖稲垣; Motoo Asai; 元雄浅井; Touto O; 東冬王; Hideo Yahashi; 英郎矢橋; Seiji Shirai; 誠二白井
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1999-09-02
Filing date: 2000-09-01
Publication date: 2002-04-19

Abstract

(57)【要約】【課題】ループインダクタンスを低減できるプリント
配線板の製造方法を提案する。【解決手段】プリント配線板１０のコア基板３０内
に、チップコンデンサ２０を配設する。これにより、Ｉ
Ｃチップ９０とチップコンデンサ２０との距離が短くな
り、ループインダクタンスを低減することが可能とな
る。第１樹脂基板３０ａ、第２樹脂基板３０ｂ、第３樹
脂基板３０ｃを積層してなるので、コア基板３０に十分
な強度を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＩＣチップなど
の電子部品を載置するプリント基板及びその製造方法に
関し、特にコンデンサを内蔵するプリント配線板及びそ
の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目
的のため、チップコンデンサを表面実装することがあ
る。

【０００３】チップコンデンサからＩＣチップまでの配
線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチッ
プの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面
実装させても十分な効果を得ることができなかった。こ
のため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号に
て、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサ
を収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板
に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、
特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９
号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９
７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。

【０００４】特開平６−３２６４７２号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−
２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９
号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くで
きず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現
在必要とされるようにインダクタンスを低減することが
できなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板
においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂か
らなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いか
ら、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チッ
プコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂
絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達
成することができなかった。

【０００６】一方、特願平１１−２４８３１１号の発明
では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデ
ンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサ
からＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあっ
た。

【０００７】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵
し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配
線板の製造方法を提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ため、請求項１のプリント配線板は、コンデンサを収容
するコア基板に、層間樹脂絶縁層と導体回路とを交互に
積層してなるプリント配線板であって、前記コンデンサ
を収容するコア基板が、第１の樹脂基板と、コンデンサ
を収容する開口を有する第２の樹脂基板と、第３の樹脂
基板とを、接着板を介在させて積層してなることを技術
的特徴とする。

【０００９】また、請求項１６のプリント配線板の製造
方法は、少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程を備える
ことを技術的特徴とする：（ａ）第１の樹脂基板に、導体パッド部を形成する工
程；（ｂ）前記第１の樹脂基板の前記導体パッド部に、導電
性接着剤を介してコンデンサを接続する工程；（ｃ）第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板と
を、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の
樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、第３の樹脂基板
にて前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、接着
板を介在させて積層する工程；（ｄ）前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及
び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
工程。

【００１０】請求項１のプリント配線板、及び、請求項
１６のプリント配線板の製造方法では、コア基板内にコ
ンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップとコ
ンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板のル
ープインダクタンスを低減できる。また、樹脂基板を積
層してなるためコア基板に十分な強度を得ることができ
る。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂基
板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、コ
ア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に形
成することができ、プリント配線板の不良品発生率を低
下させることができる。

【００１１】コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該
層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを
施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ
法によって形成する回路を意味している。それらには、
セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを
用いることができる。

【００１２】空隙には、樹脂を充填させることが望まし
い。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによっ
て、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくな
るし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。

【００１３】請求項２では、接着板が心材に熱硬化性樹
脂を含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせ
ることができる。

【００１４】請求項３では、第１、第２、第３樹脂基板
は、心材に樹脂を含浸させてなるため、コア基板に高い
強度を持たせることができる。

【００１５】請求項４では、コア基板内に複数個のコン
デンサを収容するため、コンデンサの高集積化が可能と
なる。

【００１６】請求項５では、第２の樹脂基板に導体回路
が形成されているため、基板の配線密度を高め、層間樹
脂絶縁層の層数を減らすことができる。

【００１７】請求項６では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。

【００１８】請求項７では、表面のコンデンサの静電容
量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高
周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチ
ップの動作が確保される。

【００１９】請求項８では、表面のコンデンサのインダ
クタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上で
あるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、
所望のＩＣチップの動作が確保される。

【００２０】請求項９、１０では、金属膜を形成したチ
ップコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホール
で電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデンサ
の電極は、メタライズからなり表面に凹凸があるが、金
属膜により表面が平滑になり、ヒートサイクル試験を実
施しても、電極や接着板などで断線が生じることがな
い。

【００２１】コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッ
ケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが
望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層
は、マイグレーションを誘発しやすいからである。故
に、マイグレーションの発生を防止することも出来る。

【００２２】また、チップコンデンサの表面に粗化処理
を施してもよい。これにより、セラミックから成るチッ
プコンデンサと樹脂からなる接着層、層間樹脂絶縁層と
の密着性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面
での接着層、層間樹脂絶縁層の剥離が発生することがな
い。

【００２３】請求項１１では、絶縁性接着剤の熱膨張率
を、収容層よりも小さく、即ち、セラミックからなるコ
ンデンサに近いように設定してある。このため、ヒート
サイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間に
熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラッ
ク、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。

【００２４】請求項１２では、チップコンデンサの電極
の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線
板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取
ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成
分がＣｕであることが望ましい。接続抵抗を低減するこ
とができるからである。

【００２５】請求項１３では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、バイアホールを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

【００２６】請求項１４では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。

【００２７】請求項１５では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩ
Ｃチップを動作させることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るプリント配線板の構成について、図７及び図８を参
照して説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を
示し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチ
ップ９０を搭載し、ドータボード９５側へ取り付けた状
態を示している。

【００２９】図７に示すように、プリント配線板１０
は、複数個のチップコンデンサ２０を収容するコア基板
３０と、ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂとからな
る。ビルドアップ配線層８０Ａ、８０Ｂは、樹脂層４０
及び層間樹脂絶縁層１４０、２４０からなる。上側の樹
脂層４０には、導体回路５８及びバイアホール６０が形
成され、上側及び下側の層間樹脂絶縁層１４０には、導
体回路１５８及びバイアホール１６０が形成され、上側
及び下側の層間樹脂絶縁層２４０には、導体回路２５８
及びバイアホール２６０が形成されている。層間樹脂絶
縁層２４０の上には、ソルダーレジスト層７０が形成さ
れている。ビルドアップ配線層８０Ａとビルドアップ配
線層８０Ｂとは、コア基板３０に形成されたスルーホー
ル５６を介して接続されている。

【００３０】チップコンデンサ２０は、図７に示すよう
に第１電極２１と第２電極２２と、第１、第２電極に挟
まれた誘電体２３とから成り、誘電体２３には、第１電
極２１側に接続された第１導電膜２４と、第２電極２２
側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対向配置され
ている。

【００３１】図８に示すように、上側のビルドアップ配
線層８０Ａには、ＩＣチップ９０のパッド９２Ｐ１，９
２Ｐ２へ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されて
いる。一方、下側のビルドアップ配線層８０Ｂには、ド
ータボード９５のパッド９４Ｐ１、９４Ｐ２へ接続する
ための半田バンプ７６Ｄが配設されている。

【００３２】ＩＣチップ９０の接地用パッド９２Ｐ１
は、バンプ７６Ｕ−導体回路２５８−バイアホール２６
０−導体回路１５８−バイアホール１６０−導体回路５
８−バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の
第１電極２１へ接続されている。一方、ドータボード９
５の接地用パッド９４Ｐ１は、バンプ７６Ｄ−バイアホ
ール２６０−導体回路１５８−バイアホール１６０−ス
ルーホール５６−導体回路５８−バイアホール６０を介
してチップコンデンサ２０の第１電極２１へ接続されて
いる。

【００３３】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ２
は、バンプ７６Ｕ−バイアホール２６０−導体回路１５
８−バイアホール１６０−導体回路５８−バイアホール
６０を介してチップコンデンサ２０の第２電極２２へ接
続されている。一方、ドータボード９５の電源用パッド
９４Ｐ２は、バンプ７６Ｄ−バイアホール２６０−導体
回路１５８−バイアホール１６０−スルーホール５６−
バイアホール６０を介してチップコンデンサ２０の第２
電極２２へ接続されている。なお、図示しないが、ＩＣ
チップの信号用パッドは、プリント配線板の導体回路、
バイアホール、及び、スルーホールを介して、ドータボ
ードの信号用パッドに接続されている。

【００３４】図７に示すように、本実施形態のコア基板
３０は、チップコンデンサ２０を接続する導電パッド部
３４が片面に形成された第１樹脂基板３０ａと、第１樹
脂基板３０ａに接着用樹脂層（接着板）３８ａを介して
接続された第２樹脂基板３０ｂと、第２樹脂基板３０ｂ
に接着用樹脂層（接着板）３８ｂを介して接続された第
３樹脂基板３０ｃとからなる。第２樹脂基板３０ｂに
は、チップコンデンサ２０を収容可能な開口３０Ｂが形
成されている。

【００３５】これにより、コア基板３０内にチップコン
デンサ２０を収容することができるため、ＩＣチップ９
０とチップコンデンサ２０との距離が短くなるため、プ
リント配線板１０のループインダクタンスを低減でき
る。また、第１樹脂基板３０ａ、第２樹脂基板３０ｂ、
第３樹脂基板３０ｃを積層してなるので、コア基板３０
に十分な強度を得ることができる。更に、コア基板３０
の両面に第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板３０ｃを配
設することでコア基板３０を平滑に構成するため、コア
基板３０の上に樹脂層４０，１４０、２４０および導体
回路５８、１５８、２５８を適切に形成することがで
き、プリント配線板の不良品発生率を低下させることが
できる。

【００３６】更に、本実施形態では、図１（Ｄ）に示す
ように第１樹脂基板３０ａとチップコンデンサ２０との
間に絶縁性接着剤３４を介在させてある。ここで、接着
剤３４の熱膨張率を、コア基板３０よりも小さく、即
ち、セラミックからなるチップコンデンサ２０に近いよ
うに設定してある。このため、ヒートサイクル試験にお
いて、コア基板及び接着層４０とチップコンデンサ２０
との間に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板
にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成でき
る。また、マイグレーションの発生を防止することも出
来る。

【００３７】引き続き、図７を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図７を参照して説
明する。

【００３８】（１）厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の
心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸さ
せて硬化させた第１樹脂基板３０ａの片面に銅箔３２が
ラミネートされている銅張積層板を出発材料とする（図
１（Ａ）参照）。次に、この銅貼積層板の銅箔３２側
を、パターン状にエッチングすることにより、第１樹脂
基板３０ａの片面に導電パッド部３４を形成する（図１
（Ｂ）参照）。

【００３９】なお、コア基板をセラミックやＡＩＮなど
の基板を用いることはできなかった。該基板は外形加工
性が悪く、コンデンサを収容することができないことが
あり、樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためであ
る。

【００４０】（２）その後、導電パッド部３４に、印刷
機を用いて半田ペースト、導電性ペースト等の接着材料
３６を塗布する（図１（Ｃ）参照）。このとき、塗布以
外にも、ポッティングなどをしてもよい。半田ペースト
としては、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ
／Ａｇ／Ｃｕのいずれかを用いることができる。そし
て、導電パッド３４間に充填剤３３を配設する（図１
（Ｄ）参照）。これにより、後述するようにチップコン
デンサ２０と第１樹脂基板３０ａとの隙間を充填するこ
とが可能となる。次に、導電パッド部３４に複数個のセ
ラミックから成るチップコンデンサ２０を載置し、接着
材料３６を介して、導電パッド部３４にチップコンデン
サ２０を接続する（図２（Ａ）参照）。チップコンデン
サ２０は、１個でも複数個でもよいが、複数個のチップ
コンデンサ２０を用いることにより、コンデンサの高集
積化が可能となる。

【００４１】（３）次に、ガラスクロス等の心材にエポ
キシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着用樹脂層）３８
ａ、３８ｂ及びガラスクロス等の心材にＢＴ樹脂を含浸
させて硬化させた第２樹脂基板３０ｂ（厚さ０．４ｍ
ｍ）、第３の樹脂基板３０ｃ（厚さ０．１ｍｍ）を用意
する。プリプレグ３８ａ及び第２樹脂基板３０ｂには、
チップコンデンサ２０を収容可能な通孔３８Ａ、３０Ｂ
を形成しておく。まず、第３樹脂基板３０ｃの上にプリ
プレグ３８ｂを介して第２樹脂基板３０ｂを載置する。
次に、第２樹脂基板３０ｂの上にプリプレグ３８ａを介
して、第１樹脂基板３０ａを反転して載置する。即ち、
第１樹脂基板３０ａに接続されたチップコンデンサ２０
がプリプレグ３８ａ側を向き、第２樹脂基板３０ｂに形
成された通孔にチップコンデンサ２０が収容できるよう
に重ね合わせる（図２（Ｂ）参照）。これにより、コア
基板３０内にチップコンデンサ２０を収容することが可
能となり、ループインダクタンスを低減させたプリント
配線板を提供することができる。

【００４２】（４）そして、重ね合わせた基板を熱プレ
スを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第
３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化
し、複数個のチップコンデンサ２０を有するコア基板３
０を形成する（図２（Ｃ）参照）。ここでは、先ず、加
圧されることでプリプレグ３８ａ、３８ｂからエポキシ
樹脂（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、開口３０Ｂとチ
ップコンデンサ２０との間の隙間を充填させる。更に、
加圧と同時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化
し、プリプレグ３８ａ、３８ｂを接着用樹脂として介在
させることで、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０
ｂと第３樹脂基板３０ｃとを強固に接着させる。なお、
本実施形態では、プリプレグから出るエポキシ樹脂によ
り、開口３０Ｂ内の隙間を充填したが、この代わりに、
開口３０Ｂ内に充填材を配置しておくことも可能であ
る。ここで、コア基板３０の両面が平滑な第１樹脂基板
３０ａ、第３樹脂基板３０ｃなので、コア基板３０の平
滑性が損なわれず、後述する工程で、コア基板３０の上
に樹脂層４０および導体回路５８を適切に形成すること
ができ、プリント配線板の不良品発生率を低下させるこ
とができる。また、コア基板３０に十分な強度を得るこ
とができる。

【００４３】（５）上記工程を経た基板３０に、後述す
る熱硬化型エポキシ系樹脂シートを温度５０〜１５０℃
まで昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミネ
ートし、層間樹脂絶縁層４０を設ける（図２（Ｄ）参
照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。

【００４４】（６）次いで、第１樹脂基板３０ａ側の層
間樹脂絶縁層４０及び第１樹脂基板３０ａに、レーザに
より導体パッド部３４へ至るバイアホール用開口４２を
形成する（図３（Ａ）参照）。

【００４５】（７）そして、コア基板３０にドリル又は
レーザにより、スルーホール用貫通孔４４を形成する
（図３（Ｂ）参照）。この後、酸素プラズマを用いてデ
スミア処理を行う。あるいは、過マンガン酸などの薬液
によるデスミヤ処理を行ってもよい。

【００４６】（８）次に、日本真空技術株式会社製のＳ
Ｖ−４５４０を用いてプラズマ処理を行い、コア基板３
０の全表面に粗化面４６を形成する。この際、不活性ガ
スとしてはアルゴンガスを使用し、電力２００Ｗ、ガス
圧０．６Ｐａ、温度７０℃の条件で、２分間プラズマ処
理を実施する。その後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにし
たスパッタリングを行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を層間
樹脂絶縁層４０の表面に形成する（図３（Ｃ）参照）。
ここでは、スパッタを用いているが、無電解めっきによ
り、銅、ニッケル等の金属層を形成してもよい。また、
場合によってはスパッタで形成した後に、無電解めっき
膜を形成させてもよい。酸あるいは酸化剤によって粗化
処理を施してもよい。また、粗化層は、０．１〜５μｍ
が望ましい。

【００４７】（９）次に、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８の表面
に感光性ドライフィルムを貼り付け、マスクを載置し
て、露光・現像処理し、所定パターンのレジスト５０を
形成する（図３（Ｄ）参照）。そして、電解めっき液に
コア基板３０を浸漬し、Ｎｉ／Ｃｕ金属層４８を介して
電流を流し、レジスト５０非形成部に以下の条件で電解
めっきを施し、電解めっき膜５２を形成する（図４
（Ａ）参照）。

【００４８】〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／ｄｍ² 時間１２０分温度２２±２℃

【００４９】（１０）レジスト５０を５％ＮａＯＨで剥
離除去した後、そのレジスト５０下のＮｉ−Ｃｕ合金層
４８を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエ
ッチングにて溶解除去し、Ｎｉ−Ｃｕ合金層４８と電解
めっき膜５２からなる厚さ１６μｍのスルーホール５６
及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成す
る。そして、基板を水洗いし、乾燥した後、エッチング
液を基板の両面にスプレイで吹きつけて、スルーホール
５６及び導体回路５８（バイアホール６０を含む）の表
面をエッチングすることにより、スルーホール５６及び
導体回路５８（バイアホール６０を含む）の全表面に粗
化面６２を形成する（図４（Ｂ）参照）。エッチング液
として、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリ
コール酸７重量部、塩化カリウム５重量部およびイオン
交換水７８重量部を混合したものを使用する。

【００５０】（１１）エポキシ系樹脂を主成分とする樹
脂充填剤６４を、スルーホール５６内に充填し、加熱乾
燥を行う。（図４（Ｃ）参照）。

【００５１】（１２）その後、（５）の工程で用いた熱
硬化型エポキシ系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで
昇温しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミネート
し、層間樹脂絶縁層１４０を設ける（図４（Ｄ）参
照）。真空圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。

【００５２】（１３）次いで、層間樹脂絶縁層１４０に
レーザによりバイアホール用開口１４２を形成する（図
５（Ａ）参照）。

【００５３】（１４）その後、（８）〜（１０）の工程
を繰り返すことにより、層間樹脂絶縁層１４０上に、Ｎ
ｉ−Ｃｕ合金層１４８と電解めっき膜１５２からなる厚
さ１６μｍの導体回路１５８（バイアホール１６０を含
む）及び粗化面１６２を形成する（図５（Ｂ）参照）。

【００５４】（１５）さらに（１２）〜（１４）の工程
を繰り返すことにより、上層に層間樹脂絶縁層２４０及
び導体回路２５８（バイアホール２６０を含む）、粗化
面２６２を形成する（図５（Ｃ）参照）。

【００５５】（１６）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型
粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの
場合はローターＮｏ.４、６ｒｐｍの場合はローターＮ
ｏ.３によった。

【００５６】（１７）次に、基板３０の両面に、上記ソ
ルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０
℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行
った後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画され
た厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０
に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線で露光し、
ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、開口７１を形成する（図６
（Ａ）参照）。

【００５７】（１８）次に、ソルダーレジスト層（有機
樹脂絶縁層）７０を形成した基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム
（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１
に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０^-3
ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏ
ｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５分
間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．０３μ
ｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ）参照）。

【００５８】（１９）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることにより、はんだバンプ（半田体）７
６Ｕ、７６Ｄを形成する。これにより、半田バンプ７６
Ｕ、７６Ｄを有するプリント配線板１０を得ることがで
きる（図７参照）。

【００５９】次に、上述した工程で完成したプリント配
線板１０へのＩＣチップ９０の載置および、ドータボー
ド９５への取り付けについて、図８を参照して説明す
る。完成したプリント配線板１０の半田バンプ７６Ｕに
ＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｐ１、９２Ｐ２が対応
するように、ＩＣチップ９０を載置し、リフローを行う
ことでＩＣチップ９０の取り付けを行う。同様に、プリ
ント配線板１０の半田バンプ７６Ｄにドータボード９５
のパッド９４Ｐ１、９４Ｐ２が対応するように、リフロ
ーすることで、ドータボード９５へプリント配線板１０
を取り付ける。

【００６０】上述した樹脂フィルムには、難溶性樹脂、
可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。
それぞれについて以下に説明する。

【００６１】本発明の製造方法において使用する樹脂フ
ィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶
性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以
下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。な
お、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語
は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬
した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可
溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上
「難溶性」と呼ぶ。

【００６２】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００６３】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００６４】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。

【００６５】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００６６】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。

【００６７】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００６８】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００６９】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００７０】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００７１】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用
開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化
性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、め
っき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状
を保持することができるからである。

【００７２】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらに
は、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒー
トサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発
生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

【００７３】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００７４】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスル
ーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金
属層の密着性を確保することができるからである。ま
た、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有す
る樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フ
ィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされること
がないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性が確実に保たれる。

【００７５】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００７６】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００７７】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００７８】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。

【００７９】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。

【００８０】引き続き、本発明の第１実施形態の改変例
に係るプリント配線板について、図９を参照して説明す
る。改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形態
とほぼ同様である。但し、この改変例のプリント配線板
では、導電性ピン８４が配設され、該導電性ピン８４を
介してドータボードとの接続を取るように形成されてい
る。

【００８１】また、上述した第１実施形態では、コア基
板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えて
いたが、改変例では、表面及び裏面に大容量のチップコ
ンデンサ８６が実装されている。

【００８２】ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力
を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源
用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を
備えてある。このチップコンデンサによる効果につい
て、図１２を参照して説明する。

【００８３】図１２は、縦軸にＩＣチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃ
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Ｂは、図８を参照して上
述したチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電
圧降下を示している。ループ長さは短縮できているが、
コア基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容す
ることができないため、電圧が変動している。ここで、
実線Ｅは、図９を参照して上述したコア基板内のチップ
コンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデン
サ８６を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を
示している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０
を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタン
ス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動
を最小に押さえている。

【００８４】次に、本発明の第２実施形態に係るプリン
ト配線板について、図１１を参照して説明する。この第
２実施形態のプリント配線板の構成は、上述した第１実
施形態とほぼ同様である。但し、第２実施形態のプリン
ト配線板２１０では、第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基
板３０ｃの片面に導体回路３５が形成され、チップコン
デンサ２０を収容する開口３０Ｂを設けた第２樹脂基板
３０ｂの両面に、導体回路３７が形成されている。この
第２実施形態では、第１樹脂基板３０ａ、第３樹脂基板
３０ｃの片面に導体回路３５が形成され、第２樹脂基板
３０ｂの両面に導体回路３７が形成されているため、配
線密度を高めることができ、ビルドアップする層間樹脂
絶縁層の層数を減らすことができる利点がある。

【００８５】また、第２実施形態のプリント配線板で
は、チップコンデンサ２０が、図１３（Ａ）に示すよう
に第１、第２電極２１，２２の被覆層（図示せず）を完
全に剥離した後、銅めっき膜２９により被覆してある。
そして、銅めっき膜２９で被覆した第１、第２電極２
１，２２に銅めっきよりなるバイアホール５０で電気的
接続を取ってある。ここで、チップコンデンサの電極２
１，２２は、メタライズからなり表面に凹凸がある。こ
れに対して、第２実施形態では、銅めっき膜２９によっ
て第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、マイ
グレーションの発生もなく、コンデンサの電極での不都
合を引き起こさなかった。

【００８６】ここで、図１３（Ｂ）に示すようにチップ
コンデンサ２０の第１電極２１、第２電極２２の被覆層
２８から、上部を露出させてプリント配線板に収容し、
被覆層から露出した第１電極２１、第２電極２２に電気
的接続を取ってある。これにより、接続抵抗を低減する
ことができる。

【００８７】なお、上記銅めっき膜２９は、チップコン
デンサの製造段階で金属層２６の表面に被覆されたニッ
ケル／スズ層（被覆層）を、プリント配線板への搭載の
段階で剥離してから設ける。この代わりに、チップコン
デンサ２０の製造段階で、金属層２６の上に直接銅めっ
き膜２９を被覆することも可能である。即ち、第２実施
形態では、第１実施形態と同様に、レーザにて電極の銅
めっき膜２９へ至る開口を設けた後、デスミヤ処理等を
行い、バイアホールを銅めっきにより形成する。従っ
て、銅めっき膜２９の表面に酸化膜が形成されていて
も、上記レーザ及びデスミヤ処理で酸化膜を除去できる
ため、適正に接続を取ることができる。

【００８８】更に、チップコンデンサ２０のセラミック
から成る誘電体２３の表面には粗化層２３ａが設けられ
ている。このため、セラミックから成るチップコンデン
サ２０と樹脂からなる第１樹脂基板３０ａとの密着性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での第１樹
脂基板３０ａの剥離が発生することがない。この粗化層
２３ａは、焼成後に、チップコンデンサ２０の表面を研
磨することにより、また、焼成前に、粗化処理を施すこ
とにより形成できる。なお、第２実施形態では、コンデ
ンサの表面に粗化処理を施し、樹脂との密着性を高めた
が、この代わりに、コンデンサの表面にシランカップリ
ング処理を施すことも可能である。

【００８９】本発明の第２実施形態に係るプリント配線
板の製造工程について、図１０及び図１１を参照して説
明する。

【００９０】（１）厚さ０．１ｍｍのガラスクロス等の
心材にＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂を含浸さ
せて硬化させた第１樹脂基板３０ａを用意する。第１樹
脂基板３０ａには、片面に導電パッド部３４、もう一方
の面に導体回路３５が形成されている。次に、導電パッ
ド部３４に複数個のチップコンデンサ２０を半田、導電
性ペースト等の接着材料３６を介して載置し、チップコ
ンデンサ２０を導電パッド部３４に接続する（図１０
（Ａ）参照）。

【００９１】（２）次に、ガラスクロス等の心材にエポ
キシ樹脂を含浸させたプリプレグ（接着用樹脂層）３８
ａ、３８ｂ及びガラスクロス等の心材にＢＴ樹脂を含浸
させて硬化させた第２樹脂基板３０ｂ（厚さ０．４ｍ
ｍ）、第３樹脂基板３０ｃ（厚さ０．１ｍｍ）を用意す
る。プリプレグ３８ａ及び第２樹脂基板３０ｂには、チ
ップコンデンサ２０を収容可能な通孔３８Ａ、３０Ｂを
形成しておく。また、第２樹脂基板３０ｂの両面に導体
回路３７を形成し、第３樹脂基板３０ｃの片面に導体回
路３５を形成しておく。まず、第３樹脂基板３０ｃの導
体回路３５が形成されていない面に、プリプレグ３８ｂ
を介して第２樹脂基板３０ｂを載置する。第２樹脂基板
３０ｂの上にプリプレグ３８ａを介して、第１樹脂基板
３０ａを反転して載置する。即ち、第１樹脂基板３０ａ
に接続されたチップコンデンサ２０が第２樹脂基板３０
ｂに形成された開口３０Ｂへ収容されるように重ね合わ
せる（図１０（Ｂ）参照）。

【００９２】（３）そして、重ね合わせた基板を熱プレ
スを用いて加圧プレスすることにより、第１、第２、第
３樹脂基板３０ａ、３０ｂ、３０ｃを多層状に一体化
し、複数個のチップコンデンサ２０を有するコア基板３
０を形成する（図１０（Ｃ）参照）。先ず、加圧される
ことでプリプレグ３８ａ、３８ｂからエポキシ樹脂（絶
縁性樹脂）を周囲に押し出し、開口３０Ｂとチップコン
デンサ２０との間の隙間を充填させる。更に、加圧と同
時に加熱されることで、エポキシ樹脂が硬化し、プリプ
レグ３８ａ、３８ｂを接着用樹脂として介在させること
で、第１樹脂基板３０ａと第２樹脂基板３０ｂと第３樹
脂基板３０ｃとを強固に接着させる。

【００９３】（４）上記工程を経た基板に、熱硬化型エ
ポキシ系樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温しな
がら圧力５ｋｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミネートし、層間
樹脂絶縁層４０を設ける（図１０（Ｄ）参照）。真空圧
着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。

【００９４】（５）次いで、基板３０の上面及び下面
に、レーザにより導体パッド部３４及び導体回路３５、
３７に接続するバイアホール用開口４２を形成する（図
１０（Ｅ）参照）。以降の工程は、上述した第１実施形
態の（７）〜（１９）と同様であるため説明を省略す
る。

【００９５】引き続き、本発明の第３実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図１４を参照して説明す
る。この第３実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３
０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１
４は、チップコンデンサの平面図を示している。図１４
（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第１実施形態のプリント配線板では、図１４（Ｂ）に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極
２１及び第２電極２２を配設してある。図１４（Ｃ）
は、第３実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第３実施形態のプリント配線板では、図１４（Ｄ）
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。

【００９６】この第３実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。

【００９７】引き続き、第３実施形態の第１改変例に係
るプリント配線板図１５を参照して説明する。図１５
は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容
されるチップコンデンサ２０の平面図を示している。上
述した第１実施形態では、複数個の小容量のチップコン
デンサをコア基板に収容したが、第１改変例では、大容
量の大判のチップコンデンサ２０をコア基板に収容して
ある。ここで、チップコンデンサ２０は、第１電極２１
と第２電極２２と、誘電体２３と、第１電極２１へ接続
された第１導電膜２４と、第２電極２２側に接続された
第２導電膜２５と、第１導電膜２４及び第２導電膜２５
へ接続されていないチップコンデンサの上下面の接続用
の電極２７とから成る。この電極２７を介してＩＣチッ
プ側とドータボード側とが接続されている。

【００９８】この第１改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。

【００９９】図１６を参照して第２改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図１６（Ａ）は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図１６（Ｂ）は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図１６（Ｂ）に示すよ
うに、この第２改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で
用いている。

【０１００】この第２改変例では、大判のチップコンデ
ンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。

【０１０１】上述した第３実施形態では、チップコンデ
ンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデン
サの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板
状のコンデンサを用いることも可能である。

【０１０２】

【発明の効果】本発明の製造方法により、コア基板内に
コンデンサを収容することが可能となり、ＩＣチップと
コンデンサとの距離が短くなるため、プリント配線板の
ループインダクタンスを低減できる。また、樹脂基板を
積層してなるためコア基板に十分な強度を得ることがで
きる。更に、コア基板の両面に第１樹脂基板、第３樹脂
基板を配設することでコア基板を平滑に構成するため、
コア基板の上に層間樹脂絶縁層および導体回路を適切に
形成することができ、プリント配線板の不良品発生率を
低下させることができる。また、コア基板とコンデンサ
の間に樹脂が充填されているので、コンデンサなどが起
因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレーショ
ンの発生がない。そのために、コンデンサの電極とバイ
アホールの接続部への剥離や溶解などの影響がない。そ
のために、信頼性試験を実施しても所望の性能を保つこ
とができるのである。また、コンデンサを銅によって被
覆されている場合にも、マイグレーションの発生を防止
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図６】（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第１実施形態に係
るプリント配線板の製造工程図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
断面図である。

【図８】図７中のプリント配線板にＩＣチップを搭載
し、ドータボードへ取り付けた状態を示す断面図であ
る。

【図９】本発明の第１実施形態の改変例に係るプリント
配線板にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図であ
る。

【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）
は、本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造
工程図である。

【図１１】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板
の断面図である。

【図１２】ＩＣチップへの供給電圧と時間との変化を表
すグラフである。

【図１３】第２実施形態に係るプリント配線板に収容さ
れるチップコンデンサの断面図である。

【図１４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。

【図１５】第３実施形態に係るプリント配線板のチップ
コンデンサの平面図である。

【図１６】第３実施形態の改変例に係るプリント配線板
のチップコンデンサの平面図である。

【符号の説明】

２０チップコンデンサ３０コア基板３０ａ第１樹脂基板３０ｂ第２樹脂基板３０ｃ第３樹脂基板３０Ｂ開口３４導体パッド部３５導体回路３６接着材料３７導体回路３８ａ、３８ｂ接着用樹脂層（接着板）４０層間樹脂絶縁層５６スルーホール５８導体回路６０バイアホール７０ソルダーレジスト層７１開口部７２ニッケルめっき層７４金めっき層７６Ｕ、７６Ｄ半田バンプ８０Ａ、８０Ｂビルドアップ配線層９０ＩＣチップ９２Ｐ１、９２Ｐ２半田パッド（ＩＣチップ側）９４Ｐ１、９４Ｐ２半田パッド（ドータボード側）９５ドータボード９６導電性接続ピン１４０層間樹脂絶縁層１５８導体回路１６０バイアホール２４０層間樹脂絶縁層２５８導体回路２６０バイアホール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ (72)発明者王東冬岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内 (72)発明者矢橋英郎岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内 (72)発明者白井誠二岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内Ｆターム(参考） 5E336 AA07 BB03 BC25 CC32 CC51 CC53 GG11 5E346 AA42 AA43 CC08 EE38 FF33 FF45 GG08 GG15 GG17 GG28 HH01 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コンデンサを収容するコア基板に、層間
樹脂絶縁層と導体回路とを交互に積層してなるプリント
配線板であって、前記コンデンサを収容するコア基板が、第１の樹脂基板
と、コンデンサを収容する開口を有する第２の樹脂基板
と、第３の樹脂基板とを、接着板を介在させて積層して
なることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】前記接着板は、心材に熱硬化性樹脂を含
浸させてなることを特徴とする請求項１のプリント配線
板。
【請求項３】前記第１、第２、第３樹脂基板は、心材
に樹脂を含浸させてなることを特徴とする請求項１又は
請求項２のプリント配線板。
【請求項４】前記コンデンサは、複数個であることを
特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１に記載のプ
リント配線板。
【請求項５】前記第２の樹脂基板に導体回路が形成さ
れていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に
記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項６】前記プリント配線板の表面にコンデンサ
を実装したことを特徴とする請求項１〜５の内１に記載
のプリント配線板。
【請求項７】前記表面のチップコンデンサの静電容量
は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であること
を特徴とする請求項６に記載のプリント配線板。
【請求項８】前記表面のチップコンデンサのインダク
タンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以
上であることを特徴とする請求項６に記載のプリント配
線板。
【請求項９】前記コンデンサの電極に金属膜を形成し
たことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１のプリン
ト配線板。
【請求項１０】前記コンデンサの電極に形成した金属
膜は、銅を主とするめっき膜であることを特徴とする請
求項９に記載のプリント配線板。
【請求項１１】前記第１の樹脂基板と、前記コンデン
サとは、絶縁性接着剤で接合され、絶縁性接着剤は、前
記第１の樹脂基板よりも熱膨張率が小さいことを特徴と
する請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項１２】前記コンデンサの電極の被覆層を少な
くとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極
に電気的接続を取ったことを特徴とする請求項１〜請求
項８の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１３】前記コンデンサとして、外縁の内側に
電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント配
線板。
【請求項１４】前記コンデンサとして、マトリクス状
に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント
配線板
【請求項１５】前記コンデンサとして、多数個取り用
のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
徴とする請求項１〜請求項１４の内１に記載のプリント
配線板。
【請求項１６】少なくとも以下（ａ）〜（ｄ）の工程
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：（ａ）第１の樹脂基板に、導体パッド部を形成する工
程；（ｂ）前記第１の樹脂基板の前記導体パッド部に、導電
性接着剤を介してコンデンサを接続する工程；（ｃ）第３の樹脂基板と、前記コンデンサを収容する開
口を有する第２の樹脂基板と、前記第１の樹脂基板と
を、前記第１の樹脂基板の前記コンデンサを前記第２の
樹脂基板の前記開口に収容させ、且つ、第３の樹脂基板
にて前記第２の樹脂基板の前記開口を塞ぐように、接着
板を介在させて積層する工程；（ｄ）前記第１の樹脂基板、前記第２の樹脂基板、及
び、前記第３の樹脂基板を加熱加圧してコア基板とする
工程。