JP3343813B2 - 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品および複合積層型部品 - Google Patents
磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品および複合積層型部品Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
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- H01F41/046—Printed circuit coils structurally combined with ferromagnetic material
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性フェライト材
料と、この磁性フェライト材料を磁性材料として用いる
積層型チップフェライト部品およびＬＣ複合積層型部品
やトランス複合積層型部品等の積層型フェライト部品に
関する。
料と、この磁性フェライト材料を磁性材料として用いる
積層型チップフェライト部品およびＬＣ複合積層型部品
やトランス複合積層型部品等の積層型フェライト部品に
関する。
【０００２】
【従来の技術】積層型チップインダクタや積層型チップ
ビーズ等の積層型チップフェライト部品、ＬＣ複合積層
型部品等の複合積層型部品は、体積が小さいこと、堅牢
性および信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多
用されている。このような積層型フェライト部品は、通
常、磁性フェライトからなる磁性層用のシートやペース
ト、および、内部電極用のペーストを厚膜積層技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた燒結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後に焼成して
製造される。この場合、磁性層に用いられる磁性フェラ
イト材料は、内部電極用材料の融点以下での低温焼成が
可能であるという点から、ＮｉＣｕＺｎフェライトやＮ
ｉＺｎフェライトが一般に用いられている。
ビーズ等の積層型チップフェライト部品、ＬＣ複合積層
型部品等の複合積層型部品は、体積が小さいこと、堅牢
性および信頼性が高いことなどから、各種電子機器に多
用されている。このような積層型フェライト部品は、通
常、磁性フェライトからなる磁性層用のシートやペース
ト、および、内部電極用のペーストを厚膜積層技術によ
って積層一体化した後、焼成し、得られた燒結体表面に
外部電極用ペーストを印刷ないし転写した後に焼成して
製造される。この場合、磁性層に用いられる磁性フェラ
イト材料は、内部電極用材料の融点以下での低温焼成が
可能であるという点から、ＮｉＣｕＺｎフェライトやＮ
ｉＺｎフェライトが一般に用いられている。
【０００３】一方、近年の情報通信分野および高周波分
野の急速な展開の中、電磁障害対策部品の必要性が非常
に高まってきている。そして、上述の積層型フェライト
部品に要求されている一つの特性として、低周波での吸
収特性が挙げられる。従来、吸収特性をより低周波側で
発揮するためには、フェライトの透磁率を高くすること
が知られている。例えば、硼珪酸ガラスを添加すること
で液相燒結を形成し、フェライトの結晶粒成長を促進し
て透磁率を高くする方法がある（特開平５−３２６２４
１号公報）。また、ＮｉＣｕＺｎフェライトに硼珪酸ガ
ラスを添加することで、フェライトの結晶粒子が内部電
極用材料から拡散して析出したＡｇ等から受ける内部応
力が減少し、フェライトの透磁率が高くなり、インダク
タンスＬの大きい積層型チップフェライト部品が開示さ
れている（特開平８−１４８３３８号公報）。
野の急速な展開の中、電磁障害対策部品の必要性が非常
に高まってきている。そして、上述の積層型フェライト
部品に要求されている一つの特性として、低周波での吸
収特性が挙げられる。従来、吸収特性をより低周波側で
発揮するためには、フェライトの透磁率を高くすること
が知られている。例えば、硼珪酸ガラスを添加すること
で液相燒結を形成し、フェライトの結晶粒成長を促進し
て透磁率を高くする方法がある（特開平５−３２６２４
１号公報）。また、ＮｉＣｕＺｎフェライトに硼珪酸ガ
ラスを添加することで、フェライトの結晶粒子が内部電
極用材料から拡散して析出したＡｇ等から受ける内部応
力が減少し、フェライトの透磁率が高くなり、インダク
タンスＬの大きい積層型チップフェライト部品が開示さ
れている（特開平８−１４８３３８号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、積層型
フェライト部品に用いられるＮｉＣｕＺｎフェライト
は、Ａｇ内部電極と同時焼成されるので、その組成や焼
成温度（Ａｇの融点（９６０℃）以下）、および、添加
物の種類や含有量等に制限があり、硼珪酸ガラスを添加
してフェライトの結晶粒成長を促進しても、その透磁率
は最高で１５００程度であり、上述の特性に対する要請
を十分に満足できるものではなかった。
フェライト部品に用いられるＮｉＣｕＺｎフェライト
は、Ａｇ内部電極と同時焼成されるので、その組成や焼
成温度（Ａｇの融点（９６０℃）以下）、および、添加
物の種類や含有量等に制限があり、硼珪酸ガラスを添加
してフェライトの結晶粒成長を促進しても、その透磁率
は最高で１５００程度であり、上述の特性に対する要請
を十分に満足できるものではなかった。
【０００５】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、結晶粒径が大きく高い透磁率をもつ磁
性フェライト材料と、低周波での高い吸収特性や高いイ
ンダクタンスＬをもつ積層型チップフェライト部品や複
合積層型部品を提供することを目的とする。
れたものであり、結晶粒径が大きく高い透磁率をもつ磁
性フェライト材料と、低周波での高い吸収特性や高いイ
ンダクタンスＬをもつ積層型チップフェライト部品や複
合積層型部品を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の磁性フェライト材料は、Ｆｅ2 Ｏ
3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とし、ガラス
成分として少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2
Ｏを含有し、磁性フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍ
の範囲であるような構成とした。また、本発明の磁性フ
ェライト材料は、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯからなる主成分に対して、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およ
びＮａ2 Ｏからなるガラス成分が総量で８０〜２０００
ｐｐｍの範囲で含有されるような構成とした。
るために、本発明の磁性フェライト材料は、Ｆｅ2 Ｏ
3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とし、ガラス
成分として少なくともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2
Ｏを含有し、磁性フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍ
の範囲であるような構成とした。また、本発明の磁性フ
ェライト材料は、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯからなる主成分に対して、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およ
びＮａ2 Ｏからなるガラス成分が総量で８０〜２０００
ｐｐｍの範囲で含有されるような構成とした。
【０００７】また、本発明の磁性フェライト材料は、前
記ガラス成分に占めるＮａ2 Ｏ量が１〜２０重量％の範
囲内であるような構成とした。
記ガラス成分に占めるＮａ2 Ｏ量が１〜２０重量％の範
囲内であるような構成とした。
【０００８】さらに、本発明の磁性フェライト材料は、
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成が、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：６〜１３モル
％、ＣｕＯ：６〜１４モル％、ＺｎＯ：２８〜３３モル
％の範囲内にあるような構成とした。
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成が、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：６〜１３モル
％、ＣｕＯ：６〜１４モル％、ＺｎＯ：２８〜３３モル
％の範囲内にあるような構成とした。
【０００９】本発明の積層型チップフェライト部品は、
磁性フェライト層と内部電極とを多層積層して構成され
る積層型チップフェライト部品であって、前記磁性フェ
ライト層は上記の磁性フェライト材料で構成されている
ものとした。
磁性フェライト層と内部電極とを多層積層して構成され
る積層型チップフェライト部品であって、前記磁性フェ
ライト層は上記の磁性フェライト材料で構成されている
ものとした。
【００１０】本発明の複合積層型部品は、フェライト磁
性層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライ
ト部を有するＬＣ複合積層型部品であって、前記フェラ
イト磁性層は上記の磁性フェライト材料で構成されてい
るものとした。
性層と内部電極とを積層して構成されるチップフェライ
ト部を有するＬＣ複合積層型部品であって、前記フェラ
イト磁性層は上記の磁性フェライト材料で構成されてい
るものとした。
【００１１】本発明の複合積層型部品は、フェライト磁
性層と内部電極とを積層して構成されるフェライト部を
有するトランス複合積層型部品であって、前記フェライ
ト磁性層は上記の磁性フェライト材料で構成されている
ものとした。
性層と内部電極とを積層して構成されるフェライト部を
有するトランス複合積層型部品であって、前記フェライ
ト磁性層は上記の磁性フェライト材料で構成されている
ものとした。
【００１２】このような本発明では、磁性フェライトの
結晶粒径が３〜５０μｍと大きいので、高い透磁率を有
する磁性フェライト材料が可能となり、この磁性フェラ
イト材料を用いた積層型チップフェライト部品や複合積
層型部品は、インダクタンスＬや吸収特性等の特性向上
が可能となる。
結晶粒径が３〜５０μｍと大きいので、高い透磁率を有
する磁性フェライト材料が可能となり、この磁性フェラ
イト材料を用いた積層型チップフェライト部品や複合積
層型部品は、インダクタンスＬや吸収特性等の特性向上
が可能となる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１４】磁性フェライト材料 本発明の磁性フェライト材料は、ＮｉＣｕＺｎフェライ
ト材料中に特定のガラス成分を含有することにより、焼
成時の結晶粒成長がより促進されることを見出してなさ
れたものである。すなわち、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯを主成分とし、ガラス成分として少なく
ともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏを含有する磁性
フェライト材料であり、磁性フェライトの結晶粒径が３
〜５０μｍ、好ましくは３〜１０μｍの範囲のものであ
る。結晶粒径が３μｍ未満の場合、磁性フェライト材料
の透磁率が不十分なものとなり、このような磁性フェラ
イト材料で構成された磁性フェライト層等を備える積層
型フェライト部品は、インダクタンスＬや吸収特性等の
特性が不十分なものとなる。
ト材料中に特定のガラス成分を含有することにより、焼
成時の結晶粒成長がより促進されることを見出してなさ
れたものである。すなわち、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、Ｃｕ
ＯおよびＺｎＯを主成分とし、ガラス成分として少なく
ともＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏを含有する磁性
フェライト材料であり、磁性フェライトの結晶粒径が３
〜５０μｍ、好ましくは３〜１０μｍの範囲のものであ
る。結晶粒径が３μｍ未満の場合、磁性フェライト材料
の透磁率が不十分なものとなり、このような磁性フェラ
イト材料で構成された磁性フェライト層等を備える積層
型フェライト部品は、インダクタンスＬや吸収特性等の
特性が不十分なものとなる。
【００１５】ここで、本発明における結晶粒径は、以下
の方法により計測した数値を意味する。すなわち、磁性
フェライト材料を鏡面研磨し、フッ酸によりエッチング
を施し、粒径がはっきり確認できる状態とし、この状態
を電子顕微鏡等を用いて５０００倍程度の写真を撮る。
次に、写真上で任意の一定方向の２平行線が粒子に外接
するときの距離を計測し、この計測を最低１００個の粒
子について行い、その平均値を結晶粒径とする。
の方法により計測した数値を意味する。すなわち、磁性
フェライト材料を鏡面研磨し、フッ酸によりエッチング
を施し、粒径がはっきり確認できる状態とし、この状態
を電子顕微鏡等を用いて５０００倍程度の写真を撮る。
次に、写真上で任意の一定方向の２平行線が粒子に外接
するときの距離を計測し、この計測を最低１００個の粒
子について行い、その平均値を結晶粒径とする。
【００１６】本発明の磁性フェライト材料では、ＳｉＯ
2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏの３種の酸化物からなるガ
ラス成分の総量が、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよび
ＺｎＯからなる主成分に対して８０〜２０００ｐｐｍ、
好ましくは２００〜５００ｐｐｍの範囲で含有される。
上記の３種の酸化物の総量が８０ｐｐｍ未満であると、
液相燒結に必要な液相量が不足して結晶粒成長は促進さ
れない。一方、３種の酸化物の総量が２０００ｐｐｍを
超えると、結晶粒界に存在するガラス層の厚みが大き過
ぎ、フェライトとガラスの線膨張係数の差による内部応
力の発生が増大し、透磁率が減少してしまう。また、上
記の３種の酸化物の個々の含有量としては、ＳｉＯ2 ：
１０〜５００ｐｐｍ、Ｂ2 Ｏ3 ：５０〜１４００ｐｐ
ｍ、Ｎａ2Ｏ：１０〜３００ｐｐｍの範囲が好ましい。
特に、上記の３種の酸化物からなるガラス成分に占める
Ｎａ2 Ｏ量は、１〜２０重量％の範囲内であることが好
ましい。ガラス成分に占めるＮａ2 Ｏ量が１重量％未満
であると、結晶粒成長の促進が不十分となり、２０重量
％を超えると、フェライトの絶縁抵抗率が低下し、湿度
等の影響を受けて信頼性特性を悪化させることになり好
ましくない。
2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏの３種の酸化物からなるガ
ラス成分の総量が、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよび
ＺｎＯからなる主成分に対して８０〜２０００ｐｐｍ、
好ましくは２００〜５００ｐｐｍの範囲で含有される。
上記の３種の酸化物の総量が８０ｐｐｍ未満であると、
液相燒結に必要な液相量が不足して結晶粒成長は促進さ
れない。一方、３種の酸化物の総量が２０００ｐｐｍを
超えると、結晶粒界に存在するガラス層の厚みが大き過
ぎ、フェライトとガラスの線膨張係数の差による内部応
力の発生が増大し、透磁率が減少してしまう。また、上
記の３種の酸化物の個々の含有量としては、ＳｉＯ2 ：
１０〜５００ｐｐｍ、Ｂ2 Ｏ3 ：５０〜１４００ｐｐ
ｍ、Ｎａ2Ｏ：１０〜３００ｐｐｍの範囲が好ましい。
特に、上記の３種の酸化物からなるガラス成分に占める
Ｎａ2 Ｏ量は、１〜２０重量％の範囲内であることが好
ましい。ガラス成分に占めるＮａ2 Ｏ量が１重量％未満
であると、結晶粒成長の促進が不十分となり、２０重量
％を超えると、フェライトの絶縁抵抗率が低下し、湿度
等の影響を受けて信頼性特性を悪化させることになり好
ましくない。
【００１７】尚、本発明の磁性フェライト材料は、上記
のＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2Ｏの３種の酸化物か
らなるガラス成分の他に、Ｐ2 Ｏ5 、ＧｅＯ2 、Ａｓ2
Ｏ3、ＣａＯ、ＢａＯ、ＰｂＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ
5 、ＷＯ3 、ＭｏＯ3 、ＴｅＯ 2 、ＭｇＯ等のガラス化
可能な酸化物の１種または２種以上を０．２重量％未満
の範囲で含有してもよい。
のＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2Ｏの３種の酸化物か
らなるガラス成分の他に、Ｐ2 Ｏ5 、ＧｅＯ2 、Ａｓ2
Ｏ3、ＣａＯ、ＢａＯ、ＰｂＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｖ2 Ｏ
5 、ＷＯ3 、ＭｏＯ3 、ＴｅＯ 2 、ＭｇＯ等のガラス化
可能な酸化物の１種または２種以上を０．２重量％未満
の範囲で含有してもよい。
【００１８】本発明の磁性フェライト材料では、主成分
であるＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成
は、下記の範囲内とすることができる。 ・Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、好ましくは４９．４
〜４９．８モル％ ・ＮｉＯ ：６〜１３モル％、好ましくは７〜１０モル
％ ・ＣｕＯ ：６〜１４モル％、好ましくは７〜１２モル
％ ・ＺｎＯ ：２８〜３３モル％、好ましくは３０〜３２
モル％
であるＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成
は、下記の範囲内とすることができる。 ・Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９〜５０モル％、好ましくは４９．４
〜４９．８モル％ ・ＮｉＯ ：６〜１３モル％、好ましくは７〜１０モル
％ ・ＣｕＯ ：６〜１４モル％、好ましくは７〜１２モル
％ ・ＺｎＯ ：２８〜３３モル％、好ましくは３０〜３２
モル％
【００１９】磁性フェライト材料のＦｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成が上記の範囲を外れた領
域では、透磁率が不十分なものとなる。具体的には、例
えば、Ｆｅ2 Ｏ3 量が上記の範囲から外れた場合、透磁
率が低下する。また、ＺｎＯ量が少な過ぎる場合、透磁
率が減少し、多過ぎると室温での透磁率は増加するが、
キュリー点が低下し、使用温度範囲内で透磁率の急激な
低下が発生して使用に耐えない。また、ＮｉＯ量とＣｕ
Ｏ量は、主成分組成からＦｅ2 Ｏ3 量とＺｎＯ量を引い
た残りを分けることになるが、ＣｕＯ量が上記の範囲よ
り少ないと、燒結性が不足して透磁率は低下し、上記範
囲を超えると、比抵抗が低下し実用に供し得ない。
Ｏ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成が上記の範囲を外れた領
域では、透磁率が不十分なものとなる。具体的には、例
えば、Ｆｅ2 Ｏ3 量が上記の範囲から外れた場合、透磁
率が低下する。また、ＺｎＯ量が少な過ぎる場合、透磁
率が減少し、多過ぎると室温での透磁率は増加するが、
キュリー点が低下し、使用温度範囲内で透磁率の急激な
低下が発生して使用に耐えない。また、ＮｉＯ量とＣｕ
Ｏ量は、主成分組成からＦｅ2 Ｏ3 量とＺｎＯ量を引い
た残りを分けることになるが、ＣｕＯ量が上記の範囲よ
り少ないと、燒結性が不足して透磁率は低下し、上記範
囲を超えると、比抵抗が低下し実用に供し得ない。
【００２０】尚、本発明の磁性フェライト材料のＦｅ2
Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの主成分組成の分
析、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の
分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定する
ことができる。
Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの主成分組成の分
析、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の
分析は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定する
ことができる。
【００２１】積層チップフェライト部品 本発明の積層型チップフェライト部品は、磁性フェライ
ト層と内部電極とを多層積層して構成され、磁性フェラ
イト層を本発明の磁性フェライト材料で構成したもので
ある。
ト層と内部電極とを多層積層して構成され、磁性フェラ
イト層を本発明の磁性フェライト材料で構成したもので
ある。
【００２２】図１は、本発明の積層型チップフェライト
部品の一実施形態である積層型チップインダクタの一例
を示す概略断面図であり、図２は平面部分断面図であ
る。図１および図２において、積層型チップインダクタ
１は、磁性フェライト層２と内部電極３とが交互に積層
一体化された多層構造のチップ体４を有し、このチップ
体４の端部には、内部電極３と電気的に導通する外部電
極５，５が設けられている。
部品の一実施形態である積層型チップインダクタの一例
を示す概略断面図であり、図２は平面部分断面図であ
る。図１および図２において、積層型チップインダクタ
１は、磁性フェライト層２と内部電極３とが交互に積層
一体化された多層構造のチップ体４を有し、このチップ
体４の端部には、内部電極３と電気的に導通する外部電
極５，５が設けられている。
【００２３】積層型チップインダクタ１を構成する磁性
フェライト層２は、上述の本発明の磁性フェライト材料
で構成されたものである。すなわち、本発明の磁性フェ
ライト材料を得るためのＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯお
よびＺｎＯを主成分とした仮焼成粉と、ＳｉＯ2 、Ｂ2
Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の各粉体とを、エチル
セルロース等のバインダとテルピネオール、ブチルカル
ビトール等の溶剤とともに混練して磁性フェライト層用
ペーストを調製し、この磁性フェライト層用ペーストを
内部電極用ペーストと交互に印刷積層した後、焼成して
形成することができる。
フェライト層２は、上述の本発明の磁性フェライト材料
で構成されたものである。すなわち、本発明の磁性フェ
ライト材料を得るためのＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯお
よびＺｎＯを主成分とした仮焼成粉と、ＳｉＯ2 、Ｂ2
Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の各粉体とを、エチル
セルロース等のバインダとテルピネオール、ブチルカル
ビトール等の溶剤とともに混練して磁性フェライト層用
ペーストを調製し、この磁性フェライト層用ペーストを
内部電極用ペーストと交互に印刷積層した後、焼成して
形成することができる。
【００２４】この磁性フェライト層用ペースト中のバイ
ンダおよび溶剤の含有量には制限はなく、例えば、バイ
ンダの含有量は１〜５重量％、溶剤の含有量は１０〜５
０重量％程度の範囲で設定することができる。また、ペ
ースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電
体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有させること
ができる。
ンダおよび溶剤の含有量には制限はなく、例えば、バイ
ンダの含有量は１〜５重量％、溶剤の含有量は１０〜５
０重量％程度の範囲で設定することができる。また、ペ
ースト中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、誘電
体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有させること
ができる。
【００２５】また、磁性フェライト層２は、磁性フェラ
イト層用シートを用いて形成することもできる。すなわ
ち、本発明の磁性フェライト材料を得るためのＦｅ2 Ｏ
3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とした仮焼成
粉と、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分
の各粉体とを、ポリビニルブチラールを主成分としたバ
インダとトルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミ
ル中で混練してスラリーを調製し、このスラリーをポリ
エステルフィルム等の上にドクターブレード法等で塗布
し乾燥して磁性フェライト層用シートを得る。この磁性
フェライト層用シートを、内部電極用ペーストと交互に
積層した後、焼成する。
イト層用シートを用いて形成することもできる。すなわ
ち、本発明の磁性フェライト材料を得るためのＦｅ2 Ｏ
3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とした仮焼成
粉と、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分
の各粉体とを、ポリビニルブチラールを主成分としたバ
インダとトルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミ
ル中で混練してスラリーを調製し、このスラリーをポリ
エステルフィルム等の上にドクターブレード法等で塗布
し乾燥して磁性フェライト層用シートを得る。この磁性
フェライト層用シートを、内部電極用ペーストと交互に
積層した後、焼成する。
【００２６】尚、磁性フェライト層用シート中のバイン
ダの含有量には制限はなく、例えば、１〜５重量％程度
の範囲で設定することができる。また、磁性フェライト
層用シート中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、
誘電体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有させる
ことができる。
ダの含有量には制限はなく、例えば、１〜５重量％程度
の範囲で設定することができる。また、磁性フェライト
層用シート中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、
誘電体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有させる
ことができる。
【００２７】積層型チップインダクタ１を構成する内部
電極３は、インダクタとして実用的な品質係数Ｑを得る
ために抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて
形成する。内部電極３は、各層が長円形状であり、隣接
する内部電極３の各層は、図２に示されるように、スパ
イラル状に導通が確保されているので、内部電極３は閉
磁路コイル（巻線パターン）を構成し、その両端に外部
電極５，５が接続されている。
電極３は、インダクタとして実用的な品質係数Ｑを得る
ために抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて
形成する。内部電極３は、各層が長円形状であり、隣接
する内部電極３の各層は、図２に示されるように、スパ
イラル状に導通が確保されているので、内部電極３は閉
磁路コイル（巻線パターン）を構成し、その両端に外部
電極５，５が接続されている。
【００２８】積層型チップインダクタ１のチップ体４の
外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定
することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸
法は１．０〜４．５ｍｍ×０．５〜３．２ｍｍ×０．６
〜１．９ｍｍ程度とすることができる。また、磁性フェ
ライト層２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限
はなく、電極間厚み（内部電極３，３の間隔）は１０〜
１００μｍ、ベース厚みは２５０〜５００μｍ程度で設
定することができる。さらに、内部電極３の厚みは、通
常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンのピ
ッチは１０〜１００μｍ程度、巻数は１．５〜２０．５
ターン程度とすることができる。
外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定
することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸
法は１．０〜４．５ｍｍ×０．５〜３．２ｍｍ×０．６
〜１．９ｍｍ程度とすることができる。また、磁性フェ
ライト層２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限
はなく、電極間厚み（内部電極３，３の間隔）は１０〜
１００μｍ、ベース厚みは２５０〜５００μｍ程度で設
定することができる。さらに、内部電極３の厚みは、通
常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンのピ
ッチは１０〜１００μｍ程度、巻数は１．５〜２０．５
ターン程度とすることができる。
【００２９】磁性フェライト層用ペーストあるいはシー
トと内部電極用ペーストとを交互に印刷積層した後の焼
成時の温度は、８００〜９３０℃、好ましくは８５０〜
９００℃とする。焼成温度が８００℃未満であると焼成
不足となり、一方、９３０℃を超えるとフェライト材料
中に内部電極材料が拡散して、電磁気特性を著しく低下
させることがある。また、焼成時間は０．０５〜５時
間、好ましくは０．１〜３時間の範囲で設定することが
できる。
トと内部電極用ペーストとを交互に印刷積層した後の焼
成時の温度は、８００〜９３０℃、好ましくは８５０〜
９００℃とする。焼成温度が８００℃未満であると焼成
不足となり、一方、９３０℃を超えるとフェライト材料
中に内部電極材料が拡散して、電磁気特性を著しく低下
させることがある。また、焼成時間は０．０５〜５時
間、好ましくは０．１〜３時間の範囲で設定することが
できる。
【００３０】尚、磁性フェライト層２中のＦｅ2 Ｏ3 、
ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの主成分組成の分析、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の分析は、
ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定することがで
きる。
ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの主成分組成の分析、Ｓｉ
Ｏ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の分析は、
ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定することがで
きる。
【００３１】複合積層型部品 本発明の複合積層型部品は、本発明の磁性フェライト材
料で構成されたフェライト磁性層と内部電極とを積層し
たチップフェライト部やフェライト部を有するものであ
る。
料で構成されたフェライト磁性層と内部電極とを積層し
たチップフェライト部やフェライト部を有するものであ
る。
【００３２】図３は、本発明の複合積層型部品の一実施
形態であるＬＣ複合積層型部品の一例を示す概略断面図
である。図３において、ＬＣ複合積層型部品１１は、チ
ップコンデンサ部１２とチップフェライト部１３とを一
体化したものであり、この端部には外部電極１５，１５
が設けられている。
形態であるＬＣ複合積層型部品の一例を示す概略断面図
である。図３において、ＬＣ複合積層型部品１１は、チ
ップコンデンサ部１２とチップフェライト部１３とを一
体化したものであり、この端部には外部電極１５，１５
が設けられている。
【００３３】チップコンデンサ部１２は、セラミック誘
電体層２１と内部電極２２とが交互に積層一体化された
多層構造を有する。
電体層２１と内部電極２２とが交互に積層一体化された
多層構造を有する。
【００３４】セラミック誘電体層２１としては特に制限
はなく、種々の誘電体材料を用いることができ、焼成温
度が低い酸化チタン系誘電体が好ましい。また、チタン
酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいは、
これらの混合物を使用することもできる。さらに、焼成
温度を下げるために、硼珪酸ガラス等の各種ガラスが含
有されてもよい。
はなく、種々の誘電体材料を用いることができ、焼成温
度が低い酸化チタン系誘電体が好ましい。また、チタン
酸系複合酸化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいは、
これらの混合物を使用することもできる。さらに、焼成
温度を下げるために、硼珪酸ガラス等の各種ガラスが含
有されてもよい。
【００３５】また、内部電極２２は、抵抗率の小さいＡ
ｇを主体とした導電材を用いて形成されており、内部電
極２２の各層は、交互に別の外部電極に接続されてい
る。
ｇを主体とした導電材を用いて形成されており、内部電
極２２の各層は、交互に別の外部電極に接続されてい
る。
【００３６】チップフェライト部１３は、積層型チップ
インダクタであり、フェライト磁性層３２と内部電極３
３とが交互に積層一体化された多層構造のチップ体であ
る。
インダクタであり、フェライト磁性層３２と内部電極３
３とが交互に積層一体化された多層構造のチップ体であ
る。
【００３７】フェライト磁性層３２は、本発明の磁性フ
ェライト材料で構成されたものである。すなわち、本発
明の磁性フェライト材料を得るためのＦｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とした仮焼成粉と、Ｓ
ｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ 2 Ｏのガラス成分の各粉体
とを、エチルセルロース等のバインダとテルピネオー
ル、ブチルカルビトール等の溶剤とともに混練してフェ
ライト磁性層用ペーストを調製し、このフェライト磁性
層用ペーストを、内部電極用ペーストと交互に印刷積層
した後、焼成して形成することができる。あるいは、本
発明の磁性フェライト材料を得るためのＦｅ2 Ｏ3 、Ｎ
ｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とした仮焼成粉と、
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の各粉
体とを、ポリビニルブチラールを主成分としたバインダ
とトルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミル中で
混練してスラリーを調製し、このスラリーをポリエステ
ルフィルム等の上にドクターブレード法等で塗布し乾燥
して得たフェライト磁性層用シートを、内部電極用ペー
ストと交互に積層した後、焼成して形成することができ
る。
ェライト材料で構成されたものである。すなわち、本発
明の磁性フェライト材料を得るためのＦｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とした仮焼成粉と、Ｓ
ｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ 2 Ｏのガラス成分の各粉体
とを、エチルセルロース等のバインダとテルピネオー
ル、ブチルカルビトール等の溶剤とともに混練してフェ
ライト磁性層用ペーストを調製し、このフェライト磁性
層用ペーストを、内部電極用ペーストと交互に印刷積層
した後、焼成して形成することができる。あるいは、本
発明の磁性フェライト材料を得るためのＦｅ2 Ｏ3 、Ｎ
ｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とした仮焼成粉と、
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の各粉
体とを、ポリビニルブチラールを主成分としたバインダ
とトルエン、キシレン等の溶媒とともにボールミル中で
混練してスラリーを調製し、このスラリーをポリエステ
ルフィルム等の上にドクターブレード法等で塗布し乾燥
して得たフェライト磁性層用シートを、内部電極用ペー
ストと交互に積層した後、焼成して形成することができ
る。
【００３８】また、内部電極３３はスパイラル状に導通
が確保されて閉磁路コイル（巻線パターン）を構成し、
その両端は外部電極１５，１５に接続されている。この
内部電極３３は、抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電
材を用いて形成される。
が確保されて閉磁路コイル（巻線パターン）を構成し、
その両端は外部電極１５，１５に接続されている。この
内部電極３３は、抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電
材を用いて形成される。
【００３９】チップフェライト部１３のフェライト磁性
層３２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はな
く、電極間厚み（内部電極３３，３３の間隔）は１０〜
１００μｍ、ベース厚みは１００〜５００μｍ程度で設
定することができる。さらに、内部電極３３の厚みは、
通常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンの
ピッチは１０〜４００μｍ程度、巻数は１．５〜５０．
５ターン程度とすることができる。
層３２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はな
く、電極間厚み（内部電極３３，３３の間隔）は１０〜
１００μｍ、ベース厚みは１００〜５００μｍ程度で設
定することができる。さらに、内部電極３３の厚みは、
通常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線パターンの
ピッチは１０〜４００μｍ程度、巻数は１．５〜５０．
５ターン程度とすることができる。
【００４０】本発明のＬＣ複合積層型部品１１の外形や
寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定するこ
とができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は
１．６〜１０．０ｍｍ×０．８〜１５．０ｍｍ×１．０
〜５．０ｍｍ程度とすることができる。
寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定するこ
とができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は
１．６〜１０．０ｍｍ×０．８〜１５．０ｍｍ×１．０
〜５．０ｍｍ程度とすることができる。
【００４１】尚、フェライト磁性層３２中のＦｅ2 Ｏ
3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの主成分組成の分析、
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の分析
は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定すること
ができる。
3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの主成分組成の分析、
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏのガラス成分の分析
は、ガラスビート法による蛍光Ｘ線分析で測定すること
ができる。
【００４２】また、ＬＣ複合積層型部品以外のトランス
複合積層型部品等の場合も、上記と同様に本発明の磁性
フェライト材料を用いて作製することができる。
複合積層型部品等の場合も、上記と同様に本発明の磁性
フェライト材料を用いて作製することができる。
【００４３】
【実施例】次に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。 ［磁性フェライト材料の作製］まず、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｕＯおよびＺｎＯの各成分を下記の製造条件で配
合、仮焼成、粉砕して仮焼成粉（Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９．５
モル％、ＮｉＯ：８．５モル％、ＣｕＯ：１１．０モル
％、ＺｎＯ：３１．０モル％の組成）を調製した。製造条件 ・配合及び粉砕用ポット ： ４インチ、ステンレスボ
ールミルポット ・配合及び粉砕用メディア： １／８インチスチールボ
ール８００ｇ ・配合時間 ： １０時間 ・粉砕時間 ： ６０時間 ・仮焼成条件 ： ７００℃、４時間
詳細に説明する。 ［磁性フェライト材料の作製］まず、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｎｉ
Ｏ、ＣｕＯおよびＺｎＯの各成分を下記の製造条件で配
合、仮焼成、粉砕して仮焼成粉（Ｆｅ2 Ｏ3 ：４９．５
モル％、ＮｉＯ：８．５モル％、ＣｕＯ：１１．０モル
％、ＺｎＯ：３１．０モル％の組成）を調製した。製造条件 ・配合及び粉砕用ポット ： ４インチ、ステンレスボ
ールミルポット ・配合及び粉砕用メディア： １／８インチスチールボ
ール８００ｇ ・配合時間 ： １０時間 ・粉砕時間 ： ６０時間 ・仮焼成条件 ： ７００℃、４時間
【００４４】次に、各仮焼成粉にガラス成分としてＳｉ
Ｏ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏの３成分、あるいは、Ｓ
ｉＯ2 およびＢ2 Ｏ3 の２成分を加えて、９種の混合粉
体を作製した。これにポリビニルアルコール６％水溶液
を１０重量％添加し、その後、トロイダル（外径１１．
１ｃｍ、内径５．１ｃｍ、厚み２．４ｃｍ）に成形し、
９００℃で２時間の焼成を行って磁性フェライト材料
（実施例１〜５、比較例１〜４）を得た。得られた９種
の磁性フェライト材料について、ガラスビート法による
蛍光Ｘ線分析で、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯからなる主成分に対するＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｎａ
2 Ｏの各含有量を分析して結果を下記の表１に示した。
Ｏ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏの３成分、あるいは、Ｓ
ｉＯ2 およびＢ2 Ｏ3 の２成分を加えて、９種の混合粉
体を作製した。これにポリビニルアルコール６％水溶液
を１０重量％添加し、その後、トロイダル（外径１１．
１ｃｍ、内径５．１ｃｍ、厚み２．４ｃｍ）に成形し、
９００℃で２時間の焼成を行って磁性フェライト材料
（実施例１〜５、比較例１〜４）を得た。得られた９種
の磁性フェライト材料について、ガラスビート法による
蛍光Ｘ線分析で、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯからなる主成分に対するＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、Ｎａ
2 Ｏの各含有量を分析して結果を下記の表１に示した。
【００４５】さらに、得られた磁性フェライト材料（実
施例１〜５、比較例１〜４）の結晶粒径、透磁率μを下
記の方法で測定して、結果を下記の表１に示した。結晶粒径の測定方法 トロイダル形状の磁性フェライト材料を鏡面研磨し、フ
ッ酸によりエッチングを施し、電子顕微鏡を用いて５０
００倍程度の写真を撮り、この写真上で任意の一定方向
の２平行線が粒子に外接するときの距離を計測し、この
計測を１００個の粒子について行い、その平均値を算出
して結晶粒径とする。透磁率μの測定方法 トロイダル形状の磁性フェライト材料に銅製ワイヤー
（線径０．３５ｍｍ）を２０ターン巻き、測定周波数１
００ＫＨｚ、測定電流０．５ｍＡでＬＣＲメーター（ヒ
ューレットパッカー（株）製）を用いてインダクタンス
を測定し、下記の式を用いて透磁率μを算出する。 透磁率μ＝（ｌe ×Ｌ）／（μ0 ×Ａe ×Ｎ2 ） ｌe ：磁路長 Ｌ：試料のインダクタンス μ0 ：真空の透磁率＝４π×１０-7（Ｈ／ｍ） Ａe ：試料の断面積 Ｎ：コイルの巻数
施例１〜５、比較例１〜４）の結晶粒径、透磁率μを下
記の方法で測定して、結果を下記の表１に示した。結晶粒径の測定方法 トロイダル形状の磁性フェライト材料を鏡面研磨し、フ
ッ酸によりエッチングを施し、電子顕微鏡を用いて５０
００倍程度の写真を撮り、この写真上で任意の一定方向
の２平行線が粒子に外接するときの距離を計測し、この
計測を１００個の粒子について行い、その平均値を算出
して結晶粒径とする。透磁率μの測定方法 トロイダル形状の磁性フェライト材料に銅製ワイヤー
（線径０．３５ｍｍ）を２０ターン巻き、測定周波数１
００ＫＨｚ、測定電流０．５ｍＡでＬＣＲメーター（ヒ
ューレットパッカー（株）製）を用いてインダクタンス
を測定し、下記の式を用いて透磁率μを算出する。 透磁率μ＝（ｌe ×Ｌ）／（μ0 ×Ａe ×Ｎ2 ） ｌe ：磁路長 Ｌ：試料のインダクタンス μ0 ：真空の透磁率＝４π×１０-7（Ｈ／ｍ） Ａe ：試料の断面積 Ｎ：コイルの巻数
【００４６】［積層型チップフェライト部品の作製］上
記の９種の混合粉体を用い、各混合粉体１００重量部に
対して、エチルセルロース２．５重量部、テルピネオー
ル４０重量部を加え、３本ロールにて混練して磁性フェ
ライト層用ペーストを調製した。一方、平均粒径０．８
μｍのＡｇ１００重量部に対して、エチルセルロース
２．５重量部、テルピネオール４０重量部を加え、３本
ロールにて混練して、内部電極用ペーストを調製した。
このような磁性フェライト層用ペーストと内部電極用ペ
ーストを交互に印刷積層した後、９００℃で２時間の焼
成を行って図１および図２に示されるような積層型チッ
プインダクタ（実施例１〜５、比較例１〜４）を得た。
これらの積層型チップインダクタの寸法は２．０ｍｍ×
１．２ｍｍ×０．８５ｍｍであり、巻数は３．５ターン
とした。次いで、上記の積層型チップインダクタの端部
に外部電極を約６００℃で焼き付けて形成し、測定周波
数１００ＫＨｚ、測定電流０．２ｍＡでＬＣＲメーター
（ヒューレットパッカー（株）製）を用いてインダクタ
ンスＬを測定し、結果を下記の表１に示した。
記の９種の混合粉体を用い、各混合粉体１００重量部に
対して、エチルセルロース２．５重量部、テルピネオー
ル４０重量部を加え、３本ロールにて混練して磁性フェ
ライト層用ペーストを調製した。一方、平均粒径０．８
μｍのＡｇ１００重量部に対して、エチルセルロース
２．５重量部、テルピネオール４０重量部を加え、３本
ロールにて混練して、内部電極用ペーストを調製した。
このような磁性フェライト層用ペーストと内部電極用ペ
ーストを交互に印刷積層した後、９００℃で２時間の焼
成を行って図１および図２に示されるような積層型チッ
プインダクタ（実施例１〜５、比較例１〜４）を得た。
これらの積層型チップインダクタの寸法は２．０ｍｍ×
１．２ｍｍ×０．８５ｍｍであり、巻数は３．５ターン
とした。次いで、上記の積層型チップインダクタの端部
に外部電極を約６００℃で焼き付けて形成し、測定周波
数１００ＫＨｚ、測定電流０．２ｍＡでＬＣＲメーター
（ヒューレットパッカー（株）製）を用いてインダクタ
ンスＬを測定し、結果を下記の表１に示した。
【００４７】また、上記と同様にして磁性フェライト層
用ペーストを調製し、このペーストと、上記の内部電極
用ペーストとを使用して、２０１２タイプの積層型チッ
プビーズ（実施例１〜５、比較例１〜４）を得た。焼成
は９００℃、２時間とし、巻数は３．５ターンとした。
次いで、上記の積層型チップビーズの端部に外部電極を
約６００℃で焼き付けて形成し、インピーダンズアナラ
イザー（ヒューレットパッカー（株）製）を用いて測定
電流０．２ｍＡでインピーダンスＺ、リアクタンスＸ、
レジスタンスＲの周波数特性を測定し、測定周波数１Ｍ
ＨｚにおけるレジスタンスＲの測定結果を下記の表１に
示した。
用ペーストを調製し、このペーストと、上記の内部電極
用ペーストとを使用して、２０１２タイプの積層型チッ
プビーズ（実施例１〜５、比較例１〜４）を得た。焼成
は９００℃、２時間とし、巻数は３．５ターンとした。
次いで、上記の積層型チップビーズの端部に外部電極を
約６００℃で焼き付けて形成し、インピーダンズアナラ
イザー（ヒューレットパッカー（株）製）を用いて測定
電流０．２ｍＡでインピーダンスＺ、リアクタンスＸ、
レジスタンスＲの周波数特性を測定し、測定周波数１Ｍ
ＨｚにおけるレジスタンスＲの測定結果を下記の表１に
示した。
【００４８】
【表１】 表１に示されるように、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯお
よびＺｎＯを主成分とし、ガラス成分としてＳｉＯ2 、
Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏの３成分を含有し、かつ、磁性
フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍの範囲内にある磁
性フェライト材料（実施例１〜５）は、透磁率が１５０
０を超えることが確認された。また、この磁性フェライ
ト材料で構成された磁性フェライト層を備える積層型チ
ップインダクタ（実施例１〜５）は、５μＨ以上の非常
に高いインダクタンスＬを有することが確認された。さ
らに、上記の磁性フェライト材料で構成された磁性フェ
ライト層を備える積層型チップビーズ（実施例１〜５）
の測定周波数１ＭＨｚにおけるレジスタンスＲ（吸収成
分）は、３５Ω以上と大きいものであった。
よびＺｎＯを主成分とし、ガラス成分としてＳｉＯ2 、
Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏの３成分を含有し、かつ、磁性
フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍの範囲内にある磁
性フェライト材料（実施例１〜５）は、透磁率が１５０
０を超えることが確認された。また、この磁性フェライ
ト材料で構成された磁性フェライト層を備える積層型チ
ップインダクタ（実施例１〜５）は、５μＨ以上の非常
に高いインダクタンスＬを有することが確認された。さ
らに、上記の磁性フェライト材料で構成された磁性フェ
ライト層を備える積層型チップビーズ（実施例１〜５）
の測定周波数１ＭＨｚにおけるレジスタンスＲ（吸収成
分）は、３５Ω以上と大きいものであった。
【００４９】これに対して、ガラス成分を含有しない場
合（比較例１）は、磁性フェライトの結晶粒径が２μｍ
であり、磁性フェライト材料の透磁率は１０００程度と
低いものであった。また、ガラス成分としてＳｉＯ2 、
Ｂ2 Ｏ3 の２成分を含有させたのみでＮａ2 Ｏを含有し
ない場合（比較例２〜４）、磁性フェライトの結晶粒径
は大きくなるものの、未だ３μｍ未満であり、磁性フェ
ライト材料の透磁率、積層型チップインダクタのインダ
クタンスＬ、および、積層型チップビーズのレジスタン
スＲは、いずれも上記の実施例１〜５に比べて低いもの
であった。
合（比較例１）は、磁性フェライトの結晶粒径が２μｍ
であり、磁性フェライト材料の透磁率は１０００程度と
低いものであった。また、ガラス成分としてＳｉＯ2 、
Ｂ2 Ｏ3 の２成分を含有させたのみでＮａ2 Ｏを含有し
ない場合（比較例２〜４）、磁性フェライトの結晶粒径
は大きくなるものの、未だ３μｍ未満であり、磁性フェ
ライト材料の透磁率、積層型チップインダクタのインダ
クタンスＬ、および、積層型チップビーズのレジスタン
スＲは、いずれも上記の実施例１〜５に比べて低いもの
であった。
【００５０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればＮ
ｉＣｕＺｎフェライト材料中に特定のガラス成分を含有
させることにより、焼成時の結晶粒成長が促進され、磁
性フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍの範囲となるの
で、磁性フェライト材料の透磁率が高いものとなり、こ
のような磁性フェライト材料で構成された磁性フェライ
ト層を備える積層型チップインダクタは、非常に高いイ
ンダクタンスＬをもち、従来品に比べ同等の取得インダ
クタンスＬの設計の場合、巻数が低減され、小型化や低
背化が可能となり、また、本発明の磁性フェライト材料
で構成された磁性フェライト層を備える積層型チップビ
ーズは、反射成分（リアクタンス）が小さく、吸収成分
（レジスタンス）が大きく、かつ、両者の交点が低周波
側にシフトするので、従来に比べて高い吸収特性を備え
たものとなり、さらに、本発明の磁性フェライト材料で
構成されたフェライト磁性層と内部電極とを積層したチ
ップフェライト部を有する複合積層型部品は、高密度
化、高特性化が可能となる。
ｉＣｕＺｎフェライト材料中に特定のガラス成分を含有
させることにより、焼成時の結晶粒成長が促進され、磁
性フェライトの結晶粒径が３〜５０μｍの範囲となるの
で、磁性フェライト材料の透磁率が高いものとなり、こ
のような磁性フェライト材料で構成された磁性フェライ
ト層を備える積層型チップインダクタは、非常に高いイ
ンダクタンスＬをもち、従来品に比べ同等の取得インダ
クタンスＬの設計の場合、巻数が低減され、小型化や低
背化が可能となり、また、本発明の磁性フェライト材料
で構成された磁性フェライト層を備える積層型チップビ
ーズは、反射成分（リアクタンス）が小さく、吸収成分
（レジスタンス）が大きく、かつ、両者の交点が低周波
側にシフトするので、従来に比べて高い吸収特性を備え
たものとなり、さらに、本発明の磁性フェライト材料で
構成されたフェライト磁性層と内部電極とを積層したチ
ップフェライト部を有する複合積層型部品は、高密度
化、高特性化が可能となる。
【図１】本発明の積層型チップフェライト部品の一実施
形態である積層型チップインダクタの一例を示す概略断
面図である。
形態である積層型チップインダクタの一例を示す概略断
面図である。
【図２】図１に示される積層型チップインダクタの平面
部分断面図である。
部分断面図である。
【図３】本発明の複合積層型部品の一実施形態であるＬ
Ｃ複合積層型部品の一例を示す概略断面図である。
Ｃ複合積層型部品の一例を示す概略断面図である。
１…積層型チップインダクタ ２…磁性フェライト層 ３…内部電極 ４…チップ体 ５，５…外部電極 １１…ＬＣ複合積層型部品 １２…チップコンデンサ部 １３…チップフェライト部 １５，１５…外部電極 ２１…セラミック誘電体層 ２２…内部電極 ３２…フェライト磁性層 ３３…内部電極
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01F 1/12 - 1/375
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎ
Ｏを主成分とし、ガラス成分として少なくともＳｉＯ
2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 Ｏを含有し、磁性フェライト
の結晶粒径が３〜５０μｍの範囲であることを特徴とす
る磁性フェライト材料。 - 【請求項２】 Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎ
Ｏからなる主成分に対して、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 および
Ｎａ2 Ｏからなるガラス成分が総量で８０〜２０００ｐ
ｐｍの範囲で含有されることを特徴とする請求項１に記
載の磁性フェライト材料。 - 【請求項３】 前記ガラス成分に占めるＮａ2 Ｏ量は、
１〜２０重量％の範囲内であることを特徴とする請求項
２に記載の磁性フェライト材料。 - 【請求項４】 Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎ
Ｏの組成は、Ｆｅ2Ｏ3 ：４９〜５０モル％、ＮｉＯ：
６〜１３モル％、ＣｕＯ：６〜１４モル％、ＺｎＯ：２
８〜３３モル％の範囲内にあることを特徴とする請求項
１乃至請求項３のいずれかに記載の磁性フェライト材
料。 - 【請求項５】 磁性フェライト層と内部電極とを多層積
層して構成される積層型チップフェライト部品におい
て、 前記磁性フェライト層は請求項１乃至請求項４のいずれ
かに記載の磁性フェライト材料で構成されていることを
特徴とする積層型チップフェライト部品。 - 【請求項６】 フェライト磁性層と内部電極とを積層し
て構成されるチップフェライト部を有するＬＣ複合積層
型部品において、 前記フェライト磁性層は請求項１乃至請求項４のいずれ
かに記載の磁性フェライト材料で構成されていることを
特徴とするＬＣ複合積層型部品。 - 【請求項７】 フェライト磁性層と内部電極とを積層し
て構成されるフェライト部を有するトランス複合積層型
部品において、 前記フェライト磁性層は請求項１乃至請求項４のいずれ
かに記載の磁性フェライト材料で構成されていることを
特徴とするトランス複合積層型部品。
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| JP00422599A JP3343813B2 (ja) | 1999-01-11 | 1999-01-11 | 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品および複合積層型部品 |
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