JP3975051B2 - 磁性フェライトの製造方法、積層型チップフェライト部品の製造方法及びlc複合積層部品の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は積層型ビーズ、積層型インダクタなどの積層型チップフェライト部品、LC複合積層型部品を代表とする複合積層型部品に用いられる磁性フェライトおよび積層型フェライト部品に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
積層型チップフェライト部品および複合積層型部品(本明細書中では積層型フェライト部品と総称する。)は、体積が小さいこと、信頼性が高いことなどから、各種電気機器に用いられている。この積層型フェライト部品は、通常、磁性フェライトからなる磁性層用のシートまたはペーストと内部電極用のペーストとを厚膜積層技術によって積層一体化した後、焼成し、得られた焼成体表面に外部電極用ペーストを印刷または転写した後に焼き付けて製造される。なお、積層一体化した後に焼成することを同時焼成と呼んでいる。内部電極用の材料としてはその低い比抵抗からAgまたはAg合金が用いられているため、磁性層を構成する磁性フェライト材料としては、同時焼成が可能、換言すればAgまたはAg合金の融点以下の温度で焼成ができることが絶対条件となる。したがって、高密度、高特性の積層型フェライト部品を得るためには、AgまたはAg合金の融点以下の低温で磁性フェライトを焼成できるかが鍵となる。
【0003】
AgまたはAg合金の融点以下の低温で焼成できる磁性フェライトとしてNiCuZnフェライトが知られている。つまり、微粉砕によって比表面積を6m2/g程度以上とした粉末を用いたNiCuZnフェライトは、Agの融点(960℃)以下の温度で焼成できるため、積層型フェライト部品に広く用いられている。ところが、NiCuZnフェライトは、磁気特性、特に透磁率μが外部応力、熱衝撃に対して敏感であるため(例えば、「粉体及び粉末冶金」vol.39,8号,612-617(1992年)参照)、積層型フェライト部品製造の際に以下のような問題を生ずる。つまり、製造過程で行われるバレル研磨およびめっき作業による応力、磁性層と内部電極との線膨張係数の差異からくる応力、さらにはプリント基板への実装時に生ずる応力によって、透磁率μが劣化し、インダクタンスLが設計値からずれるという問題である。
【0004】
しかも、NiCuZnフェライトは、その原料であるNiOが高価であるため、自ずと高価な材料となってしまう。したがって、NiOよりも安価なMgO、Mg(OH)2またはMgCO3を用いたMgCuZnフェライトが注目され、種々の改良がなされている。例えば、特開平10−324564号公報では、MgCuZnフェライトにおいて、含有されるB(硼素)の量を2〜70ppmとすることが提案されている。
【0005】
ところが、特開平10−324564号公報のMgCuZnフェライトはその実施例によれば1200℃で焼成されているため、このMgCuZnフェライトを本発明が指向する積層型フェライト部品に適用することは困難である。電極材料であるAgまたはAg合金との同時焼成ができないからである。
また、特許第2747403号公報にもMgOを含有する磁性フェライトの開示があるが、焼成条件についての記載がなく、同時焼成を満足するものではないと判断される。
【0006】
そこで、本発明者は、特願平11−358139号、特願平11−358140号、特願平11−358141号において、応力に対する透磁率μの劣化が少なく、AgまたはAg合金を内部電極材料とした場合でも同時焼成が可能なMgCuZnフェライトを提案した。しかし、このMgCuZnフェライトは、温度に対して敏感であり、温度変化に対しμが大きく変化することが考えられる。これは製品の特性を変化させる原因となる。また、品質係数Q値が従来のNiCuZnフェライトと比較して同程度であり、高周波での損失を小さくし、高特性部品を得るためには更なる品質係数Qの改善が求められる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、低コストなMgCuZnフェライトにおいて、更に、品質係数Qが高く、高周波での損失が小さく、かつ温度特性に優れ、比抵抗が高い、高特性な磁性フェライト及び積層型フェライト部品を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
以上の目的は、次の(1)〜(6)の本発明により達成される。
【0009】
(1);主成分がFe2O3:40〜51mol%、CuO:5〜30mol%、ZnO:0.5〜35mol%、MgO:5〜50mol%からなり、添加成分として、Co3O4を前記主成分に対しCo換算で0.03〜1.0質量%含み、絶縁抵抗が1.20×10 8 〜3.89×10 8 Ω・mである磁性フェライトの製造方法であって、Fe2O3、CuO、ZnO、MgOからなる主成分原料粉末を混合する混合工程と、混合された前記主成分原料粉末を900℃以下の温度で仮焼きする仮焼き工程と、前記仮焼き工程により得られた仮焼き体を添加成分Co3O4とともに粉砕して粉砕粉末を得る粉砕工程と、前記粉砕工程により得られた前記粉砕粉末を用いて成形体を得る成形工程と、前記成形工程で得られた前記成形体を焼成する焼成工程とを有することを特徴とする磁性フェライトの製造方法。
【0010】
(2);(1)に記載の磁性フェライトの製造方法であって、前記MgOの一部を25mol%以下のNiOで置換したことを特徴とする磁性フェライトの製造方法。
【0011】
(3);(1)または(2)に記載の磁性フェライトの製造方法であって、比表面積が6〜15.5m2/gの範囲にある原料粉末を用いて焼成することを特徴とする、磁性フェライトの製造方法。
【0012】
(4);(1)〜(3)のいずれかに記載の磁性フェライトの製造方法であって、940℃以下の温度で焼成することを特徴とする、磁性フェライトの製造方法。
【0013】
(5);フェライト磁性層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライト部品の製造方法において、前記内部電極がAgまたはAg合金であって、前記フェライト磁性層が(1)〜(4)のいずれかに記載の磁性フェライトの製造工程を有する、積層型ビーズまたは積層型インダクタ等の積層型チップフェライト部品の製造方法。
【0014】
(6);フェライト磁性層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライト部品を少なくとも有するLC複合積層部品の製造方法において、前記内部電極がAgまたはAg合金であって、前記フェライト磁性層が請求項(1)〜(4)のいずれかに記載の磁性フェライトの製造工程を有する、LC複合積層部品の製造方法。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下本発明を詳細に説明する。
【0020】
まず、透磁率の劣化について説明する。初透磁率(μi)は以下の式で定義されることが知られている。
μi=AMs2/(aK1+bλsσ)
(Ms=飽和磁束密度、K1=異方性定数、λs=磁歪定数、σ=応力、A,a,bは定数)
従来は、前記特開平4−65807号公報に開示されるように、内部電極からの応力を緩和するために磁性層と内部電極とを空隙を介して対向させる、あるいは特開平10−223414号公報のように結晶粒界にBiを存在させることにより結晶粒界からの応力を緩和するという提案がなされている。つまり、従来の提案は、上記式中の応力σを小さくすることにより透磁率の劣化を防止しようというものであった。
【0021】
本発明者は、従来の提案とは視点を変えて、磁歪定数(λs)の小さい材料を用いることにより透磁率の劣化を防止することを検討した。その結果、NiCuZnフェライトに比べてMgCuZnフェライトの方が磁歪定数が小さく、本発明が指向する積層型フェライト部品に好適であることが判明した。しかも、MgCuZnフェライトはNiCuZnフェライトに比べて低コストで製造することが可能であり、低コスト化が一段と進む電子機器部品にとって大きなメリットとなる。
【0022】
本発明は磁性フェライトとしてMgCuZn系フェライトを用いる。MgCuZn系フェライトの具体的態様としては、MgCuZnフェライトがある。このMgCuZnフェライトを得るためには、MgO粉末、Fe2O3粉末、CuO粉末、ZnO粉末を原料粉末とすればよい。その場合の組成(添加量)は、本発明では以下の範囲とする。
Fe2O3:40〜51mol%、
CuO:5〜30mol%、
ZnO:0.5〜35mol%、
MgO:5〜50mol%
本発明ではさらに、添加成分として、上記主成分に対して以下の範囲のCo3O4を含む。
Co3O4:Co換算で0.03〜1.0質量%
磁性フェライトの磁気特性は組成依存性が非常に強く、前記組成範囲をはずれた領域では、透磁率μや品質係数Qが低くなり、積層型フェライト部品として適さなくなる。
【0023】
Fe2O3の量は透磁率に大きな影響を与える。Fe2O3が40mol%より少ないと透磁率が小さく、フェライトとしての化学量論組成に近づくにしたがって透磁率は上昇するが、化学量論組成をピークとして急激に低下する。したがって、上限を51mol%とする。好ましいFe2O3の量は、45〜49.8mol%である。
【0024】
CuOは、本発明において焼成温度低減に寄与する化合物であり、5mol%未満では940℃以下の低温焼成を実現できなくなる。ただし、30mol%を超えるとフェライトの体積抵抗率が低下して品質係数Qが劣化するので5〜30mol%とする。好ましいCuO量は、8〜25mol%である。
【0025】
ZnOは、その量の増加とともに透磁率μを向上させることができるが、多すぎるとキュリー温度が100℃以下となり、電子部品に要求される温度特性を満足することができなくなる。したがって、ZnO量は0.5〜35mol%とする。好ましいZnO量は15〜25mol%である。
【0026】
MgOは、磁性フェライトの磁歪定数を下げる効果を有する。この効果を得るためには5mol%以上の量とすることが必要である。しかし、MgOの量が増加するにつれて透磁率μが低下する傾向にあるため50mol%以下とする。好ましいMgOの量は、10〜20mol%である。なお、本発明磁性フェライト用粉末および磁性フェライトにおいて、MgOの一部をNiOで置換することもできるが、その際の添加量はMgOと合計で5〜50mol%とする。MgOの一部をNiOで置換する場合、NiOの量は前記主成分中の25mol%以下とすることが好ましい。前記範囲を超えると得られる磁性フェライトの磁歪定数が大きくなり、透磁率μの劣化防止効果を得にくくなるからである。MgOの一部をNiOで置換する場合、さらに好ましくは、MgOとNiOの量は合計で10〜20mol%であり、NiOの量は前記主成分中の10mol%以下である。さらに、MgOの他、Mg(OH)2またはMgCO3のいずれか1種あるいは複数を組み合わせて用いることもできる。その際は、MgOに換算した量が前記範囲内であればよい。
【0027】
磁性フェライトの磁気特性は組成依存性が非常に強く、上記組成範囲をはずれた領域では、透磁率μや品質係数Qが低くなり、積層型フェライト部品として適さなくなる。
【0028】
Co3O4は、品質係数Qを向上させ、温度特性を改善し、体積抵抗率を高くすることができる。しかし、添加量が増加するにつれて透磁率μが低下する傾向にあるため、好ましいCo3O4の量は、Coに換算して0.03〜1.0質量%である。Co3O4の他、各種コバルト酸化物、コバルト炭酸化物等のコバルト化合物を、いずれか1種あるいは複数を組み合わせて用いることもできる。その際は、Coに換算した量が前記範囲内であればよい。
【0029】
本発明では、焼成前における前記組成の原料粉末の比表面積が6〜15.5m2/gの範囲とすることが好ましい。比表面積が6m2/g未満になると、低温焼成、より具体的には940℃以下の温度での焼成が困難となる。15.5m2/gを超えると、印刷積層に用いるペースト塗料やシート積層に用いるシート塗料を得ることが困難となる。より好ましい比表面積は、7〜11m2/gである。より好ましくは、Fe2O3、CuO、ZnO、MgOからなる主成分原料粉末を混合し、混合された前記主成分原料粉末を900℃以下の温度で仮焼きし、得られた仮焼き体を添加成分Co3O4とともに粉砕して、その粉砕された粉末の比表面積を上記範囲とする。このとき仮焼き温度は900℃以下、望ましくは850℃以下とする。仮焼き温度が900℃を超えてしまうと仮焼き体が硬くなり、低温焼成を可能とする粉末の粒度分布を得ることが困難となるからである。好ましい仮焼き温度は730〜850℃である。
【0030】
本発明の低温焼成をより加速するために、ホウケイ酸ガラス等の各種ガラスや、V2O5、Bi2O3、B2O3、WO3およびPbO等の低融点酸化物を添加することもできる。
【0031】
次に、積層型フェライト部品の一形態である積層型チップインダクタについて説明する。図1は積層型チップインダクタの分解斜視図、図2は図1のII−II断面図である。図1に示すように、積層型チップインダクタ1は、磁性フェライト層2および内部電極3とが交互に積層された多層構造のチップ体4と、このチップ体4の両端部に内部電極3と電気的に導通するように配置した外部電極5とから構成される。
【0032】
磁性フェライト層2に本発明による磁性フェライト材料を用いる。つまり、本発明の原料粉末を、バインダおよび溶剤とともに混練して磁性フェライト層2形成用のペーストを得る。このペーストと内部電極3形成用のペーストとを交互に印刷、積層した後に焼成して一体のチップ体4を得る。
【0033】
前記バインダとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂、ブチラール樹脂等の公知のバインダを用いることができる。また、溶剤も、テルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等の公知の溶剤を用いることができる。バインダおよび溶剤の添加量には制限はない。ただし、バインダについては1〜5質量部、溶剤については10〜50質量部の範囲とすることが推奨される。
【0034】
バインダおよび溶剤の他に、分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を10質量部以下の範囲で添加することもできる。分散剤としては、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステルを添加することができる。また、可塑剤としては、ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ブチルフタリルグリコール酸ブチルを添加することができる。
【0035】
磁性フェライト層2は、磁性フェライト層2用シートを用いて形成することもできる。すなわち、本発明の原料粉末を、ポリビニルブチラールを主成分とするバインダと、トルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミル中で混練してスラリを得る。このスラリを、ポリエステルフィルム等のフィルム上に、例えばドクターブレード法により塗布、乾燥して磁性フェライト層2用シートを得ることができる。この磁性フェライト層2用シートを、内部電極3用のペーストと交互に積層した後に、焼成すれば多層構造のチップ体4を得ることができる。なお、バインダの量に制限はないが、1〜5質量部の範囲とすることが推奨される。また、分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を10質量部以下の範囲で添加することもできる。
【0036】
内部電極3は、インダクタとして実用的な品質係数Qを得るために比抵抗の小さいAgまたはAg合金を用いることが望ましい。Ag合金は、たとえば、CuまたはPdとの合金を用いることができる。内部電極3を得るためのペーストは、AgまたはAg合金の粉末、若しくはこれらの酸化物粉末と、バインダおよび溶剤とを混合、混練して得ることができる。バインダおよび溶剤としては、前記磁性フェライト層2を形成するためのペーストに用いられていたものと同様のものを適用することができる。内部電極3は、各層が長円形状をなし、隣接する内部電極3の各層は図3に示されるように、スパイラル状になって導通が確保されているので、閉磁路コイル(巻線パターン)を構成する。
【0037】
外部電極5の材質としては、Ag、Ni、Cu、Ag−Pd合金といった公知の材料を用いることができる。外部電極5は、これら材料を印刷法、めっき法、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法等の各種の方法により形成することができる。
【0038】
積層型チップインダクタ1のチップ体4の外径、寸法には特に制限はない。用途に応じて適宜設定することができる。一般的には、外形はほぼ直方体形状であり、寸法としては1.0〜4.5mm×0.5〜3.2mm×0.6〜1.9mmの範囲のものが多い。また、磁性フェライト層2の電極間厚さt1およびベース厚さt2にも特に制限はなく、電極間厚さt1としては10〜100μm、ベース厚さt2としては250〜500μm程度で設定できる。さらに内部電極3自体の厚さt3としては、通常、5〜30μmの範囲で設定でき、また、巻線パターンのピッチは10〜100μm、巻数は1.5〜20.5ターン程度とすることができる。
【0039】
磁性フェライト層2用のペーストまたはシートと内部電極3用のペーストとを交互に積層した後の焼成温度は、940℃以下が好ましい。940℃を超えると、磁性フェライト層2中に内部電極3を構成する材料が拡散して、磁気特性を著しく劣化させるおそれがあるからである。本発明の磁性フェライトが低温焼成に適しているとはいえ、800℃未満の温度では焼成が不十分となる。したがって、焼成は800℃以上とすることが好ましい。より好ましくは焼成温度は800〜930℃である。なお、焼成時間は、0.05〜5時間、好ましくは0.1〜3時間である。
【0040】
次に、積層型LC複合部品の一実施形態であるLC複合部品について説明する。図3はLC複合部品の概略断面図である。図3に示すように、LC複合部品11は、チップコンデンサ部12とチップフェライト部13とを一体化したものである。
【0041】
チップコンデンサ部12は、セラミック誘電体層21と内部電極22とが交互に積層一体化された多層積層構造を有する。セラミック誘電体層21の材質に制限はなく、従来公知の種々の誘電体材料を用いることができる。本発明においては、焼成温度の低い酸化チタン系誘電体が望ましいが、チタン酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混合物を用いることができる。さらに焼成温度を下げるために、ホウケイ酸ガラス等の各種ガラスを添加してもよい。内部電極22としては、先に説明した積層型チップインダクタ1の内部電極3と同様の材料を用いることができる。各内部電極22は、交互に別の外部電極15に電気的に接続されている。
【0042】
チップフェライト部13は、磁性フェライト層32と内部電極33とが交互に積層した積層型チップインダクタ1から構成されている。この構成は先に説明した積層型チップインダクタ1と同様である。したがって、ここでの詳細な説明は省略する。
【0043】
LC複合部品11の外径、寸法に制限がないことは先に説明した積層型チップインダクタ1と同様である。したがって、用途に応じて適宜設定することができる。通常、ほぼ直方体の外形を有し、1.6〜10.0mm×0.8〜15.0mm×1.0〜5.0mm程度の寸法を有している。
【0044】
【実施例】
以下本発明を具体的実施例に基づき説明する。
【0045】
(実施例1)
Fe2O3、CuO、ZnO、MgOの各成分を表1に従って秤量し、ステンレス製ポット、スチールボールメディアからなるボールミルを用いて16時間湿式混合(分散媒は純水)した。混合終了後、スプレードライヤにより混合粉末を乾燥した。乾燥後760℃で10時間仮焼きを行った。仮焼き終了後、これに添加成分として、主成分すなわち前記仮焼き体に対しCo換算で0〜1.2質量%のCo3O4を添加し、前記ボールミルにて69時間仮焼き体を粉砕し、同時にCo3O4を混合させた。その後、成形、焼成してトロイダル形状の焼成体を得た。焼成温度は900℃、保持時間は2時間である。得られた磁性フェライトの透磁率μ、品質係数Q、密度、絶縁抵抗IR、透磁率μの温度特性を以下の条件で測定した。透磁率μ、品質係数Q、密度、絶縁抵抗IRの結果を表2に、透磁率μの温度特性を図4に示す。
また、各特性の測定方法は以下の通りである。
<透磁率μ、品質係数Q>
トロイダル形状の試料に銅製ワイヤ(線径0.35mm)を20ターン巻き、測定周波数100kHz、測定電流0.2mAでLCRメータ(ヒューレットパッカード(株)製)を用いてインダクタンスと品質係数Qを測定し、下記の式を用いて透磁率μを求めた。
透磁率μ=(le×L)/(μ0×Ae×N2)
le:磁路長 L:試料のインダクタンス
μ0:真空の透磁率=4π×10-7(H/m) Ae:試料の断面積
N:コイルの巻数
<透磁率の温度特性>
トロイダル形状の試料に銅製ワイヤ(線径0.35mm)を20ターン巻き、高温槽中で15分間温度保持した後、測定周波数100kHz、測定電流0.2mAの条件でLCRメータ(ヒューレットパッカード(株)製)を用いてインダクタンスを測定した。測定は、−25℃、0℃、25℃、50℃、85℃で行い、25℃での値を基準として、各温度での変化量Δμ(%)を下式を用いて算出した。
Δμ=μ/μ25×100−100
μ:試料の透磁率
μ25:25℃での試料の透磁率
<絶縁抵抗IR>
室温にて、25V、1分後の絶縁抵抗値を測定した。
【0046】
【表1】
【0047】
【表2】
表1及び表2からわかるように、Co3O4添加量が本発明の範囲内において、透磁率μおよび品質係数Qが高く、絶縁抵抗が高い。また、図4は、透磁率μの温度特性を示すグラフであるが、Co3O4添加量が上記範囲内のとき透磁率μの温度特性も改善される。Co3O4添加量が上記範囲未満ではQが改善されず、好ましくない。一方、Co3O4添加量が上記範囲より多いと透磁率μが低下し、透磁率μの温度特性も著しく悪化するので好ましくない。
【0048】
(実施例2)
実施例2はMgOとNiOの量の組み合わせによる影響を確認することを目的として行われた。表3に示す配合組成で、実施例1と同様の製造条件で試料を作成し、透磁率μ、品質係数Q、密度および磁歪定数を測定した。測定条件は実施例1と同様であった。その結果を表4に示す。
【0049】
【表3】
【0050】
【表4】
表3及び表4からわかるように、本発明の範囲内において、透磁率μ、品質係数Qが共に高く、磁歪定数も10×10-6より小さくなる。NiO量が本発明の範囲外である試料14は、磁歪定数が大きくなり、好ましくない。
【0051】
(実施例3)
実施例3は原料粉末の比表面積による影響を確認することを目的として行われた。表5に示す条件で、各試料の温度に対する収縮率(ΔL/L)を測定した。この収縮率は、焼成のしやすさの目安となるもので、収縮率が大きいほど焼成しやすいとみなすことができる。試料は、実施例1と同様の製造条件で粉砕、混合された材料を、3mm×3mm×4mmの角形に成形したものである。測定機器はTMA測定装置(Rigaku製)、昇温速度は5℃/minの条件にて行った。その結果を図5に示す。
【0052】
【表5】
表5及び図5からわかるように、試料15は、940℃における収縮率が10%よりも小さい。すなわち比表面積が6m2/g未満であると、低温焼成が困難となるので、好ましくない。比表面積が15.5m2/gを超えると、比表面積による収縮率の差違はほぼなくなるが、印刷積層に用いるペースト塗料やシート積層に用いるシート塗料を得ることが困難となり、工程上の問題となる。
【0053】
次に、表1の組成を有する各粉末100質量部に対して、エチルセルロース2.5質量部、テルピネオール40質量部を加え、3本ロールにて混練して磁性フェライト層2用ペーストを調整した。一方、平均粒径0.8μmのAg100質量部に対して、エチルセルロース2.5質量部、テルピネオール40質量部を加え、3本ロールにて混練して内部電極用ペーストを調整した。前記磁性フェライト層2用ペーストと前記内部電極用ペーストとを交互に印刷積層した後、900℃で2時間の焼成を行って図1及び図2に示す積層型チップインダクタ1を得た。この2012タイプの積層型チップインダクタ1の寸法は、2.0mm×1.2mm×1.1mmであり、コイルの巻数は4.5ターンとした。次いで、上記の積層型チップインダクタ1の端部にAgからなる外部電極を600℃で焼き付けて形成した。
得られた積層型チップインダクタ1を測定周波数100kHz、測定電流0.2mAでLCRメータ(ヒューレットパッカード(株)製)を用いてインダクタンスLおよび品質係数Qを測定した。結果を表6に示す。
【0054】
【表6】
表6からわかるように、積層チップインダクタにおいても、Co3O4添加量が主成分に対しCo換算で0.03〜1.0質量%の範囲で良好なインダクタンスLおよび品質係数Qが得られることが確認された。
【0055】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、低コストなMgCuZnフェライトにおいて、更に、品質係数Qが高く、高周波での損失が小さく、かつ温度特性に優れ、比抵抗が高い、高特性な磁性フェライト及び積層型フェライト部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本実施の形態に係る積層型チップインダクタの分解斜視図である。
【図2】図2は、図1のII−II断面図である。
【図3】図3は、本実施の形態に係るLC複合部品の断面図である。
【図4】図4は、実施例1における透磁率μの温度特性を示すグラフである。
【図5】図5は、実施例3における各試料の温度に対する収縮率を示すグラフである。
【符号の説明】
1 ・・・ 積層型チップインダクタ
2 ・・・ 磁性フェライト層
3 ・・・ 内部電極
4 ・・・ チップ体
5 ・・・ 外部電極
11 ・・・ LC複合部品
12 ・・・ チップコンデンサ部
13 ・・・ チップフェライト部
15 ・・・ 外部電極
21 ・・・ セラミック誘電体層
22 ・・・ 内部電極
32 ・・・ 磁性フェライト層
33 ・・・ 内部電極
Claims (6)
- 主成分がFe2O3:40〜51mol%、CuO:5〜30mol%、ZnO:0.5〜35mol%、MgO:5〜50mol%からなり、添加成分として、Co3O4を前記主成分に対しCo換算で0.03〜1.0質量%含み、絶縁抵抗が1.20×10 8 〜3.89×10 8 Ω・mである磁性フェライトの製造方法であって、
Fe2O3、CuO、ZnO、MgOからなる主成分原料粉末を混合する混合工程と、
混合された前記主成分原料粉末を900℃以下の温度で仮焼きする仮焼き工程と、
前記仮焼き工程により得られた仮焼き体を添加成分Co3O4とともに粉砕して粉砕粉末を得る粉砕工程と、
前記粉砕工程により得られた前記粉砕粉末を用いて成形体を得る成形工程と、
前記成形工程で得られた前記成形体を焼成する焼成工程とを有することを特徴とする磁性フェライトの製造方法。 - 請求項1に記載の磁性フェライトの製造方法であって、前記MgOの一部を25mol%以下のNiOで置換したことを特徴とする磁性フェライトの製造方法。
- 請求項1または2に記載の磁性フェライトの製造方法であって、比表面積が6〜15.5m2/gの範囲にある前記粉砕粉末を用いて焼成することを特徴とする、磁性フェライトの製造方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の磁性フェライトの製造方法であって、940℃以下の温度で焼成することを特徴とする、磁性フェライトの製造方法。
- フェライト磁性層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライト部品の製造方法において、前記内部電極がAgまたはAg合金であって、前記フェライト磁性層が請求項1〜4のいずれかに記載の磁性フェライトの製造工程を有する、積層型ビーズまたは積層型インダクタ等の積層型チップフェライト部品の製造方法。
- フェライト磁性層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライト部品を少なくとも有するLC複合積層部品の製造方法において、前記内部電極がAgまたはAg合金であって、前記フェライト磁性層が請求項1〜4のいずれかに記載の磁性フェライトの製造工程を有する、LC複合積層部品の製造方法。
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