JP2002260912A - 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 - Google Patents
磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品Info
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- H01F1/342—Oxides
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １０００℃以下特に、９００℃付近で焼成可
能であり、電気抵抗率が高く、誘電率が低い、Ｙ型六方
晶フェライトを主成分フェライトとする磁性酸化物焼結
体およびこれを用いた高周波回路部品を提供する。 【解決手段】 Ｙ型六方晶フェライトで８０％以上占有
されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸化物焼
結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜
１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸
化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、残部をＡＯ
（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）とし
て含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラス
またはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなる
ように構成する。
能であり、電気抵抗率が高く、誘電率が低い、Ｙ型六方
晶フェライトを主成分フェライトとする磁性酸化物焼結
体およびこれを用いた高周波回路部品を提供する。 【解決手段】 Ｙ型六方晶フェライトで８０％以上占有
されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸化物焼
結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜
１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸
化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、残部をＡＯ
（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）とし
て含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラス
またはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなる
ように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路部品用
に使用される磁性酸化物焼結体およびそれを用いた高周
波回路部品に関する。
に使用される磁性酸化物焼結体およびそれを用いた高周
波回路部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化や高周波化に伴
い、高周波帯域において高いインダクタンス、インピー
ダンスを持つ電子部品の需要が高まっている。小型で高
いインダクタンス、インピーダンスを得るためには、い
わゆる印刷工法やシート工法によって磁性体中に導体を
内蔵した積層構造のコイルを作製することが望ましい。
積層構造とすることでコイルの巻数を多くすることがで
き、構造も閉磁路となるため高いインダクタンス、イン
ピーダンスが得られる。
い、高周波帯域において高いインダクタンス、インピー
ダンスを持つ電子部品の需要が高まっている。小型で高
いインダクタンス、インピーダンスを得るためには、い
わゆる印刷工法やシート工法によって磁性体中に導体を
内蔵した積層構造のコイルを作製することが望ましい。
積層構造とすることでコイルの巻数を多くすることがで
き、構造も閉磁路となるため高いインダクタンス、イン
ピーダンスが得られる。
【０００３】焼結体に内蔵される導体材料としては、電
気抵抗率、融点、コストの面から一般に銀（Ａｇ）が多
く用いられている。銀の融点は１０００℃以下であるた
め，積層構造用の磁性体材料としては、従来より一般
に、９００℃の焼成でも高い焼結密度が得られるＮｉＺ
ｎ系フェライトが用いられてきた。
気抵抗率、融点、コストの面から一般に銀（Ａｇ）が多
く用いられている。銀の融点は１０００℃以下であるた
め，積層構造用の磁性体材料としては、従来より一般
に、９００℃の焼成でも高い焼結密度が得られるＮｉＺ
ｎ系フェライトが用いられてきた。
【０００４】しかしながら、ＮｉＺｎ系フェライトは磁
気異方性が低いために数百ＭＨｚの周波数で自然共鳴を
起こしてしまい、ＧＨｚの周波数帯域で使用することが
できなかった。
気異方性が低いために数百ＭＨｚの周波数で自然共鳴を
起こしてしまい、ＧＨｚの周波数帯域で使用することが
できなかった。
【０００５】高周波仕様として、非磁性体を用いた空心
コイルが用いられることもあるが、非磁性体を用いると
高いインダクタンスやインピーダンスを得ることが困難
になる。
コイルが用いられることもあるが、非磁性体を用いると
高いインダクタンスやインピーダンスを得ることが困難
になる。
【０００６】この一方で六方晶フェライトは、六角板状
結晶の面内方向とこの面に垂直な方向の磁気的異方性が
異なっているため、自然共鳴を起こしにくく、ＧＨｚの
周波数帯域まで高い透磁率を持つという特徴をもってい
る。しかしながら、このものは、所望の焼結密度や磁気
特性を得るためには、焼成温度を高くする必要があっ
た。
結晶の面内方向とこの面に垂直な方向の磁気的異方性が
異なっているため、自然共鳴を起こしにくく、ＧＨｚの
周波数帯域まで高い透磁率を持つという特徴をもってい
る。しかしながら、このものは、所望の焼結密度や磁気
特性を得るためには、焼成温度を高くする必要があっ
た。
【０００７】また、従来のいわゆるＹ型六方晶フェライ
トの電気抵抗率は、高くてもせいぜい１×１０5Ω・ｍ
程度までであり、また高特性を得るためにＣｕやＺｎな
どで置換したものについては、その電気抵抗率が１×１
０4Ω・ｍ程度であり、これらの値は、電子部品材料に
求められる電気抵抗率１×１０5Ω・ｍを超える値と比
べると低いといわざるを得ない。
トの電気抵抗率は、高くてもせいぜい１×１０5Ω・ｍ
程度までであり、また高特性を得るためにＣｕやＺｎな
どで置換したものについては、その電気抵抗率が１×１
０4Ω・ｍ程度であり、これらの値は、電子部品材料に
求められる電気抵抗率１×１０5Ω・ｍを超える値と比
べると低いといわざるを得ない。
【０００８】さらに、六方晶フェライトはスピネル型フ
ェライトに比べて誘電率が高いため、インダクタに発生
する寄生容量が大きくなってしまい、インダクタが自己
共振を起こしやすく、インダクタンスおよびインピーダ
ンスが低くなってしまうなどの問題があった。
ェライトに比べて誘電率が高いため、インダクタに発生
する寄生容量が大きくなってしまい、インダクタが自己
共振を起こしやすく、インダクタンスおよびインピーダ
ンスが低くなってしまうなどの問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このような実状のもと
に本発明は創案されたものであり、その目的は、上記の
課題を解決し、１０００℃以下特に、９００℃付近で焼
成可能であり、電気抵抗率が高く、誘電率が低い、Ｙ型
六方晶フェライトを主成分フェライトとする磁性酸化物
焼結体およびこれを用いた高周波回路部品を提供するこ
とにある。
に本発明は創案されたものであり、その目的は、上記の
課題を解決し、１０００℃以下特に、９００℃付近で焼
成可能であり、電気抵抗率が高く、誘電率が低い、Ｙ型
六方晶フェライトを主成分フェライトとする磁性酸化物
焼結体およびこれを用いた高周波回路部品を提供するこ
とにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８０％以
上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸
化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算
で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル
％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、残部を
ＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）
として含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガ
ラスまたはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有して
なるように構成される。
るために、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８０％以
上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸
化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算
で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル
％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、残部を
ＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）
として含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガ
ラスまたはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有して
なるように構成される。
【００１１】また、本発明は、磁性酸化物焼結体中に導
電体が埋設された構造を備える高周波回路部品であっ
て、前記磁性酸化物焼結体は、Ｙ型六方晶フェライトで
８０％以上占有され、かつ、該磁性酸化物焼結体は、主
成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル
％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸化鉄をＦ
ｅ 2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、残部をＡＯ（ＡＯは、
ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）として含み、副
成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビス
マスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなるように構成
される。
電体が埋設された構造を備える高周波回路部品であっ
て、前記磁性酸化物焼結体は、Ｙ型六方晶フェライトで
８０％以上占有され、かつ、該磁性酸化物焼結体は、主
成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル
％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸化鉄をＦ
ｅ 2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、残部をＡＯ（ＡＯは、
ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）として含み、副
成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビス
マスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなるように構成
される。
【００１２】また、本発明の好ましい態様として、前記
磁性酸化物焼結体の製造における仮焼温度は、８５０℃
〜１０００℃として構成される。
磁性酸化物焼結体の製造における仮焼温度は、８５０℃
〜１０００℃として構成される。
【００１３】また、本発明の高周波回路部品の好ましい
態様として、前記導電体は、銀（Ａｇ）を主成分として
なるように構成される。
態様として、前記導電体は、銀（Ａｇ）を主成分として
なるように構成される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁性酸化物焼結体
について詳細に説明する。本発明の磁性酸化物焼結体は
セラミック焼結体であるために通常のセラミック作製プ
ロセスで製造することができる。
について詳細に説明する。本発明の磁性酸化物焼結体は
セラミック焼結体であるために通常のセラミック作製プ
ロセスで製造することができる。
【００１５】本発明の磁性酸化物焼結体は、主成分とし
て酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル％（好まし
くは、３〜５モル％）、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７
モル％（好ましくは、５．５〜１０モル％）、酸化鉄を
Ｆｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％（好ましくは、５９〜
６０モル％）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒ
Ｏの少なくとも１種）として含んでいる。ＡＯの形態
は、ＢａＯあるいはＳｒＯの単独形態、またはＢａＯと
ＳｒＯの混在形態である。
て酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル％（好まし
くは、３〜５モル％）、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７
モル％（好ましくは、５．５〜１０モル％）、酸化鉄を
Ｆｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％（好ましくは、５９〜
６０モル％）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒ
Ｏの少なくとも１種）として含んでいる。ＡＯの形態
は、ＢａＯあるいはＳｒＯの単独形態、またはＢａＯと
ＳｒＯの混在形態である。
【００１６】また、本発明の磁性酸化物焼結体は、副成
分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビスマ
スガラスを０．６〜７ｗｔ％（好ましくは０．６〜５ｗ
ｔ％）、含有している。
分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビスマ
スガラスを０．６〜７ｗｔ％（好ましくは０．６〜５ｗ
ｔ％）、含有している。
【００１７】硼珪酸ガラスとは、一般にＢ2Ｏ3、ＳｉＯ
2を含むガラスを示し、硼珪酸亜鉛ガラスとは、一般に
Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯを含むガラスを示し、ビスマ
スガラスとは、一般にＢｉ2Ｏ3を含むガラスを示す。こ
れらの各ガラスの定義において上記の各成分が主成分で
ある必要はない。
2を含むガラスを示し、硼珪酸亜鉛ガラスとは、一般に
Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＯを含むガラスを示し、ビスマ
スガラスとは、一般にＢｉ2Ｏ3を含むガラスを示す。こ
れらの各ガラスの定義において上記の各成分が主成分で
ある必要はない。
【００１８】これらの副成分のガラスの含有形態として
は、硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスおよびビスマスガ
ラスの中の１種を単独で用いても良いし、また、これら
の中の２種または３種を混合して用いてもよい。２種以
上を混合して用いる場合には、混合した総計重量％が上
記の範囲に入るようにすればよい。
は、硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスおよびビスマスガ
ラスの中の１種を単独で用いても良いし、また、これら
の中の２種または３種を混合して用いてもよい。２種以
上を混合して用いる場合には、混合した総計重量％が上
記の範囲に入るようにすればよい。
【００１９】このようなガラスを添加することにより、
高電気抵抗率化（電気抵抗率を高くすること）および低
誘電率化（誘電率を低くすること）を得ることができ
る。従って、このような本願所定のガラスの添加によ
り、高周波回路部品としての例えば、積層部品材料に必
要な１×１０5Ω・ｍ以上の電気抵抗率が得られる。さ
らに、本願所定のガラスの添加により、誘電率を低減さ
せる効果も発現し、本発明焼結体を高周波部品として用
いた場合、高い周波数において高いインピーダンスを得
ることや、インピーダンスの広帯域化に効果がある。
高電気抵抗率化（電気抵抗率を高くすること）および低
誘電率化（誘電率を低くすること）を得ることができ
る。従って、このような本願所定のガラスの添加によ
り、高周波回路部品としての例えば、積層部品材料に必
要な１×１０5Ω・ｍ以上の電気抵抗率が得られる。さ
らに、本願所定のガラスの添加により、誘電率を低減さ
せる効果も発現し、本発明焼結体を高周波部品として用
いた場合、高い周波数において高いインピーダンスを得
ることや、インピーダンスの広帯域化に効果がある。
【００２０】なお、これらのガラス添加は添加時におけ
る状態がガラスであることが必要である。焼成後、用い
たガラス成分は、ガラス状態の有無を問わず焼成体の中
に存在する。
る状態がガラスであることが必要である。焼成後、用い
たガラス成分は、ガラス状態の有無を問わず焼成体の中
に存在する。
【００２１】これらのガラスの中では、特に、硼珪酸亜
鉛ガラスや硼珪酸ガラスが高電気抵抗率、低誘電率をよ
り効果的に実現させるために好ましい。また、同じガラ
ス添加量で比較した場合、９０％以上の相対密度が得ら
れる温度を下げることができるという観点からは、特
に、ビスマスガラスが好ましい。
鉛ガラスや硼珪酸ガラスが高電気抵抗率、低誘電率をよ
り効果的に実現させるために好ましい。また、同じガラ
ス添加量で比較した場合、９０％以上の相対密度が得ら
れる温度を下げることができるという観点からは、特
に、ビスマスガラスが好ましい。
【００２２】上記主成分の含有割合において、ＣｏＯが
３モル％未満となると、例えば２ＧＨｚにおける透磁率
が低下する（例えば２．０未満）という不都合が生じる
傾向にあり、ＣｏＯが１５モル％を超えると、例えば５
００ＭＨｚにおける透磁率が低下する（例えば２．０未
満）という不都合が生じる傾向にある。
３モル％未満となると、例えば２ＧＨｚにおける透磁率
が低下する（例えば２．０未満）という不都合が生じる
傾向にあり、ＣｏＯが１５モル％を超えると、例えば５
００ＭＨｚにおける透磁率が低下する（例えば２．０未
満）という不都合が生じる傾向にある。
【００２３】また、ＣｕＯが５モル％未満となると、仮
焼き温度が１０００℃を超えるという不都合が生じる傾
向にあり、ＣｕＯが１７モル％を超えると、透磁率が低
下する（例えば２．０以下）という不都合が生じる傾向
にある。
焼き温度が１０００℃を超えるという不都合が生じる傾
向にあり、ＣｕＯが１７モル％を超えると、透磁率が低
下する（例えば２．０以下）という不都合が生じる傾向
にある。
【００２４】また、Ｆｅ2Ｏ3が５７モル％未満となった
り、Ｆｅ2Ｏ3が６１モル％を超えたりすると透磁率が低
下するという不都合が生じる傾向にある。
り、Ｆｅ2Ｏ3が６１モル％を超えたりすると透磁率が低
下するという不都合が生じる傾向にある。
【００２５】上記の副成分の含有割合において、上記所
定のガラスの含有量が０．６ｗｔ％未満となると、１０
００℃以下の焼成で理論密度の９０％以上が得られなく
なるという不都合が生じる傾向にあり、上記ガラスの含
有量が７ｗｔ％を超えると、透磁率が低下するという不
都合が生じる傾向にある。
定のガラスの含有量が０．６ｗｔ％未満となると、１０
００℃以下の焼成で理論密度の９０％以上が得られなく
なるという不都合が生じる傾向にあり、上記ガラスの含
有量が７ｗｔ％を超えると、透磁率が低下するという不
都合が生じる傾向にある。
【００２６】このようなガラス副成分の添加は、特に、
上記のＣｕＯ量の含有と相俟って低温焼結を顕著に実現
させることができる。焼成温度が低くなると、安価で電
気抵抗の低いＡｇのような低融点の電極材料を内蔵した
形で同時焼成し、電極一体型の閉磁路構成の素子を容易
に製造できる。このようにして製造された素子は、例え
ば、小型でかつ高いＱ値を持つインダクタ、あるいは小
型で高周波帯の特に特定周波数でのインピーダンスが大
きいノイズフィルター等の高周波素子（高周波回路部
品）として利用される。
上記のＣｕＯ量の含有と相俟って低温焼結を顕著に実現
させることができる。焼成温度が低くなると、安価で電
気抵抗の低いＡｇのような低融点の電極材料を内蔵した
形で同時焼成し、電極一体型の閉磁路構成の素子を容易
に製造できる。このようにして製造された素子は、例え
ば、小型でかつ高いＱ値を持つインダクタ、あるいは小
型で高周波帯の特に特定周波数でのインピーダンスが大
きいノイズフィルター等の高周波素子（高周波回路部
品）として利用される。
【００２７】さらに本発明における磁性酸化物焼結体
は、その８０％以上、特に好ましくは、９０％以上がＹ
型六方晶フェライトで形成されている。ここに言う
「％」は、エックス線回折強度のメインピーク比から算
出したものである。
は、その８０％以上、特に好ましくは、９０％以上がＹ
型六方晶フェライトで形成されている。ここに言う
「％」は、エックス線回折強度のメインピーク比から算
出したものである。
【００２８】銀（Ａｇ）のような低融点電極材料と同時
焼成する場合、本焼成温度が低くなるため、焼結後のＹ
型六方晶フェライトを８０％以上とするためには、仮焼
時にＹ型六方晶フェライトを８０％以上生成しておく必
要がある。組成によって異なるが、８５０℃付近からＢ
ａＦｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が始まり、Ｙ型
六方晶フェライトの生成が始まる。しかしながら、Ｂａ
Ｆｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が十分に進まなけ
ればＹ型六方晶フェライトの生成が進まない。従って、
Ｙ型六方晶フェライトを８０％以上とするために、仮焼
温度を８５０℃以上，特に、８５０℃〜１０００℃とす
る必要がある。さらに、ＣｕＯ量を好ましくは５．５〜
１７モル％含有させる必要がある。仮焼温度が８５０℃
未満となったり、ＣｕＯ量が所定量存在しないと、８０
％を超えるＹ型六方晶フェライトの生成が困難となる。
また仮焼温度が１０００℃を超えて高くなりすぎると、
細かい粉砕粉が得られない。細かい粉砕粉の作製は、低
温焼成には極めて重要な技術である。
焼成する場合、本焼成温度が低くなるため、焼結後のＹ
型六方晶フェライトを８０％以上とするためには、仮焼
時にＹ型六方晶フェライトを８０％以上生成しておく必
要がある。組成によって異なるが、８５０℃付近からＢ
ａＦｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が始まり、Ｙ型
六方晶フェライトの生成が始まる。しかしながら、Ｂａ
Ｆｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が十分に進まなけ
ればＹ型六方晶フェライトの生成が進まない。従って、
Ｙ型六方晶フェライトを８０％以上とするために、仮焼
温度を８５０℃以上，特に、８５０℃〜１０００℃とす
る必要がある。さらに、ＣｕＯ量を好ましくは５．５〜
１７モル％含有させる必要がある。仮焼温度が８５０℃
未満となったり、ＣｕＯ量が所定量存在しないと、８０
％を超えるＹ型六方晶フェライトの生成が困難となる。
また仮焼温度が１０００℃を超えて高くなりすぎると、
細かい粉砕粉が得られない。細かい粉砕粉の作製は、低
温焼成には極めて重要な技術である。
【００２９】このような観点から、上述のごとく仮焼温
度を８５０〜１０００℃において、Ｙ型六方晶フェライ
トの生成率を高くするためには、主成分としての前記Ｃ
ｕＯ量を好ましくは５．５〜１７モル％含有させること
が必要となる。
度を８５０〜１０００℃において、Ｙ型六方晶フェライ
トの生成率を高くするためには、主成分としての前記Ｃ
ｕＯ量を好ましくは５．５〜１７モル％含有させること
が必要となる。
【００３０】このような本発明における磁性酸化焼結体
は、磁性酸化物焼結体中に導電体が埋設された構造を備
える高周波回路部品、例えば、例えば、インピーダ、イ
ンダクタとして用いられる。
は、磁性酸化物焼結体中に導電体が埋設された構造を備
える高周波回路部品、例えば、例えば、インピーダ、イ
ンダクタとして用いられる。
【００３１】
【実施例】以下、具体的実施例を挙げて本発明をさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００３２】[実験例Ｉ] （実施例および比較例サンプルの作製）焼結後の組成が
下記表１に示すような組成となるように各原料を秤量
し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合した。次に、
この混合粉を大気中、表１に記載された温度で２時間仮
焼きした。次いで、表１に示されるごとく所定のガラス
を所定量添加した後、鉄鋼製ボールミルで１５時間粉砕
した。
下記表１に示すような組成となるように各原料を秤量
し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合した。次に、
この混合粉を大気中、表１に記載された温度で２時間仮
焼きした。次いで、表１に示されるごとく所定のガラス
を所定量添加した後、鉄鋼製ボールミルで１５時間粉砕
した。
【００３３】このようにして得られた六方晶フェライト
粉を造粒して、１００ＭＰａの圧力で所望の形状に成形
した。
粉を造粒して、１００ＭＰａの圧力で所望の形状に成形
した。
【００３４】この成形体を大気中、表１に示される温度
で２時間焼結した。六方晶フェライト焼結体の組成は下
記表１に示すとおりであり、これらの各サンプルについ
て、２５℃における周波数５００ＭＨｚおよび２ＧＨｚ
の透磁率、並びに電気抵抗率、誘電率、をそれぞれ測定
して表１に示した。透磁率は周波数５００ＭＨｚおよび
２ＧＨｚの周波数において、２．０以上の値を目標とし
ている。また、電気抵抗率は１×１０5Ω・ｍの値を目
標としている。誘電率は低ければ低いほど良い。ちなみ
に、後述の実験結果より、電気抵抗率が１×１０5Ω・
ｍの値を超えていれば誘電率は３０以下の低い値を示し
ている。
で２時間焼結した。六方晶フェライト焼結体の組成は下
記表１に示すとおりであり、これらの各サンプルについ
て、２５℃における周波数５００ＭＨｚおよび２ＧＨｚ
の透磁率、並びに電気抵抗率、誘電率、をそれぞれ測定
して表１に示した。透磁率は周波数５００ＭＨｚおよび
２ＧＨｚの周波数において、２．０以上の値を目標とし
ている。また、電気抵抗率は１×１０5Ω・ｍの値を目
標としている。誘電率は低ければ低いほど良い。ちなみ
に、後述の実験結果より、電気抵抗率が１×１０5Ω・
ｍの値を超えていれば誘電率は３０以下の低い値を示し
ている。
【００３５】なお、Ｙ型六方晶フェライトによる占有率
は、焼結体の粉砕粉を用いて、Ｘ線回折ピークの強度比
より算出した。
は、焼結体の粉砕粉を用いて、Ｘ線回折ピークの強度比
より算出した。
【００３６】
【表１】
【００３７】
【表２】
【００３８】[実験例II]上記実験例Ｉにおける実施例Ｉ
−６サンプルの主成分において、添加成分の種類および
添加量を下記表２に示すとおり変えて種々のサンプルを
作製した。これらのサンプルについて、９０％以上の相
対密度（理論密度１００に対して）が得られる温度を測
定した。
−６サンプルの主成分において、添加成分の種類および
添加量を下記表２に示すとおり変えて種々のサンプルを
作製した。これらのサンプルについて、９０％以上の相
対密度（理論密度１００に対して）が得られる温度を測
定した。
【００３９】結果を下記表２に示した。
【００４０】
【表３】
【００４１】[実験例III]次に、本発明の磁性体を用い
てインダクタンス素子を作製した。すなわち、焼結後の
組成が上記表１の実施例Ｉ−６サンプルの主成分に示さ
れるような組成となるように各原料を秤量し、鋼鉄製ボ
ールミルで１５時間湿式混合した。次に、この混合粉を
大気中、９５０℃で２時間仮焼きした。次いで、副成分
としてビスマスガラスを５ｗｔ％添加した後、鉄鋼製ボ
ールミルで１５時間粉砕した。
てインダクタンス素子を作製した。すなわち、焼結後の
組成が上記表１の実施例Ｉ−６サンプルの主成分に示さ
れるような組成となるように各原料を秤量し、鋼鉄製ボ
ールミルで１５時間湿式混合した。次に、この混合粉を
大気中、９５０℃で２時間仮焼きした。次いで、副成分
としてビスマスガラスを５ｗｔ％添加した後、鉄鋼製ボ
ールミルで１５時間粉砕した。
【００４２】この仮焼き粉末に有機バインダーを混合
し、ドクターブレード法により均一なグリーンシートを
形成した。
し、ドクターブレード法により均一なグリーンシートを
形成した。
【００４３】比較のためにＮｉＺｎ系スピネルフェライ
ト粉末（ＮｉＯ＝４５モル％、ＣｕＯ＝５モル％、Ｚｎ
Ｏ＝１．５モル％、Ｆｅ2Ｏ3＝４８モル％、ＣｏＯ＝
０．５モル％）を用いて作製したグリーンシートも準備
した。
ト粉末（ＮｉＯ＝４５モル％、ＣｕＯ＝５モル％、Ｚｎ
Ｏ＝１．５モル％、Ｆｅ2Ｏ3＝４８モル％、ＣｏＯ＝
０．５モル％）を用いて作製したグリーンシートも準備
した。
【００４４】この一方で、銀を混合してなる導電性ペー
ストを用意し、先のグリーンシート上にコイルをスパイ
ラル状となるように積層した。厚み方向に圧力を加えて
圧着し、磁性体に電極がサンドイッチされたグリーンシ
ート積層体を作製した。これを９３０℃で２時間焼成し
た。得られた焼結体の側面の内部導電体の位置に銀ペー
ストを塗布し、外部電極を焼き付け、図１に概略的に示
されるインピーダンス素子（高周波回路部品）とした。
なお、図１は素子内部構造の理解を容易にするためにモ
デル図として描かれている。図１において、符号１１は
インナーコンダクタ（Ａｇコイル）であり、符号１０は
ターミナルコンダクタであり、符号２０はフェライトを
示している。
ストを用意し、先のグリーンシート上にコイルをスパイ
ラル状となるように積層した。厚み方向に圧力を加えて
圧着し、磁性体に電極がサンドイッチされたグリーンシ
ート積層体を作製した。これを９３０℃で２時間焼成し
た。得られた焼結体の側面の内部導電体の位置に銀ペー
ストを塗布し、外部電極を焼き付け、図１に概略的に示
されるインピーダンス素子（高周波回路部品）とした。
なお、図１は素子内部構造の理解を容易にするためにモ
デル図として描かれている。図１において、符号１１は
インナーコンダクタ（Ａｇコイル）であり、符号１０は
ターミナルコンダクタであり、符号２０はフェライトを
示している。
【００４５】得られたインダクタンス素子のインピーダ
ンスおよび透磁率を２ＧＨｚで測定したところ、本発明
のものではインピーダンスが２０８Ω（透磁率は３．
７）が得られた。ちなみに、ＮｉＣｕＺｎフェライトの
インピーダンスは１３５Ω（透磁率１．２）であった。
ンスおよび透磁率を２ＧＨｚで測定したところ、本発明
のものではインピーダンスが２０８Ω（透磁率は３．
７）が得られた。ちなみに、ＮｉＣｕＺｎフェライトの
インピーダンスは１３５Ω（透磁率１．２）であった。
【００４６】
【発明の効果】上記の結果より本発明の効果は明らかで
ある。すなわち、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８
０％以上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該
磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏ
Ｏ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１
７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、
残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも
１種）として含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸
亜鉛ガラスまたはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含
有してなるように構成されているので、１０００℃以下
特に、９００℃付近で焼成可能であり、電気抵抗率が高
く、誘電率が低い、Ｙ型六方晶フェライトを主成分フェ
ライトとする磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周
波回路部品を提供するができる。
ある。すなわち、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８
０％以上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該
磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏ
Ｏ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１
７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、
残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも
１種）として含み、副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸
亜鉛ガラスまたはビスマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含
有してなるように構成されているので、１０００℃以下
特に、９００℃付近で焼成可能であり、電気抵抗率が高
く、誘電率が低い、Ｙ型六方晶フェライトを主成分フェ
ライトとする磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周
波回路部品を提供するができる。
【図１】実施例で用いたインダクタンス素子（高周波回
路部品）の概略図面である。
路部品）の概略図面である。
１０…ターミナルコンダクタ １１…インナーコンダクタ ２０…フェライト
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G018 AA01 AA09 AA10 AA22 AA24 AA25 AA27 AA31 AA37 AB03 AC16 5E041 AA06 AA19 BD01 CA01 HB01 NN01 NN02 NN06 NN18
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｙ型六方晶フェライトで８０％以上占有
されてなる磁性酸化物焼結体であって、 該磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣ
ｏＯ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜
１７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル
％、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なく
とも１種）として含み、 副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビ
スマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなることを特
徴とする磁性酸化物焼結体。 - 【請求項２】 前記磁性酸化物焼結体の製造における仮
焼温度が８５０℃〜１０００℃である請求項１に記載の
磁性酸化物焼結体。 - 【請求項３】 磁性酸化物焼結体中に導電体が埋設され
た構造を備える高周波回路部品であって、 前記磁性酸化物焼結体は、Ｙ型六方晶フェライトで８０
％以上占有され、かつ、 該磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣ
ｏＯ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜
１７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル
％、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なく
とも１種）として含み、 副成分として硼珪酸ガラス、硼珪酸亜鉛ガラスまたはビ
スマスガラスを０．６〜７ｗｔ％含有してなることを特
徴とする高周波回路部品。 - 【請求項４】 前記磁性酸化物焼結体の製造における仮
焼温度が８５０℃〜１０００℃である請求項３に記載の
高周波回路部品。 - 【請求項５】 前記導電体が銀（Ａｇ）を主成分とする
請求項３または請求項４に記載の高周波回路部品。
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| JP2001056153A JP4074438B2 (ja) | 2001-03-01 | 2001-03-01 | 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 |
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| KR10-2001-7016331A KR100423961B1 (ko) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | 자성 산화물 소결체 및 이것을 이용한 고주파 회로부품 |
| PCT/JP2001/006691 WO2002070432A1 (fr) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Agglomere d'oxyde magnetique et partie de circuit haute frequence l'utilisant |
| EP01954432A EP1364927B1 (en) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Magnetic oxide sinter and high-frequency circuit part employing the same |
| DE60136223T DE60136223D1 (de) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Gesintertes magnetisches oxid und hochfrequenzschaltkreisteil dieses verwendend |
| CNB018087744A CN1232471C (zh) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | 磁性氧化物烧结体及使用该烧结体的高频电路部件 |
| TW90119381A TW572864B (en) | 2001-03-01 | 2001-08-08 | Magnetic oxide sinter and high-frequency circuit part employing the same |
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|---|---|---|---|---|
| US7163667B2 (en) | 2002-01-21 | 2007-01-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Production process for oxide magnetic material and oxide magnetic material |
| WO2007148438A1 (ja) * | 2006-06-21 | 2007-12-27 | Hitachi Metals, Ltd. | 磁性体アンテナおよびフェライト焼結体 |
| US7651626B2 (en) | 2004-12-17 | 2010-01-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Hexagonal ferrite, antenna using the same and communication apparatus |
| US20110025572A1 (en) * | 2009-07-28 | 2011-02-03 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Y-type hexagonal ferrite, fabrication method thereof, and antenna apparatus using the same |
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| JPH09129433A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Tokin Corp | 軟磁性六方晶フェライト |
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| JP2000272961A (ja) * | 1999-01-18 | 2000-10-03 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JP2000323320A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Tdk Corp | 軟磁性フェライト粉末の製造方法および積層チップインダクタの製造方法 |
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| JP2002246224A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Toda Kogyo Corp | 軟磁性シート |
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| JP2004143042A (ja) * | 2003-12-16 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用磁性体材料とその製造方法およびこれを用いた高周波回路部品 |
-
2001
- 2001-03-01 JP JP2001056153A patent/JP4074438B2/ja not_active Expired - Fee Related
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