JP2002270947A

JP2002270947A - 光半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002270947A
Application number: JP2001064443A
Authority: JP
Inventors: Kouta Asaka; 航太浅香; Hiroaki Takeuchi; 博昭竹内
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 2001-03-08
Filing date: 2001-03-08
Publication date: 2002-09-20
Anticipated expiration: 2021-03-08
Also published as: JP3654432B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】光半導体素子とハイメサ導波路の間にスラブ導
波路が形成されず、サイドエッチやオーバーエッチング
により光結合面が窪んだ形状とならないようにする。【解決手段】半導体基板１上の第１の領域Ａに形成され
ハイメサ構造を有する導波路５と、前記基板１の第２の
領域Ｂに形成され埋め込み構造１０を有する光半導体素
子がバットジョイント接合された光半導体装置を製造す
る方法において、第２の領域Ｂに形成されたメサストラ
イプ構造を第１のマスク９を用いて保護し、選択結晶成
長法により前記第１のマスク９以外の部分に埋め込み層
を形成する工程と、第１の領域Ａに形成するハイメサ導
波路構造のメサ幅Ｗ１よりも幅広の凸部を有する第２の
マスクを用いて第２の領域Ｂだけでなく、第１の領域Ａ
に至る部分を保護し、前記選択結晶成長法により第１の
領域Ａの上部に乗り上げ成長された埋め込み層１１を選
択性ウェットエッチングにより除去する工程を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報通信等で用
いられる光半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光通信の普及に伴い、レーザダイ
オード（ＬＤ）、電界吸収型半導体光変調器（ＥＡ変調
器）、フォトダイオード（ＰＤ）などの光半導体素子に
対する需要が高まり、研究開発も盛んに行われている。
光半導体素子の利点は、これらの個別素子を他の機能を
持つ光半導体素子との集積化を行うことで、新たな機能
を持った光半導体デバイスを構成できることにある。

【０００３】モノリシック集積では、個別素子の最適化
された素子構造を作製することと、それらを高い結合効
率で光学的に接続する技術が必要となる。従来の光半導
体装置の製造方法の例として、ＧaＩnＡsＰ系の光半導
体増幅器（ＳＯＡ:Semiconductor Optical Amplifier）
とハイメサ導波路を突合する例を図４に示す。

【０００４】先ず、ｎ−ＩnＰ基板１０の（１００）面
上に、第２の領域Ｂとして、ＧaＩnＡsＰ光半導体増幅
器活性層２０、ｐ−ＩnＰクラッド層３０を順次形成
し、マスク（例えばＳiＯ₂などの誘電体膜）を用いて不
要な部分をエッチングにより除去した後、第１の領域Ａ
としてＧaＩnＡsＰ導波路層５０、ｉ−ＩnＰクラッド層
６０、ＧaＩnＡsＰエッチストップ層７０を前記マスク
を用いた有機金属気相エピタキシャル法（ＭＯＶＰＥ：
Metal Organic Vapor Phase Epitaxial growth）を用い
た選択成長により順次形成し、前記マスクを除去する
（図示せず）。

【０００５】このように、第１の領域Ａの導波路層５０
と第２の領域Ｂの光半導体増幅器活性層２０がバットジ
ョイント結合されることで、高い光結合効率が得られ
る。次に、図４（ａ）に示すように、第１の領域Ａと第
２の領域Ｂのメサストライプを保護するマスクとエッチ
ングを用い第２の領域Ｂに［０１１］方向（逆メサ方
向）に平行なメサストライプを形成した後、前記マスク
をフォトリソグラフィー法とドライエッチングにより第
２の領域Ｂのメサストライプのみを覆う形状にし、これ
を第１のマスク４０とする。

【０００６】引き続き、図４（ｂ）に示すように、有機
金属気相エピタキシャル法を用いた選択成長により第２
の領域Ｂのメサストライプの両側をＦe−ＩnＰ層８０で
埋め込むことで第２の領域Ｂに半絶縁性埋め込みヘテロ
構造（ＳＩ−ＢＨ:Semi Insulator-Buried Hetrostruct
ure ）が形成される。このとき、メサストライプを［０
１−１］方向（順メサ方向）に平行にすると、（１０
０）面の成長レートと逆メサ方向のそれが同等のため、
第１のマスク４０上に被る方向へも成長が進行し、良好
な埋め込み形状が得られない。

【０００７】そのため、一般にＧaＩnＡsＰ系の発光素
子（レーザダイオード、光半導体増幅器など）のメサス
トライプは逆メサ方向に平行に作製される。この選択結
晶成長で用いる第１のマスク４０を第１の領域Ａまで覆
う形状にすると、マスク面積がマスク上に供給される材
料分子のマイグレーション距離より十分大きくなり、第
１のマスク４０上に多結晶状の異常成長が発生するた
め、第２の領域Ｂのメサストライプのみを覆う形状にす
る必要がある。そのため、第１の領域Ａのエッチストッ
プ層７０上部に不要なＦe−ＩnＰ乗り上げ成長層９０が
形成される。

【０００８】よって、第１の領域Ａと第２の領域Ｂには
段差が生じ、これは後の第１の領域Ａのハイメサ導波路
と第２の領域Ｂの光半導体増幅器を接続する工程におい
て、フォトリソグラフィーの精度を低くするため、Ｆe
−ＩnＰ乗り上げ成長層９０を除去する工程が必要とな
る。そこで、図４（ｃ）に示すように、Ｆe−ＩnＰ乗り
上げ成長層９０を除去するために、第２の領域Ｂと光結
合面Ｃより長さＬ（メサ深さＤの１倍以上２倍以下）だ
け第１の領域Ａを覆う形状のレジスト膜を形成する。図
３（ａ）に示すように、レジスト膜（第２のマスク１０
０）が第２の領域Ｂから第１の領域Ａへ光結合面Ｃより
入り込む長さＬは、幅方向において同一である。

【０００９】更に、図５（ａ）に示すように、前記レジ
スト膜を第２のマスク１００として用い、ウェットエッ
チングにより不要なＦe−ＩnＰ乗り上げ成長層９０を除
去する。このとき、選択性のあるエッチャントを用いる
ことで、ＧaＩnＡsＰエッチストップ層７０によりエッ
チングは停止する。また、ウェットエッチングはメサ深
さ方向だけでなく、図４（ｃ）中に矢印で示す方向、
即ち、逆メサ方向へのサイドエッチングが生じるため、
Ｆe−ＩnＰ乗り上げ成長層９０を除去する工程において
は、光結合面Ｃ上に図５（ａ）に示すような残さが発生
する。

【００１０】これは以下の理由からやむを得ない。従来
の光半導体装置の製造方法におけるＦe−ＩnＰ乗り上げ
成長層９０を除去する工程において、図４（ｃ）とは異
なり、第２の領域Ｂのみを覆う形状のレジスト膜を第２
のマスク１０１として用いる方法を図６に示す。Ｆe−
ＩnＰ乗り上げ成長層９０を除去するために、図６
（ａ）に示すような第２の領域Ｂのみを覆う形状の第２
のマスク１０１を用いると、図６（ａ）中に矢印で示
す方向、即ち、逆メサ方向のサイドエッチングにより、
図６（ｂ）に示すようにエッチングが光結合面Ｃまで進
行し、図６（ｃ）に示すような窪んだ光結合面Ｃが形成
される。

【００１１】よって、第２の領域Ｂのみを覆うレジスト
膜を第２のマスク１０１として用いてＦe−ＩnＰ乗り上
げ成長層９０を除去すると、光半導体増幅器である第２
の領域Ｂに不完全な半絶縁性埋め込みヘテロ構造が形成
されるため、十分な利得が得られないという問題と、第
１の領域Ａの導波路層５０との光結合効率が低下すると
いう問題が生じる。上述の問題の要因であるサイドエッ
チングは、一般的にメサ深さ方向のエッチングレートと
同等あるいはそれよりも遅いが、オーバーエッチングに
よりサイドエッチング量Ｅが大きくなることを考慮し
て、メサ深さＤの１倍以上第１の領域Ａを覆う形状のレ
ジスト膜を第２のマスク１００として用いる必要があ
る。

【００１２】また、光結合面Ｃからの長さＬを大きくし
すぎると、後の工程で第１の領域Ａのハイメサ導波路と
第２の領域Ｂの光半導体増幅器を接続する際に、それら
の接続部に形成されるスラブ状遷移領域が大きくなり、
結合損失が低下する（後に詳細を述べる）。よって、第
２のマスク１００は、図４（ｃ）に示すように、第２の
領域Ｂと光結合面Ｃよりメサ深さＤの１倍以上且つ２倍
以下まで第１の領域Ａを覆う形状にする必要がある。

【００１３】以上がＦe−ＩnＰ乗り上げ成長層９０を除
去する工程において、図４（ｃ）及び図３（ａ）に示し
たように第２の領域Ｂと光結合面Ｃより長さＬ（メサ深
さＤの１倍以上２倍以下）だけ第１の領域Ａを覆う形状
のレジスト膜を第２のマスク１００として用いる理由で
ある。続いて、Ｆe−ＩnＰ乗り上げ成長層９０を除去し
た後の工程について図５（ｂ）（ｃ）を用いて説明す
る。図５（ｂ）に示すように、マスクを用いたブロム
（臭素）ガスによる反応性イオンエッチング（Ｂr₂−Ｒ
ＩＥ）によりハイメサ導波路を形成する。

【００１４】ところが、先の工程で残留したＦe−ＩnＰ
が光結合面Ｃ上に存在するため、図５（ｃ）に示すよう
に、光半導体増幅器とハイメサ導波路とはスラブ導波路
を介して接続される。このスラブ導波路は、ブロムガス
による反応性イオンエッチングによるエッチング時間を
さらに長くすれば、形成されることはない。しかし、既
に例えば高さ３．５μｍのハイメサ導波路が形成された
部分もさらに反応性イオンエッチングによりエッチング
が進行するのでメサの高さが、例えばスラブ導波路の厚
みが３μｍとすると、６．５μｍとなる。

【００１５】このため、後に行う劈開、又は研磨の工程
でメサが倒壊するという問題がある。以上の理由からス
ラブ導波路が形成されるのはやむを得ない。スラブ導波
路は、光半導体増幅器活性層と比べ光の閉じ込めが小さ
い導波路構造をもつことから光結合効率が低下する。よ
って、光結合面Ｃにスラブ導波路が形成されることは望
ましくない。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
光半導体装置の製造方法では、Ｆe−ＩnＰ乗り上げ成長
層を除去する工程において、光結合面Ｃ上にＦe−ＩnＰ
が残留するため、後に光半導体増幅器とハイメサ導波路
を接続する工程において、光半導体増幅器とハイメサ導
波路の間にスラブ導波路が形成され、光結合効率が低下
するという重要な問題があった。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の請求項１に係る光半導体装置の製造方法は、半導体
基板上の第１の領域に形成されハイメサ構造を有する導
波路と、前記基板の第２の領域に形成され埋め込み構造
を有する光半導体素子がバットジョイント接合された光
半導体装置において、第２の領域に形成されたメサスト
ライプ構造を第１のマスクを用いて保護し、選択結晶成
長法により前記第１のマスク以外の部分に埋め込み層を
形成する工程と、第１の領域に形成するハイメサ導波路
構造のメサ幅よりも幅広の凸部を有する第２のマスクを
用いて第２の領域だけでなく、第１の領域に至る部分を
保護し、前記選択結晶成長法により第１の領域の上部に
乗り上げ成長された埋め込み層を選択性ウェットエッチ
ングにより除去する工程を有することを特徴とする光半
導体装置の製造方法を用いることを特徴とする。

【００１８】上記課題を解決する本発明の請求項２に係
る光半導体装置の製造方法は、請求項１の光半導体装置
において、第１の領域と第２の領域の光結合面から第１
の領域に至る長さしがメサ深さＤの１倍以上且つ２倍以
下、凸部の幅Ｗ３が第１の領域に形成されるハイメサ導
波路部のメサ幅Ｗ１とサイドエッチング量Ｅとの和以上
且つメサ幅Ｗ１とメサ深さＤの３倍との和以下、光結合
面から凸部までの長さＬ１がメサ深さＤと等しく、凸部
の長さＬ２が長さＬと長さＬ１の差に等しい第２のマス
クを用いて第２の領域だけでなく、第１の領域に至る部
分を保護し、前記選択結晶成長法により第１の領域の上
部に乗り上げ成長された埋め込み層を選択性ウェットエ
ッチングにより除去する工程を有することを特徴とする
光半導体装置の製造方法を用いることを特徴とする。

【００１９】〔作用〕前述のＦe−ＩnＰ乗り上げ成長層
を除去する工程において、図３（ｂ）に示すように、第
２の領域Ｂだけでなく、光結合面から長さＬ（メサ深さ
Ｄの１倍以上且つ２倍以下）だけ第１の領域Ａを覆い、
凸部の幅Ｗ３が第１の領域Ａに形成されるハイメサ導波
路部のメサ幅Ｗ１とサイドエッチング量Ｅとの和以上且
つメサ幅Ｗ１とメサ深さＤの３倍との和以下、光結合面
Ｃから凸部までの長さＬ１がメサ深さＤと等しく、凸部
の長さＬ２が長さＬと長さＬ１の差に等しい第２のマス
クを用いることを特徴とする。

【００２０】図２（ａ）に示すように、上記第２のマス
クを用いＦe−ＩnＰ乗り上げ成長層を除去する工程にお
いて、Ｆe−ＩnＰ乗り上げ成長層を選択性のあるエッチ
ャントを用いたウェットエッチングにより除去し、図２
（ｂ）に示すように、前もって導波路層上に形成された
ＧaＩnＡsＰエッチストップ層によりエッチングは停止
する。このとき、第２のマスクを用いるため、逆メサ方
向（図５中矢印）だけでなく順メサ方向（図５中矢印
）のサイドエッチングが生じる。

【００２１】そのため、光結合面Ｃ上に残留するＦe−
ＩnＰ層を減少させることが可能となる。更に、残留す
るＦe−ＩnＰ層も第１の領域と第２の領域のメサストラ
イプ上に限られるため、図２（ｅ）に示すように、後の
光半導体増幅器と接続するハイメサ導波路を形成する工
程おいて、光半導体増幅器とハイメサ導波路の間にスラ
ブ導波路が形成されることはない。

【００２２】第２のマスクについて詳細を述べる。光結
合面から第１の領域に至る長さＬは既に述べた理由から
メサ深さＤの１倍以上且つ２倍以下とする。Ｄ≦Ｌ≦２Ｄまた、光結合面から凸部までの長さＬ１をメサ深さＤと
等しくし、オーバーエッチングを考慮して凸部の長さＬ
２を長さＬと長さＬ１の差に等しくする。Ｌ１＝ＤＬ２＝Ｌ−Ｌ１また、第２のマスクの凸部の幅Ｗ３は、オーバーエッチ
ングによる光結合面Ｃへのダメージを防ぐため、第１の
領域Ａのメサ幅Ｗ１とサイドエッチング量Ｅとの和以上
必要である。Ｗ１＋Ｅ≦Ｗ３また、凸部の幅Ｗ３を大きくしすぎると、光結合面上に
残留するＦe−ＩnＰが多くなるためメサ幅Ｗ１とメサ深
さＤの３倍との和以下あれば十分である。Ｗ３≦Ｗ１＋３Ｄ

【００２３】以上のように、前述のＦe−ＩnＰ乗り上げ
成長層を除去する工程において、図３（ｂ）に示すよう
な形状のレジスト膜をマスクとして用いることで、従来
の問題であった、光半導体増幅器とハイメサ導波路を接
続する工程においても、光半導体増幅器とハイメサ導波
路の間にスラブ導波路が形成されることはない。また、
サイドエッチやオーバーエッチングにより光結合面が窪
んだ形状となることもない。このように本発明を用いる
と、埋め込み構造をもつ光半導体素子とハイメサ導波路
間に、高い光結合効率を持つ高性能な半導体モノリシッ
ク集積素子が実現される。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１及
び図２に示す。本実施例はｎ−ＩnＰ基板上に有機金属
気相成長法（ＭＯＶＰＥ）等を用いて作製するものであ
る。作製方法について詳細に述べる。先ず、ｎ−ＩnＰ
基板１上に、ＧaＩnＡsＰ光半導体増幅器活性層２、ｐ
−ＩnＰクラッド層３を有機金属気相エピタキシャル法
により順次形成する。

【００２５】次に、ＳiＯ₂膜をプラズマＣＶＤ（Chemic
al Vapor Deposition)法により形成し、フォトリソグラ
フィー法とＣＦ₄／Ｈ₂による反応性イオンエッチングに
より第２の領域Ｂのメサストライプ以外のＳiＯ₂膜を除
去し、これをマスク４として、図１（ａ）に示すよう
に、クラッド層３をＣＨ₄／Ｈ₂による反応性イオンエッ
チングにより、また光半導体増幅器活性層２をウェット
エッチングにより除去する。引き続き、前記マスク４を
用いた有機金属気相エピタキシャル法による選択成長に
より、図３（ｂ）に示すように、ＧaＩnＡsＰ導波路層
５、ｉ−ＩnＰクラッド層６、ＧaＩnＡsＰエッチストッ
プ層７を順次形成する。

【００２６】前記マスク４を除去した後、再びＳiＯ₂膜
をプラズマＣＶＤ法により形成し、フォトリソグラフィ
ー法とＣＦ₄／Ｈ₂による反応性イオンエッチングにより
第１の領域Ａと第２の領域Ｂのメサストライプ以外のＳ
iＯ₂膜を除去し、これをマスク８として、図１（ｃ）に
示すように、ＣＨ₄／Ｈ₂による反応性イオンエッチング
によりメサ深さＤ＝３μｍ、メサ幅Ｗ２＝１．５μｍの
メサストライプを形成する。その後、フォトリソグラフ
ィー法とＣＦ₄／Ｈ₂による反応性イオンエッチングによ
り、図１（ｄ）に示すように、第１の領域ＡのＳiＯ₂膜
を除去する。

【００２７】第２の領域Ｂのメサストライプ上に残った
ＳiＯ₂膜を選択結晶成長の第１のマスク９として、図１
（ｅ）に示すように、Ｆe−ＩnＰによる半絶縁性埋め込
みヘテロ構造１０を有機金属気相エピタキシャル法によ
り選択成長させる。このとき、第２の領域ＢのＧaＩnＡ
sＰエッチストップ層７上部には、Ｆe−ＩnＰ層１１が
乗り上げ成長される。その後、レジスト膜を形成し、フ
ォトリソグラフィー法を用いて、図２（ａ）に示すよう
に第２のマスク１２を形成する。この第２のマスク１２
は、図３（ｂ）に示す形状を有する。

【００２８】ハイメサ導波路構造を形成する第２の領域
Ｂのメサストライプ幅Ｗ２が２．５μｍのとき、第２の
マスク１２の凸部の幅Ｗ３を１０μｍ、光結合部から第
１の領域Ａを覆う長さＬを５μｍ、光結合面Ｃから凸部
までの長さＬ１を３μｍ、凸部の長さＬ２を２μｍとす
る。次にウェットエッチングにより、図２（ｂ）に示す
ように、Ｆe−ＩnＰ乗り上げ成長層１１を除去する。引
き続き、図２（ｃ）に示すように、第１のマスク９と第
２のマスク１２を除去する。

【００２９】再度ＳiＯ₂膜をプラズマＣＶＤ法により形
成し、フォトリソグラフィー法とＣＦ₄／Ｈ₂による反応
性イオンエッチングにより、第１の領域Ａのメサストラ
イプと第２の領域Ｂ以外のＳiＯ₂膜を除去し、これをマ
スク１３として、図２（ｄ）に示すように、ブロムガス
による反応性イオンエッチングにより光半導体増幅器と
接続するハイメサ導波路を形成する。その後、図２
（ｅ）に示すように、ＳiＯ₂膜であるマスク１３を除去
する。

【００３０】次に、光半導体増幅器の表面にＡuＺnＮi
ｐ型電極を形成する（図示せず）。裏面を数百μｍ厚に
なるよう研磨した後、裏面にＡuＧeＮiｎ型電極を形成
し、劈開後、素子端面にＡＲ膜を形成する（図示せ
ず）。上述のようにして、第１の領域Ａにハイメサ構造
の導波路が、また第２の領域Ｂに半絶縁性埋め込みヘテ
ロ構造の光半導体増幅器が形成される。ここではＧaＩn
ＡsＰ系での作製方法について述べたが、光半導体増幅
器の活性層が形成できる材料であれば何でも良い。

【００３１】導波路とバットジョイント接合する光半導
体素子は、ＥＡ変調器などにおいても同様の効果が得ら
れる。また、第２の領域Ｂのメサストライプを埋め込む
材料としてＦe−ＩnＰについて述べたが、例えばｐ−Ｉ
nＰとｎ−ＩnＰを用いても良い。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、同一基板
上に埋め込み構造を有する光半導体素子と、ハイメサ構
造を有する導波路がバットジョイント接合された光半導
体装置において、ハイメサ導波路が形成される第２の領
域に乗り上げ成長された埋め込み層を除去するマスクと
して、凸部を有し、第２の領域だけでなく、第１の領域
に至る部分を保護することで、従来の問題であった、埋
め込み構造を持つ光半導体素子とハイメサ導波路を接続
する工程においても、光半導体素子とハイメサ導波路の
間にスラブ導波路が形成されることはない。また、サイ
ドエッチやオーバーエッチングにより光結合面が窪んだ
形状となることもない。以上の理由により本発明を用い
ると、埋め込み構造をもつ光半導体素子とハイメサ導波
路間に、高い光結合効率を持つ高性能な半導体モノリシ
ック集積素子が実現できるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る光半導体装置の製造方
法の工程図である。

【図２】本発明の一実施例に係る光半導体装置の製造方
法の工程図である。

【図３】図３（ａ）は、従来例に係る第１及び第２の領
域の上面図、図３（ｂ）は本発明の一実施例における第
１及び第２の領域の上面図である。

【図４】従来例に係る光半導体装置の製造方法の工程図
である。

【図５】従来例に係る光半導体装置の製造方法の工程図
である。

【図６】従来例に係る光半導体装置の製造方法（サイド
エッチングにより光結合面の劣化）の工程図である。

【符号の説明】

１ｎ−ＩnＰ基板２ＧaＩnＡsＰ光半導体増幅器活性層３ｐ−ＩnＰクラッド層４，８，１３マスク５ＧaＩnＡsＰ導波路層６ｉ−ＩnＰクラッド層７ＧaＩnＡsＰエッチストップ層９第１のマスク１０半絶縁性埋め込みヘテロ構造１１Ｆe−ＩnＰ乗り上げ成長層１２第２のマスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 2H047 KA05 MA07 PA06 PA21 PA24 QA02 TA35 5F073 AA26 AA89 AB12 BA01 CA13 CB02 CB22 DA05 DA22 DA25

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上の第１の領域に形成されハ
イメサ構造を有する導波路と、前記基板の第２の領域に
形成され埋め込み構造を有する光半導体素子がバットジ
ョイント接合された光半導体装置を製造する方法におい
て、第２の領域に形成されたメサストライプ構造を第１
のマスクを用いて保護し、選択結晶成長法により前記第
１のマスク以外の部分に埋め込み層を形成する工程と、
第１の領域に形成するハイメサ導波路構造のメサ幅より
も幅広の凸部を有する第２のマスクを用いて第２の領域
だけでなく、第１の領域に至る部分を保護し、前記選択
結晶成長法により第１の領域の上部に乗り上げ成長され
た埋め込み層を選択性ウェットエッチングにより除去す
る工程を有することを特徴とする光半導体装置の製造方
法。
【請求項２】請求項１の光半導体装置の製造方法にお
いて、下式に示すように、第１の領域と第２の領域の光
結合面から第１の領域に至る長さＬがメサ深さＤの１倍
以上且つ２倍以下、凸部の幅Ｗ３が第１の領域に形成さ
れるハイメサ導波路部のメサ幅Ｗ１とサイドエッチング
量Ｅとの和以上且つメサ幅Ｗ１とメサ深さＤの３倍との
和以下、光結合面から凸部までの長さＬ１がメサ深さＤ
と等しく、凸部の長さＬ２が長さＬと長さＬ１の差に等
しい第２のマスクを用いて第２の領域だけでなく、第１
の領域に至る部分を保護し、前記選択結晶成長法により
第１の領域の上部に乗り上げ成長された埋め込み層を選
択性ウェットエッチングにより除去する工程を有するこ
とを特徴とする光半導体装置の製造方法。Ｄ≦Ｌ≦２ＤＷ１＋Ｅ≦Ｗ３≦Ｗ１＋３ＤＬ１＝ＤＬ２＝Ｌ−Ｌ１